JPH0631163U - 半導体レーザユニット - Google Patents
半導体レーザユニットInfo
- Publication number
- JPH0631163U JPH0631163U JP4015693U JP4015693U JPH0631163U JP H0631163 U JPH0631163 U JP H0631163U JP 4015693 U JP4015693 U JP 4015693U JP 4015693 U JP4015693 U JP 4015693U JP H0631163 U JPH0631163 U JP H0631163U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- diffraction grating
- case
- upper case
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- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】
【目的】汎用性の高い半導体レーザを提供し、これによ
って回折格子を用いたスリービーム法の光ピックアップ
の部品点数の削減、低コスト化を実現することを目的と
する。 【構成】半導体レーザを収納する上ケースと下ケースに
おいて、窓部に回折格子15を備えた上ケース16と透
明ガラス17を備えた上ケース18を下ケース14と着
脱可能な構成とした。上ケースの筒部内側にメネジ、下
ケースの筒部外側にはオネジが切られている。
って回折格子を用いたスリービーム法の光ピックアップ
の部品点数の削減、低コスト化を実現することを目的と
する。 【構成】半導体レーザを収納する上ケースと下ケースに
おいて、窓部に回折格子15を備えた上ケース16と透
明ガラス17を備えた上ケース18を下ケース14と着
脱可能な構成とした。上ケースの筒部内側にメネジ、下
ケースの筒部外側にはオネジが切られている。
Description
【0001】
本考案は半導体レーザに関する。特に光ピックアップ用半導体レーザに関する 。
【0002】
近年、光学式ビデオディスク、ディジタルオーディオディスクが実用化され、 そのプレーヤにおいては、光ピックアップに半導体レーザが使われている。
【0003】 半導体レーザを用いた光ピックアップには種々なタイプが考案、実用化されて いるが、現在最も普及しているのは3B(スリービーム)法といわれるているも のである。
【0004】 図1に3B法の光学系を示す。光学部品の配置の仕方は一意的でなく、例とし て(a)、(b)の2通りを挙げた。(a)、(b)において同じ数字は同一部 品を示す。(a)について説明しよう。半導体レーザ1から出た光は回折格子2 によって3本のビームになる。これらは偏光ビームスプリッタ3によりP波のみ が通過し、コリメータレンズ4により平行光線となる。平行光線は4分の波長板 を通過して円偏光となり、対物レンズ6によりディスク7上にスポットを形成す る。
【0005】 ディスク7で反射した光は再び4分の波長板を通過し、偏光ビームスプリッタ 3へ入射する。このとき、光はS波となっているため反射し、シリンドカルレン ズ8を通過し受光素子9に達する。(b)の配置はコリメータレンズ4が半導体 レーザ1の隣りにきている点が(a)とは異なっているが、原理的には全く同じ である。
【0006】
【考案が解決しようとする課題】 3B法の部品点数は、上記の通り8種類である。現在のところ、例えばディジ タルオーディオディスクプレーヤにおいては、装置が比較的コンパクトであるに しては、ピックアップが大きく、装置内への組み込みに苦労している。また、従 来のレコードプレーヤに比べ、かなり値段も高くなっている。これらの原因の一 つは、ピックアップの寸法が大きいことと、そのコストが高いことである。
【0007】 そこで、本考案の目的は、小型、且つ、低コストを可能にする光ピックアップ 用半導体レーザを提供することである。
【0008】
(1)本考案の半導体レーザは、半導体レーザの光が出射する該半導体レーザ のケースの窓部分に回折格子を備えていることを特徴とする。
【0009】 (2)さらに、(1)において、半導体レーザ・チップがマウントされている 下ケースの筒部外側にオネジが切られていることと、前記回折格子もしくは透明 ガラスを前記窓部分に備えている上ケースの筒部内側にメネジが切られているこ とを特徴とする。
【0010】
図2は本考案の一具体例である。10は半導体レーザチップ、11はケース、 12は回折格子である。従来、12の部分は透明ガラスの窓であったが、光ピッ クアップの3B法は、必ず回折格子を使うので、透明ガラスを回折格子で置き換 えたのである。こうすることにより、部品点数が1つ減る。
【0011】 図3は本考案の他の具体例である。13は半導体レーザチップ、14は下ケー スで、図示の如く筒の部分にはオネジが切ってある。15は回折格子で16は上 ケースである。上ケース16の内側は下ケース14のネジに適合するようにメネ ジが切ってある。17は透明ガラス、18は下ケースである。この具体例では、 用途に応じて、透明ガラスの付いた上ケースを使うこともでき、回折格子の付い た上ケースを使うこともできる。図2の考案よりも汎用性が広い。
【0012】 本考案により、3B法の光ピックアップにおいて、部品点数が1つ減る、更に 、図1において偏光ビームスプリッタをハーフプリズムに置き換えて4分の波長 板を除く光学系にすると、部品点数は2点減る。この光学系は僅かに半導体レー ザへ戻し、雑音を抑制する場合に使われる。
【0013】 本考案により、3B法の光ピックアップにおいて、部品点数は1〜2点減り、 小型軽量化、低コスト化が可能となる。これにより、ディジタルオーディオディ スクプレーヤ、光学式ビデオディスクプレーヤの小型軽量化、低コスト化が可能 となる。
【0014】
以上、述べた通り、ケースの窓に回折格子を設けた半導体レーザを3B法ピッ クアップに使用すれば、光ピックアップの小型軽量化、低コスト化が可能となり 、その結果これを用いたプレーヤの小型軽量化、低コスト化も可能となる。
【提出日】平成5年8月23日
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0001
【補正方法】変更
【0001】
本考案は半導体レーザユニットに関する。特に光ピックアップ用半導体レーザユニット に関する。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0007
【補正方法】変更
【0007】 そこで、本考案の目的は、小型、且つ、低コストを可能にする光ピックアップ 用半導体レーザユニットを提供することである。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0008
【補正方法】変更
【0008】
(1)本考案の半導体レーザユニットは、半導体レーザの光が出射する前記半 導体レーザのケースの窓部分に回折格子を備えていることを特徴とする。
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0009
【補正方法】変更
【0009】 (2)さらに、(1)において、半導体レーザ・チップがマウントされている 下ケースと、前記回折格子を前記窓部分に備えている上ケースとを着脱可能な構 成とした ことを特徴とする。
【手続補正7】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0010
【補正方法】変更
【補正内容】
【0010】
図2は本考案の一具体例である。10は半導体レーザチップ、11はケース、 12は回折格子である。従来、12の部分は透明ガラスの窓であったが、光ピッ クアップの3B法は、必ず回折格子を使うので、透明ガラスを回折格子で置き換 えたのである。こうすることにより、部品点数が1つ減る。回折格子12のレー ザ光の透過する2つの面は平面であり、一方の面には一定周期の直線状の溝が備 えられている。従って、この回折格子はレンズ作用を有しない。また、格子溝は レーザ光の透過する領域よりも広い領域に形成されている。そのため、従来、透 明ガラスを窓部にとりつけていたときと同等の組立精度で容易に製造可能である 。また、ケースの出射光側の上面の面積を窓部分の面積より大きくして回折格子 を取り付け易くしている。
【手続補正8】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0011
【補正方法】変更
【0011】 図3は本考案の他の具体例である。13は半導体レーザチップ、14は下ケー スで、図示の如く筒の部分にはオネジが切ってある。15は回折格子で16は上 ケースである。上ケース16の内側は下ケース14のネジに適合するようにメネ ジが切ってある。17は透明ガラス、18は下ケースである。この具体例では、 用途に応じて、透明ガラスの付いた上ケースを使うこともでき、回折格子の付い た上ケースを使うこともできる。図2の考案よりも汎用性が広い。半導体レーザ ・チップと回折格子とは厳密な位置関係を必要としないので、回折格子付き上ケ ースを幾度装着しても位置誤差などが問題になることは無い。
【手続補正9】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0014
【補正方法】変更
【0014】
以上、述べた通り、本発明の半導体レーザユニットは、精密な光軸調整などは 必要とせずに製造できるので安価にできるという効果を有している。この半導体 レーザユニットを用いることにより光ピックアップの回折格子保持部材が不要に なるとともに、光ピックアップ自体の小型化、低コスト化、組立調整の簡略化が 可能となり、その結果これを用いたプレーヤの小型軽量化、低コスト化も可能と なる。回折格子の光分岐機能を用いてビームスプリッタとして用いることもでき るので、回折格子をもう一つ窓部に追加すると、光ピックアップからビームスプ リッタを無くすことができ、更に光ピックアップの小型化、低コスト化、組立調 整の簡略化が可能となる。
【図1】(a)、(b)は3B法光ピックアップの光学
系を示す図。
系を示す図。
【図2】本考案の一具体例を示す図。
【図3】本考案の他の具体例を示す図。
1:半導体レーザ 2:回折格子 3:偏光ビームスプリッタ 4:コリメータ・レンズ 5:4分の波長板 6:対物レンズ 7:ディスク 8:シリコンドリカル・レンズ 9:受光素子 10:半導体レーザ・チップ 11:ケース 12:回折格子 13:半導体レーザ・チップ 14:下ケース 15:回折格子 16:上ケース 17:透明ガラス 18:上ケース
【手続補正書】
【提出日】平成5年8月23日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】考案の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【考案の名称】半導体レーザユニット
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】実用新案登録請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【実用新案登録請求の範囲】
Claims (2)
- 【請求項1】半導体レーザの光が出射する該半導体レー
ザのケースの窓部分に回折格子を備えていることを特徴
とする半導体レーザ。 - 【請求項2】半導体レーザ・チップがマウントされてい
る下ケースの筒部外側にオネジが切られていることと、
前記回折格子もしくは透明ガラスを前記窓部分に備えて
いる上ケースの筒部内側にメネジが切られていることを
特徴とする請求項1記載の半導体レーザ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4015693U JPH0631163U (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 半導体レーザユニット |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4015693U JPH0631163U (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 半導体レーザユニット |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0631163U true JPH0631163U (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=12572909
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4015693U Pending JPH0631163U (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 半導体レーザユニット |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0631163U (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5723293A (en) * | 1980-07-18 | 1982-02-06 | Canon Inc | Semiconductor laser device |
JPS58153388A (ja) * | 1982-03-09 | 1983-09-12 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ出力光モニタ−方法 |
-
1993
- 1993-07-22 JP JP4015693U patent/JPH0631163U/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5723293A (en) * | 1980-07-18 | 1982-02-06 | Canon Inc | Semiconductor laser device |
JPS58153388A (ja) * | 1982-03-09 | 1983-09-12 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ出力光モニタ−方法 |
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