JPH06301051A - Spatial optical modulation element - Google Patents

Spatial optical modulation element

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JPH06301051A
JPH06301051A JP8851993A JP8851993A JPH06301051A JP H06301051 A JPH06301051 A JP H06301051A JP 8851993 A JP8851993 A JP 8851993A JP 8851993 A JP8851993 A JP 8851993A JP H06301051 A JPH06301051 A JP H06301051A
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JP
Japan
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layer
metal
light
film
shielding film
Prior art date
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Pending
Application number
JP8851993A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Junko Asayama
純子 朝山
Akio Takimoto
昭雄 滝本
Yukio Tanaka
幸生 田中
Koji Akiyama
浩二 秋山
Yasunori Kuratomi
靖規 藏富
Kuni Ogawa
久仁 小川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP8851993A priority Critical patent/JPH06301051A/en
Publication of JPH06301051A publication Critical patent/JPH06301051A/en
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Abstract

PURPOSE:To provide a space optical modulating element capable of decreasing the variations in contrast by improving the contras in the pixel display part of a photoconductive later which is a light receiving later and uniformalizing the layer thickness of a liquid crystal layer which is an optical modulating layer. CONSTITUTION:The film thickness of the photoconductive layer 5 in peripheral parts 7 of display pixels is set at the same thickness as the film thickness of the photoconductive layer 5 in a pixel display part 6. Metallic reflection films 8 having a laminated structure of chromium and aluminum are formed on the photoconductive layer 5 in the pixel display part 6 and metallic peripheral light shielding films 11 likewise having the laminated structure of the chromium and aluminum are formed on the photoconductive layer 5 in the peripheral parts 7 of the display pixels.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、投写型ディスプレイ、
ホログラフィーテレビジョン又は光演算装置などに用い
られる空間光変調素子に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a projection display,
The present invention relates to a spatial light modulator used in a holographic television or an optical arithmetic device.

【0002】[0002]

【従来技術】大画面、高密度画素からなる高品位テレビ
が様々な方式で開発され実用化されている。中でも、従
来のブラウン管(CRT)方式に代えて液晶技術を使っ
た投写型ディスプレイの開発が盛んである。ブラウン管
方式であると、高密度画素に対して画面の輝度が低下し
暗くなる。また、ブラウン管自身、大型化が困難であ
る。一方、トランジスタ駆動方式の液晶素子による投写
型ディスプレイ装置は有力な方法ではあるが、開口率が
大きくならないこと、素子が高価であること等の問題が
ある。また、CRTを光入力手段とする液晶ライトバル
ブは従来より素子形状が簡単でかつCRTと液晶素子の
利点を組み合わせた装置として注目されている(特開昭
63−109422号公報)。
2. Description of the Related Art High-definition televisions having large screens and high-density pixels have been developed and put into practical use in various systems. Above all, the development of a projection display using liquid crystal technology in place of the conventional cathode ray tube (CRT) system has been actively pursued. With the cathode ray tube method, the brightness of the screen is reduced and the screen becomes dark for high density pixels. Further, it is difficult to increase the size of the cathode ray tube itself. On the other hand, although a projection display apparatus using a liquid crystal element of a transistor drive system is a promising method, it has problems that the aperture ratio does not increase and the element is expensive. Further, a liquid crystal light valve using a CRT as an optical input means has been attracting attention as a device having a simple element shape and combining the advantages of a CRT and a liquid crystal element (Japanese Patent Laid-Open No. 63-109422).

【0003】近年では、高感度なアモルファスシリコン
受光層と液晶とを組み合わせることにより、100イン
チ以上の大画面で動画像を映し出すことが可能となっ
た。また、液晶材料として高速応答可能な強誘電性液晶
を用いることによって、より高速・高解像度の液晶ライ
トバルブを実現することが可能となった。この液晶ライ
トバルブは、強誘電性液晶の持つメモリー性と2値化特
性を使った次世代の並列演算装置、光コンピューティン
グ装置の核としても期待されている。
In recent years, it has become possible to display a moving image on a large screen of 100 inches or more by combining a highly sensitive amorphous silicon light receiving layer and a liquid crystal. Further, by using a ferroelectric liquid crystal capable of high-speed response as a liquid crystal material, it has become possible to realize a liquid crystal light valve with higher speed and higher resolution. This liquid crystal light valve is also expected to be the core of next-generation parallel computing devices and optical computing devices that utilize the memory properties and binary characteristics of ferroelectric liquid crystals.

【0004】ところで、液晶層と光導電層とからなる空
間光変調素子あるいは液晶ライトバルブにおいては、各
画素に相当する微小形状の金属反射膜に照射する読み出
し光が光導電層に到達すると、コントラストを低下させ
る原因となる。このため、液晶層と光導電層とからなる
空間光変調素子あるいは液晶ライトバルブにおいては、
遮光膜を設けることが重要となる。
By the way, in a spatial light modulator or a liquid crystal light valve composed of a liquid crystal layer and a photoconductive layer, when read light irradiating a minute metal reflection film corresponding to each pixel reaches the photoconductive layer, the contrast is increased. Cause to decrease. Therefore, in a spatial light modulator or a liquid crystal light valve that is composed of a liquid crystal layer and a photoconductive layer,
It is important to provide a light shielding film.

【0005】液晶層と光導電層とからなる空間光変調素
子あるいは液晶ライトバルブにおいて、微小電極と遮光
膜とを設ける従来例として特開昭62−40430号、
特開昭62−169120号の各公報がある。これらの
素子においては、遮光膜として、変調を受ける入射光が
出力光に重畳されるのを防止するための入力遮光膜と、
読み出し光が光導電層に漏れ混んでディスプレイのコン
トラストを低下させるのを防止するための出力遮光膜と
の2種類が必要である。これらの遮光膜が光導電層と反
射層にあたる微小電極との間に設けられる場合には、電
気絶縁性の膜が用いられる。但し、透明導電性電極上に
直接設けられる場合には電気絶縁体である必要はない。
Japanese Patent Laid-Open No. 62-40430 discloses a conventional example in which a microelectrode and a light-shielding film are provided in a spatial light modulator or a liquid crystal light valve comprising a liquid crystal layer and a photoconductive layer.
There are respective publications of JP-A-62-169120. In these elements, as a light shielding film, an input light shielding film for preventing the incident light to be modulated from being superimposed on the output light,
Two types are required: an output light-shielding film for preventing reading light from leaking into the photoconductive layer and lowering the contrast of the display. When these light shielding films are provided between the photoconductive layer and the microelectrodes corresponding to the reflective layer, an electrically insulating film is used. However, when it is provided directly on the transparent conductive electrode, it need not be an electrical insulator.

【0006】一方、本発明者等は、遮光膜を形成する以
下の方法を提案している(特願平3−344521号、
特願平4−125846号、特願平4−136580
号、特願平4−136581号)。すなわち、光導電層
と、液晶層と、これらの層の間の同一平面内に設けら
れ、かつ微小形状に分割された金属反射膜とにより構成
される空間光変調素子において、金属の出力遮光膜を前
記微小形状の金属反射膜とは異なる平面内に設ける。さ
らに、前記各々の分離された金属反射膜の一部と前記出
力遮光膜の一部とを有機高分子膜を介して接触させる。
そして、この有機高分子に、特定の波長域の光を吸収す
る炭素、有機色素又は無機物質を含有させる。
On the other hand, the present inventors have proposed the following method of forming a light-shielding film (Japanese Patent Application No. 3-344521,
Japanese Patent Application No. 4-125846, Japanese Patent Application No. 4-136580
And Japanese Patent Application No. 4-136581). That is, in the spatial light modulator including the photoconductive layer, the liquid crystal layer, and the metal reflection film provided in the same plane between these layers and divided into minute shapes, the metal output light-shielding film is used. Is provided in a plane different from that of the metal reflection film having the minute shape. Further, a part of each of the separated metal reflection films and a part of the output light shielding film are brought into contact with each other through the organic polymer film.
Then, the organic polymer is made to contain carbon, an organic dye or an inorganic substance that absorbs light in a specific wavelength range.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところで、本発明者等
が提案した上記空間光変調素子において、金属反射膜及
び出力遮光膜を形成するには、例えば以下のような方法
を採ることができる。すなわち、まず、光導電層を形成
した後に、クロム等の金属膜を蒸着し、フォトリソグラ
フィーの技術を用いてレジストパターンを形成する。次
いで、ウェットエッチングを施した後、レジストを除去
する。次いで、クロムパターンをエッチングマスクと
し、ケミカルドライエッチング法によりCF4 と酸素の
混合ガスを用いて等方的なエッチングを施し、光導電層
の一部を除去する。そして、基板全面にアルミニウムを
蒸着すれば、画素部に金属反射膜が形成されると共に、
画素間の窪みの低部に出力遮光膜が形成される。
By the way, in the above spatial light modulator proposed by the present inventors, the following method can be adopted to form the metal reflection film and the output light-shielding film. That is, first, after forming a photoconductive layer, a metal film of chromium or the like is deposited and a resist pattern is formed by using a photolithography technique. Then, after performing wet etching, the resist is removed. Next, using the chromium pattern as an etching mask, isotropic etching is performed by a chemical dry etching method using a mixed gas of CF 4 and oxygen to remove a part of the photoconductive layer. Then, if aluminum is vapor-deposited on the entire surface of the substrate, a metal reflection film is formed on the pixel portion,
An output light-shielding film is formed on the lower part of the depression between the pixels.

【0008】しかし、このような方法を採用した場合に
は、図4に示すように、表示画素周辺部40において光
導電層41と液晶層43とが配向膜44を介して隣接し
た状態となり、読み出し光45が表示画素周辺部40の
光導電層41に直接照射されることになる。このため、
表示画素周辺部40で電荷が発生し、この電荷が中心に
位置する画素表示部39に運ばれ、画素の電位が画像信
号とは無関係に変動してしまい、表示画像のコントラス
トを著しく低下させることになる。
However, when such a method is adopted, as shown in FIG. 4, the photoconductive layer 41 and the liquid crystal layer 43 are adjacent to each other with the alignment film 44 in the display pixel peripheral portion 40, The reading light 45 is directly applied to the photoconductive layer 41 of the display pixel peripheral portion 40. For this reason,
Electric charges are generated in the display pixel peripheral portion 40, and the electric charges are carried to the pixel display portion 39 located at the center, and the electric potential of the pixel fluctuates irrespective of the image signal, significantly lowering the contrast of the display image. become.

【0009】また、表示画素周辺部40の光導電層41
上には、クロムのエッチングマスクパターンが存在しな
いため、光導電層41をエッチングする工程で周辺の光
導電層41が画素間の光導電層41と同じ深さだけ除去
され、画素表示部39と表示画素周辺部40とに段差が
生じてしまう。液晶層43の層厚は、2枚の基板間にス
ペーサーとして分散されるガラス等からなる数μmの球
(以下「ビーズ」という)46の大きさと分散量とによ
って制御されるが、画素表示部39と表示画素周辺部4
0との段差によって液晶層43の層厚に大きなバラツキ
が生じ、その結果、表示画像のコントラストにも大きな
バラツキが生じてしまう。
The photoconductive layer 41 of the display pixel peripheral portion 40 is also used.
Since there is no etching mask pattern of chrome on the top, the peripheral photoconductive layer 41 is removed by the same depth as the photoconductive layer 41 between pixels in the process of etching the photoconductive layer 41, and the pixel display portion 39 and A step is generated between the display pixel peripheral portion 40. The layer thickness of the liquid crystal layer 43 is controlled by the size and amount of spheres (hereinafter referred to as “beads”) 46 of several μm made of glass or the like dispersed as a spacer between two substrates. 39 and display pixel peripheral part 4
The difference from 0 causes a large variation in the layer thickness of the liquid crystal layer 43, resulting in a large variation in the contrast of the displayed image.

【0010】本発明は、前記従来技術の課題を解決する
ため、受光層である光導電層の画素表示部のコントラス
トを向上させ、かつ光変調層である液晶層の層厚を均一
化してコントラストのバラツキを低減することのできる
空間光変調素子を提供することを目的とする。
In order to solve the above-mentioned problems of the prior art, the present invention improves the contrast of the pixel display portion of the photoconductive layer which is the light receiving layer, and uniformizes the layer thickness of the liquid crystal layer which is the light modulation layer to provide contrast. It is an object of the present invention to provide a spatial light modulator capable of reducing the variation in the above.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る空間光変調素子は、透明導電性電極を
具備した2枚の透明絶縁性基板で挟まれた領域に、光導
電層と、液晶層と、これらの層の間の同一平面内に設け
られ、かつ微小形状に分割された複数の金属反射膜と、
この平面とは異なる平面内に位置する金属の出力遮光膜
とを少なくとも備えた空間光変調素子であって、前記複
数の金属反射膜を含む画素表示部の周辺部に前記光導電
層を被覆する金属周辺遮光膜を設けたことを特徴とす
る。
In order to achieve the above object, a spatial light modulator according to the present invention comprises a photoconductive layer in a region sandwiched by two transparent insulating substrates having transparent conductive electrodes. A liquid crystal layer, and a plurality of metal reflection films provided in the same plane between these layers and divided into minute shapes,
A spatial light modulation element having at least a metal output light-shielding film positioned in a plane different from this plane, wherein the photoconductive layer is coated on a peripheral portion of a pixel display section including the plurality of metal reflection films. It is characterized in that a metal peripheral light shielding film is provided.

【0012】前記構成においては、金属周辺遮光膜の一
部が光導電層下の透明導電性電極に接続されるのが好ま
しい。また、前記構成においては、金属反射膜及び金属
周辺遮光膜が2層以上の金属からなるのが好ましい。特
に、金属反射膜及び金属周辺遮光膜の各々の最下層がク
ロムであり、最上層がアルミニウムであるのが好まし
く、さらには金属周辺遮光膜の最下層が最上層よりも広
い面積を有するのが好ましい。
In the above structure, it is preferable that part of the metal peripheral light-shielding film is connected to the transparent conductive electrode below the photoconductive layer. Further, in the above structure, it is preferable that the metal reflection film and the metal peripheral light shielding film are made of two or more layers of metal. In particular, it is preferable that the bottom layer of each of the metal reflection film and the metal peripheral light-shielding film is chromium, and the top layer is aluminum, and further, the bottom layer of the metal peripheral light-shielding film has a larger area than the top layer. preferable.

【0013】[0013]

【作用】前記本発明の構成によれば、画素表示部周辺の
光導電層に読み出し光が直接照射されることはないの
で、画素表示部周辺において電荷が発生することはな
く、その結果、画素表示部の電位が画像信号と無関係に
変動することはないので、画素表示部のコントラストを
向上させることができる。また、金属反射膜と金属周辺
遮光膜とをエッチングマスクとして、光導電層をエッチ
ングすることにより、画像表示部と周辺部の光導電層の
膜厚を等しくすることができるので、同一平面上にビー
ズを分散させて液晶の厚みを均一に制御することができ
る。従って、表示画像のコントラストのバラツキを低減
することができ、良好な空間光変調素子を実現すること
ができる。
According to the structure of the present invention, since the reading light is not directly irradiated to the photoconductive layer around the pixel display portion, no charge is generated around the pixel display portion. Since the potential of the display section does not change regardless of the image signal, the contrast of the pixel display section can be improved. Further, by etching the photoconductive layer using the metal reflection film and the metal peripheral light-shielding film as an etching mask, it is possible to make the photoconductive layer in the image display section and the peripheral section have the same film thickness, so that they are on the same plane. The beads can be dispersed to uniformly control the thickness of the liquid crystal. Therefore, it is possible to reduce the variation in the contrast of the display image, and it is possible to realize a good spatial light modulator.

【0014】前記構成において、金属周辺遮光膜の一部
が光導電層下の透明導電性電極に接続されるという好ま
しい構成によれば、両透明導電性電極間にパルス電圧を
印加しても、金属周辺遮光膜と光導電層下の透明導電性
電極とは0電位に保持される。従って、書き込み光が金
属周辺遮光膜に入射しても、この部分の電位が上昇する
ことはないので、コントラストのさらに良好な空間光変
調素子を実現することができる。
In the above-mentioned structure, according to a preferable structure in which a part of the metal peripheral light-shielding film is connected to the transparent conductive electrode under the photoconductive layer, even if a pulse voltage is applied between both transparent conductive electrodes, The metal peripheral light-shielding film and the transparent conductive electrode under the photoconductive layer are held at 0 potential. Therefore, even if the writing light is incident on the metal peripheral light-shielding film, the potential of this portion does not rise, so that it is possible to realize a spatial light modulator having a better contrast.

【0015】また、前記構成において、金属反射膜及び
金属周辺遮光膜が2層以上の金属からなるという好まし
い構成によれば、遮光度が増加し、コントラストのさら
に良好な空間光変調素子を実現することができる。特
に、金属反射膜及び金属周辺遮光膜の各々の最下層がク
ロムであり、最上層がアルミニウムであるという好まし
い構成によれば、透明導電性電極と基板の周辺遮光部と
の密着性が向上し、透明導電性電極の剥離を防止するこ
とができる。さらに、金属周辺遮光膜の最下層(クロ
ム)が最上層(アルミニウム)よりも広い面積を有する
という好ましい構成によれば、光導電層下の透明導電性
電極とアルミニウムとの電池反応が起こることはないの
で、透明導電性電極の取り出し電極部が剥離して断線す
ることもない。
Further, in the above structure, according to a preferable structure in which the metal reflection film and the metal peripheral light-shielding film are made of two or more layers of metal, the light-shielding degree is increased, and a spatial light modulator having a better contrast is realized. be able to. Particularly, according to a preferable configuration in which the bottom layer of each of the metal reflection film and the metal peripheral light shielding film is chromium and the top layer is aluminum, the adhesion between the transparent conductive electrode and the peripheral light shielding portion of the substrate is improved. The peeling of the transparent conductive electrode can be prevented. Further, according to a preferable configuration in which the lowermost layer (chrome) of the metal peripheral light-shielding film has a larger area than the uppermost layer (aluminum), a cell reaction between the transparent conductive electrode under the photoconductive layer and aluminum does not occur. Since it is not present, the lead-out electrode portion of the transparent conductive electrode does not peel off and break.

【0016】[0016]

【実施例】以下、実施例を用いて本発明をさらに具体的
に説明する。図1は本発明に係る空間光変調素子の一実
施例を示す断面図である。
EXAMPLES The present invention will be described in more detail below with reference to examples. FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the spatial light modulator according to the present invention.

【0017】図1に示すように、透明絶縁性基板2(例
えば、ガラス)上には、透明導電性電極4(例えば、I
TO(インジウム−スズ酸化物)、SnOx )と、整流
性を有する光導電層5(例えば、ダイオード構造を有す
るアモルファスシリコン半導体)とが順次積層されてい
る。また、光導電層5の上には、画素に相当する分離し
た微小形状の金属反射膜8(例えば、アルミニウム、ク
ロム、チタン等の金属薄膜)と、液晶層19を配向する
配向膜15(例えば、ポリイミド等の高分子薄膜)とが
順に配置されている。また、この画素間には、読み出し
光21に対する出力遮光膜14(例えば、アルミニウ
ム、クロム、チタン等の金属薄膜)が設けられている。
尚、出力遮光膜14の設けられる平面は金属反射膜8の
設けられる平面の下部に位置しており、これにより遮光
の効果を向上させることができる。また、金属反射膜8
と出力遮光膜14とは電気的に分離され、隣接画素間で
のクロストークはない。
As shown in FIG. 1, a transparent conductive electrode 4 (eg, I) is formed on a transparent insulating substrate 2 (eg, glass).
TO (indium-tin oxide), SnO x ) and a photoconductive layer 5 having a rectifying property (for example, an amorphous silicon semiconductor having a diode structure) are sequentially laminated. Further, on the photoconductive layer 5, a separated minute metal reflection film 8 (for example, a metal thin film of aluminum, chromium, titanium, or the like) corresponding to a pixel and an alignment film 15 for aligning the liquid crystal layer 19 (for example, , A polymer thin film such as polyimide) are arranged in that order. Further, an output light-shielding film 14 (for example, a metal thin film of aluminum, chromium, titanium, etc.) for the reading light 21 is provided between the pixels.
The plane on which the output light-shielding film 14 is provided is located below the plane on which the metal reflection film 8 is provided, so that the light-shielding effect can be improved. In addition, the metal reflection film 8
And the output light shielding film 14 are electrically separated from each other, and there is no crosstalk between adjacent pixels.

【0018】液晶層19は、スペーサーとして分散され
たビーズ18によってそのセル厚が制御される。特に液
晶層19として強誘電性液晶を用いる場合には、セル厚
は1〜2μmに制御するのが好ましい。また、対向側の
透明導電性電極3にも配向膜16が一様に成膜されてい
る。尚、図1中、1は透明絶縁性基板(例えば、ガラ
ス)である。
The cell thickness of the liquid crystal layer 19 is controlled by the beads 18 dispersed as spacers. Particularly when a ferroelectric liquid crystal is used as the liquid crystal layer 19, it is preferable to control the cell thickness to 1 to 2 μm. Further, the alignment film 16 is uniformly formed on the transparent conductive electrode 3 on the opposite side. In FIG. 1, 1 is a transparent insulating substrate (for example, glass).

【0019】本空間光変調素子25の駆動は、両透明導
電性電極4、3間にパルス電圧を印加することによって
なされる。そして、光導電層5が成膜されている透明絶
縁性基板2側からの書き込み光(入力光)20によって
光導電層5に情報が書き込まれる。書き込み光(入力
光)20の強度に応じて光導電層5の電気抵抗が減少
し、各画素に相当する微小形状の金属反射膜8と対向す
る透明導電性電極3とに挟まれた液晶層19に印加され
る電圧が増大する。この電圧の大きさに応じて液晶層1
9の配向が変化する。この液晶層を通過する直線偏光の
読み出し光21は、各画素の金属反射膜8で反射し再び
液晶層19を通過した後、検光子24を通り、出力光2
2としてその光強度変化が読み出される。
The spatial light modulator 25 is driven by applying a pulse voltage between the transparent conductive electrodes 4 and 3. Then, information is written in the photoconductive layer 5 by writing light (input light) 20 from the side of the transparent insulating substrate 2 on which the photoconductive layer 5 is formed. The electric resistance of the photoconductive layer 5 decreases in accordance with the intensity of the writing light (input light) 20, and the liquid crystal layer sandwiched between the minute metal reflection film 8 corresponding to each pixel and the opposing transparent conductive electrode 3. The voltage applied to 19 increases. Depending on the magnitude of this voltage, the liquid crystal layer 1
The orientation of 9 changes. The linearly polarized readout light 21 passing through the liquid crystal layer is reflected by the metal reflection film 8 of each pixel, passes through the liquid crystal layer 19 again, and then passes through the analyzer 24 to output light 2.
The change in light intensity is read out as 2.

【0020】この場合、読み出し光21の照射によって
光導電層5がスイッチングしないように、光導電層5上
に遮光膜を設ける必要があるが、画素表示部6において
は、金属反射膜8が遮光膜を兼ねている。一方、表示画
素周辺部7においては、金属周辺遮光膜11が光導電層
5を全面被覆している。このため、表示画素周辺部7の
光導電層5に読み出し光21が直接照射されることはな
いので、表示画素周辺部7において電荷が発生すること
はなく、その結果、画素表示部6の電位が画像信号と無
関係に変動することはないので、画素表示部6のコント
ラストを向上させることができる。また、表示画素周辺
部7における光導電層5の膜厚は、画素表示部6におけ
る光導電層5の膜厚と同じであり、画素表示部6と表示
画素周辺部7とは同一平面となっている。これにより、
液晶層19の層厚を均一化することができるので、表示
画像のコントラストのバラツキを低減することができ、
良好な空間光変調素子を実現することができる。
In this case, it is necessary to provide a light shielding film on the photoconductive layer 5 so that the photoconductive layer 5 is not switched by the irradiation of the reading light 21, but in the pixel display portion 6, the metal reflection film 8 shields the light. Also serves as a membrane. On the other hand, in the display pixel peripheral portion 7, the metal peripheral light-shielding film 11 covers the entire surface of the photoconductive layer 5. Therefore, the read light 21 is not directly applied to the photoconductive layer 5 of the display pixel peripheral portion 7, so that no charge is generated in the display pixel peripheral portion 7, and as a result, the potential of the pixel display portion 6 is increased. Does not change regardless of the image signal, so that the contrast of the pixel display section 6 can be improved. Further, the film thickness of the photoconductive layer 5 in the display pixel peripheral portion 7 is the same as the film thickness of the photoconductive layer 5 in the pixel display portion 6, and the pixel display portion 6 and the display pixel peripheral portion 7 are on the same plane. ing. This allows
Since the layer thickness of the liquid crystal layer 19 can be made uniform, it is possible to reduce the variation in the contrast of the display image,
A good spatial light modulator can be realized.

【0021】また、本空間光変調素子25においては、
金属周辺遮光膜11と透明導電性電極4とが接続されて
おり、これにより両透明導電性電極4、3間にパルス電
圧を印加しても、金属周辺遮光膜11と透明導電性電極
4とは0電位に保持される。従って、書き込み光20が
金属周辺遮光膜11に入射しても、この部分の電位が上
昇することはなく、その結果、コントラストのさらに良
好な空間光変調素子を実現することができる。
Further, in the present spatial light modulator 25,
Since the metal peripheral light-shielding film 11 and the transparent conductive electrode 4 are connected, even if a pulse voltage is applied between the both transparent conductive electrodes 4 and 3, the metal peripheral light-shielding film 11 and the transparent conductive electrode 4 are connected to each other. Is held at 0 potential. Therefore, even if the writing light 20 is incident on the metal peripheral light-shielding film 11, the potential of this portion does not rise, and as a result, it is possible to realize a spatial light modulator having better contrast.

【0022】光導電層5に使用する材料としては、例え
ば、CdS、CdTe、CdSe、ZnS、ZnSe、
GaAs、GaN、GaP、GaAlAs、InP等の
化合物半導体、Se、SeTe、AsSe等の非晶質半
導体、Si、Ge、Si1-xx ,Si1-x Gex 、G
1-x x (0<x<1)等の多結晶又は非晶質半導
体、また、(1)フタロシアニン顔料(以下、Pcと略
す)、例えば、無金属Pc、XPc(X=Cu、Ni、
Co、TiO、Mg、Si(OH)2 など)、AlCl
PcCl、TiOClPcCl、InClPcCl、I
nClPc、InBrPcBrなど、(2)モノアゾ色
素、ジスアゾ色素などのアゾ系色素、(3)ペニレン酸
無水化物及びペニレン酸イミドなどのペニレン系顔料、
(4)インジゴイド染料、(5)キナクリドン顔料、
(6)アントラキノン類、ピレンキノン類などの多環キ
ノン類、(7)シアニン色素、(8)キサンテン染料、
(9)PVK/TNFなどの電荷移動錯体、(10)ビ
リリウム塩染料とポリカーボネイト樹脂から形成される
共晶錯体、(11)アズレニウム塩化合物など有機半導
体がある。
The material used for the photoconductive layer 5 is, for example, CdS, CdTe, CdSe, ZnS, ZnSe,
Compound semiconductors such as GaAs, GaN, GaP, GaAlAs, InP, amorphous semiconductors such as Se, SeTe, AsSe, Si, Ge, Si 1-x C x , Si 1-x Ge x , G
e 1-x C x (0 <x <1) or other polycrystalline or amorphous semiconductor, and (1) phthalocyanine pigment (hereinafter abbreviated as Pc), for example, metal-free Pc, XPc (X = Cu, Ni,
Co, TiO, Mg, Si (OH) 2, etc.), AlCl
PcCl, TiOClPcCl, InClPcCl, I
nClPc, InBrPcBr, etc., (2) azo dyes such as monoazo dyes and disazo dyes, (3) penylene pigments such as penylene anhydride and penylene acid imide,
(4) indigoid dye, (5) quinacridone pigment,
(6) Polycyclic quinones such as anthraquinones and pyrenequinones, (7) cyanine dyes, (8) xanthene dyes,
There are (9) charge transfer complexes such as PVK / TNF, (10) eutectic complexes formed from pyrylium salt dye and polycarbonate resin, and (11) organic semiconductors such as azurenium salt compounds.

【0023】また、非晶質のSi、Ge、Si
1-x x 、Si1-x Gex 、Ge1-x x (以下、a−
Si、a−Ge、a−Si1-x x 、a−Si1-x Ge
x 、a−Ge1-x x のように略す)を光導電層5とし
て使用する場合には、水素又はハロゲン元素を含めても
よく、誘電率を小さくしたり抵抗率を増加させるために
酸素又は窒素を含めてもよい。また、抵抗率を制御する
ために、p型不純物であるB、Al、Gaなどの元素、
又はn型不純物であるP、As、Sbなどの元素を添加
してもよい。このように不純物を添加した非晶質材料を
積層してp/n型、p/i型、i/n型、p/i/n型
などの接合を形成し、光導電層5内に空乏層を形成して
誘電率及び暗抵抗あるいは動作電圧極性を制御すること
もできる。また、このような非晶質材料だけではなく、
上記の材料を2種類以上積層してヘテロ接合を形成し、
光導電層5内に空乏層を形成してもよい。
Amorphous Si, Ge, Si
1-x Cx , Si 1-x Ge x , Ge 1-x C x (hereinafter a-
Si, a-Ge, a-Si 1-x C x , a-Si 1-x Ge
x , a-Ge 1-x C x ) is used as the photoconductive layer 5, hydrogen or a halogen element may be included in order to reduce the dielectric constant or increase the resistivity. It may include oxygen or nitrogen. Further, in order to control the resistivity, elements such as B, Al, and Ga, which are p-type impurities,
Alternatively, an element such as P, As, or Sb which is an n-type impurity may be added. As described above, the amorphous materials to which impurities are added are stacked to form junctions of p / n type, p / i type, i / n type, p / i / n type, etc., and the photoconductive layer 5 is depleted. Layers can be formed to control dielectric constant and dark resistance or operating voltage polarity. In addition to such amorphous materials,
A heterojunction is formed by laminating two or more of the above materials,
A depletion layer may be formed in the photoconductive layer 5.

【0024】液晶層19の液晶材料としては、強誘電性
液晶のカイラルスメクティックC液晶を用いるのが好ま
しい。液晶層19の厚みは、反射型空間光変調素子の場
合であるので、約1μmに設定するのが出力光のコント
ラスト比を高くできて好ましい。
As the liquid crystal material of the liquid crystal layer 19, it is preferable to use a chiral smectic C liquid crystal which is a ferroelectric liquid crystal. Since the thickness of the liquid crystal layer 19 is in the case of the reflective spatial light modulator, it is preferable to set the thickness to about 1 μm because the contrast ratio of the output light can be increased.

【0025】次に、上記構成を有する空間光変調素子の
製造方法を図1を参照しながら説明する。まず、55m
m×45mm×1.1mmのガラス基板2上に、スパッ
タ蒸着法によってITO(インジウム−スズ酸化物)を
0.05〜0.5μmの膜厚、55mm×30mmの成
膜面積で成膜し、透明導電性電極4を形成した。次い
で、プラズマCVD法によってp/i/nダイオード構
造の水素化アモルファスシリコン(以下、a−Si;H
と略す)膜を2μm程度の膜厚で積層し、光導電層5を
形成した。ここで、p層にはボロンが400ppmだけ
ドーピングされており、n層にはリンが50ppmだけ
ドーピングされている。また、p層の膜厚は1000オ
ングストローム、i層の膜厚は1.7μm、n層の膜厚
は2000オングストロームである。次いで、光導電層
5の面上に、抵抗加熱蒸着法等によってクロム等の金属
膜を2000オングストロームの膜厚で成膜し、フォト
リソグラフィーによって、20μm×20μm、ピッチ
を25μm、1000×1000画素の約2μm厚のレ
ジストパターンを形成した。次いで、過塩素酸等を含む
エッチャントによりエッチングした後、発煙硝酸によっ
てレジストを除去した。次いで、クロムパターンをエッ
チングマスクとし、ケミカルドライエッチング法により
CF4 と酸素の混合ガスを用いて等方的なエッチングを
施し、光導電層(5a−Si;H膜)5に1.3μmの
溝を設けた。この後、基板全面に再びアルミニウムを3
000オングストロームの膜厚で蒸着し、金属反射膜
8、出力遮光膜14及び金属周辺遮光膜11を形成し
た。
Next, a method of manufacturing the spatial light modulator having the above structure will be described with reference to FIG. First, 55m
ITO (indium-tin oxide) is formed on the glass substrate 2 of m × 45 mm × 1.1 mm by a sputter deposition method in a film thickness of 0.05 to 0.5 μm and a film forming area of 55 mm × 30 mm, The transparent conductive electrode 4 was formed. Next, hydrogenated amorphous silicon having a p / i / n diode structure (hereinafter a-Si; H
(Hereinafter abbreviated as “) film was laminated with a film thickness of about 2 μm to form the photoconductive layer 5. Here, the p layer is doped with boron by 400 ppm, and the n layer is doped with phosphorus by 50 ppm. The p-layer has a thickness of 1000 Å, the i-layer has a thickness of 1.7 μm, and the n-layer has a thickness of 2000 Å. Then, a metal film of chromium or the like having a film thickness of 2000 angstrom is formed on the surface of the photoconductive layer 5 by a resistance heating vapor deposition method or the like, and by photolithography, a film of 20 μm × 20 μm, a pitch of 25 μm, and 1000 × 1000 pixels is formed. A resist pattern having a thickness of about 2 μm was formed. Then, after etching with an etchant containing perchloric acid or the like, the resist was removed with fuming nitric acid. Then, using the chromium pattern as an etching mask, isotropic etching is performed by a chemical dry etching method using a mixed gas of CF 4 and oxygen to form a groove of 1.3 μm in the photoconductive layer (5a-Si; H film) 5. Was set up. After this, aluminum is applied again to the entire surface of the substrate.
The metal reflection film 8, the output light-shielding film 14, and the metal peripheral light-shielding film 11 were formed by vapor deposition with a film thickness of 000 angstrom.

【0026】一方、55mm×55mm×1.1mmの
ガラス基板1上にも、スパッタ蒸着法によってITOを
0.05〜0.5μmの膜厚、55×30mmの成膜面
積で成膜し、透明導電性電極3を形成した。次いで、両
基板上にポリアミック酸をスピンコートによって塗布
し、200℃の温度で1時間にわたって加熱することに
より、膜厚が約200オングストロームのポリイミド高
分子膜を形成した。次いで、強誘電性液晶分子の配向が
素子の厚さ方向と平行になるように配向処理を施し、配
向膜15、16を形成した。配向処理(ラビング処理)
はレーヨン樹脂布で表面を一定方向に擦ることによって
行なった。次いで、光導電層5を積層した側のガラス基
板2の上に直径2.6μmの樹脂製ビーズを混合した熱
硬化樹脂17を、液晶注入の開口部を除いて光導電層5
の全体を包囲するようにスクリーン印刷した。次いで、
他方のガラス基板1の上に、イソプロピールアルコール
中に分散させた直径1μmの樹脂製等のビーズ18をス
プレーによって撒き、ビーズ18を全体に付着させた。
次いで、これら一対のガラス基板を張り合わせて真空袋
に入れ、真空引きして密閉した後、内部を真空状態に保
ちながら約90℃の雰囲気中で約30分間加熱し、さら
に約150℃の雰囲気中で約2時間加熱し、樹脂17を
硬化させて、液晶パネルを作製した。そして、真空状態
で強誘電性液晶を約80℃で加熱しながら、窒素ガスの
導入による加圧と毛管現象を利用して樹脂17の開口部
から注入し、液晶パネルに強誘電性液晶を均一に充填し
た。尚、強誘電性液晶分子を均一配向とするために、こ
の素子を恒温槽中で液晶相転移温度以上の、例えば約9
0℃まで加熱し、約0.2℃/分の徐冷速度で室温に戻
した後、樹脂17の開口部を樹脂17で密閉した。これ
により、両基板間に、1μm厚の液晶層19が形成され
た。
On the other hand, on the glass substrate 1 having a size of 55 mm × 55 mm × 1.1 mm, ITO is formed into a film having a thickness of 0.05 to 0.5 μm and a film forming area of 55 × 30 mm by a sputter deposition method, and is transparent. The conductive electrode 3 was formed. Then, a polyamic acid was applied onto both substrates by spin coating and heated at a temperature of 200 ° C. for 1 hour to form a polyimide polymer film having a thickness of about 200 Å. Next, alignment treatment was performed so that the alignment of the ferroelectric liquid crystal molecules was parallel to the thickness direction of the device, and alignment films 15 and 16 were formed. Alignment treatment (rubbing treatment)
Was performed by rubbing the surface in a certain direction with a rayon resin cloth. Then, a thermosetting resin 17 in which resin beads having a diameter of 2.6 μm are mixed is provided on the glass substrate 2 on the side where the photoconductive layer 5 is laminated, except for the liquid crystal injection opening.
Was screen-printed so as to surround the whole. Then
On the other glass substrate 1, beads 18 made of resin or the like and having a diameter of 1 μm dispersed in isopropyl alcohol were sprayed and attached to the entire surface.
Then, the pair of glass substrates are stuck together, placed in a vacuum bag, evacuated and hermetically sealed, and then heated in an atmosphere of about 90 ° C. for about 30 minutes while keeping the inside in a vacuum state, and further in an atmosphere of about 150 ° C. The resin 17 was cured by heating for about 2 hours to prepare a liquid crystal panel. Then, while heating the ferroelectric liquid crystal in a vacuum state at about 80 ° C., the ferroelectric liquid crystal is uniformly injected into the liquid crystal panel by injecting it through the opening of the resin 17 by utilizing the pressure and the capillary phenomenon caused by the introduction of nitrogen gas. Filled. In order to uniformly align the ferroelectric liquid crystal molecules, this device is placed in a thermostat at a liquid crystal phase transition temperature or higher, for example, about 9
After heating to 0 ° C. and returning to room temperature at a slow cooling rate of about 0.2 ° C./min, the opening of resin 17 was sealed with resin 17. As a result, a liquid crystal layer 19 having a thickness of 1 μm was formed between both substrates.

【0027】以上により、図1の構造を有する空間光変
調素子25が得られる。尚、上記のようにして空間光変
調素子25を作製すれば、金属反射膜8及び金属周辺遮
光膜11を2層にすることができる。すなわち、金属反
射膜8及び金属周辺遮光膜11は、それぞれクロムから
なる下層9、12とアルミニウムからなる上層10、1
3とによって形成されることとなる。そして、金属反射
膜8及び金属周辺遮光膜11を2層以上に形成すること
により、遮光度が増加し、その結果、コントラストのさ
らに良好な空間光変調素子を実現することができた。
As described above, the spatial light modulator 25 having the structure shown in FIG. 1 is obtained. If the spatial light modulator 25 is manufactured as described above, the metal reflection film 8 and the metal peripheral light-shielding film 11 can have two layers. That is, the metal reflection film 8 and the metal peripheral light-shielding film 11 are composed of lower layers 9 and 12 made of chromium and upper layers 10 and 1 made of aluminum, respectively.
3 will be formed. Then, by forming the metal reflection film 8 and the metal peripheral light-shielding film 11 in two or more layers, the light-shielding degree was increased, and as a result, a spatial light modulator having a better contrast could be realized.

【0028】特に、本実施例のように各々の最下層9、
12をクロム、各々の最上層10、13をアルミニウム
とすることにより、良好な空間光変調素子を得ることが
できた。すなわち、透明導電性電極4とアルミニウムと
の電池反応によって透明導電性電極4が剥離する虞れが
あるが、最下層9、12の材料をクロムとすることによ
り、透明導電性電極4と基板の周辺遮光部との密着性が
向上し、透明導電性電極4の剥離を防止することができ
た。また、クロムが硬質の金属であるため、組立工程中
の衝撃による損傷もなくなった。さらに、アルミニウム
は、その反射率が100%と高いため、遮光度が増加し
た。
In particular, as in the present embodiment, each bottom layer 9,
A good spatial light modulator was able to be obtained by using 12 for chromium and for each uppermost layer 10, 13 for aluminum. That is, the transparent conductive electrode 4 may be peeled off due to a battery reaction between the transparent conductive electrode 4 and aluminum. However, when the material of the lowermost layers 9 and 12 is chromium, the transparent conductive electrode 4 and the substrate are separated from each other. Adhesion with the peripheral light-shielding portion was improved, and peeling of the transparent conductive electrode 4 could be prevented. In addition, since chromium is a hard metal, damage due to impact during the assembly process was eliminated. Furthermore, since aluminum has a high reflectance of 100%, the degree of light shielding is increased.

【0029】また、最下層9、12(クロム)を最上層
10、13(アルミニウム)以上の成膜面積とすること
により、さらに良好な空間光変調素子を得ることができ
た。すなわち、最下層9、12のクロムの成膜面積を最
上層10、13のアルミニウムの成膜面積より小さくし
た場合には、透明導電性電極4とアルミニウムとの電池
反応が起こり、透明導電性電極4の取り出し電極部が剥
離して断線する虞れがあるが、最下層9、12のクロム
の成膜面積を最上層10、13のアルミニウムの成膜面
積よりも大きくすることにより、剥離を防止することが
できた。具体的には、本実施例においては、光導電層5
(成膜面積33×33mm)上に、クロムを成膜面積3
5×35mmで形成し、アルミニウムを成膜面積34×
34mmで形成した。
Further, by setting the lowermost layers 9 and 12 (chromium) to have a film forming area larger than that of the uppermost layers 10 and 13 (aluminum), a better spatial light modulator can be obtained. That is, when the chromium film formation area of the lowermost layers 9 and 12 is made smaller than the aluminum film formation area of the uppermost layers 10 and 13, a cell reaction between the transparent conductive electrode 4 and aluminum occurs, and the transparent conductive electrode Although there is a possibility that the lead-out electrode portion of No. 4 may be peeled off and broken, the peeling is prevented by making the chromium film forming area of the lowermost layers 9 and 12 larger than the aluminum film forming area of the uppermost layers 10 and 13. We were able to. Specifically, in this embodiment, the photoconductive layer 5
Chromium film formation area 3 on (film formation area 33 x 33 mm)
Formed in 5 × 35 mm, aluminum film formation area 34 ×
It was formed with 34 mm.

【0030】以上のようにして作製した空間光変調素子
25を投写型ディスプレイとして評価した。図2に投写
型ディスプレイ装置の模式図を示す。
The spatial light modulator 25 produced as described above was evaluated as a projection display. FIG. 2 shows a schematic view of the projection display device.

【0031】本実施例によって得られた空間光変調素子
25に、CRTディスプレイ26によって光書き込みを
行う。素子の画素数は縦480横650である。読み出
し用の光源27(メタルハライドランプ)をコンデンサ
ーレンズ28、偏光ビームスプリッタ29を介して空間
光変調素子25に照射する。出力像はレンズ30で拡大
されスクリーン31に映し出される。CRTディスプレ
イ26上の各ドットが空間光変調素子25の分離された
画素内に書き込まれると、スクリーン31上では四角形
状に変換される。
Optical writing is performed by the CRT display 26 on the spatial light modulator 25 obtained in this embodiment. The number of pixels of the element is 480 in height and 650 in width. A light source 27 (metal halide lamp) for reading is applied to the spatial light modulator 25 via a condenser lens 28 and a polarization beam splitter 29. The output image is enlarged by the lens 30 and displayed on the screen 31. When each dot on the CRT display 26 is written in the separated pixel of the spatial light modulator 25, it is converted into a quadrangle on the screen 31.

【0032】空間光変調素子25の開口率は80%と大
きく明るい画像が得られ、100インチ相当の大きさに
拡大した像はスクリーン31上で1000lm以上の光
束を持つ。また、スクリーン31上での動画像のコント
ラストは200:1、解像度は縦方向650本TVライ
イ数であることが確認された。また、動画像を出力した
ところ、ビデオレートの動きに対して残像はなく鮮明な
高輝度画像が得られた。
The spatial light modulator 25 has a large aperture ratio of 80% to obtain a bright image, and an image enlarged to a size of 100 inches has a light flux of 1000 lm or more on the screen 31. It was also confirmed that the contrast of the moving image on the screen 31 was 200: 1 and the resolution was 650 TV lines in the vertical direction. In addition, when a moving image was output, a clear high-luminance image was obtained with no afterimage with respect to the movement of the video rate.

【0033】次に、前記空間光変調素子25を用いて、
図3に示すホログラフィーテレビジョン装置を組み立て
ところ、実時間で表示される立体画像の再生を確認し
た。コヒーレント光のHe−Neレーザー32を用いて
被写体33を照射し、コリメータ34を通しての参照光
と共にCCD35の撮像面上に干渉縞パターンを形成し
た。この画像データをCRT36に転送し空間光変調素
子25に光書き込みして干渉縞パターンを再現した。コ
ヒーレント光のHe−Neレーザー37を用い、反射モ
ードで読み出したところ、高コントラストで鮮明な立体
像を観測した。尚、図3中、38は偏光ビームスプリッ
タである。
Next, using the spatial light modulator 25,
When the holographic television device shown in FIG. 3 was assembled, reproduction of a stereoscopic image displayed in real time was confirmed. The He-Ne laser 32 of coherent light was used to illuminate the subject 33, and an interference fringe pattern was formed on the image pickup surface of the CCD 35 together with the reference light passing through the collimator 34. This image data was transferred to the CRT 36 and optically written in the spatial light modulator 25 to reproduce the interference fringe pattern. When a He-Ne laser 37 of coherent light was used to read in the reflection mode, a clear three-dimensional image with high contrast was observed. In FIG. 3, reference numeral 38 is a polarization beam splitter.

【0034】[0034]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の構成によ
れば、画素表示部周辺の光導電層に読み出し光が直接照
射されることはないので、画素表示部周辺において電荷
が発生することはなく、その結果、画素表示部の電位が
画像信号と無関係に変動することはないので、画素表示
部のコントラストを向上させることができる。また、金
属反射膜と金属周辺遮光膜とをエッチングマスクとし
て、光導電層をエッチングすることにより、画像表示部
と周辺部の光導電層の膜厚を等しくすることができるの
で、同一平面上にビーズを分散させて液晶の厚みを均一
に制御することができる。従って、表示画像のコントラ
ストのバラツキを低減することができ、良好な空間光変
調素子を実現することができる。
As described above, according to the configuration of the present invention, the photoconductive layer in the periphery of the pixel display portion is not directly irradiated with the readout light, so that the charge is generated in the periphery of the pixel display portion. As a result, the potential of the pixel display unit does not change irrespective of the image signal, so that the contrast of the pixel display unit can be improved. Further, by etching the photoconductive layer using the metal reflection film and the metal peripheral light-shielding film as an etching mask, it is possible to make the photoconductive layer in the image display section and the peripheral section have the same film thickness, so that they are on the same plane. The beads can be dispersed to uniformly control the thickness of the liquid crystal. Therefore, it is possible to reduce the variation in the contrast of the display image, and it is possible to realize a good spatial light modulator.

【0035】本発明の構成において、金属周辺遮光膜の
一部が光導電層下の透明導電性電極に接続されるという
好ましい構成によれば、両透明導電性電極間にパルス電
圧を印加しても、金属周辺遮光膜と光導電層下の透明導
電性電極とは0電位に保持される。従って、書き込み光
が金属周辺遮光膜に入射しても、この部分の電位が上昇
することはないので、コントラストのさらに良好な空間
光変調素子を実現することができる。
In the structure of the present invention, according to a preferred structure in which a part of the metal peripheral light-shielding film is connected to the transparent conductive electrode under the photoconductive layer, a pulse voltage is applied between both transparent conductive electrodes. In addition, the metal peripheral light-shielding film and the transparent conductive electrode below the photoconductive layer are held at 0 potential. Therefore, even if the writing light is incident on the metal peripheral light-shielding film, the potential of this portion does not rise, so that it is possible to realize a spatial light modulator having a better contrast.

【0036】また、本発明の構成において、金属反射膜
及び金属周辺遮光膜が2層以上の金属からなるという好
ましい構成によれば、遮光度が増加し、コントラストの
さらに良好な空間光変調素子を実現することができる。
特に、金属反射膜及び金属周辺遮光膜の各々の最下層が
クロムであり、最上層がアルミニウムであるという好ま
しい構成によれば、透明導電性電極と基板の周辺遮光部
との密着性が向上し、透明導電性電極の剥離を防止する
ことができる。さらに、金属周辺遮光膜の最下層(クロ
ム)が最上層(アルミニウム)よりも広い面積を有する
という好ましい構成によれば、光導電層下の透明導電性
電極とアルミニウムとの電池反応が起こることはないの
で、透明導電性電極の取り出し電極部が剥離して断線す
ることもない。
Further, in the constitution of the present invention, according to the preferable constitution in which the metal reflection film and the metal peripheral light-shielding film are made of two or more layers of metal, a spatial light modulator having an increased light-shielding degree and a better contrast can be obtained. Can be realized.
Particularly, according to a preferable configuration in which the bottom layer of each of the metal reflection film and the metal peripheral light shielding film is chromium and the top layer is aluminum, the adhesion between the transparent conductive electrode and the peripheral light shielding portion of the substrate is improved. The peeling of the transparent conductive electrode can be prevented. Further, according to a preferable configuration in which the lowermost layer (chrome) of the metal peripheral light-shielding film has a larger area than the uppermost layer (aluminum), a cell reaction between the transparent conductive electrode under the photoconductive layer and aluminum does not occur. Since it is not present, the lead-out electrode portion of the transparent conductive electrode does not peel off and break.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る空間光変調素子の一実施例を示す
断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an embodiment of a spatial light modulator according to the present invention.

【図2】本発明に係る空間光変調素子を用いて作製した
投写型ディスプレイ装置の模式図である。
FIG. 2 is a schematic view of a projection display device manufactured using the spatial light modulator according to the present invention.

【図3】本発明に係る空間光変調素子を用いて作製した
ホログラフィーテレビジョン装置の模式図である。
FIG. 3 is a schematic view of a holographic television device manufactured by using the spatial light modulator according to the present invention.

【図4】従来技術の空間光変調素子を示す断面図であ
る。
FIG. 4 is a sectional view showing a conventional spatial light modulator.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、2 透明絶縁性基板 3、4 透明導電性電極 5 光導電層 6 画素表示部 7 表示画素周辺部 8 金属反射膜 9 上層の金属反射膜 10 下層の金属反射膜 11 金属周辺遮光膜 12 上層の金属周辺遮光膜 13 下層の金属周辺遮光膜 14 出力遮光膜 15、16 配向膜 17 樹脂 18 ビーズ 19 液晶層 20 書き込み光 21 読み出し光 22 出力光 23 偏光子 24 検光子 25 空間光変調素子 1, 2 Transparent Insulating Substrate 3, 4 Transparent Conductive Electrode 5 Photoconductive Layer 6 Pixel Display Area 7 Display Pixel Peripheral Area 8 Metal Reflective Film 9 Upper Metal Reflective Film 10 Lower Metal Reflective Film 11 Metal Peripheral Light-Shielding Film 12 Upper Layer Metal peripheral light-shielding film 13 Lower metal peripheral light-shielding film 14 Output light-shielding film 15, 16 Alignment film 17 Resin 18 Beads 19 Liquid crystal layer 20 Writing light 21 Reading light 22 Output light 23 Polarizer 24 Analyzer 25 Spatial light modulator

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 秋山 浩二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 藏富 靖規 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 小川 久仁 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Koji Akiyama 1006 Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 72) Inventor, Kuni Ogawa, 1006, Kadoma, Kadoma, Osaka Prefecture, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 透明導電性電極を具備した2枚の透明絶
縁性基板で挟まれた領域に、光導電層と、液晶層と、こ
れらの層の間の同一平面内に設けられ、かつ微小形状に
分割された複数の金属反射膜と、この平面とは異なる平
面内に位置する金属の出力遮光膜とを少なくとも備えた
空間光変調素子であって、前記複数の金属反射膜を含む
画素表示部の周辺部に前記光導電層を被覆する金属周辺
遮光膜を設けたことを特徴とする空間光変調素子。
1. A photoconductive layer, a liquid crystal layer, and a microscopic layer provided in the same plane between these layers in a region sandwiched by two transparent insulating substrates each having a transparent conductive electrode. A spatial light modulation element comprising at least a plurality of metal reflection films divided into shapes and a metal output light-shielding film located in a plane different from this plane, the pixel display including the plurality of metal reflection films. A spatial light modulation element, characterized in that a metal peripheral light-shielding film that covers the photoconductive layer is provided in the peripheral portion of the portion.
【請求項2】 金属周辺遮光膜の一部が光導電層下の透
明導電性電極に接続される請求項1に記載の空間光変調
素子。
2. The spatial light modulator according to claim 1, wherein a part of the metal peripheral light shielding film is connected to the transparent conductive electrode below the photoconductive layer.
【請求項3】 金属反射膜及び金属周辺遮光膜が2層以
上の金属からなる請求項1に記載の空間光変調素子。
3. The spatial light modulator according to claim 1, wherein the metal reflection film and the metal peripheral light shielding film are made of two or more layers of metal.
【請求項4】 金属反射膜及び金属周辺遮光膜の各々の
最下層がクロムであり、最上層がアルミニウムである請
求項3に記載の空間光変調素子。
4. The spatial light modulator according to claim 3, wherein the bottom layer of each of the metal reflection film and the metal peripheral light-shielding film is chromium, and the top layer is aluminum.
【請求項5】 金属周辺遮光膜の最下層が最上層よりも
広い面積を有する請求項4に記載の空間光変調素子。
5. The spatial light modulator according to claim 4, wherein the lowermost layer of the metal peripheral light-shielding film has a larger area than the uppermost layer.
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