JPH0629739A - Voltage controlled oscillator - Google Patents
Voltage controlled oscillatorInfo
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- JPH0629739A JPH0629739A JP4178747A JP17874792A JPH0629739A JP H0629739 A JPH0629739 A JP H0629739A JP 4178747 A JP4178747 A JP 4178747A JP 17874792 A JP17874792 A JP 17874792A JP H0629739 A JPH0629739 A JP H0629739A
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- controlled oscillator
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- voltage controlled
- transistor
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- Pending
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、電圧制御発振器に関
し、特に、半導体基板上に集積回路として作り込まれた
マイクロ波帯及びミリ波帯の電圧制御発振器に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a voltage controlled oscillator, and more particularly to a microwave band and millimeter wave band voltage controlled oscillator formed as an integrated circuit on a semiconductor substrate.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の電圧制御発振器は、図3に示すよ
うに、半導体基板7上に、発振用能動素子であるトラン
ジスタ1、共振回路2、及び、直流素子コンデンサ4を
設け、バイアス用抵抗素子5及び可変容量ダイオード6
を外付けしていた。そして、トランジスタ1のベース
に、長さで概略発振周波数が決まる共振回路2を接続
し、トランジスタ1のベース・コレクタ間及びベース・
エミッタ間の電極間容量での高周波帰還により、発振回
路が構成され、共振回路2の他端に、直流阻止コンデン
サ4を介して、可変容量ダイオード6を接続し、この可
変容量ダイオード6の接合の逆方向に制御電圧を印加す
ることにより、その接合容量を変化させ、共振回路2の
共振周波数を等価的に変化させることによって、発振周
波数を変化させていた。2. Description of the Related Art As shown in FIG. 3, a conventional voltage controlled oscillator is provided with a transistor 1, a resonance circuit 2, which is an active element for oscillation, and a DC element capacitor 4, on a semiconductor substrate 7, and a bias resistor. Element 5 and variable capacitance diode 6
Was attached externally. Then, the resonance circuit 2 whose approximate oscillation frequency is determined by the length is connected to the base of the transistor 1 so that the base and collector of the transistor 1 and the base
An oscillating circuit is formed by high-frequency feedback with the interelectrode capacitance between the emitters, and the variable capacitance diode 6 is connected to the other end of the resonance circuit 2 via the DC blocking capacitor 4 and the junction of the variable capacitance diode 6 is connected. When the control voltage is applied in the opposite direction, the junction capacitance is changed, and the resonance frequency of the resonance circuit 2 is equivalently changed, thereby changing the oscillation frequency.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】この従来の電圧制御発
振器で用いられている可変容量ダイオードは、半導体基
板上に発振用能動素子であるトランジスタ等と共に作り
込むことが極めて困難であり、可変容量ダイオードを発
振用能動素子であるトランジスタの搭載された半導体基
板の外に、薄膜混成集積回路技術等を用いて外付けされ
ている。このため、特に、マイクロ波帯及びミリ波帯の
超高周波において、接続線による寄生インダクタンスの
影響が無視できなくなり、製造時の特性再現性が充分に
得られず、特性の不安定なものができる等の問題点があ
った。The variable-capacitance diode used in this conventional voltage-controlled oscillator is extremely difficult to form together with a transistor or the like, which is an active element for oscillation, on a semiconductor substrate. Is externally attached to the outside of a semiconductor substrate on which a transistor, which is an active element for oscillation, is mounted by using a thin film hybrid integrated circuit technology or the like. Therefore, particularly in the microwave and millimeter wave super high frequencies, the influence of the parasitic inductance due to the connecting line cannot be ignored, and the characteristic reproducibility during manufacturing cannot be sufficiently obtained, and the characteristic can be unstable. There were problems such as.
【0004】本発明の目的は、電圧制御発振器の特性を
安定にし、再現性を良好にすることにある。An object of the present invention is to stabilize the characteristics of the voltage controlled oscillator and improve the reproducibility.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、半導体基板上に発振用能動素子と共振回
路と直流阻止コンデンサと可変容量素子とバイアス用抵
抗素子とを相互接続した電圧制御発振器において、可変
容量素子をトランジスタのベースとエミッタに接続する
ことによって構成したものである。In order to achieve the above object, according to the present invention, an active element for oscillation, a resonance circuit, a DC blocking capacitor, a variable capacitance element and a resistance element for bias are interconnected on a semiconductor substrate. The voltage controlled oscillator is configured by connecting a variable capacitance element to a base and an emitter of a transistor.
【0006】また、上記目的を達成するために、本発明
は、半導体基板上に発振用能動素子と共振回路と直流阻
止コンデンサと可変容量素子とバイアス用抵抗素子とを
相互接続した電圧制御発振器において、可変容量素子を
トランジスタのベースとコレクタに接続することによっ
て構成したものである。In order to achieve the above object, the present invention provides a voltage controlled oscillator in which an active element for oscillation, a resonance circuit, a DC blocking capacitor, a variable capacitance element and a resistance element for bias are interconnected on a semiconductor substrate. , A variable capacitance element is connected to the base and collector of the transistor.
【0007】[0007]
【実施例】次に、本発明について、図面を参照して説明
する。Next, the present invention will be described with reference to the drawings.
【0008】図1は、本発明の一実施例の電圧制御発振
器の回路図である。図1において、半導体基板7上に、
発振用能動素子であるトランジスタ1、共振回路2、N
PNトランジスタ3、直流阻止コンデンサ4、及び、バ
イアス用抵抗素子5を設けている。そして、可変容量素
子として、NPNトランジスタ3のベース・コレクタ間
の接合容量を使用し、コレクタ側に正電圧を印加し、ベ
ース側に負電圧を印加することにより、接合容量を変化
させている。図2に、ベース・コレクタ間の接合容量対
ベース・コレクタ間の電圧の対数の例を示す。このよう
に、接合容量の変化を利用して発振周波数を制御するこ
とが可能である。本実施例では、ベース・エミッタ間を
等電位にするために短絡してあるが、ベース・コレクタ
間を短絡し、ベース・エミッタ間の接合容量を利用する
ことも可能である。FIG. 1 is a circuit diagram of a voltage controlled oscillator according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, on the semiconductor substrate 7,
Transistor 1 which is an active element for oscillation, resonance circuit 2, N
A PN transistor 3, a DC blocking capacitor 4, and a bias resistance element 5 are provided. The junction capacitance between the base and collector of the NPN transistor 3 is used as the variable capacitance element, and a positive voltage is applied to the collector side and a negative voltage is applied to the base side to change the junction capacitance. FIG. 2 shows an example of the logarithm of the junction capacitance between the base and the collector and the voltage between the base and the collector. In this way, the oscillation frequency can be controlled by utilizing the change in the junction capacitance. In the present embodiment, the base and the emitter are short-circuited to make them equipotential. However, it is also possible to short the base and the collector and use the junction capacitance between the base and the emitter.
【0009】[0009]
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、可変容量素子を外付けした場合に生じる接
続線による寄生インダクタンスの影響をなくすことがで
き、マイクロ波帯及びミリ波帯の超高周波においても、
特性が安定で再現性が良好であるという効果が得られ
る。Since the present invention is constructed as described above, it is possible to eliminate the influence of the parasitic inductance due to the connecting line which occurs when the variable capacitance element is externally attached, and the microwave band and the millimeter wave band can be eliminated. Even at super high frequencies of
The effect that the characteristics are stable and the reproducibility is good can be obtained.
【図1】本発明の一実施例の電圧制御発振器の回路図で
ある。FIG. 1 is a circuit diagram of a voltage controlled oscillator according to an embodiment of the present invention.
【図2】本発明の一実施例の電圧制御発振器の可変容量
素子の特性を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing characteristics of the variable capacitance element of the voltage controlled oscillator according to the embodiment of the present invention.
【図3】従来の電圧制御発振器の回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram of a conventional voltage controlled oscillator.
1 トランジスタ 2 共振回路 3 NPNトランジスタ 4 直流阻止コンデンサ 5 バイアス用抵抗素子 1 Transistor 2 Resonant Circuit 3 NPN Transistor 4 DC Blocking Capacitor 5 Bias Resistor
Claims (2)
と直流阻止コンデンサと可変容量素子とバイアス用抵抗
素子とを相互接続した電圧制御発振器において、可変容
量素子がトランジスタのベースとエミッタを接続するこ
とによって構成されていることを特徴とする電圧制御発
振器。1. A voltage controlled oscillator in which an active element for oscillation, a resonance circuit, a DC blocking capacitor, a variable capacitance element and a resistance element for bias are interconnected on a semiconductor substrate, the variable capacitance element connecting a base and an emitter of a transistor. A voltage-controlled oscillator characterized by being configured by:
と直流阻止コンデンサと可変容量素子とバイアス用抵抗
素子とを相互接続した電圧制御発振器において、可変容
量素子がトランジスタのベースとコレクタを接続するこ
とによって構成されていることを特徴とする電圧制御発
振器。2. A voltage controlled oscillator in which an active element for oscillation, a resonance circuit, a DC blocking capacitor, a variable capacitance element and a resistance element for bias are interconnected on a semiconductor substrate, the variable capacitance element connecting the base and collector of a transistor. A voltage-controlled oscillator characterized by being configured by:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4178747A JPH0629739A (en) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | Voltage controlled oscillator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4178747A JPH0629739A (en) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | Voltage controlled oscillator |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0629739A true JPH0629739A (en) | 1994-02-04 |
Family
ID=16053885
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4178747A Pending JPH0629739A (en) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | Voltage controlled oscillator |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0629739A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11362623B2 (en) | 2019-12-03 | 2022-06-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Voltage-controlled oscillator |
-
1992
- 1992-07-07 JP JP4178747A patent/JPH0629739A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11362623B2 (en) | 2019-12-03 | 2022-06-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Voltage-controlled oscillator |
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