JPH0645682A - 光増幅器 - Google Patents
光増幅器Info
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- JPH0645682A JPH0645682A JP19694792A JP19694792A JPH0645682A JP H0645682 A JPH0645682 A JP H0645682A JP 19694792 A JP19694792 A JP 19694792A JP 19694792 A JP19694792 A JP 19694792A JP H0645682 A JPH0645682 A JP H0645682A
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- light
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は光増幅器に関し、入力信号光のパワー
の急峻な変化にかかわらず出力信号光のパワーを一定に
保つことができる光増幅器の提供を目的とする。 【構成】励起光源１１と信号光及び励起光源１１からの
励起光が導波される光増幅媒体１２とを含む光増幅手段
１３と、光増幅手段１３の光出力を、出力パワーが一定
になるように制御された減衰率で減衰させる制御減衰手
段１４とから構成する。
の急峻な変化にかかわらず出力信号光のパワーを一定に
保つことができる光増幅器の提供を目的とする。 【構成】励起光源１１と信号光及び励起光源１１からの
励起光が導波される光増幅媒体１２とを含む光増幅手段
１３と、光増幅手段１３の光出力を、出力パワーが一定
になるように制御された減衰率で減衰させる制御減衰手
段１４とから構成する。
Description
【０００１】 （目次） 産業上の利用分野 従来の技術 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段 作用 実施例 発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は光増幅器に関する。光増
幅器の光伝送システムへの適用形態としては、光中継
器、光送信機用の電力増幅器、光受信機用の前置増幅器
等がある。このような光増幅器の用途においては、入力
した光のパワーにかかわらず出力される光のパワーが一
定になるような制御を行うことが、後段の装置の安定動
作を確保する上で要求される。
幅器の光伝送システムへの適用形態としては、光中継
器、光送信機用の電力増幅器、光受信機用の前置増幅器
等がある。このような光増幅器の用途においては、入力
した光のパワーにかかわらず出力される光のパワーが一
定になるような制御を行うことが、後段の装置の安定動
作を確保する上で要求される。
【０００３】
【従来の技術】励起光により光増幅媒体を励起状態に
し、光増幅媒体内で生じる誘導放出により信号光を増幅
するように構成された光増幅器が公知である。
し、光増幅媒体内で生じる誘導放出により信号光を増幅
するように構成された光増幅器が公知である。
【０００４】この種の光増幅器においては、一般に、出
力される信号光のパワーが一定になるようにするため
に、光増幅媒体の光出力を分岐し、分岐光のパワーに基
づき励起光のパワーを制御するフィードバックループが
付加的に設けられている。
力される信号光のパワーが一定になるようにするため
に、光増幅媒体の光出力を分岐し、分岐光のパワーに基
づき励起光のパワーを制御するフィードバックループが
付加的に設けられている。
【０００５】光増幅媒体としては、例えば、Ｅｒ（エル
ビウム）等の希土類元素がドープされたドープファイバ
が用いられる。
ビウム）等の希土類元素がドープされたドープファイバ
が用いられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】光増幅媒体としてドー
プファイバが用いられている場合、上述のようなフィー
ドバックループを設けたとしても、入力信号光のパワー
が急峻に変化したときに、励起光のパワーの変化に対す
る光増幅媒体の応答が遅いために、出力信号光のパワー
が必ずしも一定に保たれないことがあるという問題が生
じる。
プファイバが用いられている場合、上述のようなフィー
ドバックループを設けたとしても、入力信号光のパワー
が急峻に変化したときに、励起光のパワーの変化に対す
る光増幅媒体の応答が遅いために、出力信号光のパワー
が必ずしも一定に保たれないことがあるという問題が生
じる。
【０００７】例えば、入力信号光のパワーが急激に増大
した場合、フィードバックループにより励起光のパワー
は急激に減少させられるが、励起光のパワーの減少に伴
う光増幅媒体の反転分布の減少は急激にはなされない
（ドープ元素がＥｒである場合十数ミリ秒必要）ので、
出力信号光はサージ状のパワー変動を伴うことになる。
また、入力信号光のパワーが急激に減少した場合に制御
のオーバーシュートによりサージ状の極端なパワー変動
が生じることもある。このようなサージ状のパワー変動
が生じると、例えば光受信機における受光素子やトラン
ジスタが破損する恐れが生じる。
した場合、フィードバックループにより励起光のパワー
は急激に減少させられるが、励起光のパワーの減少に伴
う光増幅媒体の反転分布の減少は急激にはなされない
（ドープ元素がＥｒである場合十数ミリ秒必要）ので、
出力信号光はサージ状のパワー変動を伴うことになる。
また、入力信号光のパワーが急激に減少した場合に制御
のオーバーシュートによりサージ状の極端なパワー変動
が生じることもある。このようなサージ状のパワー変動
が生じると、例えば光受信機における受光素子やトラン
ジスタが破損する恐れが生じる。
【０００８】本発明の目的は、入力信号光のパワーの急
峻な変化にかかわらず出力信号光のパワーを一定に保つ
ことができる光増幅器を提供することにある。
峻な変化にかかわらず出力信号光のパワーを一定に保つ
ことができる光増幅器を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の光増幅器
の第１構成を示すブロック図であり、この構成は請求項
１により特定される構成に対応している。
の第１構成を示すブロック図であり、この構成は請求項
１により特定される構成に対応している。
【００１０】本発明の光増幅器の第１構成は、励起光源
１１と信号光及び励起光源１１からの励起光が導波され
る光増幅媒体１２とを含む光増幅手段１３と、光増幅手
段１３の光出力を、出力パワーが一定になるように制御
された減衰率で減衰させる制御減衰手段１４とを備え
る。
１１と信号光及び励起光源１１からの励起光が導波され
る光増幅媒体１２とを含む光増幅手段１３と、光増幅手
段１３の光出力を、出力パワーが一定になるように制御
された減衰率で減衰させる制御減衰手段１４とを備え
る。
【００１１】図２は本発明の光増幅器の第２構成を示す
ブロック図であり、この構成は請求項１５により特定さ
れる構成に対応している。本発明の光増幅器の第２構成
は、励起光源１１と信号光及び励起光源１１からの励起
光が導波される光増幅媒体１２とを含む光増幅手段１３
と、光増幅手段１３の光出力を第１分岐光及び第２分岐
光に分岐する光分岐手段２１と、光増幅媒体１２で誘導
放出を生じさせる波長帯の制御光を光増幅媒体１２に上
記信号光の伝搬方向下流側から導入する制御光導入手段
２２と、上記第１分岐光のパワーに基づき上記制御光の
パワーをフィードバック制御する制御光制御手段２３と
を備える。
ブロック図であり、この構成は請求項１５により特定さ
れる構成に対応している。本発明の光増幅器の第２構成
は、励起光源１１と信号光及び励起光源１１からの励起
光が導波される光増幅媒体１２とを含む光増幅手段１３
と、光増幅手段１３の光出力を第１分岐光及び第２分岐
光に分岐する光分岐手段２１と、光増幅媒体１２で誘導
放出を生じさせる波長帯の制御光を光増幅媒体１２に上
記信号光の伝搬方向下流側から導入する制御光導入手段
２２と、上記第１分岐光のパワーに基づき上記制御光の
パワーをフィードバック制御する制御光制御手段２３と
を備える。
【００１２】
【作用】本発明の光増幅器の第１構成によると、出力パ
ワーが一定になるように減衰率が制御される制御減衰手
段を設けており、この種の減衰率制御では制御の応答速
度を十分に速くすることができるので、入力信号光のパ
ワーの急峻な変化にかかわらず出力信号光のパワーを一
定に保つことができる光増幅器の提供が可能になる。
ワーが一定になるように減衰率が制御される制御減衰手
段を設けており、この種の減衰率制御では制御の応答速
度を十分に速くすることができるので、入力信号光のパ
ワーの急峻な変化にかかわらず出力信号光のパワーを一
定に保つことができる光増幅器の提供が可能になる。
【００１３】本発明の光増幅器の第２構成において、光
増幅媒体１２で誘導放出を生じさせる波長帯の制御光
が、制御光導入手段２２により光増幅媒体１２に信号光
の伝搬方向下流側から導入されると、光増幅媒体１２に
おける反転分布は導入された制御光のパワーに応じて減
少させられる。反転分布が減少すると、光増幅手段１３
における利得は下がる。この場合、光増幅媒体１２にお
ける利得の減少は、制御光のパワーの変化（増大）に高
速で応答する。
増幅媒体１２で誘導放出を生じさせる波長帯の制御光
が、制御光導入手段２２により光増幅媒体１２に信号光
の伝搬方向下流側から導入されると、光増幅媒体１２に
おける反転分布は導入された制御光のパワーに応じて減
少させられる。反転分布が減少すると、光増幅手段１３
における利得は下がる。この場合、光増幅媒体１２にお
ける利得の減少は、制御光のパワーの変化（増大）に高
速で応答する。
【００１４】従って、光分岐手段２１からの分岐光のパ
ワーに基づき制御光のパワーをフィードバック制御する
ことによって、入力信号光のパワーの急峻な変化にかか
わらず出力信号光のパワーを一定に保つことができるよ
うになる。
ワーに基づき制御光のパワーをフィードバック制御する
ことによって、入力信号光のパワーの急峻な変化にかか
わらず出力信号光のパワーを一定に保つことができるよ
うになる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。尚、全図
を通して実質的に同一の部分には同一の符号を付すこと
にする。
を通して実質的に同一の部分には同一の符号を付すこと
にする。
【００１６】図３は本発明の光増幅器の第１構成の第１
実施態様を示すブロック図である。この第１実施態様に
おいては、光増幅手段１３の光出力を第１分岐光及び第
２分岐光に分岐する光分岐手段３１と、光分岐手段３１
からの第１分岐光のパワーに基づき励起光のパワーをフ
ィードバック制御する励起光制御手段３２とが付加的に
設けられており、光分岐手段３１からの第２分岐光が制
御減衰手段（図１参照）に供給される。
実施態様を示すブロック図である。この第１実施態様に
おいては、光増幅手段１３の光出力を第１分岐光及び第
２分岐光に分岐する光分岐手段３１と、光分岐手段３１
からの第１分岐光のパワーに基づき励起光のパワーをフ
ィードバック制御する励起光制御手段３２とが付加的に
設けられており、光分岐手段３１からの第２分岐光が制
御減衰手段（図１参照）に供給される。
【００１７】制御減衰手段は、光分岐手段３１からの第
２分岐光が供給される減衰率可変型の光減衰器３３と、
光減衰器３３の光出力を第３分岐光及び第４分岐光に分
岐する光分岐手段３４と、光分岐手段３４からの第３分
岐光のパワーに基づき光減衰器３３の減衰率をフィード
バック制御する減衰率フィードバック制御手段３５とを
含む。
２分岐光が供給される減衰率可変型の光減衰器３３と、
光減衰器３３の光出力を第３分岐光及び第４分岐光に分
岐する光分岐手段３４と、光分岐手段３４からの第３分
岐光のパワーに基づき光減衰器３３の減衰率をフィード
バック制御する減衰率フィードバック制御手段３５とを
含む。
【００１８】減衰率フィードバック制御手段３５におけ
る制御による光パワー（光減衰器３３の光出力のパワ
ー）の変化の応答速度は、励起光制御手段３２における
制御による光パワー（光増幅媒体１２の光出力のパワ
ー）の変化の応答速度よりも十分に速い。
る制御による光パワー（光減衰器３３の光出力のパワ
ー）の変化の応答速度は、励起光制御手段３２における
制御による光パワー（光増幅媒体１２の光出力のパワ
ー）の変化の応答速度よりも十分に速い。
【００１９】光分岐手段３１及び３４における分岐比
は、第１及び第３分岐光の必要強度に応じて設定され
る。第１及び第２分岐光間の分岐比並びに第３及び第４
分岐光間の分岐比は、例えば、それぞれ１：２０であ
る。
は、第１及び第３分岐光の必要強度に応じて設定され
る。第１及び第２分岐光間の分岐比並びに第３及び第４
分岐光間の分岐比は、例えば、それぞれ１：２０であ
る。
【００２０】図４は本発明の光増幅器の第１構成の第２
実施態様を示すブロック図である。第２実施態様は、光
分岐手段３１及び励起光制御手段３２が付加的に設けら
れている点並びに制御減衰手段（図１参照）が光減衰器
３３を含む点で図３の第１実施態様と共通する。図４の
第２実施態様が図３の第１実施態様と異なる点は、光減
衰器３３の減衰率をフィードフォワード制御するように
している点である。
実施態様を示すブロック図である。第２実施態様は、光
分岐手段３１及び励起光制御手段３２が付加的に設けら
れている点並びに制御減衰手段（図１参照）が光減衰器
３３を含む点で図３の第１実施態様と共通する。図４の
第２実施態様が図３の第１実施態様と異なる点は、光減
衰器３３の減衰率をフィードフォワード制御するように
している点である。
【００２１】即ち、第２実施態様においては、制御減衰
手段（図１参照）は、光減衰器３３に加えて、光分岐手
段３１からの第１分岐光のパワーに基づき光減衰器３３
の減衰率をフィードフォワード制御する減衰率フィード
フォワード制御手段４１を含む。
手段（図１参照）は、光減衰器３３に加えて、光分岐手
段３１からの第１分岐光のパワーに基づき光減衰器３３
の減衰率をフィードフォワード制御する減衰率フィード
フォワード制御手段４１を含む。
【００２２】減衰率フィードフォワード制御手段４１に
おける制御による光パワー（光減衰器３３の光出力のパ
ワー）の変化の応答速度は、励起光制御手段３２におけ
る制御による光パワー（光増幅媒体１２の光出力のパワ
ー）の変化の応答速度よりも十分に速い。
おける制御による光パワー（光減衰器３３の光出力のパ
ワー）の変化の応答速度は、励起光制御手段３２におけ
る制御による光パワー（光増幅媒体１２の光出力のパワ
ー）の変化の応答速度よりも十分に速い。
【００２３】尚、減衰率フィードフォワード制御手段４
１の制御応答特性によっては、入力信号光のパワーの急
峻な変化に光減衰器３３の減衰率の変化が追従し得ない
恐れがあるので、このような場合には、遅延時間が減衰
率フィードフォワード制御手段４１の制御応答特性に応
じて設定される光遅延回路を光分岐手段３１と光減衰器
３３の間に設けるとよい。
１の制御応答特性によっては、入力信号光のパワーの急
峻な変化に光減衰器３３の減衰率の変化が追従し得ない
恐れがあるので、このような場合には、遅延時間が減衰
率フィードフォワード制御手段４１の制御応答特性に応
じて設定される光遅延回路を光分岐手段３１と光減衰器
３３の間に設けるとよい。
【００２４】図５は図３の第１実施態様の具体的実施例
を示す光増幅器のブロック図である。図３の光増幅手段
１３は、励起光源１１に対応するレーザダイオード５１
と、光増幅媒体１２に対応するドープファイバ５２と、
光合波器５３と、光アイソレータ５４及び５５と、光帯
域通過フィルタ５６とを含む。
を示す光増幅器のブロック図である。図３の光増幅手段
１３は、励起光源１１に対応するレーザダイオード５１
と、光増幅媒体１２に対応するドープファイバ５２と、
光合波器５３と、光アイソレータ５４及び５５と、光帯
域通過フィルタ５６とを含む。
【００２５】図３の光分岐手段３１及び３４に対応し
て、それぞれ光分岐回路５７及び５９が設けられてい
る。光分岐回路５７及び５９は、例えば光カプラ等の光
方向性結合器からなる。
て、それぞれ光分岐回路５７及び５９が設けられてい
る。光分岐回路５７及び５９は、例えば光カプラ等の光
方向性結合器からなる。
【００２６】図３の励起光制御手段３２は、受光回路５
８及びバイアス制御回路５９を含む。図３の減衰率フィ
ードバック制御手段３５は、受光回路６０及び減衰率制
御回路６１を含む。
８及びバイアス制御回路５９を含む。図３の減衰率フィ
ードバック制御手段３５は、受光回路６０及び減衰率制
御回路６１を含む。
【００２７】光合波器５３のポート５３Ａには増幅すべ
き信号光が供給され、ポート５３Ｂにはレーザダイオー
ド５１からの励起光が供給される。信号光及び励起光は
光合波器５３で合波され、ポート５３Ｃから出力され
る。
き信号光が供給され、ポート５３Ｂにはレーザダイオー
ド５１からの励起光が供給される。信号光及び励起光は
光合波器５３で合波され、ポート５３Ｃから出力され
る。
【００２８】ドープファイバ５２の少なくともコアには
Ｅｒ（エルビウム），Ｎｄ（ネオジム），Ｐｒ（プラセ
オジム）等の希土類元素がドープされている。ドープ元
素の種類及び励起光の波長は、増幅すべき信号光の波長
に応じて設定される。信号光の波長が石英系光ファイバ
における損失特性が良好な１．５５μｍ帯にある場合に
おいて、ドープ元素がＥｒであるときには、励起光の波
長は１．４８μｍ帯或いは０．９８μｍ帯に設定され
る。
Ｅｒ（エルビウム），Ｎｄ（ネオジム），Ｐｒ（プラセ
オジム）等の希土類元素がドープされている。ドープ元
素の種類及び励起光の波長は、増幅すべき信号光の波長
に応じて設定される。信号光の波長が石英系光ファイバ
における損失特性が良好な１．５５μｍ帯にある場合に
おいて、ドープ元素がＥｒであるときには、励起光の波
長は１．４８μｍ帯或いは０．９８μｍ帯に設定され
る。
【００２９】光合波器５３のポート５３Ｃは、光アイソ
レータ５４の入力ポート５４Ａに接続され、光アイソレ
ータ５４の出力ポート５４Ｂはドープファイバ５２の第
１端に接続される。
レータ５４の入力ポート５４Ａに接続され、光アイソレ
ータ５４の出力ポート５４Ｂはドープファイバ５２の第
１端に接続される。
【００３０】ドープファイバ５２の第２端は光アイソレ
ータ５５の入力ポート５５Ａに接続され、光アイソレー
タ５５の出力ポート５５Ｂは光帯域通過フィルタ５６の
入力ポート５６Ａに接続される。
ータ５５の入力ポート５５Ａに接続され、光アイソレー
タ５５の出力ポート５５Ｂは光帯域通過フィルタ５６の
入力ポート５６Ａに接続される。
【００３１】光アイソレータ５４及び５５はそれぞれ入
力ポートから出力ポートに向かう順方向にのみ光を通過
させる。光分岐回路５７は、ポート５７Ａに供給された
光を所定の分岐比（例えば２０：１）で分岐してそれぞ
れポート５７Ｂ及び５７Ｃから出力する。光合波器５７
のポート５７Ｂ及び５７Ｃはそれぞれ光減衰器３３及び
受光回路５８に接続される。
力ポートから出力ポートに向かう順方向にのみ光を通過
させる。光分岐回路５７は、ポート５７Ａに供給された
光を所定の分岐比（例えば２０：１）で分岐してそれぞ
れポート５７Ｂ及び５７Ｃから出力する。光合波器５７
のポート５７Ｂ及び５７Ｃはそれぞれ光減衰器３３及び
受光回路５８に接続される。
【００３２】光分岐回路５９は、光減衰器３３の光出力
を２分岐して、一方の分岐光を受光回路６０に供給す
る。光分岐回路５９の他方の分岐光はこの光増幅器の光
出力となる。光分岐回路５９の分岐比は例えば光分岐回
路５７の分岐比と同じである。
を２分岐して、一方の分岐光を受光回路６０に供給す
る。光分岐回路５９の他方の分岐光はこの光増幅器の光
出力となる。光分岐回路５９の分岐比は例えば光分岐回
路５７の分岐比と同じである。
【００３３】受光回路５８は、フォトダイオード等の受
光素子と増幅器を備えており、この受光回路５８は、光
分岐回路５７からの分岐光の平均パワーに応じた直流電
圧信号を出力する。
光素子と増幅器を備えており、この受光回路５８は、光
分岐回路５７からの分岐光の平均パワーに応じた直流電
圧信号を出力する。
【００３４】バイアス制御回路５９は、受光回路５８か
らの直流電圧信号を参照電圧Ｖref1と比較してその誤差
成分が零になるようにレーザダイオード５１のバイアス
電流を制御する。
らの直流電圧信号を参照電圧Ｖref1と比較してその誤差
成分が零になるようにレーザダイオード５１のバイアス
電流を制御する。
【００３５】光減衰器３３としては、ＬｉＮｂＯ3 マッ
ハツェンダ型光変調器、半導体電界吸収型光変調器及び
半導体マッハツェンダ型光変調器等の光変調器を用いる
ことができる。ここで例示された光変調器を用いた場
合、光変調器に与える電圧信号によりその透過率（即ち
減衰率）を高速に制御することができる。
ハツェンダ型光変調器、半導体電界吸収型光変調器及び
半導体マッハツェンダ型光変調器等の光変調器を用いる
ことができる。ここで例示された光変調器を用いた場
合、光変調器に与える電圧信号によりその透過率（即ち
減衰率）を高速に制御することができる。
【００３６】受光回路６０は、フォトダイオード等の受
光素子と増幅器を備えており、この受光回路６０は、光
分岐回路５９からの分岐光の平均パワーに応じた直流電
圧信号を出力する。
光素子と増幅器を備えており、この受光回路６０は、光
分岐回路５９からの分岐光の平均パワーに応じた直流電
圧信号を出力する。
【００３７】減衰率制御回路６１は、受光回路６０から
の直流電圧信号を参照電圧Ｖref2と比較してその誤差成
分が零になるように光減衰器３３の減衰率を制御する。
次に、図５の光増幅器の動作を説明する。光合波器５３
で合波された信号光及び励起光は、光アイソレータ５４
を順方向に通過して、ドープファイバ５２に入射する。
ドープファイバ５２に信号光及び励起光が入射すると、
導波領域にドープされている希土類元素及び励起光の作
用によって誘導放出が生じ、信号光は増幅される。増幅
された信号光及び消費されずに残った励起光は、光アイ
ソレータ５５を順方向に通過して光帯域通過フィルタ５
６に入射する。光帯域通過フィルタ５６では、励起光及
び雑音成分となる自然放出光が除去されて、増幅された
信号光のみが光帯域通過フィルタ５６を通過する。
の直流電圧信号を参照電圧Ｖref2と比較してその誤差成
分が零になるように光減衰器３３の減衰率を制御する。
次に、図５の光増幅器の動作を説明する。光合波器５３
で合波された信号光及び励起光は、光アイソレータ５４
を順方向に通過して、ドープファイバ５２に入射する。
ドープファイバ５２に信号光及び励起光が入射すると、
導波領域にドープされている希土類元素及び励起光の作
用によって誘導放出が生じ、信号光は増幅される。増幅
された信号光及び消費されずに残った励起光は、光アイ
ソレータ５５を順方向に通過して光帯域通過フィルタ５
６に入射する。光帯域通過フィルタ５６では、励起光及
び雑音成分となる自然放出光が除去されて、増幅された
信号光のみが光帯域通過フィルタ５６を通過する。
【００３８】励起光のパワーの適当な可変範囲において
は、励起光のパワーが増大するのに従って光増幅の利得
は増大する。従って、ドープファイバ５２に入力する信
号光のパワーが比較的ゆっくりと変動する場合には、受
光回路５８及びバイアス制御回路５９の作用によって、
信号光のパワー変動を打ち消すようにレーザダイオード
５１のバイアス電流が制御される。
は、励起光のパワーが増大するのに従って光増幅の利得
は増大する。従って、ドープファイバ５２に入力する信
号光のパワーが比較的ゆっくりと変動する場合には、受
光回路５８及びバイアス制御回路５９の作用によって、
信号光のパワー変動を打ち消すようにレーザダイオード
５１のバイアス電流が制御される。
【００３９】しかし、ドープファイバ５２に入力する信
号光のパワーが急激に変動した場合には、レーザダイオ
ード５１のバイアス電流の制御だけではこのパワー変動
は打ち消されず、光減衰器３３に入力する信号光にはパ
ワー変動が残る。そして、このパワー変動が打ち消され
るように、光減衰器３３の減衰率が受光回路６０及び減
衰率制御回路６１によって制御される。具体的には次の
通りである。
号光のパワーが急激に変動した場合には、レーザダイオ
ード５１のバイアス電流の制御だけではこのパワー変動
は打ち消されず、光減衰器３３に入力する信号光にはパ
ワー変動が残る。そして、このパワー変動が打ち消され
るように、光減衰器３３の減衰率が受光回路６０及び減
衰率制御回路６１によって制御される。具体的には次の
通りである。
【００４０】図６は図５の光減衰器３３に入力する信号
光のパワー変化の説明図である。いま、ドープファイバ
５２への入力信号光のパワーが、符号７１で表されるよ
うに、ステップ応答的に急激に増大した場合を想定す
る。このようなパワー変動は、光コネクタの着脱、光可
変減衰器の操作、何らかの原因による光送信機出力電力
の変化等により生じ得るものである。
光のパワー変化の説明図である。いま、ドープファイバ
５２への入力信号光のパワーが、符号７１で表されるよ
うに、ステップ応答的に急激に増大した場合を想定す
る。このようなパワー変動は、光コネクタの着脱、光可
変減衰器の操作、何らかの原因による光送信機出力電力
の変化等により生じ得るものである。
【００４１】このような入力信号光のパワー変動は受光
回路５８により検出され、バイアス制御回路５９はレー
ザダイオード５１のバイアス電流を即座に減少させて、
励起光のパワーは、符号７２で表されるように、入力信
号光のパワーの増大とほぼ同時にステップ応答的に減少
する。
回路５８により検出され、バイアス制御回路５９はレー
ザダイオード５１のバイアス電流を即座に減少させて、
励起光のパワーは、符号７２で表されるように、入力信
号光のパワーの増大とほぼ同時にステップ応答的に減少
する。
【００４２】しかし、励起光のパワーが急速に減少させ
られたとしても、ドープファイバ５２における反転分布
量は、符号７３で表されるように、励起光のパワーが減
少し始めた時点から比較的ゆっくりと減少する。反転分
布量が変化し終えるには、ドープ元素がＥｒである場合
には、１０ミリ秒以上の時間を要する。
られたとしても、ドープファイバ５２における反転分布
量は、符号７３で表されるように、励起光のパワーが減
少し始めた時点から比較的ゆっくりと減少する。反転分
布量が変化し終えるには、ドープ元素がＥｒである場合
には、１０ミリ秒以上の時間を要する。
【００４３】このため、光減衰器３３への入力信号光の
パワーは、符号７４で表されるように、サージ状に変化
することとなる。このような信号光のパワー変動がその
まま受信側にまで維持されていると、受光素子等に悪影
響があることは前述した通りである。
パワーは、符号７４で表されるように、サージ状に変化
することとなる。このような信号光のパワー変動がその
まま受信側にまで維持されていると、受光素子等に悪影
響があることは前述した通りである。
【００４４】図７は図５の光減衰器３３の動作特性の例
を示すグラフである。縦軸は透過率Ｔを表し、横軸は制
御電圧（例えばバイアス電圧）ＶB を表す。光減衰器３
３がＬｉＮｂＯ3 マッハツェンダ型光変調器（ＬＮＭＺ
光変調器）である場合、透過率Ｔは、符号８１で表され
るように、バイアス電圧ＶB の増大に従って正弦波状に
周期的に変化する。ＬＮＭＺ光変調器としては、数ＧＨ
ｚ以上の変調信号用のものが実用化されているから、バ
イアス電圧の変化に対して透過率は極めて高速に応答す
る。従って、例えば符号８２で表されるように、透過率
とバイアス電圧が一対一で対応する領域でバイアス電圧
ＶB を変化させることにより、光減衰器３３の減衰率を
高速に制御することができる。
を示すグラフである。縦軸は透過率Ｔを表し、横軸は制
御電圧（例えばバイアス電圧）ＶB を表す。光減衰器３
３がＬｉＮｂＯ3 マッハツェンダ型光変調器（ＬＮＭＺ
光変調器）である場合、透過率Ｔは、符号８１で表され
るように、バイアス電圧ＶB の増大に従って正弦波状に
周期的に変化する。ＬＮＭＺ光変調器としては、数ＧＨ
ｚ以上の変調信号用のものが実用化されているから、バ
イアス電圧の変化に対して透過率は極めて高速に応答す
る。従って、例えば符号８２で表されるように、透過率
とバイアス電圧が一対一で対応する領域でバイアス電圧
ＶB を変化させることにより、光減衰器３３の減衰率を
高速に制御することができる。
【００４５】図５の実施例においては、このような高速
な応答特性を有する光減衰器３３を用いて、その減衰率
を受光回路６０及び減衰率制御回路６１により制御する
ようにしているので、図６で符号７４で表されるような
光減衰器３３への入力信号光へのパワーの変動があった
としても、これを打ち消すようなフィードバック制御が
実現される。
な応答特性を有する光減衰器３３を用いて、その減衰率
を受光回路６０及び減衰率制御回路６１により制御する
ようにしているので、図６で符号７４で表されるような
光減衰器３３への入力信号光へのパワーの変動があった
としても、これを打ち消すようなフィードバック制御が
実現される。
【００４６】図５の実施例では、レーザダイオード５１
からの励起光を信号光伝搬方向上流側からドープファイ
バ５２に供給しているが、励起光を信号光伝搬方向下流
側からドープファイバ５２に供給するようにしてもよ
い。また、信号光の伝搬方向上流側及び下流側の双方か
らドープファイバ５２に励起光を供給するようにしても
よい。
からの励起光を信号光伝搬方向上流側からドープファイ
バ５２に供給しているが、励起光を信号光伝搬方向下流
側からドープファイバ５２に供給するようにしてもよ
い。また、信号光の伝搬方向上流側及び下流側の双方か
らドープファイバ５２に励起光を供給するようにしても
よい。
【００４７】この実施例では、ドープファイバ５２の信
号光伝搬方向上流側及び下流側の双方に光アイソレータ
５４及び５５をそれぞれ設けているので、共振光路内に
光増幅媒体を含む光共振器構造が構成されることが防止
され、信号光の安定した増幅が可能になる。
号光伝搬方向上流側及び下流側の双方に光アイソレータ
５４及び５５をそれぞれ設けているので、共振光路内に
光増幅媒体を含む光共振器構造が構成されることが防止
され、信号光の安定した増幅が可能になる。
【００４８】尚、図５の実施例において、バイアス制御
回路５９及び減衰率制御回路６１における参照電圧Ｖ
ref1及びＶref2並びに受光回路５８及び６０における光
電変換効率並びに光分岐回路５７及び５９の分岐比は、
減衰率制御回路６１において受光回路６０からの直流電
圧信号が参照電圧Ｖref2に等しいとしたときの光減衰器
３３の光出力のパワー（出力パワー目標値）が、バイア
ス制御回路５９において受光回路５８からの直流電圧信
号が参照電圧Ｖref1に等しいときしたときの光減衰器３
３の光入力のパワー（入力パワー目標値）に等しいかそ
れよりも小さくなるように設定される。
回路５９及び減衰率制御回路６１における参照電圧Ｖ
ref1及びＶref2並びに受光回路５８及び６０における光
電変換効率並びに光分岐回路５７及び５９の分岐比は、
減衰率制御回路６１において受光回路６０からの直流電
圧信号が参照電圧Ｖref2に等しいとしたときの光減衰器
３３の光出力のパワー（出力パワー目標値）が、バイア
ス制御回路５９において受光回路５８からの直流電圧信
号が参照電圧Ｖref1に等しいときしたときの光減衰器３
３の光入力のパワー（入力パワー目標値）に等しいかそ
れよりも小さくなるように設定される。
【００４９】接続等による不可避的な損失を考慮すれ
ば、出力パワー目標値が入力パワー目標値よりも小さく
なるように上記設定がなされる。何故ならば、出力パワ
ー目標値が入力パワー目標値よりも大きくなるように上
記設定がなされると、光減衰器３３においては利得が生
じ得ないから、定常状態において減衰率制御回路６１に
おける誤差信号が零にはならず、光減衰器３３が図７に
示されたような周期的な動作特性を有している場合に、
制御方法によっては制御の暴走が生じる恐れがあるから
である。
ば、出力パワー目標値が入力パワー目標値よりも小さく
なるように上記設定がなされる。何故ならば、出力パワ
ー目標値が入力パワー目標値よりも大きくなるように上
記設定がなされると、光減衰器３３においては利得が生
じ得ないから、定常状態において減衰率制御回路６１に
おける誤差信号が零にはならず、光減衰器３３が図７に
示されたような周期的な動作特性を有している場合に、
制御方法によっては制御の暴走が生じる恐れがあるから
である。
【００５０】ところで、一般に、光増幅器に入力する光
の偏光状態は一定でないため、実用化されているＬＮＭ
Ｚ光変調器等のように透過率（減衰率）に偏光依存性が
ある光減衰器を使用する場合、偏波制御回路等、入力光
の偏光の変化に対応する方策を施す必要がある。また、
入力光の偏光が一定の場合でも、各光学要素間の接続に
用いる光ファイバやドープファイバとして偏波保持ファ
イバを使用することが要求され、ドープファイバの製造
や光増幅器の組立に煩雑な作業が要求される。このよう
な問題を解決し得る実施例を図８により説明する。
の偏光状態は一定でないため、実用化されているＬＮＭ
Ｚ光変調器等のように透過率（減衰率）に偏光依存性が
ある光減衰器を使用する場合、偏波制御回路等、入力光
の偏光の変化に対応する方策を施す必要がある。また、
入力光の偏光が一定の場合でも、各光学要素間の接続に
用いる光ファイバやドープファイバとして偏波保持ファ
イバを使用することが要求され、ドープファイバの製造
や光増幅器の組立に煩雑な作業が要求される。このよう
な問題を解決し得る実施例を図８により説明する。
【００５１】図８は図３の第１実施態様の他の具体的実
施例を示す光増幅器のブロック図である。この実施例で
は、図３における光増幅手段１３と光分岐手段３１及び
３４と励起光制御手段３２と減衰率フィードバック制御
手段３５の一部とに対応する部分については、図５の実
施例と同じように構成される。
施例を示す光増幅器のブロック図である。この実施例で
は、図３における光増幅手段１３と光分岐手段３１及び
３４と励起光制御手段３２と減衰率フィードバック制御
手段３５の一部とに対応する部分については、図５の実
施例と同じように構成される。
【００５２】光分岐回路５７のポート５７Ｂからの分岐
光は、偏光ビームスプリッタ等からなる偏波分離器９１
で第１偏波成分と第２偏波成分に偏波分離され、第１及
び第２偏波成分はそれぞれ光減衰器９２Ａ及び９２Ｂに
入力する。第１偏波成分の偏波面と第２偏波成分の偏波
面は互いに垂直である。
光は、偏光ビームスプリッタ等からなる偏波分離器９１
で第１偏波成分と第２偏波成分に偏波分離され、第１及
び第２偏波成分はそれぞれ光減衰器９２Ａ及び９２Ｂに
入力する。第１偏波成分の偏波面と第２偏波成分の偏波
面は互いに垂直である。
【００５３】光減衰器９２Ａ及び９２Ｂは減衰率可変型
の同一特性のものであり、各光減衰器９２Ａ及び９２Ｂ
に入力する偏波成分の偏波面は各光減衰器９２Ａ及び９
２Ｂのそれぞれの固有偏波方向（所要の特性が得られる
ように設定された方向）に一致する。
の同一特性のものであり、各光減衰器９２Ａ及び９２Ｂ
に入力する偏波成分の偏波面は各光減衰器９２Ａ及び９
２Ｂのそれぞれの固有偏波方向（所要の特性が得られる
ように設定された方向）に一致する。
【００５４】光減衰器９２Ａ及び９２Ｂから出力した各
偏波成分は、例えば偏波分離器９１と同じものからなる
偏波合成器９３で偏波合成されて、光分岐回路５９に入
力する。光分岐回路５９の一方の分岐光は受光回路６０
で直流電圧信号に変換される。
偏波成分は、例えば偏波分離器９１と同じものからなる
偏波合成器９３で偏波合成されて、光分岐回路５９に入
力する。光分岐回路５９の一方の分岐光は受光回路６０
で直流電圧信号に変換される。
【００５５】減衰率制御回路９４は、受光回路６０から
の直流電圧信号を参照電圧Ｖref2と比較してその誤差成
分が零になるように光減衰器９２Ａ及び９２Ｂの減衰率
を制御する。
の直流電圧信号を参照電圧Ｖref2と比較してその誤差成
分が零になるように光減衰器９２Ａ及び９２Ｂの減衰率
を制御する。
【００５６】図５の実施例におけるのと同じ理由によ
り、バイアス制御回路５９及び減衰率制御回路９４にお
ける参照電圧Ｖref1及びＶref2並びに受光回路５８及び
６０における光電変換効率並びに光分岐回路５７及び５
９の分岐比は、減衰率制御回路９４において受光回路６
０からの直流電圧信号が参照電圧Ｖref2に等しいとした
ときの偏波合成器９３の光出力のパワー（出力パワー目
標値）が、バイアス制御回路５９において受光回路５８
からの直流電圧信号が参照電圧Ｖref1に等しいとしたと
きの偏波分離器９１の光入力のパワー（入力パワー目標
値）に等しいかそれよりも小さくなるように設定され
る。光学的な接続等による不可避的な損失を考慮すれ
ば、出力パワー目標値が入力パワー目標値よりも小さく
なるように上記設定がなされる。
り、バイアス制御回路５９及び減衰率制御回路９４にお
ける参照電圧Ｖref1及びＶref2並びに受光回路５８及び
６０における光電変換効率並びに光分岐回路５７及び５
９の分岐比は、減衰率制御回路９４において受光回路６
０からの直流電圧信号が参照電圧Ｖref2に等しいとした
ときの偏波合成器９３の光出力のパワー（出力パワー目
標値）が、バイアス制御回路５９において受光回路５８
からの直流電圧信号が参照電圧Ｖref1に等しいとしたと
きの偏波分離器９１の光入力のパワー（入力パワー目標
値）に等しいかそれよりも小さくなるように設定され
る。光学的な接続等による不可避的な損失を考慮すれ
ば、出力パワー目標値が入力パワー目標値よりも小さく
なるように上記設定がなされる。
【００５７】本実施例によると、各光減衰器９２Ａ及び
９２Ｂに入力する光の偏波状態は常に一定するので、各
光減衰器９２Ａ及び９２Ｂの減衰率に偏波依存性がある
場合でも、偏波制御回路等が不要となり、また、各光学
要素間の光接続用の光ファイバやドープファイバとして
偏波保持ファイバを使用することなしに、本発明の目的
を達成することができ、ドープファイバの製造作業や光
増幅器の組立作業が簡単になる。
９２Ｂに入力する光の偏波状態は常に一定するので、各
光減衰器９２Ａ及び９２Ｂの減衰率に偏波依存性がある
場合でも、偏波制御回路等が不要となり、また、各光学
要素間の光接続用の光ファイバやドープファイバとして
偏波保持ファイバを使用することなしに、本発明の目的
を達成することができ、ドープファイバの製造作業や光
増幅器の組立作業が簡単になる。
【００５８】図９は図４の第２実施態様の具体的実施例
を示す光増幅器のブロック図である。光増幅手段がレー
ザダイオード５１、ドープファイバ５２、光合波器５
３、光アイソレータ５４，５５及び光帯域通過フィルタ
５６を含む点と、光分岐手段が光分岐回路５７である点
と、励起光制御手段が受光回路５８及びバイアス制御回
路５９を含む点と、減衰率可変型の光減衰器３３が用い
られている点は図５の実施例と同じである。
を示す光増幅器のブロック図である。光増幅手段がレー
ザダイオード５１、ドープファイバ５２、光合波器５
３、光アイソレータ５４，５５及び光帯域通過フィルタ
５６を含む点と、光分岐手段が光分岐回路５７である点
と、励起光制御手段が受光回路５８及びバイアス制御回
路５９を含む点と、減衰率可変型の光減衰器３３が用い
られている点は図５の実施例と同じである。
【００５９】本実施例では、光分岐回路５７のポート５
７Ｂからの分岐光は、所定長さの光ファイバ等からなる
光遅延回路１０２を通過した後光減衰器３３に供給さ
れ、光減衰器３３の光出力がこの光増幅器から送出され
る。
７Ｂからの分岐光は、所定長さの光ファイバ等からなる
光遅延回路１０２を通過した後光減衰器３３に供給さ
れ、光減衰器３３の光出力がこの光増幅器から送出され
る。
【００６０】そして、減衰率制御回路１０１が、受光回
路５８からの直流電圧信号を参照電圧Ｖref3と比較して
その誤差成分が零になるように光減衰器３３の減衰率を
制御する。
路５８からの直流電圧信号を参照電圧Ｖref3と比較して
その誤差成分が零になるように光減衰器３３の減衰率を
制御する。
【００６１】光遅延回路１０２における遅延時間は、減
衰率制御回路１０１の制御応答特性に応じて設定され
る。例えば、光遅延回路１０２における遅延時間は、受
光回路５８の受光レベルが変化してから光減衰器３３の
減衰率が変化し始めるまでの時間にほぼ等しく設定され
る。
衰率制御回路１０１の制御応答特性に応じて設定され
る。例えば、光遅延回路１０２における遅延時間は、受
光回路５８の受光レベルが変化してから光減衰器３３の
減衰率が変化し始めるまでの時間にほぼ等しく設定され
る。
【００６２】図５の実施例におけるのと同じ理由によ
り、バイアス制御回路５９における参照電圧Ｖref1及び
減衰率制御回路１０１における参照電圧Ｖref3は、減衰
率制御回路１０１において受光回路５８からの直流電圧
信号が参照電圧Ｖref3に等しいとしたときの光減衰器３
３の光出力のパワー（出力パワー目標値）が、バイアス
制御回路５９において受光回路５８からの直流電圧信号
が参照電圧Ｖref1に等しいとしたときの光減衰器３３の
光入力のパワー（入力パワー目標値）に等しいかそれよ
りも小さくなるように設定される。即ちＶref3≦Ｖref1
である。接続等による不可避的な損失等を考慮すれば、
出力パワー目標値が入力パワー目標値よりも小さくなる
ように上記設定がなされる。
り、バイアス制御回路５９における参照電圧Ｖref1及び
減衰率制御回路１０１における参照電圧Ｖref3は、減衰
率制御回路１０１において受光回路５８からの直流電圧
信号が参照電圧Ｖref3に等しいとしたときの光減衰器３
３の光出力のパワー（出力パワー目標値）が、バイアス
制御回路５９において受光回路５８からの直流電圧信号
が参照電圧Ｖref1に等しいとしたときの光減衰器３３の
光入力のパワー（入力パワー目標値）に等しいかそれよ
りも小さくなるように設定される。即ちＶref3≦Ｖref1
である。接続等による不可避的な損失等を考慮すれば、
出力パワー目標値が入力パワー目標値よりも小さくなる
ように上記設定がなされる。
【００６３】本実施例によると、１つの受光回路５８か
らの直流電圧信号に基づいてレーザダイオード５１のバ
イアス電流をフィードバック制御するとともに光減衰器
３３の減衰率をフィードフォワード制御するようにして
いるので、入力信号光のパワーの急峻な変化にかかわら
ず出力信号光のパワーを一定に保つことができ、しか
も、図５の実施例に比べて光分岐回路及び受光回路の数
を減らして装置の構成を簡単にすることができる。
らの直流電圧信号に基づいてレーザダイオード５１のバ
イアス電流をフィードバック制御するとともに光減衰器
３３の減衰率をフィードフォワード制御するようにして
いるので、入力信号光のパワーの急峻な変化にかかわら
ず出力信号光のパワーを一定に保つことができ、しか
も、図５の実施例に比べて光分岐回路及び受光回路の数
を減らして装置の構成を簡単にすることができる。
【００６４】尚、図４の第２実施態様においても、図８
の実施例（第１実施態様の具体例）におけるのと同じよ
うにして、光減衰器の偏波依存性に対処してもよい。図
１０は図２の本発明の第２構成の具体的実施例を示す光
増幅器のブロック図である。本実施例において、光増幅
手段の構成が図５の実施例と異なる点は、ドープファイ
バ５２の信号光伝搬方向下流側の光アイソレータ５５
（図５参照）を除去して、ドープファイバ５２の第２端
を直接光帯域通過フィルタ５６の入力ポート５６Ａに接
続している点である。光分岐手段として光分岐回路５７
が用いられている点と、励起光制御手段が受光回路５８
及びバイアス制御回路５９を含む点は図５の実施例と同
じである。
の実施例（第１実施態様の具体例）におけるのと同じよ
うにして、光減衰器の偏波依存性に対処してもよい。図
１０は図２の本発明の第２構成の具体的実施例を示す光
増幅器のブロック図である。本実施例において、光増幅
手段の構成が図５の実施例と異なる点は、ドープファイ
バ５２の信号光伝搬方向下流側の光アイソレータ５５
（図５参照）を除去して、ドープファイバ５２の第２端
を直接光帯域通過フィルタ５６の入力ポート５６Ａに接
続している点である。光分岐手段として光分岐回路５７
が用いられている点と、励起光制御手段が受光回路５８
及びバイアス制御回路５９を含む点は図５の実施例と同
じである。
【００６５】符号１１１はポート１１１Ａ，１１１Ｂ，
１１１Ｃ及び１１１Ｄを有する４ポート型の光サーキュ
レータを表している。ポート１１１Ａに供給された光は
ポート１１１Ｂのみから出力し、ポート１１１Ｂに供給
された光はポート１１１Ｃのみから出力し、ポート１１
１Ｃに供給された光はポート１１１Ｄのみから出力し、
ポート１１１Ｄに供給された光はポート１１１Ａのみか
ら出力する。
１１１Ｃ及び１１１Ｄを有する４ポート型の光サーキュ
レータを表している。ポート１１１Ａに供給された光は
ポート１１１Ｂのみから出力し、ポート１１１Ｂに供給
された光はポート１１１Ｃのみから出力し、ポート１１
１Ｃに供給された光はポート１１１Ｄのみから出力し、
ポート１１１Ｄに供給された光はポート１１１Ａのみか
ら出力する。
【００６６】ポート１１１Ａにはレーザダイオード１１
２からの制御光が供給され、ポート１１１Ｂは光分岐回
路５７のポート５７Ｂに接続され、ポート１１１Ｃは図
示しない出力側光伝送路に接続され、ポート１１１Ｄは
デッドエンドにされる。
２からの制御光が供給され、ポート１１１Ｂは光分岐回
路５７のポート５７Ｂに接続され、ポート１１１Ｃは図
示しない出力側光伝送路に接続され、ポート１１１Ｄは
デッドエンドにされる。
【００６７】レーザダイオード１１１からの制御光は、
光サーキュレータ１１１、光分岐回路５７及び光帯域通
過フィルタ５６をこの順に通過してドープファイバ５２
に導入される。また、光分岐回路５７のポート５７Ｂか
ら出力された信号光は、光サーキュレータ１１１を介し
てこの光増幅器から送出される。
光サーキュレータ１１１、光分岐回路５７及び光帯域通
過フィルタ５６をこの順に通過してドープファイバ５２
に導入される。また、光分岐回路５７のポート５７Ｂか
ら出力された信号光は、光サーキュレータ１１１を介し
てこの光増幅器から送出される。
【００６８】このような光サーキュレータ１１１を用い
ているので、ドープファイバ５２の信号光伝搬方向下流
側に光アイソレータを設けなくとも、光増幅媒体を含む
光共振器構造が構成される恐れはない。
ているので、ドープファイバ５２の信号光伝搬方向下流
側に光アイソレータを設けなくとも、光増幅媒体を含む
光共振器構造が構成される恐れはない。
【００６９】制御光のパワーはバイアス制御回路１１３
により制御される。バイアス制御回路１１３は、受光回
路５８からの直流電圧信号を参照電圧Ｖref4と比較して
その誤差成分が零になるようにレーザダイオード１１２
のバイアス電流を制御する。
により制御される。バイアス制御回路１１３は、受光回
路５８からの直流電圧信号を参照電圧Ｖref4と比較して
その誤差成分が零になるようにレーザダイオード１１２
のバイアス電流を制御する。
【００７０】入力信号光のパワーが比較的ゆっくりと変
動したときにバイアス制御回路５９によってレーザダイ
オード５１からの励起光のパワーが制御される点はこれ
までの実施例と同じである。この実施例では、入力信号
光のパワーが急激に変化したときに、バイアス制御回路
１１３によってレーザダイオード１１２から供給される
制御光のパワーが制御される。
動したときにバイアス制御回路５９によってレーザダイ
オード５１からの励起光のパワーが制御される点はこれ
までの実施例と同じである。この実施例では、入力信号
光のパワーが急激に変化したときに、バイアス制御回路
１１３によってレーザダイオード１１２から供給される
制御光のパワーが制御される。
【００７１】例えば、入力信号光のパワーが急激に増大
した場合に、レーザダイオード１１２から供給される制
御光のパワーは増加させられ、これによりドープファイ
バ５２内における反転分布が急速に減少してこの光増幅
器の出力信号光のパワーが一定に保たれる。また、入力
信号光のパワーが急激に減少した場合には、レーザダイ
オード１１２から供給される制御光のパワーが減少させ
られ、これによりドープファイバ５２内における反転分
布が急速に増大して、この光増幅器の信号光出力のパワ
ーが一定に保たれる。
した場合に、レーザダイオード１１２から供給される制
御光のパワーは増加させられ、これによりドープファイ
バ５２内における反転分布が急速に減少してこの光増幅
器の出力信号光のパワーが一定に保たれる。また、入力
信号光のパワーが急激に減少した場合には、レーザダイ
オード１１２から供給される制御光のパワーが減少させ
られ、これによりドープファイバ５２内における反転分
布が急速に増大して、この光増幅器の信号光出力のパワ
ーが一定に保たれる。
【００７２】制御光の波長はドープファイバ５２で誘導
放出を生じさせる波長帯に設定される。例えば、制御光
の波長は信号光の波長にほぼ等しく設定される。バイア
ス制御回路５９における参照電圧Ｖref1及びバイアス制
御回路１１３における参照電圧Ｖref4は、バイアス制御
回路１１３において受光回路５８からの直流電圧信号が
参照電圧Ｖref4に等しいとしたときのこの光増幅器の光
出力のパワー（制御光制御目標値）が、バイアス制御回
路５９において受光回路５８からの直流電圧信号が参照
電圧Ｖref1に等しいとしたときのこの光増幅器の光出力
のパワー（励起光制御目標値）に等しいかそれよりも大
きくなるように設定される。即ち、Ｖref1≦Ｖref4であ
る。このような設定を行うようにしているのは、制御光
制御目標値が励起光制御目標値よりも小さいと、制御光
のパワーの増大を打ち消すように常に励起光のパワーが
増加する方向に励起光制御がなされてしまい、良好な制
御を行うことができない恐れがあるからである。
放出を生じさせる波長帯に設定される。例えば、制御光
の波長は信号光の波長にほぼ等しく設定される。バイア
ス制御回路５９における参照電圧Ｖref1及びバイアス制
御回路１１３における参照電圧Ｖref4は、バイアス制御
回路１１３において受光回路５８からの直流電圧信号が
参照電圧Ｖref4に等しいとしたときのこの光増幅器の光
出力のパワー（制御光制御目標値）が、バイアス制御回
路５９において受光回路５８からの直流電圧信号が参照
電圧Ｖref1に等しいとしたときのこの光増幅器の光出力
のパワー（励起光制御目標値）に等しいかそれよりも大
きくなるように設定される。即ち、Ｖref1≦Ｖref4であ
る。このような設定を行うようにしているのは、制御光
制御目標値が励起光制御目標値よりも小さいと、制御光
のパワーの増大を打ち消すように常に励起光のパワーが
増加する方向に励起光制御がなされてしまい、良好な制
御を行うことができない恐れがあるからである。
【００７３】図１１は図２の本発明の第２構成の他の具
体的実施例を示す光増幅器のブロック図である。この実
施例が図１０の実施例と異なる点は、光サーキュレータ
１１１のポート１１１Ｃから出力される信号光を光分岐
回路１２１により分岐し、分岐光の一方に基づき制御光
の制御を行っている点である。光分岐回路１２１の他方
の分岐光はこの光増幅器の光出力となる。光分岐回路１
２１としては光分岐回路５７と同じものが用いられる。
体的実施例を示す光増幅器のブロック図である。この実
施例が図１０の実施例と異なる点は、光サーキュレータ
１１１のポート１１１Ｃから出力される信号光を光分岐
回路１２１により分岐し、分岐光の一方に基づき制御光
の制御を行っている点である。光分岐回路１２１の他方
の分岐光はこの光増幅器の光出力となる。光分岐回路１
２１としては光分岐回路５７と同じものが用いられる。
【００７４】受光回路１２２は光分岐回路１２１から供
給された分岐光の平均パワーに応じた直流電圧信号を出
力する。バイアス制御回路１２３は、受光回路１２２か
らの直流電圧信号を参照電圧Ｖref5と比較してその誤差
成分が零になるようにレーザダイオード１１２のバイア
ス電流を制御する。
給された分岐光の平均パワーに応じた直流電圧信号を出
力する。バイアス制御回路１２３は、受光回路１２２か
らの直流電圧信号を参照電圧Ｖref5と比較してその誤差
成分が零になるようにレーザダイオード１１２のバイア
ス電流を制御する。
【００７５】この実施例によっても、入力信号光のパワ
ーの急峻な変化にかかわらず出力信号光のパワーを一定
に保つことができる。尚、図１０の実施例におけるのと
同じ理由により、バイアス制御回路５９及び１２３にお
ける参照電圧Ｖref1及びＶref5並びに受光回路５８及び
１２２における光電変換効率並びに光分岐回路５７及び
１２１の分岐比は、バイアス制御回路１２３において受
光回路１２２からの直流電圧信号が参照電圧Ｖref5に等
しいとしたときのこの光増幅器の光出力のパワー（制御
光制御目標値）が、バイアス制御回路５９において受光
回路５８からの直流電圧信号が参照電圧Ｖref1に等しい
としたときのこの光増幅器の光出力のパワー（励起光制
御目標値）に等しいかそれよりも大きくなるように設定
される。
ーの急峻な変化にかかわらず出力信号光のパワーを一定
に保つことができる。尚、図１０の実施例におけるのと
同じ理由により、バイアス制御回路５９及び１２３にお
ける参照電圧Ｖref1及びＶref5並びに受光回路５８及び
１２２における光電変換効率並びに光分岐回路５７及び
１２１の分岐比は、バイアス制御回路１２３において受
光回路１２２からの直流電圧信号が参照電圧Ｖref5に等
しいとしたときのこの光増幅器の光出力のパワー（制御
光制御目標値）が、バイアス制御回路５９において受光
回路５８からの直流電圧信号が参照電圧Ｖref1に等しい
としたときのこの光増幅器の光出力のパワー（励起光制
御目標値）に等しいかそれよりも大きくなるように設定
される。
【００７６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
入力信号光のパワーの急峻な変化にかかわらず出力信号
光のパワーを一定に保つことができる光増幅器の提供が
可能になるという効果を奏する。
入力信号光のパワーの急峻な変化にかかわらず出力信号
光のパワーを一定に保つことができる光増幅器の提供が
可能になるという効果を奏する。
【図１】本発明の光増幅器の第１構成を示すブロック図
である。
である。
【図２】本発明の光増幅器の第２構成を示すブロック図
である。
である。
【図３】図１の第１構成の第１実施態様を示す光増幅器
のブロック図である。
のブロック図である。
【図４】図１の第１構成の第２実施態様を示す光増幅器
のブロック図である。
のブロック図である。
【図５】図３の第１実施態様の具体的実施例を示す光増
幅器のブロック図である。
幅器のブロック図である。
【図６】光減衰器に入力する信号光のパワー変化の説明
図である。
図である。
【図７】光減衰器の動作特性の例を示すグラフである。
【図８】図３の第１実施態様の他の具体的実施例を示す
光増幅器のブロック図である。
光増幅器のブロック図である。
【図９】図４の第２実施態様の具体的実施例を示す光増
幅器のブロック図である。
幅器のブロック図である。
【図１０】図２の第２構成の具体的実施例を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
【図１１】図２の第２構成の他の具体的実施例を示すブ
ロック図である。
ロック図である。
１１ 励起光源 １２ 光増幅媒体 １３ 光増幅手段 １４ 制御減衰手段 ２１，３１，３４ 光分岐手段 ２２ 制御光導入手段 ２３ 制御光制御手段 ３２ 励起光制御手段 ３３ 光減衰器 ３５ 減衰率フィードバック制御手段 ４１ 減衰率フィードフォワード制御手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｓ 3/10 Ｚ 8934−4Ｍ
Claims (19)
- 【請求項１】 励起光源(11)と信号光及び該励起光源(1
1)からの励起光が導波される光増幅媒体(12)とを含む光
増幅手段(13)と、 該光増幅手段(13)の光出力を、出力パワーが一定になる
ように制御された減衰率で減衰させる制御減衰手段(14)
とを備えたことを特徴とする光増幅器。 - 【請求項２】 上記光増幅手段(13)の光出力を第１分岐
光及び第２分岐光に分岐する第１の光分岐手段(31)と、 上記第１分岐光のパワーに基づき上記励起光のパワーを
フィードバック制御する励起光制御手段(32)とをさらに
備え、 上記第２分岐光が上記制御減衰手段(14)に供給されるこ
とを特徴とする請求項１に記載の光増幅器。 - 【請求項３】 上記制御減衰手段(14)は、上記第２分岐
光が供給される減衰率可変型の光減衰器(33)を含むこと
を特徴とする請求項２に記載の光増幅器。 - 【請求項４】 上記制御減衰手段(14)は、上記光減衰器
(33)の光出力を第３分岐光及び第４分岐光に分岐する第
２の光分岐手段(34)と、上記第３分岐光のパワーに基づ
き上記光減衰器(33)の減衰率をフィードバック制御する
減衰率フィードバック制御手段(35)とをさらに含み、 該減衰率フィードバック制御手段(35)における制御によ
る光パワーの変化の応答速度が上記励起光制御手段(32)
における制御による光パワーの変化の応答速度よりも十
分に速いことを特徴とする請求項３に記載の光増幅器。 - 【請求項５】 上記励起光源(11)はレーザダイオード(5
1)からなり、 上記励起光制御手段(32)は、上記第１分岐光が入力され
該第１分岐光の平均パワーに応じた直流電圧信号を出力
する第１の受光回路(58)と、該第１の受光回路(58)から
の直流電圧信号を第１の参照電圧と比較してその誤差成
分が零になるように上記レーザダイオード(51)のバイア
ス電流を制御するバイアス制御回路(59)とを含み、 上記減衰率フィードバック制御手段(35)は、上記第３分
岐光が入力され該第３分岐光の平均パワーに応じた直流
電圧信号を出力する第２の受光回路(60)と、該第２の受
光回路(60)からの直流電圧信号を第２の参照電圧と比較
してその誤差成分が零になるように上記光減衰器(33)の
減衰率を制御する減衰率制御回路(61)とを含むことを特
徴とする請求項４に記載の光増幅器。 - 【請求項６】 上記第２の受光回路(60)からの直流電圧
信号が上記第２の参照電圧に等しいとしたときの上記光
減衰器(33)の光出力のパワーは、上記第１の受光回路(5
8)からの直流電圧信号が上記第１の参照電圧に等しいと
したときの上記光減衰器(33)の光入力のパワーに等しい
かそれよりも小さいことを特徴とする請求項５に記載の
光増幅器。 - 【請求項７】 上記制御減衰手段(14)は、上記第１分岐
光のパワーに基づき上記光減衰器(33)の減衰率をフィー
ドフォワード制御する減衰率フィードフォワード制御手
段(41)をさらに含み、 該減衰率フィードフォワード制御手段(41)における制御
による光パワーの変化の応答速度が上記励起光制御手段
(32)における制御による光パワーの変化の応答速度より
も十分に速いことを特徴とする請求項３に記載の光増幅
器。 - 【請求項８】 上記光減衰器(33)に入力する上記第２分
岐光を遅延させる光遅延手段をさらに備え、 該光遅延手段における遅延時間は上記減衰率フィードフ
ォワード制御手段(41)の制御応答特性に応じて設定され
ることを特徴とする請求項７に記載の光増幅器。 - 【請求項９】 上記励起光源(11)はレーザダイオード(5
1)からなり、 上記励起光制御手段(32)は、上記第１分岐光が入力され
該第１分岐光の平均パワーに応じた直流電圧信号を出力
する受光回路(58)と、該受光回路(58)からの直流電圧信
号を第１の参照電圧と比較してその誤差成分が零になる
ように上記レーザダイオード(51)のバイアス電流を制御
するバイアス制御回路(59)とを含み、 上記減衰率フィードフォワード制御手段(41)は、上記受
光回路(58)からの直流電圧信号を第２の参照電圧と比較
してその誤差成分が零になるように上記光減衰器(33)の
減衰率を制御する減衰率制御回路(101) を含むことを特
徴とする請求項８に記載の光増幅器。 - 【請求項１０】 上記受光回路(58)からの直流電圧信号
が上記第２の参照電圧に等しいとしたときの上記光減衰
器(33)の光出力のパワーは、上記受光回路(58)からの直
流電圧信号が上記第１の参照電圧に等しいとしたときの
上記光減衰器(33)の光入力のパワーに等しいかそれより
も小さいことを特徴とする請求項９に記載の光増幅器。 - 【請求項１１】 上記光減衰器(33)は、ＬｉＮｂＯ3 マ
ッハツェンダ型光変調器、半導体電界吸収型光変調器及
び半導体マッハツェンダ型光変調器から選択される光変
調器からなり、該光変調器に与えられる電圧信号により
上記減衰率が制御されることを特徴とする請求項３に記
載の光増幅器。 - 【請求項１２】 上記制御減衰手段(14)は、上記第２分
岐光を第１偏波成分と該第１偏波成分の偏波面に垂直な
偏波面を有する第２偏波成分に偏波分離する偏波分離手
段と、上記第１偏波成分が入力する減衰率可変型の第１
の光減衰器(92A) と、上記第２偏波成分が入力する減衰
率可変型の第２の光減衰器(92B) と、該第１及び第２の
光減衰器からそれぞれ出力される偏波成分を偏波合成す
る偏波合成手段とを含むことを特徴とする請求項２に記
載の光増幅器。 - 【請求項１３】 上記励起光源(11)はレーザダイオード
(51)からなり、 上記光増幅媒体(12)は少なくともコアに希土類元素がド
ープされたドープファイバ(52)からなり、 上記光増幅手段(13)は、 上記信号光及び上記励起光がそれぞれ入力する第１ポー
ト(53A) 及び第２ポート(53B) 並びに合波された上記信
号光及び上記励起光が出力する第３ポート(53C) を有す
る光合波器(53)と、 入力ポート(54A) 及び出力ポート(54B) を有し、該入力
ポート(54A) は上記光合波器(53)の第３ポート(53C) に
接続され、該出力ポート(54B) は上記ドープファイバ(5
2)の第１端に接続される第１の光アイソレータ(54)と、 入力ポート(55A) 及び出力ポート(55B) を有し、該入力
ポート(55A) は上記ドープファイバ(52)の第２端に接続
される第２の光アイソレータ(55)と、 入力ポート(56A) 及び出力ポート(56B) を有し、該入力
ポート(56A) は上記第２の光アイソレータ(55)の出力ポ
ート(55B) に接続され、その出力ポート(56B)の光出力
が上記制御減衰手段に供給される光帯域通過フィルタ(5
6)とをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の光
増幅器。 - 【請求項１４】 上記信号光の波長は１．５５μｍ帯に
あり、上記励起光の波長は１．４８μｍ帯又は０．９８
μｍ帯にあり、上記ドープファイバ(52)にドープされる
希土類元素はＥｒ（エルビウム）であり、上記光帯域通
過フィルタ(56)の通過波長帯域は１．５５μｍ帯にある
ことを特徴とする請求項１３に記載の光増幅器。 - 【請求項１５】 励起光源(11)と信号光及び該励起光源
(11)からの励起光が導波される光増幅媒体(12)とを含む
光増幅手段(13)と、 該光増幅手段(13)の光出力を第１分岐光及び第２分岐光
に分岐する光分岐手段(21)と、 上記光増幅媒体(12)で誘導放出を生じさせる波長帯の制
御光を上記光増幅媒体(12)に上記信号光の伝搬方向下流
側から導入する制御光導入手段(22)と、 上記第１分岐光のパワーに基づき上記制御光のパワーを
フィードバック制御する制御光制御手段(23)とを備えた
ことを特徴とする光増幅器。 - 【請求項１６】 上記第１分岐光のパワーに基づき上記
励起光のパワーをフィードバック制御する励起光制御手
段をさらに備え、 上記制御光制御手段(23)における制御による光パワーの
変化の応答速度が上記励起光制御手段における制御によ
る光パワーの変化の応答速度よりも十分速いことを特徴
とする請求項１５に記載の光増幅器。 - 【請求項１７】 上記励起光源(11)は第１のレーザダイ
オード(51)からなり、 上記光増幅媒体(12)は少なくともコアに希土類元素がド
ープされたドープファイバ(52)からなり、 上記光増幅手段(13)は、 上記信号光及び上記励起光がそれぞれ入力する第１ポー
ト(53A) 及び第２ポート(53B) 並びに合波された上記信
号光及び上記励起光が出力する第３ポート(53C) を有す
る光合波器(53)と、 入力ポート(54A) 及び出力ポート(54B) を有し、該入力
ポート(54A) は上記光合波器(53)の第３ポート(53C) に
接続され、該出力ポート(54B) は上記ドープファイバ(5
2)の第１端に接続される光アイソレータ(54)と、 入力ポート(56A) 及び出力ポート(56B) を有し、該入力
ポート(56A) は上記ドープファイバ(52)の第２端に接続
され、該出力ポート(56B) は上記光分岐手段に接続され
る光帯域通過フィルタ(56)とをさらに含み、 上記励起光制御手段は、 上記第１分岐光が入力され該第１分岐光の平均パワーに
応じた直流電圧信号を出力する受光回路(58)と、 該受光回路(58)からの直流電圧信号を第１の参照電圧と
比較してその誤差成分が零になるように上記第１のレー
ザダイオード(51)のバイアス電流を制御する第１のバイ
アス制御回路(59)とを含み、 上記制御光導入手段(22)は、 上記制御光を出力する第２のレーザダイオード(112)
と、 該第２のレーザダイオード(112) に接続される第１ポー
ト(111A)と上記光分岐手段に接続される第２ポート(111
B)と出力側光伝送路に接続される第３ポート(111C)とデ
ッドエンドにされる第４ポート(111D)とを有し、該第１
ポート(111A)に入力した光を該第２ポート(111B)のみか
ら出力し、該第２ポート(111B)に入力した光を該第３ポ
ート(111C)のみから出力し、該第３ポート(111C)に入力
した光を該第４ポート(111D)のみから出力し、該第４ポ
ート(111D)に入力した光を該第１ポート(111A)のみから
出力する光サーキュレータ(111) とを含み、 上記制御光制御手段(23)は、上記受光回路(58)からの直
流電圧信号を第２の参照電圧と比較してその誤差成分が
零になるように上記第２のレーザダイオード(112) のバ
イアス電流を制御する第２のバイアス制御回路(113) を
含むことを特徴とする請求項１６に記載の光増幅器。 - 【請求項１８】 上記受光回路(58)からの直流電圧信号
が上記第２の参照電圧に等しいとしたときの上記第２分
岐光のパワーは、上記受光回路(58)からの直流電圧信号
が上記第１の参照電圧に等しいとしたときの上記第２分
岐光のパワーに等しいかそれよりも大きいことを特徴と
する請求項１７に記載の光増幅器。 - 【請求項１９】 上記制御光の波長は上記信号光の波長
にほぼ等しいことを特徴とする請求項１５に記載の光増
幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19694792A JPH0645682A (ja) | 1992-07-23 | 1992-07-23 | 光増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19694792A JPH0645682A (ja) | 1992-07-23 | 1992-07-23 | 光増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645682A true JPH0645682A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16366309
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19694792A Pending JPH0645682A (ja) | 1992-07-23 | 1992-07-23 | 光増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645682A (ja) |
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06152034A (ja) * | 1992-11-06 | 1994-05-31 | Sumitomo Cement Co Ltd | ダミー光入力制御型光ファイバ増幅方法 |
| JPH0883951A (ja) * | 1994-09-09 | 1996-03-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | モード同期リングレーザ装置 |
| DE19547603A1 (de) * | 1995-12-20 | 1997-06-26 | Sel Alcatel Ag | Optische Verstärkereinrichtung |
| US6233091B1 (en) | 1996-11-25 | 2001-05-15 | Hitachi, Ltd. | Optical amplifier unit control methods, optical amplifier systems and systems which use the methods and amplifier systems |
| US6297902B1 (en) | 1995-07-05 | 2001-10-02 | Hitachi, Ltd. | Light amplification medium control method, light amplification apparatus and system using the same |
| US6313458B1 (en) | 1998-07-10 | 2001-11-06 | Nec Corporation | Gain-adjustable photoreceiver circuit with photoelectric converter and amplifier |
| WO2002001684A1 (en) * | 2000-06-29 | 2002-01-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical amplifier device |
| JP2002016308A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-01-18 | Tokin Corp | 偏光光源装置 |
| US6373610B1 (en) | 1998-01-14 | 2002-04-16 | Nec Corporation | Optical surge suppressing apparatus |
| JP2007003718A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Fujitsu Ltd | 光スイッチ装置及び光スイッチ方法 |
| JP2007059479A (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光増幅器 |
| JP2007094395A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-04-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 可変光減衰器 |
| JP2008098650A (ja) * | 2007-10-29 | 2008-04-24 | Hitachi Communication Technologies Ltd | 光ファイバ増幅器および光伝送システム |
| JP2009503894A (ja) * | 2005-08-02 | 2009-01-29 | アイティーティー マニュファクチャリング エンタープライジーズ， インコーポレイテッド | 多重モードファイバ光増幅器および光信号増幅方法 |
| US7913612B2 (en) | 2005-12-14 | 2011-03-29 | Kayaba Industry Co., Ltd. | Actuator control device |
| JP2011077538A (ja) * | 2010-11-25 | 2011-04-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光増幅器 |
| US10623107B2 (en) | 2018-05-11 | 2020-04-14 | Fujitsu Optical Components Limited | Optical transmission device and method for controlling optical transmission device |
| CN114188813A (zh) * | 2021-11-02 | 2022-03-15 | 北京无线电计量测试研究所 | 一种抑制激光强度起伏的激光发生器和方法 |
-
1992
- 1992-07-23 JP JP19694792A patent/JPH0645682A/ja active Pending
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06152034A (ja) * | 1992-11-06 | 1994-05-31 | Sumitomo Cement Co Ltd | ダミー光入力制御型光ファイバ増幅方法 |
| JPH0883951A (ja) * | 1994-09-09 | 1996-03-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | モード同期リングレーザ装置 |
| US6297902B1 (en) | 1995-07-05 | 2001-10-02 | Hitachi, Ltd. | Light amplification medium control method, light amplification apparatus and system using the same |
| DE19547603A1 (de) * | 1995-12-20 | 1997-06-26 | Sel Alcatel Ag | Optische Verstärkereinrichtung |
| US6233091B1 (en) | 1996-11-25 | 2001-05-15 | Hitachi, Ltd. | Optical amplifier unit control methods, optical amplifier systems and systems which use the methods and amplifier systems |
| US6262835B1 (en) | 1996-11-25 | 2001-07-17 | Hitachi, Ltd | Optical amplifier unit control methods, optical amplifier systems and systems which use the methods and amplifier systems |
| US6373610B1 (en) | 1998-01-14 | 2002-04-16 | Nec Corporation | Optical surge suppressing apparatus |
| US6313458B1 (en) | 1998-07-10 | 2001-11-06 | Nec Corporation | Gain-adjustable photoreceiver circuit with photoelectric converter and amplifier |
| JP2002016308A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-01-18 | Tokin Corp | 偏光光源装置 |
| US7034993B2 (en) | 2000-06-29 | 2006-04-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical amplifier apparatus |
| WO2002001684A1 (en) * | 2000-06-29 | 2002-01-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical amplifier device |
| US7057802B2 (en) | 2000-06-29 | 2006-06-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical amplifier device |
| JP2007003718A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Fujitsu Ltd | 光スイッチ装置及び光スイッチ方法 |
| JP2009503894A (ja) * | 2005-08-02 | 2009-01-29 | アイティーティー マニュファクチャリング エンタープライジーズ， インコーポレイテッド | 多重モードファイバ光増幅器および光信号増幅方法 |
| JP2007059479A (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光増幅器 |
| JP2007094395A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-04-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 可変光減衰器 |
| US7913612B2 (en) | 2005-12-14 | 2011-03-29 | Kayaba Industry Co., Ltd. | Actuator control device |
| JP2008098650A (ja) * | 2007-10-29 | 2008-04-24 | Hitachi Communication Technologies Ltd | 光ファイバ増幅器および光伝送システム |
| JP4678020B2 (ja) * | 2007-10-29 | 2011-04-27 | 株式会社日立製作所 | 光ファイバ増幅器および光伝送システム |
| JP2011077538A (ja) * | 2010-11-25 | 2011-04-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光増幅器 |
| US10623107B2 (en) | 2018-05-11 | 2020-04-14 | Fujitsu Optical Components Limited | Optical transmission device and method for controlling optical transmission device |
| CN114188813A (zh) * | 2021-11-02 | 2022-03-15 | 北京无线电计量测试研究所 | 一种抑制激光强度起伏的激光发生器和方法 |
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