JPH0643581U - Semiconductor memory test equipment - Google Patents

Semiconductor memory test equipment

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JPH0643581U
JPH0643581U JP7763392U JP7763392U JPH0643581U JP H0643581 U JPH0643581 U JP H0643581U JP 7763392 U JP7763392 U JP 7763392U JP 7763392 U JP7763392 U JP 7763392U JP H0643581 U JPH0643581 U JP H0643581U
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体メモリの不良解析時間を短縮する半導
体メモリ試験装置を提供する。 【構成】 フェイルデータを取り込むフェイルメモリ4
を具備し、フェイルメモリ4にフェイルデータを取り込
む半導体メモリ試験時のアドレスとフェイルメモリ4の
読み出し/書き込み時のアドレスとを切り換える第1の
セレクタ1を具備し、フェイルの数を計数するフェイル
カウンタ50を複数個具備し、フェイルメモリ4の出力
より任意の1ビットをセレクトする第2のセレクタ20
をフェイルカウンタ50それぞれに具備せしめた半導体
メモリ試験装置。
(57) [Abstract] [Purpose] To provide a semiconductor memory testing device that shortens the failure analysis time of a semiconductor memory. [Structure] Fail memory 4 for fetching fail data
A fail counter 50 for counting the number of failures. A second selector 20 having a plurality of bits and selecting any one bit from the output of the fail memory 4
A semiconductor memory testing device in which each of the fail counters 50 is equipped with.

Description

【考案の詳細な説明】[Detailed description of the device]

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】[Industrial applications]

この考案は、半導体メモリ試験装置に関し、特に半導体メモリの不良解析時間 を短縮する半導体メモリ試験装置に関する。 The present invention relates to a semiconductor memory test device, and more particularly to a semiconductor memory test device that shortens a failure analysis time of a semiconductor memory.

【0002】[0002]

【従来の技術】[Prior art]

従来例を図2を参照して説明する。 4は半導体メモリ試験装置の構成の一部であるフェイルメモリであり、このフ ェイルメモリにフェイルデータを取り込んだ後、取り込まれたフェイルデータ内 容を読み出してフェイルカウンタ5によりフェイルの数を計数する。なお、この フェイルメモリ4にフェイルデータを取り込み、取り込まれたフェイルデータ内 容を読み出すのは半導体メモリ試験装置であるが、この構成自体はこの考案の要 旨とは直接関係はないのでその説明は省略する。 A conventional example will be described with reference to FIG. Reference numeral 4 denotes a fail memory which is a part of the configuration of the semiconductor memory test apparatus. After the fail data is loaded into this fail memory, the content of the loaded fail data is read and the number of failures is counted by the fail counter 5. It should be noted that the semiconductor memory testing device fetches the fail data into the fail memory 4 and reads out the fetched contents of the fail data. However, since the configuration itself is not directly related to the gist of the present invention, its description will be omitted. Omit it.

【0003】 フェイルメモリ4にフェイルデータを取り込む半導体メモリ試験時のアドレス とフェイルメモリ4の読み出し/書き込み時のアドレスの2種のアドレスがフェ イルメモリ4に供給されるのであるが、セレクタ1はこれら両アドレスの内の何 れかをフェイルメモリ4に切り換え供給するものである。 フェイルを計数するフェイルカウンタ5は1個のみであるので、計数するデー タのビット数に対応してセレクタ2により計数するデータのビットをセレクトす る。この場合、全ビットをORする様にするか或は任意の1ビットをセレクトする 様にすることができる。Two types of addresses are supplied to the fail memory 4, one being a semiconductor memory test address for fetching fail data into the fail memory 4 and the other one being a read / write address of the fail memory 4. Any one of the addresses is switched and supplied to the fail memory 4. Since there is only one fail counter 5 that counts fail, the selector 2 selects the bit of the data to be counted according to the number of bits of the data to be counted. In this case, all bits can be ORed or any one bit can be selected.

【0004】[0004]

【考案が解決しようとする課題】[Problems to be solved by the device]

フェイルカウンタ5は1個のみであるので、多ビット構成の半導体メモリを測 定する時は半導体メモリのビット数回セレクタ2によりビットを切り換えて計数 しなければならない。×4ビット構成の半導体メモリは×1ビット構成の半導体 メモリと比較して、フェイルの計数に4倍の時間を必要とする。 Since there is only one fail counter 5, when measuring a multi-bit semiconductor memory, it is necessary to switch the bits by the selector 2 for the number of bits of the semiconductor memory and count. A semiconductor memory having a × 4 bit configuration requires four times as long time as counting a fail as compared with a semiconductor memory having a × 1 bit configuration.

【0005】 この考案は、上述の通りの問題を解消した半導体メモリ試験装置を提供するも のである。The present invention provides a semiconductor memory test apparatus that solves the above problems.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

フェイルデータを取り込むフェイルメモリ4を具備し、フェイルメモリ4にフ ェイルデータを取り込む半導体メモリ試験時のアドレスとフェイルメモリ4の読 み出し/書き込み時のアドレスとを切り換える第1のセレクタ1を具備し、フェ イルの数を計数するフェイルカウンタ50を複数個具備し、フェイルメモリ4の 出力より任意の1ビットをセレクトする第2のセレクタ20をフェイルカウンタ 50それぞれに具備せしめた半導体メモリ試験装置、を構成した。 A fail memory 4 for fetching fail data is provided, and a first selector 1 for switching an address at the time of a semiconductor memory test for fetching fail data to the fail memory 4 and an address at reading / writing of the fail memory 4 is provided. A semiconductor memory test apparatus is provided which includes a plurality of fail counters 50 for counting the number of fails, and each fail counter 50 has a second selector 20 for selecting an arbitrary 1 bit from the output of the fail memory 4. did.

【0007】[0007]

【実施例】【Example】

この考案の実施例を図1を参照して説明する。 フェイルメモリ4が出力するところまでは従来例と同様である。即ち、セレク タ1は、フェイルメモリ4にフェイルデータを取り込む半導体メモリ試験時のア ドレスとフェイルメモリ4の読み出し/書き込み時のアドレスの両アドレスの切 り換えを行う。フェイルメモリ4にフェイルデータを取り込んだ後にフェイルメ モリ4の内容を読み出してフェイルの数をフェイルカウンタ50により計数する ところまでは従来例と同様である。 An embodiment of this invention will be described with reference to FIG. The output up to the fail memory 4 is the same as in the conventional example. That is, the selector 1 switches between an address at the time of a semiconductor memory test for fetching fail data into the fail memory 4 and an address at the time of reading / writing of the fail memory 4. This is the same as the conventional example up to the point where the contents of the fail memory 4 are read out after fetching the fail data into the fail memory 4 and the number of failures is counted by the fail counter 50.

【0008】 この考案の従来例と相違するところは、フェイルカウンタ50を1個ではなく して複数個具備し、これら複数個のフェイルカウンタ50はそれぞれフェイルメ モリ4との間にそれぞれのセレクタ20を具備せしめたところである。 セレクタ20はそれぞれフェイルメモリ4の出力データより任意の1ビットを セレクトすることができるものであり、フェイルカウンタ501 ないしフェイル カウンタ50n に対して異なるビットをセレクトすることにより、同時に複数の ビットのフェイルデータを計数することができる。The difference from the conventional example of the present invention is that a plurality of fail counters 50 are provided instead of one, and each of the plurality of fail counters 50 has a respective selector 20 between it and the fail memory 4. I have just equipped it. The selector 20 can select any one bit from the output data of the fail memory 4, and by selecting different bits for the fail counter 50 1 to the fail counter 50 n , a plurality of bits can be simultaneously selected. Fail data can be counted.

【0009】 以上において、この発明の半導体メモリ試験装置を多ビット構成の半導体メモ リの試験に適用したところを説明したが、これを1ビット構成の半導体メモリの 同時測定試験にも適用することができる。即ち、半導体メモリ試験は同時測定が 一般的であり、この場合、フェイルメモリには同時測定される複数の1ビット構 成の半導体メモリのフェイルが取り込まれる。In the above description, the semiconductor memory test apparatus of the present invention is applied to a test of a semiconductor memory having a multi-bit configuration, but it can also be applied to a simultaneous measurement test of a semiconductor memory having a 1-bit configuration. it can. That is, the semiconductor memory test is generally performed at the same time. In this case, the fail memory is loaded with a plurality of 1-bit semiconductor memory failures that are simultaneously measured.

【0010】 第1のフェイルカウンタにより第1の1ビット構成の半導体メモリのフェイル をカウントし、第2のフェイルカウンタにより第2の1ビット構成の半導体メモ リのフェイルをカウントし、第nのフェイルカウンタにより第nの1ビット構成 の半導体メモリのフェイルをカウントする様に構成すれば、多ビット構成の半導 体メモリの試験の場合と同様の効果が得られる。The first fail counter counts the fail of the semiconductor memory of the first 1-bit configuration, the second fail counter counts the fail of the semiconductor memory of the second 1-bit configuration, and the n-th fail counter. If the counter is configured to count the failures of the n-th 1-bit semiconductor memory, the same effect as in the case of testing a multi-bit semiconductor memory can be obtained.

【0011】[0011]

【考案の効果】[Effect of device]

フェイルカウンタ50を例えば9個具備するものとすると、データD0 ないし D8 をフェイルカウンタ501 ないしフェイルカウンタ509 により計数するこ とにより、フェイルメモリ4の内容を1回読み出すだけで全ビットのフェイルデ ータを計数することができる。従来例においては、フェイルメモリ4の内容を9 回読み出さなければ全フェイルデータを計数することはできなかった。即ち、フ ェイルの計数時間は1/9に短縮されることとなる。フェイルの計数時間が1/ 9に短縮されるということは大規模な半導体メモリ試験装置全体の計数動作時間 が1/9に短縮されるということであり、これは半導体メモリ試験装置全体の使 用効率を向上する上で大きな意味がある。If, for example, nine fail counters 50 are provided, the data D 0 to D 8 are counted by the fail counters 50 1 to 50 9 to read all the contents of the fail memory 4 once. Fail data can be counted. In the conventional example, all the fail data could not be counted unless the contents of the fail memory 4 were read 9 times. That is, the counting time of the file is shortened to 1/9. The fact that the fail counting time is reduced to 1/9 means that the counting operation time of the entire large-scale semiconductor memory test device is reduced to 1/9. It has great significance in improving efficiency.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この考案の実施例を説明する図。FIG. 1 is a diagram for explaining an embodiment of this invention.

【図2】従来例を説明する図。FIG. 2 is a diagram illustrating a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 第1のセレクタ 4 フェイルメモリ 20 第2のセレクタ 50 フェイルカウンタ 1 First Selector 4 Fail Memory 20 Second Selector 50 Fail Counter

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】 フェイルデータを取り込むフェイルメモ
リを具備し、フェイルメモリにフェイルデータを取り込
む半導体メモリ試験時のアドレスとフェイルメモリの読
み出し/書き込み時のアドレスとを切り換える第1のセ
レクタを具備し、フェイルの数を計数するフェイルカウ
ンタを複数個具備し、フェイルメモリの出力より任意の
1ビットをセレクトする第2のセレクタをフェイルカウ
ンタそれぞれに具備せしめたことを特徴とする半導体メ
モリ試験装置。
1. A fail memory comprising a fail memory for fetching fail data, comprising: a first selector for switching an address at a semiconductor memory test fetching fail data to a fail memory and an address at a read / write operation of the fail memory 2. A semiconductor memory testing device, comprising: a plurality of fail counters for counting the number of each of the fail counters; and a second selector for selecting an arbitrary 1 bit from the output of the fail memory.
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