JP3118739B2 - Cleaning equipment - Google Patents

Cleaning equipment

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JP3118739B2
JP3118739B2 JP04358224A JP35822492A JP3118739B2 JP 3118739 B2 JP3118739 B2 JP 3118739B2 JP 04358224 A JP04358224 A JP 04358224A JP 35822492 A JP35822492 A JP 35822492A JP 3118739 B2 JP3118739 B2 JP 3118739B2
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flow holes
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、洗浄装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cleaning apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から、洗浄装置は半導体装置の製造
工程において被処理体(例えば半導体ウエハ)表面のパ
ーティクル、有機汚染物、あるいは金属不純物などのコ
ンタミネーションを除去する目的で用いられている。特
にウェット洗浄装置はパーティクルを効果的に除去でき
ると共にバッチ処理ができるため重要な洗浄手段として
現在広く普及している。このような洗浄装置は、通常、
所定枚数の半導体ウエハをカセット単位でロードするロ
ード機構と、このロード機構によってロードされた半導
体ウエハを所定枚数ずつ搬送するウエハ搬送装置と、こ
のウエハ搬送装置によって搬送された複数の半導体ウエ
ハをそれぞれ一括して洗浄するように配列された複数種
の洗浄処理槽と、各洗浄処理槽によって洗浄された半導
体ウエハをアンロードするアンロード機構とを備えて構
成されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a cleaning apparatus has been used for removing contamination such as particles, organic contaminants, or metal impurities on the surface of an object to be processed (for example, a semiconductor wafer) in a semiconductor device manufacturing process. In particular, a wet cleaning apparatus is now widely used as an important cleaning means because it can effectively remove particles and can perform batch processing. Such cleaning devices are usually
A loading mechanism for loading a predetermined number of semiconductor wafers in cassette units, a wafer transport device for transporting a predetermined number of semiconductor wafers loaded by the loading mechanism, and a plurality of semiconductor wafers transported by the wafer transport device, respectively; And a plurality of types of cleaning processing tanks arranged so as to perform cleaning, and an unload mechanism for unloading the semiconductor wafer cleaned by each cleaning processing tank.

【0003】ところで、上記洗浄処理槽は、通常、半導
体ウエハを略垂直に複数枚保持する、石英、PEEK等
の耐食性、耐発塵性材料からなるウエハ保持具と、この
ウエハ保持具のやや下方に配設され且つ多数の流通孔を
有する、石英等の耐食性、耐発塵性材料からなる整流板
とを備え、上記整流板を介して処理液を半導体ウエハ側
に分散供給して上記ウエハ保持具で保持された複数の半
導体ウエハを洗浄するように構成されている。また、一
般に上記流通孔は整流板全面に分散配置されたものが多
く用いられている。
[0003] The cleaning tank usually holds a plurality of semiconductor wafers substantially vertically, and is made of a corrosion-resistant and dust-resistant material such as quartz or PEEK, and slightly below the wafer holder. A rectifying plate made of a corrosion-resistant and dust-resistant material such as quartz, which has a large number of circulation holes, and supplies the processing liquid to the semiconductor wafer side via the rectifying plate to hold the wafer. It is configured to clean a plurality of semiconductor wafers held by the tool. Generally, many of the above-mentioned flow holes are distributed over the entire surface of the current plate.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
洗浄装置の場合には、半導体ウエハの洗浄効率を高める
ように例えば整流板の流通孔を半導体ウエハ間の寸法に
合わせて設けているが、半導体ウエハの保持枚数が多く
なるほど整流板の流通孔の大きさが制限され、また、こ
のような整流板は殆どが上述のように加工性の乏しい石
英によって形成されているため、流通孔の数が多くなる
と流通孔同士が接近して穴加工が難しくなって製造コス
トが高くなるという課題があった。また、従来の洗浄装
置の場合には、上述のように略同一の流通孔が整流板全
面に分散し、しかも図12に示すように半導体ウエハW
の存在しない領域、つまり処理槽1側面と半導体ウエハ
Wとの隙間が半導体ウエハW間の隙間より格段に大きい
ため、整流板2の流通孔から流入する処理液は圧力損失
の小さい前者の隙間で多量に流れる一方、圧力損失の大
きな半導体ウエハW間の隙間で少量しか流れず、半導体
ウエハWの洗浄効率を低下させ、それだけ洗浄時間が長
くなるという課題があった。
However, in the case of a conventional cleaning apparatus, for example, a flow hole of a rectifying plate is provided in accordance with a dimension between semiconductor wafers in order to increase a cleaning efficiency of the semiconductor wafer. As the number of held wafers increases, the size of the flow holes of the flow straightening plate is limited, and since such a flow straightening plate is mostly made of quartz having poor workability as described above, the number of flow holes is reduced. When the number of holes increases, the flow holes approach each other, making it difficult to drill holes and increasing the manufacturing cost. Further, in the case of the conventional cleaning apparatus, as described above, substantially the same flow holes are dispersed over the entire surface of the current plate, and furthermore, as shown in FIG.
Is not present, that is, the gap between the side of the processing tank 1 and the semiconductor wafer W is significantly larger than the gap between the semiconductor wafers W. While flowing in a large amount, only a small amount flows in the gap between the semiconductor wafers W having a large pressure loss, and there is a problem that the cleaning efficiency of the semiconductor wafer W is reduced and the cleaning time becomes longer.

【0005】そこで、従来から、整流板における流通孔
の大きさに種々の工夫を凝らした洗浄槽が提案されてい
る。例えば、特開昭58−61632号公報では、給水
口から遠い位置に、洗浄液の流量が多くなるような流通
孔を設けた整流板を有する洗浄槽が提案されている。ま
た、特公昭62−42374号公報では、半導体ウエハ
の中心部と対応する第1部分では流通孔を大きくし、半
導体ウエハの端部と対応する第2部分では、第1部分よ
りも小さくし、半導体ウエハが存在しない部分と対応す
る第3部分では第2部分よりも更に小さくした洗浄槽が
提案されている。しかし、これらの各公報に記載された
流通孔は、洗浄槽内への処理液の供給口、半導体ウエハ
の下方及び半導体ウエハの存在しない領域で異なった大
きさの流通孔を加工しなくてはならず、整流板の製造管
理が煩雑であり、しかも多数の流通孔を加工しなくては
ならず、整流板の製造コストが高くなるという課題があ
った。
In view of the above, a washing tank has been proposed in which various measures are taken for the size of the flow hole in the current plate. For example, Japanese Patent Laying-Open No. 58-61632 proposes a cleaning tank having a flow straightening plate provided with a flow hole at a position far from a water supply port so as to increase a flow rate of a cleaning liquid. In Japanese Patent Publication No. 62-42374, the first portion corresponding to the center portion of the semiconductor wafer has a larger flow hole, and the second portion corresponding to the end portion of the semiconductor wafer has a smaller size than the first portion. A cleaning tank has been proposed in which a third portion corresponding to a portion where a semiconductor wafer does not exist is smaller than the second portion. However, the flow holes described in each of these publications have to process flow holes of different sizes in the supply port of the processing solution into the cleaning tank, below the semiconductor wafer and in the region where the semiconductor wafer does not exist. However, there is a problem in that the production management of the current plate is complicated, and that a large number of flow holes must be processed, thereby increasing the production cost of the current plate.

【0006】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、整流板の製造コストを低減することができ
ると共にその製造管理が容易で、しかも被処理体の洗浄
時間を短縮することができる洗浄装置を提供することを
目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is possible to reduce the manufacturing cost of the current plate, to facilitate the production control thereof, and to shorten the cleaning time of the object to be processed. It is an object of the present invention to provide a cleaning device that can perform the cleaning.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、洗浄装置
における整流板の流通孔と洗浄効率との関係について後
述のような試験を行なって種々検討した結果、流通孔を
特定の形態で整流板に分散配置することによって上記課
題を解決するに至った。
Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have conducted various tests on the relationship between the flow holes of the current plate in the cleaning device and the cleaning efficiency as described below, and have found that the flow holes have a specific form. The above problem has been solved by distributing and arranging the rectifier plates.

【0008】即ち、本発明の請求項1に記載の洗浄装置
は、所定の処理液を貯留する処理槽と、この処理槽内に
配設され且つ複数の被処理体を保持する被処理体保持具
と、この被処理体保持具の下方に配設された多数の流通
孔を有する整流板とを備え、上記処理槽の底面の供給口
から供給される上記処理液を上記整流板の多数の流通孔
を介して上記被処理体側へ分散供給するように構成され
た洗浄装置において、上記整流板の複数の流通孔は、上
記複数の被処理体に対して1枚置きにそれぞれの真下に
直線状の列として複数列配列され且つ隣合う直線列の流
通孔がそれぞれ上記被処理体の配列方向に一つずつずら
して配置されていると共に、それぞれの径が上記被処理
体の厚さよりも大きく且つ隣の被処理体の真下には及ば
ない大きさに形成されて構成されたものである。
[0008] That is, a cleaning apparatus according to a first aspect of the present invention comprises a processing tank for storing a predetermined processing liquid, and a processing object holding apparatus disposed in the processing tank and holding a plurality of processing objects. Tool and a rectifying plate having a large number of flow holes disposed below the object-to-be-processed holder, and the processing liquid supplied from the supply port on the bottom surface of the processing tank is supplied to a large number of the rectifying plates. In the cleaning device configured to be distributed and supplied to the processing object side through the flow holes, the plurality of flow holes of the rectifying plate may be straight lines directly below each of the plurality of processing objects every other sheet. The flow holes of a plurality of rows and adjacent straight rows are arranged so as to be shifted one by one in the arrangement direction of the object to be processed, and each diameter is larger than the thickness of the object to be processed. In addition, it is formed in a size that does not reach directly below the next workpiece It is one that is constructed by.

【0009】また、本発明の請求項2に記載の洗浄装置
は、所定の処理液を貯留する処理槽と、この処理槽内に
配設され且つ複数の被処理体を保持する被処理体保持具
と、この被処理体保持具の下方に配設された多数の流通
孔を有する整流板とを備え、上記処理槽の底面の供給口
から供給される上記処理液を上記整流板の多数の流通孔
を介して上記被処理体側へ分散供給するように構成され
た洗浄装置において、上記整流板の複数の流通孔は、上
記被処理体の下方に配列された第1流通孔と、上記被処
理体の外側に沿って配列され且つ第1流通孔より小さく
形成された複数の第2流通孔とからなり、上記第1流通
孔は、上記複数の被処理体に対して1枚置きにそれぞれ
の真下に直線状の列として複数列配列され且つ隣合う直
線列の第1流通孔がそれぞれ上記被処理体の配列方向に
一つずつずらして配置されていると共に、それぞれの径
が上記被処理体の厚さよりも大きく且つ隣の被処理体の
真下には及ばない大きさに形成されて構成されたもので
ある。
Further, a cleaning apparatus according to a second aspect of the present invention includes a processing tank for storing a predetermined processing liquid, and a processing object holding apparatus disposed in the processing tank and holding a plurality of processing objects. Tool and a rectifying plate having a large number of flow holes disposed below the object-to-be-processed holder, and the processing liquid supplied from the supply port on the bottom surface of the processing tank is supplied to a large number of the rectifying plates. In the cleaning device configured to be distributed and supplied to the processing object side through the flow holes, the plurality of flow holes of the rectifying plate are provided with a first flow hole arranged below the processing object and the flow object. A plurality of second through-holes arranged along the outside of the processing body and formed smaller than the first through-holes, wherein the first through-holes are provided every other one of the plurality of processing objects. Are arranged in a plurality of linear rows just below the first and the first flow holes of the adjacent linear rows Each of them is arranged so as to be shifted one by one in the arrangement direction of the object to be processed, and each diameter is formed to be larger than the thickness of the object to be processed and not to be directly below an adjacent object to be processed. It is configured.

【0010】また、本発明の請求項3に記載の洗浄装置
は、請求項2に記載の発明において、上記複数の第2流
通孔は、それぞれが同一の大きさに形成されてなるもの
である。
In a third aspect of the present invention, in the cleaning apparatus according to the second aspect, the plurality of second flow holes are each formed to have the same size. .

【0011】また、本発明の請求項4に記載の洗浄装置
は、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の発明に
おいて、上記供給口と上記整流板の間に、上記処理液を
分散する邪魔板を設けてなるものである。
According to a fourth aspect of the present invention, in the cleaning apparatus according to any one of the first to third aspects, the treatment liquid is dispersed between the supply port and the rectifying plate. A baffle plate is provided.

【0012】また、本発明の請求項5に記載の洗浄装置
は、請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の発明に
おいて、上記供給口を2箇所に設けたものである。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the cleaning apparatus according to any one of the first to fourth aspects, wherein the supply ports are provided at two positions.

【0013】[0013]

【作用】本発明の請求項1に記載の発明によれば、処理
槽内で保持される複数の被処理体に対して1枚置きにそ
れぞれの真下に直線状に流通孔を配列して整流板を形成
したため、整流板での流通孔の数を少なくして各流通孔
を大きくすることができ、また隣合う直線列の流通孔を
それぞれ一つずつずれた位置に配列してあるため、各直
線列の隣り合う流通孔によって被処理体間の全ての間隔
の全領域における処理液の流れを補完しあって各被処理
体間の隙間での処理液の流量を増やし、しかも各被処理
体それぞれの両面全面に処理液が均等に行き渡り被処理
体の洗浄効率を上げることができる。
According to the first aspect of the present invention, a plurality of objects to be processed held in the processing tank are arranged in a straight line immediately below each other and straightened immediately below each other. Since the plate is formed, each flow hole can be enlarged by reducing the number of flow holes in the rectifying plate, and the flow holes in adjacent straight rows are arranged at positions shifted by one each. Adjacent flow holes of each straight line complement the flow of the processing liquid in all regions at all intervals between the processing objects, thereby increasing the flow rate of the processing liquid in the gaps between the processing objects, and further, increasing the flow rate of each processing object. The processing liquid is evenly spread over both surfaces of each body, so that the efficiency of cleaning the body to be processed can be increased.

【0014】また、本発明の請求項2に記載の発明によ
れば、整流板に被処理体の下方に位置する第1流通孔と
被処理体の外側に位置する第2流通孔を設け、第2流通
孔を第1流通孔より小さくしたため、被処理体の洗浄に
寄与しない領域での処理液の流量を減らすと共に処理液
の滞留をなくし、被処理体の洗浄に寄与する領域での処
理液の流量を増やして処理液の洗浄効率を高めることが
でき、更に、第1流通孔を複数の被処理体に対して1枚
置きにそれぞれの真下に直線状に配列したため、第1流
通孔の数を少なくして各第1流通孔を大きくすることが
でき、また隣合う直線列の第1流通孔がそれぞれ一つず
つずれた位置に配列してあるため、各直線列の第1流通
孔によって被処理体間の全ての間隔の全領域における処
理液の流れを補完しあって各被処理体間の隙間での処理
液の流量を増やし、しかも各被処理体それぞれの両面全
面に処理液が均等に行き渡り被処理体の洗浄効率を上げ
ることができる。
According to the second aspect of the present invention, a first flow hole located below the object to be processed and a second flow hole located outside the object to be processed are provided in the current plate. Since the second flow hole is smaller than the first flow hole, the flow rate of the processing liquid in the area not contributing to the cleaning of the processing object is reduced, and the processing liquid is prevented from staying, and the processing in the area contributing to the cleaning of the processing object. Since the cleaning efficiency of the processing liquid can be increased by increasing the flow rate of the liquid, and the first flow holes are linearly arranged immediately below each of the plurality of objects to be processed, and the first flow holes are arranged. The number of the first flow holes can be increased by reducing the number of the first flow holes, and since the first flow holes of the adjacent straight rows are arranged at positions shifted by one each, the first flow holes of the respective straight rows are shifted. Complementary flow of processing solution in all areas at all intervals between workpieces with holes There is increased the flow rate of the processing liquid in the gaps between the object to be processed, moreover can increase the cleaning efficiency of the object spreads equally treatment liquid on the both surfaces entirely each of the target object.

【0015】また、本発明の請求項3に記載の発明によ
れば、請求項2に記載の発明において、上記複数の第2
流通孔はそれぞれが同一の大きさに形成されているた
め、被処理体が存在しない領域のほぼ全領域では、処理
液が第2流通孔から均一且つ小流量で流出して処理液の
安定した流れを形成し、この領域の処理液を円滑に置換
することができる。
According to a third aspect of the present invention, in the second aspect, the plurality of second
Since the flow holes are formed in the same size, the processing liquid flows out from the second flow holes at a uniform and small flow rate in almost the entire region where the object does not exist, and the processing liquid is stabilized. A flow is formed, and the processing liquid in this region can be smoothly replaced.

【0016】また、本発明の請求項4に記載の発明によ
れば、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の発明
において、上記供給口と上記整流板の間に上記処理液を
分散する邪魔板を設けたため、供給口から流入する処理
液を整流板に向けて分散させて全ての流通孔に対して処
理液を行き渡らせることができる。
According to a fourth aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the processing liquid is dispersed between the supply port and the rectifying plate. Since the baffle plate is provided, the processing liquid flowing from the supply port can be dispersed toward the rectifying plate, and the processing liquid can be distributed to all the circulation holes.

【0017】また、本発明の請求項5に記載の発明によ
れば、請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の発明
において、上記供給口を2箇所に設けたため、整流板の
全流通孔に対して均等に処理液を行き渡らせることがで
きる。
According to the invention described in claim 5 of the present invention, in the invention described in any one of claims 1 to 4, the supply ports are provided at two places, so that the current plate The processing liquid can be evenly distributed to all the circulation holes.

【0018】[0018]

【実施例】以下、図1〜図10に示す実施例に基づいて
本発明を説明する。 実施例1. 本実施例の洗浄装置10は、図1に示すように、洗浄処
理前の半導体ウエハWをカセット単位で受け取ってカセ
ットCを保管するインプットバッファ機構20と、この
インプットバッファ機構20からカセット単位で半導体
ウエハWを受け取るローダ機構30と、このローダ機構
30からウエハ搬送装置41によって搬送されて来る半
導体ウエハWを薬液処理、水洗処理等の洗浄処理を行な
う洗浄処理機構40と、この洗浄処理機構40によって
処理された半導体ウエハWをアンロードするアンローダ
機構50と、このアンローダ機構50からカセット単位
で半導体ウエハWを受け取って保管するアウトプットバ
ッファ機構60とを備えて構成されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the embodiments shown in FIGS. First Embodiment As shown in FIG. 1, a cleaning apparatus 10 of the present embodiment receives an unprocessed semiconductor wafer W in cassette units and stores a cassette C therein. A loader mechanism 30 for receiving the semiconductor wafers W in cassette units; a cleaning processing mechanism 40 for performing a cleaning process such as a chemical solution process and a water washing process on the semiconductor wafers W transferred from the loader mechanism 30 by the wafer transfer device 41; An unloader mechanism 50 for unloading the semiconductor wafer W processed by the processing mechanism 40, and an output buffer mechanism 60 for receiving and storing the semiconductor wafer W in cassette units from the unloader mechanism 50 are provided.

【0019】また、上記洗浄処理機構40の上方には上
記ウエハ搬送装置41によって半導体ウエハWが取り出
された後の空のカセットCを洗浄、乾燥処理するカセッ
ト洗浄・乾燥ライン70が上記洗浄処理機構40に沿っ
て配設されている。そして、 このカセット洗浄・乾燥ラ
イン70には昇降機構80を介して空のカセットCを
上記ローダ機構30から持ち上げて供給するように構成
されている。また、アンローダ機構50側にも同様の昇
降機構(図示せず)が配設され、この昇降機構を介して
洗浄、乾燥後のカセットCをアンローダ機構50へ供給
するように構成されている。
A cassette cleaning / drying line 70 for cleaning and drying the empty cassette C after the semiconductor wafer W has been taken out by the wafer transfer device 41 is provided above the cleaning processing mechanism 40. It is arranged along 40. Then, an empty cassette C is supplied to the cassette washing / drying line 70 via an elevating mechanism 80.
It is configured to lift and supply from the loader mechanism 30. A similar lifting mechanism (not shown) is also provided on the unloader mechanism 50 side, and the cassette C after cleaning and drying is supplied to the unloader mechanism 50 via the lifting mechanism.

【0020】そして、上記インプットバッファ機構20
は、外部から供給されたカセットCを載置する載置部2
1と、この載置部21のカセットCをカセット搬送機構
22によって移載し、すぐに処理できないカセットCを
一時的に保管するカセット保管部23とを備えて構成さ
れている。また、上記カセット搬送機構22は、上記載
置部21に載置されたカセットC内の半導体ウエハWを
処理する際に、カセットCを上記載置部21から上記ロ
ーダ機構30へ移載するように構成されている。そし
て、このローダ機構30は半導体ウエハWのオリエンテ
ーションフラットを例えば上側あるいは下側に揃える位
置合わせ機構(図示せず)を備えて構成されている。
尚、上記アウトプットバッファ機構60も上記インプッ
トバッファ機構20と同様に構成されている。
The input buffer mechanism 20
Is a mounting unit 2 for mounting a cassette C supplied from outside.
1 and a cassette storage section 23 for transferring the cassette C of the mounting section 21 by the cassette transport mechanism 22 and temporarily storing the cassette C that cannot be processed immediately. Further, when processing the semiconductor wafer W in the cassette C mounted on the mounting portion 21, the cassette transport mechanism 22 transfers the cassette C from the mounting portion 21 to the loader mechanism 30. Is configured. The loader mechanism 30 includes a positioning mechanism (not shown) for aligning the orientation flat of the semiconductor wafer W with, for example, an upper side or a lower side.
The output buffer mechanism 60 has the same configuration as the input buffer mechanism 20.

【0021】また、上記洗浄処理機構40は、例えば、
上記ウエハ搬送装置41と、このウエハ搬送装置41の
ウエハチャック41Aを洗浄、乾燥するチャック洗浄・
乾燥 処理槽42と、このチャック洗浄・乾燥処理槽42
の下流側に順次配設され且つ 半導体ウエハW表面の有
機汚染物、金属不純物あるいはパーティクル等の不要物
質を洗浄により除去する薬液処理槽43、薬液処理後の
半導体ウエハWを水洗する二つの水洗処理槽44、4
4、上記薬液処理槽43とは別の薬液処理を行なう薬液
処理槽45、二つの水洗処理槽46、46と、ウエハチ
ャック41Aを洗浄、乾燥するチャック洗浄・乾燥処理
槽47と、不純物質が除去された半導体ウエハWを例え
ばイソプロピルアルコール(IPA)等で蒸気乾燥する
乾燥処理槽48とを備えて構成されている。そして、上
記薬液処理槽43、45及び水洗処理槽44、46は、
それぞれの処理液がオーバーフローし、そのオーバーフ
ローした処理液を排出し、あるいは循環させて蓄積され
た不純物を除去して循環使用するように構成されてい
る。また、各処理槽は後述の外槽内に配置されている。
そして、各外槽には各処理槽を覆う開閉制御された開閉
扉が取り付けられ、処理時に各処理槽から処理液が蒸散
しないように構成されている。
The cleaning mechanism 40 is, for example,
A wafer cleaning device for cleaning and drying the wafer transfer device 41 and the wafer chuck 41A of the wafer transfer device 41.
The drying treatment tank 42 and the chuck cleaning / drying treatment tank 42
Chemical treatment tank 43 which is sequentially disposed on the downstream side of the semiconductor wafer W and removes unnecessary substances such as organic contaminants, metal impurities or particles on the surface of the semiconductor wafer W by washing, and two washing treatments for washing the semiconductor wafer W after the chemical solution treatment Tanks 44, 4
4, a chemical processing tank 45 for performing a chemical processing different from the chemical processing tank 43, two rinsing processing tanks 46, 46, a chuck cleaning and drying processing tank 47 for cleaning and drying the wafer chuck 41A, A drying processing tank 48 for steam-drying the removed semiconductor wafer W with, for example, isopropyl alcohol (IPA) or the like is provided. And the above-mentioned chemical processing tanks 43 and 45 and washing processing tanks 44 and 46
Each processing solution overflows, and the overflowed processing solution is discharged or circulated to remove accumulated impurities and to be circulated and used. Each processing tank is disposed in an outer tank described later.
Each of the outer tanks is provided with an open / closed door that covers each processing tank and that is controlled to open and close, so that the processing liquid does not evaporate from each processing tank during processing.

【0022】そして、上記ウエハ搬送装置41は、図1
に示すように、各薬液処理槽43、45による影響のな
いように3台配設されている。これらの各ウエハ搬送装
置41は、例えば50枚の半導体ウエハWを一括して把
持する左右一対のウエハチャック41Aと、このウエハ
チャック41Aを昇降させると共に前後方向で進退動さ
せる駆動機構(図示せず)と、上記処理槽42ないし4
8に沿って配設された搬送ベース41Bとを備え、上記
搬送ベース41Bに沿って往復移動するように構成され
ている。
Then, the above-mentioned wafer transfer device 41
As shown in (3), three units are provided so as not to be affected by the respective chemical processing tanks 43 and 45. Each of these wafer transfer devices 41 includes, for example, a pair of left and right wafer chucks 41A that collectively hold 50 semiconductor wafers W, and a driving mechanism (not shown) that moves the wafer chuck 41A up and down and moves forward and backward. ) And the processing tanks 42 to 4
And a transport base 41B disposed along the transport base 8 so as to reciprocate along the transport base 41B.

【0023】また、上記各処理槽、例えば上記薬液処理
槽43は、図2に示すように、高温に加熱されたアンモ
ニア水等の処理液を貯留する矩形状の処理槽本体43A
と、この処理槽本体43A内に配設されて半導体ウエハ
Wを例えば50枚垂直に保持するウエハ保持具43B
と、このウエハ保持具43Bのやや下方に配設され且つ
多数の流通孔43Cを有する整流板43Dと、この整流
板43Dの下方から処理液を供給する供給配管43Eと
を備えて構成されている。また、上記供給配管43Eは
上記処理槽本体43Aの底面の2箇所の供給口43F、
43Fから処理液を供給するように構成され、更に、各
供給口43F、43Fのやや上方には邪魔板43G、4
3Gが配設され、これらの邪魔板43G、43Gによっ
て上記整流板43Dの全面に向けて処理液を分散するよ
うに構成されている。
As shown in FIG. 2, each of the processing tanks, for example, the chemical liquid processing tank 43 has a rectangular processing tank main body 43A for storing a processing liquid such as aqueous ammonia heated to a high temperature.
And a wafer holder 43B disposed in the processing tank main body 43A and vertically holding, for example, 50 semiconductor wafers W.
And a rectifying plate 43D provided slightly below the wafer holder 43B and having a large number of flow holes 43C, and a supply pipe 43E for supplying a processing liquid from below the rectifying plate 43D. . Further, the supply pipe 43E has two supply ports 43F on the bottom surface of the processing tank main body 43A,
The processing liquid is supplied from the supply port 43F, and the baffle plates 43G, 4F are provided slightly above the respective supply ports 43F, 43F.
3G is provided, and the baffle plates 43G, 43G are configured to disperse the processing liquid toward the entire surface of the rectifying plate 43D.

【0024】そして、上記整流板43Dの流通孔43C
は、図2及び図3にウエハ保持具を省略して示すよう
に、上記ウエハ保持具43Bに保持された半導体ウエハ
Wの下方にのみに形成されている。しかも、上記各流通
孔43Cは、図3、図4に示すように、例えば50枚の
半導体ウエハWに対して1枚置きにそれぞれの半導体ウ
エハWの真下で上記処理槽本体43Aの長手方向に直線
状に4列配列されている。しかも、互いに隣合う列はそ
れぞの流通孔43Cがそれぞれ一つずつずれた位置に配
列されている。また、各流通孔43Cは、図5に示すよ
うに例えば半導体ウエハWが6インチで50枚の場合、
その大きさが半導体ウエハWの厚さより大きさな直径で
両隣の半導体ウエハWに及ばない大きさ、例えば直径
5.6mmで、その数が全体で例えば130個形成され
ている。そして、上記整流板43Dは、各流通孔43C
から供給される処理液を半導体ウエハWでその両面に分
流して半導体ウエハW間の隙間を流すように構成されて
いる。また、その他の処理槽の整流板も上記薬液処理槽
43と同様に構成されている。
The flow holes 43C of the current plate 43D.
Is formed only below the semiconductor wafer W held by the wafer holder 43B, as shown in FIGS. 2 and 3 with the wafer holder omitted. In addition, as shown in FIGS. 3 and 4, each of the flow holes 43C is provided, for example, every 50 semiconductor wafers W, in the longitudinal direction of the processing tank main body 43A immediately below each semiconductor wafer W. Four rows are arranged in a straight line. Moreover, the adjacent rows are arranged at positions where the respective flow holes 43C are shifted by one each. In addition, as shown in FIG. 5, for example, when the number of semiconductor wafers W is 6 inches and 50 pieces, as shown in FIG.
The diameter of the semiconductor wafer W is larger than the thickness of the semiconductor wafer W and cannot reach the adjacent semiconductor wafers W, for example, the diameter is 5.6 mm, and the total number of the semiconductor wafers W is, for example, 130. And the above-mentioned current plate 43D is provided with each flow hole 43C.
The processing liquid supplied from the semiconductor wafer W is diverted to both surfaces of the semiconductor wafer W and flows through the gap between the semiconductor wafers W. In addition, the rectifying plates of the other processing tanks are configured similarly to the chemical solution processing tank 43.

【0025】また、図2に示すように上記処理槽本体4
3Aの上端部外周にはオーバーフロー槽43Hが取り付
けられ、上記処理槽本体43Aからオーバーフローした
処理液を受けるように構成されている。このオーバーフ
ローした処理液は上述のようにそのまま排出するか、あ
るいは循環使用するように構成されている。また、上記
薬液処理槽43のオーバーフロー槽43Hには図6に示
すようにカバー43Iが配設され、このカバー43Iに
よって処理液の蒸発を抑制すると共に処理液からの放熱
を抑制し純水等の水処理液の補充を軽減すると共にエネ
ルギー損失を抑制するように構成されている。また、上
記カバー43Iは、例えば、石英等の耐食性の無機系材
料、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素系樹脂、ポ
リプロピレン系樹脂等の有機系の材料によって形成され
ている。更に、図6に示すように上記処理槽本体43A
を収納する外槽100の左右上端には両開き式のオート
カバー101、101がロータリアクチュエータ10
2、102を介して開閉制御自在に取り付けられ、前述
のように処理時に薬液処理槽43から処理液が蒸散しな
いように構成されている。
Further, as shown in FIG.
An overflow tank 43H is attached to the outer periphery of the upper end of 3A, and is configured to receive the overflowed processing liquid from the processing tank body 43A. The overflowed processing liquid is configured to be discharged as it is, as described above, or to be recycled. As shown in FIG. 6, a cover 43I is provided in the overflow tank 43H of the chemical processing tank 43, and the cover 43I suppresses the evaporation of the processing liquid and the heat radiation from the processing liquid to prevent pure water or the like. It is configured to reduce replenishment of the water treatment liquid and suppress energy loss. The cover 43I is made of, for example, a corrosion-resistant inorganic material such as quartz, a fluorine-based resin such as polytetrafluoroethylene, or an organic material such as a polypropylene-based resin. Further, as shown in FIG.
At the left and right upper ends of the outer tank 100 for storing the
It is mounted so as to be freely openable and closable via the components 2 and 102, and is configured such that the processing liquid does not evaporate from the chemical processing tank 43 during processing as described above.

【0026】更に、上記洗浄装置10は、図1では図示
しないが全体が図7、図8に示す隔壁90によって周囲
から隔離されている。そして、この隔壁90の要所には
同図に示すように窓91が形成されている。この窓91
の敷居92には引き戸93が開閉自在に配設されてい
る。また、上記敷居92には引き戸93が摺動してもパ
ーティクルを発生し難く、滑り特性に優れたポリテトラ
フルオロエチレン等のフッ素系樹脂からなるテープ94
が貼着され、クリーンルームでの発塵を防止するように
構成されている。上記テープ94は、上記敷居92以外
の引き戸92が摺動する部分に貼着することによってパ
ーティクルの発生を更に防止することができる。また、
上記テープ94は、上記敷居92及び/または上記引き
戸93に貼着するようにすれば良い。尚、上記隔壁90
はポリ塩化ビニール樹脂等の樹脂によって形成され、ま
た、上記引き戸93は透明性に優れた塩化ビニール系樹
脂、アクリル系樹脂等の樹脂によって形成されている。
Further, although not shown in FIG. 1, the entire cleaning device 10 is isolated from the surroundings by a partition wall 90 shown in FIGS. A window 91 is formed at an important part of the partition wall 90 as shown in FIG. This window 91
A sliding door 93 is provided on the threshold 92 so as to be freely opened and closed. In addition, a tape 94 made of a fluororesin such as polytetrafluoroethylene, which hardly generates particles even when the sliding door 93 slides, and has excellent sliding properties, is provided on the threshold 92.
Is attached so as to prevent dust generation in a clean room. The tape 94 can be further prevented from generating particles by being attached to a portion other than the threshold 92 where the sliding door 92 slides. Also,
The tape 94 may be attached to the threshold 92 and / or the sliding door 93. The partition 90
Is formed of a resin such as a polyvinyl chloride resin, and the sliding door 93 is formed of a resin having excellent transparency, such as a vinyl chloride resin or an acrylic resin.

【0027】次に、本実施例の洗浄装置10の動作につ
いて説明する。まず、25枚単位でカセットCに収納さ
れた半導体ウエハWをインプットバッファ機構20の載
置部21へ供給すると、カセット搬送機構22が駆動し
て供給されたカセットCを2個単位でローダ機構30へ
移載する。そして、その後に供給されたカセットCにつ
いてはカセット搬送機構22によって保管部23へ移載
し、保管部23でその後のカセットCの半導体ウエハW
を一時的に保管する。
Next, the operation of the cleaning apparatus 10 of this embodiment will be described. First, when the semiconductor wafers W stored in the cassette C in units of 25 are supplied to the mounting portion 21 of the input buffer mechanism 20, the cassette transport mechanism 22 is driven to load the supplied cassettes C in units of two. Transfer to. Then, the cassette C supplied thereafter is transferred to the storage unit 23 by the cassette transport mechanism 22, and the semiconductor wafer W of the subsequent cassette C is stored in the storage unit 23.
Store temporarily.

【0028】上記ローダ機構30に2個のカセットCが
供給されると、ローダ機構30が駆動して2個のカセッ
トC内の半導体ウエハWのオリエンテーションフラット
を一方向に揃えて50枚の半導体ウエハWを位置決めす
る一方、ウエハ搬送装置41が駆動してウエハチャック
41Aをチャック洗浄・乾燥処理槽42内に移動させ て
ウエハチャック41Aを洗浄、乾燥してロード機構30
の半導体ウエハWを受け取る態勢に入る。その後、ロー
ダ機構30が駆動して2個のカセットCから半導体ウエ
ハWを一括して持ち上げながら各カセットCの半導体ウ
エハWを近づけると、ウエハ搬送装置41が駆動してウ
エハチャック41Aで50枚の半導体ウエハWを把持す
る。半導体ウエハWを把持したウエハチャック41A
は、ウエハ搬送装置41の駆動によって搬送ベース41
Bに沿って薬液処理槽43へ移動した後、その位置でウ
エハチャック41Aを下降させて薬液処理槽43内のウ
エハ保持具(図示せず)へ50枚の半導体ウエハWを引
き渡して処理液に浸漬する。
When two cassettes C are supplied to the loader mechanism 30, the loader mechanism 30 is driven to align the orientation flats of the semiconductor wafers W in the two cassettes C in one direction and to load 50 semiconductor wafers. While positioning W, the wafer transfer device 41 is driven to move the wafer chuck 41A into the chuck cleaning / drying processing tank 42 to clean and dry the wafer chuck 41A and load the wafer chuck 41A.
To receive the semiconductor wafer W. Thereafter, when the loader mechanism 30 is driven to lift the semiconductor wafers W from the two cassettes C and bring the semiconductor wafers W of each cassette C closer together, the wafer transfer device 41 is driven to drive 50 wafers by the wafer chuck 41A. The semiconductor wafer W is gripped. Wafer chuck 41A holding semiconductor wafer W
The transfer base 41 is driven by the drive of the wafer transfer device 41.
After moving to the chemical solution processing tank 43 along B, the wafer chuck 41A is lowered at that position, and the 50 semiconductor wafers W are delivered to a wafer holder (not shown) in the chemical solution processing tank 43 and are transferred to the processing solution. Immerse.

【0029】この薬液処理槽43では供給配管43Eか
ら処理液を供給しているため、供給された処理液は2箇
所の供給口43F、43Fの邪魔板43G、43Gによ
って整流板43Dの全面に分散され、整流板43Dの各
流通孔43Cから略均等に半導体ウエハW側へ流入す
る。この際、各流通孔43Cが半導体ウエハWの真下で
1枚置きに配置されているため、例えば図5に示すよう
に左端にある半導体ウエハWではその真下の流通孔43
Cから半導体ウエハWの両面に沿って処理液が流れると
共に、右端にある半導体ウエハWでは同様にその真下の
流通孔43Cから半導体ウエハWの両面に沿って処理液
が流れ、中央にある半導体ウエハWではその両面に沿っ
て隣合う流通孔43Cから分流した処理液が流れる。そ
の結果、全ての半導体ウエハWそれぞれの間の狭い隙間
に処理液が流れて半導体ウエハWを確実に洗浄すること
ができる。
In this chemical processing tank 43, the processing liquid is supplied from the supply pipe 43E, so that the supplied processing liquid is dispersed over the entire surface of the rectifying plate 43D by the baffle plates 43G, 43G of the two supply ports 43F, 43F. Then, the gas flows into the semiconductor wafer W from the flow holes 43C of the rectifying plate 43D substantially uniformly. At this time, since each flow hole 43C is disposed immediately below the semiconductor wafer W, every other flow hole 43C is disposed immediately below the semiconductor wafer W, for example, as shown in FIG.
C, the processing liquid flows along both surfaces of the semiconductor wafer W, and in the semiconductor wafer W at the right end, the processing liquid also flows along the two surfaces of the semiconductor wafer W from the flow hole 43C immediately below the processing liquid. In W, the processing liquid divided from the adjacent circulation holes 43C flows along both surfaces. As a result, the processing liquid flows into the narrow gaps between all the semiconductor wafers W, and the semiconductor wafers W can be reliably cleaned.

【0030】更に、上記流通孔43Cの直線列は、上述
のように上記整流板43Dの幅方向に4列形成されてい
るため、それぞれの流通孔43Cの列でも同様にして半
導体ウエハW間の隙間で処理液の流れを作るため、各半
導体ウエハWの全幅における処理液の確実な流れを形成
することができる。しかしながら、半導体ウエハWが存
在しない領域に相当する整流板43Dには流通孔がない
ため、これらの領域では半導体ウエハWの周端面で案内
された処理液のみが流れ、その領域での処理液の流量が
制限されて半導体ウエハW間の隙間での流れが主体にな
って全半導体ウエハWを確実且つ効率良く処理すること
ができる。
Further, since the straight rows of the flow holes 43C are formed in four rows in the width direction of the rectifying plate 43D as described above, the rows of the flow holes 43C are similarly arranged between the semiconductor wafers W. Since the flow of the processing liquid is created in the gap, a reliable flow of the processing liquid over the entire width of each semiconductor wafer W can be formed. However, since there is no flow hole in the current plate 43D corresponding to the region where the semiconductor wafer W does not exist, only the processing liquid guided by the peripheral end surface of the semiconductor wafer W flows in these regions, and the processing liquid in that region flows. The flow rate is limited, and the flow in the gap between the semiconductor wafers W is mainly performed, so that all the semiconductor wafers W can be processed reliably and efficiently.

【0031】上記薬液処理槽43での半導体ウエハWの
処理が終了すると、上述の場合とは逆の動作によってウ
エハ搬送装置41のウエハチャック41Aがウエハ保持
具43Bから半導体ウエハWを一括して受け取り、次の
水洗処理槽44のウエハ保持具へ移載して上述と同様の
動作によって水洗処理を行ない、更に次の水洗処理槽4
4で同様の水洗処理を行なって最初の洗浄処理を完了す
る。その後、中間のウエハ搬送装置41のウエハチャッ
ク41Aにより薬液処理槽45、水洗処理槽46、46
で上述と同様の動作により洗浄処理を行なう。そして、
最下流のウエハ搬送装置41により水洗処理槽46から
半導体ウエハWを受け取ってこれらに乾燥処理槽48に
おいてIPAによる蒸気乾燥を行なってローダ機構30
と同様に構成されたアンローダ機構50で待機する2個
のカセットCに乾燥後の半導体ウエハWを収納する。こ
の時、アンローダ機構50で待機するカセットCはカセ
ット洗浄・乾燥ライン70を通過する間に洗浄、乾燥さ
れてパーティクル等が除去 された清浄な状態になって
いる。洗浄処理後の半導体ウエハWは、アウトプットバ
ッファ機構60を介して次工程へカセット単位で排出さ
れる。
When the processing of the semiconductor wafer W in the chemical processing tank 43 is completed, the wafer chuck 41A of the wafer transfer device 41 collectively receives the semiconductor wafers W from the wafer holder 43B by an operation reverse to the above. Then, the wafer is transferred to the wafer holder in the next washing tank 44, and the washing is performed by the same operation as described above.
The same washing process is performed in 4 to complete the first washing process. Thereafter, the chemical solution treatment tank 45 and the water washing treatment tanks 46, 46 are operated by the wafer chuck 41A of the intermediate wafer transfer device 41.
Then, the cleaning process is performed by the same operation as described above. And
The semiconductor wafers W are received from the rinsing processing tank 46 by the lowermost wafer transfer device 41 and subjected to steam drying by IPA in the drying processing tank 48 to perform load drying.
The dried semiconductor wafers W are stored in the two cassettes C waiting by the unloader mechanism 50 having the same configuration as described above. At this time, the cassette C waiting by the unloader mechanism 50 is cleaned and dried while passing through the cassette cleaning / drying line 70, and is in a clean state in which particles and the like are removed. The semiconductor wafer W after the cleaning process is discharged to the next step via the output buffer mechanism 60 in units of cassettes.

【0032】以上説明したように本実施例によれば、整
流板43Dの流通孔43Cの数が少なく、しかも一種類
の流通孔43Cを設けるだけで良いため、整流板43D
の製造時に流通孔43Cの加工管理が行ない易く、しら
も低コストで整流板43Dを製造することができ、洗浄
装置10の製造コスト低減に寄与することができる。ま
た、本実施例によれば、処理槽で保持された半導体ウエ
ハWに対して1枚置きにそれぞれの真下に半導体ウエハ
Wの厚さより大きな寸法で両隣の半導体ウエハWに及ば
ない大きさの流通孔43Cを設けたため、各半導体ウエ
ハW間の隙間でそれぞれの全面に処理液が円滑に流れて
半導体ウエハWの洗浄効率を高めることができる。
As described above, according to the present embodiment, the number of the flow holes 43C of the current plate 43D is small, and only one type of the flow holes 43C needs to be provided.
It is easy to perform the processing management of the circulation hole 43C at the time of manufacturing, and it is possible to manufacture the rectifying plate 43D at a low cost, thereby contributing to a reduction in the manufacturing cost of the cleaning device 10. Further, according to the present embodiment, every other semiconductor wafer W held in the processing tank has a size larger than the thickness of the semiconductor wafer W and a size smaller than the adjacent semiconductor wafers W on the other side. Since the holes 43C are provided, the processing liquid smoothly flows over the entire surface of each of the semiconductor wafers W in the gaps between the semiconductor wafers W, and the cleaning efficiency of the semiconductor wafers W can be increased.

【0033】実施例2. 本実施例の洗浄装置10は、実施例1における各処理槽
とは整流板43Dを異にする以外は実施例1に準じて構
成されている。そこで、本実施例における整流板43D
を図9を参照しながら説明する。本実施例における整流
板43Dは、同図に示すように、その複数の流通孔43
Cが薬液処理槽43内においてウエハ保持具で保持され
た各半導体ウエハWの下方にそれぞれ配列された、例え
ば直径が5.6mmの第1流通孔43Cと、各半導体ウ
エハWの外側(半導体ウエハWの 存在しない領域)に
沿って配列された第1流通孔43Cより小さい、例えば
直径が3.4mmの第2流通孔43Jとで構成されてい
る。そして、各第1流通孔4 3Cは、実施例1の場合
と同様、50枚の半導体ウエハWに対して1枚置きにそ
れぞれの半導体ウエハWの真下で上記処理槽本体43A
の長手方向に直線状に4列配列されている。しかも、隣
合う直線列はそれぞれの第1流通孔43Cが一つずつず
れた位置に配列されている。また、第1流通孔43C
は、実施例1と同様例えば半導体ウエハWが6インチで
50枚の場合には、130個形成され、第2流通孔43
Jは半導体ウエハWの存在しない左右両側の領域に沿っ
て9個ずつ1列に形成されている。
Embodiment 2 The cleaning apparatus 10 of this embodiment is configured in the same manner as in Embodiment 1 except that the rectifying plate 43D is different from each processing tank in Embodiment 1. Therefore, the current plate 43D in the present embodiment.
Will be described with reference to FIG. As shown in the figure, the current plate 43D in this embodiment has a plurality of flow holes 43D.
C is arranged below each semiconductor wafer W held by the wafer holder in the chemical solution processing tank 43, for example, a first circulation hole 43 </ b> C having a diameter of 5.6 mm, and the outside of each semiconductor wafer W (semiconductor wafer W). (A region where W does not exist) and a second flow hole 43J having a diameter of 3.4 mm, for example, smaller than the first flow hole 43C. Then, as in the case of the first embodiment, the first flow holes 43C are disposed every other semiconductor wafer W for every 50 semiconductor wafers W, immediately below each semiconductor wafer W, and in the processing tank main body 43A.
Are arranged in four rows linearly in the longitudinal direction. Moreover, adjacent straight rows are arranged at positions where the respective first flow holes 43C are shifted by one. Also, the first circulation hole 43C
In the same manner as in the first embodiment, for example, when the number of semiconductor wafers W is 6 inches and 50 pieces, 130 pieces are formed and the second flow holes 43 are formed.
J are formed in a row of nine pieces along the left and right regions where the semiconductor wafer W does not exist.

【0034】従って本実施例によれば、半導体ウエハW
の存在しない領域にも半導体ウエハWの下方の第1流通
孔43Cよりも小さな第2流通孔43Jを設けたため、
図10に示すように処理液の主たる流れは第1流通孔4
3Cによって半導体ウエハW間の隙間で形成されて半導
体ウエハWを効率的に洗浄処理すると共に、半導体ウエ
ハWが存在しない領域では第2流通孔43Jによって小
流量の処理液の流れが形成され、この領域での処理液の
滞留を防止して処理液の円滑な置換を促進することがで
きる。また、本実施例によれば、実施例1と同様に整流
板43Dの流通孔43C、43Jの数が従来に比べて少
なく、しかも二種類の流通孔で済ますことができるた
め、実施例1と同様に洗浄装置10の製造コストの低減
に寄与することができる。
Therefore, according to the present embodiment, the semiconductor wafer W
The second flow hole 43J smaller than the first flow hole 43C below the semiconductor wafer W is also provided in a region where no
As shown in FIG. 10, the main flow of the processing liquid is
3C is formed in the gap between the semiconductor wafers W to efficiently clean the semiconductor wafer W, and a small flow rate of the processing liquid is formed by the second flow holes 43J in the region where the semiconductor wafer W does not exist. The stagnation of the processing liquid in the region can be prevented, and the smooth replacement of the processing liquid can be promoted. Further, according to the present embodiment, similarly to the first embodiment, the number of the flow holes 43C and 43J of the current plate 43D is smaller than that of the related art, and two types of the flow holes can be used. Similarly, it can contribute to a reduction in the manufacturing cost of the cleaning device 10.

【0035】次に、整流板の流通孔の数及び大きさと、
6インチの半導体ウエハが50枚保持された処理槽での
処理液による洗浄効果との関係について下記の条件で試
験を行なった。そして、本試験では塩酸を添加した純水
を初期の処理液として用い、この処理液に純水を供給す
ることによって純水の比抵抗値に近い、15MΩ・c m
の比抵抗値まで回復するのに要する時間の長短によって
処理液による洗浄効率を評価した。 [試験条件] 1.処理槽;幅320mm、幅238mm、深さ202
mm 2.純水の供給口での比抵抗値;17.3MΩ・cm 3.純水の供給速度;下記表1及び表2参照 4.処理液;純水に約18%の塩酸1ccを添加した溶
液 5.純水の供給速度;下記表1及び表2参照 6.整流板の第1流通孔及び第2流通孔の数及び直径;
下記表1及び表2参照 7.比抵抗値の測定条件 測定位置:半導体ウエハの上端近傍 測定間隔:塩酸添加後60秒から、以降20秒毎に78
0秒までの間
Next, the number and size of the flow holes in the flow straightening plate,
A test was conducted under the following conditions for the relationship with the cleaning effect of the processing liquid in the processing bath holding 50 6-inch semiconductor wafers. In this test, pure water to which hydrochloric acid was added was used as an initial treatment liquid, and pure water was supplied to this treatment liquid to obtain a specific resistance of 15 MΩ · cm which was close to the specific resistance of pure water.
The cleaning efficiency with the treatment liquid was evaluated based on the length of time required to recover to the specific resistance value. [Test conditions] 1. Treatment tank; width 320 mm, width 238 mm, depth 202
mm 2. Specific resistance value at supply port of pure water; 17.3 MΩ · cm 3. Supply rate of pure water; see Tables 1 and 2 below 4. Treatment liquid; 1 cc of hydrochloric acid of about 18% added to pure water Solution 5. Supply rate of pure water; see Tables 1 and 2 below 6. Number and diameter of first and second flow holes of current plate;
See Tables 1 and 2 below 7. Measurement conditions of specific resistance Measurement position: Near the upper end of semiconductor wafer Measurement interval: From 60 seconds after hydrochloric acid addition, 78 every 20 seconds thereafter
Until 0 seconds

【0036】そこで、本試験ではまず、図11に示すよ
うに、半導体ウエハWの下方に4列配列された第1流通
孔43Cと、半導体ウエハWの両外側に沿ってそれぞれ
1列ずつ配列された第2流通孔43Jとを有する整流板
43Dを12種類作製した。そして、12種類の整流板
43Dは、それぞれの第1流通孔43C、第2流通孔4
3Jの大きさ及び数を異にするものである。そして、各
整流板43Dを用いた場合の処理槽内での処理液の比抵
抗値を間欠的に測定し、それぞれの結果を試験例1〜1
2として下記表1に示した。下記表1に示す結果によれ
ば、第1流通孔43C及び第2流通孔43Jが共に直径
が5.6mmで、両者合わせた数が14 8個の整流板4
3Dを用いた試験例12の場合が全試験例の中で最も短
時間で比抵抗値が15MΩ・cmに達すること、つまり
最も洗浄効率に優れていることが 判った。この試験例
12で用いた整流板43Dの流通孔は、148個のうち
130個が第1流通孔43C、18個が第2流通孔43
Jであることが判った。
Therefore, in this test, first, as shown in FIG. 11, the first flow holes 43C arranged in four rows below the semiconductor wafer W and one row are arranged along both outer sides of the semiconductor wafer W. Twelve types of rectifying plates 43D having the second flow holes 43J were produced. The twelve rectifying plates 43D are respectively provided with the first flow holes 43C and the second flow holes 4C.
The size and number of 3J are different. Then, the specific resistance value of the processing liquid in the processing tank when each rectifying plate 43D is used is intermittently measured, and the results are referred to as Test Examples 1 to 1.
2 is shown in Table 1 below. According to the results shown in Table 1 below, both the first circulation hole 43C and the second circulation hole 43J have a diameter of 5.6 mm, and the total number of both is 148.
In the case of Test Example 12 using 3D, it was found that the specific resistance reached 15 MΩ · cm in the shortest time among all the test examples, that is, the cleaning efficiency was the most excellent. Of the 148 flow holes of the current plate 43D used in Test Example 12, 130 of the 148 flow holes were the first flow holes 43C and 18 were the second flow holes 43.
It turned out to be J.

【0037】次いで、上記試験結果に基づいて、流通孔
の数を148個に設定すると共に第1流通孔43Cの大
きさを5.6mmで130個に設定し、18個の第2流
通孔 43Jの直径のみを下記表2に示すように変化さ
せて3種類の整流板43Dを作製し、それぞれを用いた
場合の処理液の比抵抗値を間欠的に測定し、それぞれの
結果を下記表2に示した。下記表2に示す結果によれ
ば、直径3.4mの第2流 通孔43Jを有する整流板4
3Dを用いた試験例14の場合が全試験例の中で最も短
時間で比抵抗値が15MΩ・cmに達すること、つまり
最も洗浄効率に優れ ていることが判った。また、純水
の使用量を試験例12と試験例14とで検討した結果、
試験例14の整流板、つまり実施例2で用いた整流板の
方が試験例12のものよりも純水の使用量が少ないこと
が判った。これらの結果から、上述した実施例2の洗浄
装置10が洗浄効率に優れていることが判った。
Next, based on the above test results, the number of flow holes was set to 148, the size of the first flow holes 43C was set to 130 at 5.6 mm, and the 18 second flow holes 43J were set. The three types of rectifying plates 43D were prepared by changing only the diameter of the rectifying plate as shown in Table 2 below, and the specific resistance value of the treatment liquid when each was used was measured intermittently. It was shown to. According to the results shown in Table 2 below, the current plate 4 having the second through hole 43J having a diameter of 3.4 m is provided.
In the case of Test Example 14 using 3D, it was found that the specific resistance value reached 15 MΩ · cm in the shortest time among all the test examples, that is, the cleaning efficiency was excellent. In addition, as a result of examining the amount of pure water used in Test Examples 12 and 14,
It was found that the current plate of Test Example 14, that is, the current plate used in Example 2 used less pure water than that of Test Example 12. From these results, it was found that the above-described cleaning apparatus 10 of Example 2 was excellent in cleaning efficiency.

【0038】[0038]

【表1】 [Table 1]

【0039】[0039]

【表2】 但し、この表では第2流通孔のみが大きさが変化するた
め、第2流通孔の直径及び数のみで整流板を示してい
る。
[Table 2] However, in this table, the size of only the second communication hole changes, and therefore, the current plate is indicated only by the diameter and the number of the second communication hole.

【0040】尚、上記各実施例では、流通孔及び第1流
通孔43Cの大きさが5.6mm、 第2流通孔43Jの
大きさが3.4mmの整流板43Dについて説明した
が、第 1流通孔は半導体ウエハWの厚さより大きな直
径を有する整流板であれば、上記各実施例に準じた効果
を奏することができる。また、上記各実施例では半導体
ウエハWを洗浄する場合についてのみ説明したが、本発
明は上記各実施例に何等制限されるものではなく、その
他プリント基板、LCD基板の洗浄処理等についても本
発明を同様に適用することができる。
In each of the above embodiments, the rectifying plate 43D in which the size of the flow hole and the first flow hole 43C is 5.6 mm and the size of the second flow hole 43J is 3.4 mm has been described. As long as the flow hole has a flow rectifying plate having a diameter larger than the thickness of the semiconductor wafer W, effects similar to those of the above embodiments can be obtained. Further, in each of the embodiments described above, only the case where the semiconductor wafer W is cleaned has been described. However, the present invention is not limited to the above embodiments, and the present invention is also applicable to a cleaning process of a printed board and an LCD board. Can be similarly applied.

【0041】[0041]

【発明の効果】以上説明したように本発明の請求項1に
記載の発明によれば、所定の処理液を貯留する処理槽
と、この処理槽内に配設され且つ複数の被処理体を保持
する被処理体保持具と、この被処理体保持具の下方に配
設された多数の流通孔を有する整流板とを備え、上記処
理槽の底面の供給口から供給される上記処理液を上記整
流板の多数の流通孔を介して上記被処理体側へ分散供給
するように構成された洗浄装置において、上記整流板の
複数の流通孔は、上記複数の被処理体に対して1枚置き
にそれぞれの真下に直線状の列として複数列配列され且
つ隣合う直線列の流通孔がそれぞれ上記被処理体の配列
方向に一つずつずらして配置されていると共に、それぞ
れの径が上記被処理体の厚さよりも大きく且つ隣の被処
理体の真下には及ばない大きさに形成されているため、
整流板の製造コストを低減することができると共にその
製造管理が容易で、しかも各直線列の隣り合う流通孔か
らの処理液がその真上の被処理体でその両面に分流し、
真上に流通孔が存在しない被処理体両面への処理液の流
れを補完しあって各流通孔の真上の被処理体は勿論のこ
と、真下に流通孔が存在しない被処理体に対しても処理
液を層流状態の上昇流で均等に行き渡らせ、より少ない
流通孔で被処理体の洗浄効率を上げることができ、被処
理体の洗浄時間を短縮することができる洗浄装置を提供
することができる。
As described above, according to the first aspect of the present invention, a processing tank for storing a predetermined processing liquid and a plurality of objects to be processed provided in the processing tank are provided. An object holder for holding, and a rectifying plate having a large number of circulation holes disposed below the object holder, and the processing solution supplied from a supply port on a bottom surface of the processing tank is provided. In the cleaning device configured to be distributed and supplied to the object to be processed through a large number of flow holes of the rectifying plate, a plurality of flow holes of the rectifying plate are provided one for each of the plurality of objects to be processed. A plurality of linear holes are arranged as straight lines directly below each other, and the flow holes of the adjacent linear lines are arranged one by one in the arrangement direction of the object to be processed, and the diameters of the respective holes are different from each other. Larger than the thickness of the body and just below the next object to be processed Because it is formed to have size,
The manufacturing cost of the current plate can be reduced and the manufacturing control thereof is easy, and the processing liquid from the adjacent flow holes of each straight line is diverted to both surfaces of the object to be processed just above it,
Complements the flow of the processing liquid to both surfaces of the processing object where there is no flow hole directly above, and not only the processing object just above each flow hole but also the processing object where there is no flow hole directly below Provided is a cleaning apparatus that can evenly distribute the processing liquid with the upward flow in a laminar flow state, can increase the cleaning efficiency of the object to be processed with fewer circulation holes, and can shorten the cleaning time of the object to be processed. can do.

【0042】また、本発明の請求項2に記載の発明によ
れば、所定の処理液を貯留する処理槽と、この処理槽内
に配設され且つ複数の被処理体を保持する被処理体保持
具と、この被処理体保持具の下方に配設された多数の流
通孔を有する整流板とを備え、上記処理槽の底面の供給
口から供給される上記処理液を上記整流板の多数の流通
孔を介して上記被処理体側へ分散供給するように構成さ
れた洗浄装置において、上記整流板の複数の流通孔は、
上記被処理体の下方に配列された第1流通孔と、上記被
処理体の外側に沿って配列され且つ第1流通孔より小さ
く形成された複数の第2流通孔とからなり、上記第1流
通孔は、上記複数の被処理体に対して1枚置きにそれぞ
れの真下に直線状の列として複数列配列され且つ隣合う
直線列の第1流通孔がそれぞれ上記被処理体の配列方向
に一つずつずらして配置されていると共に、それぞれの
径が上記被処理体の厚さよりも大きく且つ隣の被処理体
の真下には及ばない大きさに形成されているため、第2
流通孔により被処理体の存在しない領域での処理液の滞
留を防止し、しかも請求項1に記載の洗浄装置と比較し
て被処理体の洗浄時間を更に短縮することができる洗浄
装置を提供することができる。
According to the second aspect of the present invention, a processing tank for storing a predetermined processing liquid, and a processing object disposed in the processing tank and holding a plurality of processing objects. A holder, and a rectifying plate having a number of flow holes disposed below the object-to-be-processed holder, wherein the processing liquid supplied from a supply port on a bottom surface of the processing tank is supplied to the rectifying plate by a number of In the cleaning device configured to be distributed and supplied to the object side through the flow holes, the plurality of flow holes of the current plate,
A first flow hole arranged below the object to be processed and a plurality of second flow holes arranged along the outside of the object to be processed and formed smaller than the first flow hole; The flow holes are arranged in a plurality of linear rows immediately below each of the plurality of objects to be processed, and the first flow holes of the adjacent linear rows are respectively arranged in the arrangement direction of the objects. Since they are arranged to be shifted one by one and their diameters are larger than the thickness of the object to be processed and are not so large as to be directly below the adjacent object to be processed, the second
Provided is a cleaning device that prevents a processing liquid from remaining in a region where a processing object does not exist by a flow hole, and that can further reduce the cleaning time of the processing object as compared with the cleaning device according to claim 1. can do.

【0043】また、本発明の請求項3に記載の発明によ
れば、請求項2に記載の発明において、上記複数の第2
流通孔はそれぞれが同一の大きさに形成されているた
め、被処理体が存在しない領域では第2流通孔によって
均一で小流量の処理液の安定した流れを形成し、この領
域の処理液を円滑に置換できる洗浄装置を提供すること
ができる。
According to a third aspect of the present invention, in the second aspect, the plurality of second
Since the flow holes are formed to have the same size, a uniform and stable flow of the processing liquid having a small flow rate is formed by the second flow hole in the region where the object is not present, and the processing liquid in this region is formed. A cleaning device that can be replaced smoothly can be provided.

【0044】また、本発明の請求項4に記載の発明によ
れば、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の発明
において、上記供給口と上記整流板の間に上記処理液を
分散する邪魔板を設けたため、供給口から流入する処理
液を整流板に向けて分散させて全ての流通孔に対して処
理液を行き渡らせる洗浄装置を提供することができる。
According to a fourth aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the processing liquid is dispersed between the supply port and the rectifying plate. Since the baffle plate is provided, it is possible to provide a cleaning device that disperses the processing liquid flowing from the supply port toward the rectifying plate and distributes the processing liquid to all the flow holes.

【0045】また、本発明の請求項5に記載の発明によ
れば、請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の発明
において、上記供給口を2箇所に設けたため、整流板の
全流通孔に対して均等に処理液を行き渡らせる洗浄装置
を提供することができる。
According to a fifth aspect of the present invention, in the invention according to any one of the first to fourth aspects, the supply port is provided at two places, so that the flow regulating plate It is possible to provide a cleaning device capable of uniformly distributing the processing liquid to all the flow holes.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の洗浄装置の一実施例を示す全体斜視図
である。
FIG. 1 is an overall perspective view showing one embodiment of a cleaning apparatus of the present invention.

【図2】図1に示す洗浄装置の洗浄槽を取り出して示す
長手方向の断面図である。
FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing a cleaning tank taken out of the cleaning apparatus shown in FIG. 1;

【図3】図2に示す洗浄槽の整流板と半導体ウエハとの
関係を示す斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view showing a relationship between a current plate and a semiconductor wafer of the cleaning tank shown in FIG. 2;

【図4】図3に示す洗浄槽の整流板の流通孔と半導体ウ
エハとの関係を示す部分平面図である。
FIG. 4 is a partial plan view showing a relationship between a flow hole of a current plate of the cleaning tank shown in FIG. 3 and a semiconductor wafer.

【図5】図3に示す洗浄槽内での処理液の流れを説明す
る説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram illustrating a flow of a processing solution in a cleaning tank illustrated in FIG. 3;

【図6】図1に示す洗浄装置の洗浄槽の処理槽本体、外
槽及びオートカバーの関係を示す断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a relationship among a processing tank main body, an outer tank, and an auto cover of the cleaning tank of the cleaning apparatus shown in FIG.

【図7】図1に示す洗浄装置を周囲から区画する隔壁に
形成された窓の部分を示す斜視図である。
7 is a perspective view showing a window portion formed in a partition that partitions the cleaning device shown in FIG. 1 from the surroundings.

【図8】図7に示す窓の縦方向の断面を示す断面図であ
る。
8 is a cross-sectional view showing a vertical cross section of the window shown in FIG.

【図9】本発明の洗浄装置の他の実施例の洗浄槽を取り
出して示す斜視図である。
FIG. 9 is a perspective view showing a cleaning tank of another embodiment of the cleaning apparatus of the present invention.

【図10】図9に示す洗浄槽内での処理液の流れを説明
する説明図である。
10 is an explanatory diagram illustrating a flow of a processing solution in the cleaning tank illustrated in FIG.

【図11】洗浄槽の洗浄性能を調べるために試作された
整流板を示す平面図である。
FIG. 11 is a plan view showing a rectifying plate experimentally manufactured for checking the cleaning performance of the cleaning tank.

【図12】従来の洗浄装置の洗浄槽を示す図で、その内
部での処理液の流れを説明する説明図である。
FIG. 12 is a diagram illustrating a cleaning tank of a conventional cleaning apparatus, and is an explanatory diagram illustrating a flow of a processing liquid in the cleaning tank.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 洗浄装置 43 薬液処理槽 43A 処理槽本体 43B ウエハ保持具(被処理体保持具) 43C 流通孔、第1流通孔 43D 整流板 43I 第2流通孔 W 半導体ウエハ(被処理体) Reference Signs List 10 cleaning device 43 chemical liquid processing tank 43A processing tank main body 43B wafer holder (target holder) 43C flow hole, first flow hole 43D rectifying plate 43I second flow hole W semiconductor wafer (process target)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 本田 儀幸 佐賀県鳥栖市西新町1375番地41 東京エ レクトロン佐賀株式会社内 (56)参考文献 特開 平1−184926(JP,A) 特開 昭64−57624(JP,A) 実開 平4−103645(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/304 642 B08B 11/02 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Yoshiyuki Honda 1375-1, Nishishinmachi, Tosu City, Saga Prefecture Inside Tokyo Electron Saga Co., Ltd. (56) References JP-A-1-184926 (JP, A) JP-A-64 −57624 (JP, A) Hira 4-103645 (JP, U) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/304 642 B08B 11/02

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 所定の処理液を貯留する処理槽と、この
処理槽内に配設され且つ複数の被処理体を保持する被処
理体保持具と、この被処理体保持具の下方に配設された
多数の流通孔を有する整流板とを備え、上記処理槽の底
面の供給口から供給される上記処理液を上記整流板の多
数の流通孔を介して上記被処理体側へ分散供給するよう
に構成された洗浄装置において、上記整流板の複数の流
通孔は、上記複数の被処理体に対して1枚置きにそれぞ
れの真下に直線状の列として複数列配列され且つ隣合う
直線列の流通孔がそれぞれ上記被処理体の配列方向に一
つずつずらして配置されていると共に、それぞれの径が
上記被処理体の厚さよりも大きく且つ隣の被処理体の真
下には及ばない大きさに形成されていることを特徴とす
る洗浄装置。
1. A processing tank for storing a predetermined processing liquid, a processing object holder provided in the processing tank, and holding a plurality of processing objects, and a processing object holding tool disposed below the processing object holding tool. A rectifying plate having a large number of flow holes provided therein, wherein the processing liquid supplied from the supply port on the bottom surface of the processing tank is dispersedly supplied to the object side through the large number of flow holes of the rectifier plate. In the cleaning apparatus configured as described above, the plurality of flow holes of the rectifying plate are arranged in a plurality of linear rows immediately below each of the plurality of objects to be processed, and are adjacent to each other. Are arranged one by one in the arrangement direction of the object to be processed, and the diameter of each of the holes is larger than the thickness of the object to be processed and is smaller than immediately below the next object to be processed. A cleaning device characterized in that it is formed.
【請求項2】 所定の処理液を貯留する処理槽と、この
処理槽内に配設され且つ複数の被処理体を保持する被処
理体保持具と、この被処理体保持具の下方に配設された
多数の流通孔を有する整流板とを備え、上記処理槽の底
面の供給口から供給される上記処理液を上記整流板の多
数の流通孔を介して上記被処理体側へ分散供給するよう
に構成された洗浄装置において、上記整流板の複数の流
通孔は、上記被処理体の下方に配列された第1流通孔
と、上記被処理体の外側に沿って配列され且つ第1流通
孔より小さく形成された複数の第2流通孔とからなり、
上記第1流通孔は、上記複数の被処理体に対して1枚置
きにそれぞれの真下に直線状の列として複数列配列され
且つ隣合う直線列の第1流通孔がそれぞれ上記被処理体
の配列方向に一つずつずらして配置されていると共に、
それぞれの径が上記被処理体の厚さよりも大きく且つ隣
の被処理体の真下には及ばない大きさに形成されている
ことを特徴とする洗浄装置。
2. A processing tank for storing a predetermined processing liquid, a processing object holder provided in the processing tank and holding a plurality of processing objects, and a processing object holding tool disposed below the processing object holding tool. A rectifying plate having a large number of flow holes provided therein, wherein the processing liquid supplied from the supply port on the bottom surface of the processing tank is dispersedly supplied to the object side through the large number of flow holes of the rectifier plate. In the cleaning device configured as described above, the plurality of flow holes of the rectifying plate are provided with a first flow hole arranged below the object to be processed and a first flow hole arranged along the outside of the object to be processed. Consisting of a plurality of second flow holes formed smaller than the holes,
The first through-holes are arranged in a plurality of linear rows immediately below each of the plurality of objects to be processed, and the first through-holes in adjacent linear rows are respectively arranged in the adjacent straight lines. While being arranged one by one in the arrangement direction,
A cleaning apparatus wherein each diameter is formed to be larger than the thickness of the object to be processed and not to be directly below an adjacent object to be processed.
【請求項3】 上記複数の第2流通孔は、それぞれが同
一の大きさに形成されてなることを特徴とする請求項2
に記載の洗浄装置。
3. The plurality of second flow holes are each formed in the same size.
The cleaning device according to item 1.
【請求項4】 上記供給口と上記整流板の間に、上記処
理液を分散する邪魔板を設けたことを特徴とする請求項
1〜請求項3のいずれか1項に記載の洗浄装置。
4. The cleaning apparatus according to claim 1, wherein a baffle for dispersing the processing liquid is provided between the supply port and the rectifying plate.
【請求項5】 上記供給口を2箇所に設けたことを特徴
とする請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の洗浄
装置。
5. The cleaning apparatus according to claim 1, wherein the supply ports are provided at two places.
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