JPH0635466Y2 - 真空蒸着装置 - Google Patents
真空蒸着装置Info
- Publication number
- JPH0635466Y2 JPH0635466Y2 JP1988035093U JP3509388U JPH0635466Y2 JP H0635466 Y2 JPH0635466 Y2 JP H0635466Y2 JP 1988035093 U JP1988035093 U JP 1988035093U JP 3509388 U JP3509388 U JP 3509388U JP H0635466 Y2 JPH0635466 Y2 JP H0635466Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- planetary
- vapor deposition
- semiconductor wafer
- shape
- deposition apparatus
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本考案は、半導体ウェハに金属膜を形成する場合に使用
される真空蒸着装置に関する。
される真空蒸着装置に関する。
〈従来の技術〉 半導体装置の製造プロセスにおいては、半導体ウェハ上
に配線用や裏面電極用の金属膜を形成するため真空蒸着
装置が使用される。この真空蒸着装置は、金属膜を均一
に形成するために、従来、第３図に示すように、ドーム
状の蒸着室ａ内に椀形状をしたプラネタリｂを蒸発源ｃ
から均等距離にそれぞれ配置し、これらの各プラネタリ
ｂの周方向に沿って多数の半導体ウェハを取り付け、各
プラネタリｂが自転しつつ、全体で一定周期で公転する
ように構成されている。
に配線用や裏面電極用の金属膜を形成するため真空蒸着
装置が使用される。この真空蒸着装置は、金属膜を均一
に形成するために、従来、第３図に示すように、ドーム
状の蒸着室ａ内に椀形状をしたプラネタリｂを蒸発源ｃ
から均等距離にそれぞれ配置し、これらの各プラネタリ
ｂの周方向に沿って多数の半導体ウェハを取り付け、各
プラネタリｂが自転しつつ、全体で一定周期で公転する
ように構成されている。
〈考案が解決しようとする課題〉 ところで、プラネタリｂが椀形状のものであると、この
ような曲面に沿って半導体ウェハを取り付ける必要があ
るため、半導体ウェハの取り付けが不便で作業の自動化
が困難である。
ような曲面に沿って半導体ウェハを取り付ける必要があ
るため、半導体ウェハの取り付けが不便で作業の自動化
が困難である。
本考案は、このような事情に鑑みてなされたものであっ
て、真空蒸着時の半導体ウェハのプラネタリへの取り付
けを容易にして自動化が図れるようにすることを目的と
する。
て、真空蒸着時の半導体ウェハのプラネタリへの取り付
けを容易にして自動化が図れるようにすることを目的と
する。
〈課題を解決するための手段〉 本考案は、上記の目的を達成するために、ドーム状の蒸
着室内に半導体ウェハを保持するプラネタリが配置され
た真空蒸着装置において、次の構成を採る。
着室内に半導体ウェハを保持するプラネタリが配置され
た真空蒸着装置において、次の構成を採る。
すなわち、本考案では、プラネタリは各半導体ウェハが
個別に取り付けられるホルダ部とこのホルダ部が固定さ
れる基台部とからなり、基台部は蒸着時の温度上昇に伴
って、平板状から椀形状に形状変化するように予め形状
記憶されている形状記憶合金製で、かつ、径方向に沿う
切り込み部が形成されている構成とした。
個別に取り付けられるホルダ部とこのホルダ部が固定さ
れる基台部とからなり、基台部は蒸着時の温度上昇に伴
って、平板状から椀形状に形状変化するように予め形状
記憶されている形状記憶合金製で、かつ、径方向に沿う
切り込み部が形成されている構成とした。
〈作用〉 上記構成によれば、プラネタリを予め椀形状として記憶
させておき、プラネタリに半導体ウェハを取り付ける際
には、プラネタリを平板状に成型する。そして、半導体
ウェハを取り付け後、蒸着室にプラネタリを固定する
と、プラネタリは昇温により予め形状記憶されている椀
形状に復元する。
させておき、プラネタリに半導体ウェハを取り付ける際
には、プラネタリを平板状に成型する。そして、半導体
ウェハを取り付け後、蒸着室にプラネタリを固定する
と、プラネタリは昇温により予め形状記憶されている椀
形状に復元する。
〈実施例〉 第１図は真空蒸着装置のプラネタリの平面図、第２図は
第１図のII−II線に沿う断面図である。これらの図にお
いて、符号１は真空蒸着装置に設けられるプラネタリで
あり、このプラネタリ１は、各半導体ウェハＷが個別に
取り付けられるホルダ部２とこのホルダ部２が固定され
る基台部４とからなる。
第１図のII−II線に沿う断面図である。これらの図にお
いて、符号１は真空蒸着装置に設けられるプラネタリで
あり、このプラネタリ１は、各半導体ウェハＷが個別に
取り付けられるホルダ部２とこのホルダ部２が固定され
る基台部４とからなる。
基台部４は、Ti−Ni、Cu−Zn−Al、Cu−Al−Ni等の形状
記憶合金でできており、その周方向に沿って等間隔にホ
ルダ部２が配置され、また、各ホルダ部２の間には径方
向に沿う切り込み部６が放射状にそれぞれ形成されてい
る。そして、基台部４は真空蒸着状態において平板状か
ら椀形状に復元するように予め形状記憶されている。
記憶合金でできており、その周方向に沿って等間隔にホ
ルダ部２が配置され、また、各ホルダ部２の間には径方
向に沿う切り込み部６が放射状にそれぞれ形成されてい
る。そして、基台部４は真空蒸着状態において平板状か
ら椀形状に復元するように予め形状記憶されている。
上記構成において、プラネタリ１のホルダ部２に半導体
ウェハＷを取り付ける際には、プラネタリ１を冷却装置
付きのプラネタリ置台８に設置して冷却する。そして、
基台部４を構成する形状記憶合金がマルテンサイト組織
の状態のままでプラネタリ１に図外の成型装置によって
外力を加えて椀形状から平板状に成型する。プラネタリ
１の基台部４が平板状になっていると、半導体ウェハＷ
をホルダ部２に対して容易に装着することができる。
ウェハＷを取り付ける際には、プラネタリ１を冷却装置
付きのプラネタリ置台８に設置して冷却する。そして、
基台部４を構成する形状記憶合金がマルテンサイト組織
の状態のままでプラネタリ１に図外の成型装置によって
外力を加えて椀形状から平板状に成型する。プラネタリ
１の基台部４が平板状になっていると、半導体ウェハＷ
をホルダ部２に対して容易に装着することができる。
次に、半導体ウェハＷをホルダ部２に取り付けると、プ
ラネタリ１を蒸着室に固定する。そして、プラネタリ１
が昇温されると、形状記憶合金は、第２図の二点鎖線に
示すように、マルテンサイト組織が逆変態を起こして予
め形状記憶されている椀形状に復元する。その際、基台
部４には予め切り込み部６が設けられているので、変形
の障害とならない。プラネタリ１が椀形状に変形する
と、プラネタリ１に保持された半導体ウェハＷは、蒸発
源から均等距離に配置されることになるので、半導体ウ
ェハＷに金属膜が均一に形成される。
ラネタリ１を蒸着室に固定する。そして、プラネタリ１
が昇温されると、形状記憶合金は、第２図の二点鎖線に
示すように、マルテンサイト組織が逆変態を起こして予
め形状記憶されている椀形状に復元する。その際、基台
部４には予め切り込み部６が設けられているので、変形
の障害とならない。プラネタリ１が椀形状に変形する
と、プラネタリ１に保持された半導体ウェハＷは、蒸発
源から均等距離に配置されることになるので、半導体ウ
ェハＷに金属膜が均一に形成される。
〈考案の効果〉 本考案によれば、真空蒸着工程において、半導体ウェハ
の取り付けの際にプラネタリを平板状にしても、蒸着時
には椀形状に自然に復元するので、半導体ウェハのプラ
ネタリへの取り付けが容易になって自動化が図れるとと
もに、半導体ウェハ上に金属膜を均一に蒸着することが
できる。
の取り付けの際にプラネタリを平板状にしても、蒸着時
には椀形状に自然に復元するので、半導体ウェハのプラ
ネタリへの取り付けが容易になって自動化が図れるとと
もに、半導体ウェハ上に金属膜を均一に蒸着することが
できる。
第１図および第２図は本考案の実施例を、第３図は従来
例をそれぞれ示し、第１図は真空蒸着装置のプラネタリ
の平面図、第２図は第１図のII−II線に沿う断面図、第
３図は真空蒸着装置の全体構成図である。 １…真空蒸着装置、２…ホルダ部、４…基台部、Ｗ…半
導体ウェハ。
例をそれぞれ示し、第１図は真空蒸着装置のプラネタリ
の平面図、第２図は第１図のII−II線に沿う断面図、第
３図は真空蒸着装置の全体構成図である。 １…真空蒸着装置、２…ホルダ部、４…基台部、Ｗ…半
導体ウェハ。
Claims (1)
- 【請求項１】ドーム状の蒸着室内に、半導体ウェハを保
持するプラネタリが配置された真空蒸着装置において、 前記プラネタリは、各半導体ウェハが個別に取り付けら
れるホルダ部とこのホルダ部が固定される基台部とから
なり、前記基台部は蒸着時の温度上昇に伴って、平板状
から椀形状に形状変化するように予め形状記憶されてい
る形状記憶合金製で、かつ、径方向に沿う切り込み部が
形成されていることを特徴とする真空蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988035093U JPH0635466Y2 (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 真空蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988035093U JPH0635466Y2 (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 真空蒸着装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01137527U JPH01137527U (ja) | 1989-09-20 |
| JPH0635466Y2 true JPH0635466Y2 (ja) | 1994-09-14 |
Family
ID=31261750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988035093U Expired - Lifetime JPH0635466Y2 (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 真空蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0635466Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3966869B2 (ja) * | 2004-05-11 | 2007-08-29 | 株式会社昭和真空 | 基板ドーム |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60224777A (ja) * | 1984-04-23 | 1985-11-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 真空容器用治具 |
-
1988
- 1988-03-15 JP JP1988035093U patent/JPH0635466Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01137527U (ja) | 1989-09-20 |
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