JPH06342962A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH06342962A JPH06342962A JP5130401A JP13040193A JPH06342962A JP H06342962 A JPH06342962 A JP H06342962A JP 5130401 A JP5130401 A JP 5130401A JP 13040193 A JP13040193 A JP 13040193A JP H06342962 A JPH06342962 A JP H06342962A
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- laser device
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザ素子を樹脂パッケージにて密閉
してなる半導体レーザ装置において、レーザ光線の波面
収差の劣化を抑え、半導体レーザ素子の寿命及び耐熱性
の低下を防止するとともに、装置自体の小型化を図る。 【構成】 半導体レーザ素子１２とその光出力を検出す
る受光素子１３とを樹脂パッケージ１４にて密閉してな
る半導体レーザ装置において、前記樹脂パッケージ１４
内に流体材料１５を封入してなることを特徴とする。
してなる半導体レーザ装置において、レーザ光線の波面
収差の劣化を抑え、半導体レーザ素子の寿命及び耐熱性
の低下を防止するとともに、装置自体の小型化を図る。 【構成】 半導体レーザ素子１２とその光出力を検出す
る受光素子１３とを樹脂パッケージ１４にて密閉してな
る半導体レーザ装置において、前記樹脂パッケージ１４
内に流体材料１５を封入してなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ装置に関
し、特に半導体レーザ素子をパッケージにて密閉してな
る半導体レーザ装置に関する。
し、特に半導体レーザ素子をパッケージにて密閉してな
る半導体レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図６は、現在量産されている半導体レー
ザ装置の構成図である。
ザ装置の構成図である。
【０００３】従来の半導体レーザ装置は、ヒートシンク
と一体化された金属製ステム１に、半導体レーザ素子２
と該半導体レーザ素子２の光出力を検出する受光素子３
とを取り付け、前記半導体レーザ素子２及び受光素子３
はワイヤーボンディングにて端子に電気的接続がなされ
ており、さらに前記半導体レーザ素子２及び受光素子３
は、平板ガラス板４が取り付けられたキャンパッケージ
５を前記金属製ステム１にシール溶接することにより密
閉され、前記キャンパッケージ５内に窒素を封入するこ
とにより耐湿性，熱放散性等の各機能を維持してなるも
のである。
と一体化された金属製ステム１に、半導体レーザ素子２
と該半導体レーザ素子２の光出力を検出する受光素子３
とを取り付け、前記半導体レーザ素子２及び受光素子３
はワイヤーボンディングにて端子に電気的接続がなされ
ており、さらに前記半導体レーザ素子２及び受光素子３
は、平板ガラス板４が取り付けられたキャンパッケージ
５を前記金属製ステム１にシール溶接することにより密
閉され、前記キャンパッケージ５内に窒素を封入するこ
とにより耐湿性，熱放散性等の各機能を維持してなるも
のである。
【０００４】上記構成の半導体レーザ装置は、構成部品
が多く、製品工程が複雑であるため、量産性に劣り、低
コスト化の要求に応えることが非常に困難であった。ま
た、前記半導体レーザ素子２の大きさに比べキャンパッ
ケージ５が大きく、小型化に限界があった。さらに、前
記キャンパッケージ５内に封入する窒素が効果であっ
た。
が多く、製品工程が複雑であるため、量産性に劣り、低
コスト化の要求に応えることが非常に困難であった。ま
た、前記半導体レーザ素子２の大きさに比べキャンパッ
ケージ５が大きく、小型化に限界があった。さらに、前
記キャンパッケージ５内に封入する窒素が効果であっ
た。
【０００５】そこで、上記問題点を解決するものとし
て、特開昭６０−６３９７７号公報（以下、「従来例
１」と称す。）、特開昭６３−１４４８９号公報（以
下、「従来例２」と称す。）に開示された半導体レーザ
装置がある。図７は、上記従来例１の構成図であり、同
図（ａ）は正面断面図であり、同図（ｂ）は側面断面図
である。また、図８は、上記従来例２の構成を示す正面
断面図である。
て、特開昭６０−６３９７７号公報（以下、「従来例
１」と称す。）、特開昭６３−１４４８９号公報（以
下、「従来例２」と称す。）に開示された半導体レーザ
装置がある。図７は、上記従来例１の構成図であり、同
図（ａ）は正面断面図であり、同図（ｂ）は側面断面図
である。また、図８は、上記従来例２の構成を示す正面
断面図である。
【０００６】上記従来例１の半導体レーザ装置は、図７
の如く、半導体レーザ素子２は放熱性の良い金属製ステ
ム１上にマウントされ、前記半導体レーザ素子２を透明
樹脂にて封止して透明樹脂体６が形成され、該透明樹脂
体６の表面形状を曲面形状としたものである。上記構成
によれば、部品点数を低減でき、小型化及び量産性を向
上し、安価に生産することが可能となる。
の如く、半導体レーザ素子２は放熱性の良い金属製ステ
ム１上にマウントされ、前記半導体レーザ素子２を透明
樹脂にて封止して透明樹脂体６が形成され、該透明樹脂
体６の表面形状を曲面形状としたものである。上記構成
によれば、部品点数を低減でき、小型化及び量産性を向
上し、安価に生産することが可能となる。
【０００７】また、上記従来例２の半導体レーザ装置
は、図８の如く、装置の基本的構成は図６に示す従来例
と全く同様であり、この従来例２では、ステム１上に保
持された半導体レーザ素子２と受光素子３との全体を、
透明ゲル等の光透過率の良好な水分吸着物質７によって
同時に充填させると共に、これをさらに透明樹脂層８に
より同時に被覆封止させたものである。上記構成によれ
ば、安価な水分吸着物質７及び透明樹脂層８を用いるこ
とにより、装置自体の耐湿性，熱放散性などの各機能を
低下させずに量産性が向上され、安価な半導体レーザ装
置が得られる。
は、図８の如く、装置の基本的構成は図６に示す従来例
と全く同様であり、この従来例２では、ステム１上に保
持された半導体レーザ素子２と受光素子３との全体を、
透明ゲル等の光透過率の良好な水分吸着物質７によって
同時に充填させると共に、これをさらに透明樹脂層８に
より同時に被覆封止させたものである。上記構成によれ
ば、安価な水分吸着物質７及び透明樹脂層８を用いるこ
とにより、装置自体の耐湿性，熱放散性などの各機能を
低下させずに量産性が向上され、安価な半導体レーザ装
置が得られる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７に
示す従来例１及び図８に示す従来例２のそれぞれは、新
たに以下に示すような問題があった。
示す従来例１及び図８に示す従来例２のそれぞれは、新
たに以下に示すような問題があった。
【０００９】図７に示す従来例１の半導体レーザ装置で
は、 １：透明樹脂体６を射出成形にて製造する場合、樹脂レ
ンズ等の製造と異なり、半導体レーザ素子２等の異物が
金型内に配置される為、すなわち、インサート成形され
るので、樹脂流れに乱れが生じ封止材料（透明樹脂）の
屈折率に空間的分布が生じ、出射レーザ光線の波面収差
が劣化する不具合が発生する。また、封止材料の射出圧
力によりボンディングワイヤが切断される恐れがある。
は、 １：透明樹脂体６を射出成形にて製造する場合、樹脂レ
ンズ等の製造と異なり、半導体レーザ素子２等の異物が
金型内に配置される為、すなわち、インサート成形され
るので、樹脂流れに乱れが生じ封止材料（透明樹脂）の
屈折率に空間的分布が生じ、出射レーザ光線の波面収差
が劣化する不具合が発生する。また、封止材料の射出圧
力によりボンディングワイヤが切断される恐れがある。
【００１０】２：同じく、注形等にて製造する場合は、
製造による封止材料の屈折率の空間的分布を抑える事が
可能であるが、半導体レーザ素子２の発熱により封止材
料に温度分布や応力が生じ、ひいては屈折率に空間的分
布が生じて出射レーザ光線の波面収差が劣化する不具合
が発生する。
製造による封止材料の屈折率の空間的分布を抑える事が
可能であるが、半導体レーザ素子２の発熱により封止材
料に温度分布や応力が生じ、ひいては屈折率に空間的分
布が生じて出射レーザ光線の波面収差が劣化する不具合
が発生する。
【００１１】３：半導体レーザ素子２の発熱により封止
材料に応力が生じ、半導体レーザ素子２の寿命に悪影響
を及ぼしたり、半導体レーザ素子２と封止材料の境界で
熱応力により剥離が生じ耐湿性が低下する不具合が発生
する。
材料に応力が生じ、半導体レーザ素子２の寿命に悪影響
を及ぼしたり、半導体レーザ素子２と封止材料の境界で
熱応力により剥離が生じ耐湿性が低下する不具合が発生
する。
【００１２】図８に示す従来例２の半導体レーザ装置で
は、 １：透明ゲルなどの水分吸着物質７が水分を吸着する
と、膨潤し応力や屈折率の空間的分布が生じるため、出
射レーザ光線の波面収差が劣化する不具合が発生する。
は、 １：透明ゲルなどの水分吸着物質７が水分を吸着する
と、膨潤し応力や屈折率の空間的分布が生じるため、出
射レーザ光線の波面収差が劣化する不具合が発生する。
【００１３】２：透明ゲルなどの水分吸着物質７は高分
子の３次元網目構造の中に水分子を含んだ構造をしてお
り絶縁性に劣る。その為、水分吸着物質７の水分量によ
っては、半導体レーザ素子２などのダイオードが、立ち
上がり時に高抵抗（数Ｍ〜数１０ＭΩ）である際に水分
吸着物質に電流がリークする為、点灯しない不具合が生
じる。または応答性が悪くなる。
子の３次元網目構造の中に水分子を含んだ構造をしてお
り絶縁性に劣る。その為、水分吸着物質７の水分量によ
っては、半導体レーザ素子２などのダイオードが、立ち
上がり時に高抵抗（数Ｍ〜数１０ＭΩ）である際に水分
吸着物質に電流がリークする為、点灯しない不具合が生
じる。または応答性が悪くなる。
【００１４】３：半導体レーザ素子２の発熱により充填
材料（透明ゲルなどの水分吸着物質７）に温度分布や応
力が生じ、ひいては屈折率に空間的分布が生じて出射レ
ーザ光線の波面収差が劣化する不具合が発生する。
材料（透明ゲルなどの水分吸着物質７）に温度分布や応
力が生じ、ひいては屈折率に空間的分布が生じて出射レ
ーザ光線の波面収差が劣化する不具合が発生する。
【００１５】ここで波面収差とは、レーザ光線を回折限
界まで絞る必要のある応用（例えば半導体レーザ装置の
主要応用製品である光ディスク装置）で重要になる管理
量であって、光学系全体での波面収差をマレシャル基準
（０．０７λｍｓ）以下にする必要がある。
界まで絞る必要のある応用（例えば半導体レーザ装置の
主要応用製品である光ディスク装置）で重要になる管理
量であって、光学系全体での波面収差をマレシャル基準
（０．０７λｍｓ）以下にする必要がある。
【００１６】本発明は、上記問題点を解決することを目
的とするものである。
的とするものである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ素
子は、半導体レーザ素子とその光出力を検出する受光素
子とを樹脂パッケージにて密閉してなる半導体レーザ装
置において、前記樹脂パッケージ内に流体材料を封入し
てなることを特徴とするものである。
子は、半導体レーザ素子とその光出力を検出する受光素
子とを樹脂パッケージにて密閉してなる半導体レーザ装
置において、前記樹脂パッケージ内に流体材料を封入し
てなることを特徴とするものである。
【００１８】
【作用】このように、本発明の半導体レーザ装置は、樹
脂パッケージ内に流体材料を封入してなる構成なので、
熱伝導、輻射の他に対流にて半導体レーザ素子からの発
熱を効果的に運び取ることができる。また、前記流体材
料の対流にて、その温度分布及び屈折率の空間的分布を
均等化できる。さらに、前記流体材料に発生する熱応力
は流体の特徴から均一化され、一箇所に集中することが
ない。
脂パッケージ内に流体材料を封入してなる構成なので、
熱伝導、輻射の他に対流にて半導体レーザ素子からの発
熱を効果的に運び取ることができる。また、前記流体材
料の対流にて、その温度分布及び屈折率の空間的分布を
均等化できる。さらに、前記流体材料に発生する熱応力
は流体の特徴から均一化され、一箇所に集中することが
ない。
【００１９】
【実施例】図１は本発明の一実施例を示す図であり、同
図（ａ）は正面断面図であり、同図（ｂ）は側面断面図
である。
図（ａ）は正面断面図であり、同図（ｂ）は側面断面図
である。
【００２０】図１の如く、本実施例の半導体レーザ装置
は、リードフレーム１１におけるマウント部１１′に半
導体レーザ素子１２及び受光素子１３が搭載され、前記
半導体レーザ素子１２及び受光素子１３は一端が開口さ
れた樹脂パッケージ（以下、単に『パッケージ』と称
す。）１４で覆われ、該パッケージ１４内には流体材料
１５が充填されており、前記開口部は前記流体材料１５
が流出しないよう封止樹脂１６にて封止してなるもので
ある。
は、リードフレーム１１におけるマウント部１１′に半
導体レーザ素子１２及び受光素子１３が搭載され、前記
半導体レーザ素子１２及び受光素子１３は一端が開口さ
れた樹脂パッケージ（以下、単に『パッケージ』と称
す。）１４で覆われ、該パッケージ１４内には流体材料
１５が充填されており、前記開口部は前記流体材料１５
が流出しないよう封止樹脂１６にて封止してなるもので
ある。
【００２１】上記リードフレーム１１は、例えば銅，ア
ルミニウム等の金属からなり、３本並列に配置されてお
り、そのうちの中央に位置するリードフレーム１１に
は、先端に前記半導体レーザ素子１２及び受光素子１３
を搭載するマウント部１１′を備えており、また、前記
マウント部１１′のつけ根部分には曲げ起こし加工がな
されている。
ルミニウム等の金属からなり、３本並列に配置されてお
り、そのうちの中央に位置するリードフレーム１１に
は、先端に前記半導体レーザ素子１２及び受光素子１３
を搭載するマウント部１１′を備えており、また、前記
マウント部１１′のつけ根部分には曲げ起こし加工がな
されている。
【００２２】また、上記半導体レーザ素子１２は例えば
レーザダイオード等からなり、上記受光素子１３は前記
半導体レーザ素子１２の光出力を検出するものであり、
例えばフォトダイオード等からなるものである。
レーザダイオード等からなり、上記受光素子１３は前記
半導体レーザ素子１２の光出力を検出するものであり、
例えばフォトダイオード等からなるものである。
【００２３】前記半導体レーザ素子１２は、前記マウン
ト部１１′における先端部分に搭載され、前記受光素子
１３は、前記半導体レーザ素子１２の光出力を検出でき
る位置に配置される。尚、本実施例では、前記受光素子
１３を前記マウント部１１′のほぼ中央に搭載してい
る。また、前記半導体レーザ素子１２及び受光素子１３
はボンディンワイヤーにて、前記マウント部１１′を備
えたリードフレーム１１を除く、それぞれ異なるリード
フレーム１１に電気的接続が行われている。 上記パッ
ケージ１４は、例えばアクリル，カーボネート等の熱可
塑性樹脂を射出成形又は射出圧縮成形等にて形成したも
のであり、レーザ波長に対して透明な樹脂パッケージで
ある。また、前記パッケージ１４は、上記に限らず、例
えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を注型等にて形成し
ても良い。前記パッケージ１４は、レーザ光出射端に両
面非球面レンズ等からなる光学素子１７が形成されてな
るものである。前記光学素子１７の半導体レーザ素子１
２側には反射防止膜（図示せず）が形成されている。
ト部１１′における先端部分に搭載され、前記受光素子
１３は、前記半導体レーザ素子１２の光出力を検出でき
る位置に配置される。尚、本実施例では、前記受光素子
１３を前記マウント部１１′のほぼ中央に搭載してい
る。また、前記半導体レーザ素子１２及び受光素子１３
はボンディンワイヤーにて、前記マウント部１１′を備
えたリードフレーム１１を除く、それぞれ異なるリード
フレーム１１に電気的接続が行われている。 上記パッ
ケージ１４は、例えばアクリル，カーボネート等の熱可
塑性樹脂を射出成形又は射出圧縮成形等にて形成したも
のであり、レーザ波長に対して透明な樹脂パッケージで
ある。また、前記パッケージ１４は、上記に限らず、例
えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を注型等にて形成し
ても良い。前記パッケージ１４は、レーザ光出射端に両
面非球面レンズ等からなる光学素子１７が形成されてな
るものである。前記光学素子１７の半導体レーザ素子１
２側には反射防止膜（図示せず）が形成されている。
【００２４】上記流体材料１５は、例えば鉱油，シリコ
ンオイル等を用いる。前記半導体レーザ素子１２を覆う
材料には、耐熱性，耐寒性，耐候性，電気絶縁性が良
く、ガス透過性，透湿性の低いことが要求される。この
ため、前記流体材料１５としては、上記から鉱油よりも
シリコンオイルの方が優れている。ここで、前記流体材
料１５として、信越化学工業製シリコンオイルＯＦ−３
７Ａ（粘度３０５ＣＰＳ／２５℃）を用いた場合、図６
に示す従来の半導体レーザ装置と同程度の耐環境性，寿
命，波面収差が得られた。また、前記流体材料１５のみ
で上記要求を満たさず、前記パッケージ１４及び封止樹
脂１６に一部を負担させても良い。例えば、前記パッケ
ージ１４及び封止樹脂１６の外周全域に弗素コーティン
グを行えば、それよりも内側の材料に要求される前記項
目は緩和される。
ンオイル等を用いる。前記半導体レーザ素子１２を覆う
材料には、耐熱性，耐寒性，耐候性，電気絶縁性が良
く、ガス透過性，透湿性の低いことが要求される。この
ため、前記流体材料１５としては、上記から鉱油よりも
シリコンオイルの方が優れている。ここで、前記流体材
料１５として、信越化学工業製シリコンオイルＯＦ−３
７Ａ（粘度３０５ＣＰＳ／２５℃）を用いた場合、図６
に示す従来の半導体レーザ装置と同程度の耐環境性，寿
命，波面収差が得られた。また、前記流体材料１５のみ
で上記要求を満たさず、前記パッケージ１４及び封止樹
脂１６に一部を負担させても良い。例えば、前記パッケ
ージ１４及び封止樹脂１６の外周全域に弗素コーティン
グを行えば、それよりも内側の材料に要求される前記項
目は緩和される。
【００２５】上記封止樹脂１６は、例えばエポキシ樹
脂，シリコン樹脂等からなり、前記流体材料１５の封止
とリードフレーム１１の固定を行っている。
脂，シリコン樹脂等からなり、前記流体材料１５の封止
とリードフレーム１１の固定を行っている。
【００２６】このように、本実施例の半導体レーザ装置
は、前記パッケージ１４内に流体材料１５を封入してな
る構成なので、熱伝導，輻射の他に対流にて半導体レー
ザ素子１２からの発熱が効果的に運び取られるため、装
置自体を小型化にすることが可能である。また、流体材
料１５の対流にて、その温度分布及び屈折率の空間的分
布が均等化されるため、波面収差の劣化を抑えることが
できる。さらに、流体材料１５に発生する熱応力は流体
の特徴から均等化され、一箇所に集中しないため、半導
体レーザ素子１２の寿命に悪影響を及ぼしたり、半導体
レーザ素子１２と流体材料（封止材料）１５境界で熱応
力により剥離が生じ、耐湿性が低下する不具合を回避す
ることができる。
は、前記パッケージ１４内に流体材料１５を封入してな
る構成なので、熱伝導，輻射の他に対流にて半導体レー
ザ素子１２からの発熱が効果的に運び取られるため、装
置自体を小型化にすることが可能である。また、流体材
料１５の対流にて、その温度分布及び屈折率の空間的分
布が均等化されるため、波面収差の劣化を抑えることが
できる。さらに、流体材料１５に発生する熱応力は流体
の特徴から均等化され、一箇所に集中しないため、半導
体レーザ素子１２の寿命に悪影響を及ぼしたり、半導体
レーザ素子１２と流体材料（封止材料）１５境界で熱応
力により剥離が生じ、耐湿性が低下する不具合を回避す
ることができる。
【００２７】図２は本発明の他の実施例を示す図であ
り、同図（ａ）は正面断面図であり、同図（ｂ）は正面
断面図である。本実施例について、上記実施例と相違す
る点のみ説明する。
り、同図（ａ）は正面断面図であり、同図（ｂ）は正面
断面図である。本実施例について、上記実施例と相違す
る点のみ説明する。
【００２８】図２の如く、本実施例の半導体レーザ装置
は、リードフレーム１１におけるマウント部１１′に、
半導体レーザ素子１２が先端部にボンディングされ、該
半導体レーザ素子１２の光出力を検出する受光素子１３
が形成されたシリコン基板１８が取り付けられており、
さらに、パッケージ１４のレーザ光出射端における光学
素子１７が平面状に形成されてなるものである。尚、光
学素子１７の半導体レーザ素子１２側には反射防止膜が
形成されている。
は、リードフレーム１１におけるマウント部１１′に、
半導体レーザ素子１２が先端部にボンディングされ、該
半導体レーザ素子１２の光出力を検出する受光素子１３
が形成されたシリコン基板１８が取り付けられており、
さらに、パッケージ１４のレーザ光出射端における光学
素子１７が平面状に形成されてなるものである。尚、光
学素子１７の半導体レーザ素子１２側には反射防止膜が
形成されている。
【００２９】尚、ここでは、リードフレーム１１にて半
導体レーザ装置からの電気接続用端子を取り出したが、
前記シリコン基板１８を長手方向に伸ばし封止部の外部
へ出すことにより電気接続用端子としても良い。また、
前記リードフレーム１１の代わりにフレキシブルプリン
テッドコード（ＦＰＣ），プリント配線基板（ＰＷＢ）
を用いても良い。
導体レーザ装置からの電気接続用端子を取り出したが、
前記シリコン基板１８を長手方向に伸ばし封止部の外部
へ出すことにより電気接続用端子としても良い。また、
前記リードフレーム１１の代わりにフレキシブルプリン
テッドコード（ＦＰＣ），プリント配線基板（ＰＷＢ）
を用いても良い。
【００３０】図３は本発明のさらに他の実施例を示す図
であり、同図（ａ）は平面図であり、同図（ｂ）は上面
側からの透視図であり、同図（ｃ）は側面断面図であ
る。
であり、同図（ａ）は平面図であり、同図（ｂ）は上面
側からの透視図であり、同図（ｃ）は側面断面図であ
る。
【００３１】図３の如く、本実施例の半導体レーザ装置
は、例えば銅，アルミニウム等の金属からなる放熱板１
９の中央部分に、面発光半導体レーザ素子１２′と、そ
の光出力を検出する受光素子１３とが形成された化合物
半導体基板２０が取り付けられ、同じくその端部にフレ
キシブルプリンテッドコード（ＦＰＣ）２１が取り付け
られている。前記面発光半導体レーザ素子１２′及び受
光素子１３はそれぞれボンディングワイヤーにて前記フ
レキシブルプリンテッドコード２１に電気的接続が行わ
れている。
は、例えば銅，アルミニウム等の金属からなる放熱板１
９の中央部分に、面発光半導体レーザ素子１２′と、そ
の光出力を検出する受光素子１３とが形成された化合物
半導体基板２０が取り付けられ、同じくその端部にフレ
キシブルプリンテッドコード（ＦＰＣ）２１が取り付け
られている。前記面発光半導体レーザ素子１２′及び受
光素子１３はそれぞれボンディングワイヤーにて前記フ
レキシブルプリンテッドコード２１に電気的接続が行わ
れている。
【００３２】前記化合物半導体基板２０は、前記放熱板
１９とパッケージ１４下面の開口部とを合わすことによ
り密閉されるが、前記パッケージ１４における上面の一
部分には流体材料１５を注入するための孔が形成されて
おり、前記孔は流体材料１５注入後、封止樹脂１６にて
封止される。前記パッケージ１４におけるレーザ光出射
端には平面状の光学素子１７が形成されており、前記光
学素子１７における半導体レーザ素子１２側には反射防
止膜が形成されている。
１９とパッケージ１４下面の開口部とを合わすことによ
り密閉されるが、前記パッケージ１４における上面の一
部分には流体材料１５を注入するための孔が形成されて
おり、前記孔は流体材料１５注入後、封止樹脂１６にて
封止される。前記パッケージ１４におけるレーザ光出射
端には平面状の光学素子１７が形成されており、前記光
学素子１７における半導体レーザ素子１２側には反射防
止膜が形成されている。
【００３３】尚、ここでは、フレキシブルプリンテッド
コード２１にて半導体レーザ装置から電気接続用端子を
取り出したが、化合物半導体基板２０を長手方向に伸ば
し外部へ出すことにより電気接続用端子としても良い。
また、フレキシブルプリンテッドコード２１の代わりに
リードフレーム又はプリント配線基板を用いても良い。
コード２１にて半導体レーザ装置から電気接続用端子を
取り出したが、化合物半導体基板２０を長手方向に伸ば
し外部へ出すことにより電気接続用端子としても良い。
また、フレキシブルプリンテッドコード２１の代わりに
リードフレーム又はプリント配線基板を用いても良い。
【００３４】以下に、上述した実施例の製造方法を説明
する。
する。
【００３５】図４は、図１に示す半導体レーザ装置の製
造工程図である。まず、図４（ａ）の如く、パッケージ
１４を配置する。次に、図４（ｂ）如く、半導体レーザ
素子１２及び受光素子１３を取り付けたリードフレーム
１１を前記パッケージ１４内に配設する。次に、図４
（ｃ）の如く、ディスペンサー（図示せず）にて流体材
料１５をパッケージ１４内に充填する。次に、図４
（ｄ）の如く、リードフレーム１１を経て半導体レーザ
素子１２を発振させ、レーザ光線を観測しながら、光学
素子１７に対して半導体レーザ素子１２の位置、角度を
調整する。次に、図４（ｅ）の如く、封止樹脂１６の比
重を流体材料１５より軽くし、又は、前記封止樹脂１６
の粘度を高くし、前記流体材料１５の表面を封止材料１
６にて覆い硬化させる。図４（ｆ）は完成品である。
造工程図である。まず、図４（ａ）の如く、パッケージ
１４を配置する。次に、図４（ｂ）如く、半導体レーザ
素子１２及び受光素子１３を取り付けたリードフレーム
１１を前記パッケージ１４内に配設する。次に、図４
（ｃ）の如く、ディスペンサー（図示せず）にて流体材
料１５をパッケージ１４内に充填する。次に、図４
（ｄ）の如く、リードフレーム１１を経て半導体レーザ
素子１２を発振させ、レーザ光線を観測しながら、光学
素子１７に対して半導体レーザ素子１２の位置、角度を
調整する。次に、図４（ｅ）の如く、封止樹脂１６の比
重を流体材料１５より軽くし、又は、前記封止樹脂１６
の粘度を高くし、前記流体材料１５の表面を封止材料１
６にて覆い硬化させる。図４（ｆ）は完成品である。
【００３６】図２に示す半導体レーザ装置の製造工程
は、図４に示す製造工程とほぼ同一であり、相違する点
のみ説明する。
は、図４に示す製造工程とほぼ同一であり、相違する点
のみ説明する。
【００３７】図２に示す半導体レーザ装置は、パッケー
ジ１４における光学素子１７が平面状に形成されている
ため、図４（ｄ）では、角度のみの調整となる。
ジ１４における光学素子１７が平面状に形成されている
ため、図４（ｄ）では、角度のみの調整となる。
【００３８】図５は、図３に示す半導体レーザ装置の製
造工程図を示す。まず、図５（ａ）の如く、面発光半導
体レーザ素子１２′と受光素子１３とを形成した化合物
半導体基板２０と、フレキシブルプリンテッドコード２
１とを取り付けた放熱板１９を配設する。次に、図５
（ｂ）の如く、前記放熱板１９上に、前記化合物半導体
基板２０を囲うようパッケージ１４を配設する。次に、
図５（ｃ）の如く、封止樹脂１６にて前記パッケージ１
４と放熱板１９との境界を封止する。次に、図５（ｄ）
の如く、ディスペンサーにて流体材料１５を前記パッケ
ージ１４の上面に設けた孔により、前記パッケージ１４
内に充填する。次に、図５（ｅ）の如く、封止樹脂１６
の比重を前記流体材料１５より軽くし、又は、封止樹脂
１６の粘度を高くし、前記パッケージ１４上面の孔を前
記封止樹脂１６にて覆い硬化させる。以上により、図５
（ｆ）の如く、完成品となる。
造工程図を示す。まず、図５（ａ）の如く、面発光半導
体レーザ素子１２′と受光素子１３とを形成した化合物
半導体基板２０と、フレキシブルプリンテッドコード２
１とを取り付けた放熱板１９を配設する。次に、図５
（ｂ）の如く、前記放熱板１９上に、前記化合物半導体
基板２０を囲うようパッケージ１４を配設する。次に、
図５（ｃ）の如く、封止樹脂１６にて前記パッケージ１
４と放熱板１９との境界を封止する。次に、図５（ｄ）
の如く、ディスペンサーにて流体材料１５を前記パッケ
ージ１４の上面に設けた孔により、前記パッケージ１４
内に充填する。次に、図５（ｅ）の如く、封止樹脂１６
の比重を前記流体材料１５より軽くし、又は、封止樹脂
１６の粘度を高くし、前記パッケージ１４上面の孔を前
記封止樹脂１６にて覆い硬化させる。以上により、図５
（ｆ）の如く、完成品となる。
【００３９】本発明の半導体レーザ装置は、上記実施例
に限らず、例えば上記実施例における流体材料として、
鉱油，シリコンオイル以外に、絶縁性及び光透過率が高
く、粘度が３５０ＣＰＳ／２５℃以下の液体であれば何
でも良い。
に限らず、例えば上記実施例における流体材料として、
鉱油，シリコンオイル以外に、絶縁性及び光透過率が高
く、粘度が３５０ＣＰＳ／２５℃以下の液体であれば何
でも良い。
【００４０】
【発明の効果】以上のように、本発明の半導体レーザ装
置によれば、樹脂パッケージ内に流体材料を封入してな
る構成なので、レーザ光線の波面収差の劣化を抑え、半
導体レーザ素子の寿命及び耐湿性の低下が防止されると
ともに、装置自体を小型化とすることが可能となる。
置によれば、樹脂パッケージ内に流体材料を封入してな
る構成なので、レーザ光線の波面収差の劣化を抑え、半
導体レーザ素子の寿命及び耐湿性の低下が防止されると
ともに、装置自体を小型化とすることが可能となる。
【図１】本発明の一実施例を示す半導体レーザ装置の構
成図であり、図（ａ）は正面断面図であり、図（ｂ）は
側面断面図である。
成図であり、図（ａ）は正面断面図であり、図（ｂ）は
側面断面図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す半導体レーザ装置の
構成図であり、図（ａ）は正面断面図であり、図（ｂ）
は側面断面図である。
構成図であり、図（ａ）は正面断面図であり、図（ｂ）
は側面断面図である。
【図３】本発明のさらに他の実施例を示す半導体レーザ
装置の構成図であり、図（ａ）は平面図であり、図
（ｂ）は上面側からの透視図であり、図（ｃ）は側面断
面図である。
装置の構成図であり、図（ａ）は平面図であり、図
（ｂ）は上面側からの透視図であり、図（ｃ）は側面断
面図である。
【図４】図１に示す半導体レーザ装置の製造工程図であ
る。
る。
【図５】図３に示す半導体レーザ装置の製造工程図であ
る。
る。
【図６】従来例を示す構成図である。
【図７】他の従来例を示す構成図であり、図（ａ）は正
面断面図であり、図（ｂ）は側面断面図である。
面断面図であり、図（ｂ）は側面断面図である。
【図８】更に他の従来例を示す図である。
１２ 半導体レーザ素子 １２′ 面発光半導体レーザ素子 １３ 受光素子 １４ 樹脂パッケージ １５ 流体材料
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体レーザ素子とその光出力を検出す
る受光素子とを樹脂パッケージにて密閉してなる半導体
レーザ装置において、前記樹脂パッケージ内に流体材料
を封入してなることを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5130401A JPH06342962A (ja) | 1993-06-01 | 1993-06-01 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5130401A JPH06342962A (ja) | 1993-06-01 | 1993-06-01 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06342962A true JPH06342962A (ja) | 1994-12-13 |
Family
ID=15033413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5130401A Pending JPH06342962A (ja) | 1993-06-01 | 1993-06-01 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06342962A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007123659A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 面発光半導体素子 |
-
1993
- 1993-06-01 JP JP5130401A patent/JPH06342962A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007123659A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 面発光半導体素子 |
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