JPH0641362Y2 - Magnetostatic wave delay device - Google Patents

Magnetostatic wave delay device

Info

Publication number
JPH0641362Y2
JPH0641362Y2 JP10015689U JP10015689U JPH0641362Y2 JP H0641362 Y2 JPH0641362 Y2 JP H0641362Y2 JP 10015689 U JP10015689 U JP 10015689U JP 10015689 U JP10015689 U JP 10015689U JP H0641362 Y2 JPH0641362 Y2 JP H0641362Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
magnetic field
input
magnetostatic wave
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP10015689U
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0339926U (en
Inventor
弦 上原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yokogawa Electric Corp
Original Assignee
Yokogawa Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yokogawa Electric Corp filed Critical Yokogawa Electric Corp
Priority to JP10015689U priority Critical patent/JPH0641362Y2/en
Publication of JPH0339926U publication Critical patent/JPH0339926U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH0641362Y2 publication Critical patent/JPH0641362Y2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 <産業上の利用分野> 本考案は静磁波遅延装置に関しさらに詳しくは温度や磁
界の変化に起因して発生する信号の入力損失および遅延
時間の安定化をはかったものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <Industrial field of application> The present invention relates to a magnetostatic wave delay device, more specifically, a device for stabilizing an input loss and a delay time of a signal caused by a change in temperature or magnetic field. Is.

<従来の技術> まず,静磁波遅延素子について簡単に説明する。一様磁
界中に金属導体からなる2本のトランスジューサと磁性
体とを近接して配置し,この2本のトランスジューサの
一方に高周波電流を流すとその近くの磁性体中のスピン
が揺ぎ,その揺ぎが静磁波となって伝搬し,他方のトラ
ンスジューサにはスピンの揺ぎに起因する高周波の誘導
電流が流れる。スピンの揺ぎの伝搬速度は磁界の強さに
応じて変化するので遅延時間の変更可能な素子となる。
<Prior Art> First, a magnetostatic wave delay element will be briefly described. When two transducers made of a metal conductor and a magnetic material are placed close to each other in a uniform magnetic field, and a high-frequency current is passed through one of the two transducers, spins in the magnetic material near the transducer fluctuate. The fluctuations propagate as magnetostatic waves and propagate, and a high-frequency induced current due to spin fluctuations flows in the other transducer. Since the propagation speed of spin fluctuations changes according to the strength of the magnetic field, the device has a variable delay time.

第2図は従来の静磁波遅延素子の一例を示す斜視図であ
る。図において1は例えばGGG(ガドリニウム−ガリウ
ム−ガーネット)からなる第1の基板であり、2はこの
基板の表面(図では裏面)に形成されたYIG(イットリ
ウム−鉄−ガーネット)薄膜である。3は例えばアルミ
ナからなる第2の基板であり,4a,4bはこの基板の一方の
面に所定の離間を隔てて形成された導電体(薄膜)から
なる入出力トランスジューサである。これら2つの基板
はYIG薄膜2とトランスジューサ4a,4bが形成された側を
接して固定される。5は第2の基板の他方の面に形成さ
れた接地膜である。図中Hoで示す矢印は印加磁界の方向
を示し,波形矢印は静磁波の進行方向を示している。な
お,基板の位置を動かし,静磁波遅延素子に印加する磁
界の方向をXまたはYとすることにより静磁表面波(MS
SW…Y方向)または体積後進波(MSBVW…X方向)を得
ることも出来る。
FIG. 2 is a perspective view showing an example of a conventional magnetostatic wave delay element. In the figure, 1 is a first substrate made of, for example, GGG (gadolinium-gallium-garnet), and 2 is a YIG (yttrium-iron-garnet) thin film formed on the front surface (back surface in the figure) of this substrate. Reference numeral 3 is a second substrate made of, for example, alumina, and 4a and 4b are input / output transducers made of a conductor (thin film) formed on one surface of the substrate at a predetermined distance. These two substrates are fixed by contacting the YIG thin film 2 and the side on which the transducers 4a, 4b are formed. Reference numeral 5 is a ground film formed on the other surface of the second substrate. In the figure, the arrow indicated by Ho indicates the direction of the applied magnetic field, and the waveform arrow indicates the traveling direction of the magnetostatic wave. In addition, by moving the position of the substrate and setting the direction of the magnetic field applied to the magnetostatic wave delay element to X or Y, the magnetostatic surface wave (MS
SW ... Y direction) or volume backward wave (MSBVW ... X direction) can be obtained.

上記構成の静磁波遅延素子にZ(Ho)方向から直流磁界
を印加し,入力トランスジューサにマイクロ波を印加す
ると体積前進波が出力トランスジューサ側に向って進行
する。
When a DC magnetic field is applied from the Z (Ho) direction to the magnetostatic wave delay element having the above configuration and a microwave is applied to the input transducer, the volume forward wave travels toward the output transducer side.

<考案が解決しようとする課題> 上記構成の静磁波遅延素子において,磁界印加手段に使
用しているコイルの抵抗値や電源の電圧変化に起因して
発生する磁界の変化や周囲温度の変化により入力損失や
遅延時間が変化するという問題があった。この入力損失
や遅延時間の変化は,例えば入力信号として2GHzを入力
している場合,損失5dB,遅延時間80nsであったものが、
磁界の変化により損失10dB,遅延時間20nsに変化した
り,温度の変化により損失8dB,遅延時間50nsといった具
合に変化するので損失や遅延時間を精密に制御すること
が出来ないという事となる。第3図は磁界の変化や温度
変化があった場合の損失(L)…a図,位相(φ)…b
図,遅延時間(τ)…c図の変化の度合を示す図であ
る。即ち,実線はある標準温度および磁界における値で
あり,細線は磁界や温度が変化した場合の値を示してい
る。図によれば損失,位相,遅延時間ともそれらの要因
により変化していることが分かる。特に位相および遅延
時間は周波数(f)が高い程変化の度合が激しい事を示
している。なお,c図においてτgは遅延すべき対象周波
数f1についての所望の遅延時間である。
<Problems to be Solved by the Invention> In the magnetostatic wave delay element having the above-described configuration, due to a change in the magnetic field or a change in the ambient temperature caused by the resistance value of the coil used in the magnetic field applying means or the voltage change of the power supply, There was a problem that input loss and delay time changed. The change in the input loss and the delay time is, for example, when the input signal is 2 GHz, the loss was 5 dB and the delay time was 80 ns.
Loss and delay time cannot be precisely controlled because the loss changes to 10 dB and the delay time changes to 20 ns due to changes in the magnetic field, and the loss changes to 8 dB and the delay time increases to 50 ns due to changes in temperature. FIG. 3 shows the loss (L) when the magnetic field is changed and the temperature is changed.
It is a figure which shows the degree of change of a figure, delay time ((tau)) ... c figure. That is, the solid line shows the value at a certain standard temperature and magnetic field, and the thin line shows the value when the magnetic field and temperature change. The figure shows that the loss, phase, and delay time change due to these factors. In particular, the higher the frequency (f), the greater the degree of change in the phase and delay time. In FIG. 7c, τg is the desired delay time for the target frequency f 1 to be delayed.

本考案は上記従来技術の問題点に鑑みて成されたもので
磁界変化や温度変化に起因して発生する入力損失と遅延
時間の変化の安定化をはかった静磁波遅延装置を提供す
ることを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems of the prior art, and provides a magnetostatic wave delay device which stabilizes the change of the input loss and the change of the delay time caused by the change of the magnetic field or the change of the temperature. To aim.

<課題を解決するための手段> 上記課題を解決するための本考案の構成は,YIG薄膜が形
成された基板と,入力信号を入力する入力トランスジュ
ーサおよび出力信号を出力する出力トランスジューサ
と,磁界印加手段を含んで構成される静磁波遅延装置に
おいて,前記入力信号にその入力信号よりも高いプロー
ブ信号を重畳する手段と,前記出力トランスジューサか
らの出力信号のうち,前記プローブ信号のみを通過させ
るハイパスフィルタと,前記ハイパスフィルタからの信
号と前記プローブ信号の位相を比較する位相比較器とを
具備し,前記位相比較器からの信号に基づいて前記磁界
印加手段の磁界を変化させる様にしたことを特徴とする
ものである。
<Means for Solving the Problems> The structure of the present invention for solving the above problems is a substrate on which a YIG thin film is formed, an input transducer for inputting an input signal, an output transducer for outputting an output signal, and a magnetic field application. In a magnetostatic wave delay device including means, means for superposing a probe signal higher than the input signal on the input signal, and a high-pass filter for passing only the probe signal among the output signals from the output transducer. And a phase comparator that compares the phase of the probe signal with the signal from the high-pass filter, and the magnetic field of the magnetic field applying means is changed based on the signal from the phase comparator. It is what

<作用> 静磁波遅延装置に入力した信号は高い周波数程磁界や温
度変化に対する位相や遅延時間の変化が大きい。従って
位相比較器で位相差を検出する場合,高い周波数で比較
した方が有利である。その位相比較器からの出力に基づ
いて印加磁界を変化させる事により磁界の変化や温度変
化があっても安定した出力を得ることが出来る。
<Operation> The higher the frequency of the signal input to the magnetostatic wave delay device, the greater the change in phase and delay time with respect to magnetic field and temperature changes. Therefore, when detecting the phase difference with the phase comparator, it is advantageous to compare at a high frequency. By changing the applied magnetic field based on the output from the phase comparator, a stable output can be obtained even when there is a change in the magnetic field or a temperature change.

<実施例> 第1図は本考案の静磁波遅延装置の一実施例を示す構成
図である。図において1は所望の遅延時間を得べき周波
数f1の信号が接続される入力端子,2は例えば第3図に示
すような静磁波遅延素子,3はカプラ,4はバンドパスフィ
ルタ,5はハイパスフィルタ,7は位相比較器,8は入力周波
数よりも高い周波数f2のプローブ信号源,9は周波数f1
f2の信号を重畳する加算器である。なお,図では省略す
るが位相比較器7からの信号は磁界印加手段に入力され
ている。
<Embodiment> FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a magnetostatic wave delay device of the present invention. In the figure, 1 is an input terminal to which a signal having a frequency f 1 for obtaining a desired delay time is connected, 2 is a magnetostatic wave delay element as shown in FIG. 3, 3 is a coupler, 4 is a bandpass filter, and 5 is High-pass filter, 7 is a phase comparator, 8 is a probe signal source with a frequency f 2 higher than the input frequency, and 9 is a frequency f 1
It is an adder that superimposes the signal of f 2 . Although not shown in the figure, the signal from the phase comparator 7 is input to the magnetic field applying means.

上記構成において,入力信号f1(例えば2GHz)とプロー
ブ信号源f2(例えば2.5GHz)は加算器で重畳され,静磁
波遅延素子の入力トランスジューサ,出力トランスジュ
ーサ(図示せず)を経て所望の遅延を与えられ,カプラ
3を介してバンドパスフィルタ4に入力し,信号f1が出
力する。一方カプラ3で分岐した信号はハイパスフィル
タ5でf2のみが選択され位相比較器7の一方の端子に入
力する。この位相比較器の他方の端子にはプローブ信号
源からの出力が入力されており,各信号の位相が比較さ
れる。この場合,ある標準の温度と磁界の強さで得られ
る遅延時間および入力損失の時に発生する位相のずれが
発生する訳であるが,ここではそのずれ量を零とする。
そして前述の標準の温度と磁界の強さが変化した場合の
前記零からの位相のずれを出力として検出する(この様
な位相比較器は公知である)。この出力は磁界印加手段
のコイルに帰還され位相のずれ(ある標準のずれからの
ずれ量)を零になる方向に制御する。
In the above configuration, the input signal f 1 (eg, 2 GHz) and the probe signal source f 2 (eg, 2.5 GHz) are superposed by an adder, and the desired delay is performed via the input transducer and output transducer (not shown) of the magnetostatic wave delay element. Is input to the bandpass filter 4 via the coupler 3, and the signal f 1 is output. On the other hand, for the signal branched by the coupler 3, only f 2 is selected by the high-pass filter 5 and input to one terminal of the phase comparator 7. The output from the probe signal source is input to the other terminal of this phase comparator, and the phases of the signals are compared. In this case, there is a delay time obtained at a certain standard temperature and magnetic field strength, and a phase shift occurs at the time of input loss, but here the shift amount is zero.
Then, the deviation of the phase from zero when the standard temperature and the strength of the magnetic field are changed is detected as an output (a phase comparator such as this is known). This output is fed back to the coil of the magnetic field applying means to control the phase shift (the shift amount from a certain standard shift) to zero.

なお,本実施例においてはカプラの後段にバンドパスフ
ィルタを設けたが出力にf2が出てもよければこのフィル
タは不要である。また,f2での位相φとf1での遅延時間
τgの関係をあらかじめ知っておけば出力の大きなf2
位相をモニタしながらτgの値を精密に設定することが
可能である。
In this embodiment, a bandpass filter is provided after the coupler, but this filter is not necessary if f 2 can be output. Further, it is possible to precisely set the value of τg while monitoring the phase of the phase φ and the delay time τg of the relationship in advance know Oke If the output of the large f 2 at f 1 at f 2.

<考案の効果> 以上述べたように本考案によれば,入力信号にその入力
信号よりも高いプローブ信号を重畳する手段と,出力ト
ランスジューサからの出力信号のうち,前記プローブ信
号のみを通過させるハイパスフィルタと,前記ハイパス
フィルタからの信号と前記プローブ信号の位相を比較す
る位相比較器とを設け,位相比較器からの信号に基づい
て磁界印加手段の磁界を変化させる様に構成したので入
力損失と遅延時間の安定した静磁波遅延装置を実現する
事が出来,大きなf2の位相をモニタしながらτgの値を
精密に設定することも可能となる。
<Effects of the Invention> As described above, according to the present invention, a means for superimposing a probe signal higher than the input signal on an input signal, and a high-pass for passing only the probe signal of the output signals from the output transducers. A filter and a phase comparator for comparing the phase of the signal from the high-pass filter with the phase of the probe signal are provided, and the magnetic field of the magnetic field applying means is changed based on the signal from the phase comparator. A magnetostatic wave delay device with a stable delay time can be realized, and the value of τg can be precisely set while monitoring a large phase of f 2 .

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本考案に係る静磁波遅延装置の一実施例を示す
構成図,第2図は磁界や温度が変化した場合の周波数と
入力損失,位相,遅延時間の関係を示す図,第3図は静
磁波遅延素子の要部斜視図である。 1……入力端子,2……静磁波遅延素子,3……カプラ,4…
…バンドパスフィルタ,5……ハイパスフィルタ,7……位
相比較器,8……プローブ信号源,9……加算器。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a magnetostatic wave delay device according to the present invention, FIG. 2 is a diagram showing the relationship between frequency and input loss, phase, and delay time when the magnetic field and temperature change, and FIG. The figure is a perspective view of an essential part of a magnetostatic wave delay element. 1 ... Input terminal, 2 ... Magnetostatic wave delay element, 3 ... Coupler, 4 ...
… Band pass filter, 5 …… High pass filter, 7 …… Phase comparator, 8 …… Probe signal source, 9 …… Adder.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】YIG薄膜が形成された基板と,入力信号を
入力する入力トランスジューサおよび出力信号を出力す
る出力トランスジューサと,磁界印加手段を含んで構成
される静磁波遅延装置において,前記入力信号にその入
力信号よりも高いプローブ信号を重畳する手段と,前記
出力トランスジューサからの出力信号のうち,前記プロ
ーブ信号のみを通過させるハイパスフィルタと,前記ハ
イパスフィルタからの信号と前記プローブ信号の位相を
比較する位相比較器とを具備し,前記位相比較器からの
信号に基づいて前記磁界印加手段の磁界を変化させる様
に構成したことを特徴とする静磁波遅延装置。
1. A magnetostatic wave delay device comprising a substrate on which a YIG thin film is formed, an input transducer for inputting an input signal, an output transducer for outputting an output signal, and a magnetic field applying means. A means for superimposing a probe signal higher than the input signal, a high-pass filter that passes only the probe signal of the output signals from the output transducer, and a phase of the signal from the high-pass filter and the probe signal are compared. A magnetostatic wave delay device comprising: a phase comparator, and configured to change the magnetic field of the magnetic field applying means based on a signal from the phase comparator.
JP10015689U 1989-08-28 1989-08-28 Magnetostatic wave delay device Expired - Lifetime JPH0641362Y2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10015689U JPH0641362Y2 (en) 1989-08-28 1989-08-28 Magnetostatic wave delay device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10015689U JPH0641362Y2 (en) 1989-08-28 1989-08-28 Magnetostatic wave delay device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0339926U JPH0339926U (en) 1991-04-17
JPH0641362Y2 true JPH0641362Y2 (en) 1994-10-26

Family

ID=31649176

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10015689U Expired - Lifetime JPH0641362Y2 (en) 1989-08-28 1989-08-28 Magnetostatic wave delay device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0641362Y2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0339926U (en) 1991-04-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5479139A (en) System and method for calibrating a ferroelectric phase shifter
US4547754A (en) Ferromagnetic resonator
RU2594382C1 (en) Adjustable microwave delay line on surface magnetostatic waves
JPH0641362Y2 (en) Magnetostatic wave delay device
US4291283A (en) Single-mode tunable oscillator using magnetostatic waves
US3809931A (en) Temperature-stabilized transducer device
RU2754086C1 (en) Filter-demultiplexer of microwave signal
JPH077881B2 (en) Magnetostatic wave device
US5053734A (en) Magnetostatic wave device
JPH075687Y2 (en) Magnetostatic wave delay element
JP2967224B2 (en) Cavity resonator for ferromagnetic resonance measurement
JP2636580B2 (en) Magnetostatic wave device
JPH01149609A (en) Magnetostatic wave delaying device
WO1999005751A1 (en) Magnetostatic wave device
CA1143444A (en) Single-mode tunable oscillator using magnetostatic waves
JPH01221901A (en) High frequency variable attenuator
JPH0731607Y2 (en) Magnetostatic wave delay element
JPH01218108A (en) High frequency oscillator
JPH0226746B2 (en)
SU1698855A1 (en) Method of determining saturation magnetization at microwave frequencies
JP2847747B2 (en) Magnetostatic wave delay line type oscillator
JPH0666586B2 (en) Magnetostatic wave delay line oscillator
JPS6235275A (en) Measuring method for ferromagnetic resonance absorption
JPH02170603A (en) Magnetostatic wave device
JPH0728724Y2 (en) Magnetostatic wave device