JPH06308158A - Continuity tester - Google Patents
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- JPH06308158A JPH06308158A JP5101500A JP10150093A JPH06308158A JP H06308158 A JPH06308158 A JP H06308158A JP 5101500 A JP5101500 A JP 5101500A JP 10150093 A JP10150093 A JP 10150093A JP H06308158 A JPH06308158 A JP H06308158A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、導通検査装置に関し、
詳しくは半導体基板の配線パターンなどの導通検査を行
うテスターの先端部に設けられるプローブなどの導通検
査装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a continuity inspection device,
More specifically, the present invention relates to a continuity inspection device such as a probe provided at the tip of a tester for conducting continuity inspection of a wiring pattern of a semiconductor substrate.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、半導体基板の製造技術の発展がめ
ざましく、それにともないIC配線の微細パターン化が
進み、このような微細パターンのICを搭載する半導体
製品も年々増加している。通常、このような半導体製品
の導通検査には半導体用導通検査装置としてのプローブ
を有するテスターが用いられている。従来のプローブと
しては、図9に示されるメカニカルプローブ80が例示
される。このメカニカルプローブ80は、その本体83
がテスターの前端壁84に固定されており、半導体製品
の電極などに接触する針状の接触針85が該本体83に
対して伸縮自在に取付けられたものである。しかしなが
ら、このメカニカルプローブ80では、高密度化、高集
積化した半導体製品の導通検査に限界がある。2. Description of the Related Art In recent years, the development of semiconductor substrate manufacturing technology has been remarkable, and the fine patterning of IC wiring has been advanced accordingly, and the number of semiconductor products mounting such fine pattern ICs is increasing year by year. Usually, a tester having a probe as a semiconductor continuity inspection device is used for the continuity inspection of such semiconductor products. A mechanical probe 80 shown in FIG. 9 is exemplified as a conventional probe. The mechanical probe 80 has a main body 83.
Is fixed to the front end wall 84 of the tester, and a needle-shaped contact needle 85 that comes into contact with an electrode of a semiconductor product or the like is attached to the main body 83 so as to be expandable and contractible. However, with this mechanical probe 80, there is a limit to the continuity inspection of semiconductor products that are highly integrated and highly integrated.
【0003】一方、この針式のメカニカルプローブ80
を改善したものとしてメンブレン型プローブ90があ
り、例えば図10に示されるように構成されている。図
10において、絶縁層91には厚み方向に貫通孔92が
穿孔されており、該貫通孔92に金属物質を充填するこ
とにより導通路93が形成されている。また、該絶縁層
91の一方表面91aには、半導体製品の導通検査を行
うための導通回路に接続された導電層1が形成され、該
導通路93と導通している。さらに、該絶縁層91の他
方表面91bには、該導通路93と導通するリベット状
のバンプ95が形成されており、メンブレン型プローブ
90が構成されている。このメンブレン型プローブ90
のバンプ95を例えばIC96のアルミニウム電極97
または配線パターンに接触させることによって、導通検
査が行われる。On the other hand, this needle type mechanical probe 80
There is a membrane type probe 90 as an improvement of the above, which is configured as shown in FIG. 10, for example. In FIG. 10, a through hole 92 is bored in the insulating layer 91 in the thickness direction, and a conductive path 93 is formed by filling the through hole 92 with a metal substance. Further, on one surface 91a of the insulating layer 91, a conductive layer 1 connected to a conductive circuit for conducting a continuity test of a semiconductor product is formed and electrically connected to the conductive path 93. Further, rivet-shaped bumps 95 that are electrically connected to the conductive paths 93 are formed on the other surface 91b of the insulating layer 91, and the membrane type probe 90 is configured. This membrane type probe 90
Bumps 95 of the aluminum electrodes 97 of the IC 96, for example.
Alternatively, the continuity test is performed by contacting the wiring pattern.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図10
に示されるように、従来のメンブレン型プローブ90の
先端のバンプ95は、その表面が曲面状に形成されてい
るので、IC96のアルミニウム電極97を被覆する酸
化物質層98の存在により、該アルミニウム電極97に
接触させるだけでは導通がとれないという問題が生じて
いる。また、IC96の配線パターンにおいて、付着、
転写などによる絶縁層が介在すると、該バンプ95を接
触させても、導通不良となるという問題も生じている。
したがって、従来のメンブレン型プローブ90では、導
通検査の信頼性が低かった。However, as shown in FIG.
As shown in FIG. 4, the surface of the bump 95 at the tip of the conventional membrane type probe 90 is formed into a curved surface. Therefore, the presence of the oxide substance layer 98 covering the aluminum electrode 97 of the IC 96 causes the aluminum electrode There is a problem in that conduction cannot be achieved only by making contact with 97. In addition, in the wiring pattern of IC96, adhesion,
If an insulating layer formed by transfer or the like is interposed, even if the bumps 95 are brought into contact with each other, there is a problem in that conduction is poor.
Therefore, the reliability of the continuity test was low in the conventional membrane type probe 90.
【0005】本発明は、上記従来の問題に鑑みてなされ
たものであって、導通検査の信頼性の高い導通検査装置
の提供をその目的とする。The present invention has been made in view of the above conventional problems, and an object thereof is to provide a continuity inspection apparatus having a high reliability of continuity inspection.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明にかかる導通検査
装置は、被検査体の導通検査を行う導電回路が可撓性を
有する絶縁体層内に埋設され、該導電回路の面方向にず
れて対をなす導通路が該導電回路の表面から相反する方
向に延出し、該被検査体の回路に接触する接点部が該導
通路にそれぞれ接続していることを特徴とする。In a continuity inspection apparatus according to the present invention, a conductive circuit for conducting a continuity inspection of an object to be inspected is embedded in a flexible insulating layer, and is displaced in the plane direction of the conductive circuit. The pair of conductive paths extend in opposite directions from the surface of the conductive circuit, and the contact portions that come into contact with the circuit of the device under test are connected to the conductive paths, respectively.
【0007】特に、該接点部が、該絶縁体層の表面より
も外方向に突出してそれぞれ形成されていることを特徴
とする。また、該接点部が、バンプ状の硬質な金属によ
り構成された突出物であることを特徴とする。In particular, the contact portions are formed so as to project outward from the surface of the insulating layer. Further, the contact portion is a protrusion made of a bump-shaped hard metal.
【0008】本発明において「被検査体」とは、半導体
素子、半導体素子集合体(ダイシング前のシリコンウエ
ハおよびダイシング後のシリコンチップなど)、半導体
装置、半導体装置搭載用回路基板、LCD用回路基板な
どをいい、「回路」とは、配線パターンのみならず、電
極、リードなどを包含する広い概念のことである。「接
続」するとは、相互に接触して電気的に導通することを
いう。「接点部」とは、被検査体の回路に接続すること
により導通する導電体をいい、その形状は特に限定され
ず、三角形、正方形、長方形、台形、平行四辺形、その
他の多角形、円形などの平面、あるいは角柱、円柱、球
体、錐体(円錐、角錐)などの立体であってもよく、ま
た、必ずしも絶縁体層の表面よりも外方向に突出するよ
うに形成される必要はなく、被検査体のレイアウトや回
路の形状などによって任意に設定することができる。In the present invention, "inspection object" means a semiconductor element, a semiconductor element assembly (a silicon wafer before dicing, a silicon chip after dicing, etc.), a semiconductor device, a circuit board for mounting a semiconductor device, a circuit board for LCD. The “circuit” is a broad concept including not only a wiring pattern but also electrodes, leads and the like. "Connecting" means that they are in electrical contact with each other. "Contact point" refers to a conductor that conducts when it is connected to the circuit of the device under test, and its shape is not particularly limited, and it may be a triangle, a square, a rectangle, a trapezoid, a parallelogram, another polygon, or a circle. Etc., or a solid such as a prism, a cylinder, a sphere, a cone (a cone or a pyramid), and does not necessarily have to be formed so as to project outward from the surface of the insulator layer. It can be arbitrarily set according to the layout of the device under test, the shape of the circuit, and the like.
【0009】[0009]
【作用】本発明にかかる導通検査装置によれば、一対の
被検査体が該導通検査装置を介在させて相互に近接する
方向に変移させることによって、被検査体の回路である
ところの例えばICのアルミニウム電極がそれぞれ接点
部に接触し、その荷重が該接点部に接続する導通路を介
して該導電回路に作用する。該荷重は、該導電回路の面
方向にずれて相反する方向に作用するので、該導電回路
は該絶縁体層とともに該荷重方向に歪み、該接点部には
それぞれ相反する方向に荷重が作用する。該接点部は該
アルミニウム電極と接触した状態で相反する方向にスラ
イドし、その摩擦力によって、該アルミニウム電極上に
形成された酸化物、および付着、転写などによる絶縁層
が擦り取られ、該アルミニウム電極と該接点部との導通
が確実となる。According to the continuity inspection apparatus of the present invention, a pair of inspected objects are displaced in a direction in which they approach each other with the continuity inspected apparatus interposed therebetween, so that, for example, an IC which is a circuit of the inspected object. Of the aluminum electrodes contact the contact portions, and the load acts on the conductive circuit through the conductive paths connected to the contact portions. Since the loads act in the directions opposite to each other by shifting in the plane direction of the conductive circuit, the conductive circuit is distorted in the load direction together with the insulator layer, and the loads act on the contact portions in opposite directions. . The contact portion slides in opposite directions in contact with the aluminum electrode, and the frictional force scrapes off the oxide formed on the aluminum electrode and the insulating layer formed by adhesion, transfer, or the like. Conduction between the electrode and the contact portion is ensured.
【0010】特に、該接点部が、該絶縁体層の表面より
も外方向に突出してそれぞれ形成されている場合には、
被検査体の回路が平面状であっても該接点部との接触が
確実となる。また、該接点部が、バンプ状の硬質な金属
により構成された突出物である場合には、該アルミニウ
ム電極上に形成された酸化物および絶縁層の除去が容易
となる。In particular, when the contact portions are formed so as to project outward from the surface of the insulating layer,
Even if the circuit of the device under test is flat, the contact with the contact portion is ensured. Further, when the contact portion is a protrusion made of a bump-like hard metal, the oxide and insulating layer formed on the aluminum electrode can be easily removed.
【0011】[0011]
【実施例】以下、本発明を詳細に説明するため実施例を
挙げるが、本発明はこれら実施例によって何ら限定され
るものではない。EXAMPLES Examples will be given below to explain the present invention in detail, but the present invention is not limited to these examples.
【0012】図1は、本発明の導通検査装置の一実施例
を示す断面図である。図1に示される導通検査装置T1
において、被検査体の導通検査を行う導電回路1は、可
撓性を有する絶縁体層2内に該絶縁体層2の表面21,
22から露出しないように埋設されており、該導電回路
1の表面11,12から該絶縁体層2の表面21,22
までそれぞれ延出する導通路41,42が、該導電回路
1の面方向にずれて対をなして形成されている。各導通
路41,42は、該絶縁体層1の表面21,22よりも
外方向に突出して形成された接点部であるところのバン
プ状の金属突出物(以下単に「バンプ」という。)5
1,52にそれぞれ接続しており、該導電回路1と各バ
ンプ51,52とは、各導通路41,42を介して導通
している。なお、本発明ではこのように接点部がバンプ
状に盛り上がらず、該絶縁体層1の表面21,22と同
一平面上まで各導通路41,42が形成され、その端部
が接点部となる態様をも包含することはいうまでもな
い。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the continuity inspection apparatus of the present invention. Continuity test device T1 shown in FIG.
In the conductive circuit 1 for conducting the continuity inspection of the object to be inspected, the surface 21 of the insulating layer 2 is provided in the flexible insulating layer 2.
It is embedded so as not to be exposed from the surface 22, and the surfaces 11, 12 of the conductive circuit 1 to the surfaces 21, 22 of the insulator layer 2 are buried.
Conductive paths 41 and 42 respectively extending up to are formed in pairs so as to be displaced in the surface direction of the conductive circuit 1. The conductive paths 41, 42 are bump-shaped metal protrusions (hereinafter simply referred to as “bumps”) 5 which are contact portions formed so as to protrude outward from the surfaces 21, 22 of the insulator layer 1.
1 and 52, and the conductive circuit 1 and the bumps 51 and 52 are electrically connected to each other via the conductive paths 41 and 42. In the present invention, the contact portion does not bulge like a bump in this way, and the conductive paths 41 and 42 are formed on the same plane as the surfaces 21 and 22 of the insulator layer 1, and the ends thereof become the contact portion. It goes without saying that the embodiments are also included.
【0013】該導電回路1の形成材料としては、導電性
を有する材料、例えば金属などであれば、特に限定する
ものではない。該導電回路1の厚さは、特に限定されな
いが、1〜200μm、好ましくは5〜80μmに設定
することが好ましい。The material for forming the conductive circuit 1 is not particularly limited as long as it is a conductive material such as metal. The thickness of the conductive circuit 1 is not particularly limited, but is preferably set to 1 to 200 μm, preferably 5 to 80 μm.
【0014】該絶縁層2の形成材料としては、導電回路
1およびバンプ51,52を安定して支持し、電気絶縁
特性を有するものであれば特に限定されない。具体的に
は、ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系
樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリ
アミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、アクリロニトリル−
ブタジエン−スチレン(ABS)共重合体樹脂、ポリカ
ーボネート系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂な
どの熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂が挙げられ、これ
らのうち、耐熱性および機械的強度に優れるポリイミド
系樹脂が特に好適に使用される。The material for forming the insulating layer 2 is not particularly limited as long as it stably supports the conductive circuit 1 and the bumps 51 and 52 and has an electric insulating property. Specifically, polyester resin, epoxy resin, urethane resin, polystyrene resin, polyethylene resin, polyamide resin, polyimide resin, acrylonitrile-
A thermosetting resin or a thermoplastic resin such as a butadiene-styrene (ABS) copolymer resin, a polycarbonate resin, a silicone resin, or a fluorine resin can be mentioned. Among them, a polyimide resin excellent in heat resistance and mechanical strength. Resins are particularly preferably used.
【0015】該絶縁体層2の厚さは、特に限定されない
が、十分な機械的強度や可撓性を有するようにするた
め、2〜500μm、好ましくは10〜150μmに設
定することが好ましい。The thickness of the insulator layer 2 is not particularly limited, but in order to have sufficient mechanical strength and flexibility, it is preferable to set it to 2 to 500 μm, preferably 10 to 150 μm.
【0016】該導通路41,42および該バンプ51,
52を構成する形成材料としては、導電性を有するもの
であれば特に限定されず、公知の金属材料が使用できる
が、例えば金、銀、銅、白金、鉛、錫、ニッケル、コバ
ルト、インジウム、ロジウム、クロム、タングステン、
ルテニウムなどの単独金属、またはこれらを成分とする
各種合金、例えば、半田、ニッケル−錫、金−コバルト
などが挙げられる。なお、通常、被検査体の回路である
アルミニウム電極上の酸化物層や配線パターン上の絶縁
層を破壊することができるように、硬質で酸化しにく
く、かつ電気抵抗の低い金属、例えば、ロジウム、ルテ
ニウム、白金などの貴金属が好適に用いられる。The conductive paths 41, 42 and the bumps 51,
The forming material forming 52 is not particularly limited as long as it has conductivity, and known metal materials can be used. For example, gold, silver, copper, platinum, lead, tin, nickel, cobalt, indium, Rhodium, chrome, tungsten,
Examples include single metals such as ruthenium, and various alloys containing these, such as solder, nickel-tin, and gold-cobalt. Usually, a metal that is hard and resistant to oxidation and has a low electric resistance, such as rhodium, so that the oxide layer on the aluminum electrode that is the circuit of the device under test or the insulating layer on the wiring pattern can be destroyed. Noble metals such as aluminum, ruthenium and platinum are preferably used.
【0017】該導通路41,42を構成する形成材料
は、該バンプ51,52を構成する形成材料と同一の物
質であっても別の物質であってもよいが、通常は同一の
物質を使用し、またこの場合、該導通路41,42と該
バンプ51,52とは一体的に形成されることが好まし
い。また、図2に示されるように、3種類の形成材料を
用いた構造にしてもよい。すなわち、導電回路1に接触
する導通路部41aには銅などの安価な金属物質を用
い、アルミニウム電極などと接触するバンプ51の表層
41cは接続信頼性の高い金などを用いる。そして、該
中央部41aと該表層41cとの間に介在する中間層4
1bには、金属物質の相互反応を防止するためのバリア
性金属物質としてニッケルなどを用いる。さらに、上記
3種類の形成材料を用いた構造に限定するものではな
く、4種類以上の形成材料を用いた構造に形成してもよ
い。The material forming the conductive paths 41, 42 may be the same substance as or different from the material forming the bumps 51, 52, but usually the same substance is used. In this case, it is preferable that the conductive paths 41 and 42 and the bumps 51 and 52 are integrally formed. Further, as shown in FIG. 2, a structure using three kinds of forming materials may be used. That is, an inexpensive metal substance such as copper is used for the conductive path portion 41a contacting the conductive circuit 1, and gold or the like having high connection reliability is used for the surface layer 41c of the bump 51 contacting the aluminum electrode. Then, the intermediate layer 4 interposed between the central portion 41a and the surface layer 41c.
For 1b, nickel or the like is used as a barrier metal substance for preventing mutual reaction of metal substances. Further, the structure is not limited to the above-mentioned three kinds of forming materials, and may be formed into a structure using four or more kinds of forming materials.
【0018】該バンプ51,52の高さは特に限定され
るものではないが、数ミクロン〜数十ミクロンとするこ
とが好ましい。またこのバンプ51,52は、図1に示
すようなマッシュルーム状(傘状)の他、半球状の形状
に形成される。また、該バンプ51,52の形状は三角
形でも四角形でも円形でもよく、また底面形状を円形と
した場合、形成される全体形状は半球でも円柱でもよ
い。The height of the bumps 51, 52 is not particularly limited, but is preferably several microns to several tens of microns. The bumps 51 and 52 are formed in a hemispherical shape in addition to the mushroom shape (umbrella shape) as shown in FIG. The bumps 51 and 52 may have a triangular shape, a quadrangular shape, or a circular shape. When the bottom shape is circular, the entire shape formed may be a hemisphere or a cylinder.
【0019】該バンプ51,52の形状として、図3お
よび図4に示されるような形状としてもよく、このよう
な形状をとる場合には、両金属突出物53,54をそれ
ぞれ別個の単独金属または合金を用いて形成してもよ
い。通常、該金属突出物54の形成材料としては、安価
なニッケルや、導通性に優れている銅が好適に用いられ
る。また、金属突出物13の形成材料としては、通常、
例えばアルミニウム電極上の酸化物層や配線パターン上
の絶縁層を破壊することができるように、硬質で酸化し
にくく、かつ電気抵抗の低い金属、例えば、ロジウム、
ルテニウム、白金などの貴金属が好適に用いられる。The bumps 51, 52 may have a shape as shown in FIGS. 3 and 4. In such a shape, the metal protrusions 53, 54 are formed of separate single metals. Alternatively, an alloy may be used. Usually, as a material for forming the metal protrusion 54, inexpensive nickel or copper having excellent conductivity is preferably used. Moreover, as a material for forming the metal protrusions 13,
For example, a metal that is hard and difficult to oxidize and has a low electric resistance, such as rhodium, so that an oxide layer on an aluminum electrode or an insulating layer on a wiring pattern can be destroyed.
Noble metals such as ruthenium and platinum are preferably used.
【0020】また、両金属突出物53,54間で相互反
応が起きるとそれぞれが金属物性を変えるため好ましく
ない。このため、両金属突出物53,54の貴族物性を
維持するため各金属突出物53,54間にバリア性金属
を施すのが好ましい。例えば、金と銅の組合せのように
拡散が起こる場合は、バリア性金属としてニッケルを金
と銅の間に施すことが好ましい。なお、単独金属を用い
て、めっきにより両金属突出物53,54を形成する場
合、水素ぜい性、硫黄ぜい性により金属が脆くなるよう
なめっき条件は好ましくない。例えば、スルファミン酸
ニッケルめっき液を使用したり、ニッケルめっき液の光
沢剤としてサッカリンやナフタリンスルフォン酸ソーダ
のような硫黄を含む添加物を使用したりして形成された
ニッケル金属は、純金属のニッケルとNi3 S2 の金属
間化合物の共晶であるが、後処理により加熱した場合、
このNi3 S2 の金属間化合物が集まり、脆くなる。Further, if a mutual reaction occurs between the two metal projections 53 and 54, each changes the physical properties of the metal, which is not preferable. Therefore, it is preferable to apply a barrier metal between the metal protrusions 53 and 54 in order to maintain the noble physical properties of both metal protrusions 53 and 54. For example, when diffusion occurs like a combination of gold and copper, it is preferable to apply nickel as a barrier metal between gold and copper. When both metal protrusions 53 and 54 are formed by plating using a single metal, the plating condition that the metal becomes brittle due to hydrogen embrittlement and sulfur embrittlement is not preferable. For example, nickel metal formed by using a nickel sulfamate plating solution or using a sulfur-containing additive such as saccharin or naphthalene sodium sulfonate as a brightener for the nickel plating solution is a pure metal nickel. It is a eutectic of an intermetallic compound of Ni 3 S 2 and Ni, but when heated by post-treatment,
This intermetallic compound of Ni 3 S 2 gathers and becomes brittle.
【0021】このように金属突出物54の表面に微小な
金属突出物53を形成することによって、例えばアルミ
ニウム電極上の酸化物層や配線パターン上の絶縁層を破
壊することが容易となり、さらにアルミニウム電極など
とバンプ51との接点が複数となり、確実な導通検査を
行うことができる。By forming the minute metal protrusions 53 on the surface of the metal protrusions 54 in this way, it becomes easy to destroy, for example, the oxide layer on the aluminum electrode or the insulating layer on the wiring pattern. Since there are a plurality of contact points between the electrodes and the bumps 51, a reliable conduction test can be performed.
【0022】図5は、本発明の導通検査装置の他の実施
例を示す断面図である。本実施例において、図1の参照
符号が付された部分は、同一または相当する部分を示
す。図5に示される導通検査装置T2において注目すべ
きは、導電回路が多層構造をしている点である。すなわ
ち、絶縁体層2内には、導通路43を介して接続された
導電回路12,13が埋設されており、各導電回路1
2,13の該導通路43が接続していない側の表面1
5,16から絶縁体層2の表面21,22までそれぞれ
延出する導通路41,42が形成されている。このよう
に導電回路を多層構造とすることによって、導電回路が
一層のものよりも被検査体の配線設計における自由度が
増すので好ましい。FIG. 5 is a sectional view showing another embodiment of the continuity inspection apparatus of the present invention. In the present embodiment, the reference numerals in FIG. 1 indicate the same or corresponding portions. What should be noted in the continuity test apparatus T2 shown in FIG. 5 is that the conductive circuit has a multilayer structure. That is, in the insulator layer 2, the conductive circuits 12 and 13 connected via the conductive path 43 are embedded, and each conductive circuit 1
Surface 1 on the side where the conducting paths 43 of 2 and 13 are not connected
Conductive paths 41 and 42 are formed to extend from 5 and 16 to the surfaces 21 and 22 of the insulator layer 2, respectively. By thus forming the conductive circuit in a multi-layer structure, the degree of freedom in the wiring design of the device under test is increased more than that in the case where the conductive circuit has a single layer.
【0023】本発明の導通検査装置は、上記のような半
導体素子などの導通検査の他、半導体素子実装用の異方
導電体、液晶表示素子などの導通検査、プリント配線基
板、フレキシブル基板の検査、あるいはハイブリッドI
Cなどのファインピッチ回路間の接続または検査などに
も使用することができる。The continuity inspection apparatus of the present invention, in addition to the above-mentioned continuity inspection of semiconductor elements, etc., conducts inspection of anisotropic conductors for mounting semiconductor elements, liquid crystal display elements, etc., printed wiring boards, flexible boards. , Or hybrid I
It can also be used for connection or inspection between fine pitch circuits such as C.
【0024】図6は、本発明にかかる導通検査装置の製
造工程を示す断面図であり、例えば以下のようにして製
造することができる。FIG. 6 is a sectional view showing a manufacturing process of the continuity inspection apparatus according to the present invention, which can be manufactured, for example, as follows.
【0025】まず、図6(A)に示されるように、絶縁
体層2aの一方表面に公知の方法にて例えば銅回路など
の導電回路1を形成する。絶縁体層2aの表面への導電
回路1の形成方法としては、メッキ法、スパッタリング
法、CVD法などが挙げられる。その後、図6(B)に
示されるように、導通路を形成すべき領域の絶縁体層2
aに導通回路1の表面12まで達する孔部32を絶縁体
層2aのみに形成して、孔部32の底部において導通回
路1が露出するようにする。この孔部32の形成は、パ
ンチングなどの機械的穿孔方法、プラズマ加工、レーザ
ー加工、フォトリソグラフィー加工、または絶縁体層2
と耐薬品性の異なるレジストなどを用いた化学エッチン
グ、ファインピッチ化に対応するためには微細加工が可
能なレーザー加工などの方法により行うことができ、な
かでもパルス数またはエネルギー量を制御したエキシマ
レーザーの照射による穿孔加工が好ましい。例えば発振
波長が248nmのKrFエキシマレーザー光をマスク
を介して照射して、ドライエッチングを施す。孔部32
の大きさは、5〜200μm、好ましくは8〜10μm
程度とする。First, as shown in FIG. 6A, a conductive circuit 1 such as a copper circuit is formed on one surface of the insulating layer 2a by a known method. Examples of the method of forming the conductive circuit 1 on the surface of the insulator layer 2a include a plating method, a sputtering method, a CVD method and the like. After that, as shown in FIG. 6B, the insulating layer 2 in the region where the conductive path is to be formed is formed.
A hole 32 reaching the surface 12 of the conductive circuit 1 at a is formed only in the insulator layer 2 a so that the conductive circuit 1 is exposed at the bottom of the hole 32. The holes 32 are formed by a mechanical punching method such as punching, plasma processing, laser processing, photolithography processing, or the insulating layer 2.
And chemical etching using resists with different chemical resistance, and laser processing that enables fine processing to cope with fine pitches can be performed by methods such as excimer with controlled pulse number or energy amount. Drilling by laser irradiation is preferable. For example, KrF excimer laser light having an oscillation wavelength of 248 nm is irradiated through a mask to perform dry etching. Hole 32
Has a size of 5 to 200 μm, preferably 8 to 10 μm
The degree.
【0026】次に、図6(C)に示されるように、導通
回路1の露出している表面13を被覆するように、熱圧
着、押出成型、流延塗布などによって絶縁体層2bを積
層して、導通回路1を埋設状態とする。その後、図6
(D)に示されるように、絶縁体層2bに対して、上記
と同様にして、導通回路1の表面13まで達する孔部3
1を形成する。Next, as shown in FIG. 6C, an insulating layer 2b is laminated by thermocompression bonding, extrusion molding, casting coating, etc. so as to cover the exposed surface 13 of the conductive circuit 1. Then, the conduction circuit 1 is embedded. After that, FIG.
As shown in (D), in the insulator layer 2b, the hole portion 3 reaching the surface 13 of the conductive circuit 1 in the same manner as described above.
1 is formed.
【0027】最後に、孔部31,32に導電性物質を充
填して導通路41,42およびバンプ51,52を形成
して、本発明にかかる導通検査装置を得る。Finally, the holes 31 and 32 are filled with a conductive material to form the conductive paths 41 and 42 and the bumps 51 and 52 to obtain the continuity inspection apparatus according to the present invention.
【0028】導通路41,42およびバンプ51,52
の形成は、物理的に導電性物質を孔部31,32内に埋
め込む方法、CVD法、電解メッキや無電解メッキなど
のメッキ法、上記工程により得られた構造物を導電性物
質の溶融浴に浸漬し引き上げて導電性物質を析出させる
化学的方法などにより行うことができるが、導通回路1
を電極とした電解メッキによる方法が、簡便な方法であ
るので好ましい。したがって、本発明において導電性物
質の充填とは、物理的に導電性物質を埋め込むことだけ
でなく、上記化学的析出などによるものも含む広い概念
のことである。Conducting paths 41, 42 and bumps 51, 52
Is formed by physically embedding a conductive material in the holes 31 and 32, a CVD method, a plating method such as electrolytic plating or electroless plating, and a structure obtained by the above-mentioned steps, and a molten bath of the conductive material. It can be performed by a chemical method such as immersing in a substrate and pulling it up to deposit a conductive substance.
The method by electrolytic plating using the electrode as an electrode is preferable because it is a simple method. Therefore, in the present invention, the filling of the conductive substance is a broad concept including not only the physical filling of the conductive substance but also the above-mentioned chemical deposition.
【0029】なお、孔部31,32は絶縁体層2a,2
bを積層した後に形成してもよく、また孔部32の形成
後に導電物質を充填して導通路42を形成した後に、孔
部31を形成してもよい。The holes 31 and 32 are formed by the insulating layers 2a and 2a.
The holes 31 may be formed after laminating b, or the holes 31 may be formed after the conductive material is filled with the conductive material after forming the holes 32.
【0030】図3および図4に示すようなバンプ51,
52を形成するには、例えば以下のような方法を採用す
ることができる。The bumps 51 as shown in FIGS. 3 and 4,
In order to form 52, for example, the following method can be adopted.
【0031】まず、金属突出物54を形成した後、金属
突出物53を形成する前に、メッキ浴中に金属粉末を分
散させて電解メッキを施す。このようにすることによっ
て、金属突出物54の表面に金属粉末が付着し、メッキ
成長する際の種(核)となり、金属突出物53が形成さ
れる。分散させる金属粉末は、微小な金属突出物53を
形成するために、微粉末状であることが好ましく、粒径
0.01〜200μm、好ましくは0.1〜50μm、
さらには1〜3μm程度のものが使用される。First, after forming the metal protrusion 54, before forming the metal protrusion 53, the metal powder is dispersed in the plating bath to perform electrolytic plating. By doing so, the metal powder adheres to the surface of the metal protrusion 54 and becomes a seed (nucleus) during plating growth, and the metal protrusion 53 is formed. The metal powder to be dispersed is preferably in the form of fine powder in order to form fine metal protrusions 53, and has a particle size of 0.01 to 200 μm, preferably 0.1 to 50 μm.
Further, those having a thickness of about 1 to 3 μm are used.
【0032】また、図3に示すように、金属突出物53
は金属突出物54の頂点付近に形成することが、導通検
査時の接点を増加させるという点から好ましい。このよ
うに形成するには金属突出物54の頂点方向、つまり孔
部形成方向に磁場をかけて上記電解メッキを施すことが
好ましい。この時の磁場の強さは1キロガウス〜15キ
ロガウス、好ましくは2キロガウス〜5キロガウス程度
である。なお、磁場をかけて電解メッキを行う場合は、
メッキ液中に分散させる金属粉末にはニッケルやコバル
トなどの磁性を有する金属を用いる。Also, as shown in FIG.
Is preferably formed near the apex of the metal protrusion 54 from the viewpoint of increasing the number of contacts during the continuity test. In order to form in this way, it is preferable to apply a magnetic field in the apex direction of the metal protrusion 54, that is, in the hole forming direction to perform the electrolytic plating. The strength of the magnetic field at this time is about 1 kilogauss to 15 kilogauss, preferably about 2 kilogauss to 5 kilogauss. In addition, when performing electrolytic plating by applying a magnetic field,
As the metal powder dispersed in the plating solution, a magnetic metal such as nickel or cobalt is used.
【0033】また、他の方法としては、形成した金属突
出物54の表面に金属粉末を分散させたメッキ液を循環
ボンプなどを用いて吹きつけることによって、金属突出
物54の表面に金属突出物53形成用の種を形成する方
法がある。As another method, by spraying a plating solution in which a metal powder is dispersed onto the surface of the formed metal protrusion 54 with a circulation pump or the like, the metal protrusion 54 is coated on the surface thereof. There is a method of forming seeds for forming 53.
【0034】さらに、他の方法としては、メッキ浴に超
音波をかけながら電解メッキを施す方法がある。この場
合、金属突出物54の表面をエッチング処理などにて活
性化させておくことが金属突出物53の形成性の観点か
ら好ましい。Further, as another method, there is a method of performing electrolytic plating while applying ultrasonic waves to the plating bath. In this case, it is preferable from the viewpoint of the formability of the metal protrusion 53 that the surface of the metal protrusion 54 be activated by etching treatment or the like.
【0035】図7は、本発明にかかる導通検査装置を用
いた被検査体の導通検査を示す断面図である。図7にお
いて導通検査装置T1は、被検査体であるところの2枚
のIC71,72の間に介在し、各IC71,72のア
ルミニウム電極61,62が形成された表面が、該導通
検査装置T1に臨むように配置されている。各IC7
1,72を導通検査装置T1に近接する方向に変移させ
て、各アルミニウム電極61,62が導通検査装置T1
の各バンプ51,52に接触させた後、さらに各IC7
1,72を変移させると、各バンプ51,52に荷重が
負荷される。その荷重が導通検査装置T1の導電回路1
に矢符A1,A2方向に作用する。これにより、導電回
路1は絶縁体層2とともに矢符A1,A2方向に歪み、
各バンプ51,52は矢符B1,B2方向に荷重が作用
する。各バンプ51,52と各アルミニウム電極61,
62とは、絶縁層であるアルミニウム酸化層81,82
を介して接触しているので、図8に示されるように、バ
ンプ51はアルミニウム電極61上にアルミニウム酸化
層81の一部を摩擦力によって擦り取り、バンプ51と
アルミニウム電極61とが直接接触する。このように、
アルミニウム電極61,62とバンプ51,52との導
通が確実となり、IC71,72の導通検査の信頼性が
向上する。FIG. 7 is a sectional view showing a continuity test of an object to be inspected using the continuity test apparatus according to the present invention. In FIG. 7, the continuity inspection apparatus T1 is interposed between two ICs 71 and 72 which are the inspected objects, and the surfaces of the respective ICs 71 and 72 on which the aluminum electrodes 61 and 62 are formed are the continuity inspection apparatus T1. It is arranged so as to face. Each IC7
The aluminum electrodes 61 and 62 are moved so that the aluminum electrodes 61 and 62 are located close to the continuity inspection device T1.
After contacting each bump 51, 52 of
When 1 and 72 are displaced, a load is applied to each bump 51 and 52. The load is the conductive circuit 1 of the continuity inspection device T1.
Acts on the arrow A1, A2 direction. As a result, the conductive circuit 1 is distorted in the arrow A1 and A2 directions together with the insulator layer 2,
A load acts on each of the bumps 51 and 52 in the directions of arrows B1 and B2. Each bump 51, 52 and each aluminum electrode 61,
62 is an aluminum oxide layer 81, 82 which is an insulating layer.
As shown in FIG. 8, the bump 51 scrapes a part of the aluminum oxide layer 81 on the aluminum electrode 61 by a frictional force so that the bump 51 and the aluminum electrode 61 come into direct contact with each other. . in this way,
Conduction between the aluminum electrodes 61, 62 and the bumps 51, 52 is ensured, and the reliability of the conduction inspection of the ICs 71, 72 is improved.
【0036】[0036]
【発明の効果】以上のように、本発明にかかる導通検査
装置によれば、被検査体の回路であるところの例えばI
Cのアルミニウム電極上に形成された酸化物、および付
着、転写などによる絶縁層を除去することができ、該ア
ルミニウム電極と接点部であるところの例えばバンプと
の導通が確実となり、導通検査の信頼性が向上する。As described above, according to the continuity inspection apparatus of the present invention, for example, I, which is a circuit of the object to be inspected.
It is possible to remove the oxide formed on the aluminum electrode of C and the insulating layer due to adhesion, transfer, etc., and the conduction between the aluminum electrode and the bump, which is the contact portion, is ensured, and the reliability of the continuity test is improved. The property is improved.
【図1】本発明の導通検査装置の一実施例を示す断面図
である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an embodiment of a continuity inspection device of the present invention.
【図2】バンプの変形例を示す部分断面図である。FIG. 2 is a partial cross-sectional view showing a modified example of a bump.
【図3】バンプの他の変形例を示す部分断面図である。FIG. 3 is a partial cross-sectional view showing another modified example of the bump.
【図4】バンプのさらに他の変形例を示す部分断面図で
ある。FIG. 4 is a partial sectional view showing still another modified example of the bump.
【図5】本発明の導通検査装置の他の実施例を示す断面
図である。FIG. 5 is a sectional view showing another embodiment of the continuity inspection device of the present invention.
【図6】本発明にかかる導通検査装置の製造工程を示す
断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of the continuity inspection device according to the present invention.
【図7】本発明にかかる導通検査装置を用いた被検査体
の導通検査を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a continuity inspection of a device under test using the continuity inspection device according to the present invention.
【図8】アルミニウム電極61上のアルミニウム酸化層
81を擦り取った状態を示す部分断面図である。FIG. 8 is a partial cross-sectional view showing a state where the aluminum oxide layer 81 on the aluminum electrode 61 is scraped off.
【図9】従来のメカニカルプローブ80を示した図であ
る。FIG. 9 is a view showing a conventional mechanical probe 80.
【図10】従来のメンブレン型プローブ90を示した部
分断面図である。FIG. 10 is a partial cross-sectional view showing a conventional membrane probe 90.
1 導電回路 11,12 導電回路の表面 2 絶縁体層 21,22 絶縁体層の表面 41,42 導通路 51,52 バンプ(接点部) 61,62 アルミニウム電極(回路) 71,72 IC(被検査体) T1,T2 導通検査装置 1 Conductive Circuit 11, 12 Surface of Conductive Circuit 2 Insulator Layer 21, 22 Surface of Insulator Layer 41, 42 Conductive Path 51, 52 Bump (Contact Point) 61, 62 Aluminum Electrode (Circuit) 71, 72 IC (Inspected) Body) T1, T2 Continuity inspection device
Claims (3)
撓性を有する絶縁体層内に埋設され、該導電回路の面方
向にずれて対をなす導通路が該導電回路の表面から相反
する方向に延出し、該被検査体の回路に接触する接点部
が該導通路にそれぞれ接続していることを特徴とする導
通検査装置。1. A conductive circuit for conducting a continuity test of an object to be inspected is embedded in a flexible insulating layer, and a pair of conductive paths that are offset in the plane direction of the conductive circuit are formed from the surface of the conductive circuit. A continuity inspection device, wherein contact portions extending in opposite directions and contacting a circuit of the device under test are connected to the conduction path, respectively.
方向に突出してそれぞれ形成されていることを特徴とす
る請求項1記載の導通検査装置。2. The continuity inspection device according to claim 1, wherein the contact portions are formed so as to protrude outward from the surface of the insulator layer.
り構成された突出物であることを特徴とする請求項1ま
たは2記載の導通検査装置。3. The continuity inspection device according to claim 1, wherein the contact portion is a protrusion made of a bump-shaped hard metal.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5101500A JPH06308158A (en) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | Continuity tester |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5101500A JPH06308158A (en) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | Continuity tester |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPH06308158A true JPH06308158A (en) | 1994-11-04 |
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ID=14302354
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP5101500A Pending JPH06308158A (en) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | Continuity tester |
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Country | Link |
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JP (1) | JPH06308158A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11148951A (en) * | 1997-11-18 | 1999-06-02 | Pfu Ltd | Impedance measuring device and its wiring |
JP2001326259A (en) * | 2000-05-18 | 2001-11-22 | Advantest Corp | Probe card and method of production |
-
1993
- 1993-04-27 JP JP5101500A patent/JPH06308158A/en active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH11148951A (en) * | 1997-11-18 | 1999-06-02 | Pfu Ltd | Impedance measuring device and its wiring |
JP2001326259A (en) * | 2000-05-18 | 2001-11-22 | Advantest Corp | Probe card and method of production |
WO2001088551A1 (en) * | 2000-05-18 | 2001-11-22 | Advantest Corporation | Probe card and method of producing the same |
US6809539B2 (en) | 2000-05-18 | 2004-10-26 | Advantest Corporation | Probe card for testing an integrated circuit |
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