JPH06291171A - 界面特性測定装置 - Google Patents
界面特性測定装置Info
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- JPH06291171A JPH06291171A JP10016793A JP10016793A JPH06291171A JP H06291171 A JPH06291171 A JP H06291171A JP 10016793 A JP10016793 A JP 10016793A JP 10016793 A JP10016793 A JP 10016793A JP H06291171 A JPH06291171 A JP H06291171A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 被測定試料の界面の電気抵抗値に依存せずに
界面特性を安定に測定する界面測定装置を提供する。 【構成】 第１，第２の電極２１，２２を有する被測定
試料２の第１の電極２１、走査型トンネル顕微鏡の探針
１との間に、トンネル電圧電源７により電圧を印加し、
トンネル電流が流れる距離に探針１を配置する。さら
に、第１の電極２１に接続されトンネル電流を検出する
ＳＴＭ電流増幅器５を、第２の電極２２から出力される
電流をＢＥＥＭ電流増幅器６で検出する間、切り替え器
４により被測定試料２から電気的に切り離す。これによ
り電気抵抗値が小さい被測定試料２でも、界面での電気
的特性の分布を安定に原子スケールで測定することがで
きる。
界面特性を安定に測定する界面測定装置を提供する。 【構成】 第１，第２の電極２１，２２を有する被測定
試料２の第１の電極２１、走査型トンネル顕微鏡の探針
１との間に、トンネル電圧電源７により電圧を印加し、
トンネル電流が流れる距離に探針１を配置する。さら
に、第１の電極２１に接続されトンネル電流を検出する
ＳＴＭ電流増幅器５を、第２の電極２２から出力される
電流をＢＥＥＭ電流増幅器６で検出する間、切り替え器
４により被測定試料２から電気的に切り離す。これによ
り電気抵抗値が小さい被測定試料２でも、界面での電気
的特性の分布を安定に原子スケールで測定することがで
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属−半導体界面、半
導体−半導体界面等の異種界面の電気的特性を測定する
装置に関するものである。
導体−半導体界面等の異種界面の電気的特性を測定する
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】異種界面の電気的特性測定は、特性が良
好で、かつ、信頼性の高い半導体素子を設計・製造する
上で極めて重要となるものである。そして、このような
異種界面の電気的特性測定法としては、従来、例えば界
面を含む試料を用いて、界面に流れる電流の印加電圧依
存性を測定する方法、あるいは、異種界面により形成さ
れる容量の印加電圧依存性を測定する方法が知られてい
た。しかし、これらの技術では界面全体の平均的な情報
しか得られなかった。これに対して、近年 Phys.Rev. L
ett. vol.60, p.1406, 1988に述べられている弾道電子
放射顕微鏡（ＢＥＥＭ）が開発され、ナノメータ・レベ
ルの分解能で界面特性を解析することができるようにな
ってきている。
好で、かつ、信頼性の高い半導体素子を設計・製造する
上で極めて重要となるものである。そして、このような
異種界面の電気的特性測定法としては、従来、例えば界
面を含む試料を用いて、界面に流れる電流の印加電圧依
存性を測定する方法、あるいは、異種界面により形成さ
れる容量の印加電圧依存性を測定する方法が知られてい
た。しかし、これらの技術では界面全体の平均的な情報
しか得られなかった。これに対して、近年 Phys.Rev. L
ett. vol.60, p.1406, 1988に述べられている弾道電子
放射顕微鏡（ＢＥＥＭ）が開発され、ナノメータ・レベ
ルの分解能で界面特性を解析することができるようにな
ってきている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述したＢＥＥＭ法で
は、１ｐＡ程度の微小な電流（ＢＥＥＭ電流）を検出す
る必要があり、オペアンプを用いた高感度なＢＥＥＭ電
流検出回路が用いられている。しかしながら、被測定試
料の界面の電気抵抗値がＢＥＥＭ電流検出回路の入出力
抵抗値より小さい場合には、ＢＥＥＭ電流検出回路特性
が、被測定試料の界面の電気抵抗値に依存してくるため
入力ノイズレベルが大きくなり、正常な回路動作ができ
なくなってしまう。
は、１ｐＡ程度の微小な電流（ＢＥＥＭ電流）を検出す
る必要があり、オペアンプを用いた高感度なＢＥＥＭ電
流検出回路が用いられている。しかしながら、被測定試
料の界面の電気抵抗値がＢＥＥＭ電流検出回路の入出力
抵抗値より小さい場合には、ＢＥＥＭ電流検出回路特性
が、被測定試料の界面の電気抵抗値に依存してくるため
入力ノイズレベルが大きくなり、正常な回路動作ができ
なくなってしまう。
【０００４】被測定試料の界面の電気抵抗値は、材料や
電極面積により異なる。例えば、金属−半導体界面で
は、金属−半導体間の仕事関数差と電極面積で電気抵抗
値が決定される。金−ガリウムひ素界面の電気抵抗値
は、電極面積を１mm2 と小さくすれば１ＭΩ程度となっ
て十分大きい。
電極面積により異なる。例えば、金属−半導体界面で
は、金属−半導体間の仕事関数差と電極面積で電気抵抗
値が決定される。金−ガリウムひ素界面の電気抵抗値
は、電極面積を１mm2 と小さくすれば１ＭΩ程度となっ
て十分大きい。
【０００５】しかし、このように小さい電極面積を実現
するためには、電極金属である金をホトリソグラフィー
技術によりパタン加工する必要がある。そのために半導
体基板上に金を成長させた後で、成長装置から試料を取
り出す必要がある。このため、金表面に各種原子・分子
が吸着し、試料表面が理想的な金表面と異なり、また、
試料表面状態が不均一になってしまう。この場合、ＢＥ
ＥＭ測定で用いられている走査型トンネル顕微鏡の探針
と、試料間距離が表面状態により変化し、このため測定
されるＢＥＥＭ電流が界面特性だけでなく、試料表面の
状態に依存してしまうため、界面特性が評価できない。
そこで、理想的な界面特性を測定するためには、高真空
中で金を半導体基板上に成長させ、そのままの状態で高
真空中でＢＥＥＭ測定を行う必要がある。ところがこの
場合には、半導体基板の大きさは少なくとも１cm2 以上
あるので、被測定試料の界面の電気抵抗値は１０ＫΩ以
下となってしまう。一般に用いられているオペアンプを
用いた電流検出回路の入力抵抗の値は数ＫΩであるの
で、被測定試料の界面の電気抵抗値は１０ＫΩ以下とな
ってしまう。被測定試料の界面の電気抵抗値はこの値と
ほぼ同じ値となってしまう。このため、探針−試料間に
流れるトンネル電流を検出し、探針−試料間距離を決定
するために用いられ、試料表面の金電極に接続されてい
るＳＴＭ（走査型トンネル顕微鏡）電流増幅器と、ＢＥ
ＥＭ電流増幅器が被測定試料の界面の電気抵抗値が小さ
いため互いに電気的に独立でなくなり、ＳＴＭ電流増幅
器と、ＢＥＥＭ電流増幅器側に現れてしまう。ＳＴＭ電
流増幅器では、ＢＥＥＭ電流に比べて３桁程度大きい１
nA程度の信号を検出しており、回路のノイズレベルは数
100 pA程度と大きい。このようにして、被測定試料の界
面の電気抵抗値が小さくなると、この影響がＢＥＥＭ電
流検出器側へ伝わってしまい、ＢＥＥＭ電流検出回路が
正常に動作せず、界面特性測定ができない。
するためには、電極金属である金をホトリソグラフィー
技術によりパタン加工する必要がある。そのために半導
体基板上に金を成長させた後で、成長装置から試料を取
り出す必要がある。このため、金表面に各種原子・分子
が吸着し、試料表面が理想的な金表面と異なり、また、
試料表面状態が不均一になってしまう。この場合、ＢＥ
ＥＭ測定で用いられている走査型トンネル顕微鏡の探針
と、試料間距離が表面状態により変化し、このため測定
されるＢＥＥＭ電流が界面特性だけでなく、試料表面の
状態に依存してしまうため、界面特性が評価できない。
そこで、理想的な界面特性を測定するためには、高真空
中で金を半導体基板上に成長させ、そのままの状態で高
真空中でＢＥＥＭ測定を行う必要がある。ところがこの
場合には、半導体基板の大きさは少なくとも１cm2 以上
あるので、被測定試料の界面の電気抵抗値は１０ＫΩ以
下となってしまう。一般に用いられているオペアンプを
用いた電流検出回路の入力抵抗の値は数ＫΩであるの
で、被測定試料の界面の電気抵抗値は１０ＫΩ以下とな
ってしまう。被測定試料の界面の電気抵抗値はこの値と
ほぼ同じ値となってしまう。このため、探針−試料間に
流れるトンネル電流を検出し、探針−試料間距離を決定
するために用いられ、試料表面の金電極に接続されてい
るＳＴＭ（走査型トンネル顕微鏡）電流増幅器と、ＢＥ
ＥＭ電流増幅器が被測定試料の界面の電気抵抗値が小さ
いため互いに電気的に独立でなくなり、ＳＴＭ電流増幅
器と、ＢＥＥＭ電流増幅器側に現れてしまう。ＳＴＭ電
流増幅器では、ＢＥＥＭ電流に比べて３桁程度大きい１
nA程度の信号を検出しており、回路のノイズレベルは数
100 pA程度と大きい。このようにして、被測定試料の界
面の電気抵抗値が小さくなると、この影響がＢＥＥＭ電
流検出器側へ伝わってしまい、ＢＥＥＭ電流検出回路が
正常に動作せず、界面特性測定ができない。
【０００６】一方、異種材料、例えば半導体−半導体界
面から構成されている共鳴トンネル・ダイオードの界面
特性をＢＥＥＭ法を用いて測定する場合、そのダイオー
ドの電極面積が20×20μm2と小さくても、界面の電気抵
抗値は数ＫΩ程度であるため、ＢＥＥＭ電流検出回路が
正常に動作せずＢＥＥＭ測定ができない。また、金−半
導体界面の場合に述べたと同様に、理想的な界面特性を
測定するためには、高真空中で異種半導体を半導体基板
上に層状に成長させ、そのままの状態で高真空中でＢＥ
ＥＭ測定を行う必要がある。この場合、半導体基板の大
きさは少なくとも１cm2 以上あるので、被測定試料の界
面の電気抵抗値は数ｍΩ以下になってしまい、被測定試
料の界面の電気抵抗値がＢＥＥＭ電流検出回路の入力抵
抗値よりも小さくなる。このため上述したように、ＢＥ
ＥＭ電流検出回路が正常に動作せずＢＥＥＭ測定ができ
ない。
面から構成されている共鳴トンネル・ダイオードの界面
特性をＢＥＥＭ法を用いて測定する場合、そのダイオー
ドの電極面積が20×20μm2と小さくても、界面の電気抵
抗値は数ＫΩ程度であるため、ＢＥＥＭ電流検出回路が
正常に動作せずＢＥＥＭ測定ができない。また、金−半
導体界面の場合に述べたと同様に、理想的な界面特性を
測定するためには、高真空中で異種半導体を半導体基板
上に層状に成長させ、そのままの状態で高真空中でＢＥ
ＥＭ測定を行う必要がある。この場合、半導体基板の大
きさは少なくとも１cm2 以上あるので、被測定試料の界
面の電気抵抗値は数ｍΩ以下になってしまい、被測定試
料の界面の電気抵抗値がＢＥＥＭ電流検出回路の入力抵
抗値よりも小さくなる。このため上述したように、ＢＥ
ＥＭ電流検出回路が正常に動作せずＢＥＥＭ測定ができ
ない。
【０００７】以上述べたように、従来のＢＥＥＭ法では
被測定試料の界面の電気抵抗値が小さい場合には、界面
特性をＢＥＥＭ測定により行うことが極めて難しく、こ
れにより、信頼性の高い半導体素子を設計・製造する妨
げとなっていた。
被測定試料の界面の電気抵抗値が小さい場合には、界面
特性をＢＥＥＭ測定により行うことが極めて難しく、こ
れにより、信頼性の高い半導体素子を設計・製造する妨
げとなっていた。
【０００８】本発明は、上述の問題点を解決するために
なされたもので、被測定試料の界面の電気抵抗値が小さ
い場合でも、正確な界面特性を得ることができる界面特
性測定装置を提供することを目的とする。
なされたもので、被測定試料の界面の電気抵抗値が小さ
い場合でも、正確な界面特性を得ることができる界面特
性測定装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る界面特性測
定装置は、第１、第２の電極を有する被測定試料の前記
第１の電極との間にトンネル電流が流れる距離に配置さ
れる探針と、前記第１の電極と探針との間に電圧を印加
するトンネル電圧電源と、前記第１の電極から出力され
るトンネル電流を検出するＳＴＭ電流増幅器と、前記第
２の電極から出力される電流を検出するＢＥＥＭ電流増
幅器と、前記第２の電極から出力される電流を測定する
間、前記ＳＴＭ電流増幅器を前記第１の電極から電気的
に切り離す切り離し手段とを具備したものである。
定装置は、第１、第２の電極を有する被測定試料の前記
第１の電極との間にトンネル電流が流れる距離に配置さ
れる探針と、前記第１の電極と探針との間に電圧を印加
するトンネル電圧電源と、前記第１の電極から出力され
るトンネル電流を検出するＳＴＭ電流増幅器と、前記第
２の電極から出力される電流を検出するＢＥＥＭ電流増
幅器と、前記第２の電極から出力される電流を測定する
間、前記ＳＴＭ電流増幅器を前記第１の電極から電気的
に切り離す切り離し手段とを具備したものである。
【００１０】
【作用】本発明によれば、ＢＥＥＭ電流測定中にＳＴＭ
電流増幅器を測定系から切り離すことにより、被測定試
料の界面の電気抵抗値の大きさに関わらず、ＢＥＥＭ電
流増幅器から見た被測定試料の電気抵抗値を、トンネル
電流とトンネル電圧で決まるトンネル抵抗値（1GΩ程
度）とすることができる。そこで、ＢＥＥＭ電流測定時
に、被測定試料の界面の電気抵抗値をＢＥＥＭ電流増幅
器の入力抵抗値よりも大きくすることができるため、低
抵抗な界面を持つ被測定試料についても界面特性を安定
に測定することができる。
電流増幅器を測定系から切り離すことにより、被測定試
料の界面の電気抵抗値の大きさに関わらず、ＢＥＥＭ電
流増幅器から見た被測定試料の電気抵抗値を、トンネル
電流とトンネル電圧で決まるトンネル抵抗値（1GΩ程
度）とすることができる。そこで、ＢＥＥＭ電流測定時
に、被測定試料の界面の電気抵抗値をＢＥＥＭ電流増幅
器の入力抵抗値よりも大きくすることができるため、低
抵抗な界面を持つ被測定試料についても界面特性を安定
に測定することができる。
【００１１】
【実施例】以下、金属−半導体界面の場合について、本
発明の一実施例を図面を用いて具体的に説明する。図１
において、１は走査型トンネル顕微鏡の探針で、例えば
タングステン，白金等からなる。２は被測定試料で、半
導体３、第１の電極２１および第２の電極２２からな
る。半導体３がＧａＡｓの場合、第１の電極２１はＡｕ
等が用いられ、第２電極２２はＡｕＧｅ等が用いられ
る。そして、第１の電極２１の金属は電子が散乱を受け
ない膜厚、例えば１００Ａ（オングストローム）以下と
する。また、第１の電極２１はショトキー電極で、半導
体との間で評価の対象となる金属−半導体界面が形成さ
れている。第２の電極２２はオーミック電極である。４
は切り換え器、５はＳＴＭ電流増幅器で、オペアンプ５
１，入力抵抗５２，帰還抵抗５３，容量５４から構成さ
れている。６はＢＥＥＭ電流増幅器で、オペアンプ６
１，入力抵抗６２，帰還抵抗６３，容量６４から構成さ
れている。７はトンネル電圧電源である。
発明の一実施例を図面を用いて具体的に説明する。図１
において、１は走査型トンネル顕微鏡の探針で、例えば
タングステン，白金等からなる。２は被測定試料で、半
導体３、第１の電極２１および第２の電極２２からな
る。半導体３がＧａＡｓの場合、第１の電極２１はＡｕ
等が用いられ、第２電極２２はＡｕＧｅ等が用いられ
る。そして、第１の電極２１の金属は電子が散乱を受け
ない膜厚、例えば１００Ａ（オングストローム）以下と
する。また、第１の電極２１はショトキー電極で、半導
体との間で評価の対象となる金属−半導体界面が形成さ
れている。第２の電極２２はオーミック電極である。４
は切り換え器、５はＳＴＭ電流増幅器で、オペアンプ５
１，入力抵抗５２，帰還抵抗５３，容量５４から構成さ
れている。６はＢＥＥＭ電流増幅器で、オペアンプ６
１，入力抵抗６２，帰還抵抗６３，容量６４から構成さ
れている。７はトンネル電圧電源である。
【００１２】図２は本発明の他の実施例を示すもので、
図１が切り離し手段として切り換え器４を用いているの
に対し、切り換え制御器８を用いている。他の構成要素
は第１図の場合と同様である。ただし、図２の実施例で
は、ＳＴＭ電流増幅器５とＢＥＥＭ電流増幅器６はブロ
ックで示した。
図１が切り離し手段として切り換え器４を用いているの
に対し、切り換え制御器８を用いている。他の構成要素
は第１図の場合と同様である。ただし、図２の実施例で
は、ＳＴＭ電流増幅器５とＢＥＥＭ電流増幅器６はブロ
ックで示した。
【００１３】次に、図１の実施例の動作について説明す
る。被測定試料２の第１の電極２１と、走査型トンネル
顕微鏡の探針１の間にトンネル電圧電源７により電圧を
印加し、ＳＴＭ電流増幅器５によりトンネル電流を検出
し、トンネル電流が流れる距離、例えば５〜１０Ａ（オ
ングストローム）に探針１を配置する。さらに、切り換
え器４によりＳＴＭ電流増幅器１５を被測定試料２から
電気的に切り離し、このとき、第２の電極２２から出力
される電流（以下ではＢＥＥＭ電流と呼ぶ）をＢＥＥＭ
電流増幅器６により検出する。
る。被測定試料２の第１の電極２１と、走査型トンネル
顕微鏡の探針１の間にトンネル電圧電源７により電圧を
印加し、ＳＴＭ電流増幅器５によりトンネル電流を検出
し、トンネル電流が流れる距離、例えば５〜１０Ａ（オ
ングストローム）に探針１を配置する。さらに、切り換
え器４によりＳＴＭ電流増幅器１５を被測定試料２から
電気的に切り離し、このとき、第２の電極２２から出力
される電流（以下ではＢＥＥＭ電流と呼ぶ）をＢＥＥＭ
電流増幅器６により検出する。
【００１４】一般に、電流増幅器の入力抵抗値は数ＫΩ
であり、オペアンプの入力端子の電位は回路的に零電位
となるように設計されている。上述したように、被測定
試料２の界面の電気抵抗値がＢＥＥＭ電流増幅器６の入
力抵抗値より小さい場合には、ＳＴＭ電流増幅器５の影
響がＢＥＥＭ電流増幅器６に現れてきてしまい、正常な
回路動作をすることができない。そこで、図１の実施例
では、ＢＥＥＭ電流増幅測定期間で切り換え器４を用い
て、ＳＴＭ電流増幅器５を被測定試料２から電気的に切
り離すことにより、ＢＥＥＭ電流増幅器６に接続されて
いる被測定試料２の見かけ上の電気抵抗値、すなわちＢ
ＥＥＭ電流増幅器６から見た電気抵抗値がトンネル抵抗
の値となるので、ＢＥＥＭ電流増幅器６の入力抵抗より
大きくなり、ＢＥＥＭ電流測定を可能としている。
であり、オペアンプの入力端子の電位は回路的に零電位
となるように設計されている。上述したように、被測定
試料２の界面の電気抵抗値がＢＥＥＭ電流増幅器６の入
力抵抗値より小さい場合には、ＳＴＭ電流増幅器５の影
響がＢＥＥＭ電流増幅器６に現れてきてしまい、正常な
回路動作をすることができない。そこで、図１の実施例
では、ＢＥＥＭ電流増幅測定期間で切り換え器４を用い
て、ＳＴＭ電流増幅器５を被測定試料２から電気的に切
り離すことにより、ＢＥＥＭ電流増幅器６に接続されて
いる被測定試料２の見かけ上の電気抵抗値、すなわちＢ
ＥＥＭ電流増幅器６から見た電気抵抗値がトンネル抵抗
の値となるので、ＢＥＥＭ電流増幅器６の入力抵抗より
大きくなり、ＢＥＥＭ電流測定を可能としている。
【００１５】さらに、図２に示す実施例では、切り換え
制御器８を用いてＳＴＭ電流増幅器５に供給される電源
経路を断ち、これにより回路動作を行えなくすることに
より被測定試料２からＳＴＭ電流増幅器５を切り離し、
ＳＴＭ電流増幅器５側の影響を除いている。
制御器８を用いてＳＴＭ電流増幅器５に供給される電源
経路を断ち、これにより回路動作を行えなくすることに
より被測定試料２からＳＴＭ電流増幅器５を切り離し、
ＳＴＭ電流増幅器５側の影響を除いている。
【００１６】以上の実施例では、被測定試料２として金
属−半導体界面を例に挙げて説明したが、図３（ａ）の
ように半導体３ａ−半導体３ｂ界面の特性測定に適用可
能であることは明らかである。さらに、図３（ｂ）のよ
うに金属３ｃ−絶縁物３ｄ−金属３ｅ界面、あるいは、
図３（ｃ）のように半導体３ａ−絶縁物３ｄ−半導体３
ｂ界面等の単一の接合でなく、層状に形成されている複
数の接合を有する被測定試料２の場合にも、適用可能で
あることは明らかである。なお、図３（ａ），（ｂ），
（ｃ）の第１，第２の電極２１，２２はいずれもオーミ
ック電極である。
属−半導体界面を例に挙げて説明したが、図３（ａ）の
ように半導体３ａ−半導体３ｂ界面の特性測定に適用可
能であることは明らかである。さらに、図３（ｂ）のよ
うに金属３ｃ−絶縁物３ｄ−金属３ｅ界面、あるいは、
図３（ｃ）のように半導体３ａ−絶縁物３ｄ−半導体３
ｂ界面等の単一の接合でなく、層状に形成されている複
数の接合を有する被測定試料２の場合にも、適用可能で
あることは明らかである。なお、図３（ａ），（ｂ），
（ｃ）の第１，第２の電極２１，２２はいずれもオーミ
ック電極である。
【００１７】
【発明の効果】本発明は、以上説明したことから明らか
なように、第１、第２の電極を有する被測定試料の前記
第１の電極との間にトンネル電流が流れる距離に配置さ
れる探針と、前記第１の電極と探針との間に電圧を印加
するトンネル電圧電源と、前記第１の電極から出力され
るトンネル電流を検出するＳＴＭ電流増幅器と、前記第
２の電極から出力される電流を検出するＢＥＥＭ電流増
幅器と、前記第２の電極から出力される電流を測定する
間、前記ＳＴＭ電流増幅器を前記第１の電極から電気的
に切り離す切り離し手段とを具備したので、界面の電気
抵抗値が小さい被測定試料の異種界面での電気特性、例
えば仕事関数差の分布を原子スケールで測定できる利点
を有する。
なように、第１、第２の電極を有する被測定試料の前記
第１の電極との間にトンネル電流が流れる距離に配置さ
れる探針と、前記第１の電極と探針との間に電圧を印加
するトンネル電圧電源と、前記第１の電極から出力され
るトンネル電流を検出するＳＴＭ電流増幅器と、前記第
２の電極から出力される電流を検出するＢＥＥＭ電流増
幅器と、前記第２の電極から出力される電流を測定する
間、前記ＳＴＭ電流増幅器を前記第１の電極から電気的
に切り離す切り離し手段とを具備したので、界面の電気
抵抗値が小さい被測定試料の異種界面での電気特性、例
えば仕事関数差の分布を原子スケールで測定できる利点
を有する。
【図１】本発明の界面特性測定装置の一実施例の概要構
成を示すブロック図である。
成を示すブロック図である。
【図２】本発明の界面特性測定装置の他の実施例の概要
構成を示すブロック図である。
構成を示すブロック図である。
【図３】本発明で用いる被測定試料の他の例を示す図で
ある。
ある。
１ 走査型トンネル顕微鏡の探針 ２ 被測定試料 ３ 半導体 ４ 切り換え器 ５ ＳＴＭ電流増幅器 ６ ＢＥＥＭ電流増幅器 ７ トンネル電圧電源 ８ 切り換え制御器 ２１ 測定試料の第１の電極 ２２ 測定試料の第２の電極 ５１ オペアンプ ５２ 入力抵抗 ５３ 帰還抵抗 ５４ 容量 ６１ オペアンプ ６２ 入力抵抗 ６３ 帰還抵抗 ６４ 容量
Claims (1)
- 【請求項１】 第１、第２の電極を有する被測定試料の
前記第１の電極との間にトンネル電流が流れる距離に配
置される探針と、前記第１の電極と探針との間に電圧を
印加するトンネル電圧電源と、前記第１の電極から出力
されるトンネル電流を検出するＳＴＭ電流増幅器と、前
記第２の電極から出力される電流を検出するＢＥＥＭ電
流増幅器と、前記第２の電極から出力される電流を測定
する間、前記ＳＴＭ電流増幅器を前記第１の電極から電
気的に切り離す切り離し手段とを具備したことを特徴と
する界面特性測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10016793A JPH06291171A (ja) | 1993-04-05 | 1993-04-05 | 界面特性測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10016793A JPH06291171A (ja) | 1993-04-05 | 1993-04-05 | 界面特性測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06291171A true JPH06291171A (ja) | 1994-10-18 |
Family
ID=14266765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10016793A Pending JPH06291171A (ja) | 1993-04-05 | 1993-04-05 | 界面特性測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06291171A (ja) |
-
1993
- 1993-04-05 JP JP10016793A patent/JPH06291171A/ja active Pending
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