JPH06331573A - ２結晶法によるｘ線トポグラフィ装置及び該装置を用いたｘ線回折写真撮影方法 - Google Patents
２結晶法によるｘ線トポグラフィ装置及び該装置を用いたｘ線回折写真撮影方法Info
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- JPH06331573A JPH06331573A JP5145563A JP14556393A JPH06331573A JP H06331573 A JPH06331573 A JP H06331573A JP 5145563 A JP5145563 A JP 5145563A JP 14556393 A JP14556393 A JP 14556393A JP H06331573 A JPH06331573 A JP H06331573A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、反りや結晶格子面の湾曲等がある
試料に対してもその全面の結晶状態を測定することがで
きる２結晶法によるＸ線トポグラフィ装置を提供する。 【構成】 本発明は、Ｘ線源２からの幅の有るＸ線束を
単結晶３で回折させ、この単結晶３からの幅の有る回折
線を試料としての結晶４の各測定位置に入射し、結晶４
の各測定位置からの回折線を撮影手段７により撮影し結
晶４の結晶状態を測定する２結晶法によるＸ線トポグラ
フィ装置１において、前記結晶４に対する前記回折線の
各入射位置各々についてブラッグの回折条件を満足させ
る回折条件設定手段１０を設けた。この構成により上記
目的を達成できる。
試料に対してもその全面の結晶状態を測定することがで
きる２結晶法によるＸ線トポグラフィ装置を提供する。 【構成】 本発明は、Ｘ線源２からの幅の有るＸ線束を
単結晶３で回折させ、この単結晶３からの幅の有る回折
線を試料としての結晶４の各測定位置に入射し、結晶４
の各測定位置からの回折線を撮影手段７により撮影し結
晶４の結晶状態を測定する２結晶法によるＸ線トポグラ
フィ装置１において、前記結晶４に対する前記回折線の
各入射位置各々についてブラッグの回折条件を満足させ
る回折条件設定手段１０を設けた。この構成により上記
目的を達成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、２結晶法によるＸ線ト
ポグラフィ装置及び該装置を用いたＸ線回折写真撮影方
法に関する。
ポグラフィ装置及び該装置を用いたＸ線回折写真撮影方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の２結晶法によるＸ線トポグラフィ
装置３０は、図５に示すようにＸ線源２１からの幅の有
るＸ線束（例えば、ＣｕＫα線の束）をＳｉ結晶のよう
な高品質の単結晶２２で回折させ、この単結晶２２から
のブラッグの回折条件を満たした幅の有る回折線を試料
としての結晶２３の各測定位置に入射し、この結晶２３
の各測定位置からの回折線を撮影手段のＸ線フィルム２
４面に撮影し結晶２３の結晶状態を求めるようになって
いる。
装置３０は、図５に示すようにＸ線源２１からの幅の有
るＸ線束（例えば、ＣｕＫα線の束）をＳｉ結晶のよう
な高品質の単結晶２２で回折させ、この単結晶２２から
のブラッグの回折条件を満たした幅の有る回折線を試料
としての結晶２３の各測定位置に入射し、この結晶２３
の各測定位置からの回折線を撮影手段のＸ線フィルム２
４面に撮影し結晶２３の結晶状態を求めるようになって
いる。
【０００３】前記結晶２３は前記単結晶２２にからの回
折線に対してやはりブラッグの回折条件を満たすように
配置され、かつ、結晶２３及びＸ線フィルム２４は図示
しない駆動手段により矢印方向に各々駆動され、これに
より、前記結晶２３の入射面全体の結晶状態をＸ線フィ
ルム２４に撮影できるようになっている。
折線に対してやはりブラッグの回折条件を満たすように
配置され、かつ、結晶２３及びＸ線フィルム２４は図示
しない駆動手段により矢印方向に各々駆動され、これに
より、前記結晶２３の入射面全体の結晶状態をＸ線フィ
ルム２４に撮影できるようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したＸ線トポグラ
フィ装置３０の場合、前記単結晶２２からのブラッグの
回折条件を満たした回折線は、Ｘ線源２１からのＸ線に
比べ非常に鋭い波長特性を有しており、このため、前記
結晶２３において僅かにブラッグの回折条件から外れた
だけでも回折を起こさなくなる。従って、結晶２３にお
ける格子歪等微小な欠陥をもＸ線フィルム２４面にとら
えることができる。
フィ装置３０の場合、前記単結晶２２からのブラッグの
回折条件を満たした回折線は、Ｘ線源２１からのＸ線に
比べ非常に鋭い波長特性を有しており、このため、前記
結晶２３において僅かにブラッグの回折条件から外れた
だけでも回折を起こさなくなる。従って、結晶２３にお
ける格子歪等微小な欠陥をもＸ線フィルム２４面にとら
えることができる。
【０００５】しかしながら、上述したＸ線トポグラフィ
装置３０の場合、前記結晶２３に対する前記回折線の入
射角θ0 が予め一定に固定されたままであるため、この
結晶２３に反りが有ったり、結晶格子面の湾曲が有った
りすると、測定位置の変動に伴いその位置によってはブ
ラッグの回折条件を満たさなくなり、この結果、結晶２
３全体に亘る測定ができなくなるという問題がある。
装置３０の場合、前記結晶２３に対する前記回折線の入
射角θ0 が予め一定に固定されたままであるため、この
結晶２３に反りが有ったり、結晶格子面の湾曲が有った
りすると、測定位置の変動に伴いその位置によってはブ
ラッグの回折条件を満たさなくなり、この結果、結晶２
３全体に亘る測定ができなくなるという問題がある。
【０００６】即ち、図６から明らかなように、僅かな反
りのため結晶２３の中心部以外の結晶状態の測定が不可
能になってしまう。結晶２３の中心位置で回折条件を合
わせると、約０．３ｍｍの幅の像しか得られない。
りのため結晶２３の中心部以外の結晶状態の測定が不可
能になってしまう。結晶２３の中心位置で回折条件を合
わせると、約０．３ｍｍの幅の像しか得られない。
【０００７】また、例えば、前記結晶２３の中心位置か
ら１ｍｍずらすと、約３２０秒のずれを生じ、１ｍｍず
れた位置で約０．３ｍｍの幅の像は得られるが、結晶２
３の中心位置での像が得られなくなってしまう。
ら１ｍｍずらすと、約３２０秒のずれを生じ、１ｍｍず
れた位置で約０．３ｍｍの幅の像は得られるが、結晶２
３の中心位置での像が得られなくなってしまう。
【０００８】そこで、本発明は、構成を改良し、反りや
結晶格子面の湾曲等がある試料に対してもその全面の結
晶状態を測定することができる２結晶法によるＸ線トポ
グラフィ装置及び該装置を用いたＸ線回折写真撮影方法
を提供することを目的とするものである。
結晶格子面の湾曲等がある試料に対してもその全面の結
晶状態を測定することができる２結晶法によるＸ線トポ
グラフィ装置及び該装置を用いたＸ線回折写真撮影方法
を提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
Ｘ線源からの幅の有るＸ線束を単結晶で回折させ、この
単結晶からの幅の有る回折線を試料としての結晶の各測
定位置に入射し、この結晶の各測定位置からの回折線を
撮影手段により撮影し結晶の結晶状態を測定する２結晶
法によるＸ線トポグラフィ装置において、前記結晶に対
する前記回折線の各入射位置各々についてブラッグの回
折条件を満足させる回折条件設定手段を設けたものであ
る。
Ｘ線源からの幅の有るＸ線束を単結晶で回折させ、この
単結晶からの幅の有る回折線を試料としての結晶の各測
定位置に入射し、この結晶の各測定位置からの回折線を
撮影手段により撮影し結晶の結晶状態を測定する２結晶
法によるＸ線トポグラフィ装置において、前記結晶に対
する前記回折線の各入射位置各々についてブラッグの回
折条件を満足させる回折条件設定手段を設けたものであ
る。
【００１０】尚、ここでいう結晶状態とは、結晶中に格
子歪等の微小な欠陥がどの程度存在するかの状態を表す
ものとする。
子歪等の微小な欠陥がどの程度存在するかの状態を表す
ものとする。
【００１１】請求項２記載の発明は、前記回折条件設定
手段を、前記結晶に対する前記回折線の各入射位置毎に
この結晶の角度をブラッグの回折条件を満たす角度とす
る構成とした。
手段を、前記結晶に対する前記回折線の各入射位置毎に
この結晶の角度をブラッグの回折条件を満たす角度とす
る構成とした。
【００１２】請求項３記載の発明は、前記回折条件設定
手段を、前記Ｘ線源及び単結晶の前記結晶に対する相対
位置を変更してこの結晶の各入射位置でのブラッグの回
折条件を満足させる構成とした。
手段を、前記Ｘ線源及び単結晶の前記結晶に対する相対
位置を変更してこの結晶の各入射位置でのブラッグの回
折条件を満足させる構成とした。
【００１３】請求項４記載のＸ線回折写真撮影方法は、
Ｘ線源からの幅の有るＸ線束を単結晶で回折させ、この
単結晶からの幅の有る回折線を試料としての結晶の各測
定位置に入射し、回折条件設定手段により前記結晶に対
する前記回折線の各入射位置各々についてブラッグの回
折条件を満足させて、前記結晶の各測定位置からの回折
線を撮影手段により撮影し結晶の結晶状態を測定するも
のである。
Ｘ線源からの幅の有るＸ線束を単結晶で回折させ、この
単結晶からの幅の有る回折線を試料としての結晶の各測
定位置に入射し、回折条件設定手段により前記結晶に対
する前記回折線の各入射位置各々についてブラッグの回
折条件を満足させて、前記結晶の各測定位置からの回折
線を撮影手段により撮影し結晶の結晶状態を測定するも
のである。
【００１４】
【作用】上述した構成の各発明の作用を以下に説明す
る。
る。
【００１５】請求項１記載のＸ線トポグラフィ装置にお
いて、Ｘ線源からの幅の有るＸ線束は単結晶で回折し、
この単結晶から幅の有る回折線が試料としての結晶の各
測定位置に入射するが、このとき、回折条件設定手段は
前記結晶に対する前記回折線の各入射位置各々について
ブラッグの回折条件を満足させる。これにより、前記結
晶の各測定位置各々からブラッグの回折条件を満足する
回折線が撮影手段に入射することになり、前記結晶の各
測定位置すべてに亘って結晶状態を測定することが可能
となる。
いて、Ｘ線源からの幅の有るＸ線束は単結晶で回折し、
この単結晶から幅の有る回折線が試料としての結晶の各
測定位置に入射するが、このとき、回折条件設定手段は
前記結晶に対する前記回折線の各入射位置各々について
ブラッグの回折条件を満足させる。これにより、前記結
晶の各測定位置各々からブラッグの回折条件を満足する
回折線が撮影手段に入射することになり、前記結晶の各
測定位置すべてに亘って結晶状態を測定することが可能
となる。
【００１６】請求項２記載のＸ線トポグラフィ装置によ
れば、前記回折条件設定手段により、前記結晶に対する
前記回折線の各入射位置毎にこの結晶の角度をブラッグ
の回折条件を満たす角度とする構成としたので、前記結
晶の回折線の各入射位置に応じた角度がその都度ブラッ
グの回折条件を満足するように変わり、これにより、前
記結晶の各測定位置すべてに亘って結晶状態を測定する
ことが可能となる。
れば、前記回折条件設定手段により、前記結晶に対する
前記回折線の各入射位置毎にこの結晶の角度をブラッグ
の回折条件を満たす角度とする構成としたので、前記結
晶の回折線の各入射位置に応じた角度がその都度ブラッ
グの回折条件を満足するように変わり、これにより、前
記結晶の各測定位置すべてに亘って結晶状態を測定する
ことが可能となる。
【００１７】請求項３記載のＸ線トポグラフィ装置によ
れば、前記回折条件設定手段により、前記Ｘ線源及び単
結晶の前記結晶に対する相対位置を変更してこの結晶の
各入射位置でのブラッグの回折条件を満足させる構成と
したので、やはり前記結晶の回折線の各入射位置毎にブ
ラッグの回折条件を満足させることができ、これによ
り、前記結晶の各測定位置すべてに亘って結晶状態を測
定することが可能となる。
れば、前記回折条件設定手段により、前記Ｘ線源及び単
結晶の前記結晶に対する相対位置を変更してこの結晶の
各入射位置でのブラッグの回折条件を満足させる構成と
したので、やはり前記結晶の回折線の各入射位置毎にブ
ラッグの回折条件を満足させることができ、これによ
り、前記結晶の各測定位置すべてに亘って結晶状態を測
定することが可能となる。
【００１８】請求項４記載のＸ線回折写真撮影方法によ
れば、Ｘ線源からの幅の有るＸ線束を単結晶で回折さ
せ、この単結晶からの幅の有る回折線を試料としての結
晶の各測定位置に入射し、回折条件設定手段により前記
結晶に対する前記回折線の各入射位置各々についてブラ
ッグの回折条件を満足させて、前記結晶の各測定位置か
らの回折線を撮影手段により撮影し結晶の結晶状態を測
定するようにしたので、自動的に結晶の各測定位置全て
に亘って結晶状態を測定することが可能となる。
れば、Ｘ線源からの幅の有るＸ線束を単結晶で回折さ
せ、この単結晶からの幅の有る回折線を試料としての結
晶の各測定位置に入射し、回折条件設定手段により前記
結晶に対する前記回折線の各入射位置各々についてブラ
ッグの回折条件を満足させて、前記結晶の各測定位置か
らの回折線を撮影手段により撮影し結晶の結晶状態を測
定するようにしたので、自動的に結晶の各測定位置全て
に亘って結晶状態を測定することが可能となる。
【００１９】
【実施例】以下に、本発明の実施例を詳細に説明する。
【００２０】図１に示す２結晶法によるＸ線トポグラフ
ィ装置１は、Ｘ線源２からの幅の有るＸ線束（例えば、
ＣｕＫα線の束）をＳｉ単結晶（４，０，０）のような
高品質の単結晶３で回折させ、この単結晶３からのブラ
ッグの回折条件を満たした幅の有る回折線を、試料とし
ての結晶４の各測定位置に入射し、この結晶４の各測定
位置からの回折線を撮影手段６のＸ線フィルム（又は乾
板）７面に撮影し前記結晶４のＸ線入射面の結晶状態を
測定するようになっている。
ィ装置１は、Ｘ線源２からの幅の有るＸ線束（例えば、
ＣｕＫα線の束）をＳｉ単結晶（４，０，０）のような
高品質の単結晶３で回折させ、この単結晶３からのブラ
ッグの回折条件を満たした幅の有る回折線を、試料とし
ての結晶４の各測定位置に入射し、この結晶４の各測定
位置からの回折線を撮影手段６のＸ線フィルム（又は乾
板）７面に撮影し前記結晶４のＸ線入射面の結晶状態を
測定するようになっている。
【００２１】前記結晶４は、液晶エピタキシャル（ＬＰ
Ｅ）法によりＣａ，Ｍｇ，Ｚｒ添加ＧＧＧ（ガドリニウ
ム・ガリウム・ガーネット）単結晶基板上にエピィタキ
ィシャル成長させたＢｉ置換磁性ガーネット単結晶膜を
用い、（８８０）回折線が得られるように配置する。
Ｅ）法によりＣａ，Ｍｇ，Ｚｒ添加ＧＧＧ（ガドリニウ
ム・ガリウム・ガーネット）単結晶基板上にエピィタキ
ィシャル成長させたＢｉ置換磁性ガーネット単結晶膜を
用い、（８８０）回折線が得られるように配置する。
【００２２】尚、図１中、１１は、前記結晶４とＸ線フ
ィルム７との間に配置した結晶４からの回折線がＸ線フ
ィルム７の面の他の領域に入射することを防ぐスリット
である。
ィルム７との間に配置した結晶４からの回折線がＸ線フ
ィルム７の面の他の領域に入射することを防ぐスリット
である。
【００２３】前記Ｘ線トポグラフィ装置１は、さらに、
前記結晶４に対する前記回折線の各入射位置各々につい
てブラッグの回折条件を満足させる回折条件設定手段１
０を具備している。
前記結晶４に対する前記回折線の各入射位置各々につい
てブラッグの回折条件を満足させる回折条件設定手段１
０を具備している。
【００２４】この回折条件設定手段１０は、全体の制御
を行う制御部１２と、この制御部１２の制御の基に前記
スリット１１を矢印方向に往復駆動するスリット駆動部
８と、制御部１２の制御の基に前記結晶４をスリット１
１の変位に連動して矢印方向に往復駆動するとともに、
結晶４に対する前記単結晶３からの回折線の各入射位置
各々についてブラッグの回折条件を満足させるように、
即ち、前記回折線の結晶４に対する入射角がθ0 となる
ように、この結晶４をα，β方向に回動駆動する試料駆
動部９と、前記結晶４に対する回折線の入射位置（Ａ0
，Ａ1 ，Ａ2 …）を基に各入射位置におけるブラッグ
の回折条件を満足する入射角を演算する演算部１３と、
この各入射位置及び各入射位置におけるブラッグの回折
条件を満足する入射角を記憶する記憶部１４とを具備し
ている。
を行う制御部１２と、この制御部１２の制御の基に前記
スリット１１を矢印方向に往復駆動するスリット駆動部
８と、制御部１２の制御の基に前記結晶４をスリット１
１の変位に連動して矢印方向に往復駆動するとともに、
結晶４に対する前記単結晶３からの回折線の各入射位置
各々についてブラッグの回折条件を満足させるように、
即ち、前記回折線の結晶４に対する入射角がθ0 となる
ように、この結晶４をα，β方向に回動駆動する試料駆
動部９と、前記結晶４に対する回折線の入射位置（Ａ0
，Ａ1 ，Ａ2 …）を基に各入射位置におけるブラッグ
の回折条件を満足する入射角を演算する演算部１３と、
この各入射位置及び各入射位置におけるブラッグの回折
条件を満足する入射角を記憶する記憶部１４とを具備し
ている。
【００２５】次に、上述した構成の２結晶法によるＸ線
トポグラフィ装置１を用いたＸ線回折写真撮影方法につ
いて図２，図３をも参照して説明する。
トポグラフィ装置１を用いたＸ線回折写真撮影方法につ
いて図２，図３をも参照して説明する。
【００２６】まず、図１に示すようにＸ線源２，単結晶
３，結晶４，スリット１１及び撮影手段６のＸ線フィル
ム７を配置する。このときの単結晶３からの回折線の入
射位置をＡ1 とする。
３，結晶４，スリット１１及び撮影手段６のＸ線フィル
ム７を配置する。このときの単結晶３からの回折線の入
射位置をＡ1 とする。
【００２７】この状態で、前記演算部１３は、試料駆動
部９を制御する制御部１２の制御の基に入射位置Ａ0 に
おけるブラッグの回折条件を満足する入射角θ0 を求
め、演算結果を制御部１２に送る。
部９を制御する制御部１２の制御の基に入射位置Ａ0 に
おけるブラッグの回折条件を満足する入射角θ0 を求
め、演算結果を制御部１２に送る。
【００２８】これにより、制御部１２の制御の基に入射
位置Ａ0 ，入射角θ0 の情報が記憶部１４に記憶され
る。
位置Ａ0 ，入射角θ0 の情報が記憶部１４に記憶され
る。
【００２９】次に、前記制御部１２の制御の基に前記ス
リット駆動部８，試料駆動部９を動作させ、前記スリッ
ト１１及び前記結晶４を図２に示す矢印方向に移動させ
て結晶４における前記単結晶３からの回折線の入射位置
をＡ1 とする。
リット駆動部８，試料駆動部９を動作させ、前記スリッ
ト１１及び前記結晶４を図２に示す矢印方向に移動させ
て結晶４における前記単結晶３からの回折線の入射位置
をＡ1 とする。
【００３０】同時に前記演算部１３は、試料駆動部９を
制御する制御部１２の制御の基に入射位置Ａ1 における
ブラッグの回折条件を満足する入射角θ1 を求め、演算
結果を制御部１２に送る。
制御する制御部１２の制御の基に入射位置Ａ1 における
ブラッグの回折条件を満足する入射角θ1 を求め、演算
結果を制御部１２に送る。
【００３１】これにより、制御部１２の制御の基に入射
位置Ａ1 ，入射角θ1 の情報が記憶部１４に記憶され
る。
位置Ａ1 ，入射角θ1 の情報が記憶部１４に記憶され
る。
【００３２】さらに、前記制御部１２の制御の基に前記
スリット駆動部８，試料駆動部９を動作させ、前記スリ
ット１１及び結晶４を図３に示す矢印方向に移動させて
結晶４における単結晶３からの回折線の入射位置をＡ2
とする。
スリット駆動部８，試料駆動部９を動作させ、前記スリ
ット１１及び結晶４を図３に示す矢印方向に移動させて
結晶４における単結晶３からの回折線の入射位置をＡ2
とする。
【００３３】同時に前記演算部１３は、試料駆動部９を
制御する制御部１２の制御の基に入射位置Ａ2 における
ブラッグの回折条件を満足する入射角θ2 を求め、演算
結果を制御部１２に送る。
制御する制御部１２の制御の基に入射位置Ａ2 における
ブラッグの回折条件を満足する入射角θ2 を求め、演算
結果を制御部１２に送る。
【００３４】これにより、制御部１２の制御の基に入射
位置Ａ2 ，入射角θ2 の情報が記憶部１４に記憶され
る。
位置Ａ2 ，入射角θ2 の情報が記憶部１４に記憶され
る。
【００３５】このようにして、前記スリット１１及び結
晶４のＸ線フィルム７に対する相対位置を変えながら各
入射位置Ａ0 ，Ａ1 ，Ａ2 におけるブラッグの回折条件
を満足する入射角θ0 ，θ1 ，θ2 を求め、これらを記
憶部１４に記憶した後、前記スリット駆動部８，試料駆
動部９を動作させてスリット１１を移動させ同時に結晶
４の移動と回動を行って、各入射位置Ａ0 ，Ａ1 ，Ａ2
における結晶４への入射角θ0 ，θ1 ，θ2 の条件の基
に前記撮影手段６のＸ線フィルム７に対して結晶４の結
晶状態の写真撮影を行う。
晶４のＸ線フィルム７に対する相対位置を変えながら各
入射位置Ａ0 ，Ａ1 ，Ａ2 におけるブラッグの回折条件
を満足する入射角θ0 ，θ1 ，θ2 を求め、これらを記
憶部１４に記憶した後、前記スリット駆動部８，試料駆
動部９を動作させてスリット１１を移動させ同時に結晶
４の移動と回動を行って、各入射位置Ａ0 ，Ａ1 ，Ａ2
における結晶４への入射角θ0 ，θ1 ，θ2 の条件の基
に前記撮影手段６のＸ線フィルム７に対して結晶４の結
晶状態の写真撮影を行う。
【００３６】これにより、仮に、前記結晶４に反りや格
子面の湾曲等があっても、自動的にこの結晶４の各測定
位置全てに亘って結晶状態を正確に測定することが可能
となる。
子面の湾曲等があっても、自動的にこの結晶４の各測定
位置全てに亘って結晶状態を正確に測定することが可能
となる。
【００３７】（実験例）上述のような方法により、前記
結晶４の各測定位置Ａ+4乃至Ａ-6について最適な入射角
を測定した。この測定結果を表１に示す。
結晶４の各測定位置Ａ+4乃至Ａ-6について最適な入射角
を測定した。この測定結果を表１に示す。
【００３８】
【表１】 尚、表１において、測定位置＝０は、前記結晶４の中央
位置を示し、符号＋，−は測定位置＝０からの変位を示
す。
位置を示し、符号＋，−は測定位置＝０からの変位を示
す。
【００３９】表１に示す結果から、入射角θと測定位置
Ａ+4乃至Ａ-6との間に以下の関係式があることを見い出
した。
Ａ+4乃至Ａ-6との間に以下の関係式があることを見い出
した。
【００４０】（数１） θ＝−０．０２３２×（測定位置＝０からの変位）＋８０．７９８０ （ｄｅｇ） 数１の関係式に従って下記の測定条件で撮影を行った。
【００４１】測定範囲 ＋５．
０ｍｍ乃至−７．５ｍｍ ステップ間隔 ０．１ｍｍ 撮影手段６の露出時間 ５（分／ステップ） また、上述した実験により撮影した結果を図４に示す。
０ｍｍ乃至−７．５ｍｍ ステップ間隔 ０．１ｍｍ 撮影手段６の露出時間 ５（分／ステップ） また、上述した実験により撮影した結果を図４に示す。
【００４２】図４から明らかなように、結晶４の全面に
亘り一定の濃度Ｘ線回折像を得ることができた。
亘り一定の濃度Ｘ線回折像を得ることができた。
【００４３】本発明は、上述した実施例に限定されるも
のではなく、その要旨の範囲内で種々の変形が可能であ
る。
のではなく、その要旨の範囲内で種々の変形が可能であ
る。
【００４４】例えば、上述した実施例では、試料をスリ
ットとともに移動し、かつ、試料を回動する場合につい
て説明したが、Ｘ線源及び単結晶の相対位置を一定とし
たまま、これらを結晶に対して移動し、結晶における各
入射位置での回折線の入射角をブラックの回折条件を満
たすようにしても実施できる。
ットとともに移動し、かつ、試料を回動する場合につい
て説明したが、Ｘ線源及び単結晶の相対位置を一定とし
たまま、これらを結晶に対して移動し、結晶における各
入射位置での回折線の入射角をブラックの回折条件を満
たすようにしても実施できる。
【００４５】また、スリットを移動するとともに前記結
晶の角度を変えるようにしても実施可能である。
晶の角度を変えるようにしても実施可能である。
【００４６】
【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、以下の効
果を奏する。
果を奏する。
【００４７】請求項１記載の発明によれば、上述した構
成としたので、結晶の各測定位置各々からブラッグの回
折条件を満足する回折線が撮影手段に入射することにな
り、この結晶の各測定位置すべてに亘って結晶状態を測
定することが可能なＸ線トポグラフィ装置を提供するこ
とができる。
成としたので、結晶の各測定位置各々からブラッグの回
折条件を満足する回折線が撮影手段に入射することにな
り、この結晶の各測定位置すべてに亘って結晶状態を測
定することが可能なＸ線トポグラフィ装置を提供するこ
とができる。
【００４８】請求項２記載の発明によれば、結晶の回折
線の各入射位置に応じた角度がその都度ブラッグの回折
条件を満足するように変わり、これにより、この結晶の
各測定位置すべてに亘って結晶状態を測定することが可
能なＸ線トポグラフィ装置を提供することができる。
線の各入射位置に応じた角度がその都度ブラッグの回折
条件を満足するように変わり、これにより、この結晶の
各測定位置すべてに亘って結晶状態を測定することが可
能なＸ線トポグラフィ装置を提供することができる。
【００４９】請求項３記載の発明によれば、Ｘ線源及び
単結晶の結晶に対する相対位置を変更することで、結晶
の各測定位置すべてに亘って結晶状態を測定することが
可能なＸ線トポグラフィ装置を提供することができる。
単結晶の結晶に対する相対位置を変更することで、結晶
の各測定位置すべてに亘って結晶状態を測定することが
可能なＸ線トポグラフィ装置を提供することができる。
【００５０】請求項４記載の発明によれば、自動的に結
晶の各測定位置全てに亘って結晶状態を測定することが
可能なＸ線回折写真撮影方法を提供することができる。
晶の各測定位置全てに亘って結晶状態を測定することが
可能なＸ線回折写真撮影方法を提供することができる。
【図１】本発明の実施例装置の概略構成図
【図２】本発明の実施例装置の動作説明図
【図３】本発明の実施例装置の動作説明図
【図４】本発明の実施例装置により撮影した試料のＸ線
回折写真
回折写真
【図５】従来装置の概略構成図
【図６】従来装置により撮影した試料のＸ線回折写真
１ Ｘ線トポグラフィ装置 ２ Ｘ線源 ３ 単結晶 ４ 結晶 ６ Ｘ線フィルム ７ 撮影手段 １０ 回折条件設定手段
【手続補正書】
【提出日】平成５年１０月２５日
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】 本発明の実施例装置により撮影した
試料のＸ線写真
試料のＸ線写真
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図６】 従来装置により撮影した試料のＸ線
写真
写真
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｘ線源からの幅の有るＸ線束を単結晶で
回折させ、この単結晶からの幅の有る回折線を試料とし
ての結晶の各測定位置に入射し、前記結晶の各測定位置
からの回折線を撮影手段により撮影しこの結晶の結晶状
態を測定する２結晶法によるＸ線トポグラフィ装置にお
いて、前記単結晶に対する前記回折線の各入射位置各々
についてブラッグの回折条件を満足させる回折条件設定
手段を設けたことを特徴とする２結晶法によるＸ線トポ
グラフィ装置。 - 【請求項２】 前記回折条件設定手段は、前記結晶に対
する前記回折線の各入射位置毎にこの結晶の角度をブラ
ッグの回折条件を満たす角度とするものである請求項１
記載の２結晶法によるＸ線トポグラフィ装置。 - 【請求項３】 前記回折条件設定手段は、前記Ｘ線源及
び前記単結晶の前記結晶に対する相対位置を変更してこ
の結晶の各入射位置でのブラッグの回折条件を満足させ
るものである請求項１記載の２結晶法によるＸ線トポグ
ラフィ装置。 - 【請求項４】 Ｘ線源からの幅の有るＸ線束を単結晶で
回折させ、この単結晶からの幅の有る回折線を試料とし
ての結晶の各測定位置に入射し、回折条件設定手段によ
り前記結晶に対する前記回折線の各入射位置各々につい
てブラッグの回折条件を満足させて、この結晶の各測定
位置からの回折線を撮影手段により撮影し結晶の結晶状
態を測定するＸ線回折写真撮影方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5145563A JPH06331573A (ja) | 1993-05-25 | 1993-05-25 | ２結晶法によるｘ線トポグラフィ装置及び該装置を用いたｘ線回折写真撮影方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5145563A JPH06331573A (ja) | 1993-05-25 | 1993-05-25 | ２結晶法によるｘ線トポグラフィ装置及び該装置を用いたｘ線回折写真撮影方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06331573A true JPH06331573A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=15388033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5145563A Pending JPH06331573A (ja) | 1993-05-25 | 1993-05-25 | ２結晶法によるｘ線トポグラフィ装置及び該装置を用いたｘ線回折写真撮影方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06331573A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006047262A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-02-16 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | Ｘ線画像再構成装置 |
| US11703465B2 (en) | 2020-09-02 | 2023-07-18 | Kioxia Corporation | Apparatus for inspecting semiconductor device and method for inspecting semiconductor device |
-
1993
- 1993-05-25 JP JP5145563A patent/JPH06331573A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006047262A (ja) * | 2004-07-08 | 2006-02-16 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | Ｘ線画像再構成装置 |
| JP4561312B2 (ja) * | 2004-07-08 | 2010-10-13 | 富士電機ホールディングス株式会社 | Ｘ線画像再構成装置 |
| US11703465B2 (en) | 2020-09-02 | 2023-07-18 | Kioxia Corporation | Apparatus for inspecting semiconductor device and method for inspecting semiconductor device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020122 |