JPH0644181Y2 - セラミックフィルタ - Google Patents
セラミックフィルタInfo
- Publication number
- JPH0644181Y2 JPH0644181Y2 JP1985100373U JP10037385U JPH0644181Y2 JP H0644181 Y2 JPH0644181 Y2 JP H0644181Y2 JP 1985100373 U JP1985100373 U JP 1985100373U JP 10037385 U JP10037385 U JP 10037385U JP H0644181 Y2 JPH0644181 Y2 JP H0644181Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic filter
- electrode
- dot
- ceramic
- electrodes
- Prior art date
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本考案は、主として、455kHzフィルタとして使用される
セラミックフィルタに関し、面積振動モードを利用した
セラミックフィルタ素子を複数個組合せたセラミックフ
ィルタにおいて、セラミックフィルタ素子のそれぞれの
素子厚みを互いに異ならせることにより、スプリアス発
生周波数を互いに異ならせ、各セラミックフィルタ素子
に発生するスプリアスの重複を防止するように作用さ
せ、スプリアスを低減させるようにしたものである。
セラミックフィルタに関し、面積振動モードを利用した
セラミックフィルタ素子を複数個組合せたセラミックフ
ィルタにおいて、セラミックフィルタ素子のそれぞれの
素子厚みを互いに異ならせることにより、スプリアス発
生周波数を互いに異ならせ、各セラミックフィルタ素子
に発生するスプリアスの重複を防止するように作用さ
せ、スプリアスを低減させるようにしたものである。
＜従来の技術＞ この種のセラミックフィルタにおいては、基本振動以外
の他の振動モードや、高次振動で共振することによって
発生するスプリアスを低減させるため、従来より種々の
手段がとられている。その内の一つに、同一形状のセラ
ミックフィルタを２つ以上組合せてスプリアスを低減さ
せる方法がある。第７図はその一般的な外観図、第８図
は従来のセラミックフィルタの部分断面図であり、内部
にセラミックフィルタ素子１を内蔵させたケースＡと、
セラミックフィルタ素子２を内蔵させたケースＢとを互
いに結合させた構造となっている。セラミックフィルタ
素子１、２としては、面積振動モードを利用するものが
用いられている。第９図はセラミックフィルタ素子１、
２の平面図、第10図は同じくその断面図である。図にお
いて、101、201は平板状圧電磁器素体、102、202は圧電
磁器素体101、201の一面側の略中心部に形成されたドッ
ト状電極、103、203はこのドット状電極102、202のまわ
りにギャップＧを隔てて形成された外周電極、104、204
は圧電磁器素体101、201の他面側に形成された共通電極
である。
の他の振動モードや、高次振動で共振することによって
発生するスプリアスを低減させるため、従来より種々の
手段がとられている。その内の一つに、同一形状のセラ
ミックフィルタを２つ以上組合せてスプリアスを低減さ
せる方法がある。第７図はその一般的な外観図、第８図
は従来のセラミックフィルタの部分断面図であり、内部
にセラミックフィルタ素子１を内蔵させたケースＡと、
セラミックフィルタ素子２を内蔵させたケースＢとを互
いに結合させた構造となっている。セラミックフィルタ
素子１、２としては、面積振動モードを利用するものが
用いられている。第９図はセラミックフィルタ素子１、
２の平面図、第10図は同じくその断面図である。図にお
いて、101、201は平板状圧電磁器素体、102、202は圧電
磁器素体101、201の一面側の略中心部に形成されたドッ
ト状電極、103、203はこのドット状電極102、202のまわ
りにギャップＧを隔てて形成された外周電極、104、204
は圧電磁器素体101、201の他面側に形成された共通電極
である。
この場合、セラミックフィルタ素子１、２は、素子厚み
t1、t2の略等しい略同一形状のものによって形成してあ
った。
t1、t2の略等しい略同一形状のものによって形成してあ
った。
３はセラミックフィルタ素子１のドット状電極102に導
通する電極引出端子、４は同じく外周電極103に導通す
る電極引出端子、５は同じく共通電極104に導通する電
極引出端子、６はセラミックフィルタ素子２のドット状
電極202に導通する電極引出端子、７は同じく外周電極2
03に導通する電極引出端子、８は同じく共通電極204に
導通する電極引出端子である。
通する電極引出端子、４は同じく外周電極103に導通す
る電極引出端子、５は同じく共通電極104に導通する電
極引出端子、６はセラミックフィルタ素子２のドット状
電極202に導通する電極引出端子、７は同じく外周電極2
03に導通する電極引出端子、８は同じく共通電極204に
導通する電極引出端子である。
セラミックフィルタ素子１及び２は、ドット状電極10
2、202及び外周電極103、203が一連に接続され、共通電
極104、204が互いに接続された状態で使用される。第11
図〜第14図は使用状態の電気的シンボル図である。ドッ
ト状電極102、202及び外周電極103、203を一連に接続す
る場合、４つの組み合せ形態を取り得ることは当業者に
とって自明である。第１は、第11図に示すように、ドッ
ト状電極102、202を入力端子または出力端子に導き、外
周電極103及び203を接続する構成である。第２は、第12
図に示すように、ドット状電極102を入力端子または出
力端子に接続し、外周電極103をドット状電極202に接続
し、外周電極203を出力端子または入力端子に接続する
構成である。第３図は、第13図に示すように、外周電極
103を入力端子または出力端子に導き、ドット状電極102
を外周電極203に接続し、ドット状電極202を出力端子ま
たは入力端子に導く構成である。第４は、第14図に示す
ように、外周電極103を入力端子または出力端子に導
き、ドット状電極102及び202を互いに接続し、外周電極
203を出力端子または入力端子に導く構成である。Ｃは
結合調整用コンデンである。このコンデンサＣは省略す
ることが可能である。
2、202及び外周電極103、203が一連に接続され、共通電
極104、204が互いに接続された状態で使用される。第11
図〜第14図は使用状態の電気的シンボル図である。ドッ
ト状電極102、202及び外周電極103、203を一連に接続す
る場合、４つの組み合せ形態を取り得ることは当業者に
とって自明である。第１は、第11図に示すように、ドッ
ト状電極102、202を入力端子または出力端子に導き、外
周電極103及び203を接続する構成である。第２は、第12
図に示すように、ドット状電極102を入力端子または出
力端子に接続し、外周電極103をドット状電極202に接続
し、外周電極203を出力端子または入力端子に接続する
構成である。第３図は、第13図に示すように、外周電極
103を入力端子または出力端子に導き、ドット状電極102
を外周電極203に接続し、ドット状電極202を出力端子ま
たは入力端子に導く構成である。第４は、第14図に示す
ように、外周電極103を入力端子または出力端子に導
き、ドット状電極102及び202を互いに接続し、外周電極
203を出力端子または入力端子に導く構成である。Ｃは
結合調整用コンデンである。このコンデンサＣは省略す
ることが可能である。
＜考案が解決しようとする課題＞ 上述のように、従来の２素子型セラミックフィルタは、
素子厚みt1、t2が略同一のセラミックフィルタ素子１、
２を用いていたので、両セラミックフィルタ素子１、２
の周波数特性が略同じになり、厚み縦方向の振動モード
に起因するスプリアスの発生周波数がセラミックフィル
タ素子１、２で略等しくなる。このため、セラミックフ
ィルタ１、２に発生したスプリアスが互いに重なり合っ
てしまい、厚み縦方向モードのスプリアス抑圧効果が低
いという問題点があった。
素子厚みt1、t2が略同一のセラミックフィルタ素子１、
２を用いていたので、両セラミックフィルタ素子１、２
の周波数特性が略同じになり、厚み縦方向の振動モード
に起因するスプリアスの発生周波数がセラミックフィル
タ素子１、２で略等しくなる。このため、セラミックフ
ィルタ１、２に発生したスプリアスが互いに重なり合っ
てしまい、厚み縦方向モードのスプリアス抑圧効果が低
いという問題点があった。
そこで、本考案の課題は、上述した従来の問題点を解決
し、厚み縦振動モードのスプリアスを低減すると共に、
安定した特性を有するセラミックフィルタを提供するこ
とにある。
し、厚み縦振動モードのスプリアスを低減すると共に、
安定した特性を有するセラミックフィルタを提供するこ
とにある。
＜課題を解決するための手段＞ 上述した課題を解決するため、本考案に係るセラミック
フィルタは、複数個のセラミックフィルタ素子と、ケー
スと、電極引出端子とを含み、厚み縦振動モードのスプ
リアスを抑制する。
フィルタは、複数個のセラミックフィルタ素子と、ケー
スと、電極引出端子とを含み、厚み縦振動モードのスプ
リアスを抑制する。
前記セラミックフィルタ素子のそれぞれは、圧電磁器素
体と、ドット状電極と、外周電極と、共通電極とを有
し、前記圧電磁器素体の厚みが互いに異なり、前記ドッ
ト状電極が圧電磁器素体の一面側の略中心部に設けら
れ、前記外周電極が前記ドット状電極のまわりにギャッ
プを隔てて設けられ、前記共通電極が前記圧電磁器素体
の他面側に設けられている。セラミックフィルタ素子
は、基本振動として面積振動モードを利用する。
体と、ドット状電極と、外周電極と、共通電極とを有
し、前記圧電磁器素体の厚みが互いに異なり、前記ドッ
ト状電極が圧電磁器素体の一面側の略中心部に設けら
れ、前記外周電極が前記ドット状電極のまわりにギャッ
プを隔てて設けられ、前記共通電極が前記圧電磁器素体
の他面側に設けられている。セラミックフィルタ素子
は、基本振動として面積振動モードを利用する。
前記ケースは、前記セラミックフィルタ素子が互いに機
械的に独立するように、前記セラミックフィルタ素子の
それぞれを個別に収納する収納部を有するケース部材
を、互いに結合して構成されている。
械的に独立するように、前記セラミックフィルタ素子の
それぞれを個別に収納する収納部を有するケース部材
を、互いに結合して構成されている。
前記電極引出端子は、前記収納部内において、前記セラ
ミックフィルタ素子に電気的に導通すると共に、前記セ
ラミックフィルタ素子を弾性挟持し、前記ケース部材の
外部に導出され、前記セラミックフィルタ素子の前記ド
ット状電極及び前記外周電極を縦続接続し、前記共通電
極を互いに接続し、前記ケース部材毎に三端子を構成し
ている。
ミックフィルタ素子に電気的に導通すると共に、前記セ
ラミックフィルタ素子を弾性挟持し、前記ケース部材の
外部に導出され、前記セラミックフィルタ素子の前記ド
ット状電極及び前記外周電極を縦続接続し、前記共通電
極を互いに接続し、前記ケース部材毎に三端子を構成し
ている。
＜作用＞ セラミックフィルタ素子は、ドット状電極が圧電磁器素
体の一面側の略中心部に設けられ、外周電極がドット状
電極のまわりにギャップを隔てて設けられ、共通電極が
圧電磁器素体の他面側に設けられていて、基本振動とし
て面積振動モードを利用するため、面積振動モードに対
してノイズとなる縦振動モードに起因するスプリアスが
各セラミックフィルタ素子に発生する。
体の一面側の略中心部に設けられ、外周電極がドット状
電極のまわりにギャップを隔てて設けられ、共通電極が
圧電磁器素体の他面側に設けられていて、基本振動とし
て面積振動モードを利用するため、面積振動モードに対
してノイズとなる縦振動モードに起因するスプリアスが
各セラミックフィルタ素子に発生する。
セラミックフィルタ素子のそれぞれは、素子厚みを互い
に異ならせてあるから、厚み縦振動モードに起因して各
セラミックフィルタ素子に発生するスプリアス周波数が
互い異なる。
に異ならせてあるから、厚み縦振動モードに起因して各
セラミックフィルタ素子に発生するスプリアス周波数が
互い異なる。
セラミックフィルタ素子のそれぞれは、ドット状電極及
び外周電極が一連に接続され、共通電極が互いに接続さ
れているから、スプリアス周波数の重なりが防止され
る。
び外周電極が一連に接続され、共通電極が互いに接続さ
れているから、スプリアス周波数の重なりが防止され
る。
これにより、厚み縦振動モードのスプリアスを低減し得
るセラミックフィルタを提供できる。
るセラミックフィルタを提供できる。
セラミックフィルタのそれぞれは、互いに独立して配置
されているから、機械的な相互干渉がなく、また、製造
上厚みを所望値に容易に設定できるので、スプリアス周
波数が安定する。
されているから、機械的な相互干渉がなく、また、製造
上厚みを所望値に容易に設定できるので、スプリアス周
波数が安定する。
これにより、安定した周波数特性を有するセラミックフ
ィルタを提供できる。
ィルタを提供できる。
＜実施例＞ 第１図は本考案に係るセラミックフィルタの断面図であ
る。図において、第７図及び第８図と同一の参照符号は
同一性ある構成部分を示している。この実施例では、ケ
ースＡに内蔵されたセラミックフィルタ素子１の厚みt1
とケースＢに内蔵されたセラミックフィルタ素子２の厚
みt2を、t2>t1のように選定してある。セラミックフィ
ルタ素子１、２は第９図及び第10図に示したように、平
板状圧電磁器素体101、201の一面側にドット状電極10
2、202及び外周電極103、203を形成し、他面側に共通電
極104、204を形成した構造となっている。
る。図において、第７図及び第８図と同一の参照符号は
同一性ある構成部分を示している。この実施例では、ケ
ースＡに内蔵されたセラミックフィルタ素子１の厚みt1
とケースＢに内蔵されたセラミックフィルタ素子２の厚
みt2を、t2>t1のように選定してある。セラミックフィ
ルタ素子１、２は第９図及び第10図に示したように、平
板状圧電磁器素体101、201の一面側にドット状電極10
2、202及び外周電極103、203を形成し、他面側に共通電
極104、204を形成した構造となっている。
ケースＡ、Ｂに対するセラミックフィルタ素子１、２の
収納構造及び電極引出端子３〜８の取付け構造は、例え
ばケースＡ側を例にとって説明すると、第２図及び第３
図に示すように、ケースＡは、２つのケース部材（A1、A
2）を互いに向き合せて結合した構造とし、ケース部材A
2の内壁面に電極引出端子３、４を配置すると共に、ケ
ース部材A1の内壁面には電極引出端子５を配置し、電極
引出端子３、４と電極引出端子５との間に、そのバネ性
を利用して、セラミックフィルタ素子１を弾力的に挟持
した構造となっている。電極引出端子３〜５はバネ性に
優れた金属板材を用いて形成されており、ケースＡの内
部でバネ接触片3a〜5aをセラミックフィルタ素子１の電
極102〜104に圧接させると共に、端子部3b〜5bをケース
Ａの外部に引出してある。９はバックモールド絶縁樹脂
である。ケースＢ側も同様の構造となっている。セラミ
ックフィルタ素子１及び２は、通常の使用状態では、第
11図〜第14図に示したように、ドット状電極102、202及
び外周電極103、203が一連に接続され、共通電極104、2
04が互いに接続され、電気的な縦続接続回路を構成して
いる。
収納構造及び電極引出端子３〜８の取付け構造は、例え
ばケースＡ側を例にとって説明すると、第２図及び第３
図に示すように、ケースＡは、２つのケース部材（A1、A
2）を互いに向き合せて結合した構造とし、ケース部材A
2の内壁面に電極引出端子３、４を配置すると共に、ケ
ース部材A1の内壁面には電極引出端子５を配置し、電極
引出端子３、４と電極引出端子５との間に、そのバネ性
を利用して、セラミックフィルタ素子１を弾力的に挟持
した構造となっている。電極引出端子３〜５はバネ性に
優れた金属板材を用いて形成されており、ケースＡの内
部でバネ接触片3a〜5aをセラミックフィルタ素子１の電
極102〜104に圧接させると共に、端子部3b〜5bをケース
Ａの外部に引出してある。９はバックモールド絶縁樹脂
である。ケースＢ側も同様の構造となっている。セラミ
ックフィルタ素子１及び２は、通常の使用状態では、第
11図〜第14図に示したように、ドット状電極102、202及
び外周電極103、203が一連に接続され、共通電極104、2
04が互いに接続され、電気的な縦続接続回路を構成して
いる。
上述のように、セラミックフィルタ素子１、２のそれぞ
れは、ドット状電極102、202が圧電磁器素体101、201の
一面側の略中心部に設けられ、外周電極103、203がドッ
ト状電極102、202のまわりにギャップＧを隔てて設けら
れ、共通電極104、204が圧電磁器素体101、201の他面側
に設けられていて、基本振動として面積振動モードを利
用するため、面積振動モードに対してノイズとなる厚み
縦振動モードに起因するスプリアスがセラミックフィル
タ素子１、２に発生する。
れは、ドット状電極102、202が圧電磁器素体101、201の
一面側の略中心部に設けられ、外周電極103、203がドッ
ト状電極102、202のまわりにギャップＧを隔てて設けら
れ、共通電極104、204が圧電磁器素体101、201の他面側
に設けられていて、基本振動として面積振動モードを利
用するため、面積振動モードに対してノイズとなる厚み
縦振動モードに起因するスプリアスがセラミックフィル
タ素子１、２に発生する。
セラミックフィルタ素子１の厚みt1と、セラミックフィ
ルタ素子２の厚みt2とを異ならせたので、厚み縦振動モ
ードに起因するスプリアスの発生周波数が、セラミック
フィルタ１、２で互いに異なる。
ルタ素子２の厚みt2とを異ならせたので、厚み縦振動モ
ードに起因するスプリアスの発生周波数が、セラミック
フィルタ１、２で互いに異なる。
セラミックフィルタ素子１、２のそれぞれは、ドット状
電極102、202及び外周電極103、203が一連に接続され、
共通電極104、204が互いに接続されているから、電気回
路上でスプリアス周波数の重なりが防止される。
電極102、202及び外周電極103、203が一連に接続され、
共通電極104、204が互いに接続されているから、電気回
路上でスプリアス周波数の重なりが防止される。
これにより、厚み縦振動モードのスプリアスを低減し得
るセラミックフィルタを提供できる。
るセラミックフィルタを提供できる。
セラミックフィルタ素子１とセラミックフィルタ素子２
は互いに独立して配置されているから、機械的な相互干
渉がなく、また、製造上厚みを所望値に容易に設定でき
るので、スプリアス周波数が安定する。
は互いに独立して配置されているから、機械的な相互干
渉がなく、また、製造上厚みを所望値に容易に設定でき
るので、スプリアス周波数が安定する。
これにより、安定した周波数特性を有するセラミックフ
ィルタを提供できる。
ィルタを提供できる。
次に、実測データを上げて、本考案の効果を具体的に説
明する。
明する。
第４図は第１図〜第３図に示した本考案に係るセラミッ
クフィルタにおいて、セラミックフィルタ素子１の厚み
t1＝0.35cm、セラミックフィルタ素子２の厚みt2＝0.5c
mとした場合の周波数特性図である。
クフィルタにおいて、セラミックフィルタ素子１の厚み
t1＝0.35cm、セラミックフィルタ素子２の厚みt2＝0.5c
mとした場合の周波数特性図である。
第５図は第７図及び第８図に示した従来のセラミックフ
ィルタにおいて、セラミックフィルタ素子１の厚みt1、
セラミックフィルタ素子２の厚みt2を、t1＝t2＝0.35cm
とした場合の周波数特性図である。
ィルタにおいて、セラミックフィルタ素子１の厚みt1、
セラミックフィルタ素子２の厚みt2を、t1＝t2＝0.35cm
とした場合の周波数特性図である。
第６図は同じく従来のセラミックフィルタにおいて、t1
＝t2＝0.5cmとした場合の周波数特性図である。
＝t2＝0.5cmとした場合の周波数特性図である。
なお、セラミックフィルタとしての選択中心周波数は第
４図〜第６図の何れの場合も455kHzである。
４図〜第６図の何れの場合も455kHzである。
セラミックフィルタ素子１の厚みt1及びセラミックフィ
ルタ素子２の厚みt2を、 t1＝t2＝0.35cm の等しい値に選定した場合には、第５図に示すように、
6MHz付近でのスプリアス（イ）の減衰量が20dBである。
また、 t1＝t2＝0.5cm の等しい値に選定した場合には、第６図に示すように、
4.5MHz付近でのスプリアス（イ）の減衰量が略18dBに留
まる。
ルタ素子２の厚みt2を、 t1＝t2＝0.35cm の等しい値に選定した場合には、第５図に示すように、
6MHz付近でのスプリアス（イ）の減衰量が20dBである。
また、 t1＝t2＝0.5cm の等しい値に選定した場合には、第６図に示すように、
4.5MHz付近でのスプリアス（イ）の減衰量が略18dBに留
まる。
これに対して、本考案に係るセラミックフィルタでは、
第４図に示すように、6MHz付近でのスプリアス（イ）の
減衰量が約40dBにも達し、従来より著しく大きな改善効
果が得られている。なお、第４図〜第６図において、
（ロ）の部分は455kHzにおける基本振動である。
第４図に示すように、6MHz付近でのスプリアス（イ）の
減衰量が約40dBにも達し、従来より著しく大きな改善効
果が得られている。なお、第４図〜第６図において、
（ロ）の部分は455kHzにおける基本振動である。
＜考案の効果＞ 以上述べたように、本考案は、セラミックフィルタ素子
を複数個組合せたセラミックフィルタにおいて、セラミ
ックフィルタ素子はドット状電極が圧電磁器素体の一面
側の略中心部に設けられ、外周電極がドット状電極のま
わりにギャップを隔てて設けられ、共通電極が圧電磁器
素体の他面側に設けられ、基本振動として面積振動モー
ドを利用しており、セラミックフィルタ素子のそれぞれ
は、圧電磁器素体の厚みが互いに異なり、互いに独立し
て配置され、ドット状電極及び外周電極が一連に接続さ
れ、共通電極が互いに接続されているから、厚み縦振動
モードに起因して各セラミックフィルタ素子に発生する
スプリアスの重なりが防止され、厚み縦振動モードのス
プリアスを低減すると共に、安定した特性を有するセラ
ミックフィルタを提供できる。
を複数個組合せたセラミックフィルタにおいて、セラミ
ックフィルタ素子はドット状電極が圧電磁器素体の一面
側の略中心部に設けられ、外周電極がドット状電極のま
わりにギャップを隔てて設けられ、共通電極が圧電磁器
素体の他面側に設けられ、基本振動として面積振動モー
ドを利用しており、セラミックフィルタ素子のそれぞれ
は、圧電磁器素体の厚みが互いに異なり、互いに独立し
て配置され、ドット状電極及び外周電極が一連に接続さ
れ、共通電極が互いに接続されているから、厚み縦振動
モードに起因して各セラミックフィルタ素子に発生する
スプリアスの重なりが防止され、厚み縦振動モードのス
プリアスを低減すると共に、安定した特性を有するセラ
ミックフィルタを提供できる。
第１図は本考案に係るセラミックフィルタの断面図、第
２図は一つのセラミックフィルタ素子のケース組立構造
を示す部分断面図、第３図は同じく側面部分断面図、第
４図は本考案に係るセラミックフィルタの周波数特性
図、第５図及び第６図は従来のセラミックフィルタの周
波数特性図、第７図はセラミックフィルタの一般的な外
観を示す斜視図、第８図は従来のセラミックフィルタの
部分断面図、第９図はセラミックフィルタ素子の平面
図、第10図は同じくその断面図、第11図〜第14図はセラ
ミックフィルタの電気的シンボル図である。 １…セラミックフィルタ素子 ２…セラミックフィルタ素子 Ａ、Ｂ…ケース t1、t2…素子厚み
２図は一つのセラミックフィルタ素子のケース組立構造
を示す部分断面図、第３図は同じく側面部分断面図、第
４図は本考案に係るセラミックフィルタの周波数特性
図、第５図及び第６図は従来のセラミックフィルタの周
波数特性図、第７図はセラミックフィルタの一般的な外
観を示す斜視図、第８図は従来のセラミックフィルタの
部分断面図、第９図はセラミックフィルタ素子の平面
図、第10図は同じくその断面図、第11図〜第14図はセラ
ミックフィルタの電気的シンボル図である。 １…セラミックフィルタ素子 ２…セラミックフィルタ素子 Ａ、Ｂ…ケース t1、t2…素子厚み
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 実開 昭56−69127（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭59−57024（ＪＰ，Ｕ) 実公 昭46−27882（ＪＰ，Ｙ１)
Claims (1)
- 【請求項１】複数個のセラミックフィルタ素子と、ケー
スと、電極引出端子とを含み、厚み縦振動モードのスプ
リアスを抑制するセラミックフィルタであって、 前記セラミックフィルタ素子のそれぞれは、圧電磁器素
体と、ドット状電極と、外周電極と、共通電極とを含
み、前記圧電磁器素体の厚みが互いに異なり、前記ドッ
ト状電極が圧電磁器素体の一面側の略中心部に設けら
れ、前記外周電極が前記ドット状電極のまわりにギャッ
プを隔てて設けられ、前記共通電極が前記圧電磁器素体
の他面側に設けられ、基本振動として面積振動モードを
利用しており、 前記ケースは、前記セラミックフィルタ素子が互いに機
械的に独立するように、前記セラミックフィルタ素子の
それぞれを個別に収納する収納部を有するケース部材
を、互いに結合して構成されており、 前記電極引出端子は、前記収納部内において、前記セラ
ミックフィルタ素子に電気的に導通すると共に、前記セ
ラミックフィルタ素子を弾性挟持し、前記ケース部材の
外部に導出され、前記セラミックフィルタ素子の前記ド
ット状電極及び前記外周電極を縦続接続し、前記共通電
極を互いに接続し、前記ケース部材毎に三端子を構成し
ている セラミックフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985100373U JPH0644181Y2 (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | セラミックフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985100373U JPH0644181Y2 (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | セラミックフィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS628723U JPS628723U (ja) | 1987-01-20 |
| JPH0644181Y2 true JPH0644181Y2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=30970137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985100373U Expired - Lifetime JPH0644181Y2 (ja) | 1985-07-01 | 1985-07-01 | セラミックフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0644181Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5219421B2 (ja) * | 1971-09-06 | 1977-05-27 | ||
| JPS5532049B2 (ja) * | 1973-07-19 | 1980-08-22 |
-
1985
- 1985-07-01 JP JP1985100373U patent/JPH0644181Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS628723U (ja) | 1987-01-20 |
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