JPH06301067A - エレクトロディスプレーシブアクチュエータアレーの製法 - Google Patents
エレクトロディスプレーシブアクチュエータアレーの製法Info
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- JPH06301067A JPH06301067A JP6052308A JP5230894A JPH06301067A JP H06301067 A JPH06301067 A JP H06301067A JP 6052308 A JP6052308 A JP 6052308A JP 5230894 A JP5230894 A JP 5230894A JP H06301067 A JPH06301067 A JP H06301067A
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- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
- G02B26/0858—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting means being moved or deformed by piezoelectric means
Abstract
(57)【要約】
【目的】 多数のエレクトロディスプレーシブ物質層を
用いずに、製造工程が簡単で容易になるエレクトロディ
スプレーシブアクチュエータアレーの製法を提供する。 【構成】 (a) 平坦面を有する第１セラミックウェーハ
を調製する工程、(b) 第１セラミックウェーハの上に、
縦方向溝を形成する工程、(c) 工程(b) で形成された平
坦面の上に第１導電性金属層を堆積する工程、(d) セラ
ミック本体上に横方向溝を形成する工程、(e) 平坦面を
有する第２セラミックウェーハを調製する工程、(f) 第
２セラミックウェーハを加工する工程、(g) 前記第１お
よび第２セラミックウェーハを付着する工程、(h) セラ
ミックブロックの上面および下面を除去する工程、(i)
工程(h) でえた平坦面中の一つに縦方向溝を形成する工
程、(j) 前記一連の溝各々の側面および下面上に第２導
電性金属層を堆積する工程とからなる。
用いずに、製造工程が簡単で容易になるエレクトロディ
スプレーシブアクチュエータアレーの製法を提供する。 【構成】 (a) 平坦面を有する第１セラミックウェーハ
を調製する工程、(b) 第１セラミックウェーハの上に、
縦方向溝を形成する工程、(c) 工程(b) で形成された平
坦面の上に第１導電性金属層を堆積する工程、(d) セラ
ミック本体上に横方向溝を形成する工程、(e) 平坦面を
有する第２セラミックウェーハを調製する工程、(f) 第
２セラミックウェーハを加工する工程、(g) 前記第１お
よび第２セラミックウェーハを付着する工程、(h) セラ
ミックブロックの上面および下面を除去する工程、(i)
工程(h) でえた平坦面中の一つに縦方向溝を形成する工
程、(j) 前記一連の溝各々の側面および下面上に第２導
電性金属層を堆積する工程とからなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光投射型ビデオシステム
に関し、とくに、この装置に用いるためのエレクトロデ
ィスプレーシブアクチュエータアレーの改善された製法
に関する。
に関し、とくに、この装置に用いるためのエレクトロデ
ィスプレーシブアクチュエータアレーの改善された製法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】当該技術分野で知られている多様なビデ
オディスプレーシステムのうち、光投射システムは高品
質の大画面ディスプレーを提供しうるシステムというこ
とが知られている。かかる光投射システムにおいて、ラ
ンプからの光は、たとえば、Ｍ×Ｎ個のミラーから構成
されたアレーを照明する。このＭ×Ｎ個のミラーアレー
と同じ数、すなわち、Ｍ×Ｎ個ののアクチュエータを含
むアクチュエータアレー上に、各々のミラーが各々のア
クチュエータに結合されるように設けられる。これらア
クチュエータは印加された電気信号にしたがって変形さ
れる圧電物質またはエレクトロストリクチブ(electrost
rictive)物質のようなエレクトロディスプレーシブ（el
ectrodisplacive ）物質からなっている。
オディスプレーシステムのうち、光投射システムは高品
質の大画面ディスプレーを提供しうるシステムというこ
とが知られている。かかる光投射システムにおいて、ラ
ンプからの光は、たとえば、Ｍ×Ｎ個のミラーから構成
されたアレーを照明する。このＭ×Ｎ個のミラーアレー
と同じ数、すなわち、Ｍ×Ｎ個ののアクチュエータを含
むアクチュエータアレー上に、各々のミラーが各々のア
クチュエータに結合されるように設けられる。これらア
クチュエータは印加された電気信号にしたがって変形さ
れる圧電物質またはエレクトロストリクチブ(electrost
rictive)物質のようなエレクトロディスプレーシブ（el
ectrodisplacive ）物質からなっている。
【０００３】各々のミラーから反射された光は、バフル
(baffle)の開口(aperture)に入射される。各々のアクチ
ュエータに電気信号を印加することによって、各々のミ
ラーの入射光速に対する相対的な位置が変化されて各々
のミラーから反射された光の光経路が変更される。各々
の反射された光の光経路が変わって開口を通過する各々
のミラーから反射された光量が変わることにより光速の
強さが変調される。開口を通過した変調された光は、投
射レンズ(projection lens) のような光装置を通じて投
射スクリーン上へ伝達されて映像を表すことになる。
(baffle)の開口(aperture)に入射される。各々のアクチ
ュエータに電気信号を印加することによって、各々のミ
ラーの入射光速に対する相対的な位置が変化されて各々
のミラーから反射された光の光経路が変更される。各々
の反射された光の光経路が変わって開口を通過する各々
のミラーから反射された光量が変わることにより光速の
強さが変調される。開口を通過した変調された光は、投
射レンズ(projection lens) のような光装置を通じて投
射スクリーン上へ伝達されて映像を表すことになる。
【０００４】前述した光投射システム用アクチュエータ
の各々は通常、電界の印加により変形されるように構成
された多層のエレクトロディスプレーシブ物質からな
る。
の各々は通常、電界の印加により変形されるように構成
された多層のエレクトロディスプレーシブ物質からな
る。
【０００５】このようなアクチュエータに用いられた多
層構造は、通常、(1) スラリー(slurry)をテープキャス
チング(tape casting)することにより特定厚さを有する
エレクトロディスプレーシブ物質層を設け、(2) 完成さ
れたアクチュエータに予め設定された大きさの電極パタ
ーンが形成されるように各層の一側を導電性物質でコー
ティングし、(3) 前記一側がコーティングされたエレク
トロディスプレーシブ物質層を積層してブロック化し、
(4) ある雰囲気中で、前記ブロックを焼結(sintering)
し、(5) 前記焼結されたブロックをダイシング(dicing)
して多層構造を形成することによって製造される。
層構造は、通常、(1) スラリー(slurry)をテープキャス
チング(tape casting)することにより特定厚さを有する
エレクトロディスプレーシブ物質層を設け、(2) 完成さ
れたアクチュエータに予め設定された大きさの電極パタ
ーンが形成されるように各層の一側を導電性物質でコー
ティングし、(3) 前記一側がコーティングされたエレク
トロディスプレーシブ物質層を積層してブロック化し、
(4) ある雰囲気中で、前記ブロックを焼結(sintering)
し、(5) 前記焼結されたブロックをダイシング(dicing)
して多層構造を形成することによって製造される。
【０００６】そののち、交番層(alternating layers)の
電極パターンを、外部と接続してエレクトロディスプレ
ーシブ物質層のあいだに電界を発生せしめる。
電極パターンを、外部と接続してエレクトロディスプレ
ーシブ物質層のあいだに電界を発生せしめる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述した従来
の製法には、数多くの問題点がある。第一に、複雑な製
造工程は度々所定の機械的な変形特性を表さない一つま
たは２以上の欠陥層を生じさせる。また、電極パターン
に連続する欠陥があればアクチュエータに損傷を与え
て、製造および品質検査試験において材料および労働時
間が多く消費される。
の製法には、数多くの問題点がある。第一に、複雑な製
造工程は度々所定の機械的な変形特性を表さない一つま
たは２以上の欠陥層を生じさせる。また、電極パターン
に連続する欠陥があればアクチュエータに損傷を与え
て、製造および品質検査試験において材料および労働時
間が多く消費される。
【０００８】従来の製法に存在する他の問題点は、電極
パターンが非常に高い温度、たとえば、1250℃以上に耐
えるように白金(Pt)またはパラジウム(Pd)のような高融
点を有する高価な電極物質を必要とすることである。
パターンが非常に高い温度、たとえば、1250℃以上に耐
えるように白金(Pt)またはパラジウム(Pd)のような高融
点を有する高価な電極物質を必要とすることである。
【０００９】したがって、本発明の主目的は多数のエレ
クトロディスプレーシブ物質層を用いずに製造工程が簡
単で容易になるエレクトロディスプレーシブアクチュエ
ータアレーの製法を提供することである。
クトロディスプレーシブ物質層を用いずに製造工程が簡
単で容易になるエレクトロディスプレーシブアクチュエ
ータアレーの製法を提供することである。
【００１０】本発明の他の目的は、高融点を有する高価
な物質を用いないエレクトロディスプレーシブアクチュ
エータアレーの製法を提供することである。
な物質を用いないエレクトロディスプレーシブアクチュ
エータアレーの製法を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の一特徴によれば、光投射システム用エレク
トロディスプレーシブアクチュエータアレーの製法であ
って、(a) エレクトロディスプレーシブ物質からなり、
平坦面を有する第１セラミックウェーハ(ceramic wafe
r) を調製する工程と、(b) 前記第１セラミックウェー
ハの全平坦面の上に、一定に離間された縦方向溝を形成
する工程と、(c) セラミック本体を形成するために、前
記縦方向溝の各々の側面および底面を含む前記工程(b)
で形成された前記平坦面の全面上に第１導電性金属層を
堆積する工程と、(d) 前記セラミック本体上に多数の一
定に離間された横方向溝を形成する工程と、(e) 前記エ
レクトロディスプレーシブ物質からなり、平坦面を有す
る第２セラミックウェーハを調製する工程と、(f) 前記
工程(b) 、(c) および(d) にしたがって前記第２セラミ
ックウェーハを加工する工程と、(g) 上面および底面を
有するセラミックブロックを形成するために、前記工程
(b) 、(c) および(d) によって処理された前記第１およ
び第２セラミックウェーハを接着剤を用いて付着する工
程と、(h) 複合構造体を形成するために、前記工程(b)
で設けられた前記縦方向溝の側面上に堆積された前記第
１導電性金属層が露出されるまで一対の平坦面をうるよ
うに前記セラミックブロックの前記上面および底面を除
去する工程と、(i) 前記工程(h) でえた前記平坦面中の
一つに一連の一定に離間された縦方向溝を形成する工程
と、(j) 前記エレクトロディスプレーシブアクチュエー
タアレーを調製するために、前記一連の溝各々の側面お
よび底面上に第２導電性金属層を堆積する工程とを含
み、前記縦方向溝の各々は一対の側面および一つの下面
を有し、互いに平行に延長し、前記横方向溝の各々は、
一対の側面および一つの下面を有し、前記種々の縦方向
溝に垂直である方向へ互いに平行に延長し、前記エレク
トロディスプレーシブ物質は、前記第１導電性金属層に
より縦方向に分離されまた接着剤により横方向に分離さ
れ、前記工程(i) の一対の側面および一つの底面を有
し、互いに平行に延長し、前記第１導電性金属層の二つ
の隣接する層から等距離に位置するエレクトロディスプ
レーシブアクチュエータアレーの製法が提供される。
に、本発明の一特徴によれば、光投射システム用エレク
トロディスプレーシブアクチュエータアレーの製法であ
って、(a) エレクトロディスプレーシブ物質からなり、
平坦面を有する第１セラミックウェーハ(ceramic wafe
r) を調製する工程と、(b) 前記第１セラミックウェー
ハの全平坦面の上に、一定に離間された縦方向溝を形成
する工程と、(c) セラミック本体を形成するために、前
記縦方向溝の各々の側面および底面を含む前記工程(b)
で形成された前記平坦面の全面上に第１導電性金属層を
堆積する工程と、(d) 前記セラミック本体上に多数の一
定に離間された横方向溝を形成する工程と、(e) 前記エ
レクトロディスプレーシブ物質からなり、平坦面を有す
る第２セラミックウェーハを調製する工程と、(f) 前記
工程(b) 、(c) および(d) にしたがって前記第２セラミ
ックウェーハを加工する工程と、(g) 上面および底面を
有するセラミックブロックを形成するために、前記工程
(b) 、(c) および(d) によって処理された前記第１およ
び第２セラミックウェーハを接着剤を用いて付着する工
程と、(h) 複合構造体を形成するために、前記工程(b)
で設けられた前記縦方向溝の側面上に堆積された前記第
１導電性金属層が露出されるまで一対の平坦面をうるよ
うに前記セラミックブロックの前記上面および底面を除
去する工程と、(i) 前記工程(h) でえた前記平坦面中の
一つに一連の一定に離間された縦方向溝を形成する工程
と、(j) 前記エレクトロディスプレーシブアクチュエー
タアレーを調製するために、前記一連の溝各々の側面お
よび底面上に第２導電性金属層を堆積する工程とを含
み、前記縦方向溝の各々は一対の側面および一つの下面
を有し、互いに平行に延長し、前記横方向溝の各々は、
一対の側面および一つの下面を有し、前記種々の縦方向
溝に垂直である方向へ互いに平行に延長し、前記エレク
トロディスプレーシブ物質は、前記第１導電性金属層に
より縦方向に分離されまた接着剤により横方向に分離さ
れ、前記工程(i) の一対の側面および一つの底面を有
し、互いに平行に延長し、前記第１導電性金属層の二つ
の隣接する層から等距離に位置するエレクトロディスプ
レーシブアクチュエータアレーの製法が提供される。
【００１２】
【実施例】電極物質がアルミニウムまたは銀からなるエ
レクトロディスプレーシブアクチュエータアレーの製法
が提供される。
レクトロディスプレーシブアクチュエータアレーの製法
が提供される。
【００１３】本発明によれば、新規なエレクトロディス
プレーシブアクチュエータアレーの製造工程は、エレク
トロディスプレーシブ物質、たとえば、鉛マグネシウム
ニオベート(lead magnesium niobate)から製造され、
平坦面２１を有する第１セラミックウェーハ２０の調製
から始まる。
プレーシブアクチュエータアレーの製造工程は、エレク
トロディスプレーシブ物質、たとえば、鉛マグネシウム
ニオベート(lead magnesium niobate)から製造され、
平坦面２１を有する第１セラミックウェーハ２０の調製
から始まる。
【００１４】第１セラミックウェーハ２０は、たとえ
ば、焼結されたセラミック本体をスライスすることによ
って容易に調製しうる。圧電アクチュエータアレーのば
あい、図１に示されるように、分極方向がｘ軸と平行に
ならなければならないし、さらに他の制約がある。
ば、焼結されたセラミック本体をスライスすることによ
って容易に調製しうる。圧電アクチュエータアレーのば
あい、図１に示されるように、分極方向がｘ軸と平行に
ならなければならないし、さらに他の制約がある。
【００１５】図１〜１１に定義された３本の軸、すなわ
ち、ｘ軸、ｙ軸およびｚ軸は３本の互いに垂直である軸
である。
ち、ｘ軸、ｙ軸およびｚ軸は３本の互いに垂直である軸
である。
【００１６】そののち、図２および図３に示されるよう
に、全体平坦面21上に一定に離間され、同じ大きさを有
するｙ軸方向の多数の溝40ｎを形成する。この溝はほぼ
直角なエッジを有し、また相互に、かつ、ｙ軸方向に平
行に延長し、各々2 個の側面２２、２３および一つの底
面２４を有する。図２および図３は、各々前述した工程
を完了したのちのセラミックウェーハ２０の斜視図およ
び断面図である。
に、全体平坦面21上に一定に離間され、同じ大きさを有
するｙ軸方向の多数の溝40ｎを形成する。この溝はほぼ
直角なエッジを有し、また相互に、かつ、ｙ軸方向に平
行に延長し、各々2 個の側面２２、２３および一つの底
面２４を有する。図２および図３は、各々前述した工程
を完了したのちのセラミックウェーハ２０の斜視図およ
び断面図である。
【００１７】そののち、スパッタリングまたは熱蒸着法
のような従来法を用いてさきの工程で処理された溝４０
ｎの側面２２、２３および底面２４を含む全面上に、Ａ
ｌまたはＡｇからなる第１導電性金属層２５を、形成す
ることにより、図４に示されるように第１セラミック本
体２６は第１導電性金属層２５で被覆される。
のような従来法を用いてさきの工程で処理された溝４０
ｎの側面２２、２３および底面２４を含む全面上に、Ａ
ｌまたはＡｇからなる第１導電性金属層２５を、形成す
ることにより、図４に示されるように第１セラミック本
体２６は第１導電性金属層２５で被覆される。
【００１８】そののち、セラミック本体２６上に堆積さ
れた第１導電性金属層２５をＸ軸と平行な方向へ分離す
るために、ほぼ直角のエッジを有し多数のｙ方向溝４０
ｎと垂直方向へ互いに平行に延長する多数の一定に離間
された同じ大きさのＸ方向溝５０ｎを第１セラミック本
体２６上に形成することによって、第１セラミック構造
２８は一定に離間され、交差されたｙ方向およびｘ方向
溝４０ｎ、５０ｎを有することになる。ここで、溝５０
ｎの深さは図５に示されるように、溝４０ｎの深さより
大きいか同じである。
れた第１導電性金属層２５をＸ軸と平行な方向へ分離す
るために、ほぼ直角のエッジを有し多数のｙ方向溝４０
ｎと垂直方向へ互いに平行に延長する多数の一定に離間
された同じ大きさのＸ方向溝５０ｎを第１セラミック本
体２６上に形成することによって、第１セラミック構造
２８は一定に離間され、交差されたｙ方向およびｘ方向
溝４０ｎ、５０ｎを有することになる。ここで、溝５０
ｎの深さは図５に示されるように、溝４０ｎの深さより
大きいか同じである。
【００１９】そののち、第１セラミックウェーハ２０と
同じエレクトロディスプレーシブ物質からなり、平坦面
を有する第２セラミックウェーハ２９を、第２セラミッ
ク構造３１が第１セラミック構造２８と同じ形態の上面
を有するように形成されてそれに合うように、前述した
手続きを用いて処理する。
同じエレクトロディスプレーシブ物質からなり、平坦面
を有する第２セラミックウェーハ２９を、第２セラミッ
ク構造３１が第１セラミック構造２８と同じ形態の上面
を有するように形成されてそれに合うように、前述した
手続きを用いて処理する。
【００２０】図６に示されるように、非導電性接着剤３
３を用いて二つのセラミック構造２８、３１をインター
ロックして接着することにより、上面および底面３４、
３５を有するセラミックブロック３２を形成する。
３を用いて二つのセラミック構造２８、３１をインター
ロックして接着することにより、上面および底面３４、
３５を有するセラミックブロック３２を形成する。
【００２１】そののち、ｙ方向溝４０ｎの側面２２、２
３上に堆積された第１導電性金属層２２が露出するまで
このセラミックブロック３２の上面および底面３４、３
５を、除去することによって、図７に示されるように上
面および底面３７、３８を有する複合構造体３６を形成
する。ここで、エレクトロディスプレーシブ物質はｙ方
向へは第１導電性金属層２５により、またｘ方向へは非
導電性接着剤により対称的に分離される。
３上に堆積された第１導電性金属層２２が露出するまで
このセラミックブロック３２の上面および底面３４、３
５を、除去することによって、図７に示されるように上
面および底面３７、３８を有する複合構造体３６を形成
する。ここで、エレクトロディスプレーシブ物質はｙ方
向へは第１導電性金属層２５により、またｘ方向へは非
導電性接着剤により対称的に分離される。
【００２２】そののち、図８および図９に示されるよう
に、複合構造体３６の上面３７の全面上に、同じ大きさ
でｙ軸に平行に延長し一定に離間された多数の溝６０ｎ
を形成することにより複合体４３を形成する。さらに、
各々の溝は第１導電性金属層２５の二つの隣接層から同
じ距離に位置し、二つの側面３９、４１および一つの底
面４２を有し、上面４８を有するバリヤ４４によって分
離される。図８は、複合体４３の斜視図であり、図９は
その断面図である。
に、複合構造体３６の上面３７の全面上に、同じ大きさ
でｙ軸に平行に延長し一定に離間された多数の溝６０ｎ
を形成することにより複合体４３を形成する。さらに、
各々の溝は第１導電性金属層２５の二つの隣接層から同
じ距離に位置し、二つの側面３９、４１および一つの底
面４２を有し、上面４８を有するバリヤ４４によって分
離される。図８は、複合体４３の斜視図であり、図９は
その断面図である。
【００２３】各バリヤ４４の上面４８および各溝６０ｎ
の側面３９、４１および底面４２を含む複合体４３の全
体上面上に、第２金属層を堆積したのち、上面４８上の
第２金属層を除去して、溝６０ｎの各々の側面３９、４
１および底面４２上に、銀(Ag)またはアルミニウム（Ａ
ｌ）からなる第２導電性金属層４５を形成することによ
り、図１０および図１１に示したようなエレクトロディ
スプレーシブアクチュエータアレー４９を形成する。
の側面３９、４１および底面４２を含む複合体４３の全
体上面上に、第２金属層を堆積したのち、上面４８上の
第２金属層を除去して、溝６０ｎの各々の側面３９、４
１および底面４２上に、銀(Ag)またはアルミニウム（Ａ
ｌ）からなる第２導電性金属層４５を形成することによ
り、図１０および図１１に示したようなエレクトロディ
スプレーシブアクチュエータアレー４９を形成する。
【００２４】図１０および図１１は、各々アレー４９の
斜視図および断面図である。
斜視図および断面図である。
【００２５】そののち、第１および第２導電性金属層２
５、４５が各々信号電極および基準電極として可能であ
るようにエレクトロディスプレーシブアクチュエータア
レー４９を基板上に搭載したのち、第１導電性金属層２
５をドライバーに接続し、第２導電性金属層４５を共通
接地電位( 図示せず) に接続する。
５、４５が各々信号電極および基準電極として可能であ
るようにエレクトロディスプレーシブアクチュエータア
レー４９を基板上に搭載したのち、第１導電性金属層２
５をドライバーに接続し、第２導電性金属層４５を共通
接地電位( 図示せず) に接続する。
【００２６】第１導電性金属層２５と第２導電性金属層
４５とのあいだに電圧を印加するばあい、第１および第
２導電性金属層２５、４５のあいだに位置するエレクト
ロディスプレーシブ物質は電圧の極性により決定された
方向に変形される。
４５とのあいだに電圧を印加するばあい、第１および第
２導電性金属層２５、４５のあいだに位置するエレクト
ロディスプレーシブ物質は電圧の極性により決定された
方向に変形される。
【００２７】光投射システムで図１０および図１１に示
したアレー４９をアクチュエーチドミラーアレーとして
用いるためには、前記ミラーを共に付着しなければなら
ない。
したアレー４９をアクチュエーチドミラーアレーとして
用いるためには、前記ミラーを共に付着しなければなら
ない。
【００２８】ミラーの付着方法は、本出願と同日出願に
かかわる特願平６−５２２１３号（発明の名称「ミラー
アレーおよびその製法」）明細書に開示されており、本
発明の参照として引用される。
かかわる特願平６−５２２１３号（発明の名称「ミラー
アレーおよびその製法」）明細書に開示されており、本
発明の参照として引用される。
【００２９】
【発明の効果】前述したように、本発明によれば多数の
エレクトロディスプレーシブ物質層を用いなくて製造工
程が簡単で容易になるエレクトロディスプレーシブアク
チュエータアレーを製造しうる。
エレクトロディスプレーシブ物質層を用いなくて製造工
程が簡単で容易になるエレクトロディスプレーシブアク
チュエータアレーを製造しうる。
【図１】本発明のエレクトロディスプレーシブアクチュ
エータアレーの製造工程を示す図である。
エータアレーの製造工程を示す図である。
【図２】本発明のエレクトロディスプレーシブアクチュ
エータアレーの製造工程を示す図である。
エータアレーの製造工程を示す図である。
【図３】本発明のエレクトロディスプレーシブアクチュ
エータアレーの製造工程を示す図である。
エータアレーの製造工程を示す図である。
【図４】本発明のエレクトロディスプレーシブアクチュ
エータアレーの製造工程を示す図である。
エータアレーの製造工程を示す図である。
【図５】本発明のエレクトロディスプレーシブアクチュ
エータアレーの製造工程を示す図である。
エータアレーの製造工程を示す図である。
【図６】本発明のエレクトロディスプレーシブアクチュ
エータアレーの製造工程を示す図である。
エータアレーの製造工程を示す図である。
【図７】本発明のエレクトロディスプレーシブアクチュ
エータアレーの製造工程を示す図である。
エータアレーの製造工程を示す図である。
【図８】本発明のエレクトロディスプレーシブアクチュ
エータアレーの製造工程を示す図である。
エータアレーの製造工程を示す図である。
【図９】本発明のエレクトロディスプレーシブアクチュ
エータアレーの製造工程を示す図である。
エータアレーの製造工程を示す図である。
【図１０】本発明のエレクトロディスプレーシブアクチ
ュエータアレーの製造工程を示す図である。
ュエータアレーの製造工程を示す図である。
【図１１】本発明のエレクトロディスプレーシブアクチ
ュエータアレーの製造工程を示す図である。
ュエータアレーの製造工程を示す図である。
２０ 第１セラミックウェーハ ２１ 平坦面 ２２、２３ 側面 ２４ 底面 ２５ 第１導電性金属層 ２６ 第１セラミック本体 ２９ 第２セラミックウェーハ ４０ｎ、５０ｎ 溝 ４５ 第２導電性金属層
Claims (7)
- 【請求項１】 光投射システム用エレクトロディスプレ
ーシブアクチュエータアレーの製法であって、(a) エレ
クトロディスプレーシブ物質からなり、平坦面を有する
第１セラミックウェーハを調製する工程と、(b) 前記第
１セラミックウェーハの全平坦面の上に、一定に離間さ
れた縦方向溝を形成する工程と、(c) セラミック本体を
形成するために、前記縦方向溝の各々の側面および底面
を含む前記工程(b) で形成された前記平坦面の全面上に
第１導電性金属層を堆積する工程と、(d) 前記セラミッ
ク本体上に多数の一定に離間された横方向溝を形成する
工程と、(e) 前記エレクトロディスプレーシブ物質から
なり、平坦面を有する第２セラミックウェーハを調製す
る工程と、(f) 前記工程(b) 、(c) および(d) にしたが
って前記第２セラミックウェーハを加工する工程と、
(g) 上面および底面を有するセラミックブロックを形成
するために、前記工程(b) 、(c) および(d) によって処
理された前記第１および第２セラミックウェーハを接着
剤を用いて付着する工程と、(h) 複合構造体を形成する
ために、前記工程(b) で設けられた前記縦方向溝の側面
上に堆積された前記第１導電性金属層が露出するまで一
対の平坦面をうるように前記セラミックブロックの前記
上面および底面を除去する工程と、(i) 前記工程(h) で
えた前記平坦面中の一つに一連の一定に離間された縦方
向溝を形成する工程と、(j) 前記エレクトロディスプレ
ーシブアクチュエータアレーを調製するために、前記一
連の溝の各々の側面および底面上に第２導電性金属層を
堆積する工程とを含み、 前記縦方向溝の各々は一対の側面および一つの底面を有
し、互いに平行に延長し、 前記横方向溝の各々は、一対の側面および一つの底面を
有し、前記種々の縦方向溝に垂直である方向へ互いに平
行に延長し、 前記エレクトロディスプレーシブ物質は、前記第１導電
性金属層により縦方向に分離され、かつ、接着剤により
横方向に分離され、 前記工程(i) の一対の側面および一つの下面を有し、互
いに平行に延長し、前記第１導電性金属層の二つの隣接
する層から等距離に位置するエレクトロディスプレーシ
ブアクチュエータアレーの製法。 - 【請求項２】 前記工程(c) における第１導電性金属層
は、アルミニウムまたは銀からなる請求項１記載のエレ
クトロディスプレーシブアクチュエータアレーの製法 - 【請求項３】 前記第１導電性金属層は、スパッタリン
グ方法または熱蒸着方法を用いてえられる請求項２記載
のエレクトロディスプレーシブアクチュエータアレーの
製法。 - 【請求項４】 前記工程(d) の多数の横方向溝は、前記
工程(b) の多数の縦方向溝より大きいか同じ深さを有す
る請求項１記載のエレクトロディスプレーシブアクチュ
エータアレーの製法。 - 【請求項５】 前記工程(g) の接着剤は、非導電性物質
である請求項１記載のエレクトロディスプレーシブアク
チュエータアレーの製法。 - 【請求項６】 前記工程(j) の第２導電性金属層は、ア
ルミニウムまたは銀からなる請求項１記載のエレクトロ
ディスプレーシブアクチュエーターアレーの製法。 - 【請求項７】 前記第２導電性金属層は、スパッタリン
グ方法または熱蒸着方法を用いてえられる請求項６記載
のエレクトロディスプレーシブアクチュエータアレーの
製造方法。ム。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR93-4518 | 1993-03-23 | ||
| KR1019930004518A KR960005190B1 (ko) | 1993-03-23 | 1993-03-23 | 투사형 화상 표시장치의 액츄에이터 어레이의 제조방법 |
| KR93-17047 | 1993-08-30 | ||
| KR93017047A KR960016774B1 (en) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | Method of manufacturing the ceramic wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06301067A true JPH06301067A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=26629580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6052308A Pending JPH06301067A (ja) | 1993-03-23 | 1994-03-23 | エレクトロディスプレーシブアクチュエータアレーの製法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5606451A (ja) |
| JP (1) | JPH06301067A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8966993B2 (en) * | 2012-12-19 | 2015-03-03 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Three dimensional piezoelectric MEMS |
| US11650422B2 (en) | 2017-10-23 | 2023-05-16 | Vuzix Corporation | Active correction of aberrations in optical systems |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US3796480A (en) * | 1968-12-26 | 1974-03-12 | Perkin Elmer Corp | Membrane light modulator |
| US3904274A (en) * | 1973-08-27 | 1975-09-09 | Itek Corp | Monolithic piezoelectric wavefront phase modulator |
| FR2360953A1 (fr) * | 1976-04-26 | 1978-03-03 | Izon Corp | Dispositif amplificateur de lumiere |
| US4418346A (en) * | 1981-05-20 | 1983-11-29 | Batchelder J Samuel | Method and apparatus for providing a dielectrophoretic display of visual information |
| JPS60185918A (ja) * | 1984-03-05 | 1985-09-21 | Canon Inc | 光変調方法 |
-
1994
- 1994-03-23 US US08/216,756 patent/US5606451A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-03-23 JP JP6052308A patent/JPH06301067A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5606451A (en) | 1997-02-25 |
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