JPH0643494A - Production of electrooptical device - Google Patents

Production of electrooptical device

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JPH0643494A
JPH0643494A JP3171794A JP17179491A JPH0643494A JP H0643494 A JPH0643494 A JP H0643494A JP 3171794 A JP3171794 A JP 3171794A JP 17179491 A JP17179491 A JP 17179491A JP H0643494 A JPH0643494 A JP H0643494A
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conductor
insulator
wiring
inter
liquid crystal
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JP3171794A
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Japanese (ja)
Inventor
Shirou Takahashi
士良 高橋
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Seiko Epson Corp
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Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To improve electrical characteristics by connecting electrical connections to wirings different from the wirings participating in driving of nonlinear elements and cutting the electrical connections by hot etching. CONSTITUTION:Inter-picture element wiring 34, 35 respectively serve as common electrodes and potentials for anodic oxidation are supplied from the inter-picture element wiring 34, 35 to floating parts 63, 64 respectively in the case of anodic oxidation of the floating parts 63, 64 and formation of insulator films at their ends in forming the nonlinear elements. Namely, the floating parts 63 are electrically connected through conductors 73 not from the inter-picture element wiring 33 participating in driving of the nonlinear elements 103, 104 but from the adjacent inter-picture element wiring 34. The floating parts 64 are connected in the same manner. The conductors 73, 74 are removed by photoetching the parts of apertures 83, 84 after the end of the anodic oxidation of the floating parts 63, 64.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置等の電気光
学装置、更に詳しくは、液晶層を挟持した一対の基板の
一方の基板上に画素電極とそれを駆動する非線形素子と
を例えばマトリックス状に配置した電気光学装置の製造
方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electro-optical device such as a liquid crystal display device, and more specifically to a matrix of pixel electrodes and a non-linear element for driving the pixel electrodes on one of a pair of substrates sandwiching a liquid crystal layer. The present invention relates to a method for manufacturing electro-optical devices arranged in a line.

【0002】[0002]

【従来の技術】上記のような非線形素子を備えた従来の
電気光学装置を、液晶表示装置を例にして説明する。
2. Description of the Related Art A conventional electro-optical device having the above-mentioned nonlinear element will be described by taking a liquid crystal display device as an example.

【0003】図8は従来のこの種の液晶表示装置におけ
る非線形素子を有する側の基板(以下、素子基板とい
う)の一部の平面図、図9は図8におけるc−c線拡大
断面図である。図において、1は基板、2はその基板1
上に設けたTa(タンタル)等よりなる第1の導電体、
3はTaOx(酸化タンタル)等よりなる絶縁体、4は
Cr(クロム)等よりなる第2の導電体、5は画素電極
を示す。上記第1の導電体2と絶縁体3および第2の導
電体4とで、画素(画素電極)を駆動するための非線形
素子10としてのメタル・インシュレータ・メタル(M
etal Insulator Metal、以下MIMと略記する)が構
成されている。
FIG. 8 is a plan view of a part of a substrate having a non-linear element (hereinafter referred to as an element substrate) in a conventional liquid crystal display device of this type, and FIG. 9 is an enlarged sectional view taken along line cc in FIG. is there. In the figure, 1 is a substrate, 2 is the substrate 1
A first conductor made of Ta (tantalum) or the like provided above,
3 is an insulator made of TaOx (tantalum oxide) or the like, 4 is a second conductor made of Cr (chrome) or the like, and 5 is a pixel electrode. The first conductor 2, the insulator 3, and the second conductor 4 form a metal insulator metal (M) as a non-linear element 10 for driving a pixel (pixel electrode).
(etal Insulator Metal, hereinafter abbreviated as MIM).

【0004】特に図示例のMIMは、第1の導電体2の
側面だけを非線形素子10として利用するいわゆるラテ
ラルMIMの構造を用いている。即ち、このラテラルM
IMは、図9のように非線形素子を構成する第1の導電
体2の側面以外の表面を厚い絶縁体(以下、バリア層と
もいう)3bで覆うことにより、上記導電体側面を覆う
絶縁体3aよりも電気抵抗を高くして非線形素子として
働かないようにしたものである。このような構造にする
ことで、非線形素子の面積を非常に小さくできるもの
で、MIMを画素用の非線形素子として用いた液晶表示
装置の高密度化、高精細化には極めて有効な技術であ
る。
In particular, the MIM in the illustrated example uses a so-called lateral MIM structure in which only the side surface of the first conductor 2 is used as the nonlinear element 10. That is, this lateral M
The IM is an insulator that covers the side surface of the conductor by covering a surface other than the side surface of the first conductor 2 forming the nonlinear element with a thick insulator (hereinafter also referred to as a barrier layer) 3b as shown in FIG. It has an electric resistance higher than that of 3a so as not to function as a non-linear element. With such a structure, the area of the non-linear element can be made extremely small, and this is a very effective technology for increasing the density and definition of the liquid crystal display device using the MIM as the non-linear element for the pixel. .

【0005】次に、上記のような素子基板の製造プロセ
スの一例を図10に基づいて説明する。 A)まず透明基板1上に第1の導電体2を膜付けする。
(図10(a))。 B)その導電膜をホトエッチングにより成形して第1の
導電体2を形成する(同図(b))。 C)その第1の導電体2を含む透明基板1の上面に絶縁
体3を膜付けする(同図(c))。 D)第1の導電体2の側面を除く該導電体表面に絶縁体
3を残すためのホトエッチングを行いバリア層3bを形
成する(同図(d))。 E)第1の導電体2の側面に非線形素子の絶縁体となる
絶縁体3aを膜付けする(同図(e))。 F)次いで、第2の導電体4と画素電極5をそれぞれ膜
付けし、ホトエッチングによって成形する(同図
(f))。
Next, an example of a manufacturing process of the above element substrate will be described with reference to FIG. A) First, the first conductor 2 is film-formed on the transparent substrate 1.
(FIG. 10 (a)). B) The conductive film is formed by photoetching to form the first conductor 2 (FIG. 7B). C) The insulator 3 is film-formed on the upper surface of the transparent substrate 1 including the first conductor 2 ((c) of the same figure). D) The barrier layer 3b is formed by performing photoetching for leaving the insulator 3 on the surface of the conductor other than the side surface of the first conductor 2 (FIG. 3D). E) An insulator 3a, which serves as an insulator of the nonlinear element, is film-formed on the side surface of the first conductor 2 ((e) in the figure). F) Next, the second conductor 4 and the pixel electrode 5 are respectively film-formed, and are formed by photoetching ((f) in the same figure).

【0006】上記のようにして形成した第1の導電体2
と、その側面の絶縁体3aおよび第2の導電体4の重な
る部分が非線形素子10としてのMIMを構成するもの
である。なお上記工程(e)において、絶縁体3aを膜
付けする方法は、陽極酸化、熱酸化またはスパッタリン
グなどによって行う。例えば陽極酸化の場合は、第1の
導電体2の物質、例えばTaの側面に絶縁層としての薄
いTaOx膜である絶縁体3aを形成する。陽極酸化に
よる場合は、第1の導電体2に対して電位をかけるため
第1の導電体2は共通電極に電気的に接続されていなけ
ればならない。図8、図9に示す非線形素子10を形成
する場合は、第1の導電体2が基板1の端部まで形成さ
れているので容易に電位をかけることが可能である。
First conductor 2 formed as described above
And, the overlapping portion of the insulator 3a and the second conductor 4 on the side surface thereof constitutes the MIM as the nonlinear element 10. In addition, in the step (e), the method of depositing the insulator 3a is performed by anodic oxidation, thermal oxidation, sputtering, or the like. For example, in the case of anodic oxidation, an insulator 3a which is a thin TaOx film as an insulating layer is formed on the side surface of the material of the first conductor 2, for example, Ta. In the case of anodic oxidation, the first conductor 2 must be electrically connected to the common electrode in order to apply a potential to the first conductor 2. When the nonlinear element 10 shown in FIGS. 8 and 9 is formed, since the first conductor 2 is formed up to the end of the substrate 1, it is possible to easily apply a potential.

【0007】MIM素子に用いられる導電体2・4とし
ては、Ta、Al、Au、ITO、NiCr+Auさら
にITO+Crなどがよく知られている。また絶縁体3
(3a)としては、TaOx、SiOx、SiNx、S
iOxNy、TaNx、ZnOxなどがよく知られてい
る。またバリア層3bとしては、上記絶縁体に使われる
無機材料のほかにポリイミドなどの有機膜を用いるもの
も知られている。MIM素子として最もよく知られてい
る構造は、第1の導電体2にTa(タンタル)、絶縁体
3にTaOx(酸化タンタル)、第2の導電体4にCr
(クロム)を用いたものである。
As the conductors 2 and 4 used in the MIM element, Ta, Al, Au, ITO, NiCr + Au, ITO + Cr and the like are well known. Insulator 3
(3a) includes TaOx, SiOx, SiNx, S
iOxNy, TaNx, ZnOx and the like are well known. As the barrier layer 3b, there is also known a material using an organic film such as polyimide in addition to the inorganic material used for the insulator. The most well-known structure as the MIM element is Ta (tantalum) for the first conductor 2, TaOx (tantalum oxide) for the insulator 3, and Cr for the second conductor 4.
(Chromium) is used.

【0008】しかしながら、前記の図8および図9に示
した従来の液晶表示装置の構造では、MIM素子の極性
差によって生じる直流成分によって液晶が劣化してしま
い液晶表示装置として良質な画質を得られないという問
題点を有していた。また、液晶が劣化するため液晶表示
装置の信頼性も低いという大きな問題点も存在した。特
にMIM素子の極性差は、温度によっても変化するので
駆動上では制御することができないという大きな問題が
ある。その問題点を解決するために、例えば図11、図
12に示すように、各画素電極5に非線形素子を2つ備
え、極性差のない液晶表示装置が考えられている。その
他に非線形素子を並列にした場合も同様の作用効果が生
ずるものと考えられているが、図11は2種の非線形素
子を直列に接続した場合の素子基板の平面図、図12は
図11におけるc−c線拡大断面図である。同図におい
て信号の経路は、図12で左側の第2の導電体4から、
その第2の導電体4と絶縁体3aおよび第1の導電体2
1とで構成される第1の非線形素子101を通り、その
第1の導電体21と絶縁体3aおよび第2の導電体40
とで構成される第2の非線形素子102を経て画素電極
5に入力される。第2の導電体と第1の導電体を入れ換
えた場合でも同等である。なお画素電極5を駆動する信
号は導電体4を通じて入力されているが、その下部に形
成されている、導電体2を介して導電体4に接続しても
よい。
However, in the structure of the conventional liquid crystal display device shown in FIGS. 8 and 9, the liquid crystal is deteriorated by the DC component generated by the polarity difference of the MIM element, and a high quality image can be obtained as the liquid crystal display device. It had the problem of not having it. In addition, there is a big problem that the liquid crystal is deteriorated and the reliability of the liquid crystal display is low. In particular, since the polarity difference of the MIM element changes depending on the temperature, there is a big problem that it cannot be controlled during driving. In order to solve the problem, for example, as shown in FIGS. 11 and 12, a liquid crystal display device having two non-linear elements in each pixel electrode 5 and having no polarity difference is considered. In addition, although it is considered that the same effect is produced when the non-linear elements are arranged in parallel, FIG. 11 is a plan view of the element substrate when two kinds of non-linear elements are connected in series, and FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view taken along line cc in FIG. In the figure, the signal path is from the second conductor 4 on the left side in FIG.
The second conductor 4, the insulator 3a, and the first conductor 2
1 and the first conductor 21, the insulator 3a, and the second conductor 40.
It is input to the pixel electrode 5 via the second non-linear element 102 composed of. The same is true when the second conductor and the first conductor are replaced. Although the signal for driving the pixel electrode 5 is input through the conductor 4, it may be connected to the conductor 4 through the conductor 2 formed thereunder.

【0009】又図13、図14は、非線形素子を並列に
して極性差をなくした液晶表示装置の例である。図13
は素子基板の平面図、図14の(a)・(b)はそれぞ
れ図13におけるa−a、b−b線拡大断面図である。
13 and 14 show an example of a liquid crystal display device in which non-linear elements are arranged in parallel to eliminate the polarity difference. FIG.
14A is a plan view of the element substrate, and FIGS. 14A and 14B are enlarged cross-sectional views taken along lines aa and bb in FIG. 13, respectively.

【0010】図14(a)において101で示される部
分と、同図(b)において102で示される部分が、そ
れぞれ第1および第2の非線形素子(MIM素子)とな
っており、それぞれの非線形素子101・102を通る
信号の経路は、以下のようになっている。
A portion indicated by 101 in FIG. 14A and a portion indicated by 102 in FIG. 14B are first and second non-linear elements (MIM elements), respectively. The signal path through the elements 101 and 102 is as follows.

【0011】第1の非線形素子101を通る信号の経路
は、第2の導電体4に入力された信号が、コンタクトホ
ール11を経て第1の導電体2に入り、第1の導電体2
と絶縁体3aおよび第2の導電体4とで構成される第1
の非線形素子101を通ったのち、画素電極5に直接印
加される経路と、第2の非線形素子102に使われる絶
縁体3a、第1の導電体21を経由して画素電極5に印
加される経路に分岐点13で分岐されることになる。第
2の非線形素子102を通る信号の経路は、第2の導電
体4に入力された信号が、第2の導電体4と絶縁体3a
および第1の導電体2とで構成される第2の非線形素子
102を通り画素電極5に印加される。
In the signal path passing through the first nonlinear element 101, the signal input to the second conductor 4 enters the first conductor 2 through the contact hole 11 and the first conductor 2
And a first insulator 3a and a second conductor 4
After passing through the non-linear element 101, the voltage is directly applied to the pixel electrode 5, and is applied to the pixel electrode 5 via the insulator 3a and the first conductor 21 used for the second non-linear element 102. The route is branched at the branch point 13. In the signal path passing through the second non-linear element 102, the signal input to the second conductor 4 is supplied to the second conductor 4 and the insulator 3a.
And is applied to the pixel electrode 5 through the second non-linear element 102 composed of the first conductor 2 and the second non-linear element 102.

【発明が解決しようとする課題】図12、図14に示す
ような複数の非線形素子を有する液晶表示装置の製造方
法においては、導電体21は最終的には画素電極5や導
電体4と絶縁されるように製造しなければならない(導
電体21は電気的にフロートしている状態)。しかし、
非線形素子101、102を形成する工程において、絶
縁体3aを形成する方法として陽極酸化の方法を選択す
る場合は、導電体21に対し外部から一定の電位を加え
る必要がある。そのためには、導電体21に対し共通電
極と電気的に結合された導体パターンを一旦形成し、陽
極酸化の工程が終了後その導体パターンを除去する必要
が生ずる。本発明は上記のような陽極酸化に供せられ、
かつ最終的に電気的にフロートしている導電体を形成す
る製造方法を提供することを目的とする。
In the method of manufacturing a liquid crystal display device having a plurality of non-linear elements as shown in FIGS. 12 and 14, the conductor 21 is finally insulated from the pixel electrode 5 and the conductor 4. Must be manufactured as described above (the conductor 21 is in an electrically floating state). But,
In the step of forming the nonlinear elements 101 and 102, when the anodic oxidation method is selected as the method of forming the insulator 3a, it is necessary to apply a constant potential to the conductor 21 from the outside. For that purpose, it is necessary to once form a conductor pattern electrically connected to the common electrode on the conductor 21 and remove the conductor pattern after the anodic oxidation process is completed. The present invention is subjected to anodization as described above,
It is also an object of the present invention to provide a manufacturing method for finally forming an electrically floating conductor.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明は、液晶層を挟持
する一対の基板の一方の基板上に、複数個の画素電極と
その各画素電極を駆動するための非線形素子と各画素電
極間に配置された配線を有し、該非線形素子が第1の導
電体と絶縁体および第2の導電体とを有してなり、該第
1の導電体と絶縁体および第2の導電体の重なる部分が
電流電圧特性に非線形性をもつ該絶縁体を、該第1の導
電体の陽極酸化によって形成した後、該第1の導電体と
該配線との電気的接続を切断する工程を含む液晶表示装
置等の電気光学装置の製造方法において、該電気的接続
は非線形素子の駆動に関与する配線と異なる配線に接続
し、その電気的接続はホトエッチングによって切断する
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法である。
According to the present invention, a plurality of pixel electrodes and a non-linear element for driving each pixel electrode and each pixel electrode are provided on one of a pair of substrates sandwiching a liquid crystal layer. Of the first conductor, the insulator, and the second conductor, the non-linear element having a wiring arranged in the first conductor, the insulator, and the second conductor. A step of cutting the electrical connection between the first conductor and the wiring after forming the insulator whose overlapping portion has non-linearity in current-voltage characteristics by anodic oxidation of the first conductor In a method of manufacturing an electro-optical device such as a liquid crystal display device, the electrical connection is connected to a wiring different from a wiring involved in driving a nonlinear element, and the electrical connection is cut by photoetching. It is a method of manufacturing a device.

【0013】[0013]

【実施例】以下実施例に基づき詳細に説明する。図1は
液晶表示装置の平面図であり、図11に対応するもので
ある(但し、2つの非線形素子の位置が直線的配置であ
る点で異なる。)。33、34、35はそれぞれ導電体
の画素間配線であり、53、54はそれぞれ隣接する画
素電極である。画素電極53は画素間配線33又はその
上に形成された導電体43からの信号によって駆動され
る。63、64はフローティング部であり、図11、図
12における導電体21に相当し、後の製造工程におい
てそれらの端部103、104、105、106に非線
形素子が形成される。非線形素子の形成においてフロー
ティング部63、64を陽極酸化し、その端部に図10
(e)に示すような絶縁体3aを膜付けする場合、画素
間配線34、35がそれぞれ共通電極となり、フローテ
ィング部63、64はそれぞれ画素間配線34、画素間
配線35から、陽極酸化のための電位が供給される。す
なわち、フローティング部63は非線形素子103、1
04の駆動に関与する画素間配線33からではなく、隣
接する画素間配線34(これは、本来画素電極54の駆
動を目的として利用されるもの)から導電体73を通し
て電気的に接続される。フローティング部64にも同様
である。フローティング部63、64の陽極酸化を終了
した後においては、導電体73、74は閉口部83、8
4の部分をホトエッチングすることによって除去され
る。フローティング部63が導電体33に対してではな
く、隣接する導電体34に対して電気的に接続されるの
は、次の理由に基づく。
Embodiments will be described in detail below based on embodiments. FIG. 1 is a plan view of the liquid crystal display device and corresponds to FIG. 11 (except that the positions of the two nonlinear elements are linear arrangements). Reference numerals 33, 34 and 35 denote conductive inter-pixel wirings, and reference numerals 53 and 54 denote adjacent pixel electrodes. The pixel electrode 53 is driven by a signal from the inter-pixel wiring 33 or the conductor 43 formed thereon. Reference numerals 63 and 64 denote floating portions, which correspond to the conductor 21 in FIGS. 11 and 12, and nonlinear elements are formed at their ends 103, 104, 105 and 106 in the subsequent manufacturing process. In forming the non-linear element, the floating portions 63 and 64 are anodized, and the ends thereof are formed as shown in FIG.
When the insulator 3a as shown in (e) is applied as a film, the inter-pixel wirings 34 and 35 serve as common electrodes, and the floating portions 63 and 64 are anodized from the inter-pixel wiring 34 and the inter-pixel wiring 35, respectively. The electric potential of is supplied. That is, the floating portion 63 is composed of the nonlinear elements 103, 1
Electrical connection is not made from the inter-pixel wiring 33 involved in driving 04, but from the adjacent inter-pixel wiring 34 (which is originally used for the purpose of driving the pixel electrode 54) through the conductor 73. The same applies to the floating portion 64. After the anodic oxidation of the floating portions 63 and 64 is completed, the conductors 73 and 74 are closed by the closed portions 83 and 8.
4 is removed by photoetching. The floating portion 63 is electrically connected not to the conductor 33 but to the adjacent conductor 34 for the following reason.

【0014】ホトエッチングによって閉口部83をエッ
チングして導電体73を除去した後といえども、導電体
73が存在していた部分を含む閉口部83の電気的接続
抵抗は、他の部分例えば導電体のパターンが形成されな
い非パターン部85と比較してはるかに低いものとなら
ざるを得ない(電気的リーク量として1桁異なる。)。
そのため、仮に、フローティング部63を非パターン部
85の位置を介して画素間配線33に接続し、後にその
部分をホトエッチング等によって除去してもその部分の
電気絶縁抵抗は低くならざるを得ず、このことは非線形
素子103、104を導電体43(又は画素間配線3
3)で駆動する場合に電気的リークの影響が大きく極め
て不都合となる。このためフローティング部63は、形
成された非線形素子の駆動に関与しない隣接の画素間配
線に電気的に結線することが有用となる。又、電気的リ
ークは距離が長いほど影響が小さいので、導電体73の
長さは、フローティング部63と画素間配線33との距
離より大きいことが望ましい。
Even after the conductor 73 is removed by etching the closed portion 83 by photoetching, the electrical connection resistance of the closed portion 83 including the portion where the conductor 73 was present is different from that of another portion such as the conductive portion. It is inevitably lower than that of the non-patterned portion 85 in which the body pattern is not formed (the amount of electrical leakage differs by one digit).
Therefore, even if the floating portion 63 is connected to the inter-pixel wiring 33 via the position of the non-patterned portion 85 and the portion is later removed by photoetching or the like, the electric insulation resistance of the portion must be lowered. This means that the non-linear elements 103 and 104 are connected to the conductor 43 (or the inter-pixel wiring 3
In the case of driving in 3), the influence of electric leak is large and it becomes extremely inconvenient. Therefore, it is useful that the floating portion 63 is electrically connected to the adjacent inter-pixel wiring that is not involved in driving the formed nonlinear element. Further, the longer the distance is, the smaller the influence of the electric leak is. Therefore, the length of the conductor 73 is preferably larger than the distance between the floating portion 63 and the inter-pixel wiring 33.

【0015】図2乃至図5はフローティング部の結線を
非線形素子の駆動に関与しない隣接する画素間配線から
とる方法を非線形素子が並列に2個接続された液晶表示
装置の製造方法に応用した説明図である。同図は図1
3、図14に示す液晶表示装置を製造する場合の工程図
の一部である。である。図2は第1の導電体2を形成し
た状態である。図3で絶縁体3(バリア層3b)を形成
した後、非線形素子を構成する絶縁体3aを第1の導電
体2の側面に形成する。その絶縁体3aは、陽極酸化ま
たは熱酸化などで形成されるが、陽極酸化で行う場合な
ど絶縁体3aを形成する部分の第1の導電体2は、電気
的につながっている必要がある。図3において破線で記
されている部分をホトエッチングで抜取る。図4が、上
記エッチング後の様子である。ここで第2の非線形素子
102の第1の導電体21がフローティングした状態で
形成される。図5は第2の導電体4と画素電極5を形成
した状態である。以上のように前記各実施例による構造
を用いても製造プロセスの負荷は、ホトエッチング5
回、ホトマスク4種で従来の構造の場合と変わらない。
2 to 5 are explanations in which the method of taking the connection of the floating part from the wiring between the adjacent pixels which is not involved in the driving of the non-linear element is applied to the manufacturing method of the liquid crystal display device in which two non-linear elements are connected in parallel. It is a figure. This figure is shown in Figure 1.
FIG. 3 is a part of a process diagram for manufacturing the liquid crystal display device shown in FIG. Is. FIG. 2 shows a state in which the first conductor 2 is formed. After forming the insulator 3 (barrier layer 3b) in FIG. 3, the insulator 3a forming the nonlinear element is formed on the side surface of the first conductor 2. The insulator 3a is formed by anodic oxidation, thermal oxidation, or the like, but the first conductor 2 in the portion forming the insulator 3a needs to be electrically connected when performing anodic oxidation. The portion indicated by the broken line in FIG. 3 is removed by photoetching. FIG. 4 shows the state after the etching. Here, the first conductor 21 of the second nonlinear element 102 is formed in a floating state. FIG. 5 shows a state in which the second conductor 4 and the pixel electrode 5 are formed. As described above, even if the structure according to each of the above embodiments is used, the load of the manufacturing process is 5
The four types of photomasks are the same as the conventional structure.

【0016】次に、閉口部すなわちフローティング部と
画素間配線との配線結合をエッチングで除去する具体的
方法を示す。図6(a)は画素間配線33、34を含む
第1の導電体の膜を基板上に形成した状態である。図1
と同じ符号は同一の種類のものを示す。同図(b)は画
素間配線33、34に対して外部から電位を与え陽極酸
化を行った状態であり、斜線部分に絶縁膜が形成されて
いる。その後は図10(c)、(d)、(e)、の工程
に示すと同様の方法により非線形素子の絶縁膜が形成さ
れる。図6(c)はホトレジストを用いて閉口部84を
ホトエッチングし、導電体73を基板から除いた状態で
ある。同図(d)は、その後の工程で第2の導電体4及
び画素電極5を形成した状態である。
Next, a specific method for removing the wiring connection between the closed portion, that is, the floating portion and the inter-pixel wiring by etching will be described. FIG. 6A shows a state in which the film of the first conductor including the inter-pixel wirings 33 and 34 is formed on the substrate. Figure 1
The same reference numerals as in FIG. In the same figure, (b) shows a state in which a potential is externally applied to the inter-pixel wirings 33 and 34 to perform anodic oxidation, and an insulating film is formed in a shaded portion. After that, the insulating film of the non-linear element is formed by the same method as shown in the steps of FIGS. 10C, 10D, and 10E. FIG. 6C shows a state in which the closed portion 84 is photo-etched using a photoresist and the conductor 73 is removed from the substrate. FIG. 6D shows a state in which the second conductor 4 and the pixel electrode 5 are formed in the subsequent steps.

【0017】図7は金属マスクを用いて閉口部をエッチ
ングする方法を示すものであり、図6の(a)、(b)
の工程は共通する。図6(b)に示すような非線形素子
の絶縁膜が形成された後は、図7(e)に示すように、
第2の導電体4を閉口部84を除いて形成する。導電体
4は例えばCr金属を用いる。その後第2の導電体4は
エッチングされず導電体73のみがエッチングされるよ
うなエッチャントを選択して閉口部をエッチングする
(第2の導電体4がエッチングストッパーとして機能す
る。)と図7(f)に示すような状態となり、その後第
2の導電体4を所定の形状パターンにエッチングし、画
素電極5を形成させる(同図(g))。
FIG. 7 shows a method of etching the closed portion using a metal mask, which is shown in FIGS. 6 (a) and 6 (b).
The steps are common. After the insulating film of the nonlinear element as shown in FIG. 6B is formed, as shown in FIG.
The second conductor 4 is formed except for the closed portion 84. For the conductor 4, for example, Cr metal is used. After that, the etchant is selected such that the second conductor 4 is not etched and only the conductor 73 is etched to etch the closed portion (the second conductor 4 functions as an etching stopper) and FIG. Then, the second conductor 4 is etched into a predetermined shape pattern to form the pixel electrode 5 (FIG. 6G).

【0018】図1に示す例においては、閉口部83は上
記のような性質を有しているので、その後の工程で形成
される他のパターン例えば画素電極53の層と位置が重
ならないことが有用である。画素電極53の面積は本来
大きいほど望ましいものであるが、画素電極53と閉口
部83の位置が重なるとフローティング部63と画素電
極との間での電気的絶縁接続が十分とはいえない状態に
なり非線形素子103、104の駆動に悪影響を及ぼ
す。図2ないし図5に示す液晶表示装置の場合は、ホト
エッチングによって除去した導電体の部分と画素電極5
は重なるが、この場合は、図13、図14に示すように
導電体21は画素電極5と電気的に同電位であり、非線
形素子101、102の駆動に上記除去部分の絶縁抵抗
性が悪影響を及ぼさない。かような観点からみれば、図
1における導電体73は、フローティング部63が非線
形素子形成に寄与する。すなわち非線形素子の構成部分
となるため、画素電極53のパターンと重なることが不
都合となる。
In the example shown in FIG. 1, since the closed portion 83 has the above-described properties, the position may not overlap with another pattern formed in a subsequent step, for example, the layer of the pixel electrode 53. It is useful. The larger the area of the pixel electrode 53 is, the more desirable it is. However, if the positions of the pixel electrode 53 and the closing portion 83 overlap each other, the electrically insulating connection between the floating portion 63 and the pixel electrode cannot be said to be sufficient. Therefore, the driving of the nonlinear elements 103 and 104 is adversely affected. In the case of the liquid crystal display device shown in FIGS. 2 to 5, the portion of the conductor removed by photo etching and the pixel electrode 5 are removed.
However, in this case, the conductor 21 is electrically at the same potential as the pixel electrode 5 as shown in FIGS. 13 and 14, and the insulation resistance of the removed portion adversely affects the driving of the nonlinear elements 101 and 102. Does not reach. From such a viewpoint, in the conductor 73 in FIG. 1, the floating portion 63 contributes to the formation of the nonlinear element. That is, since it constitutes the non-linear element, it is inconvenient to overlap the pattern of the pixel electrode 53.

【0019】又、図1において閉口部83をホトエッチ
ングする際、画素電極53、54の位置の内側にレジス
ト閉口部93、94を設けることによってエッチングの
速度を進めることができる。画素電極53、54は面積
が大きくその大部分の面積につきレジストを塗布しない
場合、全体のレジスト密度を低くすることができるから
である。
Further, when the closed portion 83 is photoetched in FIG. 1, the etching speed can be increased by providing the resist closed portions 93 and 94 inside the positions of the pixel electrodes 53 and 54. This is because the area of the pixel electrodes 53 and 54 is large and the resist density of the entire area can be lowered when the resist is not applied to most of the area.

【0020】[0020]

【発明の効果】本発明は上記の構成を有するので、非線
形素子を複数用いてその極性差を解消した液晶表示装置
等の製造する際に、極めて電気的特性が良好なものを製
造することが可能となった。
Since the present invention has the above-mentioned structure, it is possible to manufacture a liquid crystal display device or the like having a plurality of non-linear elements, in which the polarity difference is eliminated, with extremely excellent electrical characteristics. It has become possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例を示す説明図FIG. 1 is an explanatory diagram showing an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の他の実施例を示す説明図FIG. 2 is an explanatory diagram showing another embodiment of the present invention.

【図3】図2の後工程の説明図FIG. 3 is an explanatory diagram of a post process of FIG.

【図4】図3の後工程の説明図FIG. 4 is an explanatory diagram of a post process of FIG.

【図5】図4の後工程の説明図5 is an explanatory view of a post process of FIG.

【図6】本発明のエッチング工程の説明図FIG. 6 is an explanatory diagram of an etching process of the present invention.

【図7】本発明のエッチング工程の他の方法の説明図FIG. 7 is an explanatory view of another method of the etching step of the present invention.

【図8】従来の液晶表示装置の平面図FIG. 8 is a plan view of a conventional liquid crystal display device.

【図9】図8の断面拡大図9 is an enlarged cross-sectional view of FIG.

【図10】図8の液晶表示装置の製造工程説明図10 is an explanatory view of the manufacturing process of the liquid crystal display device of FIG.

【図11】極性差を解消した液晶表示装置の平面図FIG. 11 is a plan view of a liquid crystal display device in which the polarity difference is eliminated.

【図12】図11の断面拡大図12 is an enlarged cross-sectional view of FIG.

【図13】極性差を解消した他の液晶表示装置の平面図FIG. 13 is a plan view of another liquid crystal display device in which the polarity difference is eliminated.

【図14】図13の断面拡大図14 is an enlarged cross-sectional view of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2、21 第1の導電体 3 絶縁体 4 第2の導電体 5、53、54 画素電極 33、34、35 画素間配線 63、64 フローティング部 43、73、74 導電体 83、84 開口部 101、102、103、104 非線形素子 1 Substrate 2, 21 First Conductor 3 Insulator 4 Second Conductor 5, 53, 54 Pixel Electrode 33, 34, 35 Inter-Pixel Wiring 63, 64 Floating Part 43, 73, 74 Conductor 83, 84 Opening Part 101, 102, 103, 104 Non-linear element

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 液晶層を挟持する一対の基板の一方の基
板上に、複数個の画素電極とその各画素電極を駆動する
ための非線形素子と各画素電極間に配置された配線を有
し、該非線形素子が第1の導電体と絶縁体および第2の
導電体とを有してなり、該第1の導電体と絶縁体および
第2の導電体の重なる部分が電流電圧特性に非線形性を
もつ該絶縁体を、該第1の導電体の陽極酸化によって形
成した後、該第1の導電体と該配線との電気的接続を切
断する工程を含む液晶表示装置等の電気光学装置の製造
方法において、該電気的接続は非線形素子の駆動に関与
する配線と異なる配線に接続し、その電気的接続はホト
エッチングによって切断することを特徴とする電気光学
装置の製造方法。
1. A plurality of pixel electrodes, a non-linear element for driving each pixel electrode, and a wiring arranged between each pixel electrode are provided on one substrate of a pair of substrates sandwiching a liquid crystal layer. , The non-linear element has a first conductor, an insulator, and a second conductor, and an overlapping portion of the first conductor, the insulator, and the second conductor is non-linear in current-voltage characteristics. Electro-optical device, such as a liquid crystal display device, including a step of forming the electrically conductive insulator by anodic oxidation of the first conductor and then disconnecting the electrical connection between the first conductor and the wiring. 2. The method for manufacturing an electro-optical device according to claim 1, wherein the electrical connection is connected to a wiring different from a wiring involved in driving the nonlinear element, and the electrical connection is cut by photoetching.
【請求項2】 ホトエッチングは、そのマスクとして後
工程において形成される導電体パターンと同一の物質を
用いることを特徴とする請求項1記載の電気光学装置の
製造方法。
2. The method of manufacturing an electro-optical device according to claim 1, wherein the same material as that of a conductor pattern formed in a subsequent step is used as a mask for the photo-etching.
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