JPH06295481A - Optical pickup - Google Patents

Optical pickup

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JPH06295481A
JPH06295481A JP5080640A JP8064093A JPH06295481A JP H06295481 A JPH06295481 A JP H06295481A JP 5080640 A JP5080640 A JP 5080640A JP 8064093 A JP8064093 A JP 8064093A JP H06295481 A JPH06295481 A JP H06295481A
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light
hologram
optical
optical path
magneto
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Takeshi Yamazaki
健 山崎
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Olympus Corp
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Olympus Optical Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To suppress a decrease in C/N and stably detect a magnetooptic signal by small-sized constitution by utilizing a semiconductor substrate which has a semiconductor laser and photodetecting means, and an optical branch element, where a hologram and polarized light separating surfaces are formed, in one body. CONSTITUTION:A unit 1 is formed by integrating the substrate 7 which has the semiconductor layer 13 and photodetection parts 15 and 16 and the optical branching element 9 which has polarized light separating surfaces 12a and 12b, etc., in one body. The laser light from the laser 3 becomes a light of 0th order and lights of (+ or -)th order for tracking through a grating 10a to irradiate a magnetooptic recording medium. Their reflected lights are deflected and separated by a branching mirror to a 1st and a 2sn optical path and made incident on the hologram 10c, and they are separated by separating surfaces 12a and 12b and detected by photodetectors 17a and 17b, and 18a and 18b. This unit of small-sized constitution suppresses the decrease in C/N by the photodetection of 100% P-polarized lights and stably detects the magnetooptic signal.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、光ディスク等の光学
式記録媒体に対して情報の記録および/または再生を行
う記録/再生装置に用いる光ピックアップに関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical pickup used in a recording / reproducing apparatus for recording and / or reproducing information on an optical recording medium such as an optical disk.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の光ピックアップとして、例えば特
開昭63−32743号公報に、図12に示すようなも
のが提案されている。この光ピックアップにおいては、
半導体レーザ61からの発散ビームを、レンズ62によ
り一旦収束させた後、再び発散させてホログラムレンズ
63を経てコリメータレンズ64に導き、該コリメータ
レンズ64で平行ビームに変換して対物レンズ65によ
り光磁気記録媒体66上にスポットとして照射してい
る。
2. Description of the Related Art As a conventional optical pickup, for example, the one shown in FIG. 12 is proposed in Japanese Patent Laid-Open No. 63-32743. In this optical pickup,
The divergent beam from the semiconductor laser 61 is once converged by the lens 62, then diverged again and guided to the collimator lens 64 via the hologram lens 63, converted into a parallel beam by the collimator lens 64, and converted by the objective lens 65 into a magneto-optical beam. The recording medium 66 is irradiated with spots.

【0003】光磁気記録媒体66で反射される戻り光
は、対物レンズ65およびコリメータレンズ64を経て
ホログラムレンズ63に導き、ここで非点収差を有する
±1次の回折光を発生させて、これら±1次回折光を偏
光レンズ67を経て、基板68に形成したそれぞれ4分
割受光領域を有する光検出器69,70に入射させてい
る。このようにして、光検出器9,10の出力の差から
光磁気信号を検出し、また非点収差法によりフォーカス
エラー信号を得るようにしている。
Return light reflected by the magneto-optical recording medium 66 is guided to a hologram lens 63 via an objective lens 65 and a collimator lens 64, where ± 1st-order diffracted light having astigmatism is generated, and these are generated. The ± 1st-order diffracted light passes through the polarization lens 67 and is incident on the photodetectors 69 and 70 formed on the substrate 68 and each having four-divided light receiving regions. In this way, the magneto-optical signal is detected from the difference between the outputs of the photo detectors 9 and 10, and the focus error signal is obtained by the astigmatism method.

【0004】また、従来の他の光ピックアップとして、
図13および図14に示すようなものも提案されてい
る。この光ピックアップは、ホログラムを用いないもの
で、半導体レーザ61からの発散ビームは、コリメータ
レンズ64で平行光とされた後、偏光ビームスプリッタ
71にP偏光で入射され、該偏光ビームスプリッタ71
を透過して対物レンズ65により光磁気記録媒体66に
収束される。
As another conventional optical pickup,
Those shown in FIGS. 13 and 14 have also been proposed. This optical pickup does not use a hologram, and the divergent beam from the semiconductor laser 61 is collimated by the collimator lens 64 and then enters the polarization beam splitter 71 as P-polarized light.
And is converged on the magneto-optical recording medium 66 by the objective lens 65.

【0005】光磁気記録媒体66で反射される戻り光
は、対物レンズ65を経て偏光ビームスプリッタ71で
反射された後、1/2波長板76で偏光方向が45°回
転されて集光レンズ72を経て偏光分離機能を有する台
形型プリズム73に入射する。この台形型プリズム73
に入射した戻り光は、偏光分離面73aによりS偏光成
分は反射されて基板74上の3分割光検出器75bに、
P偏光成分は透過して基板74上の3分割光検出器75
aにそれぞれ導かれる。このようにして、光検出器75
a,75bの出力に基づいて、それらの差から光磁気信
号を検出し、またビームサイズ法によりフォーカスエラ
ー信号を得るようにしている。
The return light reflected by the magneto-optical recording medium 66 passes through the objective lens 65, is reflected by the polarization beam splitter 71, and is then rotated by 45 ° in the polarization direction by the ½ wavelength plate 76, and then the condenser lens 72. And enters the trapezoidal prism 73 having a polarization separating function. This trapezoidal prism 73
The S-polarized light component of the return light incident on is reflected by the polarization splitting surface 73a, and the three-divided photodetector 75b on the substrate 74
The P-polarized component is transmitted and the three-division photodetector 75 on the substrate 74
a respectively led to. In this way, the photodetector 75
Based on the outputs of a and 75b, the magneto-optical signal is detected from the difference between them, and the focus error signal is obtained by the beam size method.

【0006】この光ピックアップにおいては、半導体レ
ーザ61の出射光を偏光ビームスプリッタ71にP偏光
で入射させているので、光磁気記録媒体66からの戻り
光に含まれるカー回転の情報は、S偏光成分が有するこ
とになる。したがって、この場合には、戻り光のS偏光
成分を効率良く光検出器75a,75bに導けば、光磁
気信号の振幅を大きくでき、C/Nを増加させることが
できるので、偏光ビームスプリッタ71のS偏光成分の
反射率RS を100%とすることが望ましい。このた
め、この光ピックアップにおいては、偏光ビームスプリ
ッタ71のP,S各偏光成分の透過率Tおよび反射率R
を、例えばTP 80%:TS 0%:RP 20%:RS
00%程度に設定するようにしている。
In this optical pickup, since the light emitted from the semiconductor laser 61 is incident on the polarization beam splitter 71 as P-polarized light, the Kerr rotation information contained in the returned light from the magneto-optical recording medium 66 is S-polarized light. The ingredients will have. Therefore, in this case, if the S-polarized component of the return light is efficiently guided to the photodetectors 75a and 75b, the amplitude of the magneto-optical signal can be increased and the C / N can be increased. It is desirable to set the reflectance R S of the S-polarized component of 100 to 100%. Therefore, in this optical pickup, the transmittance T and the reflectance R of the P and S polarization components of the polarization beam splitter 71 are set.
For example, T P 80%: T S 0%: R P 20%: R S 1
It is set to about 00%.

【0007】また、光ピックアップとして、本願人も、
例えば特願平4−110022号において、図15〜図
18に示すようなものを提案している。この光ピックア
ップは、半導体レーザ、光検出器およびホログラムをユ
ニット化し、このユニット81からの出射光を絞り82
および対物レンズ83を経て記録媒体84に照射し、記
録媒体84で反射される戻り光を逆の経路をたどってユ
ニット1に入射させるようにしたものである。
As an optical pickup, the present applicant also
For example, Japanese Patent Application No. 4-110022 proposes the ones shown in FIGS. In this optical pickup, a semiconductor laser, a photodetector and a hologram are unitized, and the light emitted from this unit 81 is stopped by a diaphragm 82.
Also, the recording medium 84 is irradiated with the light through the objective lens 83, and the return light reflected by the recording medium 84 is made incident on the unit 1 along the reverse path.

【0008】ユニット81は、図16に断面図を示すよ
うに、基板85に半導体基板86を設けると共に、スペ
ーサ87を介してホログラム光学素子88を設けて構成
している。また、半導体基板86には、図17に平面図
を示すように、半導体レーザ89をマウントすると共
に、この半導体レーザ89のx方向両側にy方向に並ん
で、それぞれ3個の光検出器91,92,93および9
4,95,96を形成しており、中央の光検出器92お
よび95は、それぞれy方向に3分割した受光領域92
a,92b,92cおよび95a,95b,95cをも
って構成している。また、半導体レーザ89は、図18
に部分断面図を示すように、半導体基板86にエッチン
グにより形成された凹部86aにマウントし、その凹部
86aのエッチングによる斜面86bをミラー面とし
て、半導体レーザ89から半導体基板86の平面と平行
な方向に出射される光束を、ミラー面86bで半導体基
板86のほぼ法線方向に反射させるようにしている。
As shown in the sectional view of FIG. 16, the unit 81 is constructed by providing a semiconductor substrate 86 on a substrate 85 and a hologram optical element 88 via a spacer 87. As shown in the plan view of FIG. 17, a semiconductor laser 89 is mounted on the semiconductor substrate 86, and three photodetectors 91, which are arranged in the y direction on both sides of the semiconductor laser 89 in the x direction, respectively. 92, 93 and 9
4, 95 and 96 are formed, and the photodetectors 92 and 95 at the center are respectively divided into three light receiving regions 92 in the y direction.
a, 92b, 92c and 95a, 95b, 95c. Further, the semiconductor laser 89 is shown in FIG.
As shown in the partial cross-sectional view in FIG. 1, the semiconductor substrate 86 is mounted in a recess 86a formed by etching, and the slope 86b formed by etching of the recess 86a is used as a mirror surface in a direction parallel to the plane of the semiconductor substrate 86 from the semiconductor laser 89. The mirror surface 86b reflects the light beam emitted to the optical disk in a direction substantially normal to the semiconductor substrate 86.

【0009】さらに、ホログラム光学素子88には、図
16に示すように、半導体基板86側の表面に半導体レ
ーザ89からの光束を0次光および±1次回折光の3本
の光束に分離するグレーティング88aを形成し、反対
側の表面には記録媒体84からの戻り光を回折すると共
に、その±1次回折光に互いに逆方向のフォーカルパワ
ーを与えるホログラムパターン88bを形成している。
Further, in the hologram optical element 88, as shown in FIG. 16, a grating for separating the light flux from the semiconductor laser 89 into three light fluxes of 0th-order light and ± 1st-order diffracted light on the surface of the semiconductor substrate 86 side. 88a is formed, and on the opposite surface, a hologram pattern 88b is formed which diffracts the return light from the recording medium 84 and gives the ± 1st order diffracted lights a focal power in opposite directions.

【0010】このようにして、半導体レーザ89からの
出射光を、ミラー面86bで反射した後、グレーティン
グ88aで1本のメインビームと2本のサブビームとの
3本のビームに分離して、それぞれ絞り82および対物
レンズ83を経て記録媒体84に照射している。また、
記録媒体84に照射された3本の光束の戻り光は、逆の
経路をたどってホログラムパターン88bでそれぞれ回
折させ、そのメインビームの±1次回折光を、中央の光
検出器92および95でそれぞれ受光し、一方のサブビ
ームの±1次回折光を、例えば光検出器91および94
で、他方のサブビームの±1次回折光を、光検出器93
および96でそれぞれ受光して、光検出器92,95の
出力に基づいてビームサイズ法によりフォーカスエラー
信号を得、また光検出器91,93,94,96の出力
に基づいて3ビーム法によりトラッキングエラー信号を
得るようにしている。
In this way, the light emitted from the semiconductor laser 89 is reflected by the mirror surface 86b and then separated by the grating 88a into three beams of one main beam and two sub-beams, respectively. The recording medium 84 is irradiated through the diaphragm 82 and the objective lens 83. Also,
The return lights of the three light fluxes applied to the recording medium 84 follow the opposite paths and are diffracted by the hologram patterns 88b, respectively, and the ± first-order diffracted lights of the main beam are respectively detected by the photodetectors 92 and 95 in the center. The ± 1st-order diffracted light of one of the sub-beams received is received by, for example, photodetectors 91 and 94.
Then, the ± first-order diffracted light of the other sub-beam is detected by the photodetector 93.
And 96, respectively, receive a focus error signal by the beam size method based on the outputs of the photodetectors 92, 95, and perform tracking by the 3-beam method based on the outputs of the photodetectors 91, 93, 94, 96. I am trying to get an error signal.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図12
に示した従来の光ピックアップにおいては、光磁気記録
媒体66で反射された戻りをホログラム63で回折させ
て光検出器69,70に入射させているが、ホログラム
63が、その溝の深さが波長に比べて浅い薄型のホログ
ラムで構成されているため、±1次回折光の回折効率
(±1次回折光量/入射光量)が偏光状態に依存せず、
カー回転の情報を有する偏光成分を100%光検出器6
9,70に導くことができない。このため、光磁気信号
の振幅が小さくなって、C/Nが低下するという問題が
ある。
However, as shown in FIG.
In the conventional optical pickup shown in FIG. 3, the return reflected by the magneto-optical recording medium 66 is diffracted by the hologram 63 and made incident on the photodetectors 69 and 70. Since it is composed of a thin hologram that is shallower than the wavelength, the diffraction efficiency of the ± 1st order diffracted light (± 1st order diffracted light amount / incident light amount) does not depend on the polarization state,
100% of the polarized component having Kerr rotation information is detected by the photodetector 6
Can't lead to 9,70. Therefore, there is a problem that the amplitude of the magneto-optical signal becomes small and C / N decreases.

【0012】この問題を解決する方法として、ホログラ
ム63の±1次回折光の回折効率を大きくすることが考
えられるが、このようにすると0次光の光効率(0次光
の光量/入射光量)が低下して、半導体レーザ61から
光磁気記録媒体66へのカップリング効率が低下し、情
報書き込み時の半導体レーザ61の必要出射パワーが大
きくなって、発熱等の問題が生じることになる。
As a method for solving this problem, it is conceivable to increase the diffraction efficiency of the ± first-order diffracted light of the hologram 63. However, if this is done, the light efficiency of the 0th-order light (light amount of 0th-order light / incident light amount) Is decreased, the coupling efficiency from the semiconductor laser 61 to the magneto-optical recording medium 66 is decreased, the required emission power of the semiconductor laser 61 at the time of writing information is increased, and problems such as heat generation occur.

【0013】また、図13および図14に示した光ピッ
クアップにおいては、偏光ビームスプリッタ71を用い
て戻り光を光検出器75a,75bに導くようにしてい
るので、カー回転の情報を有する偏光成分を有効に受光
することができるが、戻り光を偏光ビームスプリッタ7
1でほぼ90°反射させて光検出器75a,75bで受
光するようにしているため、半導体レーザ61から対物
レンズ65への光路に対し垂直方向に光路が突出し、装
置の小型化が困難になるという問題がある。また、半導
体レーザ61と光検出器75a,75bとが別体になっ
ているため、経時変化、温度変化に伴う相対的な位置ず
れが生じやすく、これがため高い信頼性が得にくいとい
う問題もある。
In the optical pickups shown in FIGS. 13 and 14, the polarization beam splitter 71 is used to guide the return light to the photodetectors 75a and 75b. Therefore, the polarization component having the Kerr rotation information. Of the polarized beam splitter 7
Since the light is reflected by approximately 90 ° at 1 and received by the photodetectors 75a and 75b, the optical path protrudes in the direction perpendicular to the optical path from the semiconductor laser 61 to the objective lens 65, which makes it difficult to downsize the device. There is a problem. In addition, since the semiconductor laser 61 and the photodetectors 75a and 75b are separated, relative positional deviation easily occurs due to changes over time and changes in temperature, which makes it difficult to obtain high reliability. .

【0014】さらに、図15〜図18に示した本願人が
先に提案した光ピックアップにおいては、半導体レーザ
89、光検出器91,92,93,94,95,96、
およびホログラム光学素子88を一体としてユニット化
しているので、装置を小型化できると共に、高い信頼性
を得ることができるという利点があるが、光磁気信号を
得る場合の具体的構成については、言及されていない。
Further, in the optical pickup previously proposed by the applicant of the present invention shown in FIGS. 15 to 18, the semiconductor laser 89, the photodetectors 91, 92, 93, 94, 95, 96,
Since the hologram optical element 88 is integrated as a unit, there is an advantage that the device can be downsized and high reliability can be obtained. However, a specific configuration for obtaining a magneto-optical signal is mentioned. Not not.

【0015】この発明は、上述した種々の問題点に着目
してなされたもので、小型で高い信頼性を得ることがで
きると共に、C/Nの低下を抑え、光磁気信号を安定し
て検出できるよう適切に構成した光ピックアップを提供
することを目的とする。
The present invention has been made by paying attention to the above-mentioned various problems, and it is possible to obtain a small size and high reliability, suppress a decrease in C / N, and stably detect a magneto-optical signal. An object of the present invention is to provide an optical pickup that is appropriately configured so as to be capable.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するため、この発明では、半導体レーザと複数の光検
出器を有する受光手段とを具える半導体基板と、前記半
導体レーザからの出射光をほぼ平行光束にするコリメー
タレンズと、このコリメータレンズでほぼ平行光束にさ
れた光を光磁気記録媒体に収束させる対物レンズと、前
記コリメータレンズと前記対物レンズとの間に配置さ
れ、前記光磁気記録媒体で反射された戻り光の光路を第
1および第2の光路に偏光分離する光路分岐手段と、前
記コリメータレンズと前記半導体レーザとの間に、前記
半導体基板と一体化したユニットとして配置され、前記
半導体レーザからの出射光を、前記光磁気記録媒体に対
する情報の読み取りまたは書き込み用のメインビーム
と、トラッキングエラー信号検出用のサブビームとに分
離するグレーティング;前記第1の光路の戻り光を回折
する第1のホログラム;前記第2の光路の戻り光を回折
する第2のホログラム;この第2のホログラムの0次光
の光軸とほぼ平行に配置され、該第2のホログラムでの
戻り光の+1次回折光および/または−1次回折光をそ
の偏光方向に応じて分離する偏光分離面を有する光分岐
素子とを具え、前記第1のホログラムでの±1次回折光
および前記偏光分離面で分離される光を前記受光手段で
分離して受光するよう構成する。
In order to achieve the above object, according to the present invention, a semiconductor substrate having a semiconductor laser and a light receiving means having a plurality of photodetectors, and light emitted from the semiconductor laser are provided. A collimator lens for making a substantially parallel light beam, an objective lens for converging the light made into a substantially parallel light beam by the collimator lens on a magneto-optical recording medium, and a collimator lens arranged between the objective lens and the magneto-optical recording An optical path branching unit that polarizes and separates the optical path of the return light reflected by the medium into first and second optical paths, and is disposed as a unit integrated with the semiconductor substrate between the collimator lens and the semiconductor laser. The light emitted from the semiconductor laser is used as a main beam for reading or writing information on the magneto-optical recording medium and a tracking error. Grating that is separated into a sub beam for signal detection; First hologram that diffracts return light of the first optical path; Second hologram that diffracts return light of the second optical path; 0 of this second hologram An optical branching element that is arranged substantially parallel to the optical axis of the next light and has a polarization splitting surface that splits the + 1st-order diffracted light and / or the -1st-order diffracted light of the return light from the second hologram according to its polarization direction. And the ± first-order diffracted light from the first hologram and the light separated by the polarization splitting surface are separated by the light receiving means and received.

【0017】さらに、この発明では、半導体レーザと複
数の光検出器を有する受光手段とを具える半導体基板
と、前記半導体レーザからの出射光をほぼ平行光束にす
るコリメータレンズと、このコリメータレンズでほぼ平
行光束にされた光を光磁気記録媒体に収束させる対物レ
ンズと、前記コリメータレンズと前記対物レンズとの間
に配置され、前記光磁気記録媒体で反射された戻り光の
光路を第1および第2の光路に偏光分離する光路分岐手
段と、前記コリメータレンズと前記半導体レーザとの間
に、前記半導体基板と一体化したユニットとして配置さ
れ、前記第1の光路の戻り光を回折する第1のホログラ
ム;前記第2の光路の戻り光を回折する第2のホログラ
ム;前記第1のホログラムでの戻り光の0次光を回折す
る第3のホログラム;前記第2のホログラムの0次光の
光軸とほぼ平行に配置され、該第2のホログラムでの戻
り光の+1次回折光および/または−1次回折光をその
偏光方向に応じて分離する偏光分離面を有する光分岐素
子とを具え、前記第1のホログラムでの±1次回折光、
前記偏光分離面で分離される光および前記第3のホログ
ラムでの+1次回折光および/または−1次回折光を前
記受光手段で分離して受光するよう構成する。
Further, according to the present invention, a semiconductor substrate having a semiconductor laser and a light receiving means having a plurality of photodetectors, a collimator lens for converting light emitted from the semiconductor laser into a substantially parallel light flux, and this collimator lens are used. An objective lens for converging the substantially collimated light beam on the magneto-optical recording medium, and an optical path of the return light reflected by the magneto-optical recording medium are disposed between the collimator lens and the objective lens. A first unit that is disposed as a unit integrated with the semiconductor substrate between the optical path splitting unit that splits the polarized light into a second optical path, the collimator lens, and the semiconductor laser, and that diffracts the return light of the first optical path. Hologram; a second hologram that diffracts the return light of the second optical path; a third hologram that diffracts the 0th order light of the return light of the first hologram Polarization separation that is arranged substantially parallel to the optical axis of the 0th-order light of the second hologram and that separates the + 1st-order diffracted light and / or the -1st-order diffracted light of the return light from the second hologram according to its polarization direction. A light branching element having a surface, and the ± first-order diffracted light in the first hologram,
The light separated by the polarization splitting surface and the + 1st-order diffracted light and / or the -1st-order diffracted light in the third hologram are separated and received by the light receiving means.

【0018】[0018]

【実施例】以下、図面に基づいて、この発明の実施例に
ついて説明する。図1は、この発明の第1実施例を示す
ものである。この光ピックアップは、1本のメインビー
ムと2本のサブビームとを用いるもので、半導体レー
ザ、光検出器、ホログラム、偏光分離面を有するユニッ
ト1から3本のビームを出射させ、それらをコリメータ
レンズ2、偏光分離面を有する非平行平板からなる光路
分岐ミラー3および対物レンズ4を経て光磁気記録媒体
5に照射し、その光磁気記録媒体5で反射される各ビー
ムの戻り光を、対物レンズ4、光路分岐ミラー3および
コリメータレンズ2を経てユニット1に入射させるもの
である。なお、この実施例では、光磁気記録媒体5の情
報トラックと平行な方向をY、それと直交するトラッキ
ング方向をX方向とする。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention. This optical pickup uses one main beam and two sub-beams, and emits three beams from a unit 1 having a semiconductor laser, a photodetector, a hologram, and a polarization splitting surface, and outputs them from a collimator lens. 2. The optical path branching mirror 3 made of a non-parallel plate having a polarization splitting surface and the objective lens 4 irradiate the magneto-optical recording medium 5, and the return light of each beam reflected by the magneto-optical recording medium 5 is returned to the objective lens. 4, the optical path splitting mirror 3 and the collimator lens 2 to make the light incident on the unit 1. In this embodiment, the direction parallel to the information track of the magneto-optical recording medium 5 is Y, and the tracking direction orthogonal thereto is the X direction.

【0019】ユニット1は、図2に入出射面側から見た
平面図を、図3に図2のA矢視図を示すように、基板6
に半導体基板7を設けると共に、スペーサ8を介して光
分岐素子9を設けて構成する。
The unit 1 has a substrate 6 as shown in FIG. 2 which is a plan view seen from the entrance / exit surface side and FIG. 3 which is a view taken in the direction of arrow A in FIG.
In addition to providing the semiconductor substrate 7 in the above, the optical branching element 9 is provided via the spacer 8.

【0020】光分岐素子9は、平行平板状の光学ブロッ
ク10と、その両側面に貼着した平行平板11a,11
bとをもって構成する。光学ブロック10には、その半
導体基板7に面する表面に、後述する半導体レーザから
の光を1本のメインビーム(0次光)と2本のサブビー
ム(±1次回折光)とに分離するグレーティング10a
をエッチング法や2P法等により形成し、反対側の表面
には光磁気記録媒体5からの3本のビームの戻り光をそ
れぞれ回折して、その±1次回折光に互いに逆方向のフ
ォーカルパワーを与えるレンズ作用を有するホログラム
10bと、レンズ作用を有しないホログラム10cと
を、同様にエッチング法や2P法等により分離して形成
する。なお、ホログラム10bの回折方向はX方向であ
り、ホログラム10cの回折方向はXおよびY方向に対
して45°傾いた方向である。
The optical branching element 9 comprises an optical block 10 in the form of a parallel plate and parallel plates 11a, 11 attached to both side surfaces thereof.
and b. On the surface of the optical block 10 facing the semiconductor substrate 7, a grating for separating light from a semiconductor laser described later into one main beam (0th order light) and two subbeams (± 1st order diffracted light). 10a
Are formed by an etching method, a 2P method, or the like. On the opposite surface, the return lights of the three beams from the magneto-optical recording medium 5 are diffracted respectively, and the ± 1st order diffracted lights have focal powers in opposite directions. The given hologram 10b having a lens action and the hologram 10c having no lens action are separately formed by an etching method, a 2P method or the like. The diffraction direction of the hologram 10b is the X direction, and the diffraction direction of the hologram 10c is a direction inclined by 45 ° with respect to the X and Y directions.

【0021】また、平行平板11a,11bと光学ブロ
ック10との接合面12a,12bは、誘電体多層膜を
コーティングしてなる偏光分離面になっている。この光
分岐素子9は、偏光分離面12a,12bの法線が、X
・Y平面上でXおよびY軸に対してほぼ45°となるよ
うに配置する。
The joint surfaces 12a and 12b between the parallel plates 11a and 11b and the optical block 10 are polarization splitting surfaces formed by coating a dielectric multilayer film. In this optical branching element 9, the normal line to the polarization splitting surfaces 12a and 12b is X.
• Arrange so as to be approximately 45 ° with respect to the X and Y axes on the Y plane.

【0022】一方、半導体基板7には、図4に平面図を
示すように、エッチング等により凹部を形成して、この
凹部に半導体レーザ13をマウントし、この半導体レー
ザ13から半導体基板7の平面と平行な方向に出射され
る光束を、凹部のエッチング等による斜面を立ち上げミ
ラー14として半導体基板7のほぼ法線方向に反射させ
るようにする。また、ホログラム10bによる±1次回
折光をそれぞれ受光する受光部15および受光部16を
設けると共に、ホログラム10cにより回折され、偏光
分離面12a,12bでそれぞれ偏光方向に応じて分離
されるメインビームの±1次回折光を受光する光検出器
17a,17b;18a,18bを設ける。
On the other hand, as shown in the plan view of FIG. 4, a concave portion is formed on the semiconductor substrate 7 by etching or the like, and the semiconductor laser 13 is mounted in this concave portion. A light flux emitted in a direction parallel to the direction is reflected by the mirror 14 in a direction substantially normal to the semiconductor substrate 7 by raising a slope formed by etching the concave portion or the like. Further, the light receiving unit 15 and the light receiving unit 16 for respectively receiving the ± first-order diffracted lights from the hologram 10b are provided, and the ± of the main beam which is diffracted by the hologram 10c and separated by the polarization splitting surfaces 12a and 12b according to the polarization directions. Photodetectors 17a, 17b; 18a, 18b for receiving the first-order diffracted light are provided.

【0023】受光部15は、各ビームの+1次回折光に
対応して3つの光検出器15a,15b,15cをもっ
て構成すると共に、メインビームの+1次回折光を受光
する中央の光検出器15bは、ホログラム10bの回折
方向に分割線を有する3つの受光領域15d,15e,
15fをもって構成する。同様に、受光部16も、各ビ
ームの−1次回折光に対応して3つの光検出器16a,
16b,16cをもって構成すると共に、メインビーム
の−1次回折光を受光する中央の光検出器16bは、ホ
ログラム10bの回折方向に分割線を有する3つの受光
領域16d,16e,16fをもって構成する。
The light receiving section 15 is composed of three photodetectors 15a, 15b and 15c corresponding to the + 1st order diffracted light of each beam, and the central photodetector 15b which receives the + 1st order diffracted light of the main beam is Three light receiving regions 15d, 15e, which have dividing lines in the diffraction direction of the hologram 10b,
It is configured with 15f. Similarly, the light receiving unit 16 also has three photodetectors 16a, corresponding to the minus first-order diffracted light of each beam.
The central photodetector 16b which receives the -1st-order diffracted light of the main beam is constituted by three light receiving regions 16d, 16e, 16f having a dividing line in the diffraction direction of the hologram 10b.

【0024】また、光路分岐ミラー3は、誘電体多層膜
をコーティングした第1の面3aと、全反射面として作
用する第2の面3bとをもって構成し、往路においては
半導体レーザ13からの光を第1の面3aで反射させて
対物レンズ4を経て光磁気記録媒体5に導き、復路にお
いては光磁気記録媒体5からの戻り光を第1の面3aで
反射される第1の光路と、第1の面3aを透過し、第2
の面3bで反射して再び第1の面3aを透過する第2の
光路とに分離するようにする。この実施例では、第1の
面3aを、P偏光成分の透過率Tp および反射率Rp
S偏光成分の透過率Ts および反射率Rs が、それぞれ
p =100%,Rp =0%,Ts =30%,Rs =7
0%となるように構成する。
The optical path branching mirror 3 is composed of a first surface 3a coated with a dielectric multilayer film and a second surface 3b which acts as a total reflection surface. Is reflected by the first surface 3a and guided to the magneto-optical recording medium 5 via the objective lens 4. In the return path, the return light from the magneto-optical recording medium 5 is changed to the first optical path reflected by the first surface 3a. , Through the first surface 3a, the second
The second optical path is reflected by the surface 3b and is again separated from the second optical path through the first surface 3a. In this embodiment, the first surface 3a is covered with the transmittance T p and the reflectance R p of the P-polarized component,
The transmittance T s and reflectance R s of the S-polarized component are T p = 100%, R p = 0%, T s = 30%, and R s = 7, respectively.
It is configured to be 0%.

【0025】かかる構成において、半導体基板7にマウ
ントされた半導体レーザ13からの出射光は、立ち上げ
ミラー14で半導体基板2と垂直な方向に反射されて光
学ブロック10のグレーティング10aに入射し、ここ
で情報読み取りまたは記録用の1本のメインビーム(0
次光)と、トラックエラー検出用の2本のサブビーム
(±1次回折光)の3ビームに分離される。このグレー
ティング10aで分離された3本のビームは、ホログラ
ム10bを透過した後、コリメータレンズ2を経て光路
分岐ミラー3の第1の面3aで反射され、さらに対物レ
ンズ4を経て光磁気記録媒体5に収束される。なお、こ
の実施例では、半導体レーザ13からの光を光路分岐ミ
ラー3の第1の面3aに対してS偏光で入射させる。
In such a structure, the emitted light from the semiconductor laser 13 mounted on the semiconductor substrate 7 is reflected by the rising mirror 14 in the direction perpendicular to the semiconductor substrate 2 and enters the grating 10a of the optical block 10. One main beam (0
(Second light) and two sub-beams for track error detection (± first-order diffracted light) are separated into three beams. The three beams separated by the grating 10a pass through the hologram 10b, pass through the collimator lens 2 and are reflected by the first surface 3a of the optical path splitting mirror 3, and further pass through the objective lens 4 and the magneto-optical recording medium 5. Is converged to. In this embodiment, the light from the semiconductor laser 13 is incident on the first surface 3a of the optical path splitting mirror 3 as S-polarized light.

【0026】また、光磁気記録媒体5で反射される各ビ
ームの戻り光は、対物レンズ4を経て光路分岐ミラー3
に入射し、ここでその第1の面3aで反射される第1の
光路と、第1の面3aを透過して第2の面3bで反射さ
れ、再び第1の面3aを透過する第2の光路とに分離さ
れる。
The return light of each beam reflected by the magneto-optical recording medium 5 passes through the objective lens 4 and the optical path branching mirror 3 is provided.
A first optical path which is incident on the first surface 3a and is reflected by the first surface 3a, and a first optical path which is transmitted through the first surface 3a and is reflected by the second surface 3b and is transmitted again through the first surface 3a. It is separated into two optical paths.

【0027】光路分岐ミラー3で分岐された第1の光路
の戻り光は、コリメータレンズ2を経てホログラム10
bに入射し、ここで図5に図2のB−B線断面図を示す
ように、各ビームがそれぞれ回折され、メインビームの
±1次回折光が光検出器15b;16Bの受光領域15
d,15e,15f;16d,16e,16fに入射
し、2本のサブビームの+1次回折光が光検出器15
a,15cに、−1次回折光が光検出器16a,16c
にそれぞれ入射する。
The return light of the first optical path branched by the optical path branching mirror 3 passes through the collimator lens 2 and the hologram 10.
b, and each beam is diffracted as shown in the sectional view taken along line BB of FIG. 2 in FIG. 5, and the ± first-order diffracted light of the main beam is received by the photodetector 15b;
d, 15e, 15f; 16d, 16e, 16f, and the + 1st order diffracted light of the two sub-beams is detected by the photodetector 15.
The -1st-order diffracted light is detected by the photodetectors 16a and 16c on a and 15c.
Incident on each.

【0028】ここで、ホログラム10bは、±1次回折
光に互いに逆方向のフォーカルパワーを与えるようなパ
ターンとなっているので、光検出器15b上のスポット
と光検出器16b上のスポットとの大きさは、光磁気記
録媒体5の記録面に焦点が合っている場合には等しくな
り、焦点が前後にずれた場合には互いに逆方向に変化す
る。したがって、光検出器15bの受光領域15d,1
5e,15fの出力をそれぞれA1,A2,A3とし、
光検出器16Bの受光領域16d,16e,16fの出
力をそれぞれA4,A5,A6とすると、フォーカスエ
ラー信号FESは、ビームサイズ法により、
Here, since the hologram 10b has a pattern in which the ± 1st-order diffracted lights are provided with focal powers in opposite directions, the size of the spot on the photodetector 15b and the size of the spot on the photodetector 16b are large. The values are equal when the recording surface of the magneto-optical recording medium 5 is in focus, and change in opposite directions when the focus is shifted back and forth. Therefore, the light receiving regions 15d, 1 of the photodetector 15b are
The outputs of 5e and 15f are A1, A2 and A3,
Assuming that the outputs of the light receiving regions 16d, 16e, 16f of the photodetector 16B are A4, A5, A6, the focus error signal FES is

【数1】 FES=(A1+A5+A6)−(A2+A3+A4)
から得ることができる。
FES = (A1 + A5 + A6)-(A2 + A3 + A4)
Can be obtained from

【0029】また、光検出器15a,15c,16a,
16cの出力をA7,A8,A9,A10とすると、ト
ラッキングエラー信号TESは、3ビーム法により、
Further, the photodetectors 15a, 15c, 16a,
If the output of 16c is A7, A8, A9, A10, the tracking error signal TES is

【数2】TES=(A7+A9)−(A8+A10) から得ることができる。2 can be obtained from TES = (A7 + A9)-(A8 + A10).

【0030】一方、光路分岐ミラー3で分岐された第2
の光路の戻り光は、コリメータレンズ2を経て、メイン
ビームの戻り光がホログラム10cに入射し、ここで図
6に図2のC−C線断面図を示すように、±1次回折光
に分離されて、偏光分離面12a,12bにそれぞれ入
射し、それらのS偏光成分は反射されて光検出器17
a,18aに、P偏光成分は透過して光検出器17b,
18bにそれぞれ入射する。
On the other hand, the second beam split by the optical path splitting mirror 3
The return light of the optical path of is passed through the collimator lens 2 and the return light of the main beam is incident on the hologram 10c, where it is separated into ± first-order diffracted lights as shown in the sectional view taken along the line CC in FIG. Then, the S-polarized components are incident on the polarization splitting surfaces 12a and 12b, respectively, and the S-polarized components are reflected to the photodetector 17
a and 18a, the P-polarized component is transmitted to the photodetector 17b,
18b respectively.

【0031】ここで、ホログラム10cに入射するメイ
ンビームの戻り光の偏光方向は、光磁気記録媒体5に記
録されている情報に応じて、図7に示すように、±θk
のカー回転を受けるが、偏光分離面12a,12bは、
戻り光の偏光方向に対してほぼ45°傾いて配置されて
いるので、これら偏光分離面12a,12bには、図8
に示すような偏光方向で戻り光が入射することになる。
したがって、光磁気記録媒体5で生じたカー回転
(θk )の方向(記録情報)は、偏光分離面12a,1
2bによって分離されたS偏光成分とP偏光成分との差
(S1 −P1 ,S2 −P2 )によって得ることができる
ので、光磁気信号MOSは、光検出器18a,17a,
17b,18bの出力をそれぞれB1,B2,B3,B
4とすると、
[0031] Here, the polarization direction of the main beam of the return light incident on the hologram 10c, depending on the information recorded on the magneto-optical recording medium 5, as shown in FIG. 7, ± theta k
Is subjected to Kerr rotation of, but the polarization separation surfaces 12a and 12b are
Since they are arranged at an angle of about 45 ° with respect to the polarization direction of the return light, the polarization splitting surfaces 12a and 12b have a structure shown in FIG.
The return light is incident with the polarization direction as shown in.
Therefore, the direction (recording information) of the Kerr rotation (θ k ) generated in the magneto-optical recording medium 5 is the polarization separation planes 12a, 1
Since it can be obtained by the difference (S 1 -P 1 , S 2 -P 2 ) between the S-polarized component and the P-polarized component separated by 2b, the magneto-optical signal MOS can be detected by the photodetectors 18a, 17a,
The outputs of 17b and 18b are B1, B2, B3 and B, respectively.
Assuming 4

【数3】MOS=(B1+B2)−(B3+B4) から得ることができる。## EQU3 ## It can be obtained from MOS = (B1 + B2)-(B3 + B4).

【0032】以下、光路分岐ミラー3の作用について、
さらに詳細に説明する。この実施例では、上述したよう
に、半導体レーザ13の出射光を光路分岐ミラー3の第
1の面3aにS偏光で入射させている。したがって、半
導体レーザ13からの光は、第1の面3aで70%が反
射されて、対物レンズ4を経て光磁気記録媒体5に照射
されることになる。また、光磁気記録媒体5でカー回転
を受けた戻り光は、対物レンズ4を経て光路分岐ミラー
3に入射するが、この戻り光の直線偏光はカー回転角が
小さいので、光路分岐ミラー3にほぼS偏光で入射し
て、上述したようにして第1と第2の光路とに分離され
る。
The operation of the optical path splitting mirror 3 will be described below.
It will be described in more detail. In this embodiment, as described above, the emitted light of the semiconductor laser 13 is incident on the first surface 3a of the optical path branching mirror 3 as S-polarized light. Therefore, 70% of the light from the semiconductor laser 13 is reflected by the first surface 3 a, and the light is irradiated onto the magneto-optical recording medium 5 via the objective lens 4. The return light that has undergone the Kerr rotation in the magneto-optical recording medium 5 enters the optical path branching mirror 3 through the objective lens 4, but the linearly polarized light of this return light has a small Kerr rotation angle, so the optical path branching mirror 3 receives it. The light enters with almost S-polarized light and is split into the first and second optical paths as described above.

【0033】光路分岐ミラー3に入射する戻り光は、そ
の第1の面3aでS偏光成分がほぼ70%反射され、P
偏光成分がほぼ100%透過するので、第1の光路に
は、入射光のほぼ70%のS偏光成分の光が導かれ、こ
の光がコリメータレンズ2を経てホログラム10bに入
射して、上述したようにフォーカスエラー信号およびト
ラッキングエラー信号が検出される。また、第2の光路
には、第1の面3aを透過し、第2の面3bで反射され
て再び第1の面3aを透過する光が導かれるので、この
第2の光路に導かれる光は、光路分岐ミラー3に入射す
る戻り光のほぼ9%のS偏光成分と、ほぼ100%のP
偏光成分となり、この光がコリメータレンズ2を経てホ
ログラム10cに入射して、上述したようにして光磁気
信号が検出される。
About 70% of the S-polarized component of the return light incident on the optical path branching mirror 3 is reflected by the first surface 3a thereof, and P
Since almost 100% of the polarized component is transmitted, the light of the S-polarized component, which is approximately 70% of the incident light, is guided to the first optical path, and this light enters the hologram 10b through the collimator lens 2 and is described above. Thus, the focus error signal and the tracking error signal are detected. In addition, the light that passes through the first surface 3a, is reflected by the second surface 3b, and then passes through the first surface 3a again is guided to the second optical path, and thus is guided to the second optical path. The light is an S-polarized component of about 9% of the return light incident on the optical path branching mirror 3 and a P-polarized light of about 100%.
It becomes a polarized component, and this light enters the hologram 10c through the collimator lens 2, and the magneto-optical signal is detected as described above.

【0034】ここで、光磁気記録媒体5からの戻り光
は、光路分岐ミラー3に対して、図7に示したように、
±θk のカー回転を受けてS偏光で入射するので、光磁
気信号成分はP偏光に含まれることになる。この実施例
では、光磁気信号を得る第2の光路に、P偏光成分を1
00%導くようにしているので、高いC/Nを得ること
ができる。
Here, the return light from the magneto-optical recording medium 5 is directed to the optical path branching mirror 3 as shown in FIG.
Since the K- rotation of ± θ k is received and the S-polarized light enters, the magneto-optical signal component is included in the P-polarized light. In this embodiment, one P-polarized component is added to the second optical path for obtaining the magneto-optical signal.
Since it is designed to lead to 00%, a high C / N can be obtained.

【0035】図9は、この発明の第2実施例を示すもの
である。この実施例は、第1実施例において、半導体レ
ーザの出射光の偏光方向と、光路分岐ミラー3の偏光分
離面としての第1の面3aの構成とを異ならせたもの
で、その他の構成は第1実施例と同じである。すなわ
ち、この実施例では、半導体レーザの出射光を、光路分
岐ミラー3に対してP偏光で入射させる。また、第1の
面3aを、P偏光成分の透過率Tp ,反射率Rp および
S偏光成分の透過率Ts ,反射率Rs が、Tp =80
%,Rp =20%およびTs =0%,Rs =100%と
なるように、誘電体多層膜をコーティングして構成す
る。
FIG. 9 shows a second embodiment of the present invention. This embodiment is different from the first embodiment in that the polarization direction of the emitted light of the semiconductor laser is different from the configuration of the first surface 3a as the polarization splitting surface of the optical path splitting mirror 3, and other configurations are the same. This is the same as the first embodiment. That is, in this embodiment, the emitted light of the semiconductor laser is incident on the optical path branching mirror 3 as P-polarized light. In the first surface 3a, the transmittance T p and reflectance R p of the P-polarized component and the transmittance T s and reflectance R s of the S-polarized component are T p = 80.
%, R p = 20%, T s = 0%, and R s = 100% so that the dielectric multilayer film is coated.

【0036】このようにして、往路においては、光路分
岐ミラー3に入射した光を、第1の面3aを透過させ
て、第2の面3bで反射させ、再び第1の面3aを透過
させて、対物レンズ5を経て光磁気記録媒体5に照射す
る。また、復路においては、光磁気記録媒体5からの戻
り光を、光路分岐ミラー3に入射させ、ここで第1の面
3aを透過して、第2の面3bで反射され、再び第1の
面3aを透過する第1の光路と、第1の面3aで反射さ
れる第2の光路とに分離し、第1の光路の光をホログラ
ム3bに、第2の光路の光をホログラム3cにそれぞれ
入射させて、第1実施例と同様にして第1の光路の光で
フォーカスエラー信号およびトラッキングエラー信号を
得、第2の光路の光で光磁気信号を得る。
In this way, in the forward path, the light incident on the optical path branching mirror 3 is transmitted through the first surface 3a, reflected by the second surface 3b, and transmitted through the first surface 3a again. Then, it irradiates the magneto-optical recording medium 5 through the objective lens 5. On the return path, the return light from the magneto-optical recording medium 5 is made incident on the optical path branching mirror 3, where it is transmitted through the first surface 3a, reflected by the second surface 3b, and again the first surface 3a. The first optical path that passes through the surface 3a and the second optical path that is reflected by the first surface 3a are separated, and the light in the first optical path is directed to the hologram 3b and the light in the second optical path is directed to the hologram 3c. When they are respectively made incident, the focus error signal and the tracking error signal are obtained by the light of the first optical path and the magneto-optical signal is obtained by the light of the second optical path in the same manner as in the first embodiment.

【0037】この実施例においては、光路分岐ミラー3
に入射する光磁気記録媒体5からの戻り光の光磁気信号
成分は、S偏光に含まれることになる。ここで、戻り光
についての光路分岐ミラー3への入射光に対する出射光
の効率は第1の光路では、P偏光が64%、第2の光路
ではP偏光が20%、S偏光が100%であるので、光
磁気信号を検出する第2の光路には、光磁気信号成分を
含んだS偏光が100%導かれることになる。したがっ
て、第1の実施例と同様に、高いC/Nの光磁気信号を
得ることができる。また、この実施例では、第2の光路
に、光磁気信号成分と直行するP偏光が20%含まれて
いるので、第1実施例の9%の場合に比べ、光磁気信号
の振幅を増大させることができる。
In this embodiment, the optical path branching mirror 3
The magneto-optical signal component of the return light from the magneto-optical recording medium 5 that is incident on the S-polarized light is included in the S-polarized light. Here, the efficiency of the outgoing light with respect to the incident light on the optical path branching mirror 3 for the returning light is 64% for P-polarized light in the first optical path, 20% for P-polarized light and 100% for S-polarized light in the second optical path. Therefore, 100% of S-polarized light containing the magneto-optical signal component is guided to the second optical path for detecting the magneto-optical signal. Therefore, as in the first embodiment, a high C / N magneto-optical signal can be obtained. Further, in this embodiment, since the second optical path contains 20% of P-polarized light which is orthogonal to the magneto-optical signal component, the amplitude of the magneto-optical signal is increased as compared with the case of 9% in the first embodiment. Can be made.

【0038】図10および図11は、この発明の第3実
施例の要部の構成を示すものである。この実施例は、プ
ッシュプル法によりトラッキングエラー信号を検出する
ようにしたものである。このため、この実施例では、第
1,第2実施例において光学ブロック10の半導体基板
7に面する側に、グレーティング10dに代えて図10
に示すように、プッシュプル信号検出用ビームを発生す
るホログラム10dを形成する。また、図11に示すよ
うに、半導体基板7には、ホログラム10dで回折され
る戻り光の+1次回折光または−1次回折光を受光する
2分割受光領域21a,21bを有する光検出器21を
設ける。なお、この実施例では、サブビームを用いない
ので、半導体基板7には、光検出器15a,15c,1
6a,16cを形成する必要はない。
FIG. 10 and FIG. 11 show the structure of the main part of the third embodiment of the present invention. In this embodiment, a push-pull method is used to detect a tracking error signal. Therefore, in this embodiment, in place of the grating 10d on the side of the optical block 10 which faces the semiconductor substrate 7 in the first and second embodiments, FIG.
As shown in, a hologram 10d for generating a push-pull signal detection beam is formed. Further, as shown in FIG. 11, the semiconductor substrate 7 is provided with the photodetector 21 having the two-divided light receiving regions 21a and 21b for receiving the + 1st order diffracted light or the −1st order diffracted light of the return light diffracted by the hologram 10d. . Since the sub-beam is not used in this embodiment, the photodetectors 15a, 15c, 1 are provided on the semiconductor substrate 7.
It is not necessary to form 6a and 16c.

【0039】このようにして、往路においては、半導体
レーザ13からのビームを回折することなく上述した第
1または第2実施例と同様にして光磁気記録媒体に照射
し、復路においては、ホログラム10bを透過した光を
ホログラム10dで回折して、その+1次回折光または
−1次回折光を光検出器21に入射させる。したがっ
て、光検出器21の受光領域21a,21bの出力をC
1,C2とすると、トラッキングエラー信号TESは、
プッシュプル法により、
Thus, in the forward path, the beam from the semiconductor laser 13 is irradiated onto the magneto-optical recording medium without diffracting in the same manner as in the first or second embodiment described above, and in the return path, the hologram 10b. The light that has passed through is diffracted by the hologram 10d, and the + 1st order diffracted light or the −1st order diffracted light is made incident on the photodetector 21. Therefore, the outputs of the light receiving regions 21a and 21b of the photodetector 21 are C
1 and C2, the tracking error signal TES is
By the push-pull method,

【数4】TES=C1−C2 から得ることができる。なお、フォーカスエラー信号お
よび光磁気信号については、上述した第1,第2実施例
におけると同様にして得ることができる。
It can be obtained from TES = C1-C2. The focus error signal and the magneto-optical signal can be obtained in the same manner as in the above-mentioned first and second embodiments.

【0040】なお、以上の各実施例では、ホログラム1
0cでの±1次回折光を、それぞれ偏光分離面12a,
12bで偏光方向に応じて分離して受光するようにした
が、±1次回折光の一方のみを偏光分離面で偏光方向に
応じて分離し、その分離された光をそれぞれ受光して光
磁気信号を検出するよう構成することもできる。この場
合には、偏光分離面が一つで済むことになる。
In each of the above embodiments, the hologram 1
The ± 1st-order diffracted light at 0c is divided into the polarization splitting surfaces 12a,
12b separates the light according to the polarization direction and receives it. However, only one of the ± 1st order diffracted lights is separated according to the polarization direction on the polarization splitting surface, and the separated lights are received respectively to receive the magneto-optical signal. Can also be configured to detect. In this case, only one polarization separation surface is required.

【0041】[0041]

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、半導
体レーザおよび受光手段を有する半導体基板と、ホログ
ラムおよび偏光分離面等を形成した光分岐素子とを一体
化したユニットとしたので、小型で高い信頼性を実現で
きると共に、光磁気記録媒体からの戻り光の利用効率を
高くできるので、C/Nの低下を抑え、光磁気信号を安
定して検出することができる。
As described above, according to the present invention, since the semiconductor substrate having the semiconductor laser and the light receiving means and the optical branching element having the hologram and the polarization splitting surface and the like are integrated into a unit, a small size is achieved. Since high reliability can be realized and the efficiency of use of the return light from the magneto-optical recording medium can be increased, it is possible to suppress a decrease in C / N and stably detect a magneto-optical signal.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の第1実施例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図2】図1のユニット1をその入出射面側から見た平
面図である。
FIG. 2 is a plan view of the unit 1 of FIG. 1 viewed from its entrance / exit surface side.

【図3】図2のA矢視図である。3 is a view on arrow A in FIG. 2. FIG.

【図4】図3に示す半導体基板の平面図である。FIG. 4 is a plan view of the semiconductor substrate shown in FIG.

【図5】図2のB−B線断面図である。5 is a sectional view taken along line BB of FIG.

【図6】図2のC−C線断面図である。6 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG.

【図7】図1に示す実施例の動作を説明するための図で
ある。
FIG. 7 is a diagram for explaining the operation of the embodiment shown in FIG.

【図8】同じく、図1に示す実施例の動作を説明するた
めの図である。
FIG. 8 is a diagram for explaining the operation of the embodiment shown in FIG.

【図9】この発明の第2実施例を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a second embodiment of the present invention.

【図10】この発明の第3実施例におけるユニットの構
成を示す断面図である。
FIG. 10 is a sectional view showing the structure of a unit according to the third embodiment of the present invention.

【図11】同じく半導体基板の平面図である。FIG. 11 is a plan view of the same semiconductor substrate.

【図12】従来の光ピックアップの一例を示す図であ
る。
FIG. 12 is a diagram showing an example of a conventional optical pickup.

【図13】同じく他の例を示す図である。FIG. 13 is a diagram showing another example of the same.

【図14】図13に示す基板の平面図である。FIG. 14 is a plan view of the substrate shown in FIG.

【図15】本願人が先に提案した光ピックアップを示す
図である。
FIG. 15 is a diagram showing an optical pickup previously proposed by the applicant.

【図16】図15に示すユニットの断面図である。16 is a cross-sectional view of the unit shown in FIG.

【図17】図16に示す半導体基板の平面図である。FIG. 17 is a plan view of the semiconductor substrate shown in FIG.

【図18】同じく部分断面図である。FIG. 18 is a partial sectional view of the same.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ユニット 2 コリメータレンズ 3 光路分岐ミラー 3a 第1の面 3b 第2の面 4 対物レンズ 5 光磁気記録媒体 6 基板 7 半導体基板 8 スペーサ 9 光分岐素子 10 光学ブロック 10a グレーティング 10b,10c,10d ホログラム 11a,11b 平行平板 12a,12b 偏光分離面 13 半導体レーザ 14 立ち上げミラー 15,16 受光部 15a,15b,15c 光検出器 16a,16b,16c 光検出器 17a,17b 光検出器 18a,18b 光検出器 15d,15e,15f 受光領域 16d,16e,16f 受光領域 21 光検出器 21a,21b 受光領域 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 unit 2 Collimator lens 3 Optical path branching mirror 3a 1st surface 3b 2nd surface 4 Objective lens 5 Magneto-optical recording medium 6 Substrate 7 Semiconductor substrate 8 Spacer 9 Optical branching element 10 Optical block 10a Grating 10b, 10c, 10d Hologram 11a , 11b Parallel plates 12a, 12b Polarization separation surface 13 Semiconductor laser 14 Raising mirror 15, 16 Light receiving parts 15a, 15b, 15c Photodetector 16a, 16b, 16c Photodetector 17a, 17b Photodetector 18a, 18b Photodetector 15d, 15e, 15f light receiving area 16d, 16e, 16f light receiving area 21 photodetector 21a, 21b light receiving area

─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成5年8月11日[Submission date] August 11, 1993

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing

【補正対象項目名】図16[Correction target item name] Fig. 16

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【図16】 FIG. 16

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体レーザと複数の光検出器を有する
受光手段とを具える半導体基板と、 前記半導体レーザからの出射光をほぼ平行光束にするコ
リメータレンズと、 このコリメータレンズでほぼ平行光束にされた光を光磁
気記録媒体に収束させる対物レンズと、 前記コリメータレンズと前記対物レンズとの間に配置さ
れ、前記光磁気記録媒体で反射された戻り光の光路を第
1および第2の光路に偏光分離する光路分岐手段と、 前記コリメータレンズと前記半導体レーザとの間に、前
記半導体基板と一体化したユニットとして配置され、前
記半導体レーザからの出射光を、前記光磁気記録媒体に
対する情報の読み取りまたは書き込み用のメインビーム
と、トラッキングエラー信号検出用のサブビームとに分
離するグレーティング;前記第1の光路の戻り光を回折
する第1のホログラム;前記第2の光路の戻り光を回折
する第2のホログラム;この第2のホログラムの0次光
の光軸とほぼ平行に配置され、該第2のホログラムでの
戻り光の+1次回折光および/または−1次回折光をそ
の偏光方向に応じて分離する偏光分離面を有する光分岐
素子とを具え、 前記第1のホログラムでの±1次回折光および前記偏光
分離面で分離される光を前記受光手段で分離して受光す
るよう構成したことを特徴とする光ピックアップ。
1. A semiconductor substrate comprising a semiconductor laser and a light receiving means having a plurality of photodetectors, a collimator lens for converting light emitted from the semiconductor laser into a substantially parallel light beam, and a collimator lens for converting the light beam into a substantially parallel light beam. An objective lens for converging the reflected light on a magneto-optical recording medium, and an optical path of return light reflected by the magneto-optical recording medium, the optical path being arranged between the collimator lens and the objective lens. Optical path branching means for polarization splitting into, and between the collimator lens and the semiconductor laser, arranged as a unit integrated with the semiconductor substrate, the emitted light from the semiconductor laser, the information of the information for the magneto-optical recording medium. A grating for separating a main beam for reading or writing and a sub-beam for detecting a tracking error signal; the first beam A first hologram that diffracts the return light of the optical path; a second hologram that diffracts the return light of the second optical path; and a second hologram that is arranged substantially parallel to the optical axis of the 0th order light of the second hologram. And a light splitting element having a polarization splitting surface for splitting the + 1st-order diffracted light and / or the -1st-order diffracted light of the return light in the hologram of 1) according to the polarization direction thereof, and the ± 1st-order diffracted light in the first hologram and An optical pickup characterized in that the light separated by the polarization splitting surface is received by the light receiving means.
【請求項2】 半導体レーザと複数の光検出器を有する
受光手段とを具える半導体基板と、 前記半導体レーザからの出射光をほぼ平行光束にするコ
リメータレンズと、 このコリメータレンズでほぼ平行光束にされた光を光磁
気記録媒体に収束させる対物レンズと、 前記コリメータレンズと前記対物レンズとの間に配置さ
れ、前記光磁気記録媒体で反射された戻り光の光路を第
1および第2の光路に偏光分離する光路分岐手段と、 前記コリメータレンズと前記半導体レーザとの間に、前
記半導体基板と一体化したユニットとして配置され、前
記第1の光路の戻り光を回折する第1のホログラム;前
記第2の光路の戻り光を回折する第2のホログラム;前
記第1のホログラムでの戻り光の0次光を回折する第3
のホログラム;前記第2のホログラムの0次光の光軸と
ほぼ平行に配置され、該第2のホログラムでの戻り光の
+1次回折光および/または−1次回折光をその偏光方
向に応じて分離する偏光分離面を有する光分岐素子とを
具え、 前記第1のホログラムでの±1次回折光、前記偏光分離
面で分離される光および前記第3のホログラムでの+1
次回折光および/または−1次回折光を前記受光手段で
分離して受光するよう構成したことを特徴とする光ピッ
クアップ。
2. A semiconductor substrate comprising a semiconductor laser and a light receiving means having a plurality of photodetectors, a collimator lens for converting the light emitted from the semiconductor laser into a substantially parallel light beam, and a collimator lens for forming a substantially parallel light beam. An objective lens for converging the reflected light on a magneto-optical recording medium, and an optical path of return light reflected by the magneto-optical recording medium, the optical path being arranged between the collimator lens and the objective lens. A first hologram that is disposed between the collimator lens and the semiconductor laser as a unit integrated with the semiconductor substrate, and that diffracts the return light of the first optical path; A second hologram that diffracts the return light of the second optical path; a third hologram that diffracts the 0th order light of the return light of the first hologram.
Hologram, which is arranged substantially parallel to the optical axis of the 0th-order light of the second hologram, and separates the + 1st-order diffracted light and / or the -1st-order diffracted light of the return light from the second hologram according to its polarization direction. And a light splitting element having a polarization splitting surface, the ± 1st-order diffracted light in the first hologram, the light split in the polarization splitting surface, and the +1 in the third hologram.
An optical pickup characterized in that the second-order diffracted light and / or the -1st-order diffracted light are separated and received by the light receiving means.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6154434A (en) * 1997-10-24 2000-11-28 Fujitsu Limited Optical head with both a servo signal and a Rf signal detecting elements fabricated on a single substrate
KR20050013440A (en) * 2003-07-28 2005-02-04 엘지전자 주식회사 Integrated base optical unit of pickup in optical disk driver

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