JPH0637141A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents
Semiconductor integrated circuit deviceInfo
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- JPH0637141A JPH0637141A JP18785892A JP18785892A JPH0637141A JP H0637141 A JPH0637141 A JP H0637141A JP 18785892 A JP18785892 A JP 18785892A JP 18785892 A JP18785892 A JP 18785892A JP H0637141 A JPH0637141 A JP H0637141A
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- package
- insulating film
- device hole
- integrated circuit
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路装置に
関し、特に、テープキャリアパッケージ(Tape Carrier
Package;TPC)の耐湿性の向上に適用して有効な技術
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device, and more particularly to a tape carrier package (Tape Carrier Package).
The present invention relates to a technology effectively applied to improve the moisture resistance of a package (TPC).
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、多端子パッケージの代表的なもの
として、QFP(Quad Flat Packag
e)が知られているが、論理LSIの多機能化、高速化
に伴う端子数の著しい増加により、リードの微細加工が
限界に達しつつある。2. Description of the Related Art Conventionally, as a typical multi-terminal package, a QFP (Quad Flat Pack) is used.
Although e) is known, the fine processing of leads is reaching its limit due to the remarkable increase in the number of terminals accompanying the multifunctionalization and speeding up of logic LSI.
【0003】そこで最近、QFPよりも端子数を増やす
ことのできるLSIパッケージとして、絶縁フィルムの
一面に形成したリードと半導体チップとをTAB(テー
プキャリヤ)方式により接続し、これを樹脂パッケージ
で封止する、いわゆるテープキャリアパッケージが注目
されている。Therefore, recently, as an LSI package capable of increasing the number of terminals as compared with QFP, a lead formed on one surface of an insulating film and a semiconductor chip are connected by a TAB (tape carrier) method, and this is sealed with a resin package. A so-called tape carrier package is receiving attention.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
構造を有するテープキャリアパッケージは、パッケージ
本体の側面から絶縁フィルムの一部が外部に延在した構
造になっているため、パッケージと絶縁フィルムとの界
面を通じてパッケージの内部に水分が浸入し、チップ内
電極の腐食を引き起こすという問題点があった。However, the tape carrier package having the above structure has a structure in which a part of the insulating film extends to the outside from the side surface of the package body. There is a problem in that moisture enters the inside of the package through the interface and causes corrosion of the in-chip electrodes.
【0005】本発明は、上記した問題点に着目してなさ
れたものであり、その目的は、テープキャリアパッケー
ジの耐湿性を向上させることのできる技術を提供するこ
とにある。The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a technique capable of improving the humidity resistance of a tape carrier package.
【0006】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、下記の
とおりである。The typical ones of the inventions disclosed in the present application will be outlined below.
【0008】本発明のテープキャリアパッケージは、パ
ッケージの内部の絶縁フィルムにデバイスホールの辺に
沿って延在する複数の切り欠きを設け、これら複数の切
り欠きを段違いに配置したものである。In the tape carrier package of the present invention, a plurality of notches extending along the sides of the device hole are provided in the insulating film inside the package, and the plurality of notches are arranged in different steps.
【0009】[0009]
【作用】上記した手段によれば、パッケージと絶縁フィ
ルムとの界面を通じてパッケージの内部に浸入する水分
の浸入経路が実効的に長くなるので、テープキャリアパ
ッケージの耐湿性を向上させることができる。According to the above-mentioned means, the moisture infiltration path through the interface between the package and the insulating film can be effectively lengthened, so that the moisture resistance of the tape carrier package can be improved.
【0010】[0010]
【実施例1】図1は、本発明の半導体集積回路装置の一
実施例であるテープキャリアパッケージ(TCP)を示
す平面図である。Embodiment 1 FIG. 1 is a plan view showing a tape carrier package (TCP) which is an embodiment of a semiconductor integrated circuit device of the present invention.
【0011】ポリイミド樹脂などの耐熱性合成樹脂から
なる絶縁フィルム1の一面には、複数本のリード2が放
射状にパターン形成されている。上記リード2の一端
(インナーリード部)は、上記絶縁フィルム1の中央に
設けたデバイスホール3の内側に延在し、他端(アウタ
ーリード部)は、デバイスホール3の外側に延在してい
る。リード2は、例えばCu箔からなり、その表面に
は、AuあるいはSnなどのメッキが施されている。A plurality of leads 2 are radially formed on one surface of an insulating film 1 made of a heat resistant synthetic resin such as a polyimide resin. One end (inner lead portion) of the lead 2 extends inside the device hole 3 provided in the center of the insulating film 1, and the other end (outer lead portion) extends outside the device hole 3. There is. The lead 2 is made of, for example, Cu foil, and the surface thereof is plated with Au, Sn, or the like.
【0012】デバイスホール3の内側には、所定の論理
LSIを形成した半導体チップ4が配置されており、こ
のチップ4とリード3とは、チップ4またはリード3に
形成されたAuなどからなるバンプ電極(図示せず)を
介して電気的に接続されている。A semiconductor chip 4 on which a predetermined logic LSI is formed is arranged inside the device hole 3. The chip 4 and the lead 3 are bumps made of Au or the like formed on the chip 4 or the lead 3. It is electrically connected via electrodes (not shown).
【0013】上記チップ4およびリード3のインナーリ
ード部は、エポキシ樹脂などの合成樹脂からなるパッケ
ージ5で封止されている。図1では、パッケージ5の内
部を見やすくするため、パッケージ5の外周を一点鎖線
で示してある。Inner lead portions of the chip 4 and the leads 3 are sealed with a package 5 made of synthetic resin such as epoxy resin. In FIG. 1, in order to make the inside of the package 5 easier to see, the outer periphery of the package 5 is shown by a dashed line.
【0014】上記パッケージ5の内部の絶縁フィルム1
には、複数の細長い切り欠き6が形成されている。これ
らの切り欠き6は、デバイスホール3の辺に沿って段違
いに配置されている。この場合、一つの切り欠き6とこ
れと段違いに配置されたもう一つの切り欠き6とが交差
する部分の長さは、少なくとも0.5mm以上あることが望
ましい。これらの切り欠き6は、例えば絶縁フィルム1
を構成する合成樹脂をエッチングして形成する。Insulating film 1 inside the package 5
A plurality of elongated notches 6 are formed in the. These notches 6 are arranged in different steps along the sides of the device hole 3. In this case, it is desirable that the length of the portion where one notch 6 intersects with the other notch 6 arranged in a staggered manner is at least 0.5 mm or more. These notches 6 are, for example, the insulating film 1
It is formed by etching the synthetic resin forming the.
【0015】このように、本実施例では、パッケージ5
の内部の絶縁フィルム1に、デバイスホール3を囲むよ
うに複数の細長い切り欠き6を設け、これらの切り欠き
6を段違いに配置したことにより、パッケージ5と絶縁
フィルム1との界面を通じてパッケージ5の内部に浸入
する水分の浸入経路を実効的に長くすることができるの
で、テープキャリアパッケージの耐湿性を向上させるこ
とができる。As described above, in this embodiment, the package 5
By providing a plurality of elongated cutouts 6 so as to surround the device hole 3 in the inside of the insulating film 1 and arranging these cutouts 6 in different steps, the package 5 and The moisture infiltration path can be effectively lengthened, so that the moisture resistance of the tape carrier package can be improved.
【0016】これにより、チップ内電極の腐食を防止す
ることができるので、信頼性の高いテープキャリアパッ
ケージを提供することができる。As a result, it is possible to prevent corrosion of the in-chip electrodes, so that it is possible to provide a highly reliable tape carrier package.
【0017】[0017]
【実施例2】図2は、本発明の半導体集積回路装置の他
の実施例であるテープキャリアパッケージを示す平面図
である。[Embodiment 2] FIG. 2 is a plan view showing a tape carrier package which is another embodiment of the semiconductor integrated circuit device of the present invention.
【0018】本実施例のテープキャリアパッケージは、
パッケージ5の内部の絶縁フィルム1に設けた切り欠き
6の形状が前記実施例のものとは異なっている。すなわ
ち、本実施例の切り欠き6は、デバイスホール3の全周
を囲むように形成されており、この切り欠き6の内側の
絶縁フィルム1と外側の絶縁フィルム1とは、完全に分
離されている。The tape carrier package of this embodiment is
The shape of the notch 6 provided in the insulating film 1 inside the package 5 is different from that of the above-mentioned embodiment. That is, the notch 6 of the present embodiment is formed so as to surround the entire circumference of the device hole 3, and the insulating film 1 inside the notch 6 and the insulating film 1 on the outside are completely separated. There is.
【0019】この切り欠き6は、例えば絶縁フィルム1
を構成する合成樹脂をエッチングして形成する。この場
合、切り欠き6の内側の絶縁フィルム1は、多数のリー
ド3によって支持されているので、脱落することはな
い。The notch 6 is, for example, an insulating film 1.
It is formed by etching the synthetic resin forming the. In this case, since the insulating film 1 inside the notch 6 is supported by the large number of leads 3, it does not fall off.
【0020】このように、本実施例では、切り欠き6の
内側の絶縁フィルム1と外側の絶縁フィルム1とが完全
に分離されており、これにより、パッケージ5と絶縁フ
ィルム1との界面を通じてパッケージ5の内部に浸入す
る水分が切り欠き6の内側に達することがないので、テ
ープキャリアパッケージの耐湿性を大幅に向上させるこ
とができる。As described above, in this embodiment, the insulating film 1 inside the notch 6 and the insulating film 1 outside are completely separated, so that the package 5 passes through the interface between the package 5 and the insulating film 1. Since moisture that enters the inside of the cutout 5 does not reach the inside of the notch 6, the moisture resistance of the tape carrier package can be significantly improved.
【0021】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the embodiments and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.
【0022】前記実施例1では、デバイスホールの辺に
沿って細長い切り欠きを形成したが、例えば図3に示す
ように、デバイスホール3のコーナー部などにさらに別
の切り欠き7を形成してもよい。In the first embodiment, the elongated notch is formed along the side of the device hole, but as shown in FIG. 3, for example, another notch 7 is formed at the corner of the device hole 3 or the like. Good.
【0023】前記実施例2では、デバイスホールの全周
を囲むように1つの切り欠きを形成したが、このような
切り欠きを2重、3重に形成してもよい。In the second embodiment, one notch is formed so as to surround the entire circumference of the device hole, but such notches may be doubled or tripled.
【0024】[0024]
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in this application will be briefly described as follows.
It is as follows.
【0025】本発明によれば、樹脂と絶縁フィルムとの
界面を通じてパッケージの内部に浸入する水分の浸入経
路が実効的に長くなるので、テープキャリアパッケージ
の耐湿性を向上させることができ、チップ内電極の腐食
を防止することができる。According to the present invention, the moisture infiltration path that penetrates the inside of the package through the interface between the resin and the insulating film is effectively lengthened, so that the moisture resistance of the tape carrier package can be improved and the inside of the chip can be improved. It is possible to prevent corrosion of the electrodes.
【図1】本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
平面図である。FIG. 1 is a plan view of a semiconductor integrated circuit device that is an embodiment of the present invention.
【図2】本発明の他の実施例である半導体集積回路装置
の平面図である。FIG. 2 is a plan view of a semiconductor integrated circuit device according to another embodiment of the present invention.
【図3】本発明の他の実施例である半導体集積回路装置
の平面図である。FIG. 3 is a plan view of a semiconductor integrated circuit device which is another embodiment of the present invention.
1 絶縁フィルム 2 リード 3 デバイスホール 4 半導体チップ 5 パッケージ 6 切り欠き 7 切り欠き 1 Insulating film 2 Lead 3 Device hole 4 Semiconductor chip 5 Package 6 Notch 7 Notch
Claims (2)
リードのインナーリード部を前記絶縁フィルムに設けた
デバイスホールの内側に延在するとともに、前記リード
のアウターリード部を前記絶縁フィルムの外側に延在
し、前記デバイスホールの内側に配置した半導体チップ
と前記リードのインナーリード部とをバンプ電極を介し
て電気的に接続するとともに、前記半導体チップを合成
樹脂のパッケージで封止してなる半導体集積回路装置で
あって、前記パッケージの内部の絶縁フィルムに前記デ
バイスホールの辺に沿って延在する複数の切り欠きを設
け、前記複数の切り欠きを段違いに配置したことを特徴
とする半導体集積回路装置。1. An inner lead portion of a lead formed radially on one surface of an insulating film extends inside a device hole formed in the insulating film, and an outer lead portion of the lead extends outside the insulating film. A semiconductor integrated circuit in which the semiconductor chip located inside the device hole and the inner lead portion of the lead are electrically connected via a bump electrode, and the semiconductor chip is sealed with a synthetic resin package. A circuit integrated circuit, wherein a plurality of notches extending along a side of the device hole are provided in an insulating film inside the package, and the plurality of notches are arranged in different steps. apparatus.
リードのインナーリード部を前記絶縁フィルムに設けた
デバイスホールの内側に延在するとともに、前記リード
のアウターリード部を前記絶縁フィルムの外側に延在
し、前記デバイスホールの内側に配置した半導体チップ
と前記リードのインナーリード部とをバンプ電極を介し
て電気的に接続するとともに、前記半導体チップを合成
樹脂のパッケージで封止してなる半導体集積回路装置で
あって、前記パッケージの内部の絶縁フィルムに前記デ
バイスホールの全周を囲む切り欠きを設けたことを特徴
とする半導体集積回路装置。2. An inner lead portion of a lead formed radially on one surface of an insulating film extends inside a device hole provided in the insulating film, and an outer lead portion of the lead extends outside the insulating film. A semiconductor integrated circuit in which the semiconductor chip located inside the device hole and the inner lead portion of the lead are electrically connected via a bump electrode, and the semiconductor chip is sealed with a synthetic resin package. A circuit integrated circuit device, wherein a cutout that surrounds the entire circumference of the device hole is provided in an insulating film inside the package.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18785892A JPH0637141A (en) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | Semiconductor integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18785892A JPH0637141A (en) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | Semiconductor integrated circuit device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0637141A true JPH0637141A (en) | 1994-02-10 |
Family
ID=16213449
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18785892A Withdrawn JPH0637141A (en) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | Semiconductor integrated circuit device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0637141A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08195413A (en) * | 1995-01-12 | 1996-07-30 | Nec Corp | Tab tape |
US5554885A (en) * | 1993-06-04 | 1996-09-10 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device including means for dispersing and absorbing tensile forces acting on film tape |
US6756661B2 (en) | 2000-03-24 | 2004-06-29 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device, a semiconductor module loaded with said semiconductor device and a method of manufacturing said semiconductor device |
-
1992
- 1992-07-15 JP JP18785892A patent/JPH0637141A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5554885A (en) * | 1993-06-04 | 1996-09-10 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device including means for dispersing and absorbing tensile forces acting on film tape |
JPH08195413A (en) * | 1995-01-12 | 1996-07-30 | Nec Corp | Tab tape |
US6756661B2 (en) | 2000-03-24 | 2004-06-29 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device, a semiconductor module loaded with said semiconductor device and a method of manufacturing said semiconductor device |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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