JPH0632342B2 - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPH0632342B2 JPH0632342B2 JP61065113A JP6511386A JPH0632342B2 JP H0632342 B2 JPH0632342 B2 JP H0632342B2 JP 61065113 A JP61065113 A JP 61065113A JP 6511386 A JP6511386 A JP 6511386A JP H0632342 B2 JPH0632342 B2 JP H0632342B2
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- Japan
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明は、２つの波長帯で発光することができる半導
体レーザに関する。
体レーザに関する。
「従来の技術」 半導体レーザの多くは、１つの波長帯で発光するが、２
つの波長帯で選択的に発光することができると、極めて
有利な場合が多い。
つの波長帯で選択的に発光することができると、極めて
有利な場合が多い。
そこで、従来は２つの素子をハイブリッド構成して選択
的に発光させたり、あるいは、第２図の如く同一素子内
に活性層と導波路層を２組設ける構造とし、これによっ
て、２つの波長帯で選択的に発光させるようにしたもの
が開発されている。
的に発光させたり、あるいは、第２図の如く同一素子内
に活性層と導波路層を２組設ける構造とし、これによっ
て、２つの波長帯で選択的に発光させるようにしたもの
が開発されている。
「発明が解決しようとする問題点」 しかしながら、上述した従来の半導体レーザにおいて
は、各波長帯によって光の出射位置が異なり、発光出力
を同一の光ファイバに入射するためには、特殊なカプラ
等が必要になるという欠点を有していた。また、ハイブ
リッド構成のものにおいては、その形状の小型化という
点においても不利となる問題があった。
は、各波長帯によって光の出射位置が異なり、発光出力
を同一の光ファイバに入射するためには、特殊なカプラ
等が必要になるという欠点を有していた。また、ハイブ
リッド構成のものにおいては、その形状の小型化という
点においても不利となる問題があった。
この発明は上述した問題点に鑑みてなされたもので、単
一素子で２つの波長帯による発光を行うことができると
ともに、出力光の出射位置を各波長帯とも等しくするこ
とができる半導体レーザを提供することを目的としてい
る。
一素子で２つの波長帯による発光を行うことができると
ともに、出力光の出射位置を各波長帯とも等しくするこ
とができる半導体レーザを提供することを目的としてい
る。
「問題点を解決するための手段」 この発明は、第１クラッド層の上面の一側に設けられる
第１活性層と、前記第１クラッド層の上面の他側に設け
られ、前記第１活性層とはバンドギャップ波長が異なる
とともに、前記第１活性層より大きな層厚を有する第２
活性層と、前記第１、第２活性層の各上面に設けられ、
これら各活性層のバンドギャップ波長より小さなバンド
ギャップ波長の導波路層と、この導波路層の上面に設け
られる第２クラッド層と、前記第１、第２クラッド層を
介して前記第１および第２活性層に選択的に電流注入を
行う電極とを具備することを特徴とする。
第１活性層と、前記第１クラッド層の上面の他側に設け
られ、前記第１活性層とはバンドギャップ波長が異なる
とともに、前記第１活性層より大きな層厚を有する第２
活性層と、前記第１、第２活性層の各上面に設けられ、
これら各活性層のバンドギャップ波長より小さなバンド
ギャップ波長の導波路層と、この導波路層の上面に設け
られる第２クラッド層と、前記第１、第２クラッド層を
介して前記第１および第２活性層に選択的に電流注入を
行う電極とを具備することを特徴とする。
「作用」 前記第１、第２の活性層が各々の組成波長によって選択
的に発光するとともに、前記導波路層が各波長の光に対
して共通の共振器として使用されるので、出力光の出射
位置が各波長とも等しくなる。
的に発光するとともに、前記導波路層が各波長の光に対
して共通の共振器として使用されるので、出力光の出射
位置が各波長とも等しくなる。
「実施例」 以下、図面を参照してこの発明の実施例について説明す
る。
る。
第１図は、この発明の一実施例の構成を示す断面図であ
る。
る。
第１図において１は、下端面に全面電極２が設けられて
いる第１クラッド層であり、p−ＩnＰによって構成され
ている。次に、３はバンドギャップ波長λg＝1.5μｍの
ＩnＧaＡsＰからなっている第１活性層であり、第１ク
ラッド層１の上面の左側に積層されている。４はλg＝
1.3μｍのＩnＧaＡsＰからなっている第２活性層であ
り、第１クラッド層１の上面の右側に第１活性層より厚
く積層されている。５はλg＝1.15μｍのＩnＧaＡsＰか
らなっている導波路層であり、第１活性層３および第２
活性層４の上面に積層されている。６はn−ＩnＰによっ
て構成されている第２クラッド層であり、導波路層５の
上にその上端面が水平方向に平坦となるように積層され
ている。７は、第１活性層３の上方に対応する部分の第
２クラッド層６の上面に設けられている電極であり、８
は、第２活性層４の上方に対応する部分の第２クラッド
層６の上面に設けられている電極である。
いる第１クラッド層であり、p−ＩnＰによって構成され
ている。次に、３はバンドギャップ波長λg＝1.5μｍの
ＩnＧaＡsＰからなっている第１活性層であり、第１ク
ラッド層１の上面の左側に積層されている。４はλg＝
1.3μｍのＩnＧaＡsＰからなっている第２活性層であ
り、第１クラッド層１の上面の右側に第１活性層より厚
く積層されている。５はλg＝1.15μｍのＩnＧaＡsＰか
らなっている導波路層であり、第１活性層３および第２
活性層４の上面に積層されている。６はn−ＩnＰによっ
て構成されている第２クラッド層であり、導波路層５の
上にその上端面が水平方向に平坦となるように積層され
ている。７は、第１活性層３の上方に対応する部分の第
２クラッド層６の上面に設けられている電極であり、８
は、第２活性層４の上方に対応する部分の第２クラッド
層６の上面に設けられている電極である。
上記半導体レーザを製造する場合は、まず、第１クラッ
ド層１上の全域に、第１活性層３または第２活性層４の
いずれか一方の層を成長させ、この成長させた層の右側
または左側をエッチングにより除去し、その後に他方の
層を全面域で成長させる。そして、前記一方の層が露出
するように他方の片側を除去すると、第１活性層３と第
２活性層４が活性する。そして、その後において、第１
活性層３および第２活性層４の各上面に導波路層５を成
長させ、次いで、導波路層５の上面に第２クラッド層を
成長させ、電極２，７，８を取り付けると一連の製造工
程が終了する。
ド層１上の全域に、第１活性層３または第２活性層４の
いずれか一方の層を成長させ、この成長させた層の右側
または左側をエッチングにより除去し、その後に他方の
層を全面域で成長させる。そして、前記一方の層が露出
するように他方の片側を除去すると、第１活性層３と第
２活性層４が活性する。そして、その後において、第１
活性層３および第２活性層４の各上面に導波路層５を成
長させ、次いで、導波路層５の上面に第２クラッド層を
成長させ、電極２，７，８を取り付けると一連の製造工
程が終了する。
上記構成において、電極２と電極７との間に通電に行う
と、注入電流のほとんどが第１活性層３を流れるため、
この第１活性層３から波長1.5μｍの光が発生する。こ
の場合、第１活性層３の組成波長が第２活性層４及び導
波路層５により大きいため、第１活性層３で発生した1.
5μｍの光りは、第２活性層及び導波路層で吸収される
ことなく端面まで導波され、ファブリペローモードで共
振し、1.5μｍのレーザ発振を行う。
と、注入電流のほとんどが第１活性層３を流れるため、
この第１活性層３から波長1.5μｍの光が発生する。こ
の場合、第１活性層３の組成波長が第２活性層４及び導
波路層５により大きいため、第１活性層３で発生した1.
5μｍの光りは、第２活性層及び導波路層で吸収される
ことなく端面まで導波され、ファブリペローモードで共
振し、1.5μｍのレーザ発振を行う。
一方、電極２と電極８との間に通電を行うと、注入電流
のほとんどが第２活性層４を流れるため、第２活性層４
からは1.3μｍの光が発生する。このとき、1.3μの光に
対し第１活性層３は吸収層として働くので、第１活性層
３の層厚を薄くし、光閉じ込め係数が小さくなるように
設計すると、1.3μｍの光は、第１活性層３上の導波路
層を伝搬して端面にまで達し、ファブリペローモードで
レーザ発振を行う。
のほとんどが第２活性層４を流れるため、第２活性層４
からは1.3μｍの光が発生する。このとき、1.3μの光に
対し第１活性層３は吸収層として働くので、第１活性層
３の層厚を薄くし、光閉じ込め係数が小さくなるように
設計すると、1.3μｍの光は、第１活性層３上の導波路
層を伝搬して端面にまで達し、ファブリペローモードで
レーザ発振を行う。
そして、上述したことから判るように、波長1.5μｍで
発振を行う場合も、1.3μｍで発振を行う場合も共に導
波路層５を共通の共振器として使用するので、レーザ出
力光の出射位置が両波長とも等しくなる。
発振を行う場合も、1.3μｍで発振を行う場合も共に導
波路層５を共通の共振器として使用するので、レーザ出
力光の出射位置が両波長とも等しくなる。
なお、上記実施例において、第１活性層３と導波層５と
の間、および第２活性層と導波層５との間に、各々結晶
成長時の活性層保護のために薄膜のＩnＰ保護層を設け
るようにしてもよい。
の間、および第２活性層と導波層５との間に、各々結晶
成長時の活性層保護のために薄膜のＩnＰ保護層を設け
るようにしてもよい。
また、第１クラッド層を基板とバッファ層との２層によ
って構成してもよい。
って構成してもよい。
「発明の効果」 以上説明したように、この発明によれば、第１クラッド
層の上面の一側に設けられる第１活性層と、前記第１ク
ラッド層の上面の他側に設けられ、前記第１活性層とは
バンドギャップ波長が異なるとともに、前記第１活性層
より大きな層厚を有する第２活性層と、前記第１、第２
活性層の各上面に設けられ、これら各活性層のバンドギ
ャップ波長より小さなバンドギャップ波長の導波路層
と、この導波路層の上面に設けられる第２クラッド層
と、前記第１、第２クラッド層を介して前記第１および
第２活性層に選択的に電流注入を行う電極とを具備する
ようにしため、単一素子で２つの波長帯による発光を行
うことができるとともに、出力光の出射位置を各波長帯
とも等しくすることできるという利点が得られる。
層の上面の一側に設けられる第１活性層と、前記第１ク
ラッド層の上面の他側に設けられ、前記第１活性層とは
バンドギャップ波長が異なるとともに、前記第１活性層
より大きな層厚を有する第２活性層と、前記第１、第２
活性層の各上面に設けられ、これら各活性層のバンドギ
ャップ波長より小さなバンドギャップ波長の導波路層
と、この導波路層の上面に設けられる第２クラッド層
と、前記第１、第２クラッド層を介して前記第１および
第２活性層に選択的に電流注入を行う電極とを具備する
ようにしため、単一素子で２つの波長帯による発光を行
うことができるとともに、出力光の出射位置を各波長帯
とも等しくすることできるという利点が得られる。
第１図はこの発明の一実施例の構成を示す断面図、第２
図は従来の２波長帯発光レーザの構成を示す断面図であ
る。 １……第１クラッド層、２……全面電極、３……第１活
性層、４……第２活性層、５……導波路層、６……第２
クラッド層、７，８……電極。
図は従来の２波長帯発光レーザの構成を示す断面図であ
る。 １……第１クラッド層、２……全面電極、３……第１活
性層、４……第２活性層、５……導波路層、６……第２
クラッド層、７，８……電極。
Claims (1)
- 【請求項１】第１クラッド層の上面の一側に設けられる
第１活性層と、前記第１クラッド層の上面の他側に設け
られ、前記第１活性層とはバンドギャップ波長が異なる
とともに、前記第１活性層より大きな層厚を有する第２
活性層と、前記第１、第２活性層の各上面に設けられ、
これら各活性層のバンドギャップ波長より小さなバンド
ギャップ波長の導波路層と、この導波路層の上面に設け
られる第２クラッド層と、前記第１、第２クラッド層を
介して前記第１および第２活性層に選択的に電流注入を
行う電極とを具備することを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61065113A JPH0632342B2 (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61065113A JPH0632342B2 (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62221185A JPS62221185A (ja) | 1987-09-29 |
| JPH0632342B2 true JPH0632342B2 (ja) | 1994-04-27 |
Family
ID=13277513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61065113A Expired - Lifetime JPH0632342B2 (ja) | 1986-03-24 | 1986-03-24 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0632342B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111969415B (zh) * | 2020-10-20 | 2021-01-26 | 武汉敏芯半导体股份有限公司 | 一种宽谱多波长法布里-珀罗激光器 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6123384A (ja) * | 1984-07-11 | 1986-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | 多重波長半導体レ−ザ |
| JPS62170907A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-28 | Hitachi Ltd | 集積化発光素子 |
-
1986
- 1986-03-24 JP JP61065113A patent/JPH0632342B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62221185A (ja) | 1987-09-29 |
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