JPH0645230A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

Info

Publication number
JPH0645230A
JPH0645230A JP5065075A JP6507593A JPH0645230A JP H0645230 A JPH0645230 A JP H0645230A JP 5065075 A JP5065075 A JP 5065075A JP 6507593 A JP6507593 A JP 6507593A JP H0645230 A JPH0645230 A JP H0645230A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
exposure
mode
charging
oscillation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5065075A
Other languages
English (en)
Inventor
Yosuke Shirata
陽介 白田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP5065075A priority Critical patent/JPH0645230A/ja
Publication of JPH0645230A publication Critical patent/JPH0645230A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Light Sources And Details Of Projection-Printing Devices (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 露光用光源として高解像度の得られるエキシ
マレーザを用い、かつこのエキシマレーザをアライメン
ト用走査光としても支障なく高精度で使用可能な露光装
置を提供する。 【構成】 エキシマレーザを発振する光源1と、該光源
に対しレーザ発振信号を送出する制御手段10、11と
を具備した露光装置において、前記レーザ発振信号の送
出後にレーザ充電を行なう第1のレーザ発振モード12
と、前記レーザ発振信号の送出前にレーザ充電を完了さ
せる第2のレーザ発振モード13とを有し、前記制御手
段は該第1および第2のレーザ発振モードを選択的に切
換え可能な構成とした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体回路あるいは液晶
回路製造用露光装置に関し、特にエキシマレーザを用い
た露光装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】露光装置は、マスク(またはレチクル)
上に形成された回路パターンをウエハやガラス板等の基
板上に投影露光して焼付け、基板上に塗布されたフォト
レジストにパターン潜像を形成する。近年このような露
光装置において、解像力を高め微細パターンをより高精
度に形成するために紫外域の光を射出するエキシマレー
ザが露光用光源として用いられている。このエキシマレ
ーザ光は紫外域で多くの発振波長をもつ高輝度高出力の
パルスレーザ光である。
【0003】このようなエキシマレーザの発振方法(発
振モード)は2通りあり、この2つの発振方法をそれぞ
れ図8、図9に示す。各図において、横軸は時間であ
り、発振信号をSL、レーザの充電状態をVで表す。図
8の発振方法は、発振信号が送出されるとレーザ装置が
そのトリガパルスを受けた時点Tでそのトリガによるレ
ーザ発振用の充電を開始し、時間t後にレーザ発振に必
要な電圧Vaに達するとその時点Ttでレーザを発振す
る方法(以下「コマンドチャージ法」という)である。
つまり発振信号が充電開始のトリガとなる。その後レー
ザ発振により充電状態はゼロボルトに落ちる。このコマ
ンドチャージ法では、発振信号のトリガ後常に充電時間
tだけ後にレーザが発光する。
【0004】図9の発振方法は、レーザ装置は常に充電
された状態で待機し、レーザ発振トリガ信号を受けると
直ちに発光し、発光後直ちに充電を開始して次の発振信
号に備える方法(以下「DCチャージ法」という)であ
る。このように、レーザ装置の発振方法には2つのタイ
プがあり、どちらか一方を採用していた。
【0005】露光装置においては、常に充電状態とした
場合の外部からのノイズによるエキシマレーザの誤発振
を防止するため、およびレーザの高電圧電源素子への負
荷軽減のために、通常のウエハ露光を行う場合には上記
コマンドチャージ法でレーザ発光を行なうことが望まし
い。一方、マスクの装置に対する位置を検出するため
に、マスク側に設けたアライメントマークと基板側に設
けたアライメントマークとを光走査により照射して整合
させ、両者を位置合せさせる各種方法が提案されている
(特開昭63−5521号、特開昭64−10105号
等)。
【0006】このような方法として、例えば基板を保持
するステージ上にスリット状開口部を有する調整板(位
置合せ板)を設け、この調整板を下方(ステージ側)か
ら照明し、その像をマスクのパターン面に結像させ、こ
の状態でステージを移動させることにより、マスクに設
けた窓を、調整板上の開口部の投影像により走査する。
この場合、開口部の投影像と窓とが一致したときに最大
光量が通過し、順次そのずれに応じて光量が減少する。
従って、この光量変化を記録することにより、装置に対
するマスクの位置を検出することができる。装置に対す
るマスクの位置はマスクとウエハとをアライメントする
場合の基礎データとして用いられる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、露光用
光源としてコマンドチャージ法を採用したエキシマレー
ザを用いた露光装置においては、レーザ発振信号を受け
た後に充電を開始するため、発振トリガ送出後実際に発
光するまでに時間遅れが生じる。このため、このレーザ
光をアライメント用走査光として用いようとした場合、
ステージを駆動させて位置を計測しその座標に同期させ
てレーザ発光を行なうときに、前述の時間遅れのため高
精度の位置合せができなかった。またこの時間遅れを考
慮して目的の座標で発光するように発振トリガを出力す
ることは、ステージ側の移動量や速度が一定ではないた
め困難であるという問題があった。
【0008】一方、このような問題に対処するため、単
にレーザ装置を常に充電完了状態に保つようにした発振
方法(DCチャージ法)では、特に露光時においてノイ
ズによるレーザ誤発振や電源素子への高負荷状態持続に
よる問題が生ずる。本発明は上記従来技術の欠点に鑑み
なされたものであって、露光用光源として高解像度の得
られるエキシマレーザを用い、かつこのエキシマレーザ
をアライメント用走査光としても支障なく高精度で使用
可能な露光装置の提供を目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明に係る露光装置の
基本構成を図5に示す。この露光装置は、投影光学系を
含む露光機構80と、露光動作を含め装置全体を制御す
るための制御装置40と、エキシマレーザを発光するエ
キシマレーザ光源70と、このエキシマレーザ光源70
の発振制御を行なうレーザ制御装置20とを具備する。
レーザ制御装置20はバス50を介して制御装置40に
連結される。また、エキシマレーザ光源70は光路60
を介して露光機構80に連結される。このような露光装
置において、エキシマレーザのレーザ制御装置20また
は制御装置40は、第1、第2の2つのレーザ発振モー
ドの内各工程で必要な最適モードを選択してレーザ発光
を行なう。
【0010】即ち、前記目的を達成するため、本発明に
係る露光装置は、エキシマレーザを発振する光源と、該
光源に対しレーザ発振信号を送出する制御手段とを具備
した露光装置において、無充電部分を有するように前記
レーザ充電を行いながらレーザ発振を行う第1のレーザ
発振モードと、充電状態を維持して前記レーザ発振信号
の送出前にレーザ充電を完了させる第2のレーザ発振モ
ードとを有し、前記制御手段は該第1および第2のレー
ザ発振モードを選択的に切換え可能な構成とした。
【0011】
【作用】例えばパターンの投影露光を行なう場合には、
多少の時間遅れは問題とならないため、発振信号により
充電を開始し、充電完了後に露光したり、パターン露光
時にはステージを移動させないので、レーザ発振信号送
出の所定時間前に充電を開始し、発振信号により露光を
行うといった発光制御が可能である。このように発振信
号と所定の関係で充電を開始するという発光制御を行な
うことにより無充電部分(無充電時間)を作ることがで
き、外部ノイズによる誤発光を防止するとともにレーザ
高電圧電源素子への負荷を軽減する。一方マスクやウエ
ハのアライニング等のための計測を行なう場合には、時
間的に高精度な追従性が要求されるため、計測の際充電
状態を維持させる発光制御を行ない発振周期の一定でな
い発振トリガ信号(速度一定でないステージの位置を基
準として定められる一定でない発振トリガ信号)に応じ
て直ちに発光させる。この2つの発光制御により、露光
時および計測時の両方において、誤発振のない高精度な
レーザ使用が可能となる。
【0012】
【実施例】図1は本発明の実施例に係る露光装置の概略
構成図である。エキシマレーザ光源1から射出され照度
均一化手段を含む照明光学系Sを介したレーザ光は切替
えミラー2で必要に応じてa、bに光路を切替えられ
る。光路aを選択した場合、レーザ光aは、レチクル
(マスク)Rを照射し、投影光学系3を介してマスクR
上のパターンをXYステージ4上に搭載されたウエハ5
に結像する。光路bを選択した場合、レーザ光bは、ス
テージ4の内部を通り、アライメント用位置決め板6を
下側から照射する。さらにこの位置決め用レーザ光bは
投影光学系3を通り、ディテクタ7a、集光レンズ7b
を含む光検出器7で検出され、検出信号がCPU10に
送られる。ステージ4は、このCPU10に制御される
駆動系8によりXY方向に移動する。このステージ4の
移動はレーザ干渉計9により検出され、その座標位置が
計測される。CPU10はさらにレーザ制御回路11に
連結される。レーザ制御回路11は内部に第1、第2の
2つのレーザ発振モード、即ち露光モードと計測モード
とに応じて2つの発振モードをそれぞれ実行するための
露光モード回路12および計測モード回路13が形成さ
れている。レーザ制御回路11はエキシマレーザ光源1
に連結され、選択された一方の発振モード、即ち露光モ
ード回路12または計測モード回路13を介してエキシ
マレーザの発光制御を行なう。そして、CPU10によ
る露光モードと計測モードとの切換え指令に応じてレー
ザの発振モードを第1モードと第2モードとに切換え
る。
【0013】上記露光装置の動作シーケンスの一例を図
2のフローチャートに示す。まず、ステップ21で、レ
ーザ発振モードを第2の発振モード、即ちレーザ発振信
号入力と同時にレーザを発光するモードとするように計
測モード回路13(図1)を選択する。この計測モード
状態で、マスクとウエハ(ステージ)とのアライメント
のための計測(アライメント工程)を行なう(ステップ
22)。このアライメント工程においては、例えば図1
の実施例では、CPU10は駆動系8を介してステージ
4を移動させ、干渉計9によりその座標位置を計測しな
がら、所定位置ごとにエキシマレーザ光源1を駆動して
エキシマレーザを発光する。切替えミラー2により選択
されたレーザ光bはステージ4の内部を通りミラー14
で反射され、位置合せ板6を下側から照射する。位置合
せ板6の表面はウエハ5の表面とほぼ一致しており、レ
ーザ光bはこの表面に形成された位置合せ用スリット
(図示しない)を通過する。このスリットを通過したレ
ーザ光はさらにマスクRに形成されたアライメントマー
ク(窓)Wdを通過して光検出器7で光量検出される。
検出された光量に応じてマスクとステージとのアライメ
ント状態が判別される。具体的には、光量がピーク値と
なるステージ位置がマスクの窓Wdの位置となり、マス
ク位置が干渉計9により計測され、マスクの装置に対す
る位置計測が実行される。
【0014】このアライメント工程(計測モード)にお
いては、前述のように第2の発振モードでレーザ発光が
行なわれる。この計測モードのレーザ発光制御シーケン
スを図4のフローチャートに示す。本実施例の第2の発
振モードでは図9に示すように、計測モードの初期状態
(ステージがアライメントに必要な位置にくる前の状
態)はV=Vaの充電状態、即ち発光に必要な充電完了
状態である。ステージ(位置合せ板6)がアライメント
のための所定位置にくると、位置計測のためにCPU1
0からレーザ発振信号が入力される(ステップ29)。
そしてレーザ光源1は直ちにレーザ発振し(ステップ3
0)、エキシマレーザを発光する。このレーザ発光後直
ちに充電を開始する(ステップ31)。この状態でその
後ステージは移動し、次に予定したアライメントに必要
なステージ移動量に達したか否かが判別される(ステッ
プ32)。これにより、レーザ発振によりV=0まで落
ちた充電電圧をV=Vaまで高め充電完了状態とする。
予定したステージ移動量に達していなければこの充電完
了状態で次のレーザ発振信号が入力されるまで待機しス
テップ29に戻り発振信号が入力されると直ちにエキシ
マレーザを発光し(ステップ30)、その後直ちに充電
される(ステップ31)。このような動作がアライメン
ト終了まで繰り返される。つまり計測スタートからのス
テージ移動量が所定のステージ移動量(例えば50μ
m)に達するまで予定ステージ移動単位(例えば0.5
μm単位)毎に発振信号を入力し、ステージが所定量だ
け移動している間充電状態を維持するものである。ステ
ップ32で予定ステージ移動量に達した場合アライメン
ト動作は終了する。
【0015】このようにアライメント動作の間充電状態
を維持することにより、時間遅れのないレーザ発振を行
うことができる。アライメント工程が終了すると、レー
ザ発振モードが前述の第2のモード(計測モード回路1
3)から第1のモード(露光モード回路12)に切換え
られる(図2ステップ23)。この露光モード状態で、
エキシマレーザを用いて露光工程が行なわれる(ステッ
プ24)。露光工程においては、マスク(レチクル)を
介してエキシマレーザ光をウエハ(基板)5上に照射
し、レチクルのパターンを例えばステップアンドリピー
ト方式で基板上に露光転写する。
【0016】露光モードでのエキシマレーザ発光制御シ
ーケンスを図3のフローチャートに示す。本実施例の第
1の発振モードでは図8に示すように、露光モードの初
期状態(露光が行われる前の状態)の充電電圧は、V=
0である。CPU10からレーザ発振信号が入力される
と(ステップ25)、このレーザ発振信号に基づいて充
電が開始される(ステップ26)。必要な充電電圧V=
Vaに達するとレーザ発振を行ない(ステップ27)、
エキシマレーザを発光する。これにより充電電圧はV=
0に落ちる。この状態で必要露光量に達したか否かが判
別される(ステップ28)。必要露光量に達していなけ
れば、この充電電圧V=0の状態(無充電状態)で次の
レーザ発振信号があるまで待機し、ステップ25に戻
り、レーザ発振信号が入力されると(ステップ25)、
この発振信号に基づいて充電が開始され(ステップ2
6)、充電が完了するとレーザ発振し(ステップ2
7)、エキシマレーザを発光する。このような動作を露
光ステップ終了まで繰り返す。
【0017】このように、本実施例では、コマンドチャ
ージ法(図8)を第1の発振モードとし、DCチャージ
法を第2の発振モードとして、第1と第2のモードを切
換え可能としたものであり、アライメント動作時に充電
状態を維持可能とし、露光動作時に無充電状態を確保す
ることができる露光装置が提供可能となる。これにより
アライメント動作の時間遅れや露光動作時の誤発光や電
源素子への高負荷状態維持による問題を解消できる。
【0018】なお、上記実施例においては、アライメン
ト工程および露光工程の前に予めレーザ発振モードを設
定していたが、このような制御方法に代えて、各レーザ
発振信号の入力ごとにそのレーザ光を第1のモードとす
べきか第2のモードとすべきかを判断して、その判断結
果に基づいてレーザ発光を行なうように構成してもよ
い。
【0019】次に本発明の第2の実施例について説明す
る。本実施例は第1の実施例からレーザ制御方法を異な
らせたものである。第1の実施例と同様の部材には同様
の符号を付してある。本実施例はレーザ発振信号と充電
信号との2つの信号を使ってエキシマレーザ光源を制御
する発振方法を使用し、レーザ発振信号と充電信号との
出力タイミングを制御することにより、第1の実施例に
おけるコマンドチャージ法(露光モード回路12)とD
Cチャージ法(計測モード回路13)との切換えと等価
な制御方法を実現するものである。
【0020】本実施例において、レーザ制御回路11は
CPU10からの制御信号に基づいて充電を行うための
制御信号となる充電信号S1とレーザ発振信号S2とを
出力する。本実施例におけるレーザ発光制御シーケンス
を図6、図7、図10を参照して説明する。図6、図7
において、横軸は時間であり、充電信号をS1、発振信
号をS2、レーザの充電状態をVで表す。本実施例にお
いては計測モード、露光モードとも初期状態はV=0で
ある。計測モードと露光モードとは予めオペレータ等の
入力によりどちらか一方のモードが選択されているもの
とする。
【0021】まず計測モードを選択した場合について図
7、図10を参照して説明する。図7は本実施例におけ
る計測モードのタイミングチャートを示す図である。ス
テップ100で計測モードと判別され、ステージ4が移
動を開始する。そして、ステージ4(位置合わせ板6)
が所定位置(最初にレーザ発振すべき位置より所定距離
だけ前にある位置)にくるとレーザ制御回路11は充電
信号S1をONにし、ステップ102で充電を開始す
る。ステージ4がアライメントに必要な位置(計測開始
位置)にくると、ステップ103でレーザ制御回路11
はレーザ発振信号S2をレーザ光源1に出力する。ステ
ップ104でレーザ光源は発振し、レーザ光を発光す
る。レーザ発光後も充電信号S1はONしたままなの
で、ステップ113によりただちに充電される。次のス
テップ105でステージ4の移動が予定したステージ移
動量に達したかどうかが判別される。予定ステージ移動
量に達した場合は、ステップ106で充電信号はOFF
となり、計測モードは終了する。予定ステージ移動量に
達していない場合はステップ103に戻り、ステップ1
03、104、113、ステップ105の動作を繰り返
す。ここで、本実施例の計測モードでは、ステージ移動
量が予定量に達するまでは充電信号はON状態のままで
あり、レーザ発光と同時に充電が開始される。つまり本
実施例においても、ステージ位置が所定の位置(レーザ
発振を行うステージ位置)にある間充電状態を維持する
ものである。図7で発振のタイミングが不規則であるの
は本実施例ではステージの位置を基準として発振タイミ
ングを求めているためであり、ここではステージの移動
速度に変動が生じている場合を示している。
【0022】尚、計測モードにおけるレーザ充電はステ
ージ位置が計測開始位置に達するまでに充電を完了して
いる必要がある。このため、予め計測開始時間を予測
し、クテージの速度変動等が生じた場合でも、計測開始
位置で充電が完了しているように適当な余裕を持たせて
充電信号をONする必要がある。つまり計測開始位置よ
り充分手前で充電信号をONする必要がある。又、この
モードは通常充電完了状態で終了するので、計測終了
後、充電信号OFFになった時充電回路内で発振を伴わ
ない自己放電を行いV=0とするシステムにしてある。
本実施例は第1の実施例のアライメント工程(計測モー
ド)時の発振モードにおいて、アライメント工程終了
後、充電されている電圧V=Vaを充電回路内で発振を
伴わない自己放電を行いV=0にする機能を持たせたも
のである。第1の実施例ではアライメント工程終了後す
ぐに露光工程に移ることを前提としているので、アライ
メント工程終了後充電電圧がV=Vaのままでも露光工
程において、1Pulse発振してしまえばV=0の初
期状態の露光モード(コマンドチャージ法)になるた
め、高圧電源部への負荷や誤発振の可能性も少ない。本
実施例では上記自己放電システムを持たせることによ
り、アライメント工程から露光工程へ移るまで時間が長
くかかる場合、例えばアライメント工程終了後にウェハ
を交換しその後に露光工程に移る等の場合でも、その間
の高圧電源部の負荷やレーザの誤発振を防ぐことができ
る。又露光工程の必要のないアライメント動作の確認作
業や調整作業等の場合も作業終了後は自己放電システム
が作動することにより上記の場合と同様に高圧電源部の
負荷やレーザの誤発振を防ぐことができる。
【0023】次に露光モードを選択した場合について図
6、図10を参照して説明する。図6は本実施例におけ
る露光モードのタイミングチャートを示す図である。ス
テップ100で計測モードでないと判別されるとステッ
プ107に進む。CPU10は例えば露光を開始すべき
タイミング時刻T1から所定時間tだけ前の時刻T0に
充電信号S1をONにするようにレーザ制御回路11を
制御する。レーザ制御回路11はCPU10の制御に基
づいてステップ107で時刻T1に充電信号S1をON
とする。そしてステップ108で充電が開始される。所
定時間tは充電が完了するのに必要な時間間隔であり、
充電信号がONされてから所定時間t経過後の時刻T1
に充電が完了する。ステップ109においてレーザ制御
回路11はCPU10の制御の下で時刻T1にレーザ発
振信号S2をレーザ光源1へ出力する。そしてステップ
110でレーザが発振し、レーザ光が発光される。発光
後はステップ111で充電信号S1がOFFされる。ス
テップ112では必要露光量に達したかどうかが判別さ
れ、必要露光量に達した場合は露光モードは終了する。
必要露光量に達しない場合はステップ107へ戻り、ス
テップ107から112までの動作を繰り返す。尚、発
振信号S2が出力される時間間隔は必要パルス数に応じ
て変化するものであり、この時間間隔と所定時間tによ
り無充電状態TM の時間幅が決まる。本実施例において
も、第1の発振モード(無充電状態が得られるモード)
と第2の発振モード(充電状態を維持するモード)とを
切り換え可能とすることにより、前述の時間遅れや誤発
光等の問題を解消できる。
【0024】また、計測モードはマスクRと装置との対
応関係をステージ4をX、Y方向に移動させて求めるも
のに限定されない。例えば、投影光学系3の結像特性を
計測する際にも用いることができ、以下これを簡単に説
明する。図1でレーザ光bはミラー14で反射され、位
置検出板6上のスリットを通過し、投影光学系3を介し
てマスクRに入射する。レーザ光bは投影光学系3を介
して再び位置検出板6のスリットを透過してミラー14
の下に設けられたディテクタ15に入射する。ステージ
4をZ方向(光軸AX方向)に移動し、ディテクタ15
で検出する光量から投影光学系3のベストフォーカス位
置を求める。この際、位置検出板6が所定のZ位置とな
ったとき又は所定の時間となったとき、充電信号、又は
発振信号を送出するような制御を行う場合でも本発明は
適用可能である。
【0025】また、ウエハステージを固定とし、所定の
マークが形成されたマスクRを移動させる計測を行う場
合でも本発明は適用可能である。
【0026】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る露光
装置においては、レーザ発振信号を受けた後に充電を開
始する第1のレーザ発振モードと、常に充電された状態
でレーザ発振信号を受け発振信号と同時にレーザを発光
する第2のレーザ発振モードとを切換えて選択可能とし
たため、解像力の高いエキシマレーザを用いた露光装置
において、ウエハ等への投影露光を行なう場合には第1
のレーザ発振モードを選択することにより外部ノイズに
よるレーザ光の誤発振を防止しまた高圧電源素子への負
荷を軽くすることができ、一方アライメント時等の位置
計測を行なう場合には第2のレーザ発振モードを選択す
ることにより同じエキシマレーザを用いて発振信号と同
時にレーザを発光することができる。このためステージ
移動に同期したレーザ発光タイミングの予測演算が困難
な場合であっても所望の時点でレーザ発振信号と同時に
レーザを発光させることができ、高精度の位置決め制御
が達成される。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例に係る露光装置の構成図で
ある。
【図2】 本発明の一実施例に係る露光装置の動作手順
を示すフローチャートである。
【図3】 本発明の一実施例に係る第1のレーザ発振モ
ードのフローチャートである。
【図4】 本発明の一実施例に係る第2のレーザ発振モ
ードのフローチャートである。
【図5】 本発明の一実施例に係る露光装置の基本構成
図である。
【図6】 本発明の別の実施例に係る第1のレーザ発振
モードの一例を示すタイミングチャートである。
【図7】 本発明の別の実施例に係る第2のレーザ発振
モードの別の例を示すタイミングチャートである。
【図8】 本発明の一実施例に係る第1のレーザ発振モ
ードの一例を説明するためのタイミングチャートであ
る。
【図9】 本発明の一実施例に係る第2のレーザ発振モ
ードを説明するためのタイミングチャートである。
【図10】 本発明の別の実施例に係る発振モードのフ
ローチャートである。
【符号の説明】
1;エキシマレーザ光源、3;投影光学系、4;ステー
ジ、5;ウエハ、6;位置合せ板、7;光検出器、1
0;CPU、11;レーザ制御回路、12;露光モード
回路、13;計測モード回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G03F 7/20 505 9122−2H 521 9122−2H H01S 3/10 Z 8934−4M

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レーザ充電された状態でエキシマレーザ
    光を発光する光源と、該光源に対しレーザ発振信号を送
    出する制御手段とを具備した露光装置において、前記レ
    ーザ発振信号の送出タイミングと所定の関係で前記レー
    ザ充電及び前記発光を行なう第1のレーザ発振モード
    と、少なくとも前記レーザ発振信号の送出が完了するま
    での間レーザ充電状態を維持させる第2のレーザ発振モ
    ードとを有し、前記制御手段は該第1および第2のレー
    ザ発振モードを選択的に切換え可能な構成としたことを
    特徴とする露光装置。
  2. 【請求項2】 回路パターンが形成されたマスクを介し
    て基板上に該パターンの投影露光を行なう露光装置であ
    って、前記基板上にパターン投影露光を行なう場合には
    前記第1のレーザ発振モードとし、前記基板もしくは前
    記マスクの位置計測を行なう場合には前記第2のレーザ
    発振モードとするように前記制御手段を構成したことを
    特徴とする請求項1に記載の露光装置。
  3. 【請求項3】 前記第1のレーザ発振モードは、レーザ
    発振信号の送出と同時に充電を行なうモードであること
    を特徴とする請求項1に記載の露光装置。
  4. 【請求項4】 前記第1のレーザ発振モードは、レーザ
    発振信号の送出の所定時間前に充電を行うモードである
    ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
  5. 【請求項5】 前記第2の発振モードは、レーザ発振信
    号送出とほぼ同時に前記レーザ光の発光を行うことを特
    徴とする請求項1に記載の露光装置。
  6. 【請求項6】 レーザ充電された状態で露光用エキシマ
    レーザ光を発光する光源を具備し、該エキシマレーザ光
    により回路パターンが形成されたマスクを介して基板上
    に該パターンの投影露光を行なう露光装置の使用方法に
    おいて、前記基板上にパターン投影露光を行なう場合に
    は、レーザ発振信号の送出タイミングと所定の関係で前
    記レーザ充電及び発光を行ない、前記基板もしくは前記
    マスクの位置計測を行なう場合には、少なくともレーザ
    発振信号の送出が完了するまでの間レーザ充電状態を維
    持して前記露光用エキシマレーザを用いて位置計測を行
    なうことを特徴とする露光装置の使用方法。
JP5065075A 1992-05-19 1993-03-24 露光装置 Pending JPH0645230A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5065075A JPH0645230A (ja) 1992-05-19 1993-03-24 露光装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4-125245 1992-05-19
JP12524592 1992-05-19
JP5065075A JPH0645230A (ja) 1992-05-19 1993-03-24 露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0645230A true JPH0645230A (ja) 1994-02-18

Family

ID=26406215

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5065075A Pending JPH0645230A (ja) 1992-05-19 1993-03-24 露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0645230A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10294268A (ja) * 1997-04-16 1998-11-04 Nikon Corp 投影露光装置及び位置合わせ方法
US6542222B1 (en) 1999-08-02 2003-04-01 Nikon Corporation Beam output control method, beam output apparatus and exposure system, and device manufacturing method using the exposure system
JP2009038383A (ja) * 2008-09-08 2009-02-19 Nikon Corp レーザ光源、及び、露光方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10294268A (ja) * 1997-04-16 1998-11-04 Nikon Corp 投影露光装置及び位置合わせ方法
US6542222B1 (en) 1999-08-02 2003-04-01 Nikon Corporation Beam output control method, beam output apparatus and exposure system, and device manufacturing method using the exposure system
JP2009038383A (ja) * 2008-09-08 2009-02-19 Nikon Corp レーザ光源、及び、露光方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6252650B1 (en) Exposure apparatus, output control method for energy source, laser device using the control method, and method of producing microdevice
US6721039B2 (en) Exposure method, exposure apparatus and device producing method
US5728495A (en) Scanning exposure method and apparatus
JP3617558B2 (ja) 露光量制御方法、露光装置、及び素子製造方法
KR100300621B1 (ko) 노광장치,노광방법,노광제어장치,노광제어방법,레이저장치,및디바이스제조방법
JPH09180989A (ja) 露光装置および露光方法
US4624551A (en) Light irradiation control method for projection exposure apparatus
JP2844696B2 (ja) レーザ処理装置
JP3363532B2 (ja) 走査型露光装置
JP2000003874A (ja) 露光方法及び露光装置
US6542222B1 (en) Beam output control method, beam output apparatus and exposure system, and device manufacturing method using the exposure system
JPH0645230A (ja) 露光装置
JP3282167B2 (ja) 露光方法、走査型露光装置、及びデバイス製造方法
CN100349335C (zh) 电磁辐射脉冲定时控制
JP2001326159A (ja) レーザ装置、露光装置、および該露光装置を用いるデバイス製造方法
JP2630276B2 (ja) 露光光投射装置
JP3278892B2 (ja) 露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法
US20110123934A1 (en) Scanning exposure apparatus
JPH09134864A (ja) 露光方法
US6731377B2 (en) Laser output control method, laser apparatus and exposure apparatus
JPH0992611A (ja) 走査型露光装置および方法
US20170307985A1 (en) Detecting apparatus, detecting method, program, lithography apparatus, and article manufacturing method
JP2001023888A (ja) レーザ装置及びその制御方法、並びに露光装置及び露光方法
JPH09180993A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP3282178B2 (ja) 走査露光方法及び該方法を用いるデバイス製造方法