JPH06317536A - Foreign matter inspection - Google Patents
Foreign matter inspectionInfo
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- JPH06317536A JPH06317536A JP28299293A JP28299293A JPH06317536A JP H06317536 A JPH06317536 A JP H06317536A JP 28299293 A JP28299293 A JP 28299293A JP 28299293 A JP28299293 A JP 28299293A JP H06317536 A JPH06317536 A JP H06317536A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は異物検査技術に関し、特
に、素子パターンが形成された半導体ウェハに付着した
異物の検査において、素子パターンと異物の各検出信号
を明確に区別して精度の高い検査を行うことのできる異
物検査技術に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a foreign substance inspection technique, and more particularly, in the inspection of a foreign substance adhered to a semiconductor wafer having an element pattern formed thereon, the detection signals of the element pattern and the foreign substance can be clearly distinguished from each other to achieve a highly accurate inspection. The present invention relates to a foreign material inspection technique capable of performing
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体ウェハに形成される素子パターン
はウェハ上に付着した異物によってパターンの欠陥が発
生することが多く、このためパターンを形成していない
ウェハの異物を検出することが行われる。しかしなが
ら、パターンを形成していないウェハの検査では、実際
の製造工程における異物の付着やパターン欠陥を正しく
検査することはできず、検査精度の低いものになる。2. Description of the Related Art A defect of a pattern of an element pattern formed on a semiconductor wafer is often caused by a foreign substance attached on the wafer. Therefore, the foreign substance on the wafer on which the pattern is not formed is detected. However, in the inspection of a wafer on which no pattern is formed, it is not possible to correctly inspect for adhesion of foreign matters and pattern defects in the actual manufacturing process, and the inspection accuracy becomes low.
【０００３】このため、所定の工程を経てパターン形成
されたウェハ上の実際の異物欠陥を検査する試みがなさ
れている。この方法は、パターンを検査したときの検出
信号を所定の方式で処理し、その時に検出される特異な
信号（通常のパターン検出信号に比較してピーク形状の
鋭い信号）を異物による欠陥として検出する方法であ
る。Therefore, attempts have been made to inspect actual foreign matter defects on a wafer formed by a pattern through a predetermined process. This method processes a detection signal when a pattern is inspected by a predetermined method, and detects a peculiar signal detected at that time (a signal having a sharp peak shape compared to a normal pattern detection signal) as a defect due to a foreign substance. Is the way to do it.
【０００４】なお、ウェハ上における異物等による欠陥
検査について記載されているものとして、株式会社プレ
スジャーナル社発行「セミコンダクタワールド（Semico
nductor World)」１９８４年６月号、Ｐ１１２〜１１９
がある。Incidentally, as a description of the defect inspection on the wafer due to foreign matter, etc., "Semiconductor World (Semico World)" issued by Press Journal Co., Ltd.
nductor World) "June 1984 issue, P112-119
There is.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この方
法ではパターンの一部の形状部において通常とは異なっ
た状態で検出される信号と、前述のパターン欠陥に伴う
特異な信号とを区別することができず、正常パターンを
欠陥パターンとして検出してしまう等、半導体装置の製
造歩留りの点で好ましくない結果が生じ易い。特定のパ
ターン形状箇所において必ず発生するようなものではな
く、検査装置の種類やその時々の検査条件等により変化
され、これを一義的に設定することは難しく、したがっ
て、これら信号を明確に区別することは極めて困難であ
る。However, in this method, it is possible to distinguish between a signal detected in an abnormal state in a part of a pattern and a peculiar signal associated with the above-mentioned pattern defect. This is not possible, and a normal pattern is detected as a defective pattern, which is not preferable in terms of manufacturing yield of semiconductor devices. It does not always occur at a specific pattern shape location, but it changes depending on the type of inspection equipment and the inspection conditions at each time, so it is difficult to set this uniquely, and therefore these signals are clearly distinguished. Is extremely difficult.
【０００６】本発明の目的は、素子パターンが形成され
た半導体ウェハにおける異物検査を高精度に行うことが
可能な異物検査技術を提供することにある。An object of the present invention is to provide a foreign matter inspection technique capable of highly accurately performing a foreign matter inspection on a semiconductor wafer having an element pattern formed thereon.
【０００７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。Among the inventions disclosed in the present application, a brief description will be given to the outline of typical ones.
It is as follows.
【０００９】すなわち、請求項１記載の発明は、素子パ
ターンが形成された半導体ウェハの異物検査方法におい
て、半導体ウェハからのパターン信号を検出しかつこれ
を処理して特異な信号を求める第１の段階と、この特異
な信号の位置情報を半導体ウェハにおける素子パターン
の繰り返しピッチ寸法を基準として比較し、ピッチ寸法
と所定の関係にある特異信号を抽出する第２の段階と、
第２の段階で抽出された特異信号を、第１の段階で得ら
れた特異な信号から取り除いて残りの信号を出力する第
３の段階とを実行するものである。That is, according to the first aspect of the invention, in a foreign matter inspection method for a semiconductor wafer on which an element pattern is formed, a first signal is detected by processing a pattern signal from the semiconductor wafer and processing it to obtain a unique signal. And a second step of comparing positional information of the peculiar signal with reference to the repeating pitch dimension of the element pattern on the semiconductor wafer, and extracting a peculiar signal having a predetermined relationship with the pitch dimension,
And the third step of removing the singular signal extracted in the second step from the singular signal obtained in the first step and outputting the remaining signal.
【００１０】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の異物検査方法において、第２の段階では、特異信号
の座標位置が素子パターンのピッチ寸法の整数倍の関係
にあるものを抽出するものである。Further, in the second aspect of the present invention, in the foreign matter inspection method according to the first aspect, in the second step, the coordinate position of the peculiar signal is in a relation of an integral multiple of the pitch dimension of the element pattern. To do.
【００１１】また、請求項３記載の発明は、請求項１記
載の異物検査方法において、第１の段階では、半導体ウ
ェハを回転させ、当該半導体ウェハを周方向に走査して
パターン信号を検出し、位置情報として極座標位置を求
めるものである。According to a third aspect of the present invention, in the foreign matter inspection method according to the first aspect, in the first step, the semiconductor wafer is rotated and the semiconductor wafer is scanned in the circumferential direction to detect a pattern signal. The polar coordinate position is obtained as the position information.
【００１２】また、請求項４記載の発明は、請求項１記
載の異物検査方法において、複数の同種の半導体ウェハ
の検査を行う場合、最先の半導体ウェハについてのみ第
２の段階を実行してピッチ寸法と所定の関係にある特異
信号の位置情報を抽出および記録し、次以降の半導体ウ
ェハについては、第２の段階を省略し、第３の段階で
は、最先の半導体ウェハから抽出および記録された特異
信号の位置情報を用いるようにしたものである。In the foreign matter inspection method according to the first aspect of the present invention, when a plurality of semiconductor wafers of the same type are inspected, the second step is executed only for the earliest semiconductor wafer. The position information of the peculiar signal having a predetermined relationship with the pitch dimension is extracted and recorded, the second and subsequent semiconductor wafers are omitted from the second step, and the third step is extracted and recorded from the earliest semiconductor wafer. The position information of the generated peculiar signal is used.
【００１３】[0013]
【作用】上記した本発明の異物検査技術によれば、たと
えば、半導体ウェハ上に所定のピッチで反復形成される
素子パターンの同一箇所で生じ易いパターン形状による
特異信号をその規則性を利用して判定して半導体ウェハ
におけるパターン形状に伴う特異な信号を抽出し、この
信号を全ての検出信号から除去することにより異物の信
号のみを検出することができるので、背景の素子パター
ンからの信号を考慮することなく、より低い閾値を設定
するなどして、より微細な異物を高精度で検出すること
が可能となる。According to the foreign matter inspection technique of the present invention described above, for example, by utilizing the regularity of the peculiar signal due to the pattern shape which is likely to occur at the same position of the element pattern repeatedly formed on the semiconductor wafer at a predetermined pitch. It is possible to detect only the foreign particle signal by making a judgment and extracting a peculiar signal associated with the pattern shape on the semiconductor wafer, and removing this signal from all detection signals, so the signal from the background element pattern is taken into consideration. Without doing so, it becomes possible to detect a finer foreign substance with high accuracy by setting a lower threshold value or the like.
【００１４】[0014]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings.
【００１５】（実施例１）図１は本発明の一実施例であ
る異物検査方法を実施する検査装置の構成の一例を示す
全体構成図である。(Embodiment 1) FIG. 1 is an overall configuration diagram showing an example of the configuration of an inspection apparatus for carrying out a foreign substance inspection method which is an embodiment of the present invention.
【００１６】同図において、１は被検査体としての半導
体ウェハで、その表面には複数個のチップに相当する素
子パターン２を枡目状に形成している。この半導体ウェ
ハ１はＸＹテーブル３等の移動テーブル上に載置され、
平面ＸＹ方向に移動される。また、前記半導体ウェハ１
の上方には詳細を省略する光学系４および光学素子５を
備えたパターン検出系６を配置しており、前記素子パタ
ーン２を走査しながらこれを電気信号として検出する。
そして、このパターン検出系６には信号処理系７を接続
し、異物の検査を行うことができる。In the figure, reference numeral 1 is a semiconductor wafer as an object to be inspected, and element patterns 2 corresponding to a plurality of chips are formed in a grid pattern on the surface thereof. The semiconductor wafer 1 is placed on a moving table such as an XY table 3,
It is moved in the plane XY direction. In addition, the semiconductor wafer 1
A pattern detection system 6 including an optical system 4 and an optical element 5 whose details are omitted is arranged above the above, and this is detected as an electric signal while scanning the element pattern 2.
A signal processing system 7 can be connected to the pattern detection system 6 to inspect foreign matters.
【００１７】前記信号処理系７は、前記パターン検出系
６に直接接続されて検出された信号を処理しかつこれか
らパターン検出信号に対して特異な信号を検出する検出
部８と、この検出された特異な信号をチップのピッチ寸
法を基準とした比較演算を行って、チップのピッチ寸法
と所定の関係にある信号のみを抽出しかつその座標位置
を求める演算部９と、この抽出された信号を前記検出さ
れた全ての信号から除去し、残りの信号のみを出力する
出力部１０とから構成している。The signal processing system 7 is directly connected to the pattern detection system 6 to process a detected signal and to detect a signal peculiar to the pattern detection signal, and the detected portion 8. The arithmetic operation unit 9 which performs a comparison operation on the peculiar signal based on the chip pitch dimension to extract only the signal having a predetermined relationship with the chip pitch dimension and obtains the coordinate position thereof, and the extracted signal The output unit 10 removes all the detected signals and outputs only the remaining signals.
【００１８】なお、前記演算部９および出力部１０には
記憶部１１を接続し、前記抽出された信号の座標位置や
残りの信号の座標位置を記憶する。A storage unit 11 is connected to the arithmetic unit 9 and the output unit 10 to store the coordinate position of the extracted signal and the coordinate position of the remaining signals.
【００１９】次に、前記構成の検査装置による異物検査
方法の作用の一例を説明する。Next, an example of the operation of the foreign substance inspection method by the inspection device having the above-mentioned structure will be described.
【００２０】ＸＹテーブル３上に半導体ウェハ１を載置
した後、パターン検出系６を動作させ、通常と同様に半
導体ウェハ１上に素子パターン２を走査しながら光学素
子５によって素子パターン２を電気信号として検出す
る。検出したパターン信号は検出部８において、たとえ
ば所定の値に設定されているしきい値と比較され、パタ
ーンに相当する信号と、そうではない信号、つまり特異
信号とが区別される。本例では、図２のように、半導体
ウェハ１上の複数個の箇所において特異信号を検出で
き、これらの特異信号の夫々の座標位置を検出する（第
１の段階）。After the semiconductor wafer 1 is placed on the XY table 3, the pattern detection system 6 is operated, and the element pattern 2 is electrically driven by the optical element 5 while scanning the element pattern 2 on the semiconductor wafer 1 as usual. Detect as a signal. The detected pattern signal is compared in the detection unit 8 with a threshold value set to a predetermined value, for example, and a signal corresponding to the pattern is distinguished from a signal not corresponding to the pattern, that is, a peculiar signal. In this example, as shown in FIG. 2, peculiar signals can be detected at a plurality of locations on the semiconductor wafer 1, and the coordinate positions of these peculiar signals are detected (first step).
【００２１】そして、この特異な信号Ｓ1 ，Ｓ2 ・・・
Ｓn の座標位置は演算部９に送出され、ここで同図のよ
うにチップのピッチ寸法ｐを基準とした比較が行われ
る。つまり、前記特異信号の中の１つの特異信号Ｓ1 の
座標位置（Ｘ１，Ｙ１）を基準として他の特異信号
Ｓ2 ，Ｓ3 ・・・Ｓn の座標位置（Ｘ２，Ｙ２），（Ｘ
３，Ｙ３）・・・（Ｘｎ，Ｙｎ）との相対距離をＸ，Ｙ
方向夫々について計算し、夫々の距離Ｌ1 ，Ｌ2 ・・・
Ｌn を前記ピッチｐと比較させる。この場合、Ｘ軸方向
とＹ軸方向とでピッチ寸法が異なる場合には夫々対応す
る寸法での比較を行うことが肝要である。そして、この
比較により、夫々の距離がピッチｐの整数倍の関係にあ
る座標位置の信号のみを抽出する。このとき、基準とし
た特異信号Ｓ1以外の２〜３の信号についても、これを
基準とした他の信号との距離の算出およびそれとピッチ
ｐとの比較を行い、ピッチｐと整数倍の関係となる全て
の特異信号を抽出する。このようにして抽出した信号
は、チップ寸法に対応して繰り返されており、その発生
に規則性があるため、素子パターン２上の特定パターン
によって発生される特徴付けられた特異信号であること
は明白である。この特異信号およびその座標位置は記憶
部１１に記憶させておくことが好ましい（第２の段
階）。Then, these peculiar signals S 1 , S 2 ...
The coordinate position of S n is sent to the calculation unit 9, where the comparison is performed based on the chip pitch dimension p as shown in FIG. That is, the coordinate position of the other specific signals S 2, S 3 ··· S n as a specific signal coordinate position (X1, Y1), relative to the start of the S 1 in the specific signal (X2, Y2), (X
3, Y3) ... (Xn, Yn) relative distance is X, Y
Calculation is performed for each direction, and the respective distances L 1 , L 2 ...
L n is compared with the pitch p. In this case, when the pitch dimensions are different in the X-axis direction and the Y-axis direction, it is important to perform comparison with corresponding dimensions. Then, by this comparison, only the signals at the coordinate positions in which the respective distances are in an integral multiple of the pitch p are extracted. At this time, with respect to a few signals other than the specific signal S 1 used as the reference, the distances to other signals using this reference are calculated and compared with the pitch p, and the relationship between the pitch p and an integer multiple is calculated. Extract all singular signals that The signal extracted in this way is repeated corresponding to the chip size, and its generation is regular, so that it is not a characterized peculiar signal generated by a specific pattern on the element pattern 2. It's obvious. This unique signal and its coordinate position are preferably stored in the storage unit 11 (second step).
【００２２】次いで、出力部１０では、検出部８で検出
した全ての信号と、この特異信号とを比較しかつ両者の
差をとることにより、パターン形状が原因とされる特異
信号が除去された信号、つまり規則性のない信号のみが
残され、これが出力される。したがって、この出力され
た信号は異物により発生した特異信号であり、この信号
の座標位置を確認することにより半導体ウェハ１におけ
る異物ないし異物によるパターン欠陥を検査することが
できる（第３の段階）。Next, in the output section 10, all the signals detected by the detection section 8 are compared with this peculiar signal and the difference between them is taken to remove the peculiar signal caused by the pattern shape. Only the signal, ie the signal with no regularity, is left and output. Therefore, the output signal is a peculiar signal generated by the foreign matter, and the foreign matter or the pattern defect due to the foreign matter on the semiconductor wafer 1 can be inspected by confirming the coordinate position of this signal (third stage).
【００２３】なお、この残された信号およびその座標位
置は記憶部１１に記憶しておく。The remaining signal and its coordinate position are stored in the storage unit 11.
【００２４】ところで、たとえば、同種の複数の半導体
ウェハ１の検査を行う場合、全ての半導体ウェハ１に対
して前述の第１〜第３の段階からなる検査工程を行う必
要はなく、最先の半導体ウェハ１についてのみ第１〜第
３の段階からなる検査工程を行い、次以降の半導体ウェ
ハ１については、最初の半導体ウェハ１における第２の
段階で得られ、記憶部１１に記憶されたデータ（背景の
素子パターン２からの特異信号の座標情報）を利用する
ことにより、第２の段階を省略してもよい。これによ
り、検査の迅速化を図ることができる。By the way, for example, when inspecting a plurality of semiconductor wafers 1 of the same type, it is not necessary to perform the inspecting steps consisting of the above-mentioned first to third steps on all the semiconductor wafers 1, and the earliest step is performed. The inspection process including the first to third stages is performed only on the semiconductor wafer 1, and for the subsequent semiconductor wafers 1, the data obtained in the second stage of the first semiconductor wafer 1 and stored in the storage unit 11. The second step may be omitted by using (coordinate information of the peculiar signal from the background element pattern 2). This makes it possible to speed up the inspection.
【００２５】このように、本実施例の異物検査方法によ
れば、既に素子パターン２を形成した半導体ウェハ１に
対しても異物検査を行うことができるので、製造工程を
経た実際の異物付着状態やその欠陥状態を検査でき、正
確な検査情報が得られて現実の不良対策上極めて有効と
なる。As described above, according to the foreign matter inspection method of the present embodiment, the foreign matter inspection can be performed on the semiconductor wafer 1 on which the element pattern 2 has already been formed. And its defect state can be inspected, and accurate inspection information can be obtained, which is extremely effective in actual countermeasures against defects.
【００２６】（実施例２）ここで、半導体ウェハ１のパ
ターン検査における走査方法として図３のような回転走
査方式を用いることもできる。すなわち、同図のように
半導体ウェハ１をＸＹテーブル３上で回転させると共
に、パターン検出系６を一方向（たとえばＸ方向）に往
復走査させ、パターン検出信号を回転角度θと半径ｒと
の極座標で求めることができる。そして、検出した信号
の中の特異信号は、図４に示す処理回路２０で前例と同
様にＸ，Ｙ座標として算出され、さらに同様にして異物
による特異信号のみを出力することができる。(Embodiment 2) Here, as the scanning method in the pattern inspection of the semiconductor wafer 1, the rotary scanning method as shown in FIG. 3 can be used. That is, as shown in the figure, the semiconductor wafer 1 is rotated on the XY table 3, and the pattern detection system 6 is reciprocally scanned in one direction (for example, the X direction), and the pattern detection signal is represented by polar coordinates of the rotation angle θ and the radius r. Can be found at. Then, the peculiar signal in the detected signals is calculated as X and Y coordinates by the processing circuit 20 shown in FIG. 4 as in the previous example, and only the peculiar signal due to the foreign matter can be output in the same manner.
【００２７】なお、図４では、前例の検査によって得ら
れて記憶部１１に記憶されている規則性のある特異信号
の座標情報を利用し、これを比較器２１，２２において
Ｘ，Ｙ方向について比較しかつゲート２３によって両者
の論理積をとることにより、異物および異物による欠陥
を検査することができる。図中、Ｘa ，Ｙa は半導体ウ
ェハ１の真の中心に対するウェハ回転中心の変位置であ
り、得られた極座標信号をＸＹ座標に変換する際の補正
信号として用いられ、またＸi ，Ｙi は先に検出された
規則性のある特異信号の座標位置であり、比較器２１，
２２における比較信号として用いられる。In FIG. 4, the coordinate information of the peculiar singular signal obtained by the inspection of the previous example and stored in the storage unit 11 is used, and this is used in the comparators 21 and 22 in the X and Y directions. By making a comparison and taking the logical product of both by the gate 23, it is possible to inspect the foreign substance and the defect due to the foreign substance. In the figure, X a and Y a are displacement positions of the wafer rotation center with respect to the true center of the semiconductor wafer 1, and are used as correction signals when the obtained polar coordinate signal is converted into XY coordinates, and X i and Y a are also used. i is the coordinate position of the previously detected regular singular signal, and the comparator 21,
It is used as a comparison signal in 22.
【００２８】この極座標による半導体ウェハパターンの
検出方式では、信号検出を容易にかつ高速にでき、検査
時間の短縮および検査精度の向上を図ることができる。In this semiconductor wafer pattern detection method using polar coordinates, signal detection can be performed easily and at high speed, and inspection time can be shortened and inspection accuracy can be improved.
【００２９】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the embodiments and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.
【００３０】[0030]
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
It is as follows.
【００３１】(1).素子パターンが形成された半導体ウェ
ハの異物検査方法において、前記半導体ウェハからのパ
ターン信号を検出しかつこれを処理して特異な信号を求
める第１の段階と、この特異な信号の位置情報を前記半
導体ウェハにおける前記素子パターンの繰り返しピッチ
寸法を基準として比較し、前記ピッチ寸法と所定の関係
にある特異信号を抽出する第２の段階と、前記第２の段
階で抽出された前記特異信号を、前記第１の段階で得ら
れた前記特異な信号から取り除いて残りの信号を出力す
る第３の段階とを実行するので、下地の素子パターン形
状によりノイズとして生ずる特異信号と、異物により生
ずる特異信号とを明確に区別でき、パターンを形成した
ウェハにおいても異物の検査を正確かつ高精度に行うこ
とができる。(1). In the foreign matter inspection method for a semiconductor wafer on which an element pattern is formed, a first step of detecting a pattern signal from the semiconductor wafer and processing it to obtain a unique signal, and the unique step Position information of various signals is compared with the repeating pitch dimension of the element pattern on the semiconductor wafer as a reference, and a peculiar signal having a predetermined relationship with the pitch dimension is extracted, and extraction is performed in the second step. The third step of removing the generated unique signal from the unique signal obtained in the first step and outputting the remaining signal is performed, so that the unique signal generated as noise due to the underlying element pattern shape And the peculiar signal generated by the foreign matter can be clearly distinguished, and the foreign matter can be accurately and accurately inspected even on the wafer on which the pattern is formed.
【００３２】(2).素子パターン形成後の半導体ウェハに
おいても異物検査を正確に行うことができるので、製造
工程を経た後の状態における真の異物検査を実現でき、
不良対策等に迅速に対応することができる。(2) Since the foreign matter inspection can be performed accurately even on the semiconductor wafer after the element pattern is formed, the true foreign matter inspection in the state after the manufacturing process can be realized,
It is possible to quickly deal with defects and the like.
【００３３】(3).パターンの検出に極座標方式を用いて
も異物の検査を可能として、検査速度の向上を図ること
ができる。(3) Foreign matter can be inspected even if a polar coordinate system is used for pattern detection, and the inspection speed can be improved.
【００３４】(4).同種の複数の半導体ウェハについて検
査を行う場合、二枚目以降の半導体ウェハについては、
第２の段階を省略できるので、異物検査の迅速化を達成
できる。(4). When inspecting a plurality of semiconductor wafers of the same type, for the second and subsequent semiconductor wafers,
Since the second step can be omitted, the foreign matter inspection can be speeded up.
【図１】本発明の一実施例である異物検査方法が実施さ
れる検査装置の全体構成図である。FIG. 1 is an overall configuration diagram of an inspection apparatus in which a foreign matter inspection method according to an embodiment of the present invention is implemented.
【図２】本発明の一実施例である異物検査方法の作用の
一例を説明するためのウェハ表面の模式図である。FIG. 2 is a schematic view of a wafer surface for explaining an example of the operation of the foreign matter inspection method according to the embodiment of the present invention.
【図３】本発明の他の実施例である異物検査方法の作用
の一例を説明するための概念図である。FIG. 3 is a conceptual diagram for explaining an example of the operation of a foreign matter inspection method that is another embodiment of the present invention.
【図４】本発明の他の実施例である異物検査方法を実現
するための処理回路の一例を示すブロック図である。FIG. 4 is a block diagram showing an example of a processing circuit for realizing a foreign matter inspection method according to another embodiment of the present invention.
１ 半導体ウェハ ２ 素子パターン ３ ＸＹテーブル ４ 光学系 ５ 光学素子 ６ パターン検出系 ７ 信号処理系 ８ 検出部 ９ 演算部 １０ 出力部 １１ 記憶部 ２０ 処理回路 ２１ 比較器 ２２ 比較器 ２３ ゲート 1 Semiconductor Wafer 2 Element Pattern 3 XY Table 4 Optical System 5 Optical Element 6 Pattern Detection System 7 Signal Processing System 8 Detecting Section 9 Computing Section 10 Output Section 11 Storage Section 20 Processing Circuit 21 Comparator 22 Comparator 23 Gate
Claims (4)
の異物検査方法であって、前記半導体ウェハからのパタ
ーン信号を検出しかつこれを処理して特異な信号を求め
る第１の段階と、この特異な信号の位置情報を前記半導
体ウェハにおける前記素子パターンの繰り返しピッチ寸
法を基準として比較し、前記ピッチ寸法と所定の関係に
ある特異信号を抽出する第２の段階と、前記第２の段階
で抽出された前記特異信号を、前記第１の段階で得られ
た前記特異な信号から取り除いて残りの信号を出力する
第３の段階とからなることを特徴とする異物検査方法。1. A method for inspecting a semiconductor wafer on which an element pattern is formed, the first step of detecting a pattern signal from the semiconductor wafer and processing the pattern signal to obtain a unique signal, and the unique step. Position information of various signals is compared with the repeating pitch dimension of the element pattern on the semiconductor wafer as a reference, and a peculiar signal having a predetermined relationship with the pitch dimension is extracted, and extraction is performed in the second step. The third step of removing the generated unique signal from the unique signal obtained in the first step and outputting the remaining signal.
の座標位置が前記素子パターンの前記ピッチ寸法の整数
倍の関係にあるものを抽出することを特徴とする請求項
１記載の異物検査方法。2. The foreign matter inspection method according to claim 1, wherein in the second step, a coordinate position of the peculiar signal is extracted that has a relation of an integral multiple of the pitch dimension of the element pattern. .
ェハを回転させ、当該半導体ウェハを周方向に走査して
前記パターン信号を検出し、前記位置情報として極座標
位置を求めることを特徴とする請求項１記載の異物検査
方法。3. In the first step, the semiconductor wafer is rotated, the semiconductor wafer is scanned in the circumferential direction to detect the pattern signal, and a polar coordinate position is obtained as the position information. Item 1. The foreign matter inspection method according to item 1.
おいて、最先の半導体ウェハについてのみ前記第２の段
階を実行して前記ピッチ寸法と所定の関係にある特異信
号の位置情報を抽出および記録し、次以降の前記半導体
ウェハについては、前記第２の段階を省略し、前記第３
の段階では、最先の前記半導体ウェハから抽出および記
録された前記特異信号の位置情報を用いることを特徴と
する請求項１記載の異物検査方法。4. In the inspection of a plurality of the same kind of semiconductor wafers, the second step is executed only for the earliest semiconductor wafer to extract and record the position information of the peculiar signal having a predetermined relationship with the pitch dimension. However, with respect to the subsequent semiconductor wafers, the second step is omitted, and the third wafer is omitted.
2. The foreign matter inspection method according to claim 1, wherein the position information of the peculiar signal extracted and recorded from the earliest semiconductor wafer is used in the step.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP5282992A JPH087154B2 (en) | 1993-11-12 | 1993-11-12 | Foreign matter inspection method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5282992A JPH087154B2 (en) | 1993-11-12 | 1993-11-12 | Foreign matter inspection method |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60095482A Division JPH0680418B2 (en) | 1985-05-07 | 1985-05-07 | Foreign matter inspection device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06317536A true JPH06317536A (en) | 1994-11-15 |
| JPH087154B2 JPH087154B2 (en) | 1996-01-29 |
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ID=17659812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5877035A (en) * | 1995-02-14 | 1999-03-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Analyzing method and apparatus for minute foreign substances, and manufacturing methods for manufacturing semiconductor device and liquid crystal display device using the same |
| US6124142A (en) * | 1995-02-14 | 2000-09-26 | Seiko Instruments, Inc. | Method for analyzing minute foreign substance elements |
Citations (1)
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| JPS61253448A (en) * | 1985-05-07 | 1986-11-11 | Hitachi Ltd | Foreign matter inspecting device |
-
1993
- 1993-11-12 JP JP5282992A patent/JPH087154B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61253448A (en) * | 1985-05-07 | 1986-11-11 | Hitachi Ltd | Foreign matter inspecting device |
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| US5877035A (en) * | 1995-02-14 | 1999-03-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Analyzing method and apparatus for minute foreign substances, and manufacturing methods for manufacturing semiconductor device and liquid crystal display device using the same |
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| US6255127B1 (en) | 1995-02-14 | 2001-07-03 | Seiko Instruments Inc. | Analyzing method and apparatus for minute foreign substances, and manufacturing methods for manufacturing semiconductor device and liquid crystal display device using the same |
| US6355495B1 (en) | 1995-02-14 | 2002-03-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for analyzing minute foreign substance, and process for semiconductor elements or liquid crystal elements by use thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH087154B2 (en) | 1996-01-29 |
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