JPH06305069A - Transparent conductive film - Google Patents
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Landscapes
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Abstract
Description
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示板，液晶スイッ
チ，ＥＬパネル，オーバーヘッドプロジェクターに用い
られる電子写真記録用シートや第二原図，マイクロフィ
ルム，スライドポジフィルム等に用いることのできる透
明導電性フィルムに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transparent conductive material which can be used for a liquid crystal display plate, a liquid crystal switch, an EL panel, an electrophotographic recording sheet used for an overhead projector, a second original image, a microfilm, a slide positive film and the like. Regarding film.
【従来の技術】液晶表示板や液晶スイッチ等に用いる透
明導電性フィルムは適当な表面抵抗を有し、光透過性が
よく、また均一性が良好であることが必要とされる。透
明導電性フィルムの表面抵抗が小さすぎると電力損失が
大きくなったり、発熱のため液晶の寿命が短くなったり
する。また逆に表面抵抗が大きすぎると素子の高周波特
性が悪くなる。つまり表面抵抗をコントロールできるこ
とは非常に重要な事である。またこれ以外にもコントロ
ールできることは幅広い商品に対応できることでありそ
のメリットは大きい。その表面抵抗をコントロールする
方法として酸化インジウム，酸化錫と酸化けい素を混合
して蒸着する方法が、特開昭６３−８９６５６号、同６
４−１０５０７号に開示されている。しかしながら、こ
れらの方法は後処理として２００℃以上で熱処理しなけ
ればならないので、支持体がプラスチックフィルムの場
合，この処理は不可能である。また前記の方法は、蒸着
方法が電子ビーム加熱を利用しているため、どうしても
スプラッシュといわれる蒸着飛沫による異物の発生が避
けられない。このスプラッシュによる異物がフィルム上
に残っていると、その後の工程で問題を起こすことが多
い。例えば写真感光性フィルムの場合、現像時にスプラ
ッシュによる異物が残っていると、現像後その異物が黒
点になりトラブルを招く。たとえこの方法でスプラッシ
ュによる異物の発生を無くすことができたとしても、高
温多湿条件の場合は導電蒸着層とプラスチックフィルム
間の接着性に問題が発生する。2. Description of the Related Art A transparent conductive film used for a liquid crystal display panel, a liquid crystal switch, or the like is required to have an appropriate surface resistance, good light transmittance, and good uniformity. If the surface resistance of the transparent conductive film is too small, the power loss becomes large, and the life of the liquid crystal becomes short due to heat generation. On the other hand, if the surface resistance is too large, the high frequency characteristics of the device deteriorate. In other words, it is very important to be able to control the surface resistance. In addition to this, the fact that it can be controlled is that it can support a wide range of products, and its merit is great. As a method for controlling the surface resistance, a method of mixing and vapor-depositing indium oxide, tin oxide and silicon oxide is disclosed in JP-A-63-89656 and JP-A-6-89656.
No. 4-10507. However, since these methods require a heat treatment at 200 ° C. or higher as a post-treatment, this treatment is impossible when the support is a plastic film. Further, in the above method, since the vapor deposition method utilizes electron beam heating, the generation of foreign matter due to vapor deposition droplets called splash is inevitable. If the foreign matter caused by the splash remains on the film, it often causes a problem in the subsequent steps. For example, in the case of a photographic photosensitive film, if a foreign substance due to splash remains during development, the foreign substance becomes a black spot after development and causes a problem. Even if the generation of foreign matter due to splash can be eliminated by this method, a problem occurs in the adhesiveness between the conductive vapor deposition layer and the plastic film under high temperature and high humidity conditions.
【発明が解決しようとする課題】本発明は、プラスチッ
クフィルムの片面または両面に、導電性の異なる２種以
上の金属酸化物によるドライプレーティング層であっ
て、該ドライプレーティング層が１０6 Ω／cm2 以下、
１０2 Ω／cm2以上 の表面抵抗を示す透明導電性フィル
ムであり、さらにはドライプレーティング層の中でプラ
スチックフィルムとの界面の金属酸化物の組成がより絶
縁性の高い金属酸化物が主体であることにより、プラス
チックフィルムに対し強固に接着することができる透明
導電性フィルムである。また、ドライプレーティング層
として、より導電性の高い金属酸化物が５０モル％以
上、９５モル％以下である透明導電性フィルムである。
また、より導電性の高い金属酸化物がＩＴＯ、インジウ
ム酸化物または錫酸化物、より絶縁性の高い金属酸化物
がけい素酸化物、アルミニウム酸化物またはマグネシウ
ム酸化物である透明導電性フィルムである。DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention is a dry plating layer made of two or more kinds of metal oxides having different conductivity on one or both sides of a plastic film, and the dry plating layer is 10 6 Ω / cm. 2 or less,
10 2 Ω / cm 2 or more It is a transparent conductive film exhibiting a surface resistance of, and further, in the dry plating layer, the composition of the metal oxide at the interface with the plastic film is mainly a metal oxide having a higher insulating property It is a transparent conductive film that can be firmly adhered to. In addition, the dry plating layer is a transparent conductive film in which a metal oxide having higher conductivity is 50 mol% or more and 95 mol% or less.
A transparent conductive film in which the more conductive metal oxide is ITO, indium oxide or tin oxide, and the more insulating metal oxide is silicon oxide, aluminum oxide or magnesium oxide. .
【課題を解決するための手段】本発明は、プラスチック
フィルムの片面または両面に、ＩＴＯ（インジウム・錫
酸化物）、インジウム酸化物および錫酸化物から選ばれ
る少なくとも１種の導電性の高い金属酸化物、ならびに
けい素酸化物、アルミニウム酸化物およびマグネシウム
酸化物から選ばれる少なくとも１種のより絶縁性の高い
金属酸化物、を含むドライプレーティング層であって、
該ドライプレーティング層が１０6 Ω／cm2 以下、１０
2 Ω／cm2以上 の表面抵抗を示す透明導電性フィルムで
あり、さらにはドライプレーティング層として、ＩＴ
Ｏ、インジウム酸化物および錫酸化物から選ばれる少な
くとも１種の金属酸化物が５０モル％以上、９５モル％
以下であり、さらにはまた、プラスチックフィルムの片
面または両面に、１０6 Ω／cm2以下、１０2 Ω／cm2以
上 の表面抵抗を示すドライプレーティング層を有し、
ドライプレーティング層の中でプラスチックフィルムと
の界面の金属酸化物の組成が、けい素酸化物、アルミニ
ウム酸化物およびマグネシウム酸化物から選ばれる少な
くとも１種の金属酸化物が主体である透明導電性フィル
ムである。本発明においてプラスチックフィルムとは、
延伸フィルムや未延伸フィルムの限定は特に無いが、液
晶関係に使用するにあたっては一軸延伸フィルムが望ま
しい。またその組成としては、ポリエチレンやポリプロ
ピレン等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレー
トやポリエチレン−２，６ナフタレート等のポリエステ
ル、ナイロン６やナイロン１２等のポリアミド、ポリイ
ミド、ポリスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリ
カーボネートなどあるいはモノマー（原料）組成的にこ
れらの重合体の構造単位を主成分として含む共重合やブ
レンドポリマー等がある。本発明の透明プラスチックフ
ィルムの光線透過率は一般論として高い方が望ましい
が、液晶関係はその活用分野によってその要求特性は異
なる。これらの事を配慮しても白色自然光での全光線透
過率が少なくとも５０％以上、好ましくは７０％以上で
ある。本発明のプラスチックフィルムに２種以上の金属
酸化物の混合物または化合物のドライプレーティング層
を設けるにあたり、プラスチックフィルム表面にコロナ
放電処理、プラズマ処理、火炎処理、グロー放電処理、
粗面化処理等の表面処理が施されてもよい。ドライプレ
ーティング層の付与方法は巻取り連続方式が望ましく，
その場合には、プラスチックフィルムの伸び，しわ，亀
裂の発生防止の面からプラスチックフィルムの厚みは５
〜５００ミクロン（μ）であることが望ましい。本発明
による積層体の形成方法は以下に示すとおりである。ま
ず基材のプラスチックフィルムの片面または両面にドラ
イプレーティング層を形成する。このドライプレーティ
ング層は、主に最終的に得られる導電性や透明性、基材
フィルムとの易接着性の他に、表面保護性，寸法安定
性，ガスバリヤー性を付与するものである。ドライプレ
ーティング層としては、ＩＴＯ，インジウム酸化物，錫
酸化物から選ばれるより導電性の高い一種またはそれ以
上の導電性金属酸化物とけい素酸化物、アルミニウム酸
化物またはマグネシウム酸化物のより絶縁性の高い一種
またはそれ以上の絶縁性金属酸化物の混合物または化合
物なら特に制限はない。またその混合比は導電性金属酸
化物と絶縁性金属酸化物の合計量に対し導電性金属酸化
物の量が５０モルパーセントから９５モルパーセントが
好ましい。ここでの絶縁性金属酸化物と導電性金属酸化
物の比により最終的に形成される透明導電膜の導電性が
決められる。またプラスチックフィルム上に形成される
ドライプレーティング層が結果的に金属酸化物であれば
よく、原料は金属酸化物，金属，有機金属化合物等何れ
でも構わない。つまり金属酸化物を原料とし直接プラス
チックフィルム上にドライプレーティング層を形成させ
ても、また金属または有機金属酸化物のような金属を含
む化合物を酸化させながらドライプレーティング層とし
ても、また金属をプラスチックフィルム上にドライプレ
ーティング層として形成させ、後工程でそのドライプレ
ーティング層を酸化処理しても構わない。酸化処理の方
法としてはプラスチックフィルムの使用可能温度範囲内
であれば特に限定されず、蒸着中の酸素ガス導入法、放
電処理法、酸素プラズマ法、熱酸化法等があげられる。
ドライプレーティング層の中でプラスチックフィルム界
面の組成は、プラスチックフィルムとの接着性に優れた
組成でなくてはならない。具体的には導電性及び絶縁性
金属酸化物の総量の対するアルミニウム酸化物，けい素
酸化物等の絶縁性金属酸化物の比を５０モルパーセント
以上とすることが好ましい。望ましくは７０モルパーセ
ント以上である。プラスチックフィルムにドライプレー
ティング層を形成する方法としては、ドライプレーティ
ング層中のプラスチックフィルム界面の組成を導電性及
び絶縁性金属酸化物の総量の対する絶縁性金属酸化物の
比を上げることのできる方法かつ蒸着中にスプラッシュ
を発生しないまたは少ない方法なら特に制限はなく、真
空蒸着，イオンプレーティング，スパッタリングなどを
用いる事ができる。さらに真空蒸着の加熱方法としては
特に制限はなく、高周波誘導加熱、抵抗加熱の従来公知
の加熱方法を用いることができる。なお、金属酸化物の
ドライプレーティング層を形成する方法として、金属を
原料として、ドライプレーティングをしつつ、またはド
ライプレーティングした後、プラスチックフィルムの仕
様可能温度範囲内で酸化処理することもできる。ドライ
プレーテイング総全体の組成に対しプラスチックフィル
ムとドライプレーティング層との界面の組成を変化させ
るためには、ドライプレーティング層の蒸発源（原料
源）は２箇所以上にする方法、蒸発原料の蒸発温度の差
を用いる方法、蒸発材料（原料）を２層にし加熱源との
位置関係から蒸発タイミングを変える方法等があげられ
るが、特に限定はされず、結果的にドライプレーティン
グ層の中でプラスチックフィルム界面の組成がドライプ
レーティング層の金属酸化物において絶縁性金属酸化物
の比を５０パーセント以上、望ましくは７０パーセント
以上になればよい。ドライプレーティング層の厚さは使
用するプラスチックフィルムのに合わせて選定される
が、本発明においては５０〜２０００オングストローム
が望ましい。またこの積層を２回以上に分けて行っても
よく、その時異種類の金属酸化物を積層しても構わな
い。またこのプラスチックフィルムとドライプレーティ
ング層の間に下塗り接着層をまたドライプレーティング
層の外側には表面保護層や界面活性剤系及び高分子電解
質系の帯電防止剤を設けても構わない。According to the present invention, at least one highly conductive metal oxide selected from ITO (indium tin oxide), indium oxide and tin oxide is provided on one or both sides of a plastic film. And a metal oxide having a higher insulating property of at least one selected from silicon oxide, aluminum oxide and magnesium oxide,
The dry plating layer is 10 6 Ω / cm 2 or less, 10
2 Ω / cm 2 or more It is a transparent conductive film showing the surface resistance of
50 mol% or more and 95 mol% of at least one metal oxide selected from O, indium oxide and tin oxide
Or less, furthermore also on one or both sides of the plastic film, 10 6 Ω / cm 2 or less, 10 2 Ω / cm 2 or more Having a dry plating layer showing the surface resistance of
A transparent conductive film in which the composition of the metal oxide at the interface with the plastic film in the dry plating layer is mainly composed of at least one metal oxide selected from silicon oxide, aluminum oxide and magnesium oxide. is there. In the present invention, the plastic film is
There is no particular limitation on the stretched film and the unstretched film, but a uniaxially stretched film is preferable for use in liquid crystal applications. As the composition, polyolefin such as polyethylene and polypropylene, polyester such as polyethylene terephthalate and polyethylene-2,6 naphthalate, polyamide such as nylon 6 and nylon 12, polyimide, polysulfone, polyphenylene sulfide, polycarbonate, etc. or monomer (raw material) composition Specifically, there are copolymers and blend polymers containing structural units of these polymers as main components. Generally, it is desirable that the transparent plastic film of the present invention has a high light transmittance, but the required characteristics of liquid crystal are different depending on the field of application. Considering these matters, the total light transmittance of white natural light is at least 50% or more, preferably 70% or more. In providing a dry plating layer of a mixture or compound of two or more kinds of metal oxides on the plastic film of the present invention, corona discharge treatment, plasma treatment, flame treatment, glow discharge treatment,
Surface treatment such as surface roughening treatment may be performed. It is desirable to use the continuous winding method for applying the dry plating layer.
In that case, the thickness of the plastic film is 5 to prevent the plastic film from being stretched, wrinkled or cracked.
˜500 microns (μ) is desirable. The method for forming a laminate according to the present invention is as follows. First, a dry plating layer is formed on one side or both sides of a plastic film as a base material. This dry plating layer mainly imparts surface protection, dimensional stability, and gas barrier properties in addition to the finally obtained conductivity, transparency, and easy adhesion to the base film. As the dry plating layer, one or more conductive metal oxides having a higher conductivity selected from ITO, indium oxide, and tin oxide and a more insulating one of silicon oxide, aluminum oxide, and magnesium oxide. There is no particular limitation as long as it is a mixture or compound of highly one or more insulating metal oxides. The mixing ratio is preferably such that the amount of the conductive metal oxide is 50 to 95 mol% with respect to the total amount of the conductive metal oxide and the insulating metal oxide. The conductivity of the finally formed transparent conductive film is determined by the ratio of the insulating metal oxide and the conductive metal oxide. The dry plating layer formed on the plastic film may be a metal oxide as a result, and the raw material may be a metal oxide, a metal, an organometallic compound, or the like. That is, even if a dry plating layer is formed directly on a plastic film using a metal oxide as a raw material, or as a dry plating layer while oxidizing a metal or a compound containing a metal such as an organic metal oxide, a metal is used as a plastic film. It is also possible to form a dry plating layer on the top and oxidize the dry plating layer in a later step. The oxidation treatment method is not particularly limited as long as it is within the usable temperature range of the plastic film, and examples thereof include an oxygen gas introduction method during vapor deposition, a discharge treatment method, an oxygen plasma method, and a thermal oxidation method.
The composition of the plastic film interface in the dry plating layer must be a composition having excellent adhesiveness to the plastic film. Specifically, it is preferable that the ratio of insulating metal oxides such as aluminum oxide and silicon oxide to the total amount of conductive and insulating metal oxides is 50 mol% or more. It is preferably 70 mol% or more. As a method of forming a dry plating layer on the plastic film, a method capable of increasing the ratio of the insulating metal oxide to the total amount of the conductive and insulating metal oxides in the composition of the plastic film interface in the dry plating layer and There is no particular limitation as long as it is a method that does not generate splashes or reduces splashes during deposition, and vacuum deposition, ion plating, sputtering, etc. can be used. Further, the heating method for vacuum vapor deposition is not particularly limited, and conventionally known heating methods such as high frequency induction heating and resistance heating can be used. As a method of forming the metal oxide dry plating layer, it is also possible to perform a dry plating using a metal as a raw material, or after performing a dry plating, perform an oxidation treatment within a temperature range in which the plastic film can be specified. In order to change the composition of the interface between the plastic film and the dry plating layer with respect to the total composition of the dry plating, the evaporation source (raw material source) of the dry plating layer is set to two or more places, and the evaporation temperature of the evaporation raw material is changed. Examples of the method include a method using a difference and a method in which two layers of evaporation materials (raw materials) are used and the evaporation timing is changed depending on the positional relationship with a heating source. The ratio of the insulating metal oxide in the metal oxide of the dry plating layer is 50% or more, preferably 70% or more. The thickness of the dry plating layer is selected according to the plastic film used, but in the present invention, it is preferably 50 to 2000 angstroms. Further, this lamination may be performed twice or more, and different kinds of metal oxides may be laminated at that time. Further, an undercoating adhesive layer may be provided between the plastic film and the dry plating layer, and a surface protective layer, a surfactant type antistatic agent and a polymer electrolyte antistatic agent may be provided outside the dry plating layer.
【発明の効果】本発明によりプラスチックフィルムの片
面または両面に、１０6 Ω／cm2以下 、１０2 Ω／cm2以
上 の表面抵抗を示す、２種以上の金属酸化物のドライ
プレーティング層を有し、ドライプレーティング層の中
でプラスチックフィルムとの界面の金属酸化物の組成が
絶縁性金属酸化物が主体であることによりドライプレー
ティング層とプラスチックフィルムとが強固に接着する
ことができる透明導電性フィルムであり、この透明導電
性フィルムの中の透明導電性膜が透明性、導電性、プラ
スチックフィルムへの易接着性を兼ね備える事を特徴と
する透明導電性フィルムである。さらに、本発明により
透明性、導電性、プラスチックフィルムへの易接着性だ
けでなく、表面保護性，寸法安定性，ガスバリヤー性を
も高めることができる。EFFECTS OF THE INVENTION Pieces of plastic film according to the present invention
10 on each side or both sides6Ω / cm2Less than 10,2Ω / cm2Since
Up Drying of two or more metal oxides showing the surface resistance of
Having a plating layer, inside the dry plating layer
And the composition of the metal oxide at the interface with the plastic film
Dry play due to mainly insulating metal oxide
Coating layer and plastic film adhere firmly
It is a transparent conductive film that can be
The transparent conductive film in the conductive film is transparent, conductive, plastic
Characterized by having easy adhesion to sticky film
It is a transparent conductive film. Furthermore, according to the present invention
Transparency, conductivity, and easy adhesion to plastic film
As well as surface protection, dimensional stability, and gas barrier properties.
Can also be increased.
【実施例】以下、本発明の実施例に基づいてさらに詳細
に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下
の実施例に限定されるものではない。EXAMPLES The present invention will now be described in more detail based on the examples of the present invention, but the present invention is not limited to the following examples as long as the gist thereof is not exceeded.
【実施例１】フィルムの流れ方向に対し二箇所のルツボ
を持つ連続巻取り式高周波誘導加熱方式の蒸着装置を使
い、厚さ１００μの二軸延伸ポリエチレンテレフタレー
トフィルムの表面に直接蒸着する第一蒸発ルツボには一
酸化けい素を入れ、その上に蒸着する第二蒸発ルツボに
はＩＴＯ（インジウム・錫酸化物：錫を１０重量％添
加）と一酸化けい素（重量比はＩＴＯ／一酸化けい素＝
８０／２０）を入れ、酸素ガス導入（酸素分圧は２×１
０-4ｔｏｒｒ）させながら加熱真空蒸着させ、約５００
オングストロームのＩＴＯ／けい素酸化物の混合薄膜を
形成させた。次にＥＳＣＡ（ＰＨＩ−５４００、パーキ
ンエルマー社製）及びアルゴンエッチング装置を用い
て、形成されたフィルム上の蒸着膜について、蒸着膜表
面から約２５０オングストローム付近，ポリエチレンテ
レフタレートとの界面付近の全分子数に対するインジウ
ム酸化物の分子数の比を測定した。またこの蒸着フィル
ムについて導電性，透明性，スプラッシュによる異物の
有無，蒸着膜とポリエチレンテレフタレートフィルムと
の接着性を調べた。結果を表１に示す。Example 1 First evaporation in which direct evaporation is performed on the surface of a biaxially stretched polyethylene terephthalate film having a thickness of 100 μ using a continuous winding type high frequency induction heating type evaporation device having two crucibles in the flow direction of the film. Silicon monoxide is put in the crucible, and ITO (indium / tin oxide: 10% by weight of tin is added) and silicon monoxide (weight ratio is ITO / silicon monoxide are put in the second evaporation crucible which is deposited on the crucible. Element =
80/20) and put in oxygen gas (oxygen partial pressure is 2 × 1)
0 -4 torr) was heated vacuum evaporation while, about 500
An ITO / silicon oxide mixed thin film of angstrom was formed. Next, using ESCA (PHI-5400, manufactured by Perkin Elmer Co., Ltd.) and an argon etching apparatus, the total number of molecules in the deposited film on the formed film is about 250 Å from the surface of the deposited film and near the interface with polyethylene terephthalate. The ratio of the number of molecules of indium oxide with respect to was measured. The vapor-deposited film was examined for conductivity, transparency, presence of foreign matter due to splash, and adhesion between the vapor-deposited film and the polyethylene terephthalate film. The results are shown in Table 1.
【実施例２】実施例１と同じ装置，同じ二軸延伸ポリエ
チレンテレフタレートフィルム用いて、加熱方式を抵抗
加熱方式に、また蒸着原料を変え、第一蒸発源にはアル
ミニウムを、第二蒸発源にはＩＴＯ（インジウム・錫酸
化物：錫を１０重量％添加）／アルミニウム（その時の
原料のモル比はＩＴＯ／アルミニウム＝８０／２０）を
入れ、酸素ガス導入（酸素分圧は９×１０-4ｔｏｒｒ）
させながら加熱真空蒸着させ、約５００オングストロー
ムのＩＴＯ／アルミニウム酸化物の混合薄膜を形成させ
た。実施例１と同じ方法を用いて形成されたフィルム上
の蒸着膜について、蒸着膜表面から約２５０オングスト
ローム付近，ポリエチレンテレフタレートとの界面付近
の全分子数に対するインジウム酸化物の分子数の比を測
定した。またこの蒸着フィルムについて導電性，透明
性，スプラッシュによる異物の有無，蒸着膜とポリエチ
レンテレフタレートフィルムとの接着性を調べた。結果
を表１に示す。Example 2 Using the same apparatus and the same biaxially stretched polyethylene terephthalate film as in Example 1, the heating system was changed to a resistance heating system and the vapor deposition raw material was changed, with aluminum as the first evaporation source and aluminum as the second evaporation source. Is ITO (indium / tin oxide: 10% by weight of tin added) / aluminum (the molar ratio of the raw material is ITO / aluminum = 80/20), and oxygen gas is introduced (oxygen partial pressure is 9 × 10 −4). torr)
While heating, vacuum evaporation was performed to form a mixed thin film of ITO / aluminum oxide having a thickness of about 500 Å. For the vapor-deposited film formed on the film by using the same method as in Example 1, the ratio of the number of indium oxide molecules to the total number of molecules near the surface of the vapor-deposited film at about 250 Å and near the interface with polyethylene terephthalate was measured. . The vapor-deposited film was examined for conductivity, transparency, presence of foreign matter due to splash, and adhesion between the vapor-deposited film and the polyethylene terephthalate film. The results are shown in Table 1.
【比較例１】フィルムの流れ方向に対し一箇所のルツボ
を持つ連続式巻取り式高周波誘導加熱方式の蒸着装置を
使い、実施例１と同じ二軸延伸ポリエチレンテレフタレ
ートフィルムの表面にＩＴＯと一酸化けい素（モル比は
ＩＴＯ／一酸化けい素＝８０／２０）を入れ、酸素ガス
導入（酸素分圧は２×１０-4ｔｏｒｒ）させながら加熱
真空蒸着させ、約５００オングストロームのＩＴＯ／け
い素酸化物の混合薄膜を形成させた。実施例１と同じ方
法を用いて形成されたフィルム上の蒸着膜について、蒸
着膜表面から約２５０オングストローム付近，ポリエチ
レンテレフタレートとの界面付近の全分子数に対するイ
ンジウム酸化物の分子数の比を測定した。またこの蒸着
フィルムについて導電性，透明性，スプラッシュによる
異物の有無，蒸着膜とポリエチレンテレフタレートフィ
ルムとの接着性を調べた。結果を表１に示す。[Comparative Example 1] ITO and monoxide were formed on the surface of the same biaxially stretched polyethylene terephthalate film as in Example 1 using a continuous winding type high frequency induction heating type vapor deposition device having one crucible in the film flow direction. Silicon (molar ratio: ITO / silicon monoxide = 80/20) was charged, and vacuum vapor deposition was performed while introducing oxygen gas (oxygen partial pressure was 2 × 10 −4 torr), and ITO / silicon of about 500 angstrom was formed. A mixed thin film of oxide was formed. For the vapor-deposited film formed on the film by using the same method as in Example 1, the ratio of the number of indium oxide molecules to the total number of molecules near the surface of the vapor-deposited film at about 250 Å and near the interface with polyethylene terephthalate was measured. . The vapor-deposited film was examined for conductivity, transparency, presence of foreign matter due to splash, and adhesion between the vapor-deposited film and the polyethylene terephthalate film. The results are shown in Table 1.
【比較例２】比較例１と同じ蒸着装置，同じ二軸延伸ポ
リエチレンテレフタレートフィルムを用いて約５００オ
ングストロームのけい素酸化物薄膜を形成させた。実施
例１と同じ方法を用いて形成されたフィルム上の蒸着膜
について、蒸着膜表面から約２５０オングストローム付
近，ポリエチレンテレフタレートとの界面付近の全分子
数に対するインジウム酸化物の分子数の比を測定した。
またこの蒸着フィルムについて導電性，透明性，スプラ
ッシュによる異物の有無，蒸着膜とポリエチレンテレフ
タレートフィルムとの接着性を調べた。結果を表１に示
す。Comparative Example 2 A silicon oxide thin film having a thickness of about 500 Å was formed using the same vapor deposition apparatus and the same biaxially stretched polyethylene terephthalate film as in Comparative Example 1. For the vapor-deposited film formed on the film by using the same method as in Example 1, the ratio of the number of indium oxide molecules to the total number of molecules near the surface of the vapor-deposited film at about 250 Å and near the interface with polyethylene terephthalate was measured. .
The vapor-deposited film was examined for conductivity, transparency, presence of foreign matter due to splash, and adhesion between the vapor-deposited film and the polyethylene terephthalate film. The results are shown in Table 1.
【比較例３】比較例１と同じ蒸着装置，同じ二軸延伸ポ
リエチレンテレフタレートフィルムを用いて約５００オ
ングストロームのＩＴＯ薄膜を形成させた。実施例１と
同じ方法を用いて形成されたフィルム上の蒸着膜につい
て、蒸着膜表面から約２５０オングストローム付近，ポ
リエチレンテレフタレートとの界面付近の全分子数に対
するインジウム酸化物の分子数の比を測定した。またこ
の蒸着フィルムについて導電性，透明性，スプラッシュ
による異物の有無，蒸着膜とポリエチレンテレフタレー
トフィルムとの接着性を調べた。結果を表１に示す。COMPARATIVE EXAMPLE 3 Using the same vapor deposition apparatus and the same biaxially stretched polyethylene terephthalate film as in Comparative Example 1, an ITO thin film of about 500 Å was formed. For the vapor-deposited film formed on the film by using the same method as in Example 1, the ratio of the number of indium oxide molecules to the total number of molecules near the surface of the vapor-deposited film at about 250 Å and near the interface with polyethylene terephthalate was measured. . The vapor-deposited film was examined for conductivity, transparency, presence of foreign matter due to splash, and adhesion between the vapor-deposited film and the polyethylene terephthalate film. The results are shown in Table 1.
【比較例４】実施例１に用いた装置の加熱方法を電子線
加熱に変え、それ以外は実施例１同様にしてけい素酸化
物，ＩＴＯ／けい素酸化物の蒸着フィルムを得た。この
蒸着フィルムについて、蒸着膜表面から約２５０オング
ストローム付近，ポリエチレンテレフタレートとの界面
付近の全分子数に対するインジウム酸化物の分子数の比
を測定した。またこの蒸着フィルムについて導電性，透
明性，スプラッシュの有無，蒸着膜とポリエチレンテレ
フタレートフィルムとの接着性を調べた。結果を表１に
示す。Comparative Example 4 A vapor deposition film of silicon oxide or ITO / silicon oxide was obtained in the same manner as in Example 1 except that the heating method of the apparatus used in Example 1 was changed to electron beam heating. With respect to this vapor-deposited film, the ratio of the number of indium oxide molecules to the total number of molecules near the surface of the vapor-deposited film at about 250 Å and near the interface with polyethylene terephthalate was measured. The vapor-deposited film was examined for conductivity, transparency, presence of splash, and adhesion between the vapor-deposited film and the polyethylene terephthalate film. The results are shown in Table 1.
【表１】 [Table 1]
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｂ 13/00 ５０３ Ｂ 7244−5Ｇ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI technical display location H01B 13/00 503 B 7244-5G
Claims (3)
に、ＩＴＯ、インジウム酸化物および錫酸化物から選ば
れる少なくとも１種の金属酸化物、ならびにけい素酸化
物、アルミニウム酸化物およびマグネシウム酸化物から
選ばれる少なくとも１種の金属酸化物、を含むドライプ
レーティング層であって、該ドライプレーティング層が
１０6 Ω／cm2 以下、１０2 Ω／cm2 以上の表面抵抗を
示すことを特徴とする透明導電性フィルム。1. At least one metal oxide selected from ITO, indium oxide and tin oxide, and at least one selected from silicon oxide, aluminum oxide and magnesium oxide on one side or both sides of a plastic film. A dry plating layer containing one kind of metal oxide, wherein the dry plating layer exhibits a surface resistance of 10 6 Ω / cm 2 or less and 10 2 Ω / cm 2 or more. .
Ｏ、インジウム酸化物および錫酸化物から選ばれる少な
くとも１種の金属酸化物が５０モル％以上、９５モル％
以下であることを特徴とする請求項１記載の透明導電性
フィルム。2. A dry plating layer comprising IT
50 mol% or more and 95 mol% of at least one metal oxide selected from O, indium oxide and tin oxide
It is the following, The transparent conductive film of Claim 1 characterized by the following.
に、１０6 Ω／cm2以下、１０2 Ω／cm2以上 の表面抵
抗を示すドライプレーティング層を有し、ドライプレー
ティング層の中でプラスチックフィルムとの界面の金属
酸化物の組成が、けい素酸化物、アルミニウム酸化物お
よびマグネシウム酸化物から選ばれる少なくとも１種の
金属酸化物が主体であることを特徴とする請求項１記載
の透明導電性フィルム。3. One or both sides of the plastic film, 10 6 Ω / cm 2 or less, 10 2 Ω / cm 2 or more Having a dry plating layer exhibiting a surface resistance of at least one selected from the group consisting of silicon oxide, aluminum oxide and magnesium oxide having a composition of a metal oxide at the interface with the plastic film in the dry plating layer. The transparent conductive film according to claim 1, which is mainly composed of a metal oxide.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09794493A JP3331670B2 (en) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | Transparent conductive film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09794493A JP3331670B2 (en) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | Transparent conductive film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06305069A true JPH06305069A (en) | 1994-11-01 |
| JP3331670B2 JP3331670B2 (en) | 2002-10-07 |
Family
ID=14205786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09794493A Expired - Lifetime JP3331670B2 (en) | 1993-04-23 | 1993-04-23 | Transparent conductive film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3331670B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012509203A (en) * | 2008-11-17 | 2012-04-19 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | Gradient composition barrier |
-
1993
- 1993-04-23 JP JP09794493A patent/JP3331670B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012509203A (en) * | 2008-11-17 | 2012-04-19 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | Gradient composition barrier |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3331670B2 (en) | 2002-10-07 |
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