JPH0636599Y2 - Semiconductor laser wavelength stabilizer - Google Patents

Semiconductor laser wavelength stabilizer

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JPH0636599Y2
JPH0636599Y2 JP1988081972U JP8197288U JPH0636599Y2 JP H0636599 Y2 JPH0636599 Y2 JP H0636599Y2 JP 1988081972 U JP1988081972 U JP 1988081972U JP 8197288 U JP8197288 U JP 8197288U JP H0636599 Y2 JPH0636599 Y2 JP H0636599Y2
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JP
Japan
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light
beam splitter
semiconductor laser
etalon
isolator
Prior art date
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JP1988081972U
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Japanese (ja)
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JPH024269U (en
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敏嗣 植田
正博 渡
克巳 磯崎
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Yokogawa Electric Corp
Original Assignee
Yokogawa Electric Corp
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Description

【考案の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本考案は種々の計測や高分解能分光の光源に用いて好適
な半導体レーザの波長安定化装置に関し、出力パワーの
増大をはかった半導体レーザの波長安定化装置に関す
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <Industrial field of application> The present invention relates to a wavelength stabilizer for a semiconductor laser suitable for use as a light source for various measurements and high-resolution spectroscopy. The present invention relates to a wavelength stabilizer.

〈従来の技術〉 第2図は従来用いられている半導体レーザの波長安定化
装置の構成説明図である。図において半導体レーザ1か
らの出射光はコリメータレンズ2でコリメートされ、第
1のアイソレータ3a,第2のアイソレータ3bを通って第
1のビームスプリッタ(例えばハーフミラー…以下ハー
フミラーという)4aに達する。このハーフミラー4aを透
過した光は出力光となる。一方ハーフミラー4aで反射し
た光はミラー5を経て第2のハーフミラーに達し、反射
した光は第1の受光素子6aで電気信号に変換されてその
出力が演算装置8に入力される。透過した光はエタロン
7で所定の波長が選択され、選択された波長の光が第2
の受光素子6bで電気信号に変換され演算装置8に入力さ
れる。演算装置8は前記第1、第2の受光素子の出力に
基づいて所定の演算を行いレーザに注入する電流を制御
してレーザ光の出力の安定化に寄与する。
<Prior Art> FIG. 2 is a diagram illustrating the structure of a wavelength stabilizer for a semiconductor laser that has been used conventionally. In the figure, light emitted from a semiconductor laser 1 is collimated by a collimator lens 2 and passes through a first isolator 3a and a second isolator 3b to reach a first beam splitter (for example, a half mirror ... hereinafter referred to as a half mirror) 4a. The light transmitted through the half mirror 4a becomes output light. On the other hand, the light reflected by the half mirror 4a reaches the second half mirror through the mirror 5, and the reflected light is converted into an electric signal by the first light receiving element 6a, and its output is input to the arithmetic unit 8. A predetermined wavelength of the transmitted light is selected by the etalon 7, and the light of the selected wavelength is the second wavelength.
Is converted into an electric signal by the light receiving element 6b and is input to the arithmetic unit 8. The arithmetic unit 8 performs a predetermined arithmetic operation based on the outputs of the first and second light receiving elements to control the current injected into the laser and contributes to the stabilization of the output of the laser light.

ここで、光アイソレータを2個使用しているのは次の理
由による。
Here, two optical isolators are used for the following reason.

この装置では周波数選択手段としてエタロンを使用し
ているがエタロンは反射率が90%近くあり、戻り光が非
常に多い(レーザに戻り光が入射するとレーザの出射光
のパワーおよび波長が不安定になる)。
This device uses an etalon as a frequency selection means, but the reflectance of the etalon is close to 90%, and the return light is very large (when the return light enters the laser, the power and wavelength of the laser emission light become unstable. Become).

戻り光による波長の不安定を無くすためには約60dBの
アイソレート比が必要であるが、この条件を1つで満足
するアイソレータがない。
An isolation ratio of about 60 dB is required to eliminate the wavelength instability caused by the returning light, but there is no isolator that satisfies this condition.

なお、図では省略するがレーザおよびエタロンは恒温槽
の中に配置され温度制御されている。
Although not shown in the figure, the laser and the etalon are placed in a constant temperature bath and temperature controlled.

〈考案が解決しようとする課題〉 上記従来の装置によれば戻り光防止手段としてレーザと
第1のハーフミラーの間にアイソレータを2個直結して
配置している。一般にアイソレータの挿入損失は1個当
たり1〜3dBであり、2個直結した場合2〜6dBの損失と
なる。このため、レーザのパワーが落ちるという課題が
あった。
<Problems to be Solved by the Invention> According to the above-mentioned conventional device, two isolators are directly connected between the laser and the first half mirror as the return light preventing means. Generally, the insertion loss of each isolator is 1 to 3 dB, and when two isolators are directly connected, the loss is 2 to 6 dB. Therefore, there is a problem that the power of the laser is reduced.

本考案は上記従来技術の課題に鑑みて成されたもので、
アイソレータの配置位置を工夫することにより出力パワ
ーの向上をはかった装置を実現することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems of the prior art,
It is an object of the present invention to realize a device whose output power is improved by devising the arrangement position of the isolator.

〈課題を解決するための手段〉 上記課題を解決するための本考案の構成は、半導体レー
ザの光軸上に配置された第1のハーフミラーと、この第
1のハーフミラーで分岐した一方の光を分岐する第2の
ハーフミラーと、この第2のハーフミラーで分岐した一
方の光を受光する第1の受光素子と、他方の光をエタロ
ンを介して受光する第2の受光素子と、これら受光素子
からの電気信号に基づいて前記レーザへの注入電流を制
御する演算装置を備えた半導体レーザの波長安定化装置
において、前記半導体レーザと第1のビームスプリッタ
の間に前記エタロンの戻り光と前記第1のビームスプリ
ッタからの戻り光を阻止する第1のアイソレータを、前
記第1のビームスプリッタとエタロンの間に前記エタロ
ンの戻り光と前記第2のビームスプリッタからの戻り光
を阻止する第2のアイソレータを配置することにより前
記半導体レーザへの戻り光を第1、第2のアイソレータ
で阻止するとともに出力光に対しては前記第2のアイソ
レータを挿入することによる挿入損失を排除したことを
特徴とするものである。
<Means for Solving the Problems> The structure of the present invention for solving the above problems is a first half mirror arranged on the optical axis of a semiconductor laser and one of the first half mirrors branched by the first half mirror. A second half mirror for splitting the light, a first light receiving element for receiving one light split by the second half mirror, and a second light receiving element for receiving the other light via an etalon, In a wavelength stabilization device for a semiconductor laser, which comprises an arithmetic device for controlling an injection current to the laser based on an electric signal from these light receiving elements, in a return light of the etalon between the semiconductor laser and a first beam splitter. And a first isolator for blocking return light from the first beam splitter, a return light of the etalon and the second beam splitter between the first beam splitter and the etalon. By arranging a second isolator that blocks the return light from the first and second isolators, and insert the second isolator for the output light. It is characterized by eliminating insertion loss due to.

〈実施例〉 第1図は本考案の一実施例を示す構成説明図である。図
において第2図と同一要素には同一符号を付して重複す
る説明は省略するが、本考案においては第2のアイソレ
ータの配置位置のみが異なる。即ち、第2のアイソレー
タを第1のハーフミラーとエタロンの間に配置する。
<Embodiment> FIG. 1 is a structural explanatory view showing an embodiment of the present invention. In the figure, the same elements as those in FIG. 2 are designated by the same reference numerals and the duplicated description is omitted, but in the present invention, only the arrangement position of the second isolator is different. That is, the second isolator is arranged between the first half mirror and the etalon.

上記構成によればレーザ1の出力は第1のアイソレータ
3aおよび第1ハーフミラー4aを透過して出力光となるの
で、第2のアイソレータ3bの挿入損失や第1のハーフミ
ラー4aからの戻り光(4%程度)の影響を受けることが
ない。そしてエタロン7の戻り光に対しては第1、第2
のアイソレータ3a,3bの2個で対処している。
According to the above configuration, the output of the laser 1 is the first isolator
Since it is output light after passing through 3a and the first half mirror 4a, it is not affected by the insertion loss of the second isolator 3b or the return light (about 4%) from the first half mirror 4a. And, for the return light of the etalon 7, the first and second
The two isolators 3a and 3b are used.

なお、図では第2のアイソレータは第1、第2のハーフ
ミラー間に配置したが第2のアイソレータは第2のハー
フミラーとエタロンの間に配置してもよい。
Although the second isolator is arranged between the first and second half mirrors in the figure, the second isolator may be arranged between the second half mirror and the etalon.

〈考案の効果〉 以上、実施例とともに具体的に説明したように本考案に
よれば、レーザからの出射光が第1のアイソレータを通
るだけなので従来例に比較してアイソレータの挿入損失
を半分にすることが出来る。その結果、出力パワーの大
きな半導体レーザの波長安定化装置を実現することが出
来る。
<Effect of Device> According to the present invention, as specifically described with reference to the embodiments, the light emitted from the laser only passes through the first isolator, so that the insertion loss of the isolator is halved compared to the conventional example. You can do it. As a result, it is possible to realize a wavelength stabilization device for a semiconductor laser having a large output power.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本考案の一実施例を示す構成図、第2図は従来
例を示す構成説明図である。 1……半導体レーザ、3a……第1のアイソレータ、3b…
…第2のアイソレータ、4a……第1のビームスプリッタ
(ハーフミラー)、4b……第2のビームスプリッタ(ハ
ーフミラー)、6a……第1の受光素子、6b……第2の受
光素子、7……エタロン、8……演算装置。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a block diagram showing a conventional example. 1 ... Semiconductor laser, 3a ... First isolator, 3b ...
... second isolator, 4a ... first beam splitter (half mirror), 4b ... second beam splitter (half mirror), 6a ... first light receiving element, 6b ... second light receiving element, 7 ... etalon, 8 ... arithmetic unit.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】半導体レーザの光軸上に配置された第1の
ビームスプリッタと,この第1のビームスプリッタで分
岐した一方の光を分岐する第2のビームスプリッタと,
この第2のビームスプリッタで分岐した一方の光を受光
する第1の受光素子と,他方の光をエタロンを介して受
光する第2の受光素子と,これら受光素子からの電気信
号に基づいて前記レーザへの注入電流を制御する演算装
置を備えた半導体レーザの波長安定化装置において, 前記半導体レーザと第1のビームスプリッタの間に前記
エタロンの戻り光と前記第1のビームスプリッタからの
戻り光を阻止する第1のアイソレータを,前記第1のビ
ームスプリッタとエタロンの間に前記エタロンの戻り光
と前記第2のビームスプリッタからの戻り光を阻止する
第2のアイソレータを配置することにより前記半導体レ
ーザへの戻り光を第1,第2のアイソレータで阻止すると
ともに出力光に対しては前記第2のアイソレータを挿入
することによる挿入損失を排除したことを特徴とする半
導体レーザの波長安定化装置。
1. A first beam splitter arranged on the optical axis of a semiconductor laser, and a second beam splitter for splitting one light beam split by the first beam splitter,
A first light receiving element that receives one of the light beams split by the second beam splitter, a second light receiving element that receives the other light beam via an etalon, and the above based on electrical signals from these light receiving elements, In a wavelength stabilization device for a semiconductor laser, which comprises an arithmetic device for controlling an injection current to the laser, a return light of the etalon and a return light from the first beam splitter are provided between the semiconductor laser and a first beam splitter. And a second isolator for blocking return light of the etalon and return light from the second beam splitter between the first beam splitter and the etalon. Insertion by blocking the return light to the laser by the first and second isolators and inserting the second isolator into the output light Wavelength stabilizing apparatus for a semiconductor laser, characterized in that to eliminate the loss.
JP1988081972U 1988-06-21 1988-06-21 Semiconductor laser wavelength stabilizer Expired - Lifetime JPH0636599Y2 (en)

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JPH024269U JPH024269U (en) 1990-01-11
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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