JPH05173173A - Production of spatial optical modulating element - Google Patents

Production of spatial optical modulating element

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JPH05173173A
JPH05173173A JP34147091A JP34147091A JPH05173173A JP H05173173 A JPH05173173 A JP H05173173A JP 34147091 A JP34147091 A JP 34147091A JP 34147091 A JP34147091 A JP 34147091A JP H05173173 A JPH05173173 A JP H05173173A
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JP
Japan
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film
liquid crystal
polyamic acid
spatial light
layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP34147091A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Junko Asayama
純子 朝山
Akio Takimoto
昭雄 滝本
Koji Akiyama
浩二 秋山
Yasunori Kuratomi
靖規 蔵富
Kuni Ogawa
久仁 小川
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication of JPH05173173A publication Critical patent/JPH05173173A/en
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Abstract

PURPOSE:To minimize the orientation energy of a ferroelectric liquid crystal and to form picture elements having high resolution and high density by separat ing an oriented film and a reflection layer on the lower side thereof by each picture element by using a resist. CONSTITUTION:Transparent electrodes 2, photoconductive layers (3 to 5) and the reflection layer 6 are formed on a glass substrate 1 and polyamic acid 6 is applied thereon. The adhesion to the reflection layer is previously increased by controlling the imidization rate at about 80 to 200 deg.C. the resist 14 is then applied in picture element units and the reflection layer 6 serving as a reflection surface is formed as micropicture elements by an etchant, etc., to constitute the structure having polyimide thin films 7 of high-polymer films for orienting the liquid crystal layer only on the micropicture elements of the reflection layer 6.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、投写型ディスプレイ、
ホログラフィーテレビジョンあるいは光演算装置などに
用いられる空間光変調素子及びその製造方法に関するも
のである。
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a projection display,
The present invention relates to a spatial light modulator used in a holographic television or an optical arithmetic unit, and a manufacturing method thereof.

【0002】[0002]

【従来技術】大画面、高密度画素からなる高品位テレビ
が様々な方式で開発され実用化されている。中でも従来
のブラウン管方式に変わって液晶技術を使った投写型デ
ィスプレイの開発が盛んである。ブラウン管方式である
と高密度画素に対して画面の輝度が低下し暗くなる。叉
ブラウン管自身、大型化が困難である。トランジスタ駆
動方式の液晶素子による投写型ディスプレイ装置は有力
な方法ではあるが、開口率が大きくならないこと、素子
が高価であることが欠点として上げられている。一方C
RTを入力装置として液晶ライトバルブと組み合わせた
方式は従来より素子形状が簡単で且つCRTと液晶素子
の利点を組み合わせた装置として注目されている(特開
昭63−109422号公報)。近年は高感度な受光層
アモルファスシリコン材料と、液晶を組合せ100イン
チ以上の大画面で動画像を映し出すことが可能となっ
た。また液晶材料も高速応答可能な強誘電性液晶を用い
て、より高解像度な液晶ライトバルブができるようにな
った。この素子は強誘電性液晶の持つメモリー性と2値
化特性を使い次世代の並列演算装置、光コンピューティ
ング装置の核としても期待されている。
2. Description of the Related Art High-definition televisions having large screens and high-density pixels have been developed and put into practical use in various systems. In particular, the development of projection-type displays using liquid crystal technology has been active in place of the conventional CRT method. With the cathode ray tube method, the screen brightness becomes lower and the screen becomes darker for high density pixels. Also, it is difficult to increase the size of the cathode ray tube itself. Although a projection type display device using a liquid crystal element of a transistor drive system is a promising method, it is disadvantageous in that the aperture ratio does not increase and the element is expensive. On the other hand, C
The system in which an RT is used as an input device in combination with a liquid crystal light valve has been attracting attention as a device that has a simpler element shape and combines the advantages of a CRT and a liquid crystal element (JP-A-63-109422). In recent years, it has become possible to project moving images on a large screen of 100 inches or more by combining a highly sensitive light-receiving layer amorphous silicon material and liquid crystal. Moreover, liquid crystal light valves with higher resolution have become possible by using ferroelectric liquid crystals that can respond at high speed. This device is expected to be the core of the next-generation parallel computing device and optical computing device by utilizing the memory property and the binarization property of the ferroelectric liquid crystal.

【0003】また3次元立体動画映像を眼鏡なしに見る
ことのできる装置としてホログラフィーテレビジョンが
注目されている。特に書換え可能なホログラム記録媒体
として液晶表示素子が期待されている。現在のトランジ
スタ駆動方式の液晶素子の解像度は12〜25lp/m
mであり、今後200lp/mmが実現されることが望
まれている。
A holographic television is attracting attention as a device that allows a user to view a three-dimensional stereoscopic moving image without glasses. In particular, a liquid crystal display element is expected as a rewritable hologram recording medium. Current transistor drive type liquid crystal devices have a resolution of 12-25 lp / m.
m, and it is hoped that 200 lp / mm will be realized in the future.

【0004】液晶層と光導電層からなる空間光変調素子
において、その液晶を配向させるための配向膜は通常平
面内に均一に成膜されるものである。一方液晶層と光導
電層からなる空間光変調素子あるいは液晶ライトバルブ
に於て、両層の界面に微小電極を設ける従来例として特
開昭62−40430号公報、同62−169120号
公報がある。微小電極は多層誘電体薄膜の反射層にたい
して製造が容易であることと、入射角度依存性の無いこ
と及び反射能が高いことが上げられる。
In a spatial light modulator comprising a liquid crystal layer and a photoconductive layer, an alignment film for aligning the liquid crystal is usually formed uniformly in a plane. On the other hand, in a spatial light modulator or a liquid crystal light valve including a liquid crystal layer and a photoconductive layer, there are JP-A-62-40430 and JP-A-62-169120 as conventional examples in which minute electrodes are provided at the interface between both layers. .. The microelectrodes are easy to manufacture with respect to the reflective layer of the multilayer dielectric thin film, have no dependency on the incident angle, and have high reflectivity.

【0005】表示素子或は光演算素子にとって、より多
数の情報を扱う素子が必要になる場合、その情報を高密
度に表示することが重要となる。強誘電性液晶層と光導
電層らなる光書き込み型空間光変調素子の解像度は数十
〜百数十lp/mmとなることが報告されている(応用
物理学会予稿集、1990年,26a-H-9)。
When a display element or an optical operation element needs an element capable of handling a larger amount of information, it is important to display the information in high density. It has been reported that the resolution of a photo-writing type spatial light modulator consisting of a ferroelectric liquid crystal layer and a photoconductive layer can be several tens to one hundred and several tens of lp / mm (Proceedings of the Japan Society of Applied Physics, 1990, 26a-). H-9).

【0006】ところで強誘電性液晶の配向膜としては、
ナイロン、ポリイミド等の塗布で成膜される高分子薄
膜、またはSiO2 の蒸着膜などが使用されている。前
記ポリイミド膜の微細加工にはメタルシャドーマスクを
使っての反応性イオンエッチング法がミクロンオーダー
の微細加工にとって良好であることが報告されている。
By the way, as an alignment film for a ferroelectric liquid crystal,
A polymer thin film formed by coating nylon, polyimide or the like, or a vapor deposited film of SiO 2 is used. It has been reported that for the fine processing of the polyimide film, the reactive ion etching method using a metal shadow mask is suitable for the fine processing of the micron order.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来技術
におけるポリイミド配向膜を用いた場合、微小分割加工
するために用いるレジスト材料は、ポリイミド同様の有
機物であるため、膜厚をポリイミド膜厚に対して極端に
増加させなければならないという不都合があった。この
ため、レジストの解像度から膜厚は制限され、結果的に
は簡単なプロセスではポリイミド配向膜の微細加工は困
難であった。
However, when the polyimide alignment film in the prior art is used, the resist material used for fine division processing is an organic substance similar to that of polyimide, and therefore the film thickness is extremely large with respect to the polyimide film thickness. There was an inconvenience that it had to be increased. Therefore, the film thickness is limited by the resolution of the resist, and as a result, it is difficult to finely process the polyimide alignment film by a simple process.

【0008】また前記した従来の空間光変調素子構造の
延長では、高密度化に伴う界面エネルギーの増加の抑制
は困難であり、表示素子における限界解像度を上げるこ
とは困難である。
Further, it is difficult to suppress the increase in interface energy due to the increase in density and increase the limit resolution in the display element by extending the structure of the conventional spatial light modulator described above.

【0009】本発明は前記した従来技術の問題を解決す
るため、ポリイミド配向膜を用いた場合であっても微小
加工が可能であり、その結果、解像度の優れた空間光変
調素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
In order to solve the above-mentioned problems of the prior art, the present invention enables microfabrication even when a polyimide alignment film is used, and as a result, a spatial light modulator having excellent resolution and a method of manufacturing the same. The purpose is to provide.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の空間光変調素子の製造方法は、一方の基板
に少なくとも透明電極と光導電層と反射層と配向膜を備
え、他方の基板に少なくとも透明電極と配向膜を備え、
前記基板間に強誘電性液晶を封入した空間光変調素子の
製造方法であって、前記一方の基板側に一様に成膜され
た反射層上にポリイミドの前駆体であるポリアミック酸
高分子を一様に塗布して薄膜形成した後、画素単位に分
離し、次いでその下部に位置する前記反射層を前記ポリ
アミック酸高分子膜と同一形状の画素単位に分離し、し
かる後加熱して前記ポリアミック酸高分子薄膜をポリイ
ミド薄膜とすることを特徴とする。
In order to achieve the above object, a method of manufacturing a spatial light modulator of the present invention comprises at least a transparent electrode, a photoconductive layer, a reflective layer and an alignment film on one substrate, and the other substrate. The substrate is provided with at least a transparent electrode and an alignment film,
A method for manufacturing a spatial light modulator in which a ferroelectric liquid crystal is sealed between the substrates, wherein a polyamic acid polymer that is a polyimide precursor is formed on a reflective layer that is uniformly formed on the one substrate side. After being uniformly applied to form a thin film, it is separated into pixel units, and then the reflection layer located thereunder is separated into pixel units having the same shape as the polyamic acid polymer film, and then heated to form the polyamic acid. The acid polymer thin film is a polyimide thin film.

【0011】前記構成においては、ポリアミック酸高分
子を塗布し、80℃以上200℃以下の所定の温度で加
熱前処理した後、微小形状に分割することが好ましい。
In the above constitution, it is preferable that the polyamic acid polymer is applied, preheated at a predetermined temperature of 80 ° C. or higher and 200 ° C. or lower, and then divided into fine shapes.

【0012】[0012]

【作用】前記した本発明の空間光変調素子の製造方法の
構成によれば、一方の基板側に一様に成膜された反射層
上にポリイミドの前駆体であるポリアミック酸高分子を
一様に塗布して薄膜形成した後、微小形状に分割された
画素に分離し、次いでその下部に位置する前記反射層を
前記ポリアミック酸高分子膜と同一形状の微小画素に分
割し、しかる後加熱して前記ポリアミック酸高分子薄膜
をポリイミド薄膜に形成するので、各画素に相当する微
小形状部分以外の配向膜を除去することによって、強誘
電性液晶の配向エネルギーの最小化を図り、高密度な画
像形成を実現することができる。
According to the structure of the method for manufacturing a spatial light modulator of the present invention described above, a polyamic acid polymer, which is a precursor of polyimide, is uniformly deposited on a reflective layer uniformly formed on one substrate side. After coating to form a thin film, it is divided into pixels divided into minute shapes, and then the reflection layer located thereunder is divided into minute pixels of the same shape as the polyamic acid polymer film, and then heated. Since the polyamic acid polymer thin film is formed as a polyimide thin film by removing the alignment film other than the micro-shaped portion corresponding to each pixel, the alignment energy of the ferroelectric liquid crystal is minimized to obtain a high density image. The formation can be realized.

【0013】また、反射層が画素単位に分割されてお
り、且つ反射層の画素が配向膜の画素に対して同一又は
狭い領域に形成されていることにより、画素間領域から
の光反射が減少するため、画素のにじみやぼけを防ぎ、
画像のコントラスト及び解像度を向上させることができ
る。
Further, since the reflective layer is divided into pixels and the pixels of the reflective layer are formed in the same or narrower area than the pixels of the alignment film, light reflection from the inter-pixel area is reduced. To prevent blurring and blurring of pixels,
The contrast and resolution of the image can be improved.

【0014】また、画素単位に分割された反射層が金属
薄膜であることにより、光反射率が高くなると共に反射
層を容易に形成することができるため、空間光変調素子
の製造コストを低減することができる。
Further, since the reflective layer divided into pixel units is a metal thin film, the light reflectance is high and the reflective layer can be easily formed, so that the manufacturing cost of the spatial light modulator is reduced. be able to.

【0015】また、本発明の空間光変調素子の製造方法
は、配向膜の画素パターンと反射層の画素パターンをほ
ぼ完全に一致させることが容易に実現できるため、製造
上の歩留まりが向上して、製造コストのを低減化を図る
ことができる。
Further, according to the method of manufacturing a spatial light modulator of the present invention, it is easy to realize that the pixel pattern of the alignment film and the pixel pattern of the reflective layer are substantially completely matched with each other, so that the manufacturing yield is improved. Therefore, the manufacturing cost can be reduced.

【0016】また、ポリアミック酸高分子を塗布し、8
0℃以上200℃以下の所定の温度で加熱前処理した
後、微小形状に分割するという本発明の好ましい構成に
よれば、イミド化率を容易に制御でき、反射層との密着
性を変化させることが可能である。即ちイミド化率の増
加で膜は調密で密着度の高い膜となる。これによってレ
ジスト除去の工程で膜剥離の発生を押さえることができ
る。
Further, a polyamic acid polymer is applied, and 8
According to the preferable configuration of the present invention in which the pretreatment is performed at a predetermined temperature of 0 ° C. or higher and 200 ° C. or lower and then divided into minute shapes, the imidization ratio can be easily controlled and the adhesion with the reflective layer can be changed. It is possible. That is, the film becomes dense and has high adhesion due to the increase in the imidization ratio. This can suppress the occurrence of film peeling in the resist removing step.

【0017】[0017]

【実施例】以下実施例を用いて本発明をさらに具体的に
説明する。本発明においてポリイミドとは、主鎖にイミ
ド結合を有するポリマー総称をいう。たとえばピロメリ
ット酸とジアミノジフェニルチオエーテル(ジアミノジ
フェニルエーテルでも良い)との縮合型熱硬化性ポリイ
ミド、付加型熱硬化性ポリイミド、あるいは任意の単量
体との共重合体(たとえばポリイミドアミド)も使用で
きる。
The present invention will be described in more detail with reference to the following examples. In the present invention, the polyimide is a general term for polymers having an imide bond in the main chain. For example, a condensation type thermosetting polyimide of pyromellitic acid and diaminodiphenyl thioether (or diaminodiphenyl ether may be used), an addition type thermosetting polyimide, or a copolymer with an arbitrary monomer (for example, polyimide amide) can be used.

【0018】一例として下記に示す一般式(化2)で表
わせられるポリイミドは、その前駆体である一般式(化
1)のポリアミック酸高分子の加熱等による縮合脱水反
応でイミド化されて合成される。
As an example, the polyimide represented by the general formula (Formula 2) shown below is synthesized by imidizing the precursor polyamic acid polymer of the general formula (Formula 1) by condensation dehydration reaction by heating or the like. It

【0019】[0019]

【化1】 [Chemical 1]

【0020】(但しR1 ,R2 は芳香族基、脂環族基ま
たは脂肪族基であり、nは重合度を示す。)
(Wherein R 1 and R 2 are aromatic groups, alicyclic groups or aliphatic groups, and n represents the degree of polymerization).

【0021】[0021]

【化2】 [Chemical 2]

【0022】(但しR1 ,R2 は芳香族基、脂環族基ま
たは脂肪族基であり、nは重合度を示す。)このポリイ
ミド前駆体のポリアミック酸高分子を図2に示す様に素
子構造の光導電層−反射層の表面に塗布した後、通常の
レジストを塗布しパターン形成する。ポリアミック酸高
分子はポリイミドに比べ酸素プラズマに対する反応性が
高い。よって酸素プラズマ中で容易に低分子に分解除去
される。特に基板温度を上げることで反応性を高めるこ
とができる。この後、残された同じレジストパターンで
反射層を除去すると、微小形状を有する反射膜と配向膜
を得ることができる。
(However, R 1 and R 2 are aromatic groups, alicyclic groups or aliphatic groups, and n is the degree of polymerization.) The polyamic acid polymer of this polyimide precursor is as shown in FIG. After coating on the surface of the photoconductive layer-reflection layer of the device structure, a normal resist is coated to form a pattern. Polyamic acid polymer has higher reactivity to oxygen plasma than polyimide. Therefore, it is easily decomposed and removed into small molecules in oxygen plasma. In particular, the reactivity can be increased by raising the substrate temperature. After that, by removing the reflective layer with the same remaining resist pattern, a reflective film and an alignment film having a minute shape can be obtained.

【0023】ポリアミック酸高分子からポリイミドへの
イミド化反応の度合は加熱温度と、その反応時間によっ
て決まる。とくに80℃以上200℃以下の温度範囲で
はイミド化率が容易に制御される。ポリアミック酸高分
子膜塗布後、このイミド化率を制御することで反射層と
の密着性を変化させることが可能である。即ちイミド化
率の増加で膜は調密で密着度の高い膜となる。レジスト
除去の工程で膜剥離の発生を押さえることができる。従
って酸素プラズマ中でのエッチングの条件とレジスト除
去時の条件とによって最適温度が決まる。
The degree of the imidization reaction of the polyamic acid polymer to the polyimide depends on the heating temperature and the reaction time. In particular, the imidization ratio is easily controlled in the temperature range of 80 ° C. or higher and 200 ° C. or lower. After coating the polyamic acid polymer film, it is possible to change the adhesion with the reflective layer by controlling the imidization ratio. That is, the film becomes dense and has high adhesion due to the increase in the imidization ratio. The occurrence of film peeling can be suppressed in the resist removing step. Therefore, the optimum temperature is determined by the etching conditions in oxygen plasma and the resist removal conditions.

【0024】次に本発明の具体的実施例について、図面
を参照しながら説明する。 実施例1 図1は本実施例の空間光変調素子の断面図である。図1
において、1は一方のガラス基板であり、このガラス基
板1の上に透明電極2と、光導電層(3〜5)と反射層
6とポリイミド配向膜7が形成されている。光導電層
は、p型アモルファスシリコン層3と、i型アモルファ
スシリコン層4と、i型アモルファスシリコン層5とか
らなる。また、他方のガラス基板12には透明電極11
と配向膜12が形成されている。そして、両基板1,1
2間に強誘電性液晶8が封入されている。また配向膜7
は反射層6とともに一体的に微小画素に分割されてい
る。
Next, specific embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. Example 1 FIG. 1 is a sectional view of a spatial light modulator of this example. Figure 1
In the figure, 1 is one of the glass substrates, and the transparent electrode 2, the photoconductive layers (3 to 5), the reflective layer 6 and the polyimide alignment film 7 are formed on the glass substrate 1. The photoconductive layer is composed of a p-type amorphous silicon layer 3, an i-type amorphous silicon layer 4, and an i-type amorphous silicon layer 5. In addition, the transparent electrode 11 is provided on the other glass substrate 12.
And the alignment film 12 is formed. And both substrates 1, 1
A ferroelectric liquid crystal 8 is enclosed between the two. In addition, the alignment film 7
Are integrally divided into minute pixels together with the reflective layer 6.

【0025】図1に示す本実施例の空間光変調素子を図
2に示す製造方法に従って作製した。すなわち、図2の
工程(a)で1.1mmのガラス基板上1に、透明導電
性電極2を0.05μm〜0.5μm厚のITO等の透
明電極材料をスパッタ法を用いて成膜し形成する。次に
光導電層としてp/i/nダイオード構造の水素化アモ
ルファスシリコン(以下a−Si:Hと称する)膜を、
それぞれボロン400ppmを添加したp型a−Si:
H膜3を1000オングストローム(100nm)、無
添加のi型a−Si:H膜4を1.7μm、リンを50
ppm添加したn型a−Si:H膜5を2000オング
ストローム(200nm)と全膜厚2μm程度になるよ
うに、プラズマCVD法を用いて積層して形成する。
The spatial light modulator of this embodiment shown in FIG. 1 was manufactured by the manufacturing method shown in FIG. That is, in step (a) of FIG. 2, a transparent conductive electrode 2 having a thickness of 0.05 μm to 0.5 μm, such as ITO, is formed on a 1.1 mm glass substrate 1 by a sputtering method. Form. Next, a hydrogenated amorphous silicon (hereinafter referred to as a-Si: H) film having a p / i / n diode structure is formed as a photoconductive layer,
P-type a-Si added with 400 ppm of boron:
The H film 3 is 1000 Å (100 nm), the i-type a-Si: H film 4 without addition is 1.7 μm, and the phosphorus is 50 μm.
The n-type a-Si: H film 5 added with ppm is formed by laminating using a plasma CVD method so as to have a thickness of 2000 angstrom (200 nm) and a total film thickness of about 2 μm.

【0026】なお光導電層に使用する他の材料には例え
ば、CdS,CdTe,CdSe,ZnS,ZnSe,
GaAs,GaN,GaP,GaAlAs,InP等の
化合物半導体、Se,SeTe,AsSe等の非晶質半
導体、Si,Ge,Si1-x x ,Si1-x Gex ,G
1-x x (0<x<1) の多結晶または非晶質半導体などが
ある。また、(1)フタロシアニン顔料(以下Pcと略
す)、例えば無金属Pc,XPc(X=Cu,Ni,C
o,TiO,Mg,Si(OH)2 等)、AlClPc
Cl,TiOClPcCl,InClPcCl,InC
lPc,InBrPcBrなど、(2)モノアゾ色素,
ジスアゾ色素等のアゾ系色素、(3)ペニレン酸無水化
物およびペニレン酸イミドなどのペニレン系顔料、
(4)インジゴイド染料、(5)キナクリドン顔料、
(6)アントラキノン類、ピレンキノン類などの多環キ
ノン類、(7)シアニン色素、(8)キサンテン染料、
(9)PVK/TNFなどの電荷移動錯体、(10)ビ
リリウム塩染料とポリカーボネイト樹脂から形成される
共晶錯体、(11)アズレニウム塩化合物など有機半導
体、等がある。また、非晶質のSi,Ge,Si1-x
x ,Si1-x Gex ,Ge 1-x x (以下、a−Si,
a−Ge,a−Si1-x x ,a−Si1-x Gex ,a
−Ge1-x x のように略す)を光導電層に使用する場
合は、水素またはハロゲン元素を含めることも好まし
く、誘電率を小さくする目的および抵抗率を増加する目
的で、酸素または窒素を含めても好ましい。抵抗率を制
御するために、p型不純物であるB,Al,Gaなどの
元素を添加するか、またはn型不純物であるP,As,
Sbなどの元素を添加することも好ましい。このように
不純物を添加した非晶質材料を積層してp/n型,p/
i型,i/n型,p/i/n型などの接合を形成し、光
導電層内に空乏層を形成することにより、誘電率および
暗抵抗または動作電圧極性を制御ことが可能である。ま
た、非晶質材料だけでなく、上記の材料を2種類以上積
層してヘテロ接合を形成することによって、光導電層内
に空乏層を形成してもよい。
The other materials used for the photoconductive layer are, for example,
For example, CdS, CdTe, CdSe, ZnS, ZnSe,
GaAs, GaN, GaP, GaAlAs, InP, etc.
Compound semiconductor, amorphous half such as Se, SeTe, AsSe
Conductor, Si, Ge, Si1-xCx, Si1-xGex, G
e1-xCx(0 <x <1) polycrystalline or amorphous semiconductor
is there. Further, (1) phthalocyanine pigment (hereinafter abbreviated as Pc)
), For example, metal-free Pc, XPc (X = Cu, Ni, C
o, TiO, Mg, Si (OH)2Etc.), AlClPc
Cl, TiOClPcCl, InClPcCl, InC
(2) monoazo dyes such as 1Pc and InBrPcBr,
Azo dyes such as disazo dyes, (3) Anhydrous penenylene acid
And penylene-based pigments such as penylene imide,
(4) indigoid dye, (5) quinacridone pigment,
(6) Polycyclic quinones such as anthraquinones and pyrenequinones
Non-type, (7) Cyanine dye, (8) Xanthene dye,
(9) Charge transfer complex such as PVK / TNF, (10) Bi
Formed from Lilium Salt Dye and Polycarbonate Resin
Eutectic complexes, (11) azurenium salt compounds and other organic semiconductors
Body, etc. In addition, amorphous Si, Ge, Si1-xC
x, Si1-xGex, Ge 1-xCx(Hereinafter, a-Si,
a-Ge, a-Si1-xCx, A-Si1-xGex, A
-Ge1-xCxAbbreviated) is used for the photoconductive layer.
If this is the case, it is also preferable to include hydrogen or a halogen element.
The purpose of decreasing the permittivity and increasing the resistivity.
It is preferable that oxygen or nitrogen be included. Control resistivity
In order to control p-type impurities such as B, Al and Ga,
Element, or n-type impurities such as P, As,
It is also preferable to add an element such as Sb. in this way
P / n type, p /
i-type, i / n-type, p / i / n-type, etc.
By forming a depletion layer in the conductive layer, the dielectric constant and
It is possible to control the dark resistance or the operating voltage polarity. Well
In addition to amorphous materials, products of two or more of the above materials
In the photoconductive layer by layering to form a heterojunction
A depletion layer may be formed in the.

【0027】次に、光導電層の面上にアルミニウム等の
反射層6を電子ビーム蒸着法等により、500〜100
0オングストローム膜厚で成膜する。工程(b)で反射
層6上にスピンナにより配向膜形成のためのポリイミド
高分子膜の前駆体であるポリアミック酸高分子膜13を
約200オングストロームの膜厚で塗布し、120℃程
度の雰囲気で30分加熱前処理する。この条件は反射層
6の材料によって異なる。ポリアミック酸高分子は例え
ば、特公平3−1145号公報にある化合物などが本実
施例の空間光変調素子にとって適当である。このポリア
ミック酸高分子の合成は下記(化3)のフェニレンスル
フィドジアミン0.109g(3.36×10-4mo
l)を溶かし込んだ3mlのN,N−ジメチルアセトア
ミド等(以下DMAcと記す)に、下記(化4)のベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物0.1g(3.1
1×10-4mol)を少量ずつ投下しながらスターラー
等によって溶かし込み、投入後約30分混合すると高い
粘性のポリアミック酸高分子となり、21mlのDMA
cで希釈することにより、薄膜形成のためのポリアミッ
ク酸高分子溶液が得られる。
Next, a reflection layer 6 made of aluminum or the like is formed on the surface of the photoconductive layer by electron beam evaporation or the like to a thickness of 500 to 100.
The film is formed with a film thickness of 0 angstrom. In step (b), a polyamic acid polymer film 13, which is a precursor of a polyimide polymer film for forming an alignment film, is applied on the reflective layer 6 by a spinner to a film thickness of about 200 angstroms, and in an atmosphere of about 120 ° C. Preheat for 30 minutes. This condition differs depending on the material of the reflective layer 6. As the polyamic acid polymer, for example, the compound disclosed in Japanese Patent Publication No. 3-1145 is suitable for the spatial light modulator of this embodiment. This polyamic acid polymer was synthesized by the following (chemical formula 3) 0.109 g (3.36 × 10 −4 mo) of phenylene sulfide diamine.
1 g) was dissolved in 3 ml of N, N-dimethylacetamide (hereinafter referred to as DMAc), and 0.1 g (3.1 of benzophenone tetracarboxylic acid dianhydride of the following chemical formula 4)
1 × 10 -4 mol) was added little by little and dissolved by a stirrer etc., and after mixing for about 30 minutes, it became a highly viscous polyamic acid polymer, and 21 ml DMA
By diluting with c, a polyamic acid polymer solution for forming a thin film can be obtained.

【0028】[0028]

【化3】 [Chemical 3]

【0029】[0029]

【化4】 [Chemical 4]

【0030】工程(c)で高分子膜206上にフォトリ
ソグラフィーの技術を用いて例えば、1000×100
0=106 画素、画素の大きさ20×20μm、画素ピ
ッチ縦横共に25μmのレジストパターン14を形成す
る。ポジ型レジストをスピンコートにより約2.0〜
2.5μmに塗布し、雰囲気約90℃、15分程度で加
熱する。この後、露光・現像を行い約90℃、15分程
度の加熱をする。
In the step (c), for example, 1000 × 100 is formed on the polymer film 206 by using a photolithography technique.
A resist pattern 14 having 0 = 10 6 pixels, a pixel size of 20 × 20 μm, and a pixel pitch of 25 μm is formed. Approximately 2.0 ~ by spin coating positive type resist
It is applied to 2.5 μm and heated in an atmosphere of about 90 ° C. for about 15 minutes. After that, exposure and development are performed and heating is performed at about 90 ° C. for about 15 minutes.

【0031】工程(d)で画素間部分を酸素プラズマア
ッシャーにより除去し、微小画素に分離されたポリアミ
ック酸高分子薄膜13の分離膜15が形成される。酸素
プラズマアッシャーは0.1Torrまで真空を引いた
後、1Torrまで酸素を導入し、高周波電力40W、
基板温度100〜120℃、20分で行う。
In the step (d), the inter-pixel portion is removed by an oxygen plasma asher, and the separation film 15 of the polyamic acid polymer thin film 13 separated into minute pixels is formed. The oxygen plasma asher was evacuated to 0.1 Torr, then oxygen was introduced to 1 Torr, high-frequency power of 40 W,
The substrate temperature is 100 to 120 ° C. and the time is 20 minutes.

【0032】工程(e)でアルミニウム膜の反射層6を
工程(c)で形成したレジストパターンで画素分離す
る。燐酸・硝酸・酢酸等を含んだ混酸エッチャント等に
より常温2分程度のエッチングである。エッチング後レ
ジストはアセトン置換により除去する。これによって微
小画素で反射面となる反射層6が形成される。16は反
射層6とポリアミック酸高分子薄膜13とレジスト14
画素に分離されたユニットである。
In step (e), the reflective layer 6 made of an aluminum film is pixel-separated by the resist pattern formed in step (c). Etching is performed at room temperature for about 2 minutes with a mixed acid etchant containing phosphoric acid, nitric acid, acetic acid and the like. After etching, the resist is removed by acetone replacement. As a result, the reflective layer 6 serving as the reflective surface is formed by the minute pixels. Reference numeral 16 is a reflective layer 6, a polyamic acid polymer thin film 13 and a resist 14.
It is a unit separated into pixels.

【0033】工程(f)でガラス基板を恒温漕にて23
0℃で1時間加熱する。ポリアミック酸高分子膜13は
脱水反応後、下記(化5)の構造を有するポリイミド膜
6となる。17は画素ごとに分離された反射層6とポリ
イミド配向膜の1ユニットである。
In step (f), the glass substrate is placed in a constant temperature bath 23
Heat at 0 ° C. for 1 hour. After the dehydration reaction, the polyamic acid polymer film 13 becomes the polyimide film 6 having the structure shown below. Reference numeral 17 is a unit of the reflective layer 6 and the polyimide alignment film separated for each pixel.

【0034】[0034]

【化5】 [Chemical 5]

【0035】この工程後、反射層6の微小画素上のみ液
晶層を配向させる高分子膜ポリイミド薄膜のある構造が
形成される。ポリイミド高分子薄膜は強誘電性液晶分子
の配向が素子の厚さ方向と平行になるように配向処理を
施す。配向処理はナイロン樹脂布を用いてラビング処理
を行なった。なお高分子の膜厚は1000オングストロ
ーム以下が好ましく、特に200オングストローム以下
が好ましい。
After this step, a structure having a polymer film polyimide thin film for orienting the liquid crystal layer only on the minute pixels of the reflective layer 6 is formed. The polyimide polymer thin film is subjected to an alignment treatment so that the alignment of the ferroelectric liquid crystal molecules becomes parallel to the thickness direction of the device. For the orientation treatment, a rubbing treatment was performed using a nylon resin cloth. The film thickness of the polymer is preferably 1000 angstroms or less, and particularly preferably 200 angstroms or less.

【0036】図1の空間光変調素子を作製するために、
もう一方のガラス基板12上にITO薄膜11を形成
し、前記工程(a)〜(c)と同じ方法でポリアミック
酸高分子薄膜を塗布しパターン形成する。最終は加熱処
理でポリイミド薄膜10とした。光導電層を積層した方
のガラス基板1の上に2.6μm直径の樹脂製ビーズ9
を混合した熱硬化樹脂を、液晶注入の開口部を除いて光
導電層全体を包囲するようにスクリーン印刷する。もう
一方のガラス基板12の上には、イソプロピルアルコー
ルに約1.0μm直径の樹脂製等のビーズ9を混合した
溶液をスプレーして、ビースを全体に付着させる。次
に、これら一対のガラス基板をはり合わせ真空袋に入
れ、真空引きして密閉した後、内部を真空状態に保ちな
がら約90℃雰囲気で30分程度加熱し、更に約150
℃雰囲気で約2時間加熱し樹脂を硬化させる。最後に真
空状態で強誘電性液晶を約80℃で加熱しながら、窒素
ガス導入による加圧と毛管現象を利用して、均一にパネ
ルへ充填されるように、樹脂の開口部から注入する。液
晶分子が均一配向となるために、この素子を恒温槽にて
液晶相転移温度以上の、例えば約90℃まで加熱し、1
分間当り約0.2℃の割合で室温まで徐冷した後、樹脂
の開口部を樹脂で密閉した。なお、液晶層の液晶材料は
強誘電液晶であるカイラルスメクティックC液晶を用い
るのが好ましい。また、出力光のコントラスト比を高く
するためには、本実施例の反射型空間光変調素子の場
合、その厚みは約1μmに形成することが好ましい。こ
のようにして本発明の空間光変調素子を得ることができ
た。
To fabricate the spatial light modulator of FIG.
The ITO thin film 11 is formed on the other glass substrate 12, and the polyamic acid polymer thin film is applied and patterned by the same method as the above steps (a) to (c). Finally, a polyimide thin film 10 was formed by heat treatment. Resin beads 9 having a diameter of 2.6 μm are formed on the glass substrate 1 on which the photoconductive layer is laminated.
The thermosetting resin mixed with is printed by screen printing so as to surround the entire photoconductive layer except the liquid crystal injection opening. On the other glass substrate 12, a solution in which isopropyl alcohol is mixed with beads 9 made of resin or the like having a diameter of about 1.0 μm is sprayed to attach the beads to the entire surface. Next, the pair of glass substrates are attached to each other, placed in a vacuum bag, evacuated and hermetically sealed, and then heated in an atmosphere of about 90 ° C. for about 30 minutes while keeping the inside in a vacuum state.
The resin is cured by heating for about 2 hours in the atmosphere of ° C. Finally, while heating the ferroelectric liquid crystal at about 80 ° C. in a vacuum state, the liquid crystal is injected from the opening of the resin so as to be uniformly filled in the panel by utilizing the pressurization by the introduction of nitrogen gas and the capillary phenomenon. Since the liquid crystal molecules are uniformly aligned, this element is heated in a constant temperature bath to a temperature above the liquid crystal phase transition temperature, for example, about 90 ° C.
After gradually cooling to room temperature at a rate of about 0.2 ° C. per minute, the opening of the resin was sealed with the resin. The liquid crystal material of the liquid crystal layer is preferably a chiral smectic C liquid crystal which is a ferroelectric liquid crystal. In addition, in order to increase the contrast ratio of the output light, in the case of the reflective spatial light modulator of this embodiment, it is preferable that the thickness thereof be about 1 μm. In this way, the spatial light modulator of the present invention could be obtained.

【0037】この空間光変調素子に交流電圧を印加し
て、入力光に白色光を用いて動作を確認した。その結
果、入力光に対する出力光の強度は偏光子、検光子の損
失分を考えなければ80〜90%と非常に大きく、入力
光強度が数μW/cm2 以上あれば出力光の立ち上がりが観
測され、入射光強度が小さくても十分動作することが確
認できた。
An AC voltage was applied to this spatial light modulator and white light was used as input light to confirm the operation. As a result, the intensity of the output light with respect to the input light is very large, 80 to 90%, without considering the loss of the polarizer and the analyzer, and the rise of the output light is observed if the input light intensity is several μW / cm 2 or more. As a result, it was confirmed that the operation was sufficient even when the incident light intensity was small.

【0038】実施例2 実施例1と同様の方法で図3に示す空間光変調素子を作
製した。図1と異なるのは入射側に画素間からの漏れ光
を防ぐために遮光層22を設けたことである。遮光層2
2はガラス基板21上にクロム蒸着層を1000オング
ストロームの厚さで成膜し、パターン形成する。この後
の工程は実施例1と同じである。すなわち図3におい
て、21は一方のガラス基板であり、このガラス基板2
1の上に透明電極23と、光導電層(24〜26)と反
射層27とポリイミド配向膜28が形成されている。光
導電層は、p型アモルファスシリコン層24と、i型ア
モルファスシリコン層25と、i型アモルファスシリコ
ン層26とからなる。また、他方のガラス基板33には
透明電極32と配向膜31が形成されている。そして、
両基板21,33間に強誘電性液晶29が封入されてい
る。また配向膜28は反射層27とともに一体的に微小
画素に分割されている。
Example 2 The spatial light modulator shown in FIG. 3 was produced in the same manner as in Example 1. The difference from FIG. 1 is that a light shielding layer 22 is provided on the incident side to prevent light leaking from between pixels. Shading layer 2
In No. 2, a chromium vapor deposition layer is formed on the glass substrate 21 with a thickness of 1000 angstroms to form a pattern. The subsequent steps are the same as in Example 1. That is, in FIG. 3, 21 is one of the glass substrates.
1, a transparent electrode 23, photoconductive layers (24 to 26), a reflective layer 27, and a polyimide alignment film 28 are formed. The photoconductive layer includes a p-type amorphous silicon layer 24, an i-type amorphous silicon layer 25, and an i-type amorphous silicon layer 26. A transparent electrode 32 and an alignment film 31 are formed on the other glass substrate 33. And
Ferroelectric liquid crystal 29 is enclosed between both substrates 21 and 33. Further, the alignment film 28 is integrally divided into minute pixels together with the reflective layer 27.

【0039】この空間光変調素子を投写型ディスプレイ
として評価した。図4に投写型ディスプレイ装置の模式
図を示す。本実施例の空間光変調素子19に光書き込み
をCRTディスプレイ43によって行う。素子の画素数
は縦480横650である。読み出しの為の光源40
(メタルハライドランプ)をコンデンサーレンズ41で
偏光ビームスプリッタ42によって照射する。出力像は
レンズ44で拡大されスクリーン45に映し出される。
CRT画面上の各ドットが空間光変調素子の分離された
画素内に書き込まれると、スクリーン上では四角形状に
変換される。そのため開口率は80%と大きく明るい画
像が得られ、100インチ相当の大きさに拡大した像は
スクリーン上で2500ルーメンの照度を持つ。画像は
コントラスト250:1、解像度は縦方向650本TV
ライイ数が確認された。動画像を出力したところビデオ
レートの動きに対して残像はなく鮮明な高輝度画像が得
られた。カラー画像をえるため、RGBそれぞれに対応
したCRT管と空間光変調素子をセットにしたものを3
組用意して、スクリーン上で合成した。
This spatial light modulator was evaluated as a projection display. FIG. 4 shows a schematic view of the projection display device. Optical writing is performed on the spatial light modulation element 19 of the present embodiment by the CRT display 43. The number of pixels of the element is 480 in height and 650 in width. Light source 40 for reading
A (metal halide lamp) is irradiated by a condenser lens 41 by a polarization beam splitter 42. The output image is enlarged by the lens 44 and displayed on the screen 45.
When each dot on the CRT screen is written in the separated pixel of the spatial light modulator, it is converted into a rectangular shape on the screen. Therefore, a large image with a large aperture ratio of 80% is obtained, and an image enlarged to a size of 100 inches has an illuminance of 2500 lumens on the screen. The image has a contrast of 250: 1 and a vertical resolution of 650 TV lines.
The number of rye was confirmed. When a moving image was output, a clear high-luminance image was obtained with no afterimage with respect to the movement of the video rate. In order to obtain a color image, a set of a CRT tube corresponding to each of RGB and a spatial light modulator is used.
A group was prepared and synthesized on the screen.

【0040】実施例3 図5は、空間光変調素子の評価に用いたホログラフィー
テレビジョン装置の概略構成図である。
Embodiment 3 FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a holographic television device used for evaluation of a spatial light modulator.

【0041】実施例2で示した空間光変調素子に光書き
込みを行う手段として、He−Neレーザ51からのコ
ヒーレント光がハーフミラー52で分割されて、一方の
光束がレンズ56を介して被写体50を通ってCCD5
8に照射され、他方の光束がレンズ54、55からなる
ビームエキスパンダを通り、ハーフミラー57を介して
CCD58に参照光として照射され、CCD58の撮像
面上に干渉縞パターンが形成される。干渉縞パターンの
画像データは電気信号に変換され、CRT65に転送さ
れ再生される。
As means for performing optical writing in the spatial light modulator shown in the second embodiment, the coherent light from the He--Ne laser 51 is split by the half mirror 52, and one light flux passes through the lens 56 and the subject 50. Through CCD5
8 and the other light flux passes through a beam expander composed of lenses 54 and 55 and is applied to the CCD 58 as a reference light via the half mirror 57 to form an interference fringe pattern on the image pickup surface of the CCD 58. The image data of the interference fringe pattern is converted into an electric signal, transferred to the CRT 65 and reproduced.

【0042】CRT65の画面上で再生された干渉縞パ
ターンの画像データは、レンズ66により空間光変調素
子1に光書き込みされ記録される。なお、空間光変調素
子19の画素パターンは8μm角の画素が10μmピッ
チで3200×3200=約107 画素のものを使用し
た。
The image data of the interference fringe pattern reproduced on the screen of the CRT 65 is optically written and recorded in the spatial light modulator 1 by the lens 66. The spatial light modulator 19 has a pixel pattern of 8 μm square pixels with a pitch of 10 μm and 3200 × 3200 = about 10 7 pixels.

【0043】画像の読み出しは、He−Neレーザ61
からのコヒーレント光がレンズ62、63からなるビー
ムエキスパンダを通り、偏光ビームスプリッタ64を介
して空間光変調素子1に照射され、変調された出力光が
偏光ビームスプリッタ64を通過してレンズ67によ
り、反射モードによる立体像を肉眼68で観察される。
The He-Ne laser 61 is used to read out the image.
The coherent light from the laser beam passes through the beam expander composed of the lenses 62 and 63, is irradiated onto the spatial light modulation element 1 via the polarization beam splitter 64, and the modulated output light passes through the polarization beam splitter 64 and passes through the lens 67. , A stereoscopic image in the reflection mode is observed with the naked eye 68.

【0044】その結果、実時間表示される立体画像を再
生することができ、被写体50の動きを実時間ホログラ
ムで観察することができた。
As a result, the stereoscopic image displayed in real time can be reproduced, and the movement of the subject 50 can be observed in the real time hologram.

【0045】[0045]

【発明の効果】本発明によれば、高解像度で高輝度、大
画面の映像を映し出す投写型ディスプレイ装置に最適な
空間光変調素子を効率良く合理的に製造することができ
る。また単純な構成素子を少ない工程で作製できる方法
によって安価な素子が提供できる。さらに本発明の空間
光変調素子は、配向膜が画素単位に分割されていること
により、液晶のより高密度な配位が可能となるため、高
解像度の画像表示を行うことができる。従って、本発明
の空間光変調素子を用いれば、高解像度、高輝度且つ大
画面の投写型ディスプレイ装置を実現することができ
る。また、本発明の空間光変調素子を用いたホログラフ
ィーテレビジョン装置は、実時間で鮮明な立体像を観察
することができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to efficiently and rationally manufacture a spatial light modulation element most suitable for a projection type display device which displays a high-resolution, high-luminance, large-screen image. Further, an inexpensive element can be provided by a method capable of producing a simple constituent element with a small number of steps. Further, in the spatial light modulation element of the present invention, since the alignment film is divided into pixel units, the liquid crystal can be arranged at a higher density, so that high-resolution image display can be performed. Therefore, by using the spatial light modulator of the present invention, it is possible to realize a projection display device having high resolution, high brightness and a large screen. In addition, the holographic television device using the spatial light modulator of the present invention can observe a clear stereoscopic image in real time.

【0046】また、本発明の空間光変調素子の製造方法
は、配向処理による画素パターンの変形を防止すること
ができるため、簡単な工程で合理的に空間光変調素子を
製造することができる。
Further, according to the method of manufacturing a spatial light modulator of the present invention, since the deformation of the pixel pattern due to the alignment treatment can be prevented, the spatial light modulator can be reasonably manufactured by a simple process.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の作製方法による空間光変調素子の断
面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a spatial light modulator according to a manufacturing method of the present invention.

【図2】 本発明の空間光変調素子の作製方法を示す工
程図である。
FIG. 2 is a process drawing showing a method for manufacturing a spatial light modulator of the present invention.

【図3】 本発明の実施例2で作製した空間光変調素子
の断面図である。
FIG. 3 is a sectional view of a spatial light modulator manufactured in Example 2 of the present invention.

【図4】 本発明の空間光変調素子を用いて作製した投
写型ディスプレイ装置の模式図である。
FIG. 4 is a schematic diagram of a projection display device manufactured using the spatial light modulator of the present invention.

【図5】 本発明の空間光変調素子を用いて作製したホ
ログラフィーテレビジョン装置の模式図である。
FIG. 5 is a schematic diagram of a holographic television device manufactured using the spatial light modulator of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ガラス基板 2 透明導電性電極 3 p型アモルファスシリコン層 4 i型アモルファスシリコン層 5 n型アモルファスシリコン層 6 反射層 7 配向膜 8 強誘電性液晶層 9 ビーズ 10 配向膜 11 透明導電性電極 12 ガラス基板 1 glass substrate 2 transparent conductive electrode 3 p-type amorphous silicon layer 4 i-type amorphous silicon layer 5 n-type amorphous silicon layer 6 reflective layer 7 alignment film 8 ferroelectric liquid crystal layer 9 beads 10 alignment film 11 transparent conductive electrode 12 glass substrate

フロントページの続き (72)発明者 蔵富 靖規 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 小川 久仁 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内Front page continuation (72) Inventor Yasuki Kuratomi 1006 Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一方の基板に少なくとも透明電極と光導
電層と反射層と配向膜を備え、他方の基板に少なくとも
透明電極と配向膜を備え、前記基板間に強誘電性液晶を
封入した空間光変調素子の製造方法であって、前記一方
の基板側に一様に成膜された反射層上にポリイミドの前
駆体であるポリアミック酸高分子を一様に塗布して薄膜
形成した後、画素単位に分離し、次いでその下部に位置
する前記反射層を前記ポリアミック酸高分子膜と同一形
状の画素に分離し、しかる後加熱して前記ポリアミック
酸高分子薄膜をポリイミド薄膜とすることを特徴とする
空間光変調素子の製造方法。
1. A space in which one substrate is provided with at least a transparent electrode, a photoconductive layer, a reflective layer, and an alignment film, and the other substrate is provided with at least a transparent electrode and an alignment film, and a ferroelectric liquid crystal is sealed between the substrates. A method for manufacturing a light modulation element, wherein a polyamic acid polymer, which is a precursor of polyimide, is uniformly applied on a reflective layer uniformly formed on the one substrate side to form a thin film, and then a pixel is formed. Separated into units, and then separating the reflection layer located below it into pixels having the same shape as the polyamic acid polymer film, and then heating to make the polyamic acid polymer thin film a polyimide thin film. Of manufacturing spatial light modulator.
【請求項2】 ポリアミック酸高分子を塗布し、80℃
以上200℃以下の所定の温度で加熱前処理した後、微
小形状に分割する請求項2に記載の空間光変調素子の製
造方法。
2. A polyamic acid polymer is applied and the temperature is 80 ° C.
The method for manufacturing a spatial light modulator according to claim 2, wherein after the heating pretreatment is performed at a predetermined temperature of 200 ° C. or less, it is divided into minute shapes.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11143401A (en) * 1997-11-10 1999-05-28 Sharp Corp Liquid-crystal display sheet and write-erase system therefor

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