JPH0635552A - Pulse power unit - Google Patents

Pulse power unit

Info

Publication number
JPH0635552A
JPH0635552A JP4213357A JP21335792A JPH0635552A JP H0635552 A JPH0635552 A JP H0635552A JP 4213357 A JP4213357 A JP 4213357A JP 21335792 A JP21335792 A JP 21335792A JP H0635552 A JPH0635552 A JP H0635552A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
switching element
control
transistor
control voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP4213357A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2849885B2 (en
Inventor
Toru Arai
亨 荒井
Yoshiya Hirose
義哉 広瀬
Takashi Nishio
尚 西尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sansha Electric Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Sansha Electric Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sansha Electric Manufacturing Co Ltd filed Critical Sansha Electric Manufacturing Co Ltd
Priority to JP4213357A priority Critical patent/JP2849885B2/en
Publication of JPH0635552A publication Critical patent/JPH0635552A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2849885B2 publication Critical patent/JP2849885B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To apply the stable gate voltage having a high rising speed to an insulated input type switching element. CONSTITUTION:A load 14 and a switching element 12 are provided in series to a power source 10. A driving circuit 18 generates periodically the control voltage higher than the voltage that actuates the element 12 in a linear area. When a differentiating circuit 46 detects the start of generation of the control voltage, a transistor TR 44 is turned on and a capacitor 42 is discharged. Therefore the TR 50 conducts to clamp the voltage to a low level at a connection point 34. Then the capacitor 42 is charged by the voltage generated by a high voltage generating part 36. The conduction state of the TR 50 is changed and the voltage is raised at the point 34. Then the element 12 is turned on.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、パルス電源装置に関
し、特にMOSFETやIGBT等の絶縁入力型のスイ
ッチング素子を用いたものに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pulse power supply device, and more particularly to a device using an insulated input type switching element such as MOSFET or IGBT.

【0002】[0002]

【従来の技術】パルス電源装置は、直流電源と負荷とに
間に設けたスイッチング素子をオン、オフ制御して、直
流電源からの電力を負荷に供給するものである。通常の
パルス電源装置ではスイッチング素子としてバイポーラ
トランジスタを使用するのが一般的であるが、例えば、
貴金属メッキ等に用いるパルス電源装置では、順バイア
スASOや制御性に配慮して、バイポーラトランジスタ
に代えて、MOSFETやIGBT等の絶縁入力型のス
イッチング素子を用いている。
2. Description of the Related Art A pulse power supply device controls ON / OFF of a switching element provided between a DC power supply and a load to supply electric power from the DC power supply to the load. It is common to use a bipolar transistor as a switching element in a normal pulse power supply device.
In a pulse power supply device used for noble metal plating or the like, an insulation input type switching element such as MOSFET or IGBT is used in place of the bipolar transistor in consideration of forward bias ASO and controllability.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところが、MOSFE
TやIGBTをスイッチング素子として用いたとき、そ
の等価入力容量がバイポーラトランジスタと比較して大
きく、またゲートしきい値電圧が約3Vと大きいので、
これらスイッチング素子のゲートに制御信号としてパル
ス信号を入力しても、入力してからスイッチング素子が
オンするまでの時間は、等価入力容量の充電によって遅
れる。即ち、立ち上がりが遅くなる。速い立ち上がりを
必要とするとき、高い電圧のゲート制御信号を供給する
ことも考えられるが、これらスイッチング素子のゲート
制御信号に対するリニア領域が3乃至5Vと狭いので、
高い電圧のゲート制御信号を入力すると、オーバーシュ
ートが生じ、ゲート制御信号の入力の安定までに時間が
かかるという問題点があった。
However, the MOSFE
When T or IGBT is used as a switching element, its equivalent input capacitance is larger than that of a bipolar transistor, and its gate threshold voltage is as large as about 3V.
Even if a pulse signal is input to the gates of these switching elements as a control signal, the time from the input to the turning on of the switching element is delayed due to the charging of the equivalent input capacitance. That is, the rising is delayed. It is possible to supply a high voltage gate control signal when a fast rise is required, but since the linear region for the gate control signals of these switching elements is as narrow as 3 to 5 V,
When a high voltage gate control signal is input, overshoot occurs, and it takes a long time to stabilize the input of the gate control signal.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の問題点
を解決するためになされたもので、そのため、直流電源
と、この直流電源に直列に接続され負荷に電力を供給す
る絶縁入力型のスイッチング素子と、上記スイッチング
素子をリニア領域で動作させるの必要な電圧よりも高い
制御電圧を一定周期ごとに発生する制御電圧発生手段
と、上記負荷の電流または電圧を検出する第1の検出手
段と、この第1の検出手段の検出信号と設定値とに応じ
て上記スイッチング素子に上記制御電圧発生手段から供
給される制御電圧の値を制御する第1の制御手段と、上
記制御電圧の発生開始を検出する第2の検出手段と、上
記制御電圧の発生開始時点で第2の検出手段からの検出
信号に応じて上記制御電圧を低電圧にクランプしその後
に増加させて上記スイッチング素子に供給する第2の制
御手段とを、具備するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and therefore, a DC power supply and an isolated input type which is connected in series to this DC power supply and supplies power to a load. Switching element, a control voltage generating means for generating a control voltage higher than a voltage required to operate the switching element in a linear region at regular intervals, and a first detecting means for detecting the current or voltage of the load. And first control means for controlling the value of the control voltage supplied from the control voltage generation means to the switching element according to the detection signal of the first detection means and the set value, and the generation of the control voltage. The second detection means for detecting the start, and the control voltage is clamped to a low voltage according to the detection signal from the second detection means at the start of the generation of the control voltage, and then the control voltage is increased to increase the control voltage. A second control means for supplying to the switching element, is intended to comprise.

【0005】[0005]

【作用】本発明によれば、制御電圧が既に発生している
状態では、スイッチング素子がオンし、負荷に直流電源
から電流が流れる。この負荷の電流または電圧を第1の
検出手段が検出し、この検出信号と設定値とに応じて第
1の制御手段がスイッチング素子に供給される制御電圧
を制御し、即ち、スイッチング素子の導通状態を制御
し、負荷の電流または電圧を一定値に制御する。制御電
圧が消失すると、スイッチング素子がオフとなり、負荷
の電流は零となる。
According to the present invention, in the state where the control voltage has already been generated, the switching element is turned on and a current flows from the DC power supply to the load. The first detection means detects the current or voltage of the load, and the first control means controls the control voltage supplied to the switching element according to the detection signal and the set value, that is, the conduction of the switching element. Control the state and control the load current or voltage to a constant value. When the control voltage disappears, the switching element is turned off and the load current becomes zero.

【0006】再び、制御電圧が発生を開始すると、これ
を第2の検出手段が検出し、この検出信号に応じて第2
の制御手段が制御電圧を低電圧にクランプし、その後に
増加させる。制御電圧が発生してから、或る時間が経過
すると、上記と同様にして第1の検出手段及び第1の制
御手段によって、制御が行われる。
When the control voltage starts to be generated again, it is detected by the second detecting means, and the second detecting means detects the second voltage in response to the detection signal.
Control means clamp the control voltage to a low voltage and then increase it. When a certain time has elapsed after the control voltage was generated, the control is performed by the first detection means and the first control means in the same manner as described above.

【0007】[0007]

【実施例】この実施例は、貴金属メッキ等に用いるパル
ス電源装置に本発明を実施したもので、図1に示すよう
に直流電源10を有している。この直流電源10は、例
えば商用交流電源を整流平滑するものである。この直流
電源10の両端間には、例えばMOSFETまたはIG
BTである絶縁入力型のスイッチング素子12と、負荷
14とが直列に接続されている。
EXAMPLE In this example, the present invention is applied to a pulse power supply device used for precious metal plating or the like, and has a DC power supply 10 as shown in FIG. The DC power supply 10 is for rectifying and smoothing a commercial AC power supply, for example. Between the both ends of this DC power supply 10, for example, MOSFET or IG
An insulated input type switching element 12 which is a BT and a load 14 are connected in series.

【0008】スイッチング素子12のゲートには、抵抗
器15、16を介して駆動回路18からの制御電圧が供
給されている。この駆動回路18は、図2(a)に示す
ような予め定められた周波数のパルス信号であるパルス
指令信号を入力端子19から入力し、これを同図(b)
に示すように反転昇圧した制御電圧を発生する。この制
御電圧の最大値は、スイッチング素子12をリニア領域
で動作させるのに必要な電圧、例えば3V乃至5Vより
も高い電圧とされ、立ち上がりの速いものである。
A control voltage from a drive circuit 18 is supplied to the gate of the switching element 12 via resistors 15 and 16. The drive circuit 18 inputs a pulse command signal, which is a pulse signal having a predetermined frequency as shown in FIG. 2A, from an input terminal 19, and outputs the pulse command signal.
As shown in (3), the control voltage which is inverted and boosted is generated. The maximum value of this control voltage is set to a voltage higher than the voltage required to operate the switching element 12 in the linear region, for example, 3V to 5V, and has a fast rise.

【0009】スイッチング素子12と負荷14との間に
は、電流検出器20が設けられており、これによって検
出された負荷電流は、低周波通過フィルタを内蔵してい
る増幅器22によって増幅されて、誤差増幅器24に供
給される。誤差増幅器24には、制御レベル設定器26
から制御レベル設定信号も供給されている。
A current detector 20 is provided between the switching element 12 and the load 14, and the load current detected by the current detector 20 is amplified by an amplifier 22 having a built-in low frequency pass filter. It is supplied to the error amplifier 24. The error amplifier 24 includes a control level setter 26
The control level setting signal is also supplied from.

【0010】誤差増幅器24は、増幅器22の出力信号
と制御レベル設定信号との差を増幅した誤差増幅出力、
例えば2乃至4Vを抵抗器28を介してPNPトランジ
スタ30のベースに印加する。このトランジスタ30の
コレクタは接地されており、エミッタはダイオード32
を介して抵抗器15、16の接続点34に接続されてい
る。なお、ダイオード32は、そのアノードが接続点3
4に、カソードがトランジスタ30のエミッタに接続さ
れている。
The error amplifier 24 is an error amplification output obtained by amplifying the difference between the output signal of the amplifier 22 and the control level setting signal,
For example, 2 to 4 V is applied to the base of the PNP transistor 30 via the resistor 28. The collector of this transistor 30 is grounded, and the emitter is a diode 32.
It is connected to the connection point 34 of the resistors 15 and 16 via. The diode 32 has its anode at the connection point 3
At 4, the cathode is connected to the emitter of transistor 30.

【0011】接続点34と接地電位点との間には、NP
Nトランジスタ35のコレクタ・エミッタ電路が接続さ
れている。このトランジスタ35のベースには、パルス
指令信号が供給されている。
An NP is provided between the connection point 34 and the ground potential point.
The collector-emitter circuit of the N-transistor 35 is connected. A pulse command signal is supplied to the base of the transistor 35.

【0012】誤差増幅器24の出力は、高電圧作成部3
6に供給される。この高電圧作成部36は、例えば演算
増幅器によって構成されており、誤差増幅器24の出力
を1.2倍乃至1.5に高めて出力するものである。
The output of the error amplifier 24 is the high voltage generator 3
6 is supplied. The high voltage generating unit 36 is composed of, for example, an operational amplifier, and increases the output of the error amplifier 24 by 1.2 times to 1.5 and outputs it.

【0013】この高電圧作成部36の出力側と接地電位
点との間には、分圧用抵抗器38、40が直列に接続さ
れており、接地側の分圧用抵抗器40の両端には充電用
コンデンサ42が並列に接続されている。
Voltage dividing resistors 38 and 40 are connected in series between the output side of the high voltage generating section 36 and the ground potential point, and both ends of the ground side voltage dividing resistor 40 are charged. Capacitor 42 is connected in parallel.

【0014】さらに、このコンデンサ42に並列にNP
Nトランジスタ44のコレクタ・エミッタ導電路が接続
されている。また、このスイッチングトランジスタ44
のベースには、微分回路46の出力が供給されている。
この微分回路46は、パルス指令信号の立ち下がりを検
出し、図2(c)に示すように正のパルス信号を発生す
るものである。
Further, an NP is connected in parallel with the capacitor 42.
The collector-emitter conductive path of N-transistor 44 is connected. In addition, this switching transistor 44
The output of the differentiating circuit 46 is supplied to the base of the.
The differentiating circuit 46 detects the fall of the pulse command signal and generates a positive pulse signal as shown in FIG. 2 (c).

【0015】また、分圧用抵抗器40の両端間の電圧
は、バッファ48を介してPNPトランジスタ50のベ
ースに供給されている。このトランジスタ50のコレク
タは接地されており、エミッタはダイオード52を介し
て接続点34に接続されている。なお、ダイオード52
は、そのアノードが接続点34側に接続され、カソード
がトランジスタ50のエミッタ側に接続されている。
The voltage across the voltage dividing resistor 40 is supplied to the base of the PNP transistor 50 via the buffer 48. The collector of the transistor 50 is grounded, and the emitter is connected to the connection point 34 via the diode 52. The diode 52
Has its anode connected to the connection point 34 side and its cathode connected to the emitter side of the transistor 50.

【0016】このようなパルス電源装置では、図2
(a)における時刻t0を経過後であって、時刻t1に
なるまでの間では、入力端子19のパルス指令信号はL
レベルであり、トランジスタ35はオフとなっている。
また、駆動回路18からの制御電圧は、高レベルとなっ
ており、抵抗器16、15を介してスイッチング素子1
2のゲートに供給されているので、このスイッチング素
子12がオンとなり、負荷14に電流が供給されてい
る。
In such a pulse power supply device, as shown in FIG.
After the time t0 in (a) has passed and until the time t1, the pulse command signal at the input terminal 19 is L.
It is at the level, and the transistor 35 is off.
The control voltage from the drive circuit 18 is at a high level, and the switching element 1 is connected via the resistors 16 and 15.
Since it is supplied to the gate of No. 2, the switching element 12 is turned on and current is supplied to the load 14.

【0017】この電流は、電流検出器20によって検出
され、増幅器22で増幅され、誤差増幅器24に供給さ
れる。誤差増幅器24は、図2(d)に実線で示すよう
に増幅器22の出力と制御レベル設定器26からの制御
レベル設定信号との誤差を増幅し、この誤差増幅信号が
抵抗器28を介してトランジスタ30のベースに供給さ
れる。
This current is detected by the current detector 20, amplified by the amplifier 22, and supplied to the error amplifier 24. The error amplifier 24 amplifies the error between the output of the amplifier 22 and the control level setting signal from the control level setting device 26 as shown by the solid line in FIG. 2 (d), and this error amplification signal is passed through the resistor 28. It is supplied to the base of the transistor 30.

【0018】このとき、トランジスタ30のベース・エ
ミッタ間が順バイアスされ、トランジスタ30が誤差増
幅出力に応じた導電度で導通し、接続点34の電圧は誤
差増幅出力に応じた電圧、例えばスイッチング素子12
をリニア領域で動作させるために必要な電圧3乃至5V
に制御される。即ち、図3(a)に点線で示すように、
制御電圧はスイッチング素子12をリニア領域で動作さ
せるための電圧よりも高い電圧であるが、スイッチング
素子12のゲートに実際に印加される電圧は、実線で示
すように3乃至5Vに制御されており、この制御は、パ
ルス指令信号がLレベルにある間、負荷14に定電流が
流れるように、行われている。
At this time, the base and emitter of the transistor 30 are forward-biased, the transistor 30 conducts with a conductivity corresponding to the error amplification output, and the voltage at the connection point 34 corresponds to the error amplification output, for example, a switching element. 12
Voltage of 3 to 5V required to operate the device in the linear region
Controlled by. That is, as shown by the dotted line in FIG.
The control voltage is higher than the voltage for operating the switching element 12 in the linear region, but the voltage actually applied to the gate of the switching element 12 is controlled to 3 to 5 V as shown by the solid line. This control is performed so that a constant current flows through the load 14 while the pulse command signal is at the L level.

【0019】また、誤差増幅出力は、高電圧作成部36
に供給され、1.2乃至1.5倍とされる。この高電圧
作成部36の電圧は、コンデンサ42を充電すると共
に、バッファ48を介してトランジスタ50のベースに
供給される。このベース電圧は、誤差増幅出力を1.2
乃至1.5倍とした高電圧作成部36の出力を元に生成
されているので、接続点34の電圧よりも高く、トラン
ジスタ50はオフ状態となる。
The error amplified output is also output to the high voltage generation unit 36.
To 1.2 to 1.5 times. The voltage of the high voltage generator 36 charges the capacitor 42 and is supplied to the base of the transistor 50 via the buffer 48. This base voltage has an error amplification output of 1.2.
Since the voltage is generated based on the output of the high voltage generating unit 36 which is 1.5 to 1.5 times, the voltage is higher than the voltage at the connection point 34, and the transistor 50 is turned off.

【0020】次に、時刻t1において、パルス指令信号
がHレベルになると、駆動回路18の出力は0となり、
同時にトランジスタ35がオンとなり、スイッチング素
子12がオフとなる。これによって負荷14に流れる電
流は0となり、増幅器22には新たな信号は供給されな
いが、増幅器22は低域通過フィルタを内蔵しているの
で、出力が生じており、これが誤差増幅器24に供給さ
れ、誤差増幅器24も誤差出力を生じている。このと
き、駆動回路18の出力が0であるので、トランジスタ
30はオフであるが、高電圧作成部36は高電圧を作成
しており、これによってコンデンサ42は充電されてい
る。
Next, at time t1, when the pulse command signal becomes H level, the output of the drive circuit 18 becomes 0,
At the same time, the transistor 35 is turned on and the switching element 12 is turned off. As a result, the current flowing through the load 14 becomes zero, and no new signal is supplied to the amplifier 22, but since the amplifier 22 has a built-in low-pass filter, an output is generated and this is supplied to the error amplifier 24. The error amplifier 24 also produces an error output. At this time, since the output of the drive circuit 18 is 0, the transistor 30 is off, but the high-voltage creating unit 36 creates a high voltage, which causes the capacitor 42 to be charged.

【0021】次に、時刻t2において、パルス指令信号
がLレベルに立ち下がると共に、制御電圧が立ち上が
る。このとき、上述したのと同様にトランジスタ30が
オンし、接続点34の電圧をクランプしようとするが、
同時にパルス指令信号の立ち下がりに応じて、図2
(c)に示すように微分回路46が出力を発生し、トラ
ンジスタ44がオンとなる。これによってコンデンサ4
2は放電し、トランジスタ50のベース電圧が図2
(d)に一点鎖線で示すように低下する。
Next, at time t2, the pulse command signal falls to L level and the control voltage rises. At this time, the transistor 30 is turned on to clamp the voltage at the connection point 34 as described above.
At the same time, according to the fall of the pulse command signal,
As shown in (c), the differentiating circuit 46 produces an output and the transistor 44 is turned on. This makes the capacitor 4
2 is discharged and the base voltage of the transistor 50 is shown in FIG.
It decreases as indicated by the alternate long and short dash line in (d).

【0022】このとき、接続点34には駆動回路18か
ら制御電圧が印加されているので、トランジスタ50の
エミッタ・ベース間電圧が順方向となり、トランジスタ
50が導通し、接続点34の電圧は、ダイオード52の
順方向電圧とトランジスタ50のエミッタ・コレクタ電
圧とを加算した値にクランプされる。
At this time, since the control voltage is applied from the drive circuit 18 to the connection point 34, the emitter-base voltage of the transistor 50 becomes a forward direction, the transistor 50 becomes conductive, and the voltage of the connection point 34 becomes It is clamped to a value obtained by adding the forward voltage of the diode 52 and the emitter-collector voltage of the transistor 50.

【0023】微分回路46の出力が消失すると、コンデ
ンサ42は再び高電圧作成部36の高電圧によって充電
が開始され、トランジスタ50のベース電圧も、この充
電に連れて増大していく。これに従って、接続点34の
電圧も増加していく。従って、スイッチング素子12の
ゲートに印加される電圧は、ダイオード52の順方向電
圧とトランジスタ50のエミッタ・コレクタ電圧とを加
算した値から徐々に増加していく。なお、充電時定数
(コンデンサ42と抵抗器38の値によって決まる。)
は、制御電圧の立ち上がり時間とほぼ等しい時間に選択
されており、例えば制御電圧の立ち上がりが10μSと
すると、充電時定数も10μSに選択されている。
When the output of the differentiating circuit 46 disappears, the capacitor 42 is charged again by the high voltage of the high voltage generating section 36, and the base voltage of the transistor 50 also increases with this charging. Accordingly, the voltage at the connection point 34 also increases. Therefore, the voltage applied to the gate of the switching element 12 gradually increases from the value obtained by adding the forward voltage of the diode 52 and the emitter-collector voltage of the transistor 50. The charging time constant (determined by the values of the capacitor 42 and the resistor 38)
Is selected to be substantially equal to the rising time of the control voltage. For example, if the rising of the control voltage is 10 μS, the charging time constant is also selected to be 10 μS.

【0024】このようにしてスイッチング素子12のゲ
ートに電圧が印加されると、図3(a)、(b)の比較
から明らかなように、スイッチング素子12に電圧が印
加された時刻t2から、スイッチング素子12のゲート
入力容量を充電して、ゲート電圧がしきい値電圧を超え
るのに要する時間が経過した時刻t21において、スイ
ッチング素子12がオンしてスイッチング素子12から
負荷14に電流が流れる。
When the voltage is applied to the gate of the switching element 12 in this manner, as is apparent from the comparison between FIGS. 3A and 3B, from time t2 when the voltage is applied to the switching element 12, At time t21 when the gate input capacitance of the switching element 12 is charged and the time required for the gate voltage to exceed the threshold voltage elapses, the switching element 12 turns on and current flows from the switching element 12 to the load 14.

【0025】やがて、トランジスタ50のベース電圧が
接続点34の電圧以上の値となり、トランジスタ50が
オフとなる。これ以後には、上述したのと同様に、トラ
ンジスタ30、ダイオード32、誤差増幅器24等によ
って接続点34の電圧が制御される。
Eventually, the base voltage of the transistor 50 becomes equal to or higher than the voltage at the connection point 34, and the transistor 50 is turned off. After that, the voltage at the connection point 34 is controlled by the transistor 30, the diode 32, the error amplifier 24, and the like, as described above.

【0026】もし、トランジスタ30、ダイオード3
2、誤差増幅器24等だけによって、駆動回路18から
スイッチング素子12をリニア領域で動作させるのに必
要な電圧よりも高い制御電圧を制御するようにしている
と、制御電圧が立ち上がったとき、スイッチング素子1
2に供給される電圧がオーバーシュートし、安定状態に
なるまで時間がかかるが、この実施例では、高電圧作成
部36、抵抗器38、40、トランジスタ44、50、
コンデンサ42、ダイオード52、微分回路46等を設
けたことにより、スイッチング素子12のゲート電圧が
オーバーシュートすることはない。
If the transistor 30 and the diode 3
2. When the control voltage higher than the voltage required to operate the switching element 12 in the linear region is controlled by the drive circuit 18 only by the error amplifier 24 and the like, when the control voltage rises, the switching element 1
Although it takes time for the voltage supplied to 2 to overshoot and reach a stable state, in this embodiment, the high voltage generating unit 36, the resistors 38 and 40, the transistors 44 and 50,
By providing the capacitor 42, the diode 52, the differentiating circuit 46, etc., the gate voltage of the switching element 12 does not overshoot.

【0027】上記の実施例では、バッファ48を設けた
が、場合によっては不要である。また、トランジスタ3
0、50にはPNPトランジスタを用いたが、NPNト
ランジスタを使用することもできる。また、上記の実施
例では、負荷14の電流を検出して、これに応じてスイ
ッチング素子12を制御したが、負荷14の電圧を検出
し、これに応じてスイッチング素子12を制御してもよ
い。
Although the buffer 48 is provided in the above embodiment, it is unnecessary in some cases. Also, the transistor 3
Although PNP transistors are used for 0 and 50, NPN transistors can also be used. Further, in the above embodiment, the current of the load 14 is detected and the switching element 12 is controlled accordingly, but the voltage of the load 14 may be detected and the switching element 12 may be controlled accordingly. .

【0028】[0028]

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、制御電
圧の立ち上がりを検出し、制御電圧の立ち上がり時点で
はゲート電圧を低電圧にクランプし、その後に徐々にゲ
ート電圧を上昇させるように構成しているので、立ち上
がりの速い制御電圧を使用しても、ゲート電圧がオーバ
ーシュートすることがなく、立ち上がりが速くかつ安定
したゲート電圧をスイッチング素子のゲートに印加する
ことができる。
As described above, according to the present invention, the rise of the control voltage is detected, the gate voltage is clamped to the low voltage at the time of the rise of the control voltage, and then the gate voltage is gradually increased. Since it is configured, even if a control voltage with a fast rise is used, the gate voltage does not overshoot, and a fast and stable gate voltage can be applied to the gate of the switching element.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明によるパルス電源装置の1実施例のブロ
ック図である。
FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of a pulse power supply device according to the present invention.

【図2】同実施例の各部の波形図である。FIG. 2 is a waveform chart of each part of the embodiment.

【図3】同実施例のスイッチング素子のゲート電圧と出
力電流との関係を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a relationship between a gate voltage and an output current of the switching element of the same example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 直流電源 12 スイッチング素子 14 負荷 18 駆動回路(制御電圧発生手段) 20 電流検出器(第1の検出手段) 24 誤差増幅器(第1の制御手段) 30 トランジスタ(第1の制御手段) 32 ダイオード(第1の制御手段) 36 高電圧作成部(第2の制御手段) 40 抵抗器(第2の制御手段) 42 コンデンサ(第2の制御手段) 44 トランジスタ(第2の制御手段) 50 トランジスタ(第2の制御手段) 52 ダイオード(第2の制御手段) 10 DC Power Supply 12 Switching Element 14 Load 18 Drive Circuit (Control Voltage Generating Means) 20 Current Detector (First Detection Means) 24 Error Amplifier (First Control Means) 30 Transistor (First Control Means) 32 Diode ( 1st control means) 36 high voltage creation part (2nd control means) 40 resistor (2nd control means) 42 capacitor (2nd control means) 44 transistor (2nd control means) 50 transistor (1st control means) 2 control means) 52 diode (second control means)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 直流電源と、この直流電源に直列に接続
され負荷に電力を供給する絶縁入力型のスイッチング素
子と、上記スイッチング素子をリニア領域で動作させる
のに必要な電圧よりも高い制御電圧を一定周期ごとに発
生する制御電圧発生手段と、上記負荷の電流または電圧
を検出する第1の検出手段と、この第1の検出手段の検
出信号と設定値とに応じて上記スイッチング素子に上記
制御電圧発生手段から供給される制御電圧の値を制御す
る第1の制御手段と、上記制御電圧の発生開始を検出す
る第2の検出手段と、上記制御電圧の発生開始時点で第
2の検出手段からの検出信号に応じて上記制御電圧を低
電圧にクランプしその後に増加させて上記スイッチング
素子に供給する第2の制御手段とを、具備するパルス電
源装置。
1. A DC power supply, an insulating input type switching element connected in series to the DC power supply to supply power to a load, and a control voltage higher than a voltage required to operate the switching element in a linear region. Of the control voltage generating means for generating a constant voltage, a first detecting means for detecting a current or a voltage of the load, and a switching signal for the switching element according to a detection signal and a set value of the first detecting means. First control means for controlling the value of the control voltage supplied from the control voltage generation means, second detection means for detecting the start of generation of the control voltage, and second detection at the start of generation of the control voltage. A second control means for clamping the control voltage to a low voltage in accordance with a detection signal from the means, increasing the control voltage thereafter, and supplying the voltage to the switching element.
JP4213357A 1992-07-17 1992-07-17 Pulse power supply Expired - Fee Related JP2849885B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4213357A JP2849885B2 (en) 1992-07-17 1992-07-17 Pulse power supply

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4213357A JP2849885B2 (en) 1992-07-17 1992-07-17 Pulse power supply

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0635552A true JPH0635552A (en) 1994-02-10
JP2849885B2 JP2849885B2 (en) 1999-01-27

Family

ID=16637839

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4213357A Expired - Fee Related JP2849885B2 (en) 1992-07-17 1992-07-17 Pulse power supply

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2849885B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101321428B1 (en) * 2011-10-18 2013-10-28 한국전기연구원 Protection circuit for pulse power generator and protection method thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101321428B1 (en) * 2011-10-18 2013-10-28 한국전기연구원 Protection circuit for pulse power generator and protection method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP2849885B2 (en) 1999-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR0171713B1 (en) Overcurrent protection circuit of a power semiconductor transistor
JPH0642179B2 (en) Power transistor drive circuit with improved short-circuit protection function
JP3268365B2 (en) Means and method for optimizing switching performance of power amplifier
JPS5989573A (en) Electronic switch unit
JPS6145896B2 (en)
JPH0635552A (en) Pulse power unit
US6433497B1 (en) Drive circuit of a three phase BLDC motor
KR19990006822A (en) Controller of charge generator
JP2004280452A (en) Current control circuit
JP2621453B2 (en) Inductive load current controller
JPS62201091A (en) Current detector of dc motor
JPH0833314A (en) Load driver
JP2520765B2 (en) Drive circuit
JP3433343B2 (en) Power control circuit
JP2995919B2 (en) Motor speed control device
JP2993104B2 (en) Peak detection circuit
JPH0343833Y2 (en)
JPH07154965A (en) Pwm control circuit
KR900001888Y1 (en) Base driving circuit for main switching
KR930001680Y1 (en) Power circuit
JP3036120B2 (en) Switching element drive circuit
JPS6241594Y2 (en)
JPH043130B2 (en)
JPS62199115A (en) Load drive circuit
JP2001144596A (en) Method for controlling pwm control circuit provided with power mosfet

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19980929

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees