JPH06413B2 - Thermal head resistance adjustment device - Google Patents

Thermal head resistance adjustment device

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JPH06413B2
JPH06413B2 JP61204001A JP20400186A JPH06413B2 JP H06413 B2 JPH06413 B2 JP H06413B2 JP 61204001 A JP61204001 A JP 61204001A JP 20400186 A JP20400186 A JP 20400186A JP H06413 B2 JPH06413 B2 JP H06413B2
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JP
Japan
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resistance
voltage
value
heating resistor
thermal head
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JP61204001A
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広久 杉原
博實 山下
孝文 遠藤
裕 尾崎
弥平 高瀬
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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    • B41J2/00Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/315Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
    • B41J2/32Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
    • B41J2/35Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads providing current or voltage to the thermal head
    • B41J2/355Control circuits for heating-element selection

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は厚膜形サーマルヘッドの抵抗値調整装置、特
にその発熱抵抗体の抵抗値の均一化に関するものであ
る。
Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to a resistance adjusting device for a thick film type thermal head, and more particularly to uniforming the resistance of a heating resistor.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

厚膜形のサーマルヘッドは、ペースト状の抵抗材料をス
クリーン印刷法等によって所定のパターンに印刷し、そ
の後焼成することで発熱抵抗体を形成している。そのた
め厚膜形のサーマルヘッドは比較的短い製造工程によっ
て安価に製造できる反面、発熱抵抗体の抵抗値のばらつ
きが大きくなる欠点を持ち合せている。この発熱抵抗体
の抵抗値のばらつきは印字等の質に直接影響を及ぼすも
のであるため、厚膜形のサーマルヘッドの製造において
は発熱抵抗体の抵抗値の均一化は極めて重要なファクタ
である。この発熱抵抗体の抵抗値の均一化としては、発
熱抵抗体形成後、各発熱抵抗体に個別に比較的高圧の電
圧パルスを印加するとその抵抗値が低下するという現象
を利用したトリミング処理がある。
The thick film type thermal head forms a heating resistor by printing a paste-like resistance material in a predetermined pattern by a screen printing method or the like and then firing it. Therefore, the thick-film type thermal head can be manufactured at a low cost by a relatively short manufacturing process, but has a drawback that the resistance value of the heating resistor varies greatly. Since the variation in the resistance value of the heating resistor directly affects the quality of printing or the like, it is an extremely important factor to make the resistance value of the heating resistor uniform in the manufacture of the thick film type thermal head. . To make the resistance values of the heating resistors uniform, there is a trimming process utilizing the phenomenon that the resistance value decreases when a relatively high voltage pulse is individually applied to each heating resistor after the heating resistors are formed. .

第5図は例えば特開昭61−83053号公報に示され
た従来のサーマルヘッドの製造方法を示すフローチャー
トである。図において、ST1は初期設定のステップ、
ST2は前記ステップST1に続くプローバ及びスイッ
チングのステップ、ST3は前記スタップST2に続く
電圧パルス印加のステップ、ST4は前記ステップST
3に続く抵抗値測定のステップ、ST5は前記ステップ
ST4に続く前回データとの比較のステップ、ST6は
前記ステップST5に続く抵抗値減少検出のステップ、
ST7は前記ステップST6に続くトリミングの前ドッ
ト終了検出のステップ、ST8は前記ステップST5よ
り分岐したリプローブのステップ、ST9は前記ステッ
プST6より分岐した電圧パルスの電圧調整のステップ
であり、前記ステップST7の分岐からはステップST
2へ、ステップST8からはステップST4へ、ステッ
プST9からはステップST3へ、それぞれ処理が戻さ
れる。
FIG. 5 is a flow chart showing a conventional method of manufacturing a thermal head disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 61-83053. In the figure, ST1 is an initial setting step,
ST2 is a step of prober and switching following the step ST1, ST3 is a step of applying a voltage pulse following the stap ST2, and ST4 is the step ST.
3 is a resistance value measuring step, ST5 is a step of comparing with previous data following step ST4, ST6 is a step of detecting a resistance value decreasing following step ST5,
ST7 is a step of detecting a dot end before trimming following step ST6, ST8 is a step of reprobing branched from step ST5, ST9 is a step of voltage adjustment of the voltage pulse branched from step ST6, and step ST7 Step ST from branch
The processing is returned to step 2, from step ST8 to step ST4, and from step ST9 to step ST3.

次に動作について説明する。まず、ステップST1にお
いて、トリミングする発熱抵抗体に加える電圧パルスの
初期値、トリミングの目標値等の初期条件が設定され
る。次に、ステップST2において、サーマルヘッドに
プロービングし、トリミングするドットを選択してその
発熱抵抗体を電圧パルス発生手段に接続し、ステップS
T3で前記ステップ1で設定された初期値の電圧パルス
を印加する。次にステップST4でその発熱抵抗体の抵
抗値を測定し、ステップST5において抵抗値が減少し
たか否かを識別し、していなければプローブの接触不良
とみなしてステップST8にてプロービングをやり直
し、ステップST4に戻って再度抵抗値の測定を行な
う。抵抗値が減少していればステップST6にてステッ
プST1で設定されたトリミングの目標値と比較し、目
標値より小さくなっていなければ、ステップST9にて
電圧パルスの電圧値をΔVだけ上昇させてステップST
3に戻り、電圧パルスの再印加を行なう。この処理はそ
の発熱抵抗体の抵抗値が前記目標値より小さくなるまで
繰返され、目標値より小さくなればそのドットの発熱抵
抗体のトリミングを終了してステップST7へ移る。ス
テップST7では全ドットのトリミングが終了したか否
かを識別しており、全ドットのトリミングが終了してい
なければ処理をステップST2へ戻す。ステップST2
では新たなドットが選択されてその発熱抵抗体が電圧パ
ルス発生手段に接続され、同様の処理が全ドットのトリ
ミング終了まで繰返される。
Next, the operation will be described. First, in step ST1, initial conditions such as an initial value of a voltage pulse applied to a heating resistor to be trimmed and a trimming target value are set. Next, in step ST2, the thermal head is probed, the dot to be trimmed is selected, and the heating resistor is connected to the voltage pulse generating means.
At T3, the voltage pulse having the initial value set in step 1 is applied. Next, in step ST4, the resistance value of the heating resistor is measured, and in step ST5 it is discriminated whether or not the resistance value has decreased. If not, it is considered that the probe has a poor contact, and probing is performed again in step ST8. Returning to step ST4, the resistance value is measured again. If the resistance value has decreased, it is compared with the target value for trimming set in step ST1 in step ST6. If it is not smaller than the target value, the voltage value of the voltage pulse is increased by ΔV in step ST9. Step ST
Returning to step 3, the voltage pulse is reapplied. This process is repeated until the resistance value of the heating resistor becomes smaller than the target value, and when it becomes smaller than the target value, trimming of the heating resistor of the dot is completed and the process proceeds to step ST7. In step ST7, it is identified whether or not trimming of all dots has been completed. If trimming of all dots has not been completed, the process returns to step ST2. Step ST2
Then, a new dot is selected, the heating resistor is connected to the voltage pulse generating means, and the same processing is repeated until the trimming of all dots is completed.

第6図はこの発熱抵抗体の抵抗値の減少を示す線図であ
り、トリミング前にはR,R,Rと大きくばらつ
いていた抵抗値が、目標値Rよりわずかに低い、狭い
範囲内に均一化される。図においてVは前記電圧パル
スの初期値であり、電圧パルスの印加によって発熱抵抗
体の抵抗値が減少をはじめる境界電圧が通常25V近傍
にあるため例えば25Vに設定されている。また、ΔV
はステップST9による電圧パルスの電圧値の増し分で
あり、発熱抵抗体の抵抗値が減少し過ぎないように例え
ば2.5Vに設定して除々に抵抗値を減少させている。
FIG. 6 is a diagram showing a decrease in the resistance value of the heating resistor. The resistance value which was largely varied with R 1 , R 2 and R 3 before trimming was slightly lower than the target value R 0 , It is homogenized within a narrow range. In the figure, V s is the initial value of the voltage pulse, and is set to, for example, 25 V because the boundary voltage at which the resistance value of the heating resistor begins to decrease due to the application of the voltage pulse is usually around 25 V. Also, ΔV
Is an increase in the voltage value of the voltage pulse in step ST9, and is set to, for example, 2.5 V so that the resistance value of the heating resistor does not decrease too much, and the resistance value is gradually decreased.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

従来のサーマルヘッドの製造方法は以上のように構成さ
れているので、1ドッドの発熱抵抗体のトリミングには
20〜30回の電圧パルスの印加、及び抵抗値の測定を
しなければならず、発熱抵抗体の抵抗値の均一化には多
大な時間を要するという問題点があった。
Since the conventional method of manufacturing a thermal head is configured as described above, it is necessary to apply a voltage pulse 20 to 30 times and measure the resistance value in order to trim a heating resistor of one dot. There is a problem that it takes a lot of time to make the resistance value of the heating resistor uniform.

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、発熱抵抗体の抵抗値の均一化に多大の時間を
必要とすることのないサーマルヘッドの抵抗値調整装置
を得ることを目的とする。
The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to obtain a resistance adjusting device for a thermal head that does not require a great deal of time to make the resistances of the heating resistors uniform. To aim.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

この発明に係るサーマルヘッドの抵抗値調整装置は、サ
ーマルヘッドのドット中よりいくつかのサンプルを選定
してそれに電圧値の異なるいくつかの電圧パルスを低い
ものから順に印加してその都度発熱抵抗体の抵抗変化を
測定して、抵抗値に変化が現われはじめめ印加電圧の境
界値にその代表的な値を固定的に与えて抵抗対印加電圧
テーブルを作成し、各ドットのトリミングに際しては、
まずその発熱抵抗体の抵抗値を測定して、必要な抵抗値
の降下量から前記抵抗対印加電圧テーブルを用いて印加
する電圧パルスの電圧値を決定するものである。
A resistance adjusting device for a thermal head according to the present invention selects several samples from the dots of the thermal head and sequentially applies several voltage pulses having different voltage values to the heating resistors from the lowest one. The resistance change is measured, the resistance value starts to appear, and the representative value is fixedly given to the boundary value of the applied voltage to create a resistance vs. applied voltage table.
First, the resistance value of the heating resistor is measured, and the voltage value of the voltage pulse to be applied is determined using the resistance vs. applied voltage table from the required amount of drop in the resistance value.

〔作用〕[Action]

この発明におけるサーマルヘッドの抵抗値調整装置は、
当該サーマルヘッド内のサンプルドットの測定を行い、
抵抗値に変化が現われはじめる印加電圧の境界値にその
代表的な値を予め固定的に与えておいて抵抗対印加電圧
テーブルを作成することでその作成時間を短縮し、トリ
ミングに際してこの抵抗対印加電圧テーブルを用いて、
測定したそのドットの発熱抵抗体の抵抗値より印加する
電圧パルスの電圧値を決定して、1回の電圧パルスの印
加で発熱抵抗体の抵抗値を目標値に近いものとする。
The resistance adjusting device of the thermal head in this invention is
Measure the sample dots in the thermal head,
A typical value is fixedly given in advance to the boundary value of the applied voltage at which the resistance value begins to change, and a resistance-to-applied voltage table is created to shorten the creation time. Using the voltage table,
The voltage value of the voltage pulse to be applied is determined from the measured resistance value of the heating resistor of the dot, and the resistance value of the heating resistor is made close to the target value by one application of the voltage pulse.

〔実施例〕〔Example〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図において、ST11は初期設定のステップ、ST12
は前記ステップST11に続くサンプルの抵抗変化測定
のステップ、ST13は前記ステップST12に続く抵
抗対印加電圧テーブル作成のステップ、ST14は前記
ステップST13に続く抵抗値測定のステップ、ST1
5は前記ステップST14に続く印加電圧決定のステッ
プ、ST16は前記ステップST15に続く電圧パルス
印加のステップ、ST17は前記ステップST16に続
くトリミングの全ドット終了検出のステップであり、こ
のステップST17の分岐からはステップST14に処
理が戻される。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. First
In the figure, ST11 is an initial setting step, ST12
Is a step of measuring the resistance change of the sample following step ST11, ST13 is a step of creating a resistance vs. applied voltage table following step ST12, ST14 is a step of measuring resistance value following step ST13, and ST1.
5 is a step of determining an applied voltage following step ST14, ST16 is a step of applying a voltage pulse following step ST15, and ST17 is a step of detecting the end of all dots of trimming following step ST16. From the branch of step ST17. Returns to step ST14.

第2図はこの発明のサーマルヘッドの製造方法を実施す
る装置の一例を示すブロック図であり、図において、1
はトリミング処理が行なわれるサーマルヘッド、2はこ
のサーマルヘッド1の各発熱抵抗体の端子にプローブを
押し当てるプロービング装置、3はプロービング装置2
に接続されて前記発熱抵抗体の選択を行なうリレー網、
4はリレー網3に接続されて電圧パルスの印加と抵抗値
の測定とを切り換えるスイッチであり、リレー網4およ
びスイッチ4によりスイッチ回路を構成する。5はスイ
ッチ4の一方に接続されて指定された電圧値の電圧パル
スを送出するパルス発生器、6はスイッチ4の他方に接
続された抵抗計、7は入出力部8、中央処理装置(以
下、CPUという)9、メモリ10、キーボード11等
を備えて、前記諸装置の制御を行なうとともに所要の演
算処理を行なう制御演算部、12はこの制御演算部7に
接続されたプリンタである。
FIG. 2 is a block diagram showing an example of an apparatus for carrying out the method for manufacturing a thermal head according to the present invention.
Is a thermal head on which a trimming process is performed, 2 is a probing device for pressing a probe against the terminals of each heating resistor of the thermal head 1, and 3 is a probing device 2.
A relay network which is connected to and selects the heating resistor,
A switch 4 is connected to the relay network 3 and switches between application of a voltage pulse and measurement of a resistance value, and the relay network 4 and the switch 4 constitute a switch circuit. 5 is a pulse generator which is connected to one of the switches 4 and sends out a voltage pulse of a designated voltage value, 6 is an ohmmeter connected to the other of the switches 4, 7 is an input / output unit 8, a central processing unit (hereinafter , A CPU) 9, a memory 10, a keyboard 11 and the like, and a printer 12 connected to the control operation unit 7, and a control operation unit 12 for controlling the above-mentioned various devices and performing necessary operation processing.

次に動作について説明する。第3図は前記抵抗値降下曲
線の一例を示す線図であり、図中の実線Yがその抵抗値
降下曲線で、横軸には電圧パルスによる印加電圧値が、
縦軸には電圧パルス印加による発熱抵抗体の抵抗変化率
が目盛られている。実験の結果、第6図の縦軸を抵抗変
化率にして、初期の抵抗値から何%降下したかをプロッ
トすると、第3図に破線で示す如く、初期の抵抗値には
関係なくほぼ一定の曲線Y上をたどり、その曲線Yは
(1)式で近似できることがわかった。
Next, the operation will be described. FIG. 3 is a diagram showing an example of the resistance drop curve. The solid line Y in the figure is the resistance drop curve, and the horizontal axis shows the applied voltage value by the voltage pulse.
The vertical axis shows the resistance change rate of the heating resistor due to the voltage pulse application. As a result of the experiment, when the vertical axis of FIG. 6 is taken as the resistance change rate and the% drop from the initial resistance value is plotted, as shown by the broken line in FIG. 3, it is almost constant regardless of the initial resistance value. It was found that the curve Y can be approximated by the equation (1).

なお、(1)式中、Rは発熱抵抗体の初期の抵抗値、
は抵抗値に変化が現われはじめる印加電圧の境界
値、△Vは印加電圧の変化ステップ、α,βはサーマル
ヘッドの構造、ドット密度等で決まる定数である。
In the formula (1), R 0 is the initial resistance value of the heating resistor,
V 0 is a boundary value of the applied voltage at which the resistance value starts to change, ΔV is a change step of the applied voltage, and α and β are constants determined by the structure of the thermal head, the dot density and the like.

また、別の実験の結果、所定の電圧値の電圧パルスを1
回だけ印加した場合の抵抗減少率は、第3図の如く電圧
値を暫増させならが何回も電圧パルスを印加した場合の
同一電圧値のそれと同等の値を示すこと、さらには、抵
抗値に変化が現われはじめる印加電圧の境界電圧値V
は個々のサーマルヘッドによって異なるものであるが、
その値は25V付近に集中しており、大きなばらつきの
ないこともわかった。この発明はこれらの実験結果に基
づくものである。
In addition, as a result of another experiment, a voltage pulse of a predetermined voltage value is set to 1
The resistance decrease rate when applied only once shows a value equivalent to that of the same voltage value when the voltage pulse is applied many times even if the voltage value is temporarily increased as shown in FIG. Boundary voltage value V 0 of applied voltage at which change in value begins to appear
Is different for each thermal head,
It was also found that the value was concentrated around 25V and there was no large variation. The present invention is based on the results of these experiments.

この実施例では、まず、ステップ11で初期設定が行な
われ、次いでステップ12でサンプルの抵抗変化測定が
行なわれる。即ち、リレー網3を制御してサーマルヘッ
ド1のサンプルとして指定されたドットの発熱抵抗体を
選択し、スイッチ4を切り換えて抵抗計6へ接続して抵
抗値を測定し、その測定値を制御演算部7へ送り、制御
演算部7のCPU9はこれをメモリ10へ格納する。次
にスイッチ4を切り換えてパルス発生器5より所定の電
圧値の電圧パルスを前記抵抗発熱体に印加する。ここ
で、この電圧パルスは例えば幅が2μsecのパルスが1
5個周期50μsecで連続するパルス列である。次に、
再度スイッチ4を切り換えて、この電圧パルスが印加さ
れた発熱抵抗体を抵抗計6に接続して抵抗値を測定し、
制御演算部7へ送る。制御演算部7のCPU9はそれを
印加した電圧パルスの電圧値とともにメモリ10に格納
する。以下、同様にして、電圧パルスの電圧値を適宜上
昇させながらこれらの処理を繰返す。この処理は少くと
も3回繰返して実行され、リレー網3を切り換えていく
つかのサンプルについて実行される。
In this embodiment, first, initial setting is performed in step 11, and then, in step 12, resistance change measurement of the sample is performed. That is, the relay network 3 is controlled to select the heating resistor of the designated dot as the sample of the thermal head 1, the switch 4 is switched to connect to the resistance meter 6, the resistance value is measured, and the measured value is controlled. The data is sent to the calculation unit 7, and the CPU 9 of the control calculation unit 7 stores it in the memory 10. Next, the switch 4 is switched to apply a voltage pulse of a predetermined voltage value from the pulse generator 5 to the resistance heating element. Here, this voltage pulse is, for example, one pulse having a width of 2 μsec.
It is a pulse train that is continuous with five 50 μsec cycles. next,
Switch the switch 4 again, connect the heating resistor to which this voltage pulse is applied to the resistance meter 6, and measure the resistance value.
It is sent to the control calculation unit 7. The CPU 9 of the control calculation unit 7 stores it in the memory 10 together with the voltage value of the applied voltage pulse. Thereafter, similarly, these processes are repeated while appropriately increasing the voltage value of the voltage pulse. This process is repeated at least three times, switching the relay network 3 and executing for some samples.

次に、ステップST13において、まずこのようにして
測定された抵抗変化に基づく前記抵抗値降下曲線の近似
が行なわれる。即ち、制御演算部7のCPU9はメモリ
10に格納しておいた抵抗変化から、電圧パルスによる
各印加電圧における抵抗変化率ΔR=(R−R)/R
を求め、これを前記(1)式に代入する。このとき、
抵抗値に変化が現われはじめる境界電圧Vとして、そ
の代表的な値、例えば25Vを固定的に与える。これに
よって各サンプル毎にそれぞれα,βを未知数とする方
程式を作成してこれを解く。ここで、二つの未知数に対
して三つ以上の方程式がある場合にはこれを統計的手段
で処理して解を得る。この方程式はα,β,Vの三つ
を未知数とするものに比べてはるかに短時間で解が得ら
れ、その解も境界電圧値Vが25Vの付近に集中して
いるため、大きな誤差を含むようなことはない。得られ
た解はさらに各サンプル間で統計的に処理され、得られ
た定数α,β、が(1)式に代入されて、原点が第3図
に二点鎖線で示す位置まで移動した抵抗値降下曲線が近
似され、抵抗変化率ΔRと印加電圧Vとの関係を示す式
を得る。次いで、得られた式に抵抗変化率の具体的な値
ΔRnを逐次透入してその時の印加電圧Vnの値を計算
し、この両者を対応付けて配列して抵抗対印加電圧テー
ブルを作成する。第4図はこの抵抗対印加電圧テーブル
の一例を示す説明図である。
Next, in step ST13, the resistance drop curve is first approximated based on the resistance change thus measured. That is, the CPU 9 of the control calculation unit 7 uses the resistance change stored in the memory 10 to calculate the resistance change rate ΔR = (R−R 0 ) / R at each applied voltage due to the voltage pulse.
0 is obtained and this is substituted into the above equation (1). At this time,
As the boundary voltage V 0 at which the resistance value starts to change, a typical value thereof, for example, 25 V is fixedly provided. This creates an equation with unknowns α and β for each sample and solves it. Here, when there are three or more equations for two unknowns, they are processed by statistical means to obtain a solution. This equation gives a solution in a much shorter time than the one in which three of α, β, and V 0 are unknowns, and the solution is also large because the boundary voltage value V 0 is concentrated near 25 V. There is no error. The obtained solution was further statistically processed between each sample, and the obtained constants α and β were substituted into the equation (1), and the origin moved to the position shown by the chain double-dashed line in FIG. The value drop curve is approximated to obtain an equation showing the relationship between the resistance change rate ΔR and the applied voltage V. Next, the specific value ΔRn of the resistance change rate is sequentially inserted into the obtained formula, the value of the applied voltage Vn at that time is calculated, and the two are arranged in association with each other to create a resistance vs. applied voltage table. . FIG. 4 is an explanatory diagram showing an example of the resistance vs. applied voltage table.

これで準備段階を終了してステップST14よりトリミ
ングの処理に入る。まず、ステップST14において、
リレー網3でトリミングを実施するドットを選択し、ス
イッチによってこれを抵抗計6に接続してその抵抗値を
測定する。次に、ステップST15ではCPU9によっ
て、得られた抵抗値を目標値まで降下させるための抵抗
変化率ΔRnが算出され、さらに前述の抵抗対印加電圧
テーブルから、算出した抵抗変化率に近い抵抗変化率Δ
Rnに対応する印加電圧Vnを読み取り、電圧パルスの
印加電圧を決定する。具体的には、例えばバイナリ・サ
ーチ法(中間比較法)等によって抵抗対印加電圧テーブ
ルの読取りが行なわれ、当該テーブルにある抵抗変化率
ΔRnの中間の値については比例配分等によって印加電
圧を決定する。また、読み取った印加電圧Vnをそのま
ま用いるようにしてもよい。
This completes the preparatory stage and starts the trimming process from step ST14. First, in step ST14,
A dot to be trimmed is selected by the relay network 3, and this is connected to the ohmmeter 6 by a switch to measure its resistance value. Next, in step ST15, the CPU 9 calculates the resistance change rate ΔRn for lowering the obtained resistance value to the target value, and further, from the resistance vs. applied voltage table, the resistance change rate close to the calculated resistance change rate. Δ
The applied voltage Vn corresponding to Rn is read and the applied voltage of the voltage pulse is determined. Specifically, the resistance vs. applied voltage table is read by, for example, a binary search method (intermediate comparison method) or the like, and the applied voltage is determined by proportional distribution or the like for an intermediate value of the resistance change rate ΔRn in the table. To do. Further, the read applied voltage Vn may be used as it is.

得られた印加電圧は制御演算部7よりパルス発生器5へ
送られる。ステップST16でスイッチ4が切り換えら
れると、パルス発生器5からは電圧が前記印加電圧に調
整された電圧パルスが送出され、トリミングを実施する
ドットの発熱抵抗体に印加される。これによって当該発
熱抵抗体の抵抗値は目標値に近い値に降下する。以下ス
テップST17が全ドットのトリミングの終了を検出す
るまで、ステップST14以後の処理が繰返される。
The obtained applied voltage is sent from the control calculation unit 7 to the pulse generator 5. When the switch 4 is switched in step ST16, a voltage pulse whose voltage is adjusted to the applied voltage is sent from the pulse generator 5 and applied to the heating resistor of the dot to be trimmed. As a result, the resistance value of the heating resistor drops to a value close to the target value. Thereafter, the processes after step ST14 are repeated until step ST17 detects the end of trimming of all dots.

また、上記実施例では電圧パルスに所定数連続したパル
ス列を用いたが単パルスであってもよく、上記実施例と
同様の効果を奏する。
Further, in the above-mentioned embodiment, the pulse train in which the predetermined number is continuous is used for the voltage pulse, but a single pulse may be used, and the same effect as that in the above-mentioned embodiment is obtained.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上のように、この発明によれば、発熱抵抗体中からサ
ンプルを複数選び、電圧値の異なる電圧パルスを低いも
のから順次前記サンプルに印加し、各印加電圧における
抵抗変化率のデータを複数のサンプルに関して検出する
と共に、その複数のデータを統計的処理することにより
抵抗降下曲線を算出し、その抵抗降下曲線に具体的な抵
抗変化率を逐次透入し印加電圧の値を算出し印加電圧と
抵抗変化率の関係を示す抵抗対印加電圧テーブルを作成
し、前記発熱抵抗体に印加する前記電圧パルスの電圧値
を、その発熱抵抗体の初期の抵抗値に基づいて前記抵抗
対印加電圧テーブルを用いて決定するように構成したの
で、抵抗対印加電圧テーブルを短時間で作成することが
でき、各ドット毎に1回の電圧パルスの印加によってト
リミングが完了し、さらに電圧パルスの電圧値の決定も
めんどうな計算をしないですむため短時間で行なうこと
ができ、発熱抵抗体の抵抗値の均一化に要する時間を大
幅に削減できる効果がある。この効果はファクシミリ用
サーマルヘッドの如く、1000ドットあるいはそれ以
上の発熱抵抗体を有するような、多ドットのサーマルヘ
ッドに適用した場合、特に顕著である。
As described above, according to the present invention, a plurality of samples are selected from the heating resistors, voltage pulses having different voltage values are sequentially applied to the sample from the lowest, and the data of the resistance change rate at each applied voltage is converted into a plurality of data. While detecting the sample, the resistance drop curve is calculated by statistically processing the multiple data, and the specific resistance change rate is sequentially penetrated into the resistance drop curve to calculate the value of the applied voltage and the applied voltage. A resistance vs. applied voltage table showing the relationship of the resistance change rate is created, and the voltage value of the voltage pulse applied to the heating resistor is calculated based on the initial resistance value of the heating resistor. Since it is configured to be used for determination, the resistance vs. applied voltage table can be created in a short time, and the trimming is completed by applying the voltage pulse once for each dot. Further determination of the voltage value of the voltage pulse is also troublesome calculations can be performed in a short time because it is not necessary to the, there is an effect that can greatly reduce the time required for homogenization of the resistance value of the heating resistor. This effect is particularly remarkable when applied to a multi-dot thermal head having a heating resistor of 1000 dots or more, such as a thermal head for a facsimile.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図はこの発明の一実施例によるサーマルヘッドの製
造方法を示すフローチャート、第2図はそれを実施する
ための装置の一例を示すブロック図、第3図はその抵抗
値降下曲線の一例を示す線図、第4図はその抵抗対印加
電圧テーブルの一例を示す説明図、第5図は従来のサー
マルヘッドの製造方法を示すフローチャート、第6図は
その発熱抵抗体の抵抗値の減少を示す線図である。 1はサーマルヘッド、2はプロービング装置、3はリレ
ー網、4はスイッチ、5はパルス発生器、6は抵抗計、
7は制御演算部。
FIG. 1 is a flow chart showing a method of manufacturing a thermal head according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a block diagram showing an example of an apparatus for carrying out the method, and FIG. 3 is an example of a resistance drop curve. FIG. 4 is an explanatory diagram showing an example of the resistance vs. applied voltage table, FIG. 5 is a flow chart showing a conventional method of manufacturing a thermal head, and FIG. 6 is a graph showing a decrease in the resistance value of the heating resistor. It is a diagram showing. 1 is a thermal head, 2 is a probing device, 3 is a relay network, 4 is a switch, 5 is a pulse generator, 6 is an ohmmeter,
7 is a control calculation unit.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 尾崎 裕 兵庫県尼崎市塚口本町8丁目1番1号 三 菱電機株式会社通信機製作所内 (72)発明者 高瀬 弥平 兵庫県尼崎市塚口本町8丁目1番1号 三 菱電機株式会社通信機製作所内 (56)参考文献 特開 昭61−131404(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Yu Ozaki 8-1-1 Tsukaguchi Honcho, Amagasaki City, Hyogo Prefecture Sanryo Electric Co., Ltd. Communication Machinery Works (72) Inventor Yahei Takase 8-chome, Tsukaguchi Honcho, Amagasaki City, Hyogo Prefecture No. 1-1 Sanryo Electric Co., Ltd. Communication Equipment Factory (56) Reference JP-A-61-131404 (JP, A)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】サーマルヘッドの各々の発熱抵抗体に電圧
パルスを印加し、その抵抗値を降下させて均一化するサ
ーマルヘッドの抵抗値調整装置において、前記各々の発
熱抵抗体に接続されるプロービング装置と、そのプロー
ビング装置に接続され前記発熱抵抗体の選択を行うと共
に、パルス発生器によるその発熱抵抗体への電圧パルス
の印加と抵抗計によるその発熱抵抗体の抵抗測定とを切
り換えるスイッチ回路と、前記発熱抵抗体中からサンプ
ルを複数選び、電圧値の異なる電圧パルスを低いものか
ら順次前記サンプルに印加し、各印加電圧における抵抗
変化率のデータを複数のサンプルに関して検出すると共
に、その複数のデータを統計的処理することにより抵抗
降下曲線を算出し、その抵抗降下曲線に具体的な抵抗変
化率を逐次透入し印加電圧の値を算出し印加電圧と抵抗
変化率の関係を示す抵抗対印加電圧テーブルを作成し、
前記発熱抵抗体に印加する前記電圧パルスの電圧値を、
その発熱抵抗体の初期の抵抗値に基づいて前記抵抗対印
加電圧テーブルを用いて決定する制御演算部とを備えた
ことを特徴とするサーマルヘッドの抵抗値調整装置。
1. A resistance adjusting device for a thermal head, wherein a voltage pulse is applied to each heating resistor of a thermal head to lower and equalize the resistance value thereof, and a probing connected to each heating resistor. And a switch circuit connected to the probing device for selecting the heating resistor and switching between application of a voltage pulse to the heating resistor by a pulse generator and resistance measurement of the heating resistor by an ohmmeter. , A plurality of samples are selected from the heating resistors, voltage pulses having different voltage values are sequentially applied to the sample from the lowest, and the resistance change rate data at each applied voltage is detected for the plurality of samples, and The resistance drop curve is calculated by statistically processing the data, and the specific resistance change rate is sequentially inserted into the resistance drop curve. Create a resistance versus applied voltage table showing the relationship between the calculated applied voltage value of applied voltage resistance change rate,
The voltage value of the voltage pulse applied to the heating resistor,
A resistance value adjusting device for a thermal head, comprising: a control calculation unit that determines the resistance value based on the initial resistance value of the heating resistor using the resistance vs. applied voltage table.
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