JPH06302667A - Chamber system - Google Patents
Chamber systemInfo
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- JPH06302667A JPH06302667A JP8827793A JP8827793A JPH06302667A JP H06302667 A JPH06302667 A JP H06302667A JP 8827793 A JP8827793 A JP 8827793A JP 8827793 A JP8827793 A JP 8827793A JP H06302667 A JPH06302667 A JP H06302667A
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- Coating Apparatus (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造に用いられ
るチャンバシステムの構成技術、特に、マルチチャンバ
を用いて半導体装置を一貫自動化生産するために用いて
効果のある技術に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technique for constructing a chamber system used in semiconductor manufacturing, and more particularly to a technique effectively used for integrated automated production of semiconductor devices using multiple chambers.
【0002】[0002]
【従来の技術】チャンバは、半導体ウェハの洗浄、膜付
け、加工などの処理を行うために、室内雰囲気に対し隔
離した空間を形成する装置であり、半導体ウェハを搬送
する機構のほか、内部を真空にする機構、処理ガスを導
入・排出する機構等を必要に応じて備えている。2. Description of the Related Art A chamber is a device for forming a space isolated from an indoor atmosphere in order to perform processes such as cleaning, film deposition, and processing of semiconductor wafers. A mechanism for making a vacuum, a mechanism for introducing / exhausting a processing gas, and the like are provided as needed.
【0003】近年、半導体装置の効率的生産及び設置ス
ペースの削減を目的として、複数のチャンバを1つの装
置として形成し、複数のプロセスを1つの装置で行える
ようにしたマルチチャンバシステムが提案ならびに製作
されている。この種の技術に関しては、例えば、月刊
「Semiconductor World」199
0.9、P105〜P139に記載がある。In recent years, for the purpose of efficient production of semiconductor devices and reduction of installation space, a multi-chamber system in which a plurality of chambers are formed as one device and a plurality of processes can be performed by one device is proposed and manufactured. Has been done. Regarding this kind of technology, for example, monthly publication “Semiconductor World” 199.
0.9, P105 to P139.
【0004】その代表的な構成は、中央に搬送ロボット
を備えて半導体ウェハの搬入・搬出を行うトランスファ
ーチャンバを置き、このチャンバを取り巻くように、そ
の円周線上に複数のチャンバ(プロセスチャンバ、ロー
ドロックチャンバなど)を配置し、各々のチャンバに対
してはトランスファーチャンバを介して半導体ウェハを
搬入・搬出するものである。A typical structure thereof is that a transfer chamber is provided at the center for carrying in and out semiconductor wafers, and a plurality of chambers (process chambers, load chambers) are provided on the circumference of the transfer chamber so as to surround the chamber. A lock chamber or the like is arranged, and a semiconductor wafer is loaded into or unloaded from each chamber via the transfer chamber.
【0005】このようなマルチチャンバシステムは、次
のような特徴を備えている。Such a multi-chamber system has the following features.
【0006】(1)マルチチャンバシステムは、真空あ
るいは不活性ガス雰囲気内における一貫処理が可能にな
り、層を形成する際に外部からの汚染等の侵入を防止
し、品質向上を図ることができる。また、成膜の安定化
を図ることもできる。(1) In the multi-chamber system, integrated processing can be performed in a vacuum or in an inert gas atmosphere, and when a layer is formed, contamination or the like can be prevented from entering from the outside and quality can be improved. . In addition, it is possible to stabilize the film formation.
【0007】(2)マルチチャンバシステム内での一貫
処理ができるため、ウェハ搬送に要する時間の削減が図
れ、全体としての工程短縮が可能になる。(2) Since consistent processing can be performed in the multi-chamber system, the time required for wafer transfer can be reduced and the overall process can be shortened.
【0008】(3)新規プロセスに対応させる場合、そ
のプロセスのチャンバのみを新規に製作し、ウェハ搬送
ロボット部、ロードロック室等は在来のものを活用でき
るので、半導体製造のための装置費用を削減することが
できる。(3) When adapting to a new process, only the chamber of the process can be newly manufactured, and conventional wafer transfer robot parts, load lock chambers, etc. can be used. Can be reduced.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】本発明者の検討によれ
ば、トランスファーチャンバを中心として、その周囲に
複数のチャンバを配置した従来のマルチチャンバシステ
ムは、1台のウェハ搬送チャンバに接続するプロセスチ
ャンバの個数が数台以下に限定されるため、一貫処理の
適用できる工程が短いという問題がある。According to the study by the present inventor, a conventional multi-chamber system having a transfer chamber as a center and a plurality of chambers arranged around the transfer chamber is a process for connecting one wafer transfer chamber. Since the number of chambers is limited to several or less, there is a problem that the process to which the consistent processing can be applied is short.
【0010】また、プロセスチャンバ数を多くしようと
すると、ウェハ搬送チャンバも増設せざるを得ず、これ
に伴ってドッキングチャンバも増設する必要があり、設
置スペースを広く必要とする。さらに、ウェハ搬送口が
1つであるため、これが故障した場合には当該チャンバ
に対する半導体ウェハの搬入・搬出が出来なくなるとい
う不具合もある。Further, if the number of process chambers is increased, the wafer transfer chamber must be added, and the docking chamber needs to be added accordingly, which requires a large installation space. Furthermore, since there is only one wafer transfer port, there is also a problem that if this fails, it will not be possible to carry in / out the semiconductor wafer from / to the chamber.
【0011】そこで、本発明の目的は、少なくともウェ
ハ搬送チャンバの1つが故障した場合でも、その影響を
受けることなくシステムを稼働させることのできる技術
を提供することにある。Therefore, an object of the present invention is to provide a technique capable of operating a system without being affected by at least one of the wafer transfer chambers, even if one of them fails.
【0012】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかにな
るであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
【0013】[0013]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下の通りである。Among the inventions disclosed in the present application, a brief description will be given to the outline of typical ones.
It is as follows.
【0014】すなわち、半導体ウェハに対して各種の処
理を行うプロセスチャンバの複数をウェハ搬送チャンバ
に接続した構成のマルチチャンバを用いたチャンバシス
テムであって、前記マルチチャンバの複数個を連結接続
すると共に、その接続部にプロセスチャンバを配設し、
且つこのプロセスチャンバを搬送チャンバに兼用するよ
うにしている。That is, a chamber system using a multi-chamber having a structure in which a plurality of process chambers for performing various processes on a semiconductor wafer are connected to a wafer transfer chamber, and a plurality of the multi-chambers are connected and connected. , Arranging a process chamber at its connection,
Moreover, this process chamber is also used as a transfer chamber.
【0015】[0015]
【作用】上記した手段によれば、ウェハ搬送チャンバ間
に設けられたプロセスチャンバはウェハ搬送口を2個備
えることになり、或るウェハ搬送チャンバが故障して利
用できなくなった場合でも、もう1つのウェハ搬送口を
介して他の隣接するウェハ搬送チャンバへ搬入すること
が可能になる。したがって、故障等の生じたウェハ搬送
チャンバに隣接するプロセスチャンバへ半導体ウェハが
介在するようになった場合でも、半導体ウェハの搬送を
滞りなく行うことができる。According to the above-mentioned means, the process chamber provided between the wafer transfer chambers is provided with two wafer transfer ports, so that even if a certain wafer transfer chamber fails and cannot be used, another process transfer port can be used. It is possible to carry the wafer into another adjacent wafer transfer chamber through one wafer transfer port. Therefore, even if the semiconductor wafer comes to be interposed in the process chamber adjacent to the wafer transfer chamber where the failure or the like occurs, the semiconductor wafer can be transferred without delay.
【0016】[0016]
【実施例1】図1は本発明によるチャンバシステムの一
実施例を示す平面図である。Embodiment 1 FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of the chamber system according to the present invention.
【0017】図1に示すように、側壁が6角形に作られ
たウェハ搬送チャンバ1,2,3,4,5,6の各々
は、1つの円周線上に配置され、チャンバ相互は搬送口
を2個有するプロセスチャンバ7,8,9,10,1
1,12の各々を介して1周するように接続されてい
る。このように搬送口が2つあることから、半導体ウェ
ハは隣接のチャンバに対し、右回りまたは左回りに搬送
することができる。そして、ウェハ搬送チャンバ1には
プロセスチャンバ13,14が各壁面に接続されてい
る。因みに、従来においてはプロセスチャンバ7,8,
9,10,11,12の各々がドッキングチャンバであ
った。As shown in FIG. 1, each of the wafer transfer chambers 1, 2, 3, 4, 5 and 6 whose side walls are formed in a hexagonal shape is arranged on one circumferential line, and the chambers have transfer ports. Process chambers 7, 8, 9, 10, 1 having two
It is connected so as to make one round through each of 1 and 12. Since there are two transfer ports in this way, the semiconductor wafer can be transferred clockwise or counterclockwise to the adjacent chamber. In the wafer transfer chamber 1, process chambers 13 and 14 are connected to the respective wall surfaces. Incidentally, in the conventional case, the process chambers 7, 8,
Each of 9, 10, 11, 12 was a docking chamber.
【0018】同様に、ウェハ搬送チャンバ2にはプロセ
スチャンバ15,16が接続され、ウェハ搬送チャンバ
3にはプロセスチャンバ17,18、ウェハ搬送チャン
バ4にはプロセスチャンバ19、ウェハ搬送チャンバ5
にはプロセスチャンバ20,21、さらにウェハ搬送チ
ャンバ6にはプロセスチャンバ22,23,24が接続
されている。プロセスチャンバ13〜24の各々は、搬
送口が1つであり、接続されたウェハ搬送チャンバを通
して半導体ウェハが搬入・搬出される。なお、このシス
テムの中心の中空部分は、空きスペースにされ、作業ス
ペースとして利用される。Similarly, process chambers 15 and 16 are connected to the wafer transfer chamber 2, process chambers 17 and 18 to the wafer transfer chamber 3, process chamber 19 to the wafer transfer chamber 4, and wafer transfer chamber 5 respectively.
Are connected to the process chambers 20 and 21, and the wafer transfer chamber 6 is connected to the process chambers 22, 23 and 24. Each of the process chambers 13 to 24 has one transfer port, and semiconductor wafers are loaded and unloaded through the connected wafer transfer chambers. The hollow portion at the center of this system is vacant and used as a working space.
【0019】図2は図1におけるA−A矢視断面図であ
る。FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA in FIG.
【0020】図2においては、処理対象の半導体ウェハ
25を搬送するウェハ搬送アーム26がウェハ搬送チャ
ンバ1内に水平に配設され、同様に、ウェハ搬送チャン
バ2内にウェハ搬送アーム27が水平に配設されてい
る。このウェハ搬送アーム26は、ウェハ搬送チャンバ
1とプロセスチャンバ7の間を連結しているウェハ搬送
口28に対向するように配設され、ウェハ搬送チャンバ
2とプロセスチャンバ7の間を連結しているウェハ搬送
口29には対向するように配設されている。In FIG. 2, a wafer transfer arm 26 for transferring a semiconductor wafer 25 to be processed is horizontally arranged in the wafer transfer chamber 1, and similarly, a wafer transfer arm 27 is horizontally set in the wafer transfer chamber 2. It is arranged. The wafer transfer arm 26 is arranged so as to face a wafer transfer port 28 that connects the wafer transfer chamber 1 and the process chamber 7, and connects the wafer transfer chamber 2 and the process chamber 7. The wafer transfer port 29 is arranged so as to face it.
【0021】さらに、プロセスチャンバ7内の中心部に
は試料台30が設置され、この上面に半導体ウェハ25
が載置されている。プロセスチャンバ7内の半導体ウェ
ハ25をウェハ搬送チャンバ1またはウェハ搬送チャン
バ2へ搬入する場合、ウェハ搬送アーム26またはウェ
ハ搬送アーム27を伸縮させて半導体ウェハ25を移動
させる。Further, a sample table 30 is installed in the center of the process chamber 7, and a semiconductor wafer 25 is provided on the upper surface thereof.
Is placed. When carrying the semiconductor wafer 25 in the process chamber 7 into the wafer transfer chamber 1 or the wafer transfer chamber 2, the wafer transfer arm 26 or the wafer transfer arm 27 is expanded and contracted to move the semiconductor wafer 25.
【0022】図3は本発明によるチャンバシステムの制
御系のソフトウェア構成を示すブロック図である。な
お、ここでは説明の便宜上、チャンバを6台のみ図示
し、他は省略しているが、実際には図1に示した全チャ
ンバが接続される。FIG. 3 is a block diagram showing the software configuration of the control system of the chamber system according to the present invention. Here, for convenience of explanation, only six chambers are shown and the others are omitted, but in reality, all the chambers shown in FIG. 1 are connected.
【0023】制御部31は上位管理部32を主体に構成
され、この上位管理部32には各チャンバの使用状況を
監視するための装置使用状況監視プログラム33、チャ
ンバのどれとどれを組み合わせるかを決めるためのチャ
ンバ構成ファイル34、処理対象の半導体ウェハの進行
を管理するためのウェハ進行管理ファイル35の各々が
接続されている。The control unit 31 is mainly composed of a higher-level management unit 32. The higher-level management unit 32 has a device usage status monitoring program 33 for monitoring the usage status of each chamber, which of the chambers is combined with which one. A chamber configuration file 34 for determining and a wafer progress management file 35 for managing the progress of the semiconductor wafer to be processed are connected to each other.
【0024】上位管理部32は、CPU及び周辺回路の
ほかROMやRAMのメモリ、さらにはインターフェー
ス回路等を備えて構成され、1つのプロセスチャンバか
ら特定のプロセスチャンバへ到達する最短経路を判断
し、半導体ウェハ25を特定したチャンバへ搬送するこ
とができる。このとき、装置使用状況監視プログラム3
3は、各チャンバの使用状況をチェックし、使用中であ
ればフラグを“1”にし、不使用であればフラグを
“0”にする。図3の例では、ウェハ搬送チャンバ2の
みが使用中であることを示している。The upper management unit 32 is configured to include a memory such as a ROM and a RAM in addition to a CPU and peripheral circuits, and an interface circuit, etc., and determines the shortest path from one process chamber to a specific process chamber, The semiconductor wafer 25 can be transferred to the specified chamber. At this time, the device usage status monitoring program 3
3 checks the use status of each chamber, and sets the flag to "1" if it is in use and sets the flag to "0" if it is not used. In the example of FIG. 3, only the wafer transfer chamber 2 is in use.
【0025】ここで、プロセス処理の一例について、図
4を参照して説明する。まず、半導体ウェハ25はウェ
ハ搬送チャンバ1からプロセスチャンバ13へ搬入さ
れ、ここで所定の処理が行われた後、ウェハ搬送チャン
バ1を経由してウェハ搬送チャンバ14へ搬入される。
ここでの処理が終了すると、ウェハ搬送チャンバ1→プ
ロセスチャンバ7→ウェハ搬送チャンバ2を順次経由し
てプロセスチャンバ15へ搬入される。Here, an example of the process processing will be described with reference to FIG. First, the semiconductor wafer 25 is carried into the process chamber 13 from the wafer transfer chamber 1, where a predetermined process is performed, and then the semiconductor wafer 25 is carried into the wafer transfer chamber 14 via the wafer transfer chamber 1.
When the processing here is completed, the wafer is carried into the process chamber 15 through the wafer transfer chamber 1-> process chamber 7-> wafer transfer chamber 2 in that order.
【0026】さらに、ウェハ搬送チャンバ2を経由して
隣接するプロセスチャンバ16へ搬入し、ここでの処理
が終了するとプロセスチャンバ8及びウェハ搬送チャン
バ3を経由してプロセスチャンバ17へ搬入される。以
後、同様にして半導体ウェハ25は、各チャンバを図4
に示すように順次経由し、最終的にはプロセスチャンバ
12へ搬入され、ウェハ搬送チャンバ1に戻される。Further, the wafer is carried into the adjacent process chamber 16 via the wafer transfer chamber 2, and when the processing here is completed, it is carried into the process chamber 17 via the process chamber 8 and the wafer transfer chamber 3. Thereafter, in the same manner, the semiconductor wafer 25 is formed in each chamber as shown in FIG.
As shown in FIG. 3, the wafers are sequentially transferred to the process chamber 12 and returned to the wafer transfer chamber 1.
【0027】なお、半導体ウェハ25をウェハ搬送チャ
ンバ及びプロセスチャンバを順次経由させて処理を行う
わけであるが、ウェハ搬送チャンバ1からウェハ搬送チ
ャンバ6までの全てを通過する必要はなく、工程が短い
処理にあっては途中のチャンバから搬出してもよい。Although the semiconductor wafer 25 is processed by sequentially passing through the wafer transfer chamber and the process chamber, it is not necessary to pass through all of the wafer transfer chamber 1 to the wafer transfer chamber 6, and the process is short. In processing, it may be carried out from a chamber on the way.
【0028】図5は処理工程の一例を示し、まず、洗浄
(ステップ501)が行われ、ついで、膜形成(ステッ
プ502)→レジスト塗布(ステップ503)→レジス
ト現像(マスクパターン形成)(ステップ504)→エ
ッチング(ステップ505)→レジスト除去(ステップ
506)→後処理(ステップ507)→洗浄(ステップ
508)の各処理が行われ、以後、図5に示す処理が繰
り返し実行される。例えば、図1に当てはめると、プロ
セスチャンバ13,14が洗浄であれば、プロセスチャ
ンバ15は薄膜デポジション、プロセスチャンバ16は
金属膜デポジション、プロセスチャンバ8がマスク形成
になる(プロセスチャンバ17以後については省略す
る)。FIG. 5 shows an example of processing steps. First, cleaning (step 501) is performed, and then film formation (step 502) → resist coating (step 503) → resist development (mask pattern formation) (step 504). )-> Etching (step 505)-> resist removal (step 506)-> post-treatment (step 507)-> cleaning (step 508), and thereafter, the process shown in FIG. 5 is repeatedly executed. For example, when applied to FIG. 1, if the process chambers 13 and 14 are cleaning, the process chamber 15 is thin film deposition, the process chamber 16 is metal film deposition, and the process chamber 8 is mask formation (for the process chamber 17 and thereafter). Is omitted).
【0029】[0029]
【実施例2】図6は本発明の他の実施例を示す平面図で
ある。なお、図6においては、図1と同一であるものに
は同一引用数字を用いたので、以下においては重複する
説明を省略する。Second Embodiment FIG. 6 is a plan view showing another embodiment of the present invention. Note that, in FIG. 6, the same reference numerals are used for the same elements as those in FIG. 1, and thus redundant description will be omitted below.
【0030】本実施例は、図1におけるウェハ搬送チャ
ンバ1,2,3,4,5,6の各々に接するようにし
て、中心部の円形のスペース内にプロセスチャンバ3
5,36,37,38,39,40の各々を配設し、こ
れらの中心にウェハ搬送チャンバ34を設けたところに
特徴がある。In the present embodiment, the process chamber 3 is provided in the circular space at the center so as to be in contact with each of the wafer transfer chambers 1, 2, 3, 4, 5, 6 in FIG.
5, 36, 37, 38, 39, 40 are respectively arranged, and the wafer carrying chamber 34 is provided at the center of these.
【0031】このような構成において、ウェハ搬送チャ
ンバ1に半導体ウェハ25が搬送された場合について説
明する。この場合、プロセスチャンバ7,35,12に
おいて処理したものは、これらチャンバがウェハ取出口
を2つ有しているため、次のプロセス処理の内容とウェ
ハ搬送チャンバ1,2,34,6のウェハ搬送状態とに
応じて適切なウェハ搬送チャンバに対してウェハが搬送
される。A case where the semiconductor wafer 25 is transferred to the wafer transfer chamber 1 in such a configuration will be described. In this case, those processed in the process chambers 7, 35, 12 have two wafer outlets, and therefore, the contents of the next process processing and the wafers in the wafer transfer chambers 1, 2, 34, 6 The wafer is transferred to an appropriate wafer transfer chamber according to the transfer state.
【0032】例えば、ウェハ搬送チャンバ1からウェハ
搬送チャンバ2へ搬送する場合、プロセスチャンバ7が
故障が生じたとしても、プロセスチャンバ35,36を
経由してウェハ搬送チャンバ2へ搬送することができ
る。したがって、プロセス処理がウェハ搬送チャンバの
故障等による影響を受けることがなくなる。例えば、1
台のウェハ搬送チャンバが故障し、利用できなくなった
場合でも、マルチチャンバシステムとしての利用が可能
になる。For example, when transferring from the wafer transfer chamber 1 to the wafer transfer chamber 2, even if the process chamber 7 fails, it can be transferred to the wafer transfer chamber 2 via the process chambers 35 and 36. Therefore, the process processing is not affected by the failure of the wafer transfer chamber. For example, 1
Even if the wafer transfer chamber of the table fails and cannot be used, it can be used as a multi-chamber system.
【0033】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。The invention made by the inventor of the present invention has been specifically described above based on the embodiments. However, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.
【0034】例えば、前記実施例においては、処理対象
の半導体ウェハを時計方向回りに搬送するものとした
が、その逆回り(反時計方向)に搬送してもよい。For example, in the above-described embodiment, the semiconductor wafer to be processed is conveyed in the clockwise direction, but it may be conveyed in the opposite direction (counterclockwise).
【0035】[0035]
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記の通りである。The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
It is as follows.
【0036】すなわち、半導体ウェハに対して各種の処
理を行うプロセスチャンバの複数をウェハ搬送チャンバ
に接続した構成のマルチチャンバを用いたチャンバシス
テムであって、前記マルチチャンバの複数個を連結接続
すると共に、その接続部にプロセスチャンバを配設し、
且つこのプロセスチャンバを搬送チャンバに兼用するよ
うにしたので、故障等の生じたウェハ搬送チャンバに隣
接するプロセスチャンバへ半導体ウェハが介在するよう
になった場合でも、半導体ウェハの搬送を滞りなく行う
ことができるようになり、処理効率の向上が可能にな
る。That is, a chamber system using a multi-chamber having a structure in which a plurality of process chambers for performing various processes on a semiconductor wafer are connected to a wafer transfer chamber, and a plurality of the multi-chambers are connected and connected. , Arranging a process chamber at its connection,
In addition, since this process chamber is also used as the transfer chamber, the transfer of the semiconductor wafer can be performed smoothly even if the semiconductor wafer intervenes in the process chamber adjacent to the wafer transfer chamber where the failure or the like occurs. It becomes possible to improve processing efficiency.
【図1】本発明によるチャンバシステムの一実施例を示
す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a chamber system according to the present invention.
【図2】図1におけるA−A矢視断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA in FIG.
【図3】本発明によるチャンバシステムの制御系のソフ
トウェア構成を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram showing a software configuration of a control system of the chamber system according to the present invention.
【図4】或るプロセスに対する本発明のプロセスチャン
バの組み合わせ例を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory view showing a combination example of the process chamber of the present invention with respect to a certain process.
【図5】本発明における処理工程の内容及び手順を示す
フローチャートである。FIG. 5 is a flowchart showing the contents and procedure of processing steps in the present invention.
【図6】本発明の他の実施例を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing another embodiment of the present invention.
1,2,3 ウェハ搬送チャンバ 4,5,6 ウェハ搬送チャンバ 7,8,9 プロセスチャンバ 10,11,12 プロセスチャンバ 13,14,15 プロセスチャンバ 16,17,18 プロセスチャンバ 19,20,21 プロセスチャンバ 22,23,24 プロセスチャンバ 25 半導体ウェハ 26,27 ウェハ搬送アーム 28,29 ウェハ搬送口 30 試料台 31 制御部 32 上位管理部 33 装置使用状況監視プログラム 34 チャンバ構成ファイル 35,36,37 プロセスチャンバ 38,39,40 プロセスチャンバ 1, 2, 3 Wafer transfer chambers 4, 5, 6 Wafer transfer chambers 7, 8, 9 Process chambers 10, 11, 12 Process chambers 13, 14, 15 Process chambers 16, 17, 18 Process chambers 19, 20, 21 Processes Chamber 22, 23, 24 Process chamber 25 Semiconductor wafer 26, 27 Wafer transfer arm 28, 29 Wafer transfer port 30 Sample stage 31 Control unit 32 Upper management unit 33 Device usage monitoring program 34 Chamber configuration file 35, 36, 37 Process chamber 38, 39, 40 process chambers
Claims (4)
プロセスチャンバの複数をウェハ搬送チャンバに接続し
た構成のマルチチャンバを用いたチャンバシステムであ
って、前記マルチチャンバの複数個を連結接続すると共
に、その接続部にプロセスチャンバを配設し、且つこの
プロセスチャンバを搬送チャンバに兼用することを特徴
とするチャンバシステム。1. A chamber system using a multi-chamber having a structure in which a plurality of process chambers for performing various processes on a semiconductor wafer are connected to a wafer transfer chamber, and the plurality of multi-chambers are connected and connected. A chamber system in which a process chamber is arranged at the connection portion thereof, and the process chamber is also used as a transfer chamber.
バと前記ウェハ搬送チャンバとを交互かつリング状に連
結することを特徴とする請求項1記載のチャンバシステ
ム。2. The chamber system according to claim 1, wherein the chambers for both transfer and process and the wafer transfer chambers are connected alternately and in a ring shape.
バとは別に、隣接または他の任意のウェハ搬送チャンバ
へ連通させるプロセスチャンバを設けたことを特徴とす
る請求項1記載のチャンバシステム。3. The chamber system according to claim 1, further comprising a process chamber which communicates with an adjacent or another arbitrary wafer transfer chamber, in addition to the chamber for both transfer and process.
のウェハ搬送チャンバが存在する場合、搬送及びプロセ
スを兼用する前記チャンバ又は他のウェハ搬送チャンバ
を用いて搬送するための経路を選択する制御手段を設け
たことを特徴とする請求項1記載のチャンバシステム。4. When transferring a semiconductor wafer, if there is a wafer transfer chamber already in use, a control means for selecting a path for transfer using the chamber for both transfer and process or another wafer transfer chamber. The chamber system according to claim 1, further comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8827793A JPH06302667A (en) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | Chamber system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8827793A JPH06302667A (en) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | Chamber system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06302667A true JPH06302667A (en) | 1994-10-28 |
Family
ID=13938415
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8827793A Pending JPH06302667A (en) | 1993-04-15 | 1993-04-15 | Chamber system |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06302667A (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09176856A (en) * | 1995-12-22 | 1997-07-08 | Ulvac Japan Ltd | Sheet type vacuum treating apparatus |
WO2003017354A1 (en) * | 2001-08-14 | 2003-02-27 | Tokyo Electron Limited | Semiconductor processing system |
JP2009061542A (en) * | 2007-09-06 | 2009-03-26 | Yaskawa Electric Corp | Substrate carrying robot, substrate carrying device equipped with the same, and semiconductor manufacturing device |
JP2010184333A (en) * | 2009-02-13 | 2010-08-26 | Yaskawa Electric Corp | Substrate transfer robot, substrate transfer device including the same, and semiconductor manufacturing device |
US8758514B2 (en) | 2007-03-02 | 2014-06-24 | Asm Japan K.K. | Cluster type semiconductor processing apparatus |
WO2024166739A1 (en) * | 2023-02-09 | 2024-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus |
-
1993
- 1993-04-15 JP JP8827793A patent/JPH06302667A/en active Pending
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