JPH06295896A - Cleaning equipment - Google Patents

Cleaning equipment

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JPH06295896A
JPH06295896A JP10503793A JP10503793A JPH06295896A JP H06295896 A JPH06295896 A JP H06295896A JP 10503793 A JP10503793 A JP 10503793A JP 10503793 A JP10503793 A JP 10503793A JP H06295896 A JPH06295896 A JP H06295896A
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cleaning
tank
wafer
liquid
straightening
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Naohiko Hamamura
直彦 濱村
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Tokyo Electron Kyushu Ltd
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Tokyo Electron Kyushu Ltd
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Abstract

PURPOSE:To provide a cleaning equipment where the capacity of a cleaning tank itself is reduced by inclining the bottom of the tank and a straightener. CONSTITUTION:In a cleaning equipment wherein cleaning liquid is introduced into a cleaning tank 42 containing an object W to be treated from the bottom 52 thereof and straightened through a straightener 48 before cleaning the object W, the bottom part of the cleaning tank is inclined upward on the opposite sides thereof to form an inclining bottom part 60 while a corresponding horizontal straightening part 48A is formed in the center of the straightener and straightening parts 48B inclining upward are provided on the opposite sides. This structure allows reduction of the capacity of the cleaning tank 42 without causing any turbulence at the time of cleaning.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、洗浄装置に関する。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a cleaning device.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体製造工程においては、被
処理体、例えば半導体ウエハ表面に付着したパーティク
ル、有機汚染物、金属不純物などのコンタミネーション
或いは表面に形成された自然酸化膜などを除去するため
に洗浄装置が使用されている。この種の洗浄装置は、ウ
エハに対してアンモニア処理、水洗処理、フッ酸処理、
硫酸処理、塩酸処理、水洗処理等のように薬液処理と水
洗処理が例えば交互に順に行なわれる。
2. Description of the Related Art Generally, in a semiconductor manufacturing process, in order to remove a contaminant such as particles, organic contaminants, metal impurities, etc. adhered to the surface of an object to be processed, for example, a natural oxide film formed on the surface. Cleaning equipment is used in. This type of cleaning device is used for ammonia treatment, water washing treatment, hydrofluoric acid treatment,
For example, a chemical solution treatment and a water washing treatment such as a sulfuric acid treatment, a hydrochloric acid treatment, and a water washing treatment are alternately performed in sequence.

【0003】薬液処理用の洗浄装置や水洗用の洗浄装置
は、一般的には略同一構造となされ、例えば底部が略フ
ラットで全体が略矩形状に形成された洗浄槽内に薬液や
洗浄水を満たしてウエハを横並びで多数枚、例えば25
枚或いは50枚収容し、薬液を底部から供給してオーバ
ーフロー液を循環させつつ或いは洗浄水の場合にはオー
バーフローした洗浄水を循環させることなくウエハ表面
のコンタミネーションの除去を行なっていた。この場
合、ウエハ表面からコンタミネーションを効率的に除去
し、且つこれが再度ウエハ表面に付着することを防止す
るためには槽内に導入した薬液や洗浄水が乱流を生ずる
ことなく層流状態となって各ウエハ間を上方向に向けて
流れることが必要である。そのために、洗浄槽の底部に
は、これより僅かに上方へ離間させて多数の流通孔を有
する平板状の整流板が配設されており、効率的な洗浄を
行なうようになっている。
A cleaning device for treating a chemical liquid and a cleaning device for rinsing are generally of the same structure. For example, a chemical liquid or cleaning water is contained in a cleaning tank having a substantially flat bottom and a generally rectangular shape. Is satisfied, and a large number of wafers are arranged side by side, for example, 25
One wafer or 50 wafers were stored, and the chemical solution was supplied from the bottom to circulate the overflow liquid, or in the case of cleaning water, the contamination of the wafer surface was removed without circulating the overflowing cleaning water. In this case, in order to efficiently remove the contamination from the wafer surface and prevent it from adhering to the wafer surface again, the chemical solution and the cleaning water introduced into the tank are in a laminar flow state without causing turbulent flow. Therefore, it is necessary to flow upward between the wafers. For this reason, a flat plate-shaped straightening plate having a large number of through holes is provided at the bottom of the cleaning tank so as to be spaced slightly above the cleaning tank, so that efficient cleaning can be performed.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような洗浄装置にあっては、被処理体である半導体ウ
エハが円形であるのに対して洗浄槽自体が略矩形状に形
成されていることから、例えば底部の側方においてデッ
ドスペースが生じ、全体として洗浄槽自体の容積自体が
必要以上に大きくなってしまうという問題があった。ま
た、例えば薬液により洗浄処理する場合には、この薬液
は比較的高価であることから槽からオーバーフローした
薬液は循環使用され、ある程度以上汚れが生じたら廃棄
するが、上述のように洗浄槽自体の容量が大きくなると
使用する薬液量が増加し、運転費用が大幅に増加すると
いう問題があった。
However, in the above-described cleaning apparatus, the cleaning tank itself is formed in a substantially rectangular shape while the semiconductor wafer which is the object to be processed has a circular shape. Therefore, there is a problem that, for example, a dead space is generated on the side of the bottom, and the volume of the cleaning tank itself becomes larger than necessary. Further, for example, in the case of cleaning with a chemical solution, this chemical solution is relatively expensive, so the chemical solution overflowing from the tank is circulated and used, and if it becomes dirty to a certain extent, it is discarded. When the capacity is increased, the amount of chemical liquid to be used is increased, which causes a problem that operating cost is significantly increased.

【0005】また、薬液処理されたウエハを純水などの
洗浄水で洗浄する場合には、導入された洗浄水は循環使
用されることなくオーバーフローした時点で廃棄され、
この洗浄操作は、ファイナルリンスにて槽内の洗浄水の
比抵抗値がこれに混入しているイオンが少なくて所定の
値以上になったときにウエハ表面に付着している薬液の
大部分を排除できたものとみなすまで行なわれる。従っ
て、上述のように槽自体の容量が大きいと槽内の洗浄水
が置換される速度が遅くなってしまうので所定の比抵抗
値まで達する時間が長くなってしまい、このために、多
量の洗浄水を使用しなければならないという問題点もあ
った。
Further, when cleaning a wafer treated with a chemical solution with cleaning water such as pure water, the introduced cleaning water is discarded when it overflows without being circulated.
This cleaning operation removes most of the chemical liquid adhering to the wafer surface when the specific resistance value of the cleaning water in the tank becomes more than a predetermined value due to the small number of ions mixed in it in the final rinse. It is carried out until it is considered that it has been eliminated. Therefore, as described above, when the capacity of the tank itself is large, the rate at which the cleaning water in the tank is replaced becomes slow, and the time required to reach the predetermined specific resistance value becomes long. There was also the problem that water had to be used.

【0006】特に、半導体ウエハの主流が6インチサイ
ズから8インチサイズに移行して大径化するに従って、
槽自体の容量も大型化し、上記した問題点の解決が強く
望まれている。本発明は、以上のような問題点に着目
し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本
発明の目的は、洗浄槽の底部及び整流板を傾斜させて洗
浄時に乱流を生ぜしめることなく槽自体の容量を小さく
した洗浄装置を提供することにある。
In particular, as the mainstream of semiconductor wafers shifts from 6-inch size to 8-inch size and increases in diameter,
Since the capacity of the tank itself is increased, it is strongly desired to solve the above problems. The present invention has been made to pay attention to the above problems and to solve them effectively. An object of the present invention is to provide a cleaning device in which the bottom of the cleaning tank and the straightening vane are inclined to reduce the capacity of the tank itself without causing turbulent flow during cleaning.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、底部に洗浄液を導入する導入口を有し
て洗浄すべき被処理体を収容する洗浄槽と、前記洗浄槽
の底部より離間させて設けられると共に前記洗浄液を通
す多数の流通孔を有し、前記導入口から導入された洗浄
液を整流しつつ前記被処理体側へ流す整流板とを備えた
洗浄装置において、前記洗浄槽の底部の両側は、上傾き
傾斜された底部傾斜部を有し、前記整流板は、前記底部
の中心部に対応して水平になされた水平整流部と、この
水平整流部の両側に設けられて前記底部傾斜部に対応し
て上向き傾斜された傾斜整流部を有するように構成した
ものである。
In order to solve the above problems, the present invention has a cleaning tank having an inlet for introducing a cleaning liquid at the bottom and containing an object to be cleaned, and the cleaning tank. In a cleaning device having a plurality of flow holes that are provided apart from the bottom of the cleaning liquid and through which the cleaning liquid passes, and a flow straightening plate that flows the cleaning liquid introduced from the inlet to the object side while rectifying the cleaning liquid, Both sides of the bottom portion of the cleaning tank have a bottom inclined portion that is inclined upward, and the straightening plate is a horizontal straightening portion that is horizontally corresponding to the central portion of the bottom portion and both sides of the horizontal straightening portion. It is configured to have an inclined rectifying portion which is provided and is inclined upward corresponding to the bottom inclined portion.

【0008】[0008]

【作用】本発明は、以上のように構成したので、洗浄槽
の底部の両側は上向き傾斜されて底部傾斜部となってお
り、これに対応する整流板の部分は同じく上向き傾斜さ
れた傾斜整流部として構成される。従って、傾斜させた
分だけ洗浄槽の全体の容量は小さくなり、被処理体を洗
浄処理するための薬液の使用量或いは洗浄用の純水の使
用量を大幅に抑制することができる。
Since the present invention is constructed as described above, both sides of the bottom portion of the cleaning tank are inclined upward to form inclined bottom portions, and the corresponding straightening plate portions are also inclined upwardly. Composed as a part. Therefore, the entire volume of the cleaning tank is reduced by the amount of inclination, and the amount of the chemical solution used for cleaning the object to be treated or the amount of pure water used for the cleaning can be significantly suppressed.

【0009】[0009]

【実施例】以下に、本発明に係る洗浄装置の一実施例を
添付図面に基づいて詳述する。図1は本発明の洗浄装置
の一実施例を示す断面図、図2は本発明の洗浄装置を示
す部分破断傾斜図、図3は図2に示す装置に使用する整
流板を示す平面図、図4は図2に示す装置の概略側断面
図、図5は図2に示す洗浄装置等が複数個集合された洗
浄装置集合ユニットを示す斜視図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the cleaning apparatus according to the present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. 1 is a cross-sectional view showing an embodiment of the cleaning device of the present invention, FIG. 2 is a partially cutaway perspective view showing the cleaning device of the present invention, FIG. 3 is a plan view showing a current plate used in the device shown in FIG. 4 is a schematic side sectional view of the apparatus shown in FIG. 2, and FIG. 5 is a perspective view showing a cleaning apparatus collecting unit in which a plurality of the cleaning apparatuses shown in FIG. 2 are collected.

【0010】本実施例においては、洗浄装置を薬液洗浄
装置または水洗洗浄装置に適用した場合について説明す
る。まず、本発明に係る洗浄装置等を集合させて形成し
た洗浄装置集合ユニットを図5に基づいて説明する。こ
の洗浄装置集合ユニット2は、図5に示すように、洗浄
処理前の被処理体、例えば半導体ウエハWをカセット単
位で受け取ってカセットCを保管するインプットバッフ
ァ機構4と、このインプットバッファ機構4からカセッ
ト単位で半導体ウエハWを受け取るローダ機構6と、こ
のローダ機構6からウエハ搬送装置8によって搬送され
て来る半導体ウエハWを薬液処理、水洗処理等の洗浄処
理を行なう洗浄処理機構10と、この洗浄処理機構10
によって処理された半導体ウエハWをアンロードするア
ンローダ機構12と、アンローダ機構12からカセット
単位で半導体ウエハWを受け取って保管するアウトプッ
トバッファ機構14とを備えて構成されている。
In this embodiment, the case where the cleaning device is applied to a chemical cleaning device or a water cleaning device will be described. First, a cleaning device collecting unit formed by collecting cleaning devices according to the present invention will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 5, the cleaning device assembly unit 2 includes an input buffer mechanism 4 for receiving an object to be processed before cleaning, for example, a semiconductor wafer W in a cassette unit and storing the cassette C, and an input buffer mechanism 4 from the input buffer mechanism 4. A loader mechanism 6 that receives the semiconductor wafers W in cassette units, a cleaning processing mechanism 10 that performs cleaning processing such as chemical treatment and water cleaning on the semiconductor wafers W transferred from the loader mechanism 6 by the wafer transfer device 8, and this cleaning. Processing mechanism 10
The unloader mechanism 12 for unloading the semiconductor wafer W processed by the unloader mechanism 12 and the output buffer mechanism 14 for receiving and storing the semiconductor wafer W in cassette units from the unloader mechanism 12.

【0011】また、上記洗浄処理機構10の上方には上
記ウエハ搬送装置8によって半導体ウエハWが取り出さ
れた後の空のカセットCを洗浄、乾燥処理するカセット
洗浄・乾燥ライン18が上記洗浄処理機構10に沿って
配設されている。そして、このカセット洗浄・乾燥ライ
ン18には昇降機構20を介して空のカセットCを上記
ローダ機構6から持ち上げて供給するように構成されて
いる。また、アンローダ機構12側にも同様の昇降機構
(図示せず)が配設され、この昇降機構を介して洗浄、
乾燥後のカセットCをアンローダ機構12へ供給するよ
うに構成されている。
A cassette cleaning / drying line 18 for cleaning and drying an empty cassette C after the semiconductor wafer W is taken out by the wafer transfer device 8 is provided above the cleaning processing mechanism 10. It is arranged along 10. Then, the cassette cleaning / drying line 18 is configured to lift and supply an empty cassette C from the loader mechanism 6 via an elevating mechanism 20. Further, a similar lifting mechanism (not shown) is also provided on the unloader mechanism 12 side, and washing and cleaning are performed via this lifting mechanism.
The cassette C after drying is configured to be supplied to the unloader mechanism 12.

【0012】そして、上記インプットバッファ機構4
は、外部から供給されたカセットCを載置する載置部2
2と、この載置部22のカセットCをカセット搬送機構
24によって移載し、すぐに処理できないカセットCを
一時的に保管するカセット保管部26とを備えて構成さ
れている。また、上記カセット搬送機構24は、上記載
置部22に載置されたカセットC内の半導体ウエハWを
処理する際に、カセットCを上記載置部22から上記ロ
ーダ機構6へ移載するように構成されている。そして、
このローダ機構6は半導体ウエハWのオリエンテーショ
ンフラットを例えば上側或いは下側に揃える位置合わせ
機構(図示せず)を備えて構成されている。尚、上記ア
ウトプットバッファ機構14も上記インプットバッファ
機構4と同様に構成されている。
The input buffer mechanism 4
Is a mounting portion 2 for mounting the cassette C supplied from the outside.
2 and a cassette storage unit 26 for temporarily storing the cassette C that cannot be processed immediately by transferring the cassette C of the mounting unit 22 by the cassette transport mechanism 24. Further, the cassette carrying mechanism 24 transfers the cassette C from the placing unit 22 to the loader mechanism 6 when processing the semiconductor wafer W in the cassette C placed on the placing unit 22. Is configured. And
The loader mechanism 6 is provided with a position adjusting mechanism (not shown) for aligning the orientation flat of the semiconductor wafer W to the upper side or the lower side, for example. The output buffer mechanism 14 is also constructed similarly to the input buffer mechanism 4.

【0013】また、上記洗浄処理機構10は、例えば、
上記ウエハ搬送装置8と、このウエハ搬送装置8のウエ
ハチャック8Aを洗浄、乾燥するチャック洗浄・乾燥処
理槽28と、このチャック洗浄・乾燥処理槽28の下流
側に順次配設され且つ半導体ウエハW表面の有機汚染
物、金属不純物或いはパーティクル等の不要物質を洗浄
により除去する薬液洗浄装置30、薬液処理後の半導体
ウエハWを水洗する二つの水洗洗浄装置32、32、上
記薬液洗浄装置30とは別の薬液処理を行う薬液洗浄装
置34、二つの水洗洗浄装置36、36と、ウエハチャ
ック8Aを洗浄、乾燥するチャック洗浄・乾燥処理槽3
8と、不純物質が除去された半導体ウエハWを例えばイ
ソプロピルアルコール(IPA)等で蒸気乾燥する乾燥
処理槽40とを備えて構成されている。そして、上記薬
液洗浄装置30、34及び水洗洗浄装置32、34は、
それぞれの処理液がオーバーフローし、そのオーバーフ
ローした処理液を排出し、或いは循環させて蓄積された
不純物を除去して循環使用するように構成されていると
共に、図1に示すように槽の底部及び整流板が上向き傾
斜される。
The cleaning processing mechanism 10 is, for example,
The wafer transfer device 8, a chuck cleaning / drying treatment tank 28 for cleaning and drying the wafer chuck 8A of the wafer transfer device 8, and a semiconductor wafer W which is sequentially arranged on the downstream side of the chuck cleaning / drying treatment tank 28. The chemical cleaning device 30 for removing unnecessary substances such as organic contaminants on the surface, metal impurities or particles by cleaning, the two cleaning cleaning devices 32, 32 for cleaning the semiconductor wafer W after the chemical processing, and the chemical cleaning device 30. A chemical cleaning device 34 for performing another chemical liquid processing, two water cleaning / cleaning devices 36, 36, and a chuck cleaning / drying treatment tank 3 for cleaning and drying the wafer chuck 8A.
8 and a semiconductor wafer W from which impurities have been removed are vapor-dried with, for example, isopropyl alcohol (IPA) or the like, and a drying treatment tank 40 is provided. The chemical cleaning devices 30, 34 and the water cleaning devices 32, 34 are
Each processing liquid overflows, and the overflowed processing liquid is discharged or circulated to remove accumulated impurities and is circulated for reuse. Also, as shown in FIG. The current plate is tilted upward.

【0014】そして、上記ウエハ搬送装置8は、図5に
示すように、各薬液洗浄装置30、34による影響のな
いように3台配設されている。これらの各ウエハ搬送装
置8は、例えば50枚の半導体ウエハWを一括して把持
する左右一対のウエハチャック8Aと、このウエハチャ
ック8Aを昇降させると共に前後方向で進退動させる駆
動機構(図示せず)と、上記処理槽28乃至40に沿っ
て配設された搬送ベース8Bとを備え、上記搬送ベース
8Bに沿って往復移動するように構成されている。
As shown in FIG. 5, three wafer transfer devices 8 are arranged so as not to be affected by the chemical cleaning devices 30 and 34. Each of the wafer transfer devices 8 includes, for example, a pair of left and right wafer chucks 8A that collectively hold 50 semiconductor wafers W, and a drive mechanism (not shown) that moves the wafer chucks 8A up and down and moves the wafer chucks 8A back and forth. ) And a transfer base 8B arranged along the processing tanks 28 to 40, and is configured to reciprocate along the transfer base 8B.

【0015】また、上記洗浄装置、例えば上記薬液洗浄
装置30は、図4に示すように、高温に加熱されたアン
モニア水等の処理液を貯留する矩形状の洗浄槽42と、
この洗浄槽42内に配設されて半導体ウエハWを例えば
50枚垂直に保持するウエハ保持具44と、このウエハ
保持具44のやや下方すなわち底部よりやや上方に配設
され且つ多数の流通孔46を有する整流板48と、この
整流板48へ下方から薬液などの洗浄液を供給する供給
配管50とを備えて構成されている。また、上記供給配
管50は上記洗浄槽42の底部52の2箇所の導入口5
4、54から洗浄液を供給するように構成され、更に、
各導入口54、54のやや上方には分散板56、56が
配設され、これらの分散板56、56によって上記整流
板48の全面に向けて洗浄液を分散するように構成され
ている。また、上記整流板48は、底部52より起立し
た支柱58により底部52から離間させて支持される。
Further, as shown in FIG. 4, the cleaning device, for example, the chemical cleaning device 30, has a rectangular cleaning tank 42 for storing a treatment liquid such as ammonia water heated to a high temperature,
A wafer holder 44 is provided in the cleaning tank 42 for vertically holding, for example, 50 semiconductor wafers W, and a plurality of through holes 46 are provided slightly below the wafer holder 44, that is, slightly above the bottom. And a supply pipe 50 for supplying a cleaning liquid such as a chemical liquid to the rectifying plate 48 from below. Further, the supply pipe 50 is provided at two inlets 5 of the bottom portion 52 of the cleaning tank 42.
4, 54 is configured to supply the cleaning liquid, and
Dispersion plates 56, 56 are disposed slightly above the respective inlets 54, 54, and the cleaning liquid is dispersed by the dispersion plates 56, 56 toward the entire surface of the straightening plate 48. Further, the rectifying plate 48 is supported by being separated from the bottom portion 52 by a support column 58 standing upright from the bottom portion 52.

【0016】具体的には、図1及び図2に示すように上
記洗浄槽42の底部52の両側は、洗浄槽42の幅方
向、すなわちウエハWの面拡がり方向に沿って例えば角
度θ1で上向き傾斜されて底部傾斜部60を構成してい
る。図示例にあっては底部中央部が水平になされている
が、これを形成することなく底部中央から直接上向きに
傾斜された底部を形成してもよい。そして、この底部5
2よりも僅かな距離L1、例えば20mm上方に位置さ
れた整流板48も上記底部52と同様に変形され、底部
52の中心部に対応する部分は水平になされた水平整流
部48Aとして形成され、この両側は上記底部傾斜部6
0に対応させて同じく角度θ2で上向き傾斜された傾斜
整流部48Bとして構成されている。この場合、各傾斜
角度θ1、θ2は、好ましくは同じ角度、例えば30度
に設定して平行にし、流路面積が一定になるようにす
る。このように底部52及び整流板48の両側を上向き
傾斜させることにより槽内のデッドスペースを少なくし
て槽内容積を少なくすることが可能となる。
More specifically, as shown in FIGS. 1 and 2, both sides of the bottom portion 52 of the cleaning tank 42 face upward at an angle θ1 along the width direction of the cleaning tank 42, that is, the surface expansion direction of the wafer W. It is inclined to form the bottom inclined portion 60. In the illustrated example, the central portion of the bottom portion is horizontal, but the bottom portion may be formed without being formed so as to be directly inclined upward from the center portion of the bottom portion. And this bottom 5
The rectifying plate 48 located at a distance L1 smaller than 2, for example, 20 mm above is also deformed in the same manner as the bottom portion 52, and the portion corresponding to the center of the bottom portion 52 is formed as a horizontal rectifying portion 48A which is horizontal, The both sides are the above-mentioned bottom sloped part 6
The tilt rectifying portion 48B is also tilted upward at an angle θ2 in correspondence with 0. In this case, the respective inclination angles θ1 and θ2 are preferably set to the same angle, for example, 30 degrees so as to be parallel to each other so that the flow passage area becomes constant. By thus tilting both sides of the bottom portion 52 and the current plate 48 upward, it is possible to reduce the dead space in the tank and reduce the internal volume of the tank.

【0017】そして、図3に示すように上記整流板48
の水平整流部48には、水平部流通孔46Aが例えば4
列で槽長さ方向に例えば31個形成され、また各傾斜整
流部48B、48Bには、傾斜部流通孔46Bが例えば
3列で横長さ方向に例えば11個形成されている。この
場合、水平部流通孔46Aの直径D1は例えば5.6m
mに設定され、傾斜部流通孔46Bの直径D2は例えば
3.4mmに設定され、従って、整流板48の水平流路
部48Aの全水平部流通孔46Aの面積といずれか一方
の傾斜整流部48Bの全傾斜部流通孔46Bの面積の比
は10:1程度に設定されることになる。ここで、上記
全流通孔の面積比、流通孔の総数及び洗浄槽42の底部
傾斜部60及び傾斜整流部48Bの傾斜角度θ1、θ2
は上記値に限定されないのは勿論である。
Then, as shown in FIG.
In the horizontal rectifying section 48 of the
For example, 31 rows are formed in the tank length direction, and in each of the tilt rectification sections 48B, 48B, 11 inclined section flow holes 46B are formed, for example, in 3 rows in the horizontal direction. In this case, the diameter D1 of the horizontal portion circulation hole 46A is, for example, 5.6 m.
m, and the diameter D2 of the inclined portion circulation hole 46B is set to, for example, 3.4 mm. Therefore, the area of all the horizontal portion circulation holes 46A of the horizontal flow passage portion 48A of the flow regulating plate 48 and one of the inclined rectification portions The ratio of the areas of all the inclined portion circulation holes 46B of 48B is set to about 10: 1. Here, the area ratio of all the circulation holes, the total number of circulation holes, and the inclination angles θ1 and θ2 of the bottom inclined portion 60 and the inclination rectifying portion 48B of the cleaning tank 42.
Needless to say, is not limited to the above value.

【0018】また、洗浄槽42及び整流板48の材質
は、使用する洗浄液の種類に依存し、例えば、反応性の
強い硫酸やアンモニア水等を使用する薬液洗浄装置の場
合にはともに耐蝕性に強い石英等を使用し、純水を使用
する水洗洗浄装置の場合にはポリ塩化ビニール等を使用
することができる。特に、材料として石英を用いる場合
には、この加工性が非常に劣ることから寸法出し等が困
難となり、洗浄槽42の内壁42Aと脱着可能に設けら
れる整流板48の端面とを密接させることはできず、こ
れらの間には、例えば距離1mm程度の僅かな間隙Sが
発生することは避けられない。
The materials of the cleaning tank 42 and the rectifying plate 48 depend on the type of cleaning liquid used. For example, in the case of a chemical cleaning device that uses highly reactive sulfuric acid or ammonia water, both are corrosion resistant. In the case of a washing and washing apparatus using strong quartz or the like and pure water, polyvinyl chloride or the like can be used. In particular, when quartz is used as the material, the workability is very poor, so that dimensioning and the like are difficult, and it is difficult to bring the inner wall 42A of the cleaning tank 42 and the end surface of the detachable rectifying plate 48 into close contact with each other. This cannot be done, and a slight gap S having a distance of, for example, about 1 mm is unavoidable between them.

【0019】また、傾斜整流部18B、18Bに形成さ
れる傾斜部流通孔46Bの穿設方向Yは、洗浄槽42の
高さ方向ではなく傾斜整流部18Bの面方向に対して略
直交する方向となるように設定するのが好ましく、この
ように形成することにより、この流通孔46Bにおける
流通を円滑ならしめることが可能となる。尚、図4中の
符号62は洗浄槽42の上端周縁部に設けたオーバフロ
ー槽であり、オーバフローした洗浄液は必要に応じて循
環使用されたり、使用されなかったりし、また、純水に
よるファイナルリンス時には、このオーバフロー液の比
抵抗値が測定されることになる。
Further, the drilling direction Y of the inclined portion flow holes 46B formed in the inclined rectifying portions 18B, 18B is not the height direction of the cleaning tank 42 but a direction substantially orthogonal to the surface direction of the inclined rectifying portion 18B. It is preferable to set it so that the flow in the flow hole 46B can be smoothed. Reference numeral 62 in FIG. 4 is an overflow tank provided at the upper peripheral edge of the cleaning tank 42. The overflowed cleaning liquid may or may not be circulated as necessary, and a final rinse with pure water is performed. At times, the specific resistance value of this overflow liquid will be measured.

【0020】次に、本実施例の動作について説明する。
まず、25枚単位でカセットCに収納された半導体ウエ
ハWをインプットバッファ機構4の載置部22へ供給す
ると、カセット搬送機構24が駆動して供給されたカセ
ットCを2個単位でローダ機構6へ移載する。そして、
その後に供給されたカセットCについてはカセット搬送
機構24によって保管部26へ移載し、保管部26でそ
の後のカセットCの半導体ウエハWを一時的に保管す
る。
Next, the operation of this embodiment will be described.
First, when the semiconductor wafers W stored in the cassette C in units of 25 sheets are supplied to the mounting portion 22 of the input buffer mechanism 4, the cassette transfer mechanism 24 is driven to supply the supplied cassettes C in units of two and the loader mechanism 6 is supplied. Transfer to. And
The cassette C supplied thereafter is transferred to the storage unit 26 by the cassette transfer mechanism 24, and the semiconductor wafer W of the subsequent cassette C is temporarily stored in the storage unit 26.

【0021】上記ローダ機構6に2個のカセットCが供
給されると、ローダ機構6が駆動して2個のカセットC
内の半導体ウエハWのオリエンテーションフラットを一
方向に揃えて50枚の半導体ウエハWを位置決めする一
方、ウエハ搬送装置8が駆動してウエハチャック8Aを
チャック洗浄・乾燥処理槽28内に移動させてウエハチ
ャック8Aを洗浄、乾燥してローダ機構6の半導体ウエ
ハWを受け取る態勢に入る。その後、ローダ機構6が駆
動して2個のカセットCから半導体ウエハWを一括して
持ち上げながら各カセットCの半導体ウエハWを近づけ
ると、ウエハ搬送装置8が駆動してウエハチャック8A
で50枚の半導体ウエハWを把持する。半導体ウエハW
を把持したウエハチャック8Aは、ウエハ搬送装置8の
駆動によって搬送ベース8Bに沿って薬液洗浄装置30
へ移動した後、その位置でウエハチャック8Aを下降さ
せて薬液洗浄装置30内のウエハ保持具(図示せず)へ
50枚の半導体ウエハWを引き渡して処理液に浸漬す
る。この薬液洗浄装置30では供給配管50から洗浄液
を供給しているため、供給された洗浄液は2箇所の導入
口54、54の分散板56、56によって整流板48の
全面に分散され、整流板48の各流通孔46から略均等
に半導体ウエハW側へ流入する。
When two cassettes C are supplied to the loader mechanism 6, the loader mechanism 6 is driven to drive the two cassettes C.
While aligning the orientation flats of the semiconductor wafers W in one direction in one direction to position the 50 semiconductor wafers W, the wafer transfer device 8 is driven to move the wafer chuck 8A into the chuck cleaning / drying processing tank 28 to move the wafers. The chuck 8A is washed and dried, and the loader mechanism 6 is ready to receive the semiconductor wafer W. Thereafter, the loader mechanism 6 is driven to bring the semiconductor wafers W of the two cassettes C together to bring the semiconductor wafers W of the respective cassettes C closer together, and the wafer transfer device 8 is driven to drive the wafer chuck 8A.
50 semiconductor wafers W are gripped. Semiconductor wafer W
The wafer chuck 8A that grips the wafer cleaning device 30 is driven by the wafer transfer device 8 to move along the transfer base 8B.
After that, the wafer chuck 8A is lowered at that position, and 50 semiconductor wafers W are handed over to a wafer holder (not shown) in the chemical cleaning device 30 and immersed in the processing liquid. In this chemical liquid cleaning device 30, since the cleaning liquid is supplied from the supply pipe 50, the supplied cleaning liquid is dispersed over the entire surface of the rectifying plate 48 by the distribution plates 56, 56 of the two inlets 54, 54. From each of the circulation holes 46 to flow into the semiconductor wafer W side substantially evenly.

【0022】この際、分散板56により分散された洗浄
液は整流板48の水平整流部48Aに到達して水平部流
通孔46Aを上方へ通過する一方、上向き傾斜された底
部傾斜部60と傾斜整流部48Bとの間の流路を流れて
行き、ここに形成される傾斜部流通孔46BをウエハW
方向に向けて通過して行く。流通孔を通過した洗浄液は
ウエハ間を層流状態となって流れて行き、ウエハ表面に
付着する各種のパーティクル等の不純物を洗浄除去する
こととなる。洗浄槽42からオーバフローした洗浄液は
本実施例のように薬液処理を行う時には、浄化後、底部
の供給配管50へ導いて循環使用し、水洗洗浄装置のよ
うに純水による洗浄の場合にはオーバフローした洗浄水
をそのまま廃棄する。
At this time, the cleaning liquid dispersed by the dispersion plate 56 reaches the horizontal rectifying portion 48A of the rectifying plate 48 and passes upward through the horizontal portion flow hole 46A, while the bottom inclined portion 60 inclined upward and the inclined rectification. The wafer W flows through the flow path between the wafer W and the inclined portion circulation hole 46B.
Pass in the direction. The cleaning liquid that has passed through the flow holes flows between the wafers in a laminar flow state, and cleans and removes impurities such as various particles adhering to the wafer surface. When the cleaning liquid overflowing from the cleaning tank 42 is treated with a chemical solution as in the present embodiment, after cleaning, it is guided to the bottom supply pipe 50 and circulated for use. When cleaning with pure water as in a water cleaning cleaning device, overflow occurs. Discard the washed water as it is.

【0023】ここで、本実施例においては洗浄槽42の
底部52の両側を上向き傾斜させて底部傾斜部60を形
成すると共にこれに対応させて整流板48の両側も上向
き傾斜させて傾斜整流部48Bを形成したので洗浄槽4
2自体の全体容量をその分だけ減少させることが可能と
なり、従って、使用する薬液や純水などの洗浄液の使用
量を大幅に減少させることが可能となる。8インチウエ
ハの洗浄装置を例にとると、本発明装置によると、従来
装置と比較して約1割程度その容量を減少させることが
できた。
Here, in this embodiment, both sides of the bottom portion 52 of the cleaning tank 42 are tilted upward to form the bottom inclined portion 60, and correspondingly, both sides of the straightening plate 48 are also inclined upward to incline the straightening portion. Cleaning tank 4 because 48B was formed
It is possible to reduce the total volume of 2 itself by that amount, and therefore it is possible to significantly reduce the amount of the cleaning liquid such as the chemical liquid or pure water used. Taking an 8-inch wafer cleaning apparatus as an example, the apparatus of the present invention can reduce its capacity by about 10% as compared with the conventional apparatus.

【0024】また、洗浄液が置換される時間が早くな
り、従って、効率の良い洗浄を行うことができる。例え
ば、本実施例を水洗洗浄装置に適用した場合には、ウエ
ハの洗浄度を検査するオーバフロー洗浄水の比抵抗値が
短時間で所定の値、例えば15MΩに達し、効率の良い
水洗を行うことができる。この状態は図6に示される。
図中において曲線Aは本発明による装置を用いた場合の
特性を少し、曲線Bは従来装置を用いた場合の特性を示
す。純水によるファイナルリンス完了を示す例えば比抵
抗値15MΩに到達する時間は、曲線Aに示す本発明装
置による場合の方が従来装置の曲線Bの場合と比較して
かなり早いことが判明する。
Further, the time for replacing the cleaning liquid is shortened, so that efficient cleaning can be performed. For example, when the present embodiment is applied to a water washing / cleaning apparatus, the specific resistance value of overflow washing water for inspecting the degree of wafer washing reaches a predetermined value, for example, 15 MΩ in a short time, and the water washing is performed efficiently. You can This state is shown in FIG.
In the figure, a curve A shows a little characteristic when the device according to the present invention is used, and a curve B shows a characteristic when the conventional device is used. It can be seen that the time required to reach a specific resistance value of 15 MΩ indicating the completion of the final rinse with pure water is considerably faster in the case of the device of the present invention shown in the curve A than in the case of the curve B of the conventional device.

【0025】また、整流板48を傾斜させることなくこ
れをフラットな平面状に形成することも考えられるが、
この場合には整流板48と、底部傾斜部60との間に形
成される流路面積が次第に狭くなるために整流板の端部
と槽内壁42Aとの間に形成される間隙Sを通って流れ
る洗浄液の流量が相対的に多くなり、槽内を上昇する洗
浄液に乱流が起こり易くなって好ましくない。これに対
して、本実施例にあっては上述のように底部傾斜部60
と傾斜整流部48Bとを同じ角度θ1、θ2で傾斜させ
ているので液流れ方向の流路面積は同一となり、この結
果、洗浄液は傾斜部流通孔46BをウエハW方向へ円滑
に通過し、槽内壁42Aと整流板の端部との間隙Sを流
れる液量を大幅に抑制でき、乱流の発生を大幅に抑制す
ることができる。この際、傾斜部流通孔46Bの穿設方
向Yは槽高さ方向ではなくこの整流板の面に対して略直
角に設定されていることから、洗浄液をこの流通孔46
Bに対して一層円滑に流すことができ、乱流の発生を一
層抑制することができる。尚、この傾斜部流通孔46B
の穴径を過度に大きく設定すると、ウエハ内側への洗浄
液の巻き込みが多くなり、正常な洗浄が行えなくなって
好ましくなく、全水平部流通孔46Aの面積と1つの傾
斜整流部48Bの全傾斜部流通孔46Bの面積の比は、
好ましくは30:1以下程度に設定する。
It is also conceivable to form the current plate 48 in a flat plane shape without inclining it.
In this case, since the flow passage area formed between the straightening vane 48 and the bottom inclined portion 60 becomes gradually narrower, it passes through the gap S formed between the end of the straightening vane and the tank inner wall 42A. The flow rate of the cleaning liquid flowing relatively increases, and turbulent flow easily occurs in the cleaning liquid rising in the tank, which is not preferable. On the other hand, in the present embodiment, as described above, the bottom sloped portion 60
Since the inclination rectifying section 48B and the rectifying section 48B are inclined at the same angles θ1 and θ2, the flow passage areas in the liquid flow direction are the same, and as a result, the cleaning liquid smoothly passes through the inclined portion flow holes 46B in the wafer W direction, The amount of liquid flowing through the gap S between the inner wall 42A and the end of the current plate can be greatly suppressed, and the generation of turbulence can be significantly suppressed. At this time, the drilling direction Y of the inclined portion circulation hole 46B is set not at the tank height direction but at a substantially right angle to the surface of the current plate, so that the cleaning liquid is passed through the circulation hole 46B.
B can flow more smoothly to B, and the occurrence of turbulence can be further suppressed. In addition, this inclined portion flow hole 46B
If the hole diameter is set to be excessively large, the cleaning liquid is often entrained inside the wafer, and normal cleaning cannot be performed, which is not preferable, and the area of the entire horizontal portion flow holes 46A and the entire inclined portion of one inclined rectifying portion 48B are not achieved. The area ratio of the circulation holes 46B is
It is preferably set to about 30: 1 or less.

【0026】上述のように薬液洗浄装置30での半導体
ウエハWの処理が終了すると、上述の場合とは逆の動作
によってウエハ搬送装置8のウエハチャック8Aがウエ
ハ保持具44から半導体ウエハWを一括して受け取り、
次の水洗洗浄装置32のウエハ保持具へ移載して上述と
同様の動作によって水洗処理を行い、更に次の水洗洗浄
装置44で同様の水洗処理を行って洗浄処理を完了す
る。その後、必要に応じて薬液処理及び水洗処理が繰り
返し行われて、洗浄処理後のウエハWはアウトプットバ
ッファ機構14を介して次工程へカセット単位で排出さ
れる。尚、上記実施例にあっては、主として薬液洗浄装
置について説明したが、水洗洗浄装置にも同様に適用し
得るのは勿論である。
When the processing of the semiconductor wafer W in the chemical cleaning device 30 is completed as described above, the wafer chuck 8A of the wafer transfer device 8 batches the semiconductor wafers W from the wafer holder 44 by the operation reverse to that described above. And then receive
Then, the wafer is transferred to the wafer holder of the next washing / cleaning device 32, and the washing process is performed by the same operation as described above. Further, the same washing process is performed by the next washing / cleaning device 44 to complete the washing process. Thereafter, the chemical solution treatment and the water washing treatment are repeatedly performed as needed, and the wafer W after the washing treatment is discharged to the next process via the output buffer mechanism 14 in a cassette unit. In the above embodiments, the chemical cleaning device was mainly described, but it goes without saying that the same can be applied to a water cleaning device.

【0027】[0027]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の洗浄装置
によれば次のように優れた作用効果を発揮することがで
きる。洗浄槽の底部を傾斜させると共にこれに対応させ
て整流板も傾斜させるようにしたので、洗浄時における
洗浄液に乱流を生ぜしめることなく洗浄槽の容量を小さ
くすることができる。従って、薬液や純水などの洗浄液
の使用量を削減することができ、ランニングコストを大
幅に削減することができる。また、洗浄槽内の洗浄液の
置換速度が速いので迅速な洗浄を行うことができ、特に
純水による洗浄の場合には比抵抗値の回復を速めること
ができる。
As described above, according to the cleaning apparatus of the present invention, the following excellent operational effects can be exhibited. Since the bottom of the cleaning tank is tilted and the rectifying plate is also tilted correspondingly, the capacity of the cleaning tank can be reduced without causing turbulence in the cleaning liquid during cleaning. Therefore, it is possible to reduce the amount of the cleaning liquid such as the chemical liquid or pure water used, and it is possible to significantly reduce the running cost. Further, since the replacement speed of the cleaning liquid in the cleaning tank is high, rapid cleaning can be performed, and particularly in the case of cleaning with pure water, the recovery of the specific resistance value can be accelerated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の洗浄装置の一実施例を示す断面図であ
る。
FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of a cleaning apparatus of the present invention.

【図2】本発明の洗浄装置を示す部分破断斜視図であ
る。
FIG. 2 is a partially cutaway perspective view showing a cleaning device of the present invention.

【図3】図2に示す装置に使用する整流板を示す平面図
である。
FIG. 3 is a plan view showing a current plate used in the apparatus shown in FIG.

【図4】図2に示す装置の概略側断面図である。FIG. 4 is a schematic side sectional view of the device shown in FIG.

【図5】図2に示す洗浄装置等が複数個集合された洗浄
装置集合ユニットを示す斜視図である。
5 is a perspective view showing a cleaning device assembly unit in which a plurality of cleaning devices shown in FIG. 2 are assembled.

【図6】本発明装置と従来装置とによる洗浄時の比抵抗
値の変化を示すグラフである。
FIG. 6 is a graph showing changes in the specific resistance value during cleaning by the device of the present invention and the conventional device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

30、34 薬液洗浄装置 32、36 水洗洗浄装置 42 洗浄槽 46 流通孔 46A 水平部流通孔 46B 傾斜部流通孔 48 整流板 48A 水平整流板 48B 傾斜整流板 52 底部 54 導入口 56 分散板 60 底部傾斜部 W 半導体ウエハ(被処理体) 30, 34 Chemical cleaning device 32, 36 Water cleaning device 42 Cleaning tank 46 Flow hole 46A Horizontal part flow hole 46B Slope flow hole 48 Straightening plate 48A Horizontal straightening plate 48B Sloping straightening plate 52 Bottom 54 Inlet 56 Dispersing plate 60 Bottom slanting Part W Semiconductor wafer (Processing object)

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 底部に洗浄液を導入する導入口を有して
洗浄すべき被処理体を収容する洗浄槽と、前記洗浄槽の
底部より離間させて設けられると共に前記洗浄液を通す
多数の流通孔を有し、前記導入口から導入された洗浄液
を整流しつつ前記被処理体側へ流す整流板とを備えた洗
浄装置において、前記洗浄槽の底部の両側は、上傾き傾
斜された底部傾斜部を有し、前記整流板は、前記底部の
中心部に対応して水平になされた水平整流部と、この水
平整流部の両側に設けられて前記底部傾斜部に対応して
上向き傾斜された傾斜整流部を有するように構成したこ
とを特徴とする洗浄装置。
1. A cleaning tank having an inlet for introducing a cleaning liquid at its bottom and containing an object to be cleaned, and a large number of through holes provided separately from the bottom of said cleaning tank and through which said cleaning liquid passes. In the cleaning device having a rectifying plate that flows toward the object to be processed while rectifying the cleaning liquid introduced from the inlet, both sides of the bottom of the cleaning tank have a bottom inclined portion inclined upward. The straightening plate has a horizontal straightening portion horizontally arranged corresponding to a central portion of the bottom portion, and inclined straightening slants provided on both sides of the horizontal straightening portion and inclined upward corresponding to the bottom slanting portion. A cleaning device having a portion.
【請求項2】 前記底部傾斜部は、前記傾斜整流部に対
して平行になされていることを特徴とする請求項1記載
の洗浄装置。
2. The cleaning apparatus according to claim 1, wherein the bottom sloped portion is parallel to the slope rectification portion.
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