JPH06302690A - 基板の分割方法 - Google Patents
基板の分割方法Info
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- JPH06302690A JPH06302690A JP10876093A JP10876093A JPH06302690A JP H06302690 A JPH06302690 A JP H06302690A JP 10876093 A JP10876093 A JP 10876093A JP 10876093 A JP10876093 A JP 10876093A JP H06302690 A JPH06302690 A JP H06302690A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板上に形成された微細構造を破壊すること
なく、基板を複数分割する。 【構成】 表面に複数の微細構造物が形成されかつ裏面
に粘着フィルムが接着配置された基板を複数分割する基
板の分割方法において、複数の加速度センサ素子３が形
成されたシリコンウエハ２上に感光性フォトレジスト膜
４を塗布し、硬化させてフォトレジスト膜６を形成した
後、シリコンウエハ２を所定の個所でダイシングソー７
により複数のチップに切断分割し、分割後、このチップ
上のフォトレジスト膜６をシリコンウエハ２に接着配置
されている粘着フィルム１の粘着剤よりも溶解度の低い
溶解剤により溶解させる。
なく、基板を複数分割する。 【構成】 表面に複数の微細構造物が形成されかつ裏面
に粘着フィルムが接着配置された基板を複数分割する基
板の分割方法において、複数の加速度センサ素子３が形
成されたシリコンウエハ２上に感光性フォトレジスト膜
４を塗布し、硬化させてフォトレジスト膜６を形成した
後、シリコンウエハ２を所定の個所でダイシングソー７
により複数のチップに切断分割し、分割後、このチップ
上のフォトレジスト膜６をシリコンウエハ２に接着配置
されている粘着フィルム１の粘着剤よりも溶解度の低い
溶解剤により溶解させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロマシンニング
技術を用いて例えばシリコンなどの基板上に１つ以上の
微細構造物が形成された基板組立体を個々のチップに切
断分割させる際に適用される基板の分割方法に関するも
のである。
技術を用いて例えばシリコンなどの基板上に１つ以上の
微細構造物が形成された基板組立体を個々のチップに切
断分割させる際に適用される基板の分割方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウエハなどの基板上に例えばブ
リッジ構造，ダイアフラム構造またはカンチレバー構造
などの微細構造物（以下、マイクロ構造物という）を複
数個形成し、個々のチップに切断分割する際には一般的
にダイシング技術が用いられている。このダイシング技
術を用いると、切り粉や切削時の水の噴射による圧力な
どによりマイクロ構造物の微細構造（以下、マイクロ構
造という）が破壊されてしまうという問題があり、レー
ザー照射による分割または手割りなどの方法による分割
を行っていた。
リッジ構造，ダイアフラム構造またはカンチレバー構造
などの微細構造物（以下、マイクロ構造物という）を複
数個形成し、個々のチップに切断分割する際には一般的
にダイシング技術が用いられている。このダイシング技
術を用いると、切り粉や切削時の水の噴射による圧力な
どによりマイクロ構造物の微細構造（以下、マイクロ構
造という）が破壊されてしまうという問題があり、レー
ザー照射による分割または手割りなどの方法による分割
を行っていた。
【０００３】また、マイクロ構造物が複数形成された基
板を粘着フィルム上に固定し、基板上にフォトレジスト
を塗布し、熱硬化させた後、ダイシング技術による分割
方法を行い、一旦個々のチップに分割したものを取り分
けてから、溶剤でフォトレジストを取り去るといった工
程が取られていた。
板を粘着フィルム上に固定し、基板上にフォトレジスト
を塗布し、熱硬化させた後、ダイシング技術による分割
方法を行い、一旦個々のチップに分割したものを取り分
けてから、溶剤でフォトレジストを取り去るといった工
程が取られていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板上
に複数個形成されたマイクロ構造物を個々のチップに複
数分割する際に前述した基板上にフォトレジストを塗布
し、熱硬化させた後、ダイシングを行う方法では、分割
後、個々のチップに付着されたフォトレジストを剥離す
る際に使用する溶剤が基板の背面に接着配置されている
粘着フィルムの溶剤を溶かしてしまうため、チップを１
つ１つピックアップしてからトレイなどに並べ、フォト
レジストを剥離する必要があり、製造工程が煩雑となる
などの問題があった。
に複数個形成されたマイクロ構造物を個々のチップに複
数分割する際に前述した基板上にフォトレジストを塗布
し、熱硬化させた後、ダイシングを行う方法では、分割
後、個々のチップに付着されたフォトレジストを剥離す
る際に使用する溶剤が基板の背面に接着配置されている
粘着フィルムの溶剤を溶かしてしまうため、チップを１
つ１つピックアップしてからトレイなどに並べ、フォト
レジストを剥離する必要があり、製造工程が煩雑となる
などの問題があった。
【０００５】また、基板上に塗布したフォトレジストが
熱硬化時にフォトレジストに発生する膜の収縮率の差に
より発生する応力により、マイクロ構造物のマイクロ構
造を破壊させてしまうという問題があった。また、レー
ザー照射による分割は、チップ上への熱ダメージがあ
り、加工性も悪く、さらに手割りの方法では生産性が著
しく悪かった。
熱硬化時にフォトレジストに発生する膜の収縮率の差に
より発生する応力により、マイクロ構造物のマイクロ構
造を破壊させてしまうという問題があった。また、レー
ザー照射による分割は、チップ上への熱ダメージがあ
り、加工性も悪く、さらに手割りの方法では生産性が著
しく悪かった。
【０００６】したがって本発明は、前述した従来の課題
を解決するためになされたものであり、その目的は、基
板上に形成されたマイクロ構造を破壊することなく、基
板を分割することができる基板の分割方法を提供するこ
とにある。
を解決するためになされたものであり、その目的は、基
板上に形成されたマイクロ構造を破壊することなく、基
板を分割することができる基板の分割方法を提供するこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために本発明による基板の分割方法は、表面に１つ以
上の微細構造物が形成されかつ裏面に粘着フィルムが接
着配置された基板を複数分割する基板の分割方法におい
て、１つ以上の微細構造物が形成された基板上に液体状
物質を塗布し、硬化させて固化膜を形成した後、基板を
所定の個所で複数のチップに切断分割し、分割後、この
チップ上の固化膜を溶解する溶解剤が粘着フィルムの粘
着剤を溶解しないような溶解剤により固化膜を溶解させ
るものである。
るために本発明による基板の分割方法は、表面に１つ以
上の微細構造物が形成されかつ裏面に粘着フィルムが接
着配置された基板を複数分割する基板の分割方法におい
て、１つ以上の微細構造物が形成された基板上に液体状
物質を塗布し、硬化させて固化膜を形成した後、基板を
所定の個所で複数のチップに切断分割し、分割後、この
チップ上の固化膜を溶解する溶解剤が粘着フィルムの粘
着剤を溶解しないような溶解剤により固化膜を溶解させ
るものである。
【０００８】また、本発明の他の基板の分割方法は、表
面に１つ以上の微細構造物が形成された基板を複数分割
する基板の分割方法において、１つ以上の微細構造物が
形成された基板上に液体状物質を塗布し、硬化させて固
化膜を形成した後、基板を所定の個所で複数のチップに
切断分割し、分割後、チップ上の固化膜を溶解剤により
溶解させる基板の分割方法であって、上記液体状物質と
して液体状物質が固化して固化膜になる際に発生する応
力値が基板上の微細構造物の破壊応力値よりも小さくな
るような液体状物質を用いるものである。
面に１つ以上の微細構造物が形成された基板を複数分割
する基板の分割方法において、１つ以上の微細構造物が
形成された基板上に液体状物質を塗布し、硬化させて固
化膜を形成した後、基板を所定の個所で複数のチップに
切断分割し、分割後、チップ上の固化膜を溶解剤により
溶解させる基板の分割方法であって、上記液体状物質と
して液体状物質が固化して固化膜になる際に発生する応
力値が基板上の微細構造物の破壊応力値よりも小さくな
るような液体状物質を用いるものである。
【０００９】
【作用】本発明においては、基板上に形成された微細構
造物に影響を与えることなく、個々のチップに複数分割
される。
造物に影響を与えることなく、個々のチップに複数分割
される。
【００１０】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に
説明する。図１（ａ）〜（ｆ）は、本発明による基板の
分割方法の一実施例を説明する工程の断面図である。同
図において、まず、図１（ａ）に示すように背面側が例
えば粘着剤を塗布したポリ塩化ビニールまたはポリエス
テル製の粘着フィルム１により接着固定されたシリコン
ウエハ２の表面には、その所定位置に図２に拡大断面図
で示すようなマイクロ構造物としての例えば加速度セン
サ素子３が縦横方向にマトリックス状に複数個配列して
形成されている。なお、シリコンウエハ２を接着配置さ
せる粘着フィルム１の粘着剤は一般にアセトンなどに溶
解される程度の溶解度を有している。
説明する。図１（ａ）〜（ｆ）は、本発明による基板の
分割方法の一実施例を説明する工程の断面図である。同
図において、まず、図１（ａ）に示すように背面側が例
えば粘着剤を塗布したポリ塩化ビニールまたはポリエス
テル製の粘着フィルム１により接着固定されたシリコン
ウエハ２の表面には、その所定位置に図２に拡大断面図
で示すようなマイクロ構造物としての例えば加速度セン
サ素子３が縦横方向にマトリックス状に複数個配列して
形成されている。なお、シリコンウエハ２を接着配置さ
せる粘着フィルム１の粘着剤は一般にアセトンなどに溶
解される程度の溶解度を有している。
【００１１】なお、上記この加速度センサ素子３は、図
２に拡大断面図で示すように基板部３ａの上部に形成さ
れた空洞部３ｂを介して形成された薄膜部３ｃおよび可
動質量部３ｄと、この薄膜部３ｃの内面側に形成された
可動電極３ｅと、この可動電極３ｅに対向して基板部３
ａの空洞部３ｂ底面に形成された固定電極３ｆとから構
成されている。
２に拡大断面図で示すように基板部３ａの上部に形成さ
れた空洞部３ｂを介して形成された薄膜部３ｃおよび可
動質量部３ｄと、この薄膜部３ｃの内面側に形成された
可動電極３ｅと、この可動電極３ｅに対向して基板部３
ａの空洞部３ｂ底面に形成された固定電極３ｆとから構
成されている。
【００１２】次に図１（ｂ）に示すように複数個の加速
度センサ素子３が形成されたシリコンウエハ２上の全面
に紫外線硬化型でかつ水溶性のアクリル系樹脂からなる
フォトレジストを例えばスピンコート法，ディッピング
法またはポッティング法などにより塗布し、乾燥させて
約１μｍ程度の厚さの感光性フォトレジスト膜４を成膜
する。
度センサ素子３が形成されたシリコンウエハ２上の全面
に紫外線硬化型でかつ水溶性のアクリル系樹脂からなる
フォトレジストを例えばスピンコート法，ディッピング
法またはポッティング法などにより塗布し、乾燥させて
約１μｍ程度の厚さの感光性フォトレジスト膜４を成膜
する。
【００１３】次に図１（ｃ）に示すようにこの感光性フ
ォトレジスト膜４の上方から紫外線５を照射し、硬化さ
せてフォトレジスト膜６を形成する。このフォトレジス
ト膜６の成膜により、シリコンウエハ２上に形成されて
いる複数個の加速度センサ素子３のマイクロ構造が機械
的に保護されることになる。
ォトレジスト膜４の上方から紫外線５を照射し、硬化さ
せてフォトレジスト膜６を形成する。このフォトレジス
ト膜６の成膜により、シリコンウエハ２上に形成されて
いる複数個の加速度センサ素子３のマイクロ構造が機械
的に保護されることになる。
【００１４】次に図１（ｄ）に示すように表面にフォト
レジスト膜６が形成されたシリコンウエハ２を所定位
置、つまり互いに隣接配置して形成された複数の加速度
センサ素子３同志の境界部分をそのフォトレジスト膜６
の上方から図示しないが水を噴射させながらダイシング
ソー７により切断する。この場合、シリコンウエハ２は
フィルムに切り残しをとれば切断してもかまわない。ま
た、このダイシングソー７による切断時にシリコンウエ
ハ２上のフォトレジスト膜６は、この水の噴射圧力によ
り、約０．０５μｍ／ｍｉｎで１０分程度で厚さ約０．
５μｍ程度が溶解される。
レジスト膜６が形成されたシリコンウエハ２を所定位
置、つまり互いに隣接配置して形成された複数の加速度
センサ素子３同志の境界部分をそのフォトレジスト膜６
の上方から図示しないが水を噴射させながらダイシング
ソー７により切断する。この場合、シリコンウエハ２は
フィルムに切り残しをとれば切断してもかまわない。ま
た、このダイシングソー７による切断時にシリコンウエ
ハ２上のフォトレジスト膜６は、この水の噴射圧力によ
り、約０．０５μｍ／ｍｉｎで１０分程度で厚さ約０．
５μｍ程度が溶解される。
【００１５】次に図１（ｅ）に示すようにシリコンウエ
ハ２の表面側に複数の切断溝２ａが形成されたシリコン
ウエハ構造を、例えば水などの上記粘着フィルム１の粘
着剤に対する溶解度を有しない溶解剤に漬浸し、フォト
レジスト膜６の残留部分（約０．５μｍ程度）を溶解さ
せ、完全に除去した後、乾燥を行って図１（ｆ）に示す
ようなシリコンウエハ構造を形成する。
ハ２の表面側に複数の切断溝２ａが形成されたシリコン
ウエハ構造を、例えば水などの上記粘着フィルム１の粘
着剤に対する溶解度を有しない溶解剤に漬浸し、フォト
レジスト膜６の残留部分（約０．５μｍ程度）を溶解さ
せ、完全に除去した後、乾燥を行って図１（ｆ）に示す
ようなシリコンウエハ構造を形成する。
【００１６】次にこのシリコンウエハ２の背面側に接着
配置されている粘着フィルム１を引っ張って拡張するこ
とにより、縦横方向に形成された切断溝２ａの部分で複
数チップに分割され、個々のチップに分割された図２に
示すような加速度センサ素子３が得られる。しかる後、
通常のパッケージプロセスを行うことにより、加速度セ
ンサを形成する。
配置されている粘着フィルム１を引っ張って拡張するこ
とにより、縦横方向に形成された切断溝２ａの部分で複
数チップに分割され、個々のチップに分割された図２に
示すような加速度センサ素子３が得られる。しかる後、
通常のパッケージプロセスを行うことにより、加速度セ
ンサを形成する。
【００１７】このような基板の分割方法によれば、シリ
コンウエハ２に１つ以上形成された加速度センサ素子３
上のフォトレジスト膜６が切断時の水の噴射による圧力
によりある程度溶解し、除去され、さらに切断後、溶解
剤に漬浸することにより、フォトレジスト膜６の残留部
分が、石鹸が水に溶けるように徐々に溶解して完全に除
去され、図１（ｆ）に示すように各加速度センサ素子３
が切断溝２ａにより連結して保持されたシリコンウエハ
構造が得られるので、各加速度センサ素子３のマイクロ
構造が破壊されることなく、さらにばらばらに分解され
ることもなく、個々のチップに切断分割することができ
る。
コンウエハ２に１つ以上形成された加速度センサ素子３
上のフォトレジスト膜６が切断時の水の噴射による圧力
によりある程度溶解し、除去され、さらに切断後、溶解
剤に漬浸することにより、フォトレジスト膜６の残留部
分が、石鹸が水に溶けるように徐々に溶解して完全に除
去され、図１（ｆ）に示すように各加速度センサ素子３
が切断溝２ａにより連結して保持されたシリコンウエハ
構造が得られるので、各加速度センサ素子３のマイクロ
構造が破壊されることなく、さらにばらばらに分解され
ることもなく、個々のチップに切断分割することができ
る。
【００１８】また、このような基板の分割方法によれ
ば、シリコンウエハ２に１つ以上形成された加速度セン
サ素子３上のフォトレジスト膜６がシリコンウエハ２の
背面側に接着配置されている粘着フィルム１の粘着剤に
対する溶解度を有しない例えば水などに漬浸することに
より、徐々に溶解されて完全に除去されるので、フォト
レジスト膜６の直下にある加速度センサ素子３のマイク
ロ構造に何等損傷を与えることなく、粘着フィルム１に
接着配置されたシリコンウエハ２上に複数の加速度セン
サ素子３が整列した状態で得られることになる。
ば、シリコンウエハ２に１つ以上形成された加速度セン
サ素子３上のフォトレジスト膜６がシリコンウエハ２の
背面側に接着配置されている粘着フィルム１の粘着剤に
対する溶解度を有しない例えば水などに漬浸することに
より、徐々に溶解されて完全に除去されるので、フォト
レジスト膜６の直下にある加速度センサ素子３のマイク
ロ構造に何等損傷を与えることなく、粘着フィルム１に
接着配置されたシリコンウエハ２上に複数の加速度セン
サ素子３が整列した状態で得られることになる。
【００１９】なお、前述した実施例においては、マイク
ロ構造物として加速度センサ素子を例にとって説明した
が、本発明は、これに限定されるものではなく、基板上
に形成した例えばブリッジ構造，ダイアフラム構造，カ
ンチレバー構造またはビーム構造などが形成されたセン
サ素子に適用しても前述と同様の効果が得られる。
ロ構造物として加速度センサ素子を例にとって説明した
が、本発明は、これに限定されるものではなく、基板上
に形成した例えばブリッジ構造，ダイアフラム構造，カ
ンチレバー構造またはビーム構造などが形成されたセン
サ素子に適用しても前述と同様の効果が得られる。
【００２０】また、前述した実施例においては、基板と
してシリコンウエハを用いた場合について説明したが、
本発明は、これに限定されるものではなく、例えばガラ
ス，サフィア，石英などの基板に適用しても前述と同様
の効果が得られることは言うまでもない。
してシリコンウエハを用いた場合について説明したが、
本発明は、これに限定されるものではなく、例えばガラ
ス，サフィア，石英などの基板に適用しても前述と同様
の効果が得られることは言うまでもない。
【００２１】
【発明の効果】以上、説明したように本発明による基板
の分割方法によれば、表面に１つ以上の微細構造物が形
成された基板をダイシングなどで複数分割する際、この
微細構造物の微細構造を破壊することなく、安定かつ生
産性よく、基板を分割することができるという極めて優
れた効果が得られる。
の分割方法によれば、表面に１つ以上の微細構造物が形
成された基板をダイシングなどで複数分割する際、この
微細構造物の微細構造を破壊することなく、安定かつ生
産性よく、基板を分割することができるという極めて優
れた効果が得られる。
【図１】本発明による基板の分割方法の一実施例を説明
する工程の断面図である。
する工程の断面図である。
【図２】図１に示すシリコンウエハに形成された加速度
センサ素子の構成を示す拡大断面図である。
センサ素子の構成を示す拡大断面図である。
１ 粘着フィルム ２ シリコンウエハ ２ａ 切断溝 ３ 加速度センサ素子 ４ 感光性フォトレジスト膜 ５ 紫外線 ６ フォトレジスト膜 ７ ダイシングソー
Claims (5)
- 【請求項１】 表面に１つ以上の微細構造物が形成され
かつ裏面に粘着フィルムが接着配置された基板を複数分
割する基板の分割方法において、 前記１つ以上の微細構造物が形成された基板上に液体状
物質を塗布し、硬化させて固化膜を形成した後、前記基
板を所定の個所で複数のチップに切断分割し、分割後、
前記チップ上の固化膜を溶解するために用いる溶解剤が
前記粘着フィルムの粘着剤を溶解しないような溶解剤に
より前記固化膜を溶解させることを特徴とする基板の分
割方法。 - 【請求項２】 請求項１において、前記溶解剤として水
を用いることを特徴とする基板の分割方法。 - 【請求項３】 請求項１において、前記溶解剤は基板分
割時に一定時間晒される水に対して完全に溶解しきらな
い程度の溶解力を保持することを特徴とする基板の分割
方法。 - 【請求項４】 表面に１つ以上の微細構造物が形成され
た基板を複数分割する基板の分割方法において、 前記１つ以上の微細構造物が形成された基板上に液体状
物質を塗布し、硬化させて固化膜を形成した後、前記基
板を所定の個所で複数のチップに切断分割し、分割後、
前記チップ上の固化膜を溶解剤により溶解させる基板の
分割方法であって、前記液体状物質として前記液体状物
質が固化して前記固化膜になる際に発生する応力が前記
基板上の微細構造物の破壊応力値よりも小さくなるよう
な液体状物質を用いることを特徴とする基板の分割方
法。 - 【請求項５】 請求項４において、前記液体状物質とし
てシリコン化合物を含有する液体状物質を用いることを
特徴とする基板の分割方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10876093A JPH06302690A (ja) | 1993-04-13 | 1993-04-13 | 基板の分割方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10876093A JPH06302690A (ja) | 1993-04-13 | 1993-04-13 | 基板の分割方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06302690A true JPH06302690A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=14492813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10876093A Pending JPH06302690A (ja) | 1993-04-13 | 1993-04-13 | 基板の分割方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06302690A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19735041C2 (de) * | 1996-08-13 | 1999-12-30 | Nat Semiconductor Corp | Verfahren zum Trennen von Mikrobauelementen integrierter Schaltkreise |
| KR100439511B1 (ko) * | 2002-07-05 | 2004-07-09 | 삼성전기주식회사 | 마이크로 전기 기계 구조 칩의 다이싱 방법 |
| JP2019129259A (ja) * | 2018-01-25 | 2019-08-01 | セイコーＮｐｃ株式会社 | ウエハの製造方法 |
-
1993
- 1993-04-13 JP JP10876093A patent/JPH06302690A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19735041C2 (de) * | 1996-08-13 | 1999-12-30 | Nat Semiconductor Corp | Verfahren zum Trennen von Mikrobauelementen integrierter Schaltkreise |
| KR100439511B1 (ko) * | 2002-07-05 | 2004-07-09 | 삼성전기주식회사 | 마이크로 전기 기계 구조 칩의 다이싱 방법 |
| JP2019129259A (ja) * | 2018-01-25 | 2019-08-01 | セイコーＮｐｃ株式会社 | ウエハの製造方法 |
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