JPH06347414A - 異物検査装置および異物検査方法 - Google Patents
異物検査装置および異物検査方法Info
- Publication number
- JPH06347414A JPH06347414A JP13706493A JP13706493A JPH06347414A JP H06347414 A JPH06347414 A JP H06347414A JP 13706493 A JP13706493 A JP 13706493A JP 13706493 A JP13706493 A JP 13706493A JP H06347414 A JPH06347414 A JP H06347414A
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- Japan
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- mask
- foreign matter
- laser beam
- optical system
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Abstract
(57)【要約】
【目的】レーザ光を用いてマスク上の異物を検査する際
の検査時間を短縮する。 【構成】レーザ光１を集光してマスク２上にスポットを
形成させる集光光学系５において、レーザ光１の焦点位
置４を移動できる機構を設けパターンの微細度もしくは
検査すべき異物の微細度に応じてレーザ光の系を変更す
る。
の検査時間を短縮する。 【構成】レーザ光１を集光してマスク２上にスポットを
形成させる集光光学系５において、レーザ光１の焦点位
置４を移動できる機構を設けパターンの微細度もしくは
検査すべき異物の微細度に応じてレーザ光の系を変更す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は異物検査装置および異物
検査方法に係わり、特にレーザ光を用いた異物検査装置
および異物検査方法に関する。
検査方法に係わり、特にレーザ光を用いた異物検査装置
および異物検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体の製造に用いる、マスク
（以降レチクルを含めマスクと記す）の異物検査は、図
４に示すようにステージ３上のマスク２の面３４上にレ
ーザ光１を焦光光学系５を通して焦点位置４を合わせて
照射し、異物によって散乱したレーザ光１を受光系７に
よって検出する方法によって行なわれている。実際の動
作としては、レーザ光１をスキャナミラー６の回転３２
によって図４（Ｂ）に示す方向に走査し、これと同期さ
せてステージ３を図３のように移動させている。
（以降レチクルを含めマスクと記す）の異物検査は、図
４に示すようにステージ３上のマスク２の面３４上にレ
ーザ光１を焦光光学系５を通して焦点位置４を合わせて
照射し、異物によって散乱したレーザ光１を受光系７に
よって検出する方法によって行なわれている。実際の動
作としては、レーザ光１をスキャナミラー６の回転３２
によって図４（Ｂ）に示す方向に走査し、これと同期さ
せてステージ３を図３のように移動させている。
【０００３】多くの場合、異物検査装置は、縮小投影露
光装置やマスク洗浄装置などに搭載されて用いられるの
で、これらの装置の稼働率を上げるために、異物検査に
要する時間をより短くすることが求められている。例え
ば、縮小投影露光装置の異物検査時間を短縮する方法の
一例として、複数の異物検査手段を備えるというもの
（特開昭６１−２５８４２６号公報）がある。この縮小
投影露光装置は、図５に示すようなものであり、複数の
マスク走査保持板８ａ、８ｂと、複数の異物検査手段９
ａ、９ｂと、複数のマスクを投影するための照明系１０
ａ、１０ｂと、所望する一つの照明光学系を選択しマス
クのパターンを縮小レンズに導く照明光学系選択手段１
１と、パターンを転写する半導体ウエハ１９を載置する
一個のＸＹステージ１２とを備えたものであり、マスク
表面検査と投影露光操作とを並行して行うことができる
ため、異物検査による待ち時間が短縮され、縮小露光装
置の稼働率が改善されるというものである。
光装置やマスク洗浄装置などに搭載されて用いられるの
で、これらの装置の稼働率を上げるために、異物検査に
要する時間をより短くすることが求められている。例え
ば、縮小投影露光装置の異物検査時間を短縮する方法の
一例として、複数の異物検査手段を備えるというもの
（特開昭６１−２５８４２６号公報）がある。この縮小
投影露光装置は、図５に示すようなものであり、複数の
マスク走査保持板８ａ、８ｂと、複数の異物検査手段９
ａ、９ｂと、複数のマスクを投影するための照明系１０
ａ、１０ｂと、所望する一つの照明光学系を選択しマス
クのパターンを縮小レンズに導く照明光学系選択手段１
１と、パターンを転写する半導体ウエハ１９を載置する
一個のＸＹステージ１２とを備えたものであり、マスク
表面検査と投影露光操作とを並行して行うことができる
ため、異物検査による待ち時間が短縮され、縮小露光装
置の稼働率が改善されるというものである。
【０００４】この従来の縮小投影露光装置において、走
査保持板８ａ、８ｂ、異物検査手段９ａ、９ｂおよび照
明光学系１０ａ、１０ｂをそれぞれ２組備えた例の動作
について図５を用いて説明する。まず、マスク２ａを走
査保持板にセットし、異物検査手段９ａを用いてマスク
２ａの表面の異物を検査する。マスク２ａ表面で散乱し
たレーザ光１は散乱光検出部１１により検出され、マス
ク２ａ表面の異物の有無は自動的に判定される。こうし
て、マスク２ａ上に異物が無いと判断されたマスク２ａ
には照明光学系１０ａからの光によりそのパターンが投
影される。この時、同時に照明光学系選択手段１３はこ
の投影光１４を縮小レンズ１５に導くように作動する。
すなわち、可動遮光板１６ａが上方向にそして可動反射
板１７が右方向に移動し、反射板１８ａにより反射され
たパターンと投影光１４を縮小レンズ１５に導き、半導
体ウエハ１９上に縮小パターンが露光される。
査保持板８ａ、８ｂ、異物検査手段９ａ、９ｂおよび照
明光学系１０ａ、１０ｂをそれぞれ２組備えた例の動作
について図５を用いて説明する。まず、マスク２ａを走
査保持板にセットし、異物検査手段９ａを用いてマスク
２ａの表面の異物を検査する。マスク２ａ表面で散乱し
たレーザ光１は散乱光検出部１１により検出され、マス
ク２ａ表面の異物の有無は自動的に判定される。こうし
て、マスク２ａ上に異物が無いと判断されたマスク２ａ
には照明光学系１０ａからの光によりそのパターンが投
影される。この時、同時に照明光学系選択手段１３はこ
の投影光１４を縮小レンズ１５に導くように作動する。
すなわち、可動遮光板１６ａが上方向にそして可動反射
板１７が右方向に移動し、反射板１８ａにより反射され
たパターンと投影光１４を縮小レンズ１５に導き、半導
体ウエハ１９上に縮小パターンが露光される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上の従来の異物検査
装置および異物検査方法は、マスク上のどの様なパター
ンに対しても最も微細なパターンに対応した一定のレー
ザビーム径で検査を行っていたため、検査時間がかかり
過ぎていた。
装置および異物検査方法は、マスク上のどの様なパター
ンに対しても最も微細なパターンに対応した一定のレー
ザビーム径で検査を行っていたため、検査時間がかかり
過ぎていた。
【０００６】また、縮小投影露光装置いおいて複数の検
査手段を設けることで検査時間の短縮を計った例は、マ
スク上異物検査を露光動作と並列して行えるようにして
効率を向上させるものであり、異物検査自体の時間短縮
を計るものではない。さらに、高精度な制御を必要とす
るマスクの位置合わせ機構が複数必要になり、可動反射
板が、縮小投影露光装置の結像性能を左右する位置に設
置されるため、高精度な可動機構および位置制御機構が
必要である。このように、この従来技術には、精密制御
を必要とする機構が増加することにより縮小投影露光装
置自体がより複雑になり大型化するという問題がある。
査手段を設けることで検査時間の短縮を計った例は、マ
スク上異物検査を露光動作と並列して行えるようにして
効率を向上させるものであり、異物検査自体の時間短縮
を計るものではない。さらに、高精度な制御を必要とす
るマスクの位置合わせ機構が複数必要になり、可動反射
板が、縮小投影露光装置の結像性能を左右する位置に設
置されるため、高精度な可動機構および位置制御機構が
必要である。このように、この従来技術には、精密制御
を必要とする機構が増加することにより縮小投影露光装
置自体がより複雑になり大型化するという問題がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、ステー
ジに搭載された被検査体の表面、好ましくは半導体装置
の製造に用いるマスクの表面に焦光光学系を通したレー
ザ光を照射して該表面上に異物を検査する装置におい
て、前記レーザ光の径を可変する手段を有する異物検査
装置にある。
ジに搭載された被検査体の表面、好ましくは半導体装置
の製造に用いるマスクの表面に焦光光学系を通したレー
ザ光を照射して該表面上に異物を検査する装置におい
て、前記レーザ光の径を可変する手段を有する異物検査
装置にある。
【０００８】本発明の他の特徴は、ステージに搭載され
たマスクの表面に焦光光学系を通したレーザ光を照射し
て該表面上の異物を検査する方法において、前記マスク
に形成されてあるパターンの微細度もしくは検査する異
物の微細度に応じて前記レーザ光の径を変更して照射す
る異物検査方法にある。ここで、前記レーザ光をその焦
点位置からずらして前記マスクの表面に照射することに
より、前記レーザ光の焦点位置における径すなわちレー
ザビーム径がもっとも小となる径より前記マスクの表面
上の径を大きくすることができる。
たマスクの表面に焦光光学系を通したレーザ光を照射し
て該表面上の異物を検査する方法において、前記マスク
に形成されてあるパターンの微細度もしくは検査する異
物の微細度に応じて前記レーザ光の径を変更して照射す
る異物検査方法にある。ここで、前記レーザ光をその焦
点位置からずらして前記マスクの表面に照射することに
より、前記レーザ光の焦点位置における径すなわちレー
ザビーム径がもっとも小となる径より前記マスクの表面
上の径を大きくすることができる。
【０００９】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１０】図１（Ａ）は本発明の第１の実施例のレイ
アウト図である。本実施例では一例として波長が４８８
ｎｍのＡｒ+ レーザ光１を用いる。検査を行うマスク２
の表面３４に微細なパターンが形成されている。あるい
は高感度でより微細な異物を検出する必要がある場合、
まずマスク２は水平方向に可動機構を備えたステージ３
上にセットされ、レーザ光１の焦点βは、焦点位置４
を、焦光レンズ２５を矢印３１方向に移動することによ
り可変する機構を備えた焦光光学系５により、マスク２
の検査表面位置になるように合わせられる。
アウト図である。本実施例では一例として波長が４８８
ｎｍのＡｒ+ レーザ光１を用いる。検査を行うマスク２
の表面３４に微細なパターンが形成されている。あるい
は高感度でより微細な異物を検出する必要がある場合、
まずマスク２は水平方向に可動機構を備えたステージ３
上にセットされ、レーザ光１の焦点βは、焦点位置４
を、焦光レンズ２５を矢印３１方向に移動することによ
り可変する機構を備えた焦光光学系５により、マスク２
の検査表面位置になるように合わせられる。
【００１１】次にレーザ光１は図１（Ｂ）に示すように
スキャナミラー６が矢印３２のように角度を変えること
によりマスク２上に図に示す方向に走査され、同時にス
テージ３は図に示す方向にレーザの動きに同期して移動
し、レーザ光１はマスク２上をくまなく走査される。ま
た、マスク２上の異物あるいはパターンからの散乱光あ
るいは解析光は受光系７によって検知される。
スキャナミラー６が矢印３２のように角度を変えること
によりマスク２上に図に示す方向に走査され、同時にス
テージ３は図に示す方向にレーザの動きに同期して移動
し、レーザ光１はマスク２上をくまなく走査される。ま
た、マスク２上の異物あるいはパターンからの散乱光あ
るいは解析光は受光系７によって検知される。
【００１２】次に、検査するマスクが微細なパターンを
有さない、あるいは微細な異物を検出する必要がない場
合は、レーザ光１の焦点は、焦点位置４を可変する機構
を備えた焦光光学系５によって、マスク２表面から上方
の離れた位置（α）あるいは下方の離れた（γ）に合わ
せられ、同様に検査が行われる。
有さない、あるいは微細な異物を検出する必要がない場
合は、レーザ光１の焦点は、焦点位置４を可変する機構
を備えた焦光光学系５によって、マスク２表面から上方
の離れた位置（α）あるいは下方の離れた（γ）に合わ
せられ、同様に検査が行われる。
【００１３】このときのレーザスポットの大きさは、レ
ーザ光の焦点をマスク２の表面３４の位置に合わせた時
よりも大きくなるため、マスクステージ３の移動速度を
上げることができ検査に有する時間は短縮される。例え
ば、レーザスポットの大きさを２倍にすることにより検
査時間を２分の１に短縮することができる。
ーザ光の焦点をマスク２の表面３４の位置に合わせた時
よりも大きくなるため、マスクステージ３の移動速度を
上げることができ検査に有する時間は短縮される。例え
ば、レーザスポットの大きさを２倍にすることにより検
査時間を２分の１に短縮することができる。
【００１４】図２に第１の実施例の焦光光学系５の斜視
図（Ａ）、および一部断面図（Ｂ）を示す。支持板２６
に支軸３７が貫通しそこにスキャナミラー６が取り付け
られ、軸３１に結合する振動モータ系３０により角度を
矢印３２で示すように、一定範囲振動的に変化させてレ
ーザ光をマスク２上にスキャン（走査）する。一方、支
持板２６にスライダー溝２７が形成され、溝２７内にモ
ータ系２９に結合したボールネジ２８が載置され、この
ボールネジ２８に集光レンズ２５を固定した支持台３３
が結合されて、集光レンズのリニアスタイダー機溝を構
成している。そしてモータ系２９の動作により集光レン
ズ２５を軸方向３１に移動させて、焦点位置４をαの位
置やβの位置に移動させる。
図（Ａ）、および一部断面図（Ｂ）を示す。支持板２６
に支軸３７が貫通しそこにスキャナミラー６が取り付け
られ、軸３１に結合する振動モータ系３０により角度を
矢印３２で示すように、一定範囲振動的に変化させてレ
ーザ光をマスク２上にスキャン（走査）する。一方、支
持板２６にスライダー溝２７が形成され、溝２７内にモ
ータ系２９に結合したボールネジ２８が載置され、この
ボールネジ２８に集光レンズ２５を固定した支持台３３
が結合されて、集光レンズのリニアスタイダー機溝を構
成している。そしてモータ系２９の動作により集光レン
ズ２５を軸方向３１に移動させて、焦点位置４をαの位
置やβの位置に移動させる。
【００１５】また、本実施例はマスク２の片方の面を検
査する場合についてのみ示したが他方の面についても同
様にして走査を行うことができる。
査する場合についてのみ示したが他方の面についても同
様にして走査を行うことができる。
【００１６】なお、マスクの異物検査においては、マス
ク上におよそ０．１ミクロン厚のマスクパターンが存在
するため、これらから発生する散乱光と異物からの散乱
光を区別する必要がある。より微細なパターンと微細で
ないパターンとを比較すると、これらから発生する散乱
光は、レーザスポットの大きさが同一ならば、より微細
なパターンの場合のほうが多くなり、異物からの散乱光
と区別する作業がより困難になる。これは、微細でない
パターンのマスクを検査する場合は、レーザスポットの
大きさを、微細なパターンのマスクを検査する場合より
も大きく設定できるということであり、このような理由
から本発明の異物検査装置の効果が得られる。
ク上におよそ０．１ミクロン厚のマスクパターンが存在
するため、これらから発生する散乱光と異物からの散乱
光を区別する必要がある。より微細なパターンと微細で
ないパターンとを比較すると、これらから発生する散乱
光は、レーザスポットの大きさが同一ならば、より微細
なパターンの場合のほうが多くなり、異物からの散乱光
と区別する作業がより困難になる。これは、微細でない
パターンのマスクを検査する場合は、レーザスポットの
大きさを、微細なパターンのマスクを検査する場合より
も大きく設定できるということであり、このような理由
から本発明の異物検査装置の効果が得られる。
【００１７】さらに、レーザスポットの大きさを変化さ
せるとマスク表面上での照度が変化するが、より微細な
パターンと微細でないパターンを同じ感度で検査する必
要がある場合は、予め感度変化が認められない範囲でレ
ーザスポットの大きさを変化させれば良い。また、より
微細な異物まで検出する必要のないマスクであれば、最
低限に検出が必要な大きさの異物を検出できる感度にな
るまで、レーザスポットの大きく変化させることで検査
時間を短縮できる。
せるとマスク表面上での照度が変化するが、より微細な
パターンと微細でないパターンを同じ感度で検査する必
要がある場合は、予め感度変化が認められない範囲でレ
ーザスポットの大きさを変化させれば良い。また、より
微細な異物まで検出する必要のないマスクであれば、最
低限に検出が必要な大きさの異物を検出できる感度にな
るまで、レーザスポットの大きく変化させることで検査
時間を短縮できる。
【００１８】次に、本発明の第２の実施例について図面
を参照して説明する。図３は本発明の第２の実施例のレ
イアウト図である。
を参照して説明する。図３は本発明の第２の実施例のレ
イアウト図である。
【００１９】まずマスク２はマスク平面３４に対し水平
方向および垂直方向に移動できる機構、例えば、モー
タ、ギヤ等を含む駆動装置３６と上下移動の支柱３５を
有する機構を備えたステージ３上にセットされる。次
に、検査を行うマスクが微細なパターンを有する、ある
いは高感度でより微細な異物を検出する必要がある場
合、マスクステージ３はレーザ光１の焦点がマスク２の
マスク表面３４に合う垂直方向の位置に合わせられる。
以降は第１の実施例と同様にしてレーザ走査が行われ
る。
方向および垂直方向に移動できる機構、例えば、モー
タ、ギヤ等を含む駆動装置３６と上下移動の支柱３５を
有する機構を備えたステージ３上にセットされる。次
に、検査を行うマスクが微細なパターンを有する、ある
いは高感度でより微細な異物を検出する必要がある場
合、マスクステージ３はレーザ光１の焦点がマスク２の
マスク表面３４に合う垂直方向の位置に合わせられる。
以降は第１の実施例と同様にしてレーザ走査が行われ
る。
【００２０】また、検査を行うマスクが微細なパターン
を垂直方向に上昇３８もしくは下降３８させてレーザ光
１の焦点がマスク表面から上方あるいは下方の離れた位
置になるように合わせられた後、第１の実施例と同様に
して検査が行なわれる。本実施例によれば第１の実施例
のようにレーザ光学系に複雑な機構を設けることなく同
様の効果が得られる。尚図３では上昇させて場合におけ
るマスクステージ３′上のマスク２′，その表面３４′
を点線で示してある。
を垂直方向に上昇３８もしくは下降３８させてレーザ光
１の焦点がマスク表面から上方あるいは下方の離れた位
置になるように合わせられた後、第１の実施例と同様に
して検査が行なわれる。本実施例によれば第１の実施例
のようにレーザ光学系に複雑な機構を設けることなく同
様の効果が得られる。尚図３では上昇させて場合におけ
るマスクステージ３′上のマスク２′，その表面３４′
を点線で示してある。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、レーザ光
を用いてマスク上の異物を検査する装置において、マス
ク面上におけるレーザ光の径を可変する手段を設けたの
で、マスクが微細なパターンを有さない、あるいは微細
な異物を検出する必要がない場合の検査時間を短縮する
ことができ、マスクの検査機能を備えた投影露光装置の
構造自体を既存のものと大きく異なるような複雑で大型
な構造にする必要もなく、また、投影露光装置以外の例
えばマスク洗浄装置などにも適用でき、稼働率を向上さ
せることができるという効果を有する。
を用いてマスク上の異物を検査する装置において、マス
ク面上におけるレーザ光の径を可変する手段を設けたの
で、マスクが微細なパターンを有さない、あるいは微細
な異物を検出する必要がない場合の検査時間を短縮する
ことができ、マスクの検査機能を備えた投影露光装置の
構造自体を既存のものと大きく異なるような複雑で大型
な構造にする必要もなく、また、投影露光装置以外の例
えばマスク洗浄装置などにも適用でき、稼働率を向上さ
せることができるという効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施例を示す図であり、（Ａ）
レイアウト図、（Ｂ）は平面図である。
レイアウト図、（Ｂ）は平面図である。
【図２】本発明の第１の実施例の焦光光学系を示す図で
あり、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は一部断面図である。
あり、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は一部断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例を示すレイアウト図であ
る。
る。
【図４】従来の技術を説明する図であり、（Ａ）はレイ
アウト図、（Ｂ）は平面図である。
アウト図、（Ｂ）は平面図である。
【図５】別の従来技術を説明するレイアウト図である。
１ レーザ光 ２，２′ マスク ３，３′ ステージ ４ 焦点位置 ５ 焦光光学系 ６ スキャナミラー ７ 受光系 ８ 走査保持板 ９ 異物検査手段 １０ 照明系 １１ 照明光学系選択手段 １２ ＸＹステージ １３ 散乱光検出部 １４ 投影光 １５ 縮小レンズ １６ 可動遮光板ａ，ｂ １７ 可動反射板 １８ 反射板ａ，ｂ １９ 半導体ウェハ ２０ コンデンサーレンズａ，ｂ ２１ レーザ発光部 ２５ 焦光レンズ ２６ 支持板 ２７ スライダー溝 ２８ ボールネジ ２９ モータ系 ３０ 振動モータ系 ３１ 焦光レンズの移動方向 ３２ スキャナミラーの回転方向 ３３ 支持台 ３４，３４′ マスクの表面 ３５ 支柱 ３６ 駆動機構 ３７ 支軸 ３８ 上昇、下降方向
Claims (6)
- 【請求項１】 ステージに搭載された被検査体の表面に
焦光光学系を通したレーザ光を照射して該表面上の異物
を検査する装置において、前記レーザ光の径を可変する
手段を有することを特徴とする異物検査装置。 - 【請求項２】 前記径を可変する手段は前記焦光光学系
に具備されていることを特徴とする請求項１に記載の異
物検査装置。 - 【請求項３】 前記径を可変する手段は前記ステージ側
に具備されていることを特徴とする請求項１に記載の異
物検査装置。 - 【請求項４】 前期被検査体は半導体装置の製造に用い
るマスクであることを特徴とする請求項１に記載の異物
検査装置。 - 【請求項５】 ステージに搭載されたマスクの表面に焦
光光学系を通したレーザ光を照射して該表面上に異物を
検査する方法において、前記マスクに形成されてあるパ
ターンの微細度もしくは検査する異物の微細度に応じて
前記レーザ光の径を変更して照射することを特徴とする
異物検査方法。 - 【請求項６】 前記レーザ光をその焦点位置からずらし
て前記マスクの表面に照射することにより、前記レーザ
光の焦点位置における径より前記マスクの表面上の径を
大きくしたことを特徴とする請求項５に記載の異物検査
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13706493A JPH06347414A (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 異物検査装置および異物検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13706493A JPH06347414A (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 異物検査装置および異物検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06347414A true JPH06347414A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15190053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13706493A Pending JPH06347414A (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 異物検査装置および異物検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06347414A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021111918A1 (ja) * | 2019-12-05 | 2021-06-10 | キヤノン株式会社 | 異物検査装置、異物検査方法、処理装置および物品製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63285449A (ja) * | 1987-05-18 | 1988-11-22 | Nikon Corp | 異物検査装置 |
-
1993
- 1993-06-08 JP JP13706493A patent/JPH06347414A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63285449A (ja) * | 1987-05-18 | 1988-11-22 | Nikon Corp | 異物検査装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021111918A1 (ja) * | 2019-12-05 | 2021-06-10 | キヤノン株式会社 | 異物検査装置、異物検査方法、処理装置および物品製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19960109 |