JPH05173172A - Spatial optical modulating element and its manufacture - Google Patents
Spatial optical modulating element and its manufactureInfo
- Publication number
- JPH05173172A JPH05173172A JP34452291A JP34452291A JPH05173172A JP H05173172 A JPH05173172 A JP H05173172A JP 34452291 A JP34452291 A JP 34452291A JP 34452291 A JP34452291 A JP 34452291A JP H05173172 A JPH05173172 A JP H05173172A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- layer
- light
- spatial light
- light modulator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、投写型ディスプレイ、
ホログラフィーテレビジョン、光演算装置等の画像表示
装置や画像演算装置に用いられる空間光変調素子及びそ
の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a projection display,
The present invention relates to a spatial light modulator used in an image display device such as a holographic television or an optical arithmetic device, or an image arithmetic device, and a manufacturing method thereof.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来から、大画面且つ高密度画素を備え
た高品位テレビが様々な方式で開発されており、一部実
用化されている。中でも、従来のブラウン管方式の代替
手段として液晶技術を使った投写型ディスプレイの開発
が盛んである。従来のブラウン管方式は、画素の高密度
化を狙うと画面の輝度が低下して画像全体が暗くなる傾
向にあり、またブラウン管自体の大型化が困難であると
いう課題がある。2. Description of the Related Art Conventionally, high-definition televisions having a large screen and high-density pixels have been developed by various methods and partially put into practical use. Above all, the development of projection-type displays using liquid crystal technology is active as an alternative to the conventional CRT method. The conventional cathode ray tube method has a problem that the luminance of the screen tends to decrease and the entire image tends to be dark when aiming at higher pixel density, and it is difficult to increase the size of the cathode ray tube itself.
【0003】また、薄膜トランジスタ駆動方式の液晶素
子を使った投写型ディスプレイ装置は軽量小形化や低消
費電力等の点で有力な方法ではあるが、開口率が大きく
ないこと、素子自体が複雑で高価であること等が解決す
べき課題として挙げられている。Further, a projection type display device using a liquid crystal element driven by a thin film transistor is an effective method in terms of downsizing and weight reduction and low power consumption, but the aperture ratio is not large and the element itself is complicated and expensive. Is mentioned as an issue to be solved.
【0004】一方、CRTを入力とした光書込み型液晶
素子との組合せは、従来より装置構造が簡単で且つCR
Tと液晶素子の利点を組み合わせた装置として注目され
ており(特開昭63−109422号公報等)、近年は
高感度な受光層としてアモルファスシリコン薄膜を備え
た液晶素子を使って、100インチ以上の大画面で動画
像を映し出すことが可能となった。また、液晶材料につ
いても、高速応答が可能な強誘電性液晶を用いて、より
高解像度な液晶ライトバルブが実現できるようになっ
た。更に、このような光書込み型液晶素子は、強誘電性
液晶が持つメモリー特性と2値化特性を利用することに
より、次世代の並列演算装置や光コンピューティング装
置の核としても期待されている。On the other hand, the combination with the CRT-input photo-writing type liquid crystal element has a simpler device structure and CR.
As a device combining the advantages of T and a liquid crystal element (Japanese Patent Laid-Open No. 63-109422, etc.), in recent years, a liquid crystal element having an amorphous silicon thin film as a highly sensitive light receiving layer has been used, and more than 100 inches. It is now possible to project moving images on the large screen. With regard to the liquid crystal material, it has become possible to realize a higher resolution liquid crystal light valve by using a ferroelectric liquid crystal capable of high-speed response. Further, such an optical writing type liquid crystal element is expected to be the core of the next-generation parallel arithmetic device and optical computing device by utilizing the memory characteristic and the binarization characteristic of the ferroelectric liquid crystal. ..
【0005】他方、3次元立体動画映像を眼鏡なしに見
ることのできる装置としてホログラフィーテレビジョン
が注目されており、特に書換え可能なホログラム記録媒
体として液晶素子が期待されている。現在のトランジス
タ駆動方式の液晶素子の解像度は12〜25(lp/m
m)であり、今後200(lp/mm)以上の高解像度
の実現が望まれている。On the other hand, a holographic television has been attracting attention as a device capable of viewing a three-dimensional stereoscopic moving image without glasses, and a liquid crystal element is particularly expected as a rewritable hologram recording medium. Current transistor drive type liquid crystal device has a resolution of 12 to 25 (lp / m
m), and it is desired to realize a high resolution of 200 (lp / mm) or more in the future.
【0006】このような画像表示装置や画像演算装置に
用いられる空間光変調素子は、液晶層、光導電層、液晶
を配向させるための配向膜等を備えており、従来の空間
光変調素子では、配向膜は素子全体に渡って均一に成膜
されるのが一般的である。The spatial light modulator used in such an image display device or image arithmetic device is provided with a liquid crystal layer, a photoconductive layer, an alignment film for aligning liquid crystals, and the like, and the conventional spatial light modulator is not provided. The alignment film is generally formed uniformly over the entire device.
【0007】一方、従来の空間光変調素子において、液
晶層と光導電層との界面に微小電極を形成したものが提
案されている(特開昭62−40430号公報、特開昭
62−169120号公報)。これは、多層誘電体薄膜
の反射層の代わりに微小電極を設けたものであり、その
特徴として、(1) 製造が容易であること、(2) 入射角度
依存性の無いこと、(3) 光反射率が高いこと、等が挙げ
られる。On the other hand, in the conventional spatial light modulator, there has been proposed one in which minute electrodes are formed at the interface between the liquid crystal layer and the photoconductive layer (Japanese Patent Laid-Open Nos. 62-40430 and 62-169120). Publication). This is a microelectrode provided in place of the reflective layer of the multilayer dielectric thin film, and features are (1) easy manufacture, (2) no incident angle dependency, and (3) It has a high light reflectance.
【0008】また、投写型ディスプレイに空間光変調素
子が用いられる場合は、開口率が高く、画素形状が鮮明
であるという特徴により、高品位なテレビ画像を得るこ
とができる。このような空間光変調素子において、変調
を受ける入射光と出力光との重畳を防ぐために遮光膜が
設けられ、特に、遮光膜が光導電層と反射層の間に設け
られる場合は電気絶縁性の膜が形成されるが、一方、遮
光膜が直接に透明性電極上に設けられる場合は電気絶縁
性の膜である必要はない。When a spatial light modulator is used in a projection display, a high quality television image can be obtained due to its features of high aperture ratio and sharp pixel shape. In such a spatial light modulator, a light-shielding film is provided to prevent the incident light to be modulated and the output light from overlapping, and particularly when the light-shielding film is provided between the photoconductive layer and the reflective layer, the electrical insulation property is provided. On the other hand, when the light-shielding film is directly provided on the transparent electrode, it need not be an electrically insulating film.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
62−40430号公報で開示された従来の空間光変調
素子の構造は、光導電層と反射層の間に一様な遮光膜が
電気絶縁性材料で形成されているため、その製造は比較
的容易であるが、光導電層と金属反射層の間に絶縁層が
介在するため、絶縁層での電荷蓄積により、駆動時の光
導電特性やスイッチング特性が劣化するという課題があ
った。However, in the structure of the conventional spatial light modulator disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 62-40430, a uniform light shielding film is electrically insulated between the photoconductive layer and the reflective layer. It is relatively easy to manufacture because it is made of a conductive material, but since an insulating layer is interposed between the photoconductive layer and the metal reflective layer, charge accumulation in the insulating layer causes the photoconductive characteristics during driving. There is a problem that the switching characteristics are deteriorated.
【0010】一方、特開昭62−169120号公報で
開示された従来の空間光変調素子の構造は、画素に相当
する部分に遮光膜が存在せず、且つ前記公報の第3図及
び第4図に示されるように、電気的絶縁層が介在してい
ない。しかし、電極形成工程と遮光膜形成工程におい
て、それぞれ別個のフォトリソグラフィ工程が必要とな
るため、その位置合わせに高い精度が要求され、高密度
の画素形成が困難であるという課題があった。例えば、
100(lp/mm)の解像度を実現する場合、数μm
オーダーという高精度の位置合わせが要求される。On the other hand, in the structure of the conventional spatial light modulator disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 62-169120, a light-shielding film does not exist in a portion corresponding to a pixel, and the structure shown in FIGS. As shown, there is no intervening electrical insulation layer. However, since separate photolithography processes are required for the electrode forming process and the light-shielding film forming process, there is a problem that high precision is required for the alignment and it is difficult to form high density pixels. For example,
To achieve a resolution of 100 (lp / mm), several μm
High-precision alignment called order is required.
【0011】本発明は、前記課題を解決するため、液晶
層、光導電層、反射層等を備えた空間光変調素子におい
て、画素単位に分離された反射膜の上にのみ配向膜が形
成された構造により、高密度の画素パターン形成が実現
され、高密度化された情報を忠実に表示することができ
る空間光変調素子を提供することを目的とし、また、1
回のフォトリソグラフィー工程だけで、配向膜と反射膜
を同一の画素パターンに形成することができ、更に遮光
膜も容易に形成できる空間光変調素子の製造方法を提供
することを目的とする。In order to solve the above problems, the present invention provides a spatial light modulator having a liquid crystal layer, a photoconductive layer, a reflective layer, etc., in which an alignment film is formed only on the reflective film separated for each pixel. With the above structure, high-density pixel pattern formation is realized, and it is an object of the present invention to provide a spatial light modulator capable of faithfully displaying high-density information.
It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a spatial light modulator that can form an alignment film and a reflective film in the same pixel pattern by a single photolithography process and can easily form a light shielding film.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の空間光変調素子は、少なくとも光導電層、
反射層及び強誘電性液晶層を備えた空間光変調素子であ
って、反射層が画素単位に分離して形成されており、且
つ反射層の画素の間に遮光膜が形成されていることを特
徴とする。In order to achieve the above object, the spatial light modulator of the present invention comprises at least a photoconductive layer,
A spatial light modulator comprising a reflective layer and a ferroelectric liquid crystal layer, wherein the reflective layer is formed separately for each pixel, and a light-shielding film is formed between the pixels of the reflective layer. Characterize.
【0013】前記構成において、反射層がアルミニウム
金属薄膜であり、且つ遮光膜が酸化アルミニウムを含ん
だ膜であることが好ましい。また、前記構成において、
遮光膜が酸化アルミニウムを含んだ膜であって、その表
面に金属が析出されていることが好ましい。In the above structure, it is preferable that the reflection layer is an aluminum metal thin film and the light shielding film is a film containing aluminum oxide. Further, in the above configuration,
It is preferable that the light-shielding film is a film containing aluminum oxide and a metal is deposited on the surface thereof.
【0014】また、本発明の空間光変調素子の製造方法
は、光導電層の上に一様に金属反射層を形成し、更に金
属反射層の上に一様に配向膜を成膜した後、配向膜の上
にレジスト膜を画素パターンに成膜し、続いて画素の間
に位置する配向膜を除去し、次に陽極酸化法を用いて、
画素の間に位置する金属反射層を酸化絶縁層に変化させ
て遮光膜を形成し、その後レジスト膜を除去することを
特徴とする。Further, in the method for manufacturing a spatial light modulator of the present invention, a metal reflective layer is uniformly formed on the photoconductive layer, and then an alignment film is uniformly formed on the metal reflective layer. , Forming a resist film on the alignment film in a pixel pattern, subsequently removing the alignment film located between the pixels, and then using an anodic oxidation method,
It is characterized in that the metal reflective layer located between the pixels is changed to an oxide insulating layer to form a light shielding film, and then the resist film is removed.
【0015】[0015]
【作用】前記構成によれば、少なくとも光導電層、反射
層及び強誘電性液晶層を備えた空間光変調素子であっ
て、反射層が画素単位に分離して形成されており、且つ
反射層の画素の間に遮光膜が形成されていることによ
り、画素に相当する反射層は光導電層と直接接触してお
り、反射層と光導電層との間に絶縁性の層が介在してい
ないため、電圧損失及び電荷蓄積が解消されて、安定な
動作が実現されると共に、反射層及び遮光膜が同一平面
上に隙間無く形成されているため、入射光と出力光との
クロストークをほぼ完全に防止することができる。According to the above structure, the spatial light modulator including at least the photoconductive layer, the reflective layer and the ferroelectric liquid crystal layer, wherein the reflective layer is formed separately for each pixel, Since the light-shielding film is formed between the pixels, the reflective layer corresponding to the pixel is in direct contact with the photoconductive layer, and the insulating layer is interposed between the reflective layer and the photoconductive layer. Since there is no voltage loss and charge accumulation, stable operation is realized, and since the reflective layer and the light shielding film are formed on the same plane without any gap, crosstalk between the incident light and the output light is prevented. It can be prevented almost completely.
【0016】また、反射層がアルミニウム金属薄膜であ
り、且つ遮光膜が酸化アルミニウムを含んだ膜であるこ
とにより、光反射率の高い反射層を容易に形成すること
ができると共に、陽極酸化法等の金属酸化処理を用いる
ことにより、金属薄膜を画素パターンで酸化するだけで
遮光膜を同一平面上に隙間無く容易に形成することがで
きる。Further, since the reflection layer is an aluminum metal thin film and the light-shielding film is a film containing aluminum oxide, a reflection layer having a high light reflectance can be easily formed, and an anodic oxidation method or the like can be used. By using the above metal oxidation treatment, it is possible to easily form the light-shielding film on the same plane without a gap simply by oxidizing the metal thin film with the pixel pattern.
【0017】また、遮光膜が酸化アルミニウムを含んだ
膜であって、その表面に金属が析出されていることによ
り、遮光膜が着色して光吸収率が向上し、遮光膜の遮光
性能が良好となる。Further, since the light-shielding film is a film containing aluminum oxide, and the metal is deposited on the surface of the film, the light-shielding film is colored and the light absorption rate is improved, and the light-shielding performance of the light-shielding film is good. Becomes
【0018】また、本発明の空間光変調素子の製造方法
によれば、光導電層の上に一様に金属反射層を形成し、
更に金属反射層の上に一様に配向膜を成膜した後、配向
膜の上にレジスト膜を画素パターンに成膜し、続いて画
素の間に位置する配向膜を除去し、次に陽極酸化法を用
いて、画素の間に位置する金属反射層を酸化絶縁層に変
化させて遮光膜を形成し、その後レジスト膜を除去する
ことにより、配向膜の画素パターンと反射層の画素パタ
ーンがほぼ完全に一致し、更に反射層及び遮光膜が同一
平面上に隙間無く形成された空間光変調素子を容易に得
ることができる。According to the method of manufacturing a spatial light modulator of the present invention, a metal reflective layer is uniformly formed on the photoconductive layer,
Further, after forming an alignment film uniformly on the metal reflection layer, a resist film is formed on the alignment film in a pixel pattern, then the alignment film located between the pixels is removed, and then the anode film is formed. By using an oxidation method, the metal reflection layer located between the pixels is changed to an oxide insulation layer to form a light-shielding film, and then the resist film is removed, whereby the pixel pattern of the alignment film and the pixel pattern of the reflection layer are changed. It is possible to easily obtain a spatial light modulator in which the reflection layer and the light-shielding film are almost completely aligned and are formed on the same plane without a gap.
【0019】[0019]
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しながら説明する。図1は、本発明の空間光変調素子の
一実施例の断面図である。ガラス等の透明絶縁性基板1
1の上に、ITOやSnOx 等の透明導電性電極12が
形成され、その上にダイオード構造を有するアモルファ
スシリコン半導体等の光導電層13が積層されている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view of an embodiment of the spatial light modulator of the present invention. Transparent insulating substrate 1 such as glass
1, a transparent conductive electrode 12 such as ITO or SnO x is formed, and a photoconductive layer 13 such as an amorphous silicon semiconductor having a diode structure is laminated on the transparent conductive electrode 12.
【0020】光導電層13に使用される材料は、例えば
CdS、CdTe、CdSe、ZnS、ZnSe、Ga
As、GaN、GaP、GaAlAs、InP等の化合
物半導体や、Se、SeTe、AsSe等の非晶質半導
体や、Si、Ge、Si1-x Cx 、Si1-x Gex 、G
e1-x Cx (0<x<1)の多結晶又は非晶質半導体等
の半導体、又は(1) フタロシアニン顔料(以下、「P
c」と略す)、例えば無金属Pc、XPc(X=Cu、
Ni、Co、TiO、Mg、Si(OH)2 等)、Al
ClPcCl、TiOClPcCl、InClPcC
l、InClPc、InBrPcBr等、(2) モノアゾ
色素、ジスアゾ色素等のアゾ系色素、(3) ペニレン酸無
水化物、ペニレン酸イミド等のペニレン系顔料、(4) イ
ンジゴイド染料、(5) キナクリドン顔料、(6) アントラ
キノン類、ピレンキノン類等の多環キノン類、(7) シア
ニン色素、(8) キサンテン染料、(9)PVK/TNF等
の電荷移動錯体、(10)ビリリウム塩染料とポリカーボネ
イト樹脂から形成される共晶錯体、(11)アズレニウム塩
化合物等の有機半導体がある。The material used for the photoconductive layer 13 is, for example, CdS, CdTe, CdSe, ZnS, ZnSe, Ga.
Compound semiconductors such as As, GaN, GaP, GaAlAs, InP, amorphous semiconductors such as Se, SeTe, AsSe, Si, Ge, Si 1-x C x , Si 1-x Ge x , G
e 1-x C x (0 <x <1) semiconductor such as polycrystalline or amorphous semiconductor, or (1) phthalocyanine pigment (hereinafter referred to as “P
abbreviated as “c”), for example, metal-free Pc, XPc (X = Cu,
Ni, Co, TiO, Mg, Si (OH) 2, etc.), Al
ClPcCl, TiOClPcCl, InClPcC
1, InClPc, InBrPcBr, etc., (2) Azo dyes such as monoazo dyes and disazo dyes, (3) Penylene anhydrides, Penylene pigments such as penylene acid imides, (4) Indigoid dyes, (5) Quinacridone pigments, (6) Polycyclic quinones such as anthraquinones and pyrenequinones, (7) Cyanine dyes, (8) Xanthene dyes, (9) Charge transfer complexes such as PVK / TNF, (10) Formed from pyrylium salt dyes and polycarbonate resins There are organic semiconductors such as eutectic complexes and (11) azurenium salt compounds.
【0021】また、非晶質のSi、Ge、Si
1-x Cx 、Si1-x Gex 、Ge1-x Cx (以下、a−
Si、a−Ge、a−Si1-x Cx 、a−Si1-x Ge
x 、a−Ge 1-x Cx のように略す)を光導電層13に
使用する場合、水素又はハロゲン元素を含めても構わ
ず、誘電率の低減や抵抗率の増加のため酸素又は窒素を
含めても構わない。また、抵抗率の制御にはp型不純物
であるB、Al、Ga等の元素を、又はn型不純物であ
るP、As、Sb等の元素を添加しても構わない。Amorphous Si, Ge, Si
1-xCx, Si1-xGex, Ge1-xCx(Hereinafter, a-
Si, a-Ge, a-Si1-xCx, A-Si1-xGe
x, A-Ge 1-xCxAbbreviated as) to the photoconductive layer 13
When used, hydrogen or halogen elements may be included.
First, use oxygen or nitrogen to reduce the dielectric constant or increase the resistivity.
You can include it. In addition, p-type impurities are used to control the resistivity.
Is an element such as B, Al, or Ga, or is an n-type impurity.
Elements such as P, As, and Sb may be added.
【0022】このように不純物を添加した非晶質材料を
積層してp/n、p/i、i/n、p/i/n等の接合
を形成し、光導電層13内に空乏層を形成するようにし
て誘電率、暗抵抗率又は動作電圧極性を制御しても構わ
ない。このような非晶質材料だけでなく、上記の材料を
2種類以上積層してヘテロ接合を形成して光導電層13
内に空乏層を形成しても構わない。また、光導電層13
の膜厚は0.1μm〜10μmの範囲が好ましい。In this way, the amorphous materials doped with impurities are laminated to form junctions of p / n, p / i, i / n, p / i / n, etc., and the depletion layer is formed in the photoconductive layer 13. May be formed to control the dielectric constant, dark resistivity or operating voltage polarity. Not only such an amorphous material, but two or more kinds of the above materials are laminated to form a heterojunction, and the photoconductive layer 13 is formed.
A depletion layer may be formed inside. In addition, the photoconductive layer 13
The film thickness of is preferably in the range of 0.1 μm to 10 μm.
【0023】光導電層13の上には、アルミニウム、ク
ロム、チタン等の金属薄膜又は多層誘電体薄膜等の反射
層14、及び液晶を配向させるナイロン、ポリイミド等
の高分子薄膜又はSiO2 斜方蒸着膜等の配向膜16
が、画素単位に微小な形状に分割され形成されている。
特に、電気的特性の優れた配向膜として、例えば特願平
3−1145号に開示され、一般式が(化1)で示され
るポリイミドを使用することができる。On the photoconductive layer 13, a reflective layer 14 such as a metal thin film of aluminum, chromium, titanium or the like or a multilayer dielectric thin film, and a polymer thin film such as nylon or polyimide for orienting liquid crystal or SiO 2 orthorhombic. Alignment film 16 such as vapor deposition film
Are formed by being divided into minute shapes on a pixel-by-pixel basis.
In particular, as the alignment film having excellent electric characteristics, for example, polyimide disclosed in Japanese Patent Application No. 3-1145 and represented by the general formula (Formula 1) can be used.
【化1】 [Chemical 1]
【0024】反射層14の画素の間には、同一平面状に
遮光膜27が隙間無く形成されている。なお、配向膜1
5は、強誘電性液晶分子の配向を層方向と平行になるよ
うに形成されており、その厚さは1000オングストロ
ーム以下であり、特に100オングストローム以下が好
ましい。また、反射層14の厚さは100〜2000オ
ングストロームの範囲が好ましく、特に500〜150
0オングストロームの範囲が特に好ましい。Light-shielding films 27 are formed in the same plane between the pixels of the reflective layer 14 without any gap. The alignment film 1
No. 5 is formed so that the orientation of the ferroelectric liquid crystal molecules is parallel to the layer direction, and the thickness thereof is 1000 angstroms or less, and particularly preferably 100 angstroms or less. Further, the thickness of the reflective layer 14 is preferably in the range of 100 to 2000 angstroms, particularly 500 to 150 angstroms.
The range of 0 Å is particularly preferred.
【0025】強誘電性液晶層16は、分散された樹脂製
ビーズ等のスペーサ17によって、セル厚が決定され
る。特に、出力光のコントラストを高くするために、透
過型空間光変調素子の場合は、強誘電性液晶層16の厚
さは約2μmに、反射型空間光変調素子の場合は、約1
μmに設定することが好ましい。また、強誘電性液晶層
16の材料は、強誘電性液晶であるカイラルスメクティ
ックC液晶が好ましい。The cell thickness of the ferroelectric liquid crystal layer 16 is determined by the spacers 17 such as dispersed resin beads. In particular, in order to increase the contrast of output light, the thickness of the ferroelectric liquid crystal layer 16 is about 2 μm in the case of the transmissive spatial light modulator, and about 1 μm in the case of the reflective spatial light modulator.
It is preferable to set to μm. Further, the material of the ferroelectric liquid crystal layer 16 is preferably a chiral smectic C liquid crystal which is a ferroelectric liquid crystal.
【0026】同様に、ガラス等の透明絶縁性基板20の
上にも、ITOやSnOx 等の透明導電性電極19が形
成され、その上に配向膜15と同様な配向層18が全面
に渡って一様に形成される。Similarly, a transparent conductive electrode 19 such as ITO or SnO x is formed on a transparent insulating substrate 20 such as glass, and an alignment layer 18 similar to the alignment film 15 is formed on the entire surface thereof. Are formed uniformly.
【0027】次に、空間光変調素子の動作について説明
する。光導電層13が積層された基板側から入射光21
によってパターン情報が記録される。素子の反対側にお
いて、読み出し光22が偏光子23を介して照射され、
記録されたパターン情報に対応して変調された出力光2
4が検光子25を介して出力される。なお、偏光子23
と検光子25の偏光方向は直交している。Next, the operation of the spatial light modulator will be described. Incident light 21 is emitted from the substrate side on which the photoconductive layer 13 is laminated.
The pattern information is recorded by. On the opposite side of the element, the reading light 22 is emitted through the polarizer 23,
Output light 2 modulated according to the recorded pattern information
4 is output via the analyzer 25. The polarizer 23
And the polarization directions of the analyzer 25 are orthogonal to each other.
【0028】図3は、本発明の空間光変調素子の製造方
法の一実施例の工程を説明するための断面図である。 (a)工程において、ガラス基板11上にITOの透明
導電性電極12をスパッタ法により形成した後、プラズ
マCVD法によってpinダイオード構造を有するアモ
ルファスシリコン光導電層13を成膜する。その上に、
アルミニウム薄膜の反射層14を電子ビーム蒸着法によ
って形成し、次に強誘電性液晶を配向させる配向膜15
として、塗布によりポリイミド高分子の薄膜を形成す
る。FIG. 3 is a cross-sectional view for explaining the steps of one embodiment of the method for manufacturing a spatial light modulator of the present invention. In the step (a), an ITO transparent conductive electrode 12 is formed on the glass substrate 11 by a sputtering method, and then an amorphous silicon photoconductive layer 13 having a pin diode structure is formed by a plasma CVD method. in addition,
An aluminum thin film reflection layer 14 is formed by an electron beam evaporation method, and then an alignment film 15 for aligning a ferroelectric liquid crystal.
As a coating, a thin film of a polyimide polymer is formed.
【0029】(b)工程において、レジスト膜30を所
望の画素パターンに塗布して、露光形成する。なお、レ
ジスト膜30が形成された部分が画素の領域に相当し、
レジスト膜30が除去された部分が画素と画素の間の領
域となる。In step (b), the resist film 30 is applied to a desired pixel pattern and exposed. The portion where the resist film 30 is formed corresponds to the pixel region,
The portion where the resist film 30 is removed becomes a region between pixels.
【0030】(c)工程において、酸素プラズマアッシ
ャーにより画素間に位置する配向膜15を除去する。こ
の工程により、配向膜15が画素単位に分割されて、分
割配向膜15aが形成される。In step (c), the alignment film 15 located between the pixels is removed by oxygen plasma asher. Through this step, the alignment film 15 is divided into pixel units, and the divided alignment film 15a is formed.
【0031】(d)工程において、レジスト膜30を残
した状態で、画素間に位置する反射層14の一部を陽極
酸化処理することにより、画素間のアルミニウム層を絶
縁性の酸化アルミニウム層に改質させる。In step (d), the aluminum layer between the pixels is made into an insulating aluminum oxide layer by anodizing a part of the reflective layer 14 located between the pixels while leaving the resist film 30. Reform.
【0032】陽極酸化処理の一例を説明すると、(c)
工程で得られた基板全体を、例えば濃度15%の硫酸水
溶液に浸漬し、透明導電性電極12を陽極電極とし、別
に浸漬した炭素電極を陰極電極として、電流密度10m
A/cm2 の定電流電解を行なう。なお、水溶液温度は
20℃〜25℃の範囲内に安定させる。An example of the anodizing treatment will be described below. (C)
The whole substrate obtained in the step is dipped in, for example, a 15% sulfuric acid aqueous solution, the transparent conductive electrode 12 is used as an anode electrode, and the separately immersed carbon electrode is used as a cathode electrode, and the current density is 10 m.
Constant current electrolysis of A / cm 2 is performed. The aqueous solution temperature is stabilized within the range of 20 ° C to 25 ° C.
【0033】このような陽極酸化処理により、画素間の
アルミニウム層は陽極酸化アルミニウム層に改質され、
その表面には陽極酸化膜に特有の直径100オングスト
ローム以下のボアと呼ばれる微細孔が形成される。この
ボアに、ニッケルや銅等の金属を析出させることによ
り、陽極酸化膜を着色することが可能である。例えば、
硫酸ニッケル電解液の中に基板全体を浸漬して電圧印可
することにより、ニッケルがボア中に析出して着色す
る。最後に、純水の中に基板全体を30分程度浸漬させ
水和封孔する。この工程により、画素単位に分離された
アルミニウムの分離反射膜15及び画素間に位置する遮
光膜27が形成される。By such anodizing treatment, the aluminum layer between the pixels is modified into an anodized aluminum layer,
On its surface, fine holes called bores having a diameter of 100 angstroms or less, which are peculiar to the anodic oxide film, are formed. The anodized film can be colored by depositing a metal such as nickel or copper in the bore. For example,
By dipping the entire substrate in a nickel sulfate electrolytic solution and applying a voltage, nickel is deposited in the bore and colored. Finally, the whole substrate is immersed in pure water for about 30 minutes to seal the hydrate. By this step, the aluminum separating / reflecting film 15 separated in pixel units and the light shielding film 27 located between pixels are formed.
【0034】(e)工程において、レジスト膜30を除
去した後、配向膜15に配向処理を施す。なお、配向処
理する際には均一配向を得るために、高分子膜の表面を
ナイロン等の布で擦るラビング処理を施すこと好まし
い。また、配向膜15として斜方蒸着法によるSiO2
膜を用いる場合にはラビング処理の必要はない。In step (e), after removing the resist film 30, the alignment film 15 is subjected to an alignment treatment. In order to obtain uniform orientation, it is preferable to rub the surface of the polymer film with a cloth such as nylon when carrying out the orientation treatment. Further, as the alignment film 15, SiO 2 formed by the oblique vapor deposition method is used.
Rubbing is not required when using a film.
【0035】この(e)工程の後、スペーサ17を分散
させた対向側のガラス基板20と共に張り合わせること
によって、図1に示した空間光変調素子を製造すること
ができる。After the step (e), the spatial light modulator shown in FIG. 1 can be manufactured by laminating the spacers 17 together with the dispersed glass substrate 20 on the opposite side.
【0036】以下、本発明に係る空間光変調素子及びそ
の製造方法の具体的な実施例について詳説する。 (実施例1)本実施例において、図1に示した空間光変
調素子の製造について説明する。透明絶縁性基板11と
して、55mm×45mm×1.1mmのガラス基板を
用いて、その上に0.1μmの厚さのITOをスパッタ
法により成膜し、透明導電性電極12を形成した。次
に、プラズマCVD法により、2.2μm厚でp/i/
nダイオード構成のアモルファスシリコン膜を積層し
て、有効面積が35mm×35mmである光導電層13
を形成した。光導電層13の有効面積の上に、反射層1
4として電子ビーム蒸着法によりアルミニウム薄膜を1
500オングストロームの厚さで形成した。Specific examples of the spatial light modulator and the method for manufacturing the same according to the present invention will be described in detail below. (Example 1) In this example, the manufacture of the spatial light modulator shown in FIG. 1 will be described. As the transparent insulating substrate 11, a 55 mm × 45 mm × 1.1 mm glass substrate was used, and ITO having a thickness of 0.1 μm was formed thereon by a sputtering method to form the transparent conductive electrode 12. Next, by the plasma CVD method, p / i / with a thickness of 2.2 μm is formed.
Photoconductive layer 13 having an effective area of 35 mm × 35 mm, which is obtained by stacking amorphous silicon films having an n-diode structure.
Formed. The reflective layer 1 is formed on the effective area of the photoconductive layer 13.
4 as an aluminum thin film by electron beam evaporation method
It was formed to a thickness of 500 Å.
【0037】続いて、配向膜15として、ポリイミドの
前駆体であるポリアミック酸をスピナーにより反射層1
4の表面に約100オングストローム以下の厚さで塗布
し、基板全体を熱処理炉に入れて230℃、1時間の加
熱処理を施して、ポリアミック酸がイミド化することに
より、ポリイミド膜を形成した。Subsequently, as the alignment film 15, a polyamic acid, which is a precursor of polyimide, is applied to the reflective layer 1 by a spinner.
4 was applied to the surface of No. 4 in a thickness of about 100 angstroms or less, and the whole substrate was placed in a heat treatment furnace and subjected to heat treatment at 230 ° C. for 1 hour to form a polyimide film by imidizing the polyamic acid.
【0038】次に、配向膜15及び反射層14を画素単
位に分割する工程を説明する。一画素の寸法が20μm
×20μmで、画素ピッチ25μmで1000画素×1
000画素の画素パターンでレジスト膜30を塗布形成
した後、基板温度150℃に加熱して10分間の酸素プ
ラズマアッシャーによって、画素間に位置する配向膜を
除去した。Next, a process of dividing the alignment film 15 and the reflective layer 14 into pixel units will be described. The size of one pixel is 20 μm
1000 pixels x 1 with a pixel pitch of 25 μm at x 20 μm
After the resist film 30 was formed by coating with a pixel pattern of 000 pixels, the substrate was heated to 150 ° C. and the alignment film located between the pixels was removed by an oxygen plasma asher for 10 minutes.
【0039】この基板を、22℃〜24℃に安定化され
た硫酸水溶液に浸漬し、透明導電性電極12を陽極とし
て、12mA/cm2 の一定電流を20秒間通電して、
レジスト膜30が塗布されていない部分の透明導電性電
極12を酸化アルミニウム層の遮光膜27に改質した。
次に、遮光層27としての光吸収率を増加させるため、
基板全体を硫酸ニッケル液に浸漬しながら、交流10V
で定電圧電解をすることにより、陽極酸化膜表面のボア
にニッケルが析出して、遮光膜27を黒色に着色した。
その後レジスト膜30を除去した。This substrate was dipped in a sulfuric acid aqueous solution stabilized at 22 ° C. to 24 ° C., a constant current of 12 mA / cm 2 was applied for 20 seconds using the transparent conductive electrode 12 as an anode,
The portion of the transparent conductive electrode 12 not coated with the resist film 30 was modified into a light shielding film 27 of an aluminum oxide layer.
Next, in order to increase the light absorption rate of the light shielding layer 27,
While immersing the whole substrate in nickel sulfate solution, AC 10V
By conducting constant voltage electrolysis with, nickel was deposited in the bore on the surface of the anodic oxide film, and the light shielding film 27 was colored black.
After that, the resist film 30 was removed.
【0040】一方、対向側の透明絶縁性基板20として
透明絶縁性基板11と同様なガラス基板を用いて、その
上に透明導電性電極12と同様にITOの透明導電性電
極19を形成した。更に、配向膜15と同様にポリイミ
ド膜の配向膜18を積層し、その表面をナイロン布で一
定方向に擦ることにより配向処理を行った。On the other hand, as the transparent insulating substrate 20 on the opposite side, a glass substrate similar to the transparent insulating substrate 11 was used, and an ITO transparent conductive electrode 19 similar to the transparent conductive electrode 12 was formed thereon. Further, an alignment film 18 made of a polyimide film was laminated in the same manner as the alignment film 15, and the surface was rubbed with a nylon cloth in a certain direction to perform an alignment treatment.
【0041】次に、強誘電性液晶層16の形成について
説明する。厚さが約1μmの強誘電性液晶層を実現する
ため、片側の基板の配向膜15の表面に、イソプロピル
アルコール中に分散させた直径1μmのビーズをスプレ
ーによって撒いた後、透明絶縁性基板11、20の周囲
にUV硬化樹脂を塗布しお互いに接着させることにより
液晶セルを作製した。この液晶セルの中に真空中で強誘
電液晶(商品名「ZLI−3654」、メルク社製)を
注入した後、均一配向を得るために強誘電液晶の相転移
温度(62℃)以上の温度に加熱し、1℃/分以下の徐
冷速度で室温にもどし再配向させた。Next, the formation of the ferroelectric liquid crystal layer 16 will be described. In order to realize a ferroelectric liquid crystal layer having a thickness of about 1 μm, beads having a diameter of 1 μm dispersed in isopropyl alcohol are sprayed on the surface of the alignment film 15 on one side of the substrate, and then the transparent insulating substrate 11 is formed. , 20 was coated with a UV curable resin and adhered to each other to prepare a liquid crystal cell. After injecting a ferroelectric liquid crystal (trade name "ZLI-3654", manufactured by Merck & Co., Inc.) into this liquid crystal cell in a vacuum, a temperature higher than the phase transition temperature (62 ° C) of the ferroelectric liquid crystal in order to obtain uniform alignment. Then, the film was returned to room temperature at a slow cooling rate of 1 ° C./minute or less and reoriented.
【0042】次に、得られた空間光変調素子の特性評価
について説明する。空間光変調素子1の透明導電性電極
12と透明導電性電極19の間に交流電圧を印加した状
態で、入射光21に白色光を用いて動作を確認したとこ
ろ、その結果、入射光強度に対する出力光強度の比は、
偏光子23、検光子25の光量損失分を除外すると80
%〜90%と非常に大きく、更に入射光強度が数μW/
cm 2 以上あれば、出力光の立ち上がりが観測され、入
射光強度が小さくても十分動作することが確認できた。Next, characteristic evaluation of the obtained spatial light modulator
Will be described. Transparent conductive electrode of spatial light modulator 1
AC voltage is applied between 12 and the transparent conductive electrode 19.
In this state, the operation was confirmed by using white light as the incident light 21.
As a result, the ratio of output light intensity to incident light intensity is
If the light amount loss of the polarizer 23 and the analyzer 25 is excluded, it is 80
% To 90%, and the incident light intensity is several μW /
cm 2If it is above, the rising of the output light is observed,
It was confirmed that the operation is sufficient even if the light intensity is small.
【0043】図4は、一定電圧下で入射光強度に対する
出力光強度の変化を示すグラフである。グラフを見る
と、低光照度領域で中間調の出力が可能なため、連続的
な階調を有する投写型ディスプレイとして空間光変調素
子を使用できることを理解される。なお、連続駆動をし
てもこの光入出力特性は変化せず、また、駆動を止めた
後のメモリー状態も安定で、少なくとも1ケ月以上保持
することを確認した。出力光のコントラスト比も25
0:1以上と良好であり、漏れ光が少なく遮光性能が良
い空間光変調素子を得ることができた。FIG. 4 is a graph showing changes in output light intensity with respect to incident light intensity under a constant voltage. From the graph, it is understood that the spatial light modulator can be used as a projection display having continuous gray scales because halftone output is possible in a low light illuminance region. It was confirmed that the optical input / output characteristics did not change even after continuous driving, and the memory state after the driving was stable was maintained for at least one month or more. The output light contrast ratio is also 25
The spatial light modulator having a good value of 0: 1 or more and having a small amount of leaked light and a good light shielding performance could be obtained.
【0044】次に、得られた空間光変調素子の特性評価
について説明する。図7は、空間光変調素子の評価に用
いた投写型ディスプレイ装置の概略構成図である。空間
光変調素子1に光書き込みを行う手段として、縦が48
0画素、横が650画素の分解能を有するCRTディス
プレイ43を用いた。読み出し光は、メタルハライドラ
ンプの光源40から出射して、コンデンサーレンズ41
により集光され、偏光ビームスプリッタ42を介して空
間光変調素子1に照射される。出力像は、偏光ビームス
プリッタ42で反射されて、レンズ44で拡大されスク
リーン45に結像される。CRTディスプレイ43の画
面上の各画素が、空間光変調素子1の分割された画素内
に書き込まれると、スクリーン45では四角形状の画素
に変換される。Next, the characteristic evaluation of the obtained spatial light modulator will be described. FIG. 7 is a schematic configuration diagram of a projection display device used for evaluation of the spatial light modulator. As a means for performing optical writing to the spatial light modulator 1, the vertical is 48
A CRT display 43 having a resolution of 0 pixels and a width of 650 pixels was used. The readout light is emitted from the light source 40 of the metal halide lamp, and the condenser lens 41
The light is condensed by the laser beam and is irradiated onto the spatial light modulator 1 via the polarization beam splitter 42. The output image is reflected by the polarization beam splitter 42, enlarged by the lens 44, and formed on the screen 45. When each pixel on the screen of the CRT display 43 is written in the divided pixels of the spatial light modulator 1, the pixels are converted into rectangular pixels on the screen 45.
【0045】その結果、開口率が80%と大きく、且つ
100インチ相当の大きさに拡大した像はスクリーン4
5上で2000ルーメンの照度を持つ明るい画像が得ら
れる。更に、画像のコントラストは250:1、解像度
は縦方向650本TVライン数が確認された。このこと
は、空間光変調素子1において50(lp/mm)の解
像度を有することを意味する。As a result, an image having a large aperture ratio of 80% and enlarged to a size of 100 inches is displayed on the screen 4.
5 gives a bright image with an illuminance of 2000 lumens. Further, it was confirmed that the image contrast was 250: 1 and the resolution was 650 TV lines in the vertical direction. This means that the spatial light modulator 1 has a resolution of 50 (lp / mm).
【0046】また、動画像を出力したところビデオレー
トの動きに対して残像が無く、鮮明な高輝度画像が得ら
れた。また、カラー画像を得るため、RGBの3原色に
対応したCRTディスプレイ43と空間光変調素子1の
組み合わせを3組用意して、スクリーン上で合成するこ
とにより、良好なカラー映像がきめ細かく再現され、し
かも画素間の領域における漏れ光は殆ど無く、画素領域
における最大照度に対して1/104 以下の遮光性能の
ものが得られた。When a moving image was output, there was no afterimage with respect to the movement of the video rate, and a clear high-luminance image was obtained. Further, in order to obtain a color image, three sets of combinations of the CRT display 43 corresponding to the three primary colors of RGB and the spatial light modulation element 1 are prepared and synthesized on the screen, so that a good color image is finely reproduced, Moreover, there was almost no leakage light in the area between pixels, and a light blocking performance of 1/10 4 or less of the maximum illuminance in the pixel area was obtained.
【0047】次に、空間光変調素子をホログラフィーテ
レビジョン装置として特性評価した結果を説明する。図
8は、空間光変調素子の評価に用いたホログラフィーテ
レビジョン装置の概略構成図である。実施例2で示した
空間光変調素子に光書き込みを行う手段として、He−
Neレーザ51からのコヒーレント光がハーフミラー5
2で分割されて、一方の光束がレンズ56を介して被写
体50を通ってCCD58に照射され、他方の光束がレ
ンズ54、55からなるビームエキスパンダを通り、ハ
ーフミラー57を介してCCD58に参照光として照射
され、CCD58の撮像面上に干渉縞パターンが形成さ
れる。干渉縞パターンの画像データは電気信号に変換さ
れ、CRT65に転送され再生される。Next, the results of characteristic evaluation of the spatial light modulator as a holographic television device will be described. FIG. 8 is a schematic configuration diagram of a holographic television device used for evaluation of the spatial light modulator. As means for performing optical writing to the spatial light modulator shown in Example 2, He-
The coherent light from the Ne laser 51 is reflected by the half mirror 5.
The light beam is split into two, and one light beam is emitted to the CCD 58 through the subject 50 through the lens 56, and the other light beam passes through the beam expander including the lenses 54 and 55, and is referred to the CCD 58 through the half mirror 57. It is irradiated as light, and an interference fringe pattern is formed on the image pickup surface of the CCD 58. The image data of the interference fringe pattern is converted into an electric signal, transferred to the CRT 65 and reproduced.
【0048】CRT65の画面上で再生された干渉縞パ
ターンの画像データは、レンズ66により空間光変調素
子1に光書き込みされ記録される。なお、空間光変調素
子1の画素パターンは8μm角の画素が10μmピッチ
で3200×3200=約107 画素のものを使用し
た。The image data of the interference fringe pattern reproduced on the screen of the CRT 65 is optically written and recorded in the spatial light modulator 1 by the lens 66. The spatial light modulator 1 has a pixel pattern of 8 μm square pixels having a pitch of 10 μm and 3200 × 3200 = about 10 7 pixels.
【0049】画像の読み出しは、He−Neレーザ61
からのコヒーレント光がレンズ62、63からなるビー
ムエキスパンダを通り、偏光ビームスプリッタ64を介
して空間光変調素子1に照射され、変調された出力光が
偏光ビームスプリッタ64を通過してレンズ67によ
り、反射モードによる立体像を肉眼68で観察される。The He-Ne laser 61 is used to read out the image.
The coherent light from the laser beam passes through the beam expander composed of the lenses 62 and 63, is irradiated onto the spatial light modulation element 1 via the polarization beam splitter 64, and the modulated output light passes through the polarization beam splitter 64 and passes through the lens 67. , A stereoscopic image in the reflection mode is observed with the naked eye 68.
【0050】その結果、実時間表示される立体画像を再
生することができ、被写体50の動きを実時間ホログラ
ムで観察することができた。また、開口率は64%で、
画像のコントラストは200:1、解像度は100ライ
ン/mmの各性能が確認された。As a result, the stereoscopic image displayed in real time can be reproduced and the movement of the subject 50 can be observed by the real time hologram. The aperture ratio is 64%,
It was confirmed that the image contrast was 200: 1 and the resolution was 100 lines / mm.
【0051】[0051]
【発明の効果】以上詳説したように、本発明の空間光変
調素子は、少なくとも光導電層、反射層及び強誘電性液
晶層を備えた空間光変調素子であって、反射層が画素単
位に分離して形成されており、且つ反射層の画素の間に
遮光膜が形成されていることにより、入射光と出力光と
のクロストークをほぼ完全に防止することができるた
め、コントラストが高く且つ解像度の高い画像を記録し
表示することができる。As described in detail above, the spatial light modulator of the present invention is a spatial light modulator including at least a photoconductive layer, a reflective layer, and a ferroelectric liquid crystal layer, and the reflective layer is provided for each pixel. Since the light-shielding film is formed separately between the pixels of the reflective layer, crosstalk between the incident light and the output light can be almost completely prevented, so that the contrast is high and Images with high resolution can be recorded and displayed.
【0052】また、反射層がアルミニウム金属薄膜であ
り、且つ遮光膜が酸化アルミニウムを含んだ膜であるこ
とにより、反射層の光反射率が高くなると共に、しかも
陽極酸化法等の金属酸化処理により、遮光膜を反射層と
同一平面上に隙間無く容易に形成することができるた
め、製造コストが安価な空間光変調素子を得ることがで
きる。Further, since the reflection layer is an aluminum metal thin film and the light-shielding film is a film containing aluminum oxide, the light reflectance of the reflection layer is high and, moreover, metal oxidation treatment such as anodic oxidation is used. Since the light-shielding film can be easily formed on the same plane as the reflective layer without a gap, it is possible to obtain a spatial light modulator having a low manufacturing cost.
【0053】また、遮光膜が酸化アルミニウムを含んだ
膜であって、その表面に金属が析出されていることによ
り、遮光膜が着色して光吸収率が向上し、遮光膜の遮光
性能が良好となるため、コントラストがより高い画像が
得られる。Further, since the light-shielding film is a film containing aluminum oxide and the metal is deposited on the surface of the film, the light-shielding film is colored and the light absorption rate is improved, and the light-shielding performance of the light-shielding film is good. Therefore, an image with higher contrast can be obtained.
【0054】また、本発明の空間光変調素子の製造方法
は、光導電層の上に一様に金属反射層を形成し、更に金
属反射層の上に一様に配向膜を成膜した後、配向膜の上
にレジスト膜を画素パターンに成膜し、続いて画素の間
に位置する配向膜を除去し、次に陽極酸化法を用いて、
画素の間に位置する金属反射層を酸化絶縁層に変化させ
て遮光膜を形成し、その後レジスト膜を除去することに
より、配向膜の画素パターンと反射層の画素パターンが
ほぼ完全に一致し、更に反射層及び遮光膜が同一平面上
に隙間無く形成されるため、入射光と出力光とクロスト
ークが少なく、高コントラストの空間光変調素子を容易
に得ることができる。Further, in the method for manufacturing a spatial light modulator of the present invention, after the metal reflective layer is uniformly formed on the photoconductive layer, the alignment film is uniformly formed on the metal reflective layer. , Forming a resist film on the alignment film in a pixel pattern, subsequently removing the alignment film located between the pixels, and then using an anodic oxidation method,
By changing the metal reflective layer located between the pixels to an oxide insulating layer to form a light-shielding film, and then removing the resist film, the pixel pattern of the alignment film and the pixel pattern of the reflective layer almost completely match, Furthermore, since the reflective layer and the light-shielding film are formed on the same plane without a gap, crosstalk between the incident light and the output light is small, and a spatial light modulator with high contrast can be easily obtained.
【図1】本発明の空間光変調素子の一実施例の断面図で
ある。FIG. 1 is a sectional view of an embodiment of a spatial light modulator of the present invention.
【図2】本発明の空間光変調素子の製造方法の一実施例
の工程を説明するための断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining a process of an embodiment of the method for manufacturing the spatial light modulator of the present invention.
【図3】本発明の空間光変調素子の入射光強度に対する
出力光強度の変化を示すグラフである。FIG. 3 is a graph showing changes in output light intensity with respect to incident light intensity of the spatial light modulator of the present invention.
【図4】空間光変調素子の評価に用いた投写型ディスプ
レイ装置の概略構成図である。FIG. 4 is a schematic configuration diagram of a projection display device used for evaluation of a spatial light modulator.
【図5】空間光変調素子の評価に用いたホログラフィー
テレビジョン装置の概略構成図である。FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a holographic television device used for evaluation of a spatial light modulator.
1 空間光変調素子 11、20 透明絶縁性基板 12、19 透明導電性電極 13 光導電層 14 反射層 14a 分離反射層 15、18 配向膜 15a 分割配向膜 16 強誘電性液晶層 17 スペーサ 21 入射光 22 読み出し光 23 偏光子 24 出力光 25 検光子 27 遮光膜 30 レジスト膜 40 光源 41 コンデンサーレンズ 42 偏光ビームスプリッタ 43 CRTディスプレイ 44 レンズ 45 スクリーン 51、61 He−Neレーザ 52、57 ハーフミラー 53 ミラー 54、55、56、62、63、66、67 レンズ 58 CCD 64 偏光ビームスプリッタ 65 CRT 68 肉眼 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Spatial light modulator 11, 20 Transparent insulating substrate 12, 19 Transparent conductive electrode 13 Photoconductive layer 14 Reflection layer 14a Separation reflection layer 15, 18 Alignment film 15a Divided alignment film 16 Ferroelectric liquid crystal layer 17 Spacer 21 Incident light 22 Read-out light 23 Polarizer 24 Output light 25 Analyzer 27 Light-shielding film 30 Resist film 40 Light source 41 Condenser lens 42 Polarizing beam splitter 43 CRT display 44 Lens 45 Screen 51, 61 He-Ne laser 52, 57 Half mirror 53 Mirror 54, 55, 56, 62, 63, 66, 67 lens 58 CCD 64 polarizing beam splitter 65 CRT 68 naked eye
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藏富 靖規 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 小川 久仁 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Yasuki Zutomi, 1006 Kadoma, Kadoma, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (72) Kuni Ogawa, 1006 Kadoma, Kadoma City, Osaka Matsushita Electric Industrial
Claims (4)
性液晶層を備えた空間光変調素子であって、前記反射層
が画素単位に分離して形成されており、且つ前記反射層
の画素の間に遮光膜が形成されていることを特徴とする
空間光変調素子。1. A spatial light modulator comprising at least a photoconductive layer, a reflective layer and a ferroelectric liquid crystal layer, wherein the reflective layer is formed separately for each pixel, and the pixel of the reflective layer is formed. A spatial light modulator comprising a light-shielding film formed between the two.
且つ遮光膜が酸化アルミニウムを含んだ膜である請求項
1に記載の空間光変調素子。2. The reflective layer is an aluminum metal thin film,
The spatial light modulator according to claim 1, wherein the light shielding film is a film containing aluminum oxide.
あって、その表面に金属が析出されている請求項2に記
載の空間光変調素子。3. The spatial light modulator according to claim 2, wherein the light-shielding film is a film containing aluminum oxide, and a metal is deposited on the surface thereof.
し、更に前記金属反射層の上に一様に配向膜を成膜した
後、前記配向膜の上にレジスト膜を画素パターンに成膜
し、続いて画素の間に位置する配向膜を除去し、次に陽
極酸化法を用いて、画素の間に位置する前記金属反射層
を酸化絶縁層に変化させて遮光膜を形成し、その後前記
レジスト膜を除去することを特徴とする空間光変調素子
の製造方法。4. A metal reflective layer is uniformly formed on the photoconductive layer, an alignment film is uniformly formed on the metal reflective layer, and a resist film is formed on the alignment film to form pixels. Then, the alignment film located between the pixels is removed, and then the metal reflection layer located between the pixels is changed to an oxide insulating layer by using an anodic oxidation method to form a light shielding film. A method for manufacturing a spatial light modulator, which comprises forming and then removing the resist film.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34452291A JPH05173172A (en) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | Spatial optical modulating element and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34452291A JPH05173172A (en) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | Spatial optical modulating element and its manufacture |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05173172A true JPH05173172A (en) | 1993-07-13 |
Family
ID=18369928
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34452291A Pending JPH05173172A (en) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | Spatial optical modulating element and its manufacture |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05173172A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001066628A (en) * | 1999-08-25 | 2001-03-16 | Stanley Electric Co Ltd | Switching element of optical address system |
US7538482B2 (en) * | 2005-10-25 | 2009-05-26 | Au Optronics Corp. | Flat display panel and black matrix thereof |
-
1991
- 1991-12-26 JP JP34452291A patent/JPH05173172A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001066628A (en) * | 1999-08-25 | 2001-03-16 | Stanley Electric Co Ltd | Switching element of optical address system |
US7538482B2 (en) * | 2005-10-25 | 2009-05-26 | Au Optronics Corp. | Flat display panel and black matrix thereof |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2808380B2 (en) | Driving method of spatial light modulator | |
US5384649A (en) | Liquid crystal spatial light modulator with electrically isolated reflecting films connected to electrically isolated pixel portions of photo conductor | |
JPH05173172A (en) | Spatial optical modulating element and its manufacture | |
US5781267A (en) | Anti-ferroelectric liquid crystal with black display in one frame, white in other and ratio giving grey scale | |
JP3070252B2 (en) | Spatial light modulation element and display device | |
JPH05173170A (en) | Spatial optical modulating element and its manufacture | |
JPH0784267A (en) | Liquid crystal display element and spatial light modulating element | |
JP3070248B2 (en) | Spatial light modulator and method of manufacturing the same | |
JPH05333368A (en) | Space optical modulating element and its production | |
JPH05323358A (en) | Space optical modulating element and its production | |
JPH05173174A (en) | Spatial optical modulating element | |
JPH05333366A (en) | Space optical modulating element | |
JP2857274B2 (en) | Spatial light modulator and method of manufacturing the same | |
JPH06258657A (en) | Spatial optical modulation element and its production | |
JPH06347819A (en) | Spatial optical modulation element | |
JPH05173173A (en) | Production of spatial optical modulating element | |
JPH05196959A (en) | Liquid crystal display device | |
JPH06273793A (en) | Space optical modulation element and its production as well as projection type display device | |
JPH06301051A (en) | Spatial optical modulation element | |
JPH08122811A (en) | Space light modulating element and its manufacture | |
JPH07140483A (en) | Spatial optical modulation element | |
JPH0643481A (en) | Space optical modulating element | |
JP2698756B2 (en) | Manufacturing method of liquid crystal display element | |
JPH0822021A (en) | Spatial optical modulation element and liquid crystal display device | |
JPH08152649A (en) | Spatial optical modulation element |