JPH06302937A - Formation of conductor circuit for printed wiring board - Google Patents

Formation of conductor circuit for printed wiring board

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JPH06302937A
JPH06302937A JP8904793A JP8904793A JPH06302937A JP H06302937 A JPH06302937 A JP H06302937A JP 8904793 A JP8904793 A JP 8904793A JP 8904793 A JP8904793 A JP 8904793A JP H06302937 A JPH06302937 A JP H06302937A
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JP
Japan
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resist
plating
plating resist
etching
forming
Prior art date
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Application number
JP8904793A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshinari Takada
俊成 高田
Haruo Akaboshi
晴夫 赤星
Masashi Miyazaki
政志 宮崎
Kanji Yamamoto
寛二 山本
Shiro Kobayashi
史朗 小林
Fujiko Yuya
ふじ子 油谷
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPH06302937A publication Critical patent/JPH06302937A/en
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Abstract

PURPOSE:To provide a method wherein plating resist is completely eliminated without cutting and damaging wiring, and a fine circuit can be formed, when the conductor circuit of a printed wiring board is formed. CONSTITUTION:On substratum metal 2 formed on an insulative board 1, a plating resist pattern 3 whose main component is acryl based compound is formed so as to correspond to a wiring pattern, and a conductor circuit 4 as the wiring pattern is formed by plating. The plating resist pattern 3 is exfoliated by using a peeling liquid, and treated by using a resist elimination pretreatment liquid which cuts at least a part of chemical bonds in the plating resist, or resist elemination pretreatment liquid composed of a solution of strong acid or alkali metal hydroxide. After rinsing, the substratum metal 2 is etched.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、プリント配線板に高密
度で微細な回路を形成するに適したプリント配線板の導
体回路形成方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a conductor circuit of a printed wiring board, which is suitable for forming high density and fine circuits on the printed wiring board.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、プリント配線板の導体回路を形成
する方法としては、銅張積層板を出発材料として用い、
回路部分にエッチングレジストを設けて回路以外の部分
をエッング除去する方法が一般的に行なわれていた。し
かし、エッチング法では、回路の厚さ方向だけでなく、
幅方向にもエッチングが進行するため、回路の断面形状
は矩形ではなく、基板側の幅が広い台形状になってい
た。そのため、配線が高密度になり配線の幅が回路の厚
さに近づいてくると、十分な回路断面積を得ることが困
難であった。また、エッチング量のバラツキにより回路
の寸法精度が決まるため、微細配線を高精度で形成する
ことが難しいという問題があった。そのため、このよう
な高密度配線を形成するには、通常のエッチング法では
なく、パターンめっき法が用いられていた。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a method for forming a conductor circuit of a printed wiring board, a copper clad laminate is used as a starting material,
A method of providing an etching resist on the circuit portion and removing the portion other than the circuit by etching has been generally performed. However, in the etching method, not only in the thickness direction of the circuit,
Since the etching also progresses in the width direction, the cross-sectional shape of the circuit is not a rectangle but a trapezoid with a wide width on the substrate side. Therefore, when the wiring becomes dense and the width of the wiring approaches the thickness of the circuit, it is difficult to obtain a sufficient circuit cross-sectional area. Further, since the dimensional accuracy of the circuit is determined by the variation in the etching amount, there is a problem that it is difficult to form fine wiring with high accuracy. Therefore, in order to form such a high-density wiring, the pattern plating method has been used instead of the usual etching method.

【0003】パターンめっき法は、銅張積層板を出発材
料として用い、銅箔上の回路を形成しない部分にめっき
レジスト(めっきのパターンを形成するために設けるレ
ジスト)を設け、このめっきレジストで覆われていない
部分、つまり回路形成部分にめっきを行なうことにより
導体回路を形成する。その後、めっきレジストを除去
し、さらに、回路以外の部分の下地の銅をエッチングに
より除去して独立した回路を形成する。この方法では、
導体回路はめっきレジストの形通りに形成されるため、
回路幅の形成精度はめっきレジストの形成精度で決ま
る。従って、感光性のめっきレジストを用い、写真法で
レジストパターンを形成することにより、微細配線を高
精度で形成することが可能になる。
In the pattern plating method, a copper clad laminate is used as a starting material, a plating resist (a resist provided for forming a plating pattern) is provided on a portion of a copper foil where a circuit is not formed, and the plating resist is covered. A conductor circuit is formed by plating a portion that is not exposed, that is, a circuit formation portion. After that, the plating resist is removed, and further, the underlying copper other than the circuit is removed by etching to form an independent circuit. in this way,
Since the conductor circuit is formed according to the shape of the plating resist,
The circuit width formation accuracy is determined by the plating resist formation accuracy. Therefore, by using a photosensitive plating resist and forming a resist pattern by a photographic method, fine wiring can be formed with high accuracy.

【0004】このようなパターンめっき法では、めっき
レジストを十分基板に密着させ、めっき工程での剥がれ
やふくれを防止すること及びめっき終了後にめっきレジ
ストを完全に剥離除去することが不可欠である。すなわ
ち、めっき工程まではレジストの高い密着性、レジスト
除去工程では良好な剥離性という相反する特性が要求さ
れる。特に、導体回路の形成を化学銅めっきで行なう場
合には、めっき工程でのレジストの剥がれやふくれが起
こりやすいため、めっきレジストの密着性向上が必要で
ある。めっきレジストの密着性を向上させ、めっき工程
での剥がれやふくれを防止する方法としては、特開昭6
4−13794、特開平1−261888等に述べられ
た方法がある。
In such a pattern plating method, it is essential that the plating resist is sufficiently adhered to the substrate to prevent peeling and blistering in the plating step, and to completely peel and remove the plating resist after the plating is completed. That is, contradictory properties such as high adhesion of the resist up to the plating step and good peelability in the resist removal step are required. In particular, when the conductor circuit is formed by chemical copper plating, peeling or swelling of the resist is likely to occur during the plating process, and therefore it is necessary to improve the adhesion of the plating resist. As a method for improving the adhesion of a plating resist and preventing peeling or blistering in the plating process, there is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No.
4-13794, JP-A-1-261888 and the like.

【0005】レジストの剥離除去には、通常、ジクロロ
メタン等の塩素系有機溶剤、アルカリ性のレジスト剥離
液等が、レジストの性状に合わせて使用されている。し
かし、レジストの密着性が高い場合、先に示した剥離処
理では完全にレジストを除去することができず、部分的
に回路以外の部分の下地銅箔上にレジスト残渣が付着し
た状態が生ずる場合があった。このようなレジスト残渣
があると、後のエッチング工程でこの部分の銅が除去さ
れず、短絡や回路間隙不足等の欠陥の原因となった。
For removing the resist by stripping, a chlorine-based organic solvent such as dichloromethane, an alkaline resist stripping solution or the like is usually used according to the properties of the resist. However, when the adhesiveness of the resist is high, the resist cannot be completely removed by the above-described peeling process, and there is a case where the resist residue adheres partially to the underlying copper foil other than the circuit. was there. If such a resist residue is present, copper in this portion cannot be removed in a subsequent etching step, which causes defects such as a short circuit and a short circuit gap.

【0006】そのため、レジストの付着残渣を除去する
方法として、特開昭60−206190には、レジスト
剥離処理後に残留するフォトレジストを強酸中に浸漬し
た後、耐酸性のブラシでブラッシングして除去する方法
が示されている。
[0006] Therefore, as a method for removing the residue attached to the resist, in JP-A-60-206190, the photoresist remaining after the resist stripping treatment is immersed in a strong acid and then brushed with an acid resistant brush to remove it. The method is shown.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術のように
レジスト残渣を除去するためにブラッシング等の機械的
手段を用いると、微細化した配線を傷つけたり剥がした
り切断したりしやすいという問題があった。また、剥離
液として用いる塩素系有機溶剤の一部は環境保全の点か
らその使用が好ましくないという問題があった。
When mechanical means such as brushing is used to remove the resist residue as in the above-mentioned prior art, there is a problem that it is easy to damage, peel or cut fine wiring. It was Further, there is a problem that some of the chlorine-based organic solvents used as the stripping solution are not preferable from the viewpoint of environmental protection.

【0008】本発明の第1の目的は、めっきレジストを
除去する際に、配線を切断したり傷つけたりすることな
くレジストを完全に取り除き、微細な回路を形成するこ
とのできるプリント配線板の導体回路形成方法を提供す
ることにある。
A first object of the present invention is, when removing a plating resist, completely removing the resist without cutting or damaging the wiring and forming a fine circuit conductor of a printed wiring board. It is to provide a circuit forming method.

【0009】本発明の第2の目的は、塩素系有機溶剤に
よる剥離処理を行なわずにめっきレジストを除去できる
プリント配線板の導体回路形成方法を提供することにあ
る。
A second object of the present invention is to provide a method for forming a conductor circuit on a printed wiring board, which can remove the plating resist without performing a stripping treatment with a chlorine-based organic solvent.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記第1の目的を達成す
るために、本発明のプリント配線板の導体回路形成方法
は、絶縁板上に設けられた下地金属上に、アクリル系化
合物を主成分とするめっきレジストを配線パターンに応
じて設け、めっきにより配線パターンを形成し、めっき
レジストを剥離液により剥離し、めっきレジスト中の化
学結合の少なくとも一部を切断するレジスト除去前処理
液又は強酸若しくはアルカリ金属水酸化物の溶液からな
るレジスト除去前処理液でめっきレジストを処理し、め
っきレジストを水洗し、さらに下地金属のエッチング処
理を行なうものである。
In order to achieve the first object, the method for forming a conductor circuit of a printed wiring board according to the present invention is such that an acrylic compound is mainly formed on a base metal provided on an insulating board. A resist removal pretreatment liquid or a strong acid that provides a plating resist as a component according to the wiring pattern, forms the wiring pattern by plating, peels the plating resist with a peeling solution, and cuts at least a part of the chemical bonds in the plating resist. Alternatively, the plating resist is treated with a resist removal pretreatment liquid consisting of a solution of an alkali metal hydroxide, the plating resist is washed with water, and the underlying metal is etched.

【0011】また、上記第2の目的を達成するために、
本発明のプリント配線板の導体回路形成方法は、絶縁板
上に設けられた下地金属上に、アクリル系化合物を主成
分とするめっきレジストを配線パターンに応じて設け、
めっきにより配線パターンを形成し、めっきレジストの
剥離液による処理を行なうことなく、めっきレジスト中
の化学結合の少なくとも一部を切断するレジスト除去前
処理液又は強酸若しくはアルカリ金属水酸化物の溶液か
らなるレジスト除去前処理液でめっきレジストを処理
し、めっきレジストを水洗し、さらに下地金属のエッチ
ング処理を行なうものである。
In order to achieve the above second object,
The method for forming a conductor circuit of a printed wiring board according to the present invention is to provide a plating resist containing an acrylic compound as a main component on a base metal provided on an insulating plate according to a wiring pattern,
Consists of a resist removal pretreatment liquid or a strong acid or alkali metal hydroxide solution that forms a wiring pattern by plating and cuts at least a part of the chemical bonds in the plating resist without treating the plating resist with a peeling liquid. The plating resist is treated with a resist removal pretreatment liquid, the plating resist is washed with water, and the underlying metal is etched.

【0012】本発明に用いるめっきレジスト組成として
は、レジスト除去前処理液によって分解反応により切断
されやすい化学結合を有する化合物、レジスト除去前処
理液によってレジストとして親水性を付与されやすい化
合物又はこの両方の作用を持つ化合物等を主成分とする
ものを用いることが好ましい。このような化合物として
各種樹脂に関して検討した結果、アクリル系化合物が特
性的に優れており、最適であることが分かった。
The plating resist composition used in the present invention includes a compound having a chemical bond which is easily cleaved by a decomposition reaction by a resist removal pretreatment liquid, a compound which is easily imparted hydrophilicity as a resist by the resist removal pretreatment liquid, or both of them. It is preferable to use a compound containing a compound having an action as a main component. As a result of studying various resins as such a compound, it was found that an acrylic compound is excellent in characteristics and most suitable.

【0013】アクリル系化合物として、メタクリル酸や
メタクリル酸エステル等のメタクリル酸系化合物、アク
リル酸やアクリル酸エステル等のアクリル酸系化合物が
挙げられる。このような化合物としては、メタクリル酸
メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、
メタクリル酸ブチル、メタクリル酸ヘキシル、メタクリ
ル酸ラウリル、メタクリル酸2−ヒドロキシエチル、メ
タクリル酸ヒドロキシプロピル、メタクリル酸グリシジ
ル、トリメチロールプロパントリメタクリレート、アク
リル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピ
ル、アクリル酸ブチル、アクリル酸2−エチルヘキシ
ル、アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、ブタンジオー
ルジアクリレート、エチレングリコールジアクリレー
ト、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレ
ングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコー
ルジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレ
ート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペン
タエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリト
ールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキ
サアクリレート等がある。
Examples of the acrylic compound include methacrylic acid compounds such as methacrylic acid and methacrylic acid esters, and acrylic acid compounds such as acrylic acid and acrylic acid esters. Such compounds include methyl methacrylate, ethyl methacrylate, propyl methacrylate,
Butyl methacrylate, hexyl methacrylate, lauryl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, hydroxypropyl methacrylate, glycidyl methacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, butyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, butanediol diacrylate, ethylene glycol diacrylate, diethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate, tetraethylene glycol diacrylate, neopentyl glycol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate , Pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate There is a dipentaerythritol hexa-acrylate, and the like.

【0014】これらの化合物は必要に応じてポリマー、
オリゴマー、モノマーとして用いられる。例えば、ドラ
イフィルムのポリマー成分として用いるポリメタクリル
酸メチル、レジストの架橋成分として用いる多官能アク
リレート(末端に複数のアクリロイル基(CH2=CH
CO−)を持つアクリル酸エステル)モノマー等であ
る。
These compounds are polymers, if necessary.
Used as an oligomer and a monomer. For example, polymethylmethacrylate used as a polymer component of a dry film, polyfunctional acrylate used as a crosslinking component of a resist (a plurality of acryloyl groups (CH 2 ═CH
Acrylic acid ester) monomer having CO-).

【0015】配線パターンを形成するめっきが化学銅め
っきの場合には、特にめっき工程でのレジストの剥離が
起こりやすいことから、レジストと下地との密着性を強
固にする処理が用いられるため、本発明の効果が大き
い。
When the plating for forming the wiring pattern is the chemical copper plating, the resist is likely to be peeled off particularly in the plating process, and therefore a treatment for strengthening the adhesion between the resist and the base is used. The effect of the invention is great.

【0016】めっきレジストの形態としては、スクリー
ン印刷レジストや感光性レジスト等があるが、高精度パ
ターンを形成する上では感光性レジストを用い、写真法
プロセスをとることが有利である。例えば、ドライフィ
ルムフォトレジストをホットロールでラミネートし、フ
ォトマスクを介してパターンイメージを露光した後に現
像してレジストパターンを形成してもよい。フォトレジ
ストとしては、ドライフィルムタイプの物の他に液状の
フォトレジストをスクリーンコート、ロールコート、カ
ーテンコート等の方法によって塗布して用いてもよい。
As the form of the plating resist, there are a screen printing resist, a photosensitive resist and the like, but it is advantageous to use the photosensitive resist and a photographic method process in forming a high precision pattern. For example, a dry film photoresist may be laminated with a hot roll, a pattern image may be exposed through a photomask and then developed to form a resist pattern. As the photoresist, in addition to the dry film type, a liquid photoresist may be applied by a method such as screen coating, roll coating or curtain coating.

【0017】なお、レジスト残渣除去をより効果的に行
なうために、レジスト除去前処理液中に超音波を加えた
り、レジスト除去前処理液をスプレーで基板に吹き付け
たりすることができる。同様に、レジスト除去前処理液
で処理した後の水洗工程で超音波処理を行なったり、ス
プレー水洗を行なうことができる。また、エッチング工
程で超音波処理を行なったり、エッチング液をスプレー
で基板に吹き付けたりすることができる。
In order to remove the resist residue more effectively, ultrasonic waves may be applied to the resist removal pretreatment liquid, or the resist removal pretreatment liquid may be sprayed onto the substrate. Similarly, ultrasonic treatment or spray water washing can be performed in the water washing step after the treatment with the resist removal pretreatment liquid. In addition, ultrasonic treatment can be performed in the etching step, or an etching liquid can be sprayed onto the substrate.

【0018】レジスト中の化学結合の少なくとも一部を
切断するレジスト除去前処理液としては、硫酸、硝酸、
塩酸、臭化水素酸、よう化水素酸等の強酸又はリチウ
ム、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属水酸化物の
アルコール溶液若しくは水溶液等を用いることができ
る。中でも強い脱水作用を持つ硫酸の効果が極めて大き
い。硫酸濃度は、20重量%程度でも効果があるが、6
0重量%以上の濃硫酸を用いるとさらに効果が大きい。
特に剥離性の悪いものについては、80重量%以上の濃
硫酸を用い、温度を30℃以上にして処理すると良い結
果が得られる。濃硫酸の濃度は100重量%のものを用
いてもよい。処理温度は室温以上60℃程度までとする
のが好ましく、30℃以上60℃程度までとすることは
より好ましい。
As the resist removal pretreatment liquid for cutting at least a part of the chemical bonds in the resist, sulfuric acid, nitric acid,
A strong acid such as hydrochloric acid, hydrobromic acid, hydroiodic acid or the like, or an alcohol solution or aqueous solution of an alkali metal hydroxide such as lithium, sodium or potassium can be used. Above all, the effect of sulfuric acid, which has a strong dehydrating action, is extremely large. A sulfuric acid concentration of about 20% by weight is effective, but
The effect is further enhanced when 0% by weight or more of concentrated sulfuric acid is used.
Particularly, for those having a poor peeling property, a good result can be obtained by using 80% by weight or more of concentrated sulfuric acid and treating at a temperature of 30 ° C. or more. The concentration of concentrated sulfuric acid may be 100% by weight. The treatment temperature is preferably room temperature or higher and about 60 ° C., and more preferably 30 ° C. or higher and about 60 ° C.

【0019】また、剥離液によるレジスト剥離処理後の
レジスト残渣の場合、その厚さは不均一であるが数μm
程度まで減少している。しかし、本発明に用いるめっき
レジストは、レジスト除去前処理液によってレジスト中
の化学結合が分解反応により切断されやすく、変質しや
すい化合物等を主成分とするものである。このため、レ
ジスト除去前処理によるレジストの変質は、レジスト残
渣より厚い状態である未剥離状態のレジストの場合でも
同様に進行する。この結果、本発明によれば、剥離液に
よるレジスト剥離処理を行なわずにレジストを効果的に
除去することもできる。
Further, in the case of the resist residue after the resist stripping treatment with the stripping solution, its thickness is not uniform, but is several μm.
It has decreased to the extent. However, the plating resist used in the present invention contains a compound or the like as a main component, which is liable to be broken due to a decomposition reaction of a chemical bond in the resist by a resist removal pretreatment liquid. For this reason, the deterioration of the resist due to the resist removal pretreatment progresses similarly even in the case of the unpeeled resist which is thicker than the resist residue. As a result, according to the present invention, the resist can be effectively removed without performing the resist stripping treatment with the stripping solution.

【0020】[0020]

【作用】本発明によりめっきレジストを効果的に除去で
きるのは、以下に述べるような作用によるものと推定さ
れる。本発明に用いるめっきレジストの主成分であるア
クリル系化合物、例えば、アクリル酸エステルやメタク
リル酸エステルのエステル結合は、炭素−炭素結合と比
べ分解反応により切断されやすい結合である。
It is presumed that the plating resist can be effectively removed by the present invention by the following actions. The acrylic compound, which is the main component of the plating resist used in the present invention, such as an ester bond of an acrylic acid ester or a methacrylic acid ester, is a bond that is more easily broken by a decomposition reaction than a carbon-carbon bond.

【0021】下地金属上のめっきレジストをレジスト除
去前処理液で処理した段階では、レジストは変質し、一
部が溶解するが、完全に溶解するわけではなく、また基
板にも密着していて剥離することは難しい。しかし、引
き続いて水洗処理を行なうと、レジスト内のレジスト除
去前処理液(例えば濃硫酸)が水に置き換わる。レジス
ト除去前処理によってレジストに親水性が付与されるこ
とから、レジスト除去前処理せずに水洗した場合と比べ
てレジスト内への水の侵入量が多くなる。その結果、レ
ジスト除去前処理及び水洗処理により、レジストの膨張
やクラックの発生が進行しやすくなる。このようなレジ
ストへの親水性の付与、クラックの発生によりレジスト
と下地金属の界面にエッチング液が浸透しやすい状態に
変化するため、レジストが容易に剥離できるようにな
る。
At the stage when the plating resist on the underlying metal is treated with the resist removal pretreatment liquid, the resist is altered and a part thereof is dissolved, but it is not completely dissolved, and it is also adhered to the substrate and peeled off. Difficult to do. However, when the water washing process is subsequently performed, the resist removal pretreatment liquid (for example, concentrated sulfuric acid) in the resist is replaced with water. Because the resist removal pretreatment imparts hydrophilicity to the resist, the amount of water invading into the resist increases as compared with the case of washing with water without the resist removal pretreatment. As a result, the resist removal pretreatment and the water washing treatment facilitate the progress of resist expansion and cracking. Due to the hydrophilicity imparted to the resist and the occurrence of cracks, the etching liquid is easily penetrated into the interface between the resist and the underlying metal, so that the resist can be easily peeled off.

【0022】濃硫酸の濃度を濃くしたり、温度を上げた
り、濃硫酸への浸漬時間を延ばすことにより、上述のよ
うなレジストの変化はさらに進行する。特にレジストの
密着性が強い場合には、エッチングだけでは剥離し難い
場合もあるが、スプレーや超音波処理等機械的な処理を
併用することにより、剥離を促進することができる。
By increasing the concentration of concentrated sulfuric acid, raising the temperature, and prolonging the immersion time in concentrated sulfuric acid, the above-mentioned change of the resist further progresses. In particular, when the adhesiveness of the resist is strong, it may be difficult to remove the resist only by etching, but the use of a mechanical treatment such as spraying or ultrasonic treatment can promote the peeling.

【0023】[0023]

【実施例】本発明の実施例を図1に示した導体回路と基
材の断面図を用いて説明する。図1(a)は、下地金属
層2を有する絶縁板1の断面である。下地金属層2には
プリント配線板では一般に銅が用いられる。絶縁板1と
しては、ガラスエポキシ積層板、ガラスポリイミド積層
板等が使用できる。これらは、銅張り積層板として市販
されているものを使用することができる。なお、下地金
属層2は、1層に限定されるものではなく、複数層設け
ても良い。
EXAMPLE An example of the present invention will be described with reference to the sectional views of the conductor circuit and the base material shown in FIG. FIG. 1A is a cross section of an insulating plate 1 having a base metal layer 2. Copper is generally used for the base metal layer 2 in a printed wiring board. As the insulating plate 1, a glass epoxy laminated plate, a glass polyimide laminated plate, or the like can be used. These can use what is marketed as a copper clad laminated board. The base metal layer 2 is not limited to one layer, and a plurality of layers may be provided.

【0024】図1(b)は、めっきレジストの密着性を
向上させるため、下地金属層2の表面を粗化した状態を
示す。特に、後述する図1(d)の導体回路の形成を化
学銅めっきで行なう場合には、めっき工程でレジストが
剥がれたりふくれたりし易いため、適切な密着促進処理
が不可欠である。ただし、このような表面粗化は、必要
に応じて実施すればよく、本発明に必須の工程ではな
い。
FIG. 1B shows a state in which the surface of the underlying metal layer 2 is roughened in order to improve the adhesion of the plating resist. In particular, when the conductor circuit shown in FIG. 1D, which will be described later, is formed by chemical copper plating, the resist is easily peeled off or swelled in the plating process, and thus an appropriate adhesion promoting treatment is essential. However, such surface roughening may be carried out as necessary and is not an essential step of the present invention.

【0025】次に、下地金属層2上にめっきレジストパ
ターン3を形成する(図1(c))。めっきレジストパ
ターンの形成法としては、スクリーン印刷法や感光性レ
ジストを用いる写真法等があるが、高精度パターンを形
成する上では写真法プロセスが有利である。例えば、ド
ライフィルムフォトレジストをホットロールでラミネー
トし、フォトマスクを介してパターンイメージを露光し
た後に現像してレジストパターンを形成する。フォトレ
ジストとしては、ドライフィルムタイプのもののほかに
液状のフォトレジストをスクリーンコート、ロールコー
ト、カーテンコート等の方法によって塗布して用いても
良い。
Next, a plating resist pattern 3 is formed on the underlying metal layer 2 (FIG. 1 (c)). As a method for forming the plating resist pattern, there are a screen printing method, a photographic method using a photosensitive resist, and the like, but the photographic method is advantageous in forming a highly accurate pattern. For example, a dry film photoresist is laminated with a hot roll, a pattern image is exposed through a photomask, and then developed to form a resist pattern. As the photoresist, in addition to a dry film type photoresist, a liquid photoresist may be applied by a method such as screen coating, roll coating or curtain coating.

【0026】この後、めっきにより導体回路4を形成す
る(図1(d))。プリント配線板の場合には、導体回
路4は、通常、銅めっきが用いられる。これは電気銅め
っき、化学銅めっき等によって形成される。一般的には
電気銅めっきが広く用いられているが、めっき厚さの均
一性の点では化学銅めっきが優れている。
After that, the conductor circuit 4 is formed by plating (FIG. 1 (d)). In the case of a printed wiring board, copper plating is usually used for the conductor circuit 4. This is formed by electrolytic copper plating, chemical copper plating, or the like. Generally, electrolytic copper plating is widely used, but chemical copper plating is superior in terms of uniformity of plating thickness.

【0027】次いで、めっきレジストパターン3をレジ
スト剥離液で剥離する(図1(e))。通常、レジスト
の剥離除去には、溶剤現像タイプのレジストでは、ジク
ロロメタン等の塩素系有機溶剤が、また、アルカリ現像
タイプのレジストでは、アルカリ性のレジスト剥離液等
が使用される。しかし、めっきレジストパターン3の密
着性が高くなると、これらの剥離処理では完全にレジス
トを除去することができず、図1(e)に示したよう
に、回路以外の部分の下地銅箔上にレジスト残渣5がで
きてしまう。このままの状態で下地銅箔のエッチングを
行なうと、比較例として図3(f)に示したように、レ
ジスト残渣5の下にエッチング残り6が生じてしまう。
なお、比較例として示した図3の(a)から(e)に至
る処理は、図1の(a)から(e)に至る処理と同じ処
理である。
Next, the plating resist pattern 3 is stripped with a resist stripping solution (FIG. 1 (e)). Usually, a chlorine-based organic solvent such as dichloromethane is used for the solvent developing type resist, and an alkaline resist stripping solution is used for the alkali developing type resist for peeling and removing the resist. However, if the adhesion of the plating resist pattern 3 becomes high, the resist cannot be completely removed by these stripping treatments, and as shown in FIG. A resist residue 5 is formed. When the underlying copper foil is etched in this state, an etching residue 6 is formed under the resist residue 5 as shown in FIG. 3 (f) as a comparative example.
The processes from (a) to (e) of FIG. 3 shown as a comparative example are the same as the processes from (a) to (e) of FIG.

【0028】これに対し、レジスト剥離処理の後(図1
(e))、レジスト除去前処理液で処理し(図1
(f))、更に水洗後に下地金属のエッチング液で処理
すれば効果的にレジスト残渣を除去することができる
(図1(g))。
On the other hand, after the resist stripping treatment (see FIG.
(E)), and treatment with a resist removal pretreatment liquid (see FIG.
(F)) Further, the resist residue can be effectively removed by further treating with an etching solution for the underlying metal after washing with water (FIG. 1 (g)).

【0029】なお、めっきレジストパターン3は、レジ
スト除去前処理液によってレジスト中の化学結合の少な
くとも一部が切断されやすい化合物を主成分とする。こ
のため、図1の(a)から(d)に至る処理と同じ処理
を図2の(a)から(d)に示すように行ない、導体回
路4を形成した後(図2(d))、レジスト剥離液によ
る剥離を省いてレジスト除去前処理液でレジストを処理
し(図2(e))、さらに水洗後に下地金属のエッチン
グ液で処理しても、効果的にレジスト残渣を除去するこ
とができる(図2(f))。
The plating resist pattern 3 contains, as a main component, a compound in which at least a part of chemical bonds in the resist is easily broken by the resist removal pretreatment liquid. Therefore, after the same processes as the processes from (a) to (d) of FIG. 1 are performed as shown in (a) to (d) of FIG. 2 and the conductor circuit 4 is formed (FIG. 2 (d)). The resist residue can be effectively removed even if the resist is treated with the resist removal pretreatment liquid without removing the resist with the resist removal liquid (FIG. 2 (e)) and further treated with the underlying metal etching liquid after washing with water. (Fig. 2 (f)).

【0030】いずれの場合も、この後、さらに導体回路
4以外の部分の下地金属層2をエッチングして除去する
ことにより、エッチング残り等の欠陥のない微細配線パ
ターンを形成することができる(図1(h)、図2
(g))。なお、下地金属層2のエッチングは上記のよ
うな2段階に限定する必要はなく、レジスト除去前処理
液によるレジスト処理後、1段階で行なってもよい。
In any case, thereafter, the underlying metal layer 2 other than the conductor circuit 4 is further removed by etching to form a fine wiring pattern having no defects such as etching residue (see FIG. 1 (h), Fig. 2
(G)). The etching of the underlying metal layer 2 does not have to be limited to the above two steps, and may be performed in one step after the resist treatment with the resist removal pretreatment liquid.

【0031】レジスト除去前処理液としては、硫酸、硝
酸、塩酸、臭化水素酸、よう化水素酸等の強酸、リチウ
ム、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属水酸化物の
アルコール溶液、水溶液等を用いることができる。中で
も、強い脱水作用を持つ硫酸の効果が極めて大きい。硫
酸濃度としては、20重量%程度でも効果があるが、6
0重量%以上の濃硫酸を用いると更に効果が大きい。特
に剥離性に悪いものについては、80重量%以上の濃硫
酸を用い、温度を30℃以上にして処理すると良い結果
が得られる。
As the resist removal pretreatment liquid, a strong acid such as sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid, hydrobromic acid or hydroiodic acid, or an alcohol solution or aqueous solution of an alkali metal hydroxide such as lithium, sodium or potassium is used. be able to. Above all, the effect of sulfuric acid having a strong dehydrating effect is extremely large. A sulfuric acid concentration of about 20% by weight is effective, but
The effect is further enhanced when 0% by weight or more of concentrated sulfuric acid is used. Especially for those having a poor peeling property, good results can be obtained by treating with 80% by weight or more of concentrated sulfuric acid at a temperature of 30 ° C. or more.

【0032】また、下地金属層2をエッチング液で処理
してレジスト残渣5を除去する際、超音波を印加した
り、エッチング液をスプレーしたりすることによりレジ
スト残渣の除去効率をあげることができる。以下に、い
くつかのより具体的な例を挙げて、各工程毎に細かく説
明する。
When the base metal layer 2 is treated with an etching solution to remove the resist residue 5, the removal efficiency of the resist residue can be improved by applying ultrasonic waves or spraying the etching solution. . Hereinafter, each step will be described in detail by giving some more specific examples.

【0033】〈実施例1〉 [工程1]厚さ12μmの銅層を有し、基材の厚さ0.
1mmの両面銅張りガラスポリイミド積層板を所要の大
きさに切断し、銅表面をブラッシング研磨した。
Example 1 [Step 1] A substrate having a copper layer having a thickness of 12 μm and having a thickness of 0.
A 1 mm double-sided copper-clad glass-polyimide laminate was cut into a desired size, and the copper surface was brushed and polished.

【0034】[工程2]水洗後、銅表面を粗化するた
め、下記表1記載の組成(I)のソフトエッチング液中
に30℃で1分間浸漬した。
[Step 2] After washing with water, in order to roughen the copper surface, it was immersed in a soft etching solution of composition (I) shown in Table 1 below at 30 ° C. for 1 minute.

【0035】[0035]

【表1】 [Table 1]

【0036】[工程3]次に、さらに銅表面を粗化する
ため、下記表2記載の組成(II)の処理液に70℃で2
分間浸漬し、銅表面に酸化膜層を形成した。
[Step 3] Next, in order to further roughen the copper surface, a treatment liquid having the composition (II) shown in Table 2 below was used at 70 ° C. for 2 hours.
It was immersed for a minute to form an oxide film layer on the copper surface.

【0037】[0037]

【表2】 [Table 2]

【0038】[工程4]次いで、水洗の後、下記表3記
載の組成(III)の処理液に45℃で1分間浸漬し、酸
化膜層を還元した。
[Step 4] Then, after washing with water, the oxide film layer was reduced by immersing it in a treatment liquid having the composition (III) shown in Table 3 below at 45 ° C. for 1 minute.

【0039】[0039]

【表3】 [Table 3]

【0040】[工程5]次に、水洗を行なった後、下記
表4記載の組成(IV)の30℃のニッケルめっき液で、
電流密度0.05A/dm2で6分間めっきし、銅層表
面に薄いニッケルめっき層を形成した。この場合、ニッ
ケルめっき層の厚さは0.06μmであった。次に水洗
を行ない、表面が粗化された銅の上にニッケルめっきが
された基板を得た。
[Step 5] Next, after washing with water, a nickel plating solution having a composition (IV) shown in Table 4 below at 30 ° C. was used.
Plating was performed for 6 minutes at a current density of 0.05 A / dm 2 to form a thin nickel plating layer on the surface of the copper layer. In this case, the thickness of the nickel plating layer was 0.06 μm. Then, the substrate was washed with water to obtain a substrate in which nickel was plated on the surface-roughened copper.

【0041】[0041]

【表4】 [Table 4]

【0042】[工程6]続いて、基板表面を十分乾燥し
た後、下記表5記載の組成(V)の感光性樹脂組成物層
(厚さ35μm)を有するドライフィルムフォトレジス
トをホットロールによりラミネートした。この時、ホッ
トロール温度を110℃、ラミネート速度を1m/mi
n.とした。
[Step 6] Subsequently, after the substrate surface was sufficiently dried, a dry film photoresist having a photosensitive resin composition layer (thickness 35 μm) having the composition (V) shown in Table 5 below was laminated by a hot roll. did. At this time, the hot roll temperature was 110 ° C. and the laminating speed was 1 m / mi.
n. And

【0043】[0043]

【表5】 [Table 5]

【0044】[工程7]約5分間放冷した後、回路を形
成する部分をマスクし、超高圧水銀灯露光装置で100
mJ/cm2露光した。次に1,1,1−トリクロロエ
タンを現像液とし、約25℃で2分間スプレーすること
により現像した。これにより基板表面の回路を形成しな
い部分をめっきレジストでマスクすることができた。
[Step 7] After being left to cool for about 5 minutes, a portion for forming a circuit is masked and exposed to an ultra-high pressure mercury lamp exposure apparatus at 100.
It was exposed to mJ / cm 2 . Next, 1,1,1-trichloroethane was used as a developing solution, and the resultant was sprayed at about 25 ° C. for 2 minutes for development. As a result, the portion of the substrate surface where no circuit was formed could be masked with the plating resist.

【0045】[工程8]次に、前記組成(I)のソフト
エッチング液で2分間処理して、回路となる部分のニッ
ケル膜を除去した。
[Step 8] Next, the soft etching solution having the composition (I) was applied for 2 minutes to remove the nickel film in the portion to be the circuit.

【0046】[工程9]水洗後、下記表6記載の組成
(VI)の化学銅めっき液に70℃で12時間浸漬し、厚
さ約30μmの導体回路を形成した。
[Step 9] After washing with water, it was immersed in a chemical copper plating solution having the composition (VI) shown in Table 6 below at 70 ° C. for 12 hours to form a conductor circuit having a thickness of about 30 μm.

【0047】[0047]

【表6】 [Table 6]

【0048】[工程10]めっき後、十分水洗する。続
いて、全体を3%硫酸水溶液に2分間浸漬した後、下記
表7記載の組成(VII)のはんだめっき液で電流密度1
A/dm2で15分間はんだめっきを行なった。
[Step 10] After plating, thoroughly wash with water. Then, after soaking the whole in a 3% aqueous solution of sulfuric acid for 2 minutes, a current density of 1 with a solder plating solution having the composition (VII) shown in Table 7 below.
Solder plating was performed at A / dm 2 for 15 minutes.

【0049】[0049]

【表7】 [Table 7]

【0050】[工程11]次に、30℃のジクロロメタ
ンを10分間基板にスプレーして基板上のレジストを剥
離した。しかし回路以外の部分の下地銅箔上には、ほぼ
全面にわたってめっきレジスト残渣が付着していた。
[Step 11] Next, dichloromethane at 30 ° C. was sprayed on the substrate for 10 minutes to remove the resist on the substrate. However, the plating resist residue was adhered to almost the entire surface of the base copper foil in the portion other than the circuit.

【0051】[工程12]この基板をレジスト除去前処
理液である40℃の95重量%硫酸に5分間浸漬し、レ
ジストの脱水分解反応を行なわせた。
[Step 12] This substrate was immersed in 95% by weight sulfuric acid at 40 ° C., which is a resist removal pretreatment liquid, for 5 minutes to cause dehydration decomposition reaction of the resist.

【0052】[工程13]次に、基板を水洗した。[Step 13] Next, the substrate was washed with water.

【0053】[工程14]さらに組成(I)のソフトエ
ッチング液中で超音波を印加しながら1分間エッチング
を行なった。その結果、下地銅箔は約0.8μmエッチ
ングされた。また、このエッチング処理により下地銅箔
表面からは、レジスト残渣はすべて除去された。
[Step 14] Further, etching was performed for 1 minute while applying ultrasonic waves in the soft etching solution of composition (I). As a result, the underlying copper foil was etched by about 0.8 μm. Further, this etching treatment removed all the resist residues from the surface of the underlying copper foil.

【0054】[工程15]次に、基板を水洗した。[Step 15] Next, the substrate was washed with water.

【0055】[工程16]さらに下記表8記載の組成
(VIII)のエッチング液により、回路以外の部分の下地
銅箔をエッチング除去した。下地銅箔のエッチング速度
は、8μm/min.であった。
[Step 16] Further, the underlying copper foil on the portion other than the circuit was removed by etching with an etching solution having the composition (VIII) shown in Table 8 below. The etching rate of the underlying copper foil is 8 μm / min. Met.

【0056】[0056]

【表8】 [Table 8]

【0057】以上説明した工程1から工程16に至る処
理により導体回路が形成された基板には、回路以外の部
分に銅のエッチング残りはなく、高精度の配線パターン
を欠陥なく作製することができた。
On the substrate on which the conductor circuit is formed by the processes from step 1 to step 16 described above, there is no copper etching residue on the portion other than the circuit, and a highly accurate wiring pattern can be produced without defects. It was

【0058】〈比較例1〉この比較例1は、工程12の
後に工程13、14、15を行なう代わりに、従来技術
で示した、耐酸性ブラシで基板表面をこすり、そのあと
に工程16を行なった場合である。これ以外は、実施例
1と同様である。この結果、配線のない部分、配線間隔
の広い部分についてはレジストが除去されたが、レジス
トの際や、平行する配線の間では、レジストが完全には
除去されず、エッチング後も銅残りが発生した。また、
ブラッシングによる傷が原因と思われるパターン欠け等
の回路欠陥が発生した。
Comparative Example 1 In Comparative Example 1, instead of performing Steps 13, 14, and 15 after Step 12, the substrate surface was rubbed with an acid resistant brush as shown in the prior art, and then Step 16 was performed. That is the case. Other than this, the same as in Example 1. As a result, the resist was removed in the areas where there is no wiring and in the areas where the wiring spacing is wide, but the resist is not completely removed during the resist and between the parallel wirings, and copper remains after etching. did. Also,
A circuit defect such as a pattern defect, which is thought to be caused by scratches caused by brushing, occurred.

【0059】〈比較例2〉実施例1のレジスト除去前処
理前の基板をそのまま組成(VIII)のエッチング液で処
理し、つまり、上述の工程12、13を行なわないで、
工程11の後に工程16の処理を直接行なって、回路以
外の部分の下地銅箔のエッチングを試みた。その結果、
レジスト残渣は大部分がそのまま下地銅箔表面に残り、
さらにその部分が銅エッチング残りとなった。このため
回路間隔が設計値より小さくなったり、回路間が短絡し
たりする回路欠陥が多数発生した。
Comparative Example 2 The substrate before the resist removal pretreatment of Example 1 is directly treated with the etching solution having the composition (VIII), that is, the steps 12 and 13 described above are not performed,
After the step 11, the process of the step 16 was directly carried out to try to etch the underlying copper foil in the portion other than the circuit. as a result,
Most of the resist residue remains on the surface of the underlying copper foil,
Further, that portion was left as a copper etching residue. As a result, many circuit defects occur such that the circuit interval becomes smaller than the design value and short circuits occur.

【0060】〈実施例2〉実施例1のレジスト除去前処
理後の基板をそのまま水洗し、次いで組成(VIII)のエ
ッチング液で処理し、つまり工程12の後に、上述の工
程13、14を行なわずに工程15、16の処理を行な
うことにより、回路以外の部分の下地銅箔の1段階によ
るエッチングを試みた。その結果、基板表面には回路以
外の部分に銅のエッチング残りはなく、高精度の配線パ
ターンを欠陥なく作製することができた。
Example 2 The substrate after the resist removal pretreatment of Example 1 is washed with water as it is, and then treated with an etching solution having the composition (VIII), that is, after the step 12, the above steps 13 and 14 are performed. Instead, the steps 15 and 16 were carried out to attempt one-step etching of the underlying copper foil in the portion other than the circuit. As a result, there was no etching residue of copper on the surface of the substrate other than the circuit, and a highly accurate wiring pattern could be produced without defects.

【0061】〈比較例3〉実施例1のレジスト除去前処
理(工程12)した基板をそのまま水洗せずに、組成
(VIII)のエッチング液で処理し、回路以外の部分の下
地銅箔のエッチングを試みた。つまり工程12の後に、
工程16を行なった。その結果、レジスト残渣は大部分
がそのまま下地銅箔表面に残り、さらにその部分が銅エ
ッチング残りとなった。このため回路間隔が設計値より
小さくなったり、回路間が短絡したりする回路欠陥が多
数発生した。
<Comparative Example 3> The substrate after the resist removal pretreatment (Step 12) of Example 1 was treated with an etching solution having the composition (VIII) without being washed with water, and the underlying copper foil was etched except for the circuit. Tried. That is, after step 12,
Step 16 was performed. As a result, most of the resist residue remained on the surface of the underlying copper foil as it was, and further that part remained as copper etching residue. As a result, many circuit defects occur such that the circuit interval becomes smaller than the design value and short circuits occur.

【0062】〈実施例3〜6〉これらの例は、レジスト
の種類の違いがめっきレジスト除去に及ぼす影響を確認
するために行なったものである。すなわち、表5で組成
(V)に示しためっきレジストに関して、主成分がポリ
メタクリル酸メチルの場合と、ポリメタクリル酸メチル
のみをポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸、ポリ
アクリル酸に代えて作製したレジストを用いた。以上の
点及び工程5のニッケルめっきを省いた点以外は実施例
1と同様の処理を行ない、4種類の評価用基板を作製し
た。
<Examples 3 to 6> These examples were carried out to confirm the effect of the difference in the type of resist on the removal of the plating resist. That is, the plating resists shown in the composition (V) in Table 5 were prepared by using polymethylmethacrylate as the main component and by replacing only polymethylmethacrylate with polymethylacrylate, polymethacrylic acid, or polyacrylic acid. A resist was used. Except for the above points and the point that the nickel plating in step 5 was omitted, the same treatments as in Example 1 were performed to produce four types of evaluation substrates.

【0063】作製した基板の評価は、工程14後のレジ
スト残渣を観察し、その数を数えることにより行なっ
た。また、工程16の後、アンダーエッチングによる銅
のエッチング残り(短絡、回路幅過大等)の件数と、オ
ーバーエッチングによる回路欠け又は細りの件数を同様
に数えた。この結果をまとめたのが表9である。表9か
ら分かるように、メタクリル酸系樹脂やアクリル酸系樹
脂を用いたレジストを用いると、効果的なレジスト除去
が可能であった。
The evaluation of the manufactured substrate was carried out by observing the resist residue after step 14 and counting the number. After step 16, the number of copper etching residues (short circuit, excessive circuit width, etc.) due to under-etching and the number of circuit defects or thinning due to over-etching were similarly counted. Table 9 summarizes the results. As can be seen from Table 9, effective removal of the resist was possible by using the resist using the methacrylic acid resin or the acrylic acid resin.

【0064】[0064]

【表9】 [Table 9]

【0065】〈比較例4〜6〉表5で組成(V)に示し
ためっきレジストの主成分であるポリメタクリル酸メチ
ルのみをポリアクリロニトリル、ポリブタジエン、ポリ
スチレンに代えたレジストを作製した。以上の点以外は
実施例3〜6と同様の処理を行ない、基板を作製した。
工程14の後、実施例3〜6と同様に基板を評価した結
果、基板のほぼ全面にレジストが付着していた。このた
め、工程16の後でも各種回路欠陥の数が極めて多かっ
た。この結果も表1に示す。
Comparative Examples 4 to 6 Resists were prepared in which only polymethylmethacrylate, which is the main component of the plating resist shown in composition (V) in Table 5, was replaced with polyacrylonitrile, polybutadiene, or polystyrene. Except for the above points, the same processes as in Examples 3 to 6 were carried out to manufacture substrates.
After step 14, the substrate was evaluated in the same manner as in Examples 3 to 6 and as a result, the resist was found to have adhered to almost the entire surface of the substrate. Therefore, the number of various circuit defects was extremely large even after the process 16. The results are also shown in Table 1.

【0066】〈実施例7〉この例は、実施例1の工程1
2で示したレジスト除去前処理液である95重量%硫酸
に代えて、30重量%の水酸化ナトリウム水溶液を用い
た場合である。60℃の液に10分間基板を浸漬した。
以上の点以外は実施例1と同様の処理を行ない基板を作
製した。その結果、基板表面の回路以外の部分に銅のエ
ッチング残りはなく、高精度の配線パターンを欠陥なく
作製することができた。
<Embodiment 7> In this embodiment, the process 1 of Embodiment 1 is performed.
This is a case where a 30 wt% sodium hydroxide aqueous solution is used in place of the 95 wt% sulfuric acid which is the resist removal pretreatment liquid shown in 2. The substrate was immersed in a liquid at 60 ° C. for 10 minutes.
Except for the above points, the same processing as in Example 1 was performed to manufacture a substrate. As a result, there was no etching residue of copper on the portion other than the circuit on the surface of the substrate, and a highly accurate wiring pattern could be produced without defects.

【0067】〈実施例8〉この例は、実施例1における
工程11のレジスト剥離処理を省いた場合のものであ
る。レジストとして下記表10に示した組成(X)の感
光性樹脂組成物層(厚さ35μm)を有するドライフィ
ルムフォトレジストを用いた。
<Embodiment 8> In this embodiment, the resist stripping process of step 11 in Embodiment 1 is omitted. As the resist, a dry film photoresist having a photosensitive resin composition layer (thickness 35 μm) having the composition (X) shown in Table 10 below was used.

【0068】[0068]

【表10】 [Table 10]

【0069】上記の点以外は実施例1と同様の処理を行
ない評価用基板を作製した。また実施例3〜6と同様
に、レジスト残渣数及び回路欠陥数を評価した。その結
果、基板表面の回路以外の部分に銅のエッチング残りは
なく、高精度の配線パターンを欠陥なく作製することが
できた。
Except for the above points, the same treatment as in Example 1 was carried out to produce an evaluation substrate. Moreover, the number of resist residues and the number of circuit defects were evaluated in the same manner as in Examples 3 to 6. As a result, there was no etching residue of copper on the portion other than the circuit on the surface of the substrate, and a highly accurate wiring pattern could be produced without defects.

【0070】〈実施例9〉この例は、実施例8のレジス
ト除去前処理液を、実施例7と同じ30重量%の水酸化
ナトリウム水溶液に代えた場合である。実施例7と同じ
に60℃の液に10分間基板を浸漬し、以後実施例8と
同様の処理を行ない基板を作製した。その結果、基板表
面の回路以外の部分に銅のエッチング残りはなく、高精
度の配線パターンを欠陥なく作製することができた。
Example 9 In this example, the resist removal pretreatment liquid of Example 8 was replaced with the same 30 wt% sodium hydroxide aqueous solution as in Example 7. The substrate was immersed in a liquid at 60 ° C. for 10 minutes in the same manner as in Example 7, and thereafter the same treatment as in Example 8 was performed to produce a substrate. As a result, there was no etching residue of copper on the portion other than the circuit on the surface of the substrate, and a highly accurate wiring pattern could be produced without defects.

【0071】以上の各実施例において、レジスト除去前
処理液の強酸として硫酸を、アルカリ金属水酸化物溶液
として水酸化ナトリウム水溶液の例を示したが、硝酸、
塩酸、臭化水素酸、よう化水素酸等の強酸又はリチウ
ム、カリウムの溶液等のアルカリ金属水酸化物の溶液を
用いても、ほぼ同様な結果が得られた。
In each of the above examples, sulfuric acid was used as the strong acid of the resist removal pretreatment liquid, and sodium hydroxide aqueous solution was used as the alkali metal hydroxide solution.
Almost similar results were obtained using a strong acid such as hydrochloric acid, hydrobromic acid, hydroiodic acid or a solution of an alkali metal hydroxide such as a solution of lithium or potassium.

【0072】[0072]

【発明の効果】本発明によれば、レジスト除去前処理、
水洗処理を行なうことにより、めっきレジストを効率良
く除去することができ、レジスト残渣付着に起因する下
地金属のエッチング残りを防ぐことができる。また、塩
素系有機溶剤によるめっきレジストの剥離処理を行なわ
ずに、レジスト除去前処理、水洗処理を行なうことによ
り、めっきレジストを効率良く除去することができ、レ
ジスト残渣付着に起因する下地金属のエッチング残りを
防ぐことができる。そのため、いずれも、回路の短絡等
の欠陥の無い微細回路を形成することができる。
According to the present invention, the resist removal pretreatment,
By performing the water washing treatment, the plating resist can be efficiently removed, and the etching residue of the underlying metal due to the adhesion of the resist residue can be prevented. Moreover, the plating resist can be efficiently removed by performing the resist removal pretreatment and the water washing treatment without performing the stripping treatment of the plating resist with the chlorine-based organic solvent, thereby etching the underlying metal caused by the adhesion of the resist residue. You can prevent the rest. Therefore, in each case, a fine circuit without defects such as a short circuit can be formed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例の導体回路の形成方法を示す
説明図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing a method for forming a conductor circuit according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例の導体回路の形成方法を示す
説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a method for forming a conductor circuit according to an embodiment of the present invention.

【図3】従来の導体回路の形成方法を示す説明図であ
る。
FIG. 3 is an explanatory diagram showing a conventional method for forming a conductor circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…絶縁板 2…下地金属層 3…めっきレジストパターン 4…導体回路 5…レジスト残渣 6…エッチング残り 1 ... Insulating plate 2 ... Base metal layer 3 ... Plating resist pattern 4 ... Conductor circuit 5 ... Resist residue 6 ... Etching residue

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 寛二 神奈川県秦野市堀山下1番地 株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者 小林 史朗 神奈川県秦野市堀山下1番地 株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者 油谷 ふじ子 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Koji Yamamoto 1 Horiyamashita, Horiyamashita, Hadano, Kanagawa Pref., General Computer Division, Nitrate Manufacturing Co., Ltd. (72) Shiro Kobayashi 1 Horiyamashita, Hadano, Kanagawa (72) Inventor, Fujiko Yutani 7-1-1, Omika-cho, Hitachi-shi, Ibaraki Hitachi Ltd. Hitachi Research Laboratory

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】絶縁板上に設けられた下地金属上に、アク
リル系化合物を主成分とするめっきレジストを配線パタ
ーンに応じて設ける工程、めっきにより配線パターンを
形成する工程、めっきレジストを剥離液により剥離する
工程、めっきレジスト中の化学結合の少なくとも一部を
切断するレジスト除去前処理液でめっきレジストを処理
する工程、めっきレジストを水洗する工程及び下地金属
のエッチング処理を行なうエッチング工程を有すること
を特徴とするプリント配線板の導体回路形成方法。
1. A step of providing a plating resist containing an acrylic compound as a main component in accordance with a wiring pattern on a base metal provided on an insulating plate, a step of forming the wiring pattern by plating, and a stripping solution for the plating resist. Peeling step, a step of treating the plating resist with a resist removal pretreatment liquid that cuts at least a part of chemical bonds in the plating resist, a step of washing the plating resist with water, and an etching step of etching the base metal. A method for forming a conductor circuit on a printed wiring board, comprising:
【請求項2】絶縁板上に設けられた下地金属上に、アク
リル系化合物を主成分とするめっきレジストを配線パタ
ーンに応じて設ける工程、めっきにより配線パターンを
形成する工程、めっきレジストを剥離液により剥離する
工程、強酸又はアルカリ金属水酸化物の溶液からなるレ
ジスト除去前処理液でめっきレジストを処理する工程、
めっきレジストを水洗する工程及び下地金属のエッチン
グ処理を行なうエッチング工程を有することを特徴とす
るプリント配線板の導体回路形成方法。
2. A step of providing a plating resist containing an acrylic compound as a main component in accordance with a wiring pattern on a base metal provided on an insulating plate, a step of forming the wiring pattern by plating, and a stripping solution for the plating resist. Peeling step, a step of treating the plating resist with a resist removal pretreatment liquid consisting of a solution of a strong acid or an alkali metal hydroxide,
A method for forming a conductor circuit on a printed wiring board, comprising: a step of washing the plating resist with water; and an etching step of etching the base metal.
【請求項3】請求項1又は2記載のプリント配線板の導
体回路形成方法において、上記アクリル系化合物は、メ
タクリル酸系化合物又はアクリル酸系化合物であること
を特徴とするプリント配線板の導体回路形成方法。
3. A conductor circuit for a printed wiring board according to claim 1, wherein the acrylic compound is a methacrylic acid compound or an acrylic acid compound. Forming method.
【請求項4】請求項1から3のいずれか一に記載のプリ
ント配線板の導体回路形成方法において、上記レジスト
除去前処理液は、硫酸であることを特徴とするプリント
配線板の導体回路形成方法。
4. The method for forming a conductor circuit on a printed wiring board according to claim 1, wherein the resist removal pretreatment liquid is sulfuric acid. Method.
【請求項5】絶縁板上に設けられた下地金属上に、アク
リル系化合物を主成分とするめっきレジストを配線パタ
ーンに応じて設ける工程、めっきにより配線パターンを
形成する工程、めっきレジスト中の化学結合の少なくと
も一部を切断するレジスト除去前処理液でめっきレジス
トを処理する工程、めっきレジストを水洗する工程及び
下地金属のエッチング処理を行なうエッチング工程を有
することを特徴とするプリント配線板の導体回路形成方
法。
5. A step of providing a plating resist containing an acrylic compound as a main component in accordance with a wiring pattern on a base metal provided on an insulating plate, a step of forming the wiring pattern by plating, and a chemistry in the plating resist. A conductor circuit of a printed wiring board, comprising a step of treating a plating resist with a resist removal pretreatment liquid for cutting at least a part of bonds, a step of washing the plating resist with water, and an etching step of etching the base metal. Forming method.
【請求項6】絶縁板上に設けられた下地金属上に、アク
リル系化合物を主成分とするめっきレジストを配線パタ
ーンに応じて設ける工程、めっきにより配線パターンを
形成する工程、強酸又はアルカリ金属水酸化物の溶液か
らなるレジスト除去前処理液でめっきレジストを処理す
る工程、めっきレジストを水洗する工程及び下地金属の
エッチング処理を行なうエッチング工程を有することを
特徴とするプリント配線板の導体回路形成方法。
6. A step of providing a plating resist containing an acrylic compound as a main component in accordance with a wiring pattern on a base metal provided on an insulating plate, a step of forming the wiring pattern by plating, a strong acid or alkali metal water. A method for forming a conductor circuit on a printed wiring board, comprising: a step of treating a plating resist with a resist removal pretreatment liquid composed of an oxide solution; a step of washing the plating resist with water; and an etching step of etching a base metal. .
【請求項7】請求項5又は6記載のプリント配線板の導
体回路形成方法において、上記アクリル系化合物は、メ
タクリル酸系化合物又はアクリル酸系化合物であること
を特徴とするプリント配線板の導体回路形成方法。
7. The method for forming a conductor circuit of a printed wiring board according to claim 5, wherein the acrylic compound is a methacrylic acid compound or an acrylic acid compound. Forming method.
【請求項8】請求項5から7のいずれか一に記載のプリ
ント配線板の導体回路形成方法において、上記レジスト
除去前処理液は、硫酸であることを特徴とするプリント
配線板の導体回路形成方法。
8. The method for forming a conductor circuit on a printed wiring board according to claim 5, wherein the resist removal pretreatment liquid is sulfuric acid. Method.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010251685A (en) * 2009-04-20 2010-11-04 Kinko Denshi Kofun Yugenkoshi Method for forming circuit board structure of composite material
JP2014086662A (en) * 2012-10-26 2014-05-12 Fujitsu Ltd Method for manufacturing printed board

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