JPH06301076A - 良好な非線形の光学的特性を有する物質および構造化された試料の製造方法 - Google Patents
良好な非線形の光学的特性を有する物質および構造化された試料の製造方法Info
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- JPH06301076A JPH06301076A JP6035934A JP3593494A JPH06301076A JP H06301076 A JPH06301076 A JP H06301076A JP 6035934 A JP6035934 A JP 6035934A JP 3593494 A JP3593494 A JP 3593494A JP H06301076 A JPH06301076 A JP H06301076A
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- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/40—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit containing elements other than carbon, hydrogen, halogen, oxygen, nitrogen or sulfur, e.g. silicon, metals
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- C09K19/408—Polysiloxanes
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/355—Non-linear optics characterised by the materials used
- G02F1/361—Organic materials
- G02F1/3615—Organic materials containing polymers
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 良好な非線形の光学的特性を有する物質の製
造方法を提供する。 【構成】 上記方法は、液晶のマトリックスを有する物
質をこの物質のガラス温度より低い温度で同時に電界お
よび偏光しないおよび／または円偏光した光にさらすこ
とを特徴とする。 【効果】 上記方法は良好な非線形の光学的特性を有す
る構造化された試料の製造を可能にする。
造方法を提供する。 【構成】 上記方法は、液晶のマトリックスを有する物
質をこの物質のガラス温度より低い温度で同時に電界お
よび偏光しないおよび／または円偏光した光にさらすこ
とを特徴とする。 【効果】 上記方法は良好な非線形の光学的特性を有す
る構造化された試料の製造を可能にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、良好なかつ構造化可能
のおよび微細構造化可能の非線形の光学的特性を有する
物質の製造方法およびこれらの物質の使用に関する。
のおよび微細構造化可能の非線形の光学的特性を有する
物質の製造方法およびこれらの物質の使用に関する。
【０００２】
【従来の技術】非線形の光学的物質はマイクロエレクト
ロニクスに使用される（光学的スイッチ、集積回路、周
波数倍化および３倍化）。この物質は周波数倍化のため
に必要である、それというのも少ない出力強度のレーザ
ーは可視の、特に紫外線スペクトル領域で使用されるか
らである。たとえば頻繁に問題となるＮｄ／ＹＡＧレー
ザー（λ＝１０６４ｎｍ）の周波数倍化により緑のスペ
クトル領域内の光線が得られる（５３２ｎｍ）。
ロニクスに使用される（光学的スイッチ、集積回路、周
波数倍化および３倍化）。この物質は周波数倍化のため
に必要である、それというのも少ない出力強度のレーザ
ーは可視の、特に紫外線スペクトル領域で使用されるか
らである。たとえば頻繁に問題となるＮｄ／ＹＡＧレー
ザー（λ＝１０６４ｎｍ）の周波数倍化により緑のスペ
クトル領域内の光線が得られる（５３２ｎｍ）。
【０００３】周波数倍化のための一般的な物質は、従来
は無機物質、たとえば二水素燐酸カリウム（ＫＤＰ）、
尿素またはＬｉＮｂＯ3であった。これらの物質はごく
低い分子の超分極可能性βを有する。しかしながら高い
超分極可能性βは周波数を倍化した光を発生させるため
の分子の前提である。周波数を倍化した光の発生は二次
高調波発生またはＳＨＧと称される。周波数を倍化する
ために使用される物質の品質はＳＨＧ信号の大きさから
得られる。非線形光学理論の更に詳しい説明は、たとえ
ば、K.D.Singer,Electroresponsive Mol.Polym.Syst.(1
991),2.49〜112に記載されている。
は無機物質、たとえば二水素燐酸カリウム（ＫＤＰ）、
尿素またはＬｉＮｂＯ3であった。これらの物質はごく
低い分子の超分極可能性βを有する。しかしながら高い
超分極可能性βは周波数を倍化した光を発生させるため
の分子の前提である。周波数を倍化した光の発生は二次
高調波発生またはＳＨＧと称される。周波数を倍化する
ために使用される物質の品質はＳＨＧ信号の大きさから
得られる。非線形光学理論の更に詳しい説明は、たとえ
ば、K.D.Singer,Electroresponsive Mol.Polym.Syst.(1
991),2.49〜112に記載されている。
【０００４】巨視的試料においては、分子の超分極可能
性βに相当する量、感受率χ(2)を測定することができ
る。この感受率の量はレーザー光線の二次高調波への変
換係数ηに顕著に関連する（式１〜３）。
性βに相当する量、感受率χ(2)を測定することができ
る。この感受率の量はレーザー光線の二次高調波への変
換係数ηに顕著に関連する（式１〜３）。
【０００５】
【数１】
【０００６】η＝ 変換係数 Ｐ（ｉω）＝ ｉ次の高調波出力 χ(2)＝ 二次感受率
【０００７】
【数２】
【０００８】Ｗｏ＝ 光線直径 ｌ＝ 試料厚さ Ｓ＝ 位相適合係数 Ｎ＝ 分子密度 Ｆ＝ 電界係数 Ｄ＝ 配向係数 β＝ 分子の超分極可能性 変換係数ηのためのもう１つの重要な係数は分子の配向
パラメータＤである。この配向パラメータＤは分極の程
度に依存する。分極が良好に行なわれるほど配向パラメ
ータＤは大きくなる（最大１）。分極とはすべての双極
子が同じ方向を示し、かつ全体として非中心の対称的構
造を生じるような非対称的な分子の配列のことである。
パラメータＤである。この配向パラメータＤは分極の程
度に依存する。分極が良好に行なわれるほど配向パラメ
ータＤは大きくなる（最大１）。分極とはすべての双極
子が同じ方向を示し、かつ全体として非中心の対称的構
造を生じるような非対称的な分子の配列のことである。
【０００９】ＫＤＰのような無機物質においてはわずか
な分子の超分極可能性βが認められるにすぎないが、こ
の化合物から高い次数（大きな配向係数Ｄ）および大き
なχ(2)を有する単結晶が得られる。
な分子の超分極可能性βが認められるにすぎないが、こ
の化合物から高い次数（大きな配向係数Ｄ）および大き
なχ(2)を有する単結晶が得られる。
【００１０】大きな分子の超分極可能性βを有する有機
物質は、たとえばD.M.Burland,SPIE(1991),1560,111〜1
19から公知である。しかしながら従来はこの物質では最
低で数か月を経ても良好な配向度を得ることができなか
った。
物質は、たとえばD.M.Burland,SPIE(1991),1560,111〜1
19から公知である。しかしながら従来はこの物質では最
低で数か月を経ても良好な配向度を得ることができなか
った。
【００１１】H.Man,Adv.Mater.，(1992)，159〜168か
ら、非線形の光学的分子をドープしたポリマーをポリマ
ーのガラス温度（Ｔｇ）より高い温度で強い電界または
コロナ分極により分極することが公知である。この配向
が電界を除去する際に連続的に失われることが欠点であ
る。この方法のもう１つの欠点は、Ｔｇよりかなり高い
温度で分極しなければならないことである。別の欠点
は、ここに記載の方法が全部の素子の大面積の分極だけ
を簡単なやりかたで可能にすることである。構造化可能
のおよび微細構造化可能の素子の製造は不可能である。
ら、非線形の光学的分子をドープしたポリマーをポリマ
ーのガラス温度（Ｔｇ）より高い温度で強い電界または
コロナ分極により分極することが公知である。この配向
が電界を除去する際に連続的に失われることが欠点であ
る。この方法のもう１つの欠点は、Ｔｇよりかなり高い
温度で分極しなければならないことである。別の欠点
は、ここに記載の方法が全部の素子の大面積の分極だけ
を簡単なやりかたで可能にすることである。構造化可能
のおよび微細構造化可能の素子の製造は不可能である。
【００１２】別の方法（Z.Sekkat,M.Dumont,Appl.Phys.
B,54,486〜489,(1922)）は、分極のために、ＮＬＯ−ク
ロモフォルを等方性のマトリックスに混入し、等電圧の
場を印加した後で円偏光した光を照射することによりそ
の縦軸を照射方向に分極できるという効果を利用する。
この方法により得られた試料、非液晶の媒体としてのＰ
ＭＭＡ中のＮＬＯ−クロモフォルは、良好なＳＨＧ信号
を示すが、低い安定性を有するにすぎない。電界を除去
した後でＳＨＧ信号は等方性のマトリックス中の分子の
緩和により数秒後に少ない残留値に戻る。
B,54,486〜489,(1922)）は、分極のために、ＮＬＯ−ク
ロモフォルを等方性のマトリックスに混入し、等電圧の
場を印加した後で円偏光した光を照射することによりそ
の縦軸を照射方向に分極できるという効果を利用する。
この方法により得られた試料、非液晶の媒体としてのＰ
ＭＭＡ中のＮＬＯ−クロモフォルは、良好なＳＨＧ信号
を示すが、低い安定性を有するにすぎない。電界を除去
した後でＳＨＧ信号は等方性のマトリックス中の分子の
緩和により数秒後に少ない残留値に戻る。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、上記
の欠点を排除した良好な非線形の光学的特性を有する物
質の製造方法を提供することであった。
の欠点を排除した良好な非線形の光学的特性を有する物
質の製造方法を提供することであった。
【００１４】
【課題を解決するための手段】前記課題は、液晶マトリ
ックスを有する物質をそのガラス温度より低い温度で同
時に電界および偏光しないおよび／または円偏光した光
にさらすことを特徴とする良好な非線形の光学的特性を
有する物質の製造方法により解決される。
ックスを有する物質をそのガラス温度より低い温度で同
時に電界および偏光しないおよび／または円偏光した光
にさらすことを特徴とする良好な非線形の光学的特性を
有する物質の製造方法により解決される。
【００１５】意外にも、Ｔｇより低い温度で同時に円偏
光した光および／または偏光しない光を照射し、かつ液
晶マトリックスを有する物質に電界を印加することによ
り、大きなＳＨＧ信号を有する試料が得られ、この信号
は光源および電界を遮断した後でも安定に維持されるこ
とが判明した。
光した光および／または偏光しない光を照射し、かつ液
晶マトリックスを有する物質に電界を印加することによ
り、大きなＳＨＧ信号を有する試料が得られ、この信号
は光源および電界を遮断した後でも安定に維持されるこ
とが判明した。
【００１６】本発明による方法は、試料のガラス温度よ
り低い温度で分極を可能にし、このことは一方では物質
を損なわず、他方では散乱の少ない構造を有する試料
を、従ってより良好な光学的特性を供給する。光は本発
明による方法により、場の分極に結びつく欠点を生じる
ことなく純粋な場の分極の際と同様に効率よく周波数を
倍化する。
り低い温度で分極を可能にし、このことは一方では物質
を損なわず、他方では散乱の少ない構造を有する試料
を、従ってより良好な光学的特性を供給する。光は本発
明による方法により、場の分極に結びつく欠点を生じる
ことなく純粋な場の分極の際と同様に効率よく周波数を
倍化する。
【００１７】本発明による方法のための適当な物質は液
晶マトリックスを有しなければならない。液晶マトリッ
クスは分極した構造を驚異的にも等方性のまたは無定形
の物質よりはるかに良好に安定化する。本発明による適
当な物質は、液晶の相、たとえばネマチック相、スメク
チック相またはコレステリック相を有するポリマー、た
とえばポリメタクリレート、ポリアクリレート、ポリシ
ロキサン、ポリビニル化合物、ポリエーテル、ポリエス
テルである。これらのポリマー中に液晶の相を形成する
ためにメソゲン化合物が使用され、これはたとえば米国
特許第４３８８４５６号明細書から公知である。ここに
開示されたメソゲン基は上記明細書の開示内容に属す
る。
晶マトリックスを有しなければならない。液晶マトリッ
クスは分極した構造を驚異的にも等方性のまたは無定形
の物質よりはるかに良好に安定化する。本発明による適
当な物質は、液晶の相、たとえばネマチック相、スメク
チック相またはコレステリック相を有するポリマー、た
とえばポリメタクリレート、ポリアクリレート、ポリシ
ロキサン、ポリビニル化合物、ポリエーテル、ポリエス
テルである。これらのポリマー中に液晶の相を形成する
ためにメソゲン化合物が使用され、これはたとえば米国
特許第４３８８４５６号明細書から公知である。ここに
開示されたメソゲン基は上記明細書の開示内容に属す
る。
【００１８】上記物質は以下の特性を有しなければなら
ない： ａ）光物理的方法、たとえばシス−トランス異性化によ
り液晶マトリックスのホメオトロピック構造への再配向
を可能にする少なくとも１つの、適当な光により励起可
能のクロモフォル基を有しなければならない。
ない： ａ）光物理的方法、たとえばシス−トランス異性化によ
り液晶マトリックスのホメオトロピック構造への再配向
を可能にする少なくとも１つの、適当な光により励起可
能のクロモフォル基を有しなければならない。
【００１９】ｂ）高い分子の超分極可能性βを有する少
なくとも１つのクロモフォル基を有しなければならな
い。
なくとも１つのクロモフォル基を有しなければならな
い。
【００２０】ｃ）室温（２０℃）より高い、有利には５
０℃より高いガラス点を有しなければならない。
０℃より高いガラス点を有しなければならない。
【００２１】異性化のためのクロモフォル基および高い
分子の超分極可能性を有するクロモフォル基は１つの分
子に組み込まれていてもよいが、同様に種々の分子中
に、互いに無関係に存在していてもよい。クロモフォル
基はポリマーに共有結合していてもよいが、結合してい
なくてもよい。
分子の超分極可能性を有するクロモフォル基は１つの分
子に組み込まれていてもよいが、同様に種々の分子中
に、互いに無関係に存在していてもよい。クロモフォル
基はポリマーに共有結合していてもよいが、結合してい
なくてもよい。
【００２２】適当な物質の製造はたとえば、R.Ortler,M
akromol.Chem.Rapid Commun.10,189〜194(1989)または
米国特許第４４１０５７０号明細書に記載されている。
akromol.Chem.Rapid Commun.10,189〜194(1989)または
米国特許第４４１０５７０号明細書に記載されている。
【００２３】有利にはポリシロキサン、たとえば液晶の
基で置換されたポリアルキルシロキサン、たとえばポリ
メチルシロキサンが適当である。
基で置換されたポリアルキルシロキサン、たとえばポリ
メチルシロキサンが適当である。
【００２４】特に有利には、コレステリック特性を有す
る環状ポリシロキサン、特にコレステリックの、光反応
性のおよびＮＬＯ活性の特性を有し、かつ５０〜６０℃
のガラス点および１８０〜２００℃の澄明点を有し、メ
ソゲン基を有するものが適当であり、この場合に非線形
の光学的基として４−アミノ−４′−ニトロアゾベンゼ
ンまたは４−アミノ−４′−シアノアゾベンゼンを有す
る環状ポリシロキサンが再び有利である。
る環状ポリシロキサン、特にコレステリックの、光反応
性のおよびＮＬＯ活性の特性を有し、かつ５０〜６０℃
のガラス点および１８０〜２００℃の澄明点を有し、メ
ソゲン基を有するものが適当であり、この場合に非線形
の光学的基として４−アミノ−４′−ニトロアゾベンゼ
ンまたは４−アミノ−４′−シアノアゾベンゼンを有す
る環状ポリシロキサンが再び有利である。
【００２５】上記物質を表示技術の一般的な方法、たと
えば、H.Man,Adv.Mater.，(1992)，159〜168に記載の方
法により、ガラス点と澄明点の間の温度で毛細管引力に
よりＩＴＯ（＝インジウム−錫酸化物）を被覆したセル
に充填する。有利には１４０〜１６０℃で１〜３時間の
熱処理により光学的に透明な相が生じ、この相内でらせ
ん形の軸がガラス表面に対して垂直に存在する。分子の
縦軸はガラス板に平行に配向されている。
えば、H.Man,Adv.Mater.，(1992)，159〜168に記載の方
法により、ガラス点と澄明点の間の温度で毛細管引力に
よりＩＴＯ（＝インジウム−錫酸化物）を被覆したセル
に充填する。有利には１４０〜１６０℃で１〜３時間の
熱処理により光学的に透明な相が生じ、この相内でらせ
ん形の軸がガラス表面に対して垂直に存在する。分子の
縦軸はガラス板に平行に配向されている。
【００２６】ほかの公知の方法により、出発物質の薄い
層をスピンコーティングによりたとえばガラス板上に製
造する。そのために出発物質を希釈した溶液としてＩＴ
Ｏを被覆したガラス板に塗布し、かつ加熱可能の回転皿
上で溶剤が蒸発するまで回転させる。引き続き、上記と
同様に熱処理により光学的に透明な相を生じる。
層をスピンコーティングによりたとえばガラス板上に製
造する。そのために出発物質を希釈した溶液としてＩＴ
Ｏを被覆したガラス板に塗布し、かつ加熱可能の回転皿
上で溶剤が蒸発するまで回転させる。引き続き、上記と
同様に熱処理により光学的に透明な相を生じる。
【００２７】本発明により、出発物質のガラス温度より
低い温度に出発物質を冷却した後で偏光しない光および
／または円偏光した光を照射する。偏光しない光のため
の光源としてはそのような光を発生するすべての公知の
光源が適当である。有利には水銀−キセノンランプが適
当である。円偏光した光のための光源としてはそのよう
な光を発生するすべての公知の光源が適当である。有利
にはレーザー、たとえばＫｒ+イオンレーザーが適当で
ある。
低い温度に出発物質を冷却した後で偏光しない光および
／または円偏光した光を照射する。偏光しない光のため
の光源としてはそのような光を発生するすべての公知の
光源が適当である。有利には水銀−キセノンランプが適
当である。円偏光した光のための光源としてはそのよう
な光を発生するすべての公知の光源が適当である。有利
にはレーザー、たとえばＫｒ+イオンレーザーが適当で
ある。
【００２８】照射は有利には１０〜１０００ｍＷ／ｃｍ
2の強度で、特に有利には１５０〜３００ｍＷ／ｃｍ2の
強度で照射強度に依存した時間にわたって、有利には５
日まで行なう。
2の強度で、特に有利には１５０〜３００ｍＷ／ｃｍ2の
強度で照射強度に依存した時間にわたって、有利には５
日まで行なう。
【００２９】照射は試料表面に対して垂直に行なう。照
射光線の波長は光互変性の化合物の励起が照射光線によ
り可能であるように選択されなければならない。
射光線の波長は光互変性の化合物の励起が照射光線によ
り可能であるように選択されなければならない。
【００３０】偏光しないおよび／または円偏光した光を
照射する間に本発明により付加的に試料に電界を印加す
る。電界は光に対して平行に配向される。電界は有利に
は１〜１００Ｖ／μｍ、特に有利には１０〜５０Ｖ／μ
ｍの強度を有するべきである。
照射する間に本発明により付加的に試料に電界を印加す
る。電界は光に対して平行に配向される。電界は有利に
は１〜１００Ｖ／μｍ、特に有利には１０〜５０Ｖ／μ
ｍの強度を有するべきである。
【００３１】照射光線および電界を遮断した後の室温で
の本発明により配向された物質の配向の長時間安定性は
ＳＨＧ信号の追跡により求めることができた。試料は分
極の直後に緩和に起因してＳＨＧ信号が出発値の約７０
％にわずかに低下したことのみを示した。それによりＳ
ＨＧ信号のほかの低下は行なわれず、従って緩和工程は
比較的長い時間にわたって重要でなかった。偏光しない
または円偏光した光の照射だけでも、電界の印加だけで
もＴｇより低い温度で分極が生じなかった。
の本発明により配向された物質の配向の長時間安定性は
ＳＨＧ信号の追跡により求めることができた。試料は分
極の直後に緩和に起因してＳＨＧ信号が出発値の約７０
％にわずかに低下したことのみを示した。それによりＳ
ＨＧ信号のほかの低下は行なわれず、従って緩和工程は
比較的長い時間にわたって重要でなかった。偏光しない
または円偏光した光の照射だけでも、電界の印加だけで
もＴｇより低い温度で分極が生じなかった。
【００３２】配向された試料をガラス温度より高く加熱
する際に、試料の配向が再び中断され、かつＳＨＧ信号
がもはや認められなかった。この工程はＳＨＧ信号の可
逆的な始動および中断のために利用することができる。
する際に、試料の配向が再び中断され、かつＳＨＧ信号
がもはや認められなかった。この工程はＳＨＧ信号の可
逆的な始動および中断のために利用することができる。
【００３３】円偏光した光および／または偏光しない光
および電界を同時に使用することにより構造化された試
料を製造する可能性が開かれた。
および電界を同時に使用することにより構造化された試
料を製造する可能性が開かれた。
【００３４】試料を液晶のマトリックスを有する物質の
ガラス温度より低い温度で電界および偏光しないおよび
／または円偏光した光による構造化された照射に同時に
さらすことにより、簡単なやり方で構造化された試料を
製造することができる。有利には、露光の間に少なくと
も１つのマスクを試料にかぶせることにより試料を製造
する。それにより露光した場所のみで分極が行なわれ
る。ほかの場所に依存した照射技術、たとえばレーザー
スキャニングもこの方法に関して同様に可能である。
ガラス温度より低い温度で電界および偏光しないおよび
／または円偏光した光による構造化された照射に同時に
さらすことにより、簡単なやり方で構造化された試料を
製造することができる。有利には、露光の間に少なくと
も１つのマスクを試料にかぶせることにより試料を製造
する。それにより露光した場所のみで分極が行なわれ
る。ほかの場所に依存した照射技術、たとえばレーザー
スキャニングもこの方法に関して同様に可能である。
【００３５】構造化の際の最大の達成可能の分解能は使
用される光の波長により決定される。
用される光の波長により決定される。
【００３６】構造化された試料は本発明による方法の２
つの変形により製造することができる。
つの変形により製造することができる。
【００３７】１．電界を全平面に印加し、かつ一定の位
置のみで照射する。この方法においては露光した位置で
分極されたＮＬＯ−クロモフォルを有するホメオトロピ
ック構造が形成される。露光されない位置では本来の液
晶構造が維持される。
置のみで照射する。この方法においては露光した位置で
分極されたＮＬＯ−クロモフォルを有するホメオトロピ
ック構造が形成される。露光されない位置では本来の液
晶構造が維持される。
【００３８】２．照射を全平面に実施し、かつ一定の位
置のみで電界を印加する。この方法においては、この位
置で分極されたＮＬＯクロモフォルを有するホメオトロ
ピック構造が形成される。電圧のかからない位置ではホ
メオトロピックであるが分極されない構造が形成され
る。
置のみで電界を印加する。この方法においては、この位
置で分極されたＮＬＯクロモフォルを有するホメオトロ
ピック構造が形成される。電圧のかからない位置ではホ
メオトロピックであるが分極されない構造が形成され
る。
【００３９】従って、本発明による方法は良好な非線形
特性を有する構造化された導波体および光学的開閉素子
の製造を可能にする。
特性を有する構造化された導波体および光学的開閉素子
の製造を可能にする。
【００４０】
【実施例】本発明を以下の実施例により詳細に説明す
る。
る。
【００４１】例１ ４−（Ｎ−プロペニル−２、Ｎ−エチル）アミノ−４′
−ニトロアゾベンゼンの製造 ａ）Ｎ−エチル−Ｎ−アリル−アニリンの製造 Ｎ−エチル−アニリン０．２モルにブロム−１−プロペ
ン０．２モルを入念に滴加し、引き続き溶液を１００℃
で２０時間加熱した。冷却後凝固した反応物質に水２０
０ｍｌを加え、かつ激しく撹拌しながら溶液がアルカリ
性に維持されるまで固体の水酸化カリウムを加えた。有
機相を分離し、硫酸ナトリウム上で乾燥させ、かつ真空
中で分別蒸留した。
−ニトロアゾベンゼンの製造 ａ）Ｎ−エチル−Ｎ−アリル−アニリンの製造 Ｎ−エチル−アニリン０．２モルにブロム−１−プロペ
ン０．２モルを入念に滴加し、引き続き溶液を１００℃
で２０時間加熱した。冷却後凝固した反応物質に水２０
０ｍｌを加え、かつ激しく撹拌しながら溶液がアルカリ
性に維持されるまで固体の水酸化カリウムを加えた。有
機相を分離し、硫酸ナトリウム上で乾燥させ、かつ真空
中で分別蒸留した。
【００４２】ｂ）ジアゾ化 ４−ニトロ−アニリン３０ミリモル、濃塩酸１０ｍｌお
よび水２５ｍｌからなる懸濁液に０〜５℃で一度で水１
０ｍｌ中の亜硝酸ナトリウム３．１５ｇ（４５ミリモ
ル）からなる溶液を加えた。亜硝酸ナトリウム溶液の添
加は懸濁液の表面より下方で行なった、その際温度を短
時間で１５℃に上昇することができた。引き続き０〜５
℃で１時間撹拌し、かつ得られたジアゾニウム塩溶液を
濾過した。
よび水２５ｍｌからなる懸濁液に０〜５℃で一度で水１
０ｍｌ中の亜硝酸ナトリウム３．１５ｇ（４５ミリモ
ル）からなる溶液を加えた。亜硝酸ナトリウム溶液の添
加は懸濁液の表面より下方で行なった、その際温度を短
時間で１５℃に上昇することができた。引き続き０〜５
℃で１時間撹拌し、かつ得られたジアゾニウム塩溶液を
濾過した。
【００４３】ｃ）カップリング 製造したジアゾニウムクロリド溶液を、０〜５℃に冷却
した、Ｎ−エチル−Ｎ−アリル−アニリン３０ミリモ
ル、酢酸ナトリウム２１ｇ、氷酢酸１７ｍｌおよび水２
００ｍｌからなる溶液に少量ずつ加え、従って所定の温
度範囲を上回らなかった。引き続き、生じた懸濁液を更
に２〜３時間撹拌し、沈殿した固形物を吸引濾過し、か
つ乾燥させた。得られた粗製生成物の精製をエタノール
からの再結晶により実施した。エタノールから再結晶
後、融点１０８〜１１０℃のダークレッドの葉片５．１
ｇ（５５％）が得られた。
した、Ｎ−エチル−Ｎ−アリル−アニリン３０ミリモ
ル、酢酸ナトリウム２１ｇ、氷酢酸１７ｍｌおよび水２
００ｍｌからなる溶液に少量ずつ加え、従って所定の温
度範囲を上回らなかった。引き続き、生じた懸濁液を更
に２〜３時間撹拌し、沈殿した固形物を吸引濾過し、か
つ乾燥させた。得られた粗製生成物の精製をエタノール
からの再結晶により実施した。エタノールから再結晶
後、融点１０８〜１１０℃のダークレッドの葉片５．１
ｇ（５５％）が得られた。
【００４４】例２ ４−（Ｎ−ペンテニル−４、Ｎ−エチル）アミノ−４′
−シアノアゾベンゼンの製造 ａ）Ｎ−エチル−Ｎ−ペンテニル−アニリンの製造 Ｎ−エチル−アニリン０．２モルにブロム−１−ペンテ
ン０．２モルを入念に滴加し、引き続き溶液を１００℃
で２０時間加熱した。冷却後凝固した反応物質に水２０
０ｍｌを加え、かつ激しく撹拌しながら溶液がアルカリ
性に維持されるまで固体の水酸化カリウムを加えた。有
機相を分離し、硫酸ナトリウム上で乾燥させ、かつ真空
中で分別蒸留した。
−シアノアゾベンゼンの製造 ａ）Ｎ−エチル−Ｎ−ペンテニル−アニリンの製造 Ｎ−エチル−アニリン０．２モルにブロム−１−ペンテ
ン０．２モルを入念に滴加し、引き続き溶液を１００℃
で２０時間加熱した。冷却後凝固した反応物質に水２０
０ｍｌを加え、かつ激しく撹拌しながら溶液がアルカリ
性に維持されるまで固体の水酸化カリウムを加えた。有
機相を分離し、硫酸ナトリウム上で乾燥させ、かつ真空
中で分別蒸留した。
【００４５】ｂ）ジアゾ化 ４−アミノベンゾニトリル３０ミリモル、濃塩酸１０ｍ
ｌおよび水２５ｍｌからなる懸濁液に０〜５℃で一度で
水１０ｍｌ中の亜硝酸ナトリウム３．１５ｇ（４５ミリ
モル）からなる溶液を加えた。亜硝酸ナトリウム溶液の
添加は懸濁液の表面より下方で行なった、その際温度を
短時間で１５℃に上昇することができた。引き続き０〜
５℃で１時間撹拌し、かつ得られたジアゾニウム塩溶液
を濾過した。
ｌおよび水２５ｍｌからなる懸濁液に０〜５℃で一度で
水１０ｍｌ中の亜硝酸ナトリウム３．１５ｇ（４５ミリ
モル）からなる溶液を加えた。亜硝酸ナトリウム溶液の
添加は懸濁液の表面より下方で行なった、その際温度を
短時間で１５℃に上昇することができた。引き続き０〜
５℃で１時間撹拌し、かつ得られたジアゾニウム塩溶液
を濾過した。
【００４６】ｃ）カップリング 製造したジアゾニウムクロリド溶液を、０〜５℃に冷却
した、Ｎ−エチル−Ｎ−ペンチル−アニリン３０ミリモ
ル、酢酸ナトリウム２１ｇ、氷酢酸１７ｍｌおよび水２
００ｍｌからなる溶液に少量ずつ加え、従って所定の温
度範囲を上回らなかった。引き続き生じた懸濁液を更に
２〜３時間撹拌し、沈殿した固形物を吸引濾過し、かつ
乾燥させた。得られた粗製生成物の精製を石油エーテル
からの再結晶により実施した。再結晶後、融点６３〜６
４℃のオレンジの結晶４．７ｇ（４９％）が得られた。
した、Ｎ−エチル−Ｎ−ペンチル−アニリン３０ミリモ
ル、酢酸ナトリウム２１ｇ、氷酢酸１７ｍｌおよび水２
００ｍｌからなる溶液に少量ずつ加え、従って所定の温
度範囲を上回らなかった。引き続き生じた懸濁液を更に
２〜３時間撹拌し、沈殿した固形物を吸引濾過し、かつ
乾燥させた。得られた粗製生成物の精製を石油エーテル
からの再結晶により実施した。再結晶後、融点６３〜６
４℃のオレンジの結晶４．７ｇ（４９％）が得られた。
【００４７】例３ ４−（Ｎ−プロペニル−２、Ｎ−エチル）アミノ−４′
−ニトロアゾベンゼンを有する液晶の製造 テトラメチルシクロテトラシロキサン０．９７ｇ（４．
０３ミリモル）、４−（プロペン−２−オキシ）安息香
酸−４′−フェニルエステル２．４０ｇ（７．２５ミリ
モル）、４−（プロペン−２−オキシ）安息香酸コレス
タニルエステル３．９８ｇ（７．２５ミリモル）（これ
らの物質の製造は米国特許第４４１０５７０号明細書に
記載されている）および４−（Ｎ−プロペニル−２、Ｎ
−エチル）アミノ−４′−ニトロアゾベンゼン０．５０
ｇ（１．６１ミリモル）を乾燥したトルエン２０ｍｌ中
に溶かし、かつジシクロペンタジエン白金二塩化物の溶
液０．０８ｍｌ（塩化メチレン中１重量％）を添加した
後で１時間で１００℃に加熱した。反応終了後触媒を、
シリカゲルを充填した短いカラム（ｌ＝３ｃｍ，直径＝
３ｃｍ）を介して分離し、かつ残留モノマー含量が１％
未満になるまで生成物をエタノール中で数回沈殿させ
た。最終生成物を０．２μｍフィルターを介して濾過
し、かつ真空中で９０℃で乾燥させた。反射波長１１７
６ｎｍの物質２．５ｇ（３２％）が得られた。この物質
はガラス点５９℃および澄明点１８０℃を有した。
−ニトロアゾベンゼンを有する液晶の製造 テトラメチルシクロテトラシロキサン０．９７ｇ（４．
０３ミリモル）、４−（プロペン−２−オキシ）安息香
酸−４′−フェニルエステル２．４０ｇ（７．２５ミリ
モル）、４−（プロペン−２−オキシ）安息香酸コレス
タニルエステル３．９８ｇ（７．２５ミリモル）（これ
らの物質の製造は米国特許第４４１０５７０号明細書に
記載されている）および４−（Ｎ−プロペニル−２、Ｎ
−エチル）アミノ−４′−ニトロアゾベンゼン０．５０
ｇ（１．６１ミリモル）を乾燥したトルエン２０ｍｌ中
に溶かし、かつジシクロペンタジエン白金二塩化物の溶
液０．０８ｍｌ（塩化メチレン中１重量％）を添加した
後で１時間で１００℃に加熱した。反応終了後触媒を、
シリカゲルを充填した短いカラム（ｌ＝３ｃｍ，直径＝
３ｃｍ）を介して分離し、かつ残留モノマー含量が１％
未満になるまで生成物をエタノール中で数回沈殿させ
た。最終生成物を０．２μｍフィルターを介して濾過
し、かつ真空中で９０℃で乾燥させた。反射波長１１７
６ｎｍの物質２．５ｇ（３２％）が得られた。この物質
はガラス点５９℃および澄明点１８０℃を有した。
【００４８】例４ Ｔｇより低い温度での円偏光した光および電界による試
料の配向および分極例３による液晶のポリシロキサンを
１４０℃で毛細管引力によりＩＴＯを被覆した市販のセ
ル（ｄ＝５μｍ）（Ｅ．Ｈ．Ｃ．ＣＯ．，ＬＴＤ．，東
京）に充填した。熱処理（１６０℃、６０分）により光
学的に透明の相を生じ、この相内でらせん形の軸がガラ
ス表面に垂直に存在した。分子の縦軸はガラス板に平行
に配向されていた。５３℃（Ｔ＜Ｔｇ）でのＫｒ+イオ
ンレーザーの円偏光した光を使用した試料の照射（４８
２ｎｍ，２００ｍＷ／ｃｍ2）により、試料はホメオト
ロピックに配向され、同時に電界の印加（５Ｖ／μｍ）
により分極した。円偏光した光および電界を遮断した。
料の配向および分極例３による液晶のポリシロキサンを
１４０℃で毛細管引力によりＩＴＯを被覆した市販のセ
ル（ｄ＝５μｍ）（Ｅ．Ｈ．Ｃ．ＣＯ．，ＬＴＤ．，東
京）に充填した。熱処理（１６０℃、６０分）により光
学的に透明の相を生じ、この相内でらせん形の軸がガラ
ス表面に垂直に存在した。分子の縦軸はガラス板に平行
に配向されていた。５３℃（Ｔ＜Ｔｇ）でのＫｒ+イオ
ンレーザーの円偏光した光を使用した試料の照射（４８
２ｎｍ，２００ｍＷ／ｃｍ2）により、試料はホメオト
ロピックに配向され、同時に電界の印加（５Ｖ／μｍ）
により分極した。円偏光した光および電界を遮断した。
【００４９】分極の検査のためにＮｄ／ＹＡＧレーザー
（１０６４ｎｍ）を使用して周波数倍加した光を発生さ
せ、かつＭａｋｅｒ干渉法（Ｐ．Ｄ．Ｍａｋｅｒ，Ｐｈ
ｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．８，２１（１９６２））を使
用して周波数倍加した光の角度に依存した強度を検出し
た（図１のＩＩ）。測定により１．２（任意単位）のＳ
ＨＧ信号が得られた。
（１０６４ｎｍ）を使用して周波数倍加した光を発生さ
せ、かつＭａｋｅｒ干渉法（Ｐ．Ｄ．Ｍａｋｅｒ，Ｐｈ
ｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．８，２１（１９６２））を使
用して周波数倍加した光の角度に依存した強度を検出し
た（図１のＩＩ）。測定により１．２（任意単位）のＳ
ＨＧ信号が得られた。
【００５０】比較例１ Ｔｇより高い温度での電界による試料の配向および分極 例３による液晶のポリシロキサンを１４０℃で毛細管引
力によりＩＴＯを被覆した市販のセル（ｄ＝５μｍ）
（Ｅ．Ｈ．Ｃ．ＣＯ．，ＬＴＤ．，東京）に充填した。
熱処理（１６０℃／６０分）により光学的に透明の相を
生じ、この相内でらせん形の軸がガラス表面に垂直に存
在した。分子の縦軸はガラス板に平行に配向されてい
た。１００℃（Ｔ＞Ｔｇ）に加熱し、かつ電界を印加す
る（２１Ｖ／μｍ）ことにより試料を分極した。試料を
冷却し、更に電界を遮断した。
力によりＩＴＯを被覆した市販のセル（ｄ＝５μｍ）
（Ｅ．Ｈ．Ｃ．ＣＯ．，ＬＴＤ．，東京）に充填した。
熱処理（１６０℃／６０分）により光学的に透明の相を
生じ、この相内でらせん形の軸がガラス表面に垂直に存
在した。分子の縦軸はガラス板に平行に配向されてい
た。１００℃（Ｔ＞Ｔｇ）に加熱し、かつ電界を印加す
る（２１Ｖ／μｍ）ことにより試料を分極した。試料を
冷却し、更に電界を遮断した。
【００５１】分極の検査のためにＮｄ／ＹＡＧレーザー
（１０６４ｎｍ）を使用して試料を照射することにより
周波数倍加した光を発生した。Ｍａｋｅｒ干渉法を使用
して周波数倍加した光の角度に依存した強度を検出した
（図１のＩ）。測定により０．７５（任意単位）のＳＨ
Ｇ信号が得られた。
（１０６４ｎｍ）を使用して試料を照射することにより
周波数倍加した光を発生した。Ｍａｋｅｒ干渉法を使用
して周波数倍加した光の角度に依存した強度を検出した
（図１のＩ）。測定により０．７５（任意単位）のＳＨ
Ｇ信号が得られた。
【００５２】比較例２ Ｔｇより低い温度での電界による試料の配向および分極 例３による液晶のポリシロキサンを１４０℃で毛細管力
によりＩＴＯを被覆した市販のセル（ｄ＝５μｍ）
（Ｅ．Ｈ．Ｃ．ＣＯ．，ＬＴＤ．，東京）に充填した。
熱処理（１６０℃／６０分）により光学的に透明の相を
生じ、この相内でらせん形の軸がガラス表面に垂直に存
在した。分子の縦軸はガラス板に平行に配向されてい
た。５３℃（Ｔ＜Ｔｇ）に加温し、かつ電界を印加する
（２１Ｖ／μｍ）ことにより試料を分極した。電界を遮
断した。
によりＩＴＯを被覆した市販のセル（ｄ＝５μｍ）
（Ｅ．Ｈ．Ｃ．ＣＯ．，ＬＴＤ．，東京）に充填した。
熱処理（１６０℃／６０分）により光学的に透明の相を
生じ、この相内でらせん形の軸がガラス表面に垂直に存
在した。分子の縦軸はガラス板に平行に配向されてい
た。５３℃（Ｔ＜Ｔｇ）に加温し、かつ電界を印加する
（２１Ｖ／μｍ）ことにより試料を分極した。電界を遮
断した。
【００５３】分極の検査のためにＮｄ／ＹＡＧレーザー
（１０６４ｎｍ）で試料を照射し、周波数倍加した光を
発生させ、かつＭａｋｅｒ干渉法を使用して周波数倍加
した光の角度に依存した強度を検出した。ＳＨＧ信号を
測定することができなかった、すなわちＴｇより低い温
度での電界による試料の分極が行なわれなかった。
（１０６４ｎｍ）で試料を照射し、周波数倍加した光を
発生させ、かつＭａｋｅｒ干渉法を使用して周波数倍加
した光の角度に依存した強度を検出した。ＳＨＧ信号を
測定することができなかった、すなわちＴｇより低い温
度での電界による試料の分極が行なわれなかった。
【００５４】比較例３ 円偏光した光による試料の配向および分極の実験 例３による液晶のポリシロキサンを１４０℃で毛細管引
力によりＩＴＯを被覆した市販のセル（ｄ＝５μｍ）
（Ｅ．Ｈ．Ｃ．ＣＯ．，ＬＴＤ．，東京）に充填した。
熱処理（１６０℃／６０分）により光学的に透明の相を
生じ、この相内でらせん形の軸がガラス表面に垂直に存
在した。分子の縦軸はガラス板に平行に配向されてい
た。５３℃（Ｔ＜Ｔｇ）に加温し、かつＫｒ+イオンレ
ーザーの円偏光した光の照射（４８２ｎｍ、２００ｍＷ
／ｃｍ2）により試料を分極した。光源を遮断した。
力によりＩＴＯを被覆した市販のセル（ｄ＝５μｍ）
（Ｅ．Ｈ．Ｃ．ＣＯ．，ＬＴＤ．，東京）に充填した。
熱処理（１６０℃／６０分）により光学的に透明の相を
生じ、この相内でらせん形の軸がガラス表面に垂直に存
在した。分子の縦軸はガラス板に平行に配向されてい
た。５３℃（Ｔ＜Ｔｇ）に加温し、かつＫｒ+イオンレ
ーザーの円偏光した光の照射（４８２ｎｍ、２００ｍＷ
／ｃｍ2）により試料を分極した。光源を遮断した。
【００５５】分極の検査のためにＮｄ／ＹＡＧレーザー
（１０６４ｎｍ）で試料を照射し、周波数倍加した光を
発生させ、かつＭａｋｅｒ干渉法を使用して周波数倍加
した光の角度に依存した強度を検出した。この実験では
ＳＨＧ信号を測定することができなかった（図１のＩＩ
Ｉ）、すなわちＫｒ+イオンレーザーの円偏光した光の
照射（４８２ｎｍ、２００ｍＷ／ｃｍ2）により試料の
分極が行なわれなかった。試料はホメオトロピックに配
向されたが、ＮＬＯクロモフォルは中心対称のままであ
った。
（１０６４ｎｍ）で試料を照射し、周波数倍加した光を
発生させ、かつＭａｋｅｒ干渉法を使用して周波数倍加
した光の角度に依存した強度を検出した。この実験では
ＳＨＧ信号を測定することができなかった（図１のＩＩ
Ｉ）、すなわちＫｒ+イオンレーザーの円偏光した光の
照射（４８２ｎｍ、２００ｍＷ／ｃｍ2）により試料の
分極が行なわれなかった。試料はホメオトロピックに配
向されたが、ＮＬＯクロモフォルは中心対称のままであ
った。
【００５６】例５ ４−（Ｎ−ペンテニル−４、Ｎ−エチル）アミノ−４′
−シアノアゾベンゼンを有する液晶の製造 テトラメチルシクロテトラシロキサン０．３８ｇ（１．
５７ミリモル）、４−（プロペン−２−オキシ）安息香
酸−４′−フェニルフェニルエステル０．９３ｇ（２．
８３ミリモル）、４（プロペン−２−オキシ）安息香酸
コレステリルエステル１．５５ｇ（２．８３ミリモル）
および４−（Ｎ−ペンテニル−４、Ｎ−エチル）アミノ
−４′−シアノアゾベンゼン０．２０ｇ（０．６３ミリ
モル）を乾燥したトルエン１０ｍｌに溶かし、かつジシ
クロペンタジエン白金二塩化物（塩化メチレン中１重量
％）０．０３ｍｌを加えた後で１時間で１００℃に加熱
した。反応終了後触媒をシリカゲルを充填した短いカラ
ム（ｌ＝３ｃｍ、直径＝３ｃｍ）を介して分離し、かつ
残留モノマー含量が１％未満になるまで生成物をエタノ
ール中で数回沈殿させた。最終生成物を０．２μｍフィ
ルターを介して濾過し、かつ真空中で９０℃で乾燥させ
た。反射波長６００ｎｍを有する物質１．０ｇ（３３
％）が得られた。この物質はガラス点５５℃および澄明
点１９５℃を有した。
−シアノアゾベンゼンを有する液晶の製造 テトラメチルシクロテトラシロキサン０．３８ｇ（１．
５７ミリモル）、４−（プロペン−２−オキシ）安息香
酸−４′−フェニルフェニルエステル０．９３ｇ（２．
８３ミリモル）、４（プロペン−２−オキシ）安息香酸
コレステリルエステル１．５５ｇ（２．８３ミリモル）
および４−（Ｎ−ペンテニル−４、Ｎ−エチル）アミノ
−４′−シアノアゾベンゼン０．２０ｇ（０．６３ミリ
モル）を乾燥したトルエン１０ｍｌに溶かし、かつジシ
クロペンタジエン白金二塩化物（塩化メチレン中１重量
％）０．０３ｍｌを加えた後で１時間で１００℃に加熱
した。反応終了後触媒をシリカゲルを充填した短いカラ
ム（ｌ＝３ｃｍ、直径＝３ｃｍ）を介して分離し、かつ
残留モノマー含量が１％未満になるまで生成物をエタノ
ール中で数回沈殿させた。最終生成物を０．２μｍフィ
ルターを介して濾過し、かつ真空中で９０℃で乾燥させ
た。反射波長６００ｎｍを有する物質１．０ｇ（３３
％）が得られた。この物質はガラス点５５℃および澄明
点１９５℃を有した。
【００５７】例６ 円偏光した光および電界による試料の配向および分極 例５による液晶のポリシロキサンを１４０℃で毛細管引
力によりＩＴＯを被覆した市販のセル（ｄ＝５μｍ）
（Ｅ．Ｈ．Ｃ．ＣＯ．，ＬＴＤ．，東京）に充填した。
熱処理（１６０℃、６０分）により光学的に透明な相を
生じ、この相内でらせん形の軸がガラス表面に垂直に存
在した。分子の縦軸はガラス板に平行に配向されてい
た。５３℃（Ｔ＜Ｔｇ）でのＫｒ+イオンレーザーの円
偏光した光の照射（４８２ｎｍ、２００ｍＷ／ｃｍ2）
により試料はホメオトロピックに配向され、同時に電界
の印加（２１Ｖ／μｍ）により分極した。円偏光した光
および電界を遮断した。
力によりＩＴＯを被覆した市販のセル（ｄ＝５μｍ）
（Ｅ．Ｈ．Ｃ．ＣＯ．，ＬＴＤ．，東京）に充填した。
熱処理（１６０℃、６０分）により光学的に透明な相を
生じ、この相内でらせん形の軸がガラス表面に垂直に存
在した。分子の縦軸はガラス板に平行に配向されてい
た。５３℃（Ｔ＜Ｔｇ）でのＫｒ+イオンレーザーの円
偏光した光の照射（４８２ｎｍ、２００ｍＷ／ｃｍ2）
により試料はホメオトロピックに配向され、同時に電界
の印加（２１Ｖ／μｍ）により分極した。円偏光した光
および電界を遮断した。
【００５８】分極の検査のためにＮｄ／ＹＡＧレーザー
（１０６４ｎｍ）を使用して周波数倍加した光を発生さ
せ、かつＭａｋｅｒ干渉法を使用して周波数倍加した光
の角度に依存した強度を検出した。測定により０．１５
（任意単位）のＳＨＧ信号が得られた。
（１０６４ｎｍ）を使用して周波数倍加した光を発生さ
せ、かつＭａｋｅｒ干渉法を使用して周波数倍加した光
の角度に依存した強度を検出した。測定により０．１５
（任意単位）のＳＨＧ信号が得られた。
【００５９】例７ ４−（Ｎ−プロペニル−２、Ｎ−エチル）アミノ−４′
−ニトロアゾベンゼンを有する液晶の製造 テトラメチルシクロテトラシロキサン１．９４ｇ（８．
０６ミリモル）、４−（プロペン−２−オキシ）安息香
酸−４′−フェニルフェニルエステル５．０６ｇ（１
５．３ミリモル）、４−（プロペン−２−オキシ）安息
香酸コレスタニルエステル８．３８ｇ（１５．３ミリモ
ル）および４−（Ｎ−プロペニル−２、Ｎ−エチル）ア
ミノ−４′−ニトロアゾベンゼン０．５０ｇ（１．６１
ミリモル）を乾燥したトルエン２０ｍｌに溶かし、かつ
ジシクロペンタジエン白金二塩化物（塩化メチレン中１
重量％）の溶液０．０８ｍｌを加えた後で１時間で１０
０℃に加熱した。反応終了後触媒をシリカゲルを充填し
た短いカラム（ｌ＝３ｃｍ、直径＝３ｃｍ）を介して分
離し、かつ残留モノマー含量が１％未満になるまで生成
物をエタノール中で数回沈殿させた。
−ニトロアゾベンゼンを有する液晶の製造 テトラメチルシクロテトラシロキサン１．９４ｇ（８．
０６ミリモル）、４−（プロペン−２−オキシ）安息香
酸−４′−フェニルフェニルエステル５．０６ｇ（１
５．３ミリモル）、４−（プロペン−２−オキシ）安息
香酸コレスタニルエステル８．３８ｇ（１５．３ミリモ
ル）および４−（Ｎ−プロペニル−２、Ｎ−エチル）ア
ミノ−４′−ニトロアゾベンゼン０．５０ｇ（１．６１
ミリモル）を乾燥したトルエン２０ｍｌに溶かし、かつ
ジシクロペンタジエン白金二塩化物（塩化メチレン中１
重量％）の溶液０．０８ｍｌを加えた後で１時間で１０
０℃に加熱した。反応終了後触媒をシリカゲルを充填し
た短いカラム（ｌ＝３ｃｍ、直径＝３ｃｍ）を介して分
離し、かつ残留モノマー含量が１％未満になるまで生成
物をエタノール中で数回沈殿させた。
【００６０】最終生成物を０．２μｍフィルターを介し
て濾過し、かつ真空中で９０℃で乾燥させた。反射波長
１２３４ｎｍを有する物質７．８ｇ（４９％）が得られ
た。この物質はガラス点５８℃および澄明点１９２℃を
有した。
て濾過し、かつ真空中で９０℃で乾燥させた。反射波長
１２３４ｎｍを有する物質７．８ｇ（４９％）が得られ
た。この物質はガラス点５８℃および澄明点１９２℃を
有した。
【００６１】例８ 本発明による物質の長時間安定性の測定 例７による液晶のポリシロキサンを１４０℃で毛細管引
力によりＩＴＯを被覆した市販のセル（ｄ＝５μｍ）
（Ｅ．Ｈ．Ｃ．ＣＯ．，ＬＴＤ．，東京）に充填した。
熱処理（１６０℃、６０分）により光学的に透明の相を
生じ、この相内でらせん形の軸がガラス表面に垂直に存
在した。分子の縦軸はガラス板に平行に配向されてい
た。５３℃（Ｔ＜Ｔｇ）でのＫｒ+イオンレーザーの円
偏光した光を使用した試料の照射（４８２ｎｍ、２００
ｍＷ／ｃｍ2）により試料はホメオトロピックに配向さ
れ、同時に電界の印加（５Ｖ／μｍ）により分極した。
円偏光した光および電界を遮断した。
力によりＩＴＯを被覆した市販のセル（ｄ＝５μｍ）
（Ｅ．Ｈ．Ｃ．ＣＯ．，ＬＴＤ．，東京）に充填した。
熱処理（１６０℃、６０分）により光学的に透明の相を
生じ、この相内でらせん形の軸がガラス表面に垂直に存
在した。分子の縦軸はガラス板に平行に配向されてい
た。５３℃（Ｔ＜Ｔｇ）でのＫｒ+イオンレーザーの円
偏光した光を使用した試料の照射（４８２ｎｍ、２００
ｍＷ／ｃｍ2）により試料はホメオトロピックに配向さ
れ、同時に電界の印加（５Ｖ／μｍ）により分極した。
円偏光した光および電界を遮断した。
【００６２】試料の分極の検査のためにＮｄ／ＹＡＧレ
ーザー（１０６４ｎｍ）を使用して周波数倍加した光を
発生させ、かつＭａｋｅｒ干渉法を使用して周波数倍加
した光の角度に依存した強度を検出した。測定により
１．０５（任意単位）のＳＨＧ信号が得られた。
ーザー（１０６４ｎｍ）を使用して周波数倍加した光を
発生させ、かつＭａｋｅｒ干渉法を使用して周波数倍加
した光の角度に依存した強度を検出した。測定により
１．０５（任意単位）のＳＨＧ信号が得られた。
【００６３】ＳＨＧ信号の時間的追跡により信号は最初
の５０時間以内で緩和により最初の値の約７０％に低下
した（図２）。
の５０時間以内で緩和により最初の値の約７０％に低下
した（図２）。
【００６４】６週間にわたる測定により確認できたよう
に、引き続き信号は安定に維持された。
に、引き続き信号は安定に維持された。
【００６５】例９ 構造化可能のおよび微細構造化可能の試料の製造 例３による液晶のポリシロキサンを１４０℃で毛細管引
力によりＩＴＯを被覆した市販のセル（ｄ＝５μｍ）に
充填した。熱処理により光学的に透明の相を生じ、この
相内でらせん形の軸がガラス表面に垂直に存在した。分
子の縦軸はガラス板に平行に配向されていた。引き続き
試料にアパーチャーマスク（ｄ＝２ｃｍ）をかぶせた。
５３℃（Ｔ＜Ｔｇ）でのマスクを通過したＫｒ+イオン
レーザーの円偏光した光の照射（４８２ｎｍ、２００ｍ
Ｗ／ｃｍ2）により試料は露光した領域でホメオトロピ
ックに配向され、同時に電界の印加（５Ｖ／μｍ）によ
り分極した。引き続き光および電界を遮断した。
力によりＩＴＯを被覆した市販のセル（ｄ＝５μｍ）に
充填した。熱処理により光学的に透明の相を生じ、この
相内でらせん形の軸がガラス表面に垂直に存在した。分
子の縦軸はガラス板に平行に配向されていた。引き続き
試料にアパーチャーマスク（ｄ＝２ｃｍ）をかぶせた。
５３℃（Ｔ＜Ｔｇ）でのマスクを通過したＫｒ+イオン
レーザーの円偏光した光の照射（４８２ｎｍ、２００ｍ
Ｗ／ｃｍ2）により試料は露光した領域でホメオトロピ
ックに配向され、同時に電界の印加（５Ｖ／μｍ）によ
り分極した。引き続き光および電界を遮断した。
【００６６】分極の検査のためにＮｄ／ＹＡＧレーザー
（１０６４ｎｍ）を使用して周波数倍加した光を発生さ
せ、かつＭａｋｅｒ干渉法を使用して周波数倍加した光
の角度に依存した強度を検出した。測定により露光した
領域で１．２（任意単位）のＳＨＧ信号が得られたが、
一方、マスクをかぶせた、従って電界のみにさらした領
域ではＳＨＧ信号を測定することができなかった。
（１０６４ｎｍ）を使用して周波数倍加した光を発生さ
せ、かつＭａｋｅｒ干渉法を使用して周波数倍加した光
の角度に依存した強度を検出した。測定により露光した
領域で１．２（任意単位）のＳＨＧ信号が得られたが、
一方、マスクをかぶせた、従って電界のみにさらした領
域ではＳＨＧ信号を測定することができなかった。
【図１】実施例に記載された再配向法のための角度に依
存したＳＨＧ信号を示した図である。
存したＳＨＧ信号を示した図である。
【図２】例８の試料のＳＨＧ強度の時間的経過を示した
図である。
図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０２Ｆ 1/13 ５０５ 9119−2Ｋ (72)発明者 アンドレアス ペトリ ドイツ連邦共和国 ミュンヘン タールキ ルヒナー シュトラーセ 74 (72)発明者 ハンス アネザー ドイツ連邦共和国 ミュンヘン ノイロイ ターシュトラーセ ２ (72)発明者 フランツ ファイナー ドイツ連邦共和国 ミュンヘン ヴェディ ゲンシュトラーセ 10 (72)発明者 ペーター ボルト ドイツ連邦共和国 ブラウンシュヴァイク ツェッペリンシュトラーセ ３ (72)発明者 ハンス−ペーター ヴァイツェル ドイツ連邦共和国 ロイシャッハ ゾンネ ンシュトラーセ ８
Claims (8)
- 【請求項１】 良好な非線形の光学的特性を有する物質
の製造方法において、液晶のマトリックスを有する物質
をそのガラス温度より低い温度で、同時に電界および偏
光しないおよび／または円偏光した光にさらすことを特
徴とする良好な非線形の光学的特性を有する物質の製造
方法。 - 【請求項２】 液晶のマトリックスを有する物質として
環状ポリシロキサンを使用する請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 液晶のマトリックスを有する物質として
コレステリック特性を有する環状ポリシロキサンを使用
する請求項２記載の方法。 - 【請求項４】 非線形の光学的基として４−アミノ−
４′−ニトロアゾベンゼンまたは４−アミノ−４′−シ
アノアゾベンゼンを有する環状ポリシロキサンを、液晶
のマトリックスを有する物質として使用する請求項１か
ら３までのいずれか１項記載の方法。 - 【請求項５】 １０〜１０００ｍＷ／ｃｍ2の強度を有
する照射を実施する請求項１から４までのいずれか１項
記載の方法。 - 【請求項６】 １〜１００Ｖ／μｍの強度の電界を印加
する請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。 - 【請求項７】 液晶のマトリックスを有する物質を含有
し、良好な非線形の光学的特性を有する構造化された試
料の製造方法において、この試料を液晶のマトリックス
を有する物質のガラス温度より低い温度で、同時に電界
および偏光しないおよび／または円偏光した光による構
造化された照射にさらすことを特徴とする良好な非線形
の光学的特性を有する構造化された試料の製造方法。 - 【請求項８】 光学的開閉素子または構造化された導波
体を製造するための請求項７記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4307769A DE4307769A1 (de) | 1993-03-11 | 1993-03-11 | Verfahren zur Herstellung von Materialien mit guten nichtlinearen optischen Eigenschaften |
| DE4307769.2 | 1993-03-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06301076A true JPH06301076A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=6482550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6035934A Pending JPH06301076A (ja) | 1993-03-11 | 1994-03-07 | 良好な非線形の光学的特性を有する物質および構造化された試料の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0615152B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06301076A (ja) |
| DE (2) | DE4307769A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4438418A1 (de) * | 1994-10-27 | 1996-05-02 | Consortium Elektrochem Ind | Vernetzbare nematische Polyorganosiloxane |
| DE19544091C1 (de) * | 1995-11-27 | 1997-04-03 | Daimler Benz Ag | Flüssigkristalline, photovernetzbare Cellulosemischether als interferentiell wirksame, farbgebende Substanz für farbige Lacke, in denen die Hauptgruppen-Mesogene zumindest näherungsweise chiral-nematisch geordnet sind, Verfahren zu ihrer Herstellung, sie enthaltende Interferenzpigmente, Verfahren zur Herstellung plättchenförmiger Interferenzpigmente , diese Interferenzpigmente enthaltende Effektlacke und die Verwendung dieser Effektlacke beim Lackieren von Gebrauchsgegenständen |
| DE19624769A1 (de) | 1996-06-21 | 1998-01-02 | Deutsche Telekom Ag | Elektrooptisches Material |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02238087A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-09-20 | Hoechst Celanese Corp | 非線形光学応答を示す側鎖型液晶ポリマー |
| JPH04284421A (ja) * | 1991-03-13 | 1992-10-09 | Agency Of Ind Science & Technol | 斜め光による液晶配向法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4868250A (en) * | 1986-01-24 | 1989-09-19 | Hoechst Celanese Corp. | Polysiloxane polymers exhibiting nonlinear optical response |
| DE3926872A1 (de) * | 1989-08-16 | 1991-02-21 | Merck Patent Gmbh | Photovernetzte polymere fuer die nichtlineare optik |
| DE3940148A1 (de) * | 1989-12-05 | 1991-06-06 | Consortium Elektrochem Ind | Cyclische organosiloxane mit nichtlinearen optischen eigenschaften |
| US5138010A (en) * | 1990-06-25 | 1992-08-11 | University Of Colorado Foundation, Inc. | Fast switching polysiloxane ferroelectric liquid crystals |
| FR2690446A1 (fr) * | 1992-04-22 | 1993-10-29 | Thomson Csf | Matériaux photoréticulables, utilisables comme sources laser vertes ou bleues et doubleur de fréquence comprenant ces matériaux photoréticulables. |
-
1993
- 1993-03-11 DE DE4307769A patent/DE4307769A1/de not_active Withdrawn
-
1994
- 1994-03-07 JP JP6035934A patent/JPH06301076A/ja active Pending
- 1994-03-10 DE DE59400041T patent/DE59400041D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1994-03-10 EP EP94103681A patent/EP0615152B1/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02238087A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-09-20 | Hoechst Celanese Corp | 非線形光学応答を示す側鎖型液晶ポリマー |
| JPH04284421A (ja) * | 1991-03-13 | 1992-10-09 | Agency Of Ind Science & Technol | 斜め光による液晶配向法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4307769A1 (de) | 1994-09-15 |
| EP0615152A1 (de) | 1994-09-14 |
| EP0615152B1 (de) | 1995-11-15 |
| DE59400041D1 (de) | 1995-12-21 |
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