JPH06291054A - Plasma treatment device - Google Patents
Plasma treatment deviceInfo
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- JPH06291054A JPH06291054A JP5075636A JP7563693A JPH06291054A JP H06291054 A JPH06291054 A JP H06291054A JP 5075636 A JP5075636 A JP 5075636A JP 7563693 A JP7563693 A JP 7563693A JP H06291054 A JPH06291054 A JP H06291054A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は薄膜トランジスタ、半導
体利用の各種センサのような半導体を利用したデバイス
や太陽電池その他を製造するにあたり、基板上に成膜し
たり、配線パターン等を得るために、形成した膜を所定
パターンに従ってエッチングしたりするプラズマＣＶＤ
装置、プラズマエッチング装置のようなプラズマ処理装
置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is for producing a film on a substrate, obtaining a wiring pattern, etc. when manufacturing a device using a semiconductor such as a thin film transistor and various sensors using a semiconductor, a solar cell and the like. Plasma CVD that etches the formed film according to a predetermined pattern
The present invention relates to a plasma processing apparatus such as an apparatus and a plasma etching apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】プラズマＣＶＤ装置は各種タイプのもの
が知られている。その代表例として、図６に示す平行平
板型のプラズマＣＶＤ装置について説明すると、この装
置は真空容器１を有し、その中に被成膜基板Ｓ１を設置
する基板ホルダを兼ねる電極２及びこの電極に対向する
電極３が設けられている。2. Description of the Related Art Various types of plasma CVD apparatus are known. As a typical example thereof, a parallel plate type plasma CVD apparatus shown in FIG. 6 will be described. This apparatus has a vacuum container 1 in which an electrode 2 also serving as a substrate holder for setting a film formation substrate S1 and this electrode are provided. Is provided with an electrode 3 facing to.
【０００３】電極２は、通常、接地電極とされ、また、
この上に設置される基板Ｓ１を成膜温度に加熱するヒー
タ２１を付設してある。なお、輻射熱で基板Ｓ１を加熱
するときは、ヒータ２１は電極２から分離される。電極
３は、電極２との間に導入される成膜用ガスに高周波電
力や直流電力を印加してプラズマ化させるための電力印
加電極で、図示の例ではマッチングボックス３１を介し
て高周波電源３２を接続してある。The electrode 2 is usually a ground electrode, and
A heater 21 for heating the substrate S1 placed thereon to a film forming temperature is additionally provided. The heater 21 is separated from the electrode 2 when the substrate S1 is heated by radiant heat. The electrode 3 is a power application electrode for applying high-frequency power or direct-current power to the film-forming gas introduced between the electrode 3 and plasma, and in the illustrated example, a high-frequency power source 32 via a matching box 31. Are connected.
【０００４】また、図示の例では、電極３は、電極の一
部を構成するガスノズル３３の開口部に多孔電極板３４
を設けたもので、電極板３４には、直径０．５ｍｍ程度
のガス供給孔を多数形成してあり、ガスノズル３３から
供給されるガスが各孔から両電極間に全体的に放出され
るようにしてある。このような構成は広面積基板上に成
膜するのに適している。In the illustrated example, the electrode 3 has a porous electrode plate 34 at the opening of the gas nozzle 33 which constitutes a part of the electrode.
The electrode plate 34 is provided with a large number of gas supply holes each having a diameter of about 0.5 mm so that the gas supplied from the gas nozzle 33 is entirely discharged from each hole between both electrodes. I am doing it. Such a configuration is suitable for forming a film on a large area substrate.
【０００５】真空容器１には、さらに、開閉弁５１を介
して排気ポンプ５２を配管接続してあるとともに、前記
ガスノズル３３にはガス供給部４を配管接続してある。
ガス供給部４には、１又は２以上のマスフローコントロ
ーラ４２１、４２２・・・・及び開閉弁４３１、４３２
・・・・を介して、所定量の成膜用ガスを供給するガス
源４４１、４４２・・・・が含まれている。An exhaust pump 52 is connected to the vacuum container 1 through an opening / closing valve 51, and a gas supply unit 4 is connected to the gas nozzle 33.
The gas supply unit 4 includes one or more mass flow controllers 421, 422, ... And open / close valves 431, 432.
The gas sources 441, 442, ... Supplying a predetermined amount of film forming gas via.
【０００６】この平行平板型プラズマＣＶＤ装置による
と、成膜対象基板Ｓ１が真空容器１内の電極２上に設置
され、該容器１内が弁５１の開成と排気ポンプ５２の運
転にて所定成膜真空度に維持され、ガス供給部４からノ
ズル３３及び電極板３４のガス供給孔を介して成膜用ガ
スが導入される。また、高周波電極３に電源３２から高
周波電圧が印加され、それによって導入されたガスがプ
ラズマ化され、このプラズマの下で基板Ｓ１表面に所望
の膜が形成される。According to this parallel plate type plasma CVD apparatus, the film formation target substrate S1 is placed on the electrode 2 in the vacuum container 1, and the inside of the container 1 is formed at a predetermined temperature by opening the valve 51 and operating the exhaust pump 52. The film vacuum is maintained, and the film forming gas is introduced from the gas supply unit 4 through the nozzle 33 and the gas supply holes of the electrode plate 34. A high-frequency voltage is applied to the high-frequency electrode 3 from the power source 32, and the gas introduced thereby is turned into plasma, and a desired film is formed on the surface of the substrate S1 under this plasma.
【０００７】また、プラズマエッチング装置も各種タイ
プのものが知られている。その代表例として図７に示す
平行平板型のエッチング装置について説明すると、この
装置も真空容器１０を備え、その中には、エッチング対
象膜を形成した基板Ｓ２を設置する基板ホルダを兼ねる
電極２０及び電極２０に対向配置された電極３０を備え
ている。Various types of plasma etching apparatuses are also known. As a representative example, a parallel plate type etching apparatus shown in FIG. 7 will be described. This apparatus also includes a vacuum container 10, in which an electrode 20 also serving as a substrate holder for setting a substrate S2 on which an etching target film is formed and an electrode 20 and The electrode 30 is provided so as to face the electrode 20.
【０００８】電極２０は、電極３０との間に導入される
エッチング用ガスに高周波電力や直流電力を印加してプ
ラズマ化させるための電力印加電極として使用され、図
示の例ではマッチングボックス２０１を介して高周波電
源２０２に接続されている。電極３０は接地電極であ
り、電極の一部を構成するガスノズル３０１の開口部に
多孔電極板３０２を設けたもので、電極板３０２には直
径０．５ｍｍ程度のガス供給孔を多数形成してあり、ガ
スノズル３０１から供給されるガスが該孔から両電極間
に全体的に放出されるようになっている。The electrode 20 is used as a power application electrode for applying high frequency power or direct current power to the etching gas introduced between the electrode 20 and the electrode to generate plasma, and in the illustrated example, a matching box 201 is used. Connected to the high frequency power source 202. The electrode 30 is a ground electrode, and a porous electrode plate 302 is provided at the opening of a gas nozzle 301 that constitutes a part of the electrode. The electrode plate 302 has a large number of gas supply holes with a diameter of about 0.5 mm. Thus, the gas supplied from the gas nozzle 301 is wholly discharged from the hole between the electrodes.
【０００９】真空容器１０には、さらに、開閉弁７１を
介して排気ポンプ７２を配管接続してあるとともに、前
記ガスノズル３０１にはガス供給部６を配管接続してあ
る。ガス供給部６には、１又は２以上のマスフローコン
トローラ６２１、６２２・・・・及び開閉弁６３１、６
３２・・・・を介して所要量のエッチング用ガスを供給
するガス源６４１、６４２・・・・が含まれている。An exhaust pump 72 is connected to the vacuum container 10 via an opening / closing valve 71, and a gas supply unit 6 is connected to the gas nozzle 301. The gas supply unit 6 includes one or more mass flow controllers 621, 622, ... And on-off valves 631, 6
The gas sources 641, 642, ... Supplying a required amount of etching gas via 32.
【００１０】このエッチング装置によると、エッチング
対象基板Ｓ２が容器１０内の高周波電極２０上に設置さ
れ、該容器１０内が弁７１の開成と排気ポンプ７２の運
転にて所定エッチング真空度に維持され、ガス供給部６
からエッチング用ガスがノズル３０１及び電極板３０２
のガス供給孔を介して導入される。また、電極２０に高
周波電源２０２から高周波電圧が印加され、それによっ
て導入されたガスがプラズマ化され、このプラズマの下
に基板Ｓ２上の膜がエッチングされる。なお、電極２０
は、必要に応じ、水冷装置２００等で冷却されることも
ある。According to this etching apparatus, the substrate S2 to be etched is placed on the high frequency electrode 20 in the container 10, and the inside of the container 10 is maintained at a predetermined etching vacuum degree by opening the valve 71 and operating the exhaust pump 72. , Gas supply unit 6
Etching gas from the nozzle 301 and the electrode plate 302
Is introduced through the gas supply hole of Further, a high-frequency voltage is applied to the electrode 20 from a high-frequency power source 202, the gas introduced thereby is turned into plasma, and the film on the substrate S2 is etched under this plasma. The electrode 20
May be cooled by the water cooling device 200 or the like, if necessary.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなプラズマ処理装置では、プラズマ中の気相反応によ
り発生する微粒子が基板表面に形成される膜に付着した
り、その中に混入したりして膜質を悪化させるという問
題があり、また、発生した微粒子が真空容器内各部に付
着してそれを汚染するという問題がある。真空容器内各
部に付着する微粒子については、これがやがて剥落し
て、処理対象基板に付着する恐れがあるので、除去清掃
しなければならず、手間を要する。However, in such a plasma processing apparatus, the fine particles generated by the gas phase reaction in plasma adhere to the film formed on the surface of the substrate or are mixed therein. There is a problem that the film quality is deteriorated, and the generated fine particles adhere to various parts inside the vacuum container and contaminate it. Fine particles adhering to various parts in the vacuum container may be peeled off and adhere to the substrate to be processed, so that they have to be removed and cleaned, which is troublesome.
【００１２】特に、気相反応により微粒子が形成され、
それが大きく成長する可能性の高い成膜、例えば、シラ
ン（ＳｉＨ4 ）と水素（Ｈ2 ）からアモルファスシリコ
ン（ａ−Ｓｉ）膜を、シランとアンモニア（ＮＨ3 ）か
らアモルファスシリコンナイトライド（ａ−ＳｉＮ）膜
を、シランと一酸化二窒素（亜酸化窒素）（Ｎ2 Ｏ）か
らアモルファスシリコンオキサイド（ａ−ＳｉＯ2 ）膜
を形成するような成膜では、基板表面に形成される膜に
付着したり、その中に混入したりする微粒子のサイズが
形成される膜の膜厚に対し大きく、その結果、その膜が
絶縁膜である場合において成膜後洗浄処理すると、その
微粒子の部分がピンホールとなって絶縁不良が生じた
り、その膜が半導体膜であると、半導体特性が悪化する
といった問題がある。In particular, fine particles are formed by a gas phase reaction,
It is highly likely that it will grow significantly, for example, amorphous silicon (a-Si) film from silane (SiH 4 ) and hydrogen (H 2 ) and amorphous silicon nitride (a) from silane and ammonia (NH 3 ). -SiN) film is formed by forming silane and dinitrogen monoxide (nitrous oxide) (N 2 O) into an amorphous silicon oxide (a-SiO 2 ) film. The size of the fine particles that adhere or are mixed into the large particles is large with respect to the film thickness of the formed film. As a result, when the film is an insulating film, the cleaning process after the film formation causes the fine particle portion to be removed. There is a problem that pinholes cause insulation failure, and if the film is a semiconductor film, semiconductor characteristics are deteriorated.
【００１３】また、プラズマエッチング装置において
も、同様に気相反応により微粒子が形成され、これが被
エッチング面に付着したり、真空容器内各部に付着する
等の問題がある。例えば、エッチングにより配線パター
ンを形成する場合において、かかる微粒子はパターンニ
ングの精度の悪化をもたらし、細線形成においては断線
を招くことがある。Also in the plasma etching apparatus, fine particles are similarly formed by the gas phase reaction and adhere to the surface to be etched or to various parts in the vacuum container. For example, in the case of forming a wiring pattern by etching, such fine particles may deteriorate the accuracy of patterning, and may cause disconnection in the formation of fine lines.
【００１４】また、このような問題は微粒子発生が多く
なる高速成膜や高速エッチングの妨げとなっているし、
微粒子が安定したプラズマ生成の妨げとなり、成膜不
良、エッチング不良を招くこともある。そこで本発明
は、プラズマ中の気相反応で発生する微粒子を効率良く
排除でき、それによって微粒子が処理対象基板や真空容
器内各部に付着することを抑制できるとともに、従来よ
り高速プラズマ処理が可能となり、プラズマを安定化さ
せてプラズマ処理不良の発生を抑制することができるプ
ラズマ処理装置を提供することを課題とする。なお、こ
こで言う「付着」及び後ほど〔発明の効果〕で述べる
「付着」には、真空容器内各部への付着のほか、成膜に
あっては、基板表面への直接的付着、形成される膜への
付着、該膜中への混入等が含まれ、エッチングにあって
は、基板表面への直接的付着、エッチングされる膜への
付着や混入等が含まれる。Further, such a problem is an obstacle to high-speed film formation and high-speed etching, which often generate fine particles.
The fine particles hinder stable plasma generation, which may lead to defective film formation and defective etching. Therefore, the present invention can efficiently remove the fine particles generated in the gas phase reaction in the plasma, thereby suppressing the adhesion of the fine particles to the substrate to be processed and each part in the vacuum container, and it becomes possible to perform high-speed plasma processing more than before. An object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus capable of stabilizing plasma and suppressing the occurrence of plasma processing defects. The "adhesion" referred to here and the "adhesion" described later in [Effects of the Invention] include not only adhesion to various parts in the vacuum container but also direct adhesion and formation on the substrate surface in film formation. Adhesion to the film, mixing into the film, and the like. In etching, direct adhesion to the substrate surface, adhesion to the film to be etched, mixing, and the like are included.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本発
明のプラズマ処理装置は、排気装置により所定の処理真
空状態にできる真空容器内に、プラズマ生成用電力印加
のための電極及び該電極に対向配置される接地電極を設
け、該両電極間に導入した処理用ガスを前記電力印加用
電極に電力印加してプラズマ化させ、該プラズマのもと
で前記いずれかの電極に設置される処理対象基板に目的
とするプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、
前記接地電極の周縁部及び背面部を囲み、該電極周縁部
に隣合う部位に開口部を有する微粒子排出ダクトを設け
るとともに、該ダクトに前記接地電極の背面側中央部に
対応する位置において排気手段を接続したことを特徴と
する。A plasma processing apparatus according to the present invention which solves the above-mentioned problems includes an electrode for applying electric power for plasma generation and an electrode for applying electric power for plasma generation in a vacuum container which can be brought into a predetermined processing vacuum state by an exhaust device. A process in which a grounding electrode arranged oppositely is provided, the processing gas introduced between the electrodes is applied to the power application electrode to generate plasma, and the process gas is installed on any one of the electrodes under the plasma. In the plasma processing apparatus that performs the target plasma processing on the target substrate,
A fine particle discharge duct is provided which surrounds the peripheral portion and the back surface of the ground electrode and has an opening at a site adjacent to the peripheral edge of the electrode, and an exhaust means is provided in the duct at a position corresponding to the center of the rear surface side of the ground electrode. It is characterized by connecting.
【００１６】前記ダクトから排気する手段は、真空容器
内を所定の処理真空度にするための前記排気装置を利用
したものでも構わないし、これとは別に準備されてもよ
い。前記ダクトの微粒子を吸引するための開口部は、例
えば実質上同サイズ、形状で、等間隔に形成された多数
の孔であってもよいし、断続的に、又は連続的に設けら
れたスリットのようなものでも構わず、特に制限はな
い。但し、微粒子をプラズマ発生領域のできるだけ各部
から効率良く吸引できるように、特に接地電極エッジ部
に集中する微粒子を効率良く吸引できるようにするた
め、、ダクトのできるだけ全体から均等に排気できるよ
うに等しく形成されていることが望ましい。The means for evacuating from the duct may use the evacuation device for bringing the inside of the vacuum container to a predetermined processing vacuum degree, or may be prepared separately. The openings for sucking the fine particles of the duct may be, for example, a large number of holes that are substantially the same size and shape and are formed at equal intervals, or slits that are provided intermittently or continuously. There is no particular limitation. However, in order to be able to efficiently suck fine particles from each part of the plasma generation region as much as possible, and particularly to be able to efficiently suck fine particles concentrated at the edge part of the ground electrode, it is equally possible to exhaust the whole duct as evenly as possible. It is preferably formed.
【００１７】また、プラズマ発生領域のできるだけ全体
から微粒子を吸引できるようにするため、前記ダクト
を、前記両電極間のプラズマ発生領域を取り囲むように
延在させ、前記ダクト開口部を該プラズマ発生領域に臨
むように延設することも考えられる。また、前記ダクト
に堆積する微粒子が真空容器内へ逆行拡散することを抑
制するために、該微粒子をダクトに付着した膜のように
捕獲しておけるように、前記ダクトに加熱ヒータを付設
して加熱できるようにしてもよい。Further, in order to attract the fine particles from the entire plasma generation region as much as possible, the duct is extended so as to surround the plasma generation region between the electrodes, and the duct opening is formed in the plasma generation region. It is also possible to extend so as to face. Further, in order to prevent the particles accumulated in the duct from diffusing backward into the vacuum container, a heater is attached to the duct so that the particles can be captured like a film attached to the duct. You may be able to heat.
【００１８】また、前記ダクトの開口部に帯電微粒子集
入用電位を印加するための手段を該ダクトに接続するこ
とも考えられる。この場合、該電位印加手段としては、
微粒子の帯電状態に応じて、接地手段とする場合、接地
電位以外の所定の電位を印加できる手段とする場合な
ど、種々考えられる。また、ダクト開口部には、安定し
たプラズマを発生させるためや、ダクト開口部における
電界の不均一性を回避するために、ダクト開口部をダク
ト本体と同電位にし得る孔あき導電性部材を設けてもよ
い。かかる部材としては、多数の孔を設けた板状部材、
網状部材、格子状部材、これらの組合せ等、様々なもの
が考えられる。It is also conceivable to connect means for applying a potential for collecting charged fine particles to the opening of the duct. In this case, as the potential applying means,
Depending on the charged state of the particles, there are various conceivable cases such as a grounding means and a means capable of applying a predetermined potential other than the ground potential. In addition, the duct opening is provided with a perforated conductive member that allows the duct opening to have the same potential as the duct body in order to generate stable plasma and to avoid non-uniformity of the electric field in the duct opening. May be. As such a member, a plate-shaped member provided with a large number of holes,
Various materials such as a mesh member, a lattice member, and combinations thereof can be considered.
【００１９】また、前記接地電極の周縁部のうちプラズ
マ発生領域側のエッジを前記ダクトによる微粒子吸引方
向に沿って面取りしたり、前記ダクトの開口部のうち前
記接地電極周縁部に隣合うエッジを該ダクトによる微粒
子吸引方向に沿って面取りしたりして、電界強度の勾配
によりダクトへの微粒子吸引を容易にしてもよい。該面
取りは平坦な場合だけでなく、丸味を帯びているような
もの、その他でも構わない。Further, of the peripheral portion of the ground electrode, the edge on the plasma generation region side is chamfered along the direction of attracting particles by the duct, or the edge of the opening of the duct adjacent to the peripheral portion of the ground electrode is formed. The duct may be chamfered along the direction of attracting particles to facilitate the attraction of particles to the duct due to the gradient of the electric field strength. The chamfer is not limited to a flat chamfer, but may be rounded or otherwise.
【００２０】[0020]
【作用】本発明のプラズマ処理装置によると、微粒子排
出ダクトをそれに接続された排気手段により排気するこ
とで、プラズマ処理中、気相反応により発生する微粒
子、とりわけ接地電極近傍に発生し、該電極のエッジ部
分に密集し易い微粒子が、該ダクトの開口部から効率よ
く吸引され、プラズマ発生領域外へ排出される。According to the plasma processing apparatus of the present invention, by exhausting the particulate discharge duct by the exhaust means connected thereto, the particulates generated by the gas phase reaction during the plasma processing, particularly in the vicinity of the ground electrode, are generated. The particles that tend to be densely gathered at the edge portion of are efficiently sucked from the opening of the duct and are discharged to the outside of the plasma generation region.
【００２１】前記ダクトが前記両電極間のプラズマ発生
領域を取り囲むように延在しており、前記ダクト開口部
が該プラズマ発生領域に臨むように延設されているとき
は、それだけプラズマ発生領域の全体から微粒子が吸
引、排出される。前記ダクトに加熱ヒータを付設してあ
るときは、その運転により、ダクトに微粒子を付着状態
とさせ、該微粒子の真空容器内への逆行拡散を抑制でき
る。When the duct extends so as to surround the plasma generation region between the electrodes, and the duct opening extends so as to face the plasma generation region, that much of the plasma generation region is formed. Fine particles are sucked and discharged from the whole. When a heater is attached to the duct, the operation thereof can make the particles adhere to the duct and suppress the retrograde diffusion of the particles into the vacuum container.
【００２２】前記ダクトの開口部に帯電微粒子集入用電
位を印加するための手段を該ダクトに接続するときは、
微粒子の帯電状態に応じて、当該手段により該開口部が
微粒子を集め易い電位とされ、それだけ効率よく微粒子
が排出される。前記ダクトの開口部に孔あき導電性部材
を付設するときは、それによってプラズマが安定し、ま
た、ダクト開口部における電界の不均一性が回避され
る。When connecting a means for applying a potential for collecting charged fine particles to the opening of the duct,
According to the charged state of the fine particles, the opening is set to a potential at which the fine particles can be easily collected by the means, and the fine particles are discharged more efficiently. When a perforated conductive member is attached to the opening of the duct, it stabilizes the plasma and avoids non-uniformity of the electric field at the opening of the duct.
【００２３】前記接地電極の周縁部のうちプラズマ発生
領域側のエッジを前記ダクトによる微粒子吸引方向に沿
って面取りしたり、前記ダクトの開口部のうち前記接地
電極周縁部に隣合うエッジを該ダクトによる微粒子吸引
方向に沿って面取りするときは、該面取りにより形成さ
れる電界強度の勾配により、微粒子がダクトへ効率よく
吸引される。Of the peripheral portion of the ground electrode, the edge on the plasma generation region side is chamfered along the direction of attracting particles by the duct, or the edge of the opening of the duct adjacent to the peripheral portion of the ground electrode is the duct. When chamfering along the direction of attracting particles by means of, the particles are efficiently attracted to the duct due to the gradient of the electric field strength formed by the chamfering.
【００２４】[0024]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明の１実施例であるプラズマＣＶＤ装
置を示している。図２は本発明の他の実施例であるプラ
ズマＣＶＤ装置の接地電極及びそれを囲む微粒子排出ダ
クトの断面を示している。図３は本発明のさらに他の実
施例であるプラズマＣＶＤ装置の一部を示している。図
４は本発明のさらに他の実施例であるプラズマＣＶＤ装
置の接地電極及びそれを囲む微粒子排出ダクトの断面を
示している。図５は本発明のさらに他の実施例であるプ
ラズマエッチング装置を示している。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a plasma CVD apparatus which is an embodiment of the present invention. FIG. 2 shows a cross section of a ground electrode of a plasma CVD apparatus according to another embodiment of the present invention and a particulate discharge duct surrounding the ground electrode. FIG. 3 shows a part of a plasma CVD apparatus which is still another embodiment of the present invention. FIG. 4 shows a cross section of a ground electrode of a plasma CVD apparatus according to still another embodiment of the present invention and a particulate discharge duct surrounding the ground electrode. FIG. 5 shows a plasma etching apparatus which is still another embodiment of the present invention.
【００２５】図１のプラズマＣＶＤ装置は、図６に示す
従来装置において、接地電極２に対し、それを囲む微粒
子排出用のダクト８を設け、それに排気装置８０を接続
したものである。またダクト８には、これを接地電位と
したり、微粒子帯電状態に応じて適当なバイアス電圧を
印加する電圧可変直流電源８ａ等を含む電位印加部８０
０を接続してある。ダクト８、排気装置８０及び電位印
加部８００を採用した点を除けば図６の装置と同様の構
成であり、全体の成膜動作も同様である。図６の装置に
おける部品と同じ部品については同じ参照符号を付して
ある。The plasma CVD apparatus of FIG. 1 is different from the conventional apparatus shown in FIG. 6 in that the ground electrode 2 is provided with a duct 8 for discharging fine particles surrounding the ground electrode 2, and an exhaust device 80 is connected thereto. Further, the duct 8 has a potential applying section 80 including a voltage variable DC power source 8a for applying a bias voltage suitable for the charged state of the fine particles or a charged potential of the fine particles in the duct 8.
0 is connected. The configuration is the same as that of the apparatus of FIG. 6 except that the duct 8, the exhaust device 80, and the potential applying unit 800 are adopted, and the entire film forming operation is also the same. The same parts as those in the apparatus of FIG. 6 are designated by the same reference numerals.
【００２６】ダクト８は、基板Ｓ１を設置するための接
地電極２の周縁部２５及び背面部２６を一体的に囲んで
おり、該電極周縁部、さらに詳言すると、周縁部２５の
うちプラズマ発生領域Ｐに臨む電極エッジ２７に隣合う
部位に開口部８１を有している。さらに言うと、ダクト
開口部８１はスリット状に形成されており、電極２のプ
ラズマ発生領域Ｐ側の面乃至電極エッジ２７と実質上同
じ面に配置されており、電極２を囲繞している。また、
ダクト８は電極２の背面側中央部に対応する位置に排気
装置８０の接続口８２を有している。The duct 8 integrally surrounds the peripheral edge portion 25 and the back surface portion 26 of the ground electrode 2 on which the substrate S1 is installed. The peripheral edge portion of the electrode, more specifically, the plasma generating portion of the peripheral edge portion 25 is generated. An opening 81 is provided in a region adjacent to the electrode edge 27 facing the region P. Furthermore, the duct opening 81 is formed in a slit shape, and is disposed on the surface of the electrode 2 on the plasma generation region P side or substantially the same surface as the electrode edge 27 and surrounds the electrode 2. Also,
The duct 8 has a connection port 82 for the exhaust device 80 at a position corresponding to the center of the back side of the electrode 2.
【００２７】ダクト８には加熱ヒータ８３が付設してあ
り、それはダクト開口部８１まで延在しており、該開口
部８１も加熱できる。排気装置８０は排気調整用弁８０
１及び排気ポンプ８０２を含むもので、ダクト８の接続
口８２に弁８０１を介してポンプ８０２が接続されてい
る。このプラズマＣＶＤ装置によると、成膜対象基板Ｓ
１が電極２に設置され、あとは、図６の装置について説
明したと同様の手順で該基板表面に目的とする成膜がな
される。A heater 83 is attached to the duct 8 and extends to the duct opening 81 so that the opening 81 can also be heated. The exhaust device 80 is an exhaust adjustment valve 80.
1 and an exhaust pump 802, the pump 802 is connected to the connection port 82 of the duct 8 via a valve 801. According to this plasma CVD apparatus, the film formation target substrate S
1 is placed on the electrode 2, and thereafter, a target film is formed on the surface of the substrate by the same procedure as described for the apparatus in FIG.
【００２８】但しこの装置では、成膜中、ダクト８の電
位は発生する微粒子を集め易いように電位印加部８００
にて適当な電位とされ、また、接地電極２を囲むダクト
８が排気装置８０により排気される。従って、成膜中、
プラズマ中の気相反応で発生した微粒子、特に接地電極
２近傍で発生し、電極エッジ２７近傍に密集する微粒子
は該ダクト８の開口部８１からダクト内に効率よく吸引
され、プラズマ領域外へ排除される。 従って、処理対
象基板Ｓ１や真空容器１内各部への微粒子の付着がそれ
だけ抑制され、形成される膜の欠陥が大幅に低減するう
え、真空容器内各部の微粒子除去清掃等のメインテナン
ス回数を従来より減らすことができるようになり、高ス
ループット化が達成される。さらに、多量の微粒子発生
を伴う高速成膜処理が可能となり、また、微粒子を効率
よく排除することでプラズマを安定化させてプラズマが
不安定な場合に生じ易い処理不良の発生を抑制できる。In this apparatus, however, the potential of the duct 8 is set so that the generated particles are easily collected during the film formation.
To an appropriate electric potential, and the duct 8 surrounding the ground electrode 2 is exhausted by the exhaust device 80. Therefore, during film formation,
Fine particles generated by a gas phase reaction in plasma, particularly fine particles generated in the vicinity of the ground electrode 2 and concentrated in the vicinity of the electrode edge 27 are efficiently sucked into the duct from the opening 81 of the duct 8 and eliminated to the outside of the plasma region. To be done. Therefore, the adhesion of fine particles to the substrate S1 to be processed and each part in the vacuum container 1 is suppressed to that extent, the defects of the formed film are significantly reduced, and the number of times of maintenance such as the fine particle removal cleaning of each part in the vacuum container can be reduced as compared with the conventional one. As a result, the throughput can be increased. Further, a high-speed film forming process accompanied by the generation of a large amount of fine particles can be performed, and by efficiently removing the fine particles, plasma can be stabilized and the occurrence of processing defects that are likely to occur when the plasma is unstable can be suppressed.
【００２９】また、必要に応じヒータ８３を運転して、
ダクト開口部８１やダクト８内に微粒子を付着状態とさ
せ、該微粒子のプラズマ領域への逆行拡散を抑制でき
る。本発明に係る他のプラズマＣＶＤ装置によると、図
２に示すように、接地電極２のエッジ２７がダクト８に
よる微粒子吸引方向に斜めに面取りされているととも
に、該エッジに隣合うダクト開口部８１のエッジ８１１
も同方向に面取りされ、両面取り部が実質上同じ面内に
配置されている。また、ダクト開口部８１にはメッシュ
状の導電性部材８４が設けられている。この部材８４も
前記両面取り部と実質上同じ面に配置されている。他の
点は図１に示す装置と同構成である。If necessary, the heater 83 is operated to
The particles can be made to adhere to the duct opening 81 and the duct 8 to suppress the retrograde diffusion of the particles to the plasma region. According to another plasma CVD apparatus according to the present invention, as shown in FIG. 2, the edge 27 of the ground electrode 2 is chamfered obliquely in the direction of attracting particles by the duct 8 and the duct opening 81 adjacent to the edge is formed. The edge 811
Are chamfered in the same direction, and the double-sided chamfers are arranged in substantially the same plane. The duct opening 81 is provided with a mesh-shaped conductive member 84. This member 84 is also arranged on substantially the same surface as the double-sided portion. The other points are the same as those of the apparatus shown in FIG.
【００３０】この装置によると、電極エッジ２７及びダ
クト開口部エッジ８１１の面取りにより形成される電界
強度の勾配により、微粒子はダクトへ効率よく吸引され
る。また、ダクト開口部８１にメッシュ状導電性部材８
４を付設してあるので、それによってプラズマが安定
し、また、ダクト開口部における電界の不均一性が回避
される。According to this apparatus, the particles are efficiently attracted to the duct due to the gradient of the electric field strength formed by the chamfering of the electrode edge 27 and the duct opening edge 811. Further, the mesh-shaped conductive member 8 is provided in the duct opening 81.
4 is provided so that it stabilizes the plasma and avoids non-uniformity of the electric field at the duct openings.
【００３１】なお、図２に二点鎖線で示すように、ダク
ト８の外壁８５をプラズマ領域Ｐを取り囲むように延在
させて、微粒子の吸引を一層円滑化することもできる。
本発明に係る他のプラズマＣＶＤ装置によると、図３に
示すように、ダクト８が接地電極２と高周波電極３との
間のプラズマ発生領域Ｐを筒状に取り囲むように延在し
ており、ダクト開口部８６も該プラズマ発生領域に臨む
ように延設されている。ダクト開口部８６にはメッシュ
状の導電性部材８７が設けられており、その設け方の特
徴として、部材８７の表面とダクト本体表面とが実質上
同じ面位置に置かれ、できるだけ段差が生じないように
されている。また、ヒータ８３はプラズマ発生領域Ｐを
取り囲むように延在する部分へも延設してある。その他
の点は図１に示す装置と同構成である。As shown by the chain double-dashed line in FIG. 2, the outer wall 85 of the duct 8 may be extended so as to surround the plasma region P to further facilitate the suction of fine particles.
According to another plasma CVD apparatus according to the present invention, as shown in FIG. 3, the duct 8 extends so as to cylindrically surround the plasma generation region P between the ground electrode 2 and the high frequency electrode 3, The duct opening 86 is also extended so as to face the plasma generation region. The duct opening 86 is provided with a mesh-shaped conductive member 87, which is characterized in that the surface of the member 87 and the surface of the duct main body are placed in substantially the same plane position, and steps are not formed as much as possible. Is being done. Further, the heater 83 is also extended to a portion extending so as to surround the plasma generation region P. The other points are the same as those of the apparatus shown in FIG.
【００３２】この装置によると、ダクト本体及びその開
口部がプラズマ発生領域Ｐを取り囲むように延在してい
るので、それだけプラズマ発生領域の全体から微粒子が
効率よくダクト８内に吸引され、排出される。また、ダ
クト開口部８６にメッシュ状導電性部材８７を付設して
あるので、開口部８６の電位がダクト本体と同電位にな
り、それによってプラズマが安定化し、さらに、ダクト
開口部８６における電界の不均一性が回避される。According to this apparatus, since the duct body and its opening extend so as to surround the plasma generation region P, the particles are efficiently sucked into the duct 8 and discharged from the entire plasma generation region. It Further, since the mesh-shaped conductive member 87 is attached to the duct opening 86, the potential of the opening 86 becomes the same as that of the duct main body, thereby stabilizing the plasma and further reducing the electric field of the electric field in the duct opening 86. Non-uniformity is avoided.
【００３３】本発明に係るさらに他のプラズマＣＶＤ装
置によると、図４に示すように、図３に示す装置におい
て電極エッジ２７がダクト８による微粒子吸引方向に斜
めに面取りされているとともに、該エッジに隣合うダク
ト開口部８６のエッジ８６１も同方向に面取りされ、両
面取り部が実質上同じ面内に配置されている。他の点は
図３に示す装置と同構成である。According to still another plasma CVD apparatus according to the present invention, as shown in FIG. 4, in the apparatus shown in FIG. 3, the electrode edge 27 is chamfered obliquely in the direction of attracting particles by the duct 8 and the edge is formed. The edges 861 of the duct openings 86 adjacent to each other are also chamfered in the same direction, and the chamfered portions are arranged substantially in the same plane. The other points are the same as those of the device shown in FIG.
【００３４】この装置によると、電極エッジ２７及びダ
クト開口部エッジ８６１の面取りにより形成される電界
強度の勾配により、微粒子はダクトへ効率よく吸引され
る。以上説明した装置のうち図３の装置により、ａ−Ｓ
ｉ：Ｈ膜を形成した例を説明する。 成膜条件 基板 ： ５インチシリコンウェハ ガス ： ＳｉＨ4 １００ｓｃｃｍ Ｈ2 ４００ｓｃｃｍ 成膜温度 ： ２３０℃ 成膜ガス圧 ： ０．４Ｔｏｒｒ 高周波電力 ： ２００Ｗ 電極サイズ ： ３６０ｍｍ×３６０ｍｍ□ 電極間隔 ： ４５ｍｍ（電極３−基板Ｓ１表面間距
離） 排気割合 ： 排気装置（51、52) ：排気装置８０＝
１０：１ ダクト温度 ： 約２００℃ ダクト開口部導電性部材８７：開口率７０％のステンレ
ススチール製メッシュ状板部材 ダクト電位 ： 接地 この成膜では、形成されたａ−Ｓｉ：Ｈ膜における付着
微粒子数は、０．３μｍ以上の大きさのもので５個以
下、成膜速度 ３００Å／ｍｉｎ、真空容器等のメイン
テナンス必要回数 ５０バッチ（合計５０μｍ成膜）毎
であった。According to this apparatus, the particles are efficiently attracted to the duct due to the gradient of the electric field strength formed by the chamfering of the electrode edge 27 and the duct opening edge 861. Among the devices described above, the device of FIG.
An example in which an i: H film is formed will be described. Film forming conditions Substrate: 5 inch silicon wafer gas: SiH 4 100 sccm H 2 400 sccm Film forming temperature: 230 ° C. Film forming gas pressure: 0.4 Torr High frequency power: 200 W Electrode size: 360 mm × 360 mm □ Electrode interval: 45 mm (electrode 3- Substrate S1 surface distance) Exhaust ratio: Exhaust device (51, 52): Exhaust device 80 =
10: 1 Duct temperature: About 200 ° C. Duct opening conductive member 87: Stainless steel mesh plate member with 70% opening ratio Duct potential: Ground In this film formation, adhered fine particles in a-Si: H film formed The number was 5 or less in the size of 0.3 μm or more, the film forming rate was 300 Å / min, and the number of times required for maintenance such as a vacuum container was 50 batches (total film formation of 50 μm).
【００３５】なお、図６の従来装置によると、ダクト８
を採用しない点を除いて他は同じ成膜条件として、付着
微粒子数は約５０個、成膜速度 １００Å／ｍｉｎ、真
空容器等のメインテナンス必要回数 １０バッチ（合計
１０μｍ成膜）毎であった。次に、本発明のさらに他の
実施例である図５に示すプラズマエッチング装置につい
て説明する。この装置は、図７に示す従来装置におい
て、接地電極３０に対し、それを囲む微粒子排出用のダ
クト９を設け、それに排気装置９０を接続したものであ
る。また、ダクト９には、これを接地電位としたり、微
粒子帯電状態に応じて適当なバイアス電圧を印加する電
圧可変の直流電源９ａ等を含む電位印加部９００を接続
してある。ダクト９、排気装置９０及び電位印加部９０
０を採用した点を除けば図７の装置と同様の構成であ
り、全体のエッチング動作も同様である。図７の装置に
おける部品と同じ部品については同じ参照符号を付して
ある。According to the conventional device of FIG. 6, the duct 8 is
Other than the above, the number of adhered fine particles was about 50, the deposition rate was 100Å / min, and the number of times required for maintenance such as a vacuum container was 10 batches (total 10 μm deposition). Next, a plasma etching apparatus shown in FIG. 5, which is still another embodiment of the present invention, will be described. This device is different from the conventional device shown in FIG. 7 in that a duct 9 for discharging fine particles surrounding the ground electrode 30 is provided, and an exhaust device 90 is connected thereto. Further, the duct 9 is connected to a potential applying section 900 including a DC power source 9a of variable voltage for applying an appropriate bias voltage according to the charged state of the fine particles or the ground potential of the duct 9. Duct 9, exhaust device 90 and potential applying section 90
The configuration is the same as that of the apparatus of FIG. 7 except that 0 is adopted, and the entire etching operation is also the same. The same parts as those in the apparatus of FIG. 7 are designated by the same reference numerals.
【００３６】ダクト９は、接地電極３０の周縁部３０３
及び背面部３０４を一体的に囲んでおり、該電極周縁
部、さらに詳言すると、周縁部３０３のうちプラズマ発
生領域Ｐに臨む電極エッジ３０５に隣合う部位に開口部
９１を有している。さらに言うと、ダクト開口部９１は
スリット状に形成されており、電極３０の電極板３０２
乃至エッジ３０５と実質上同じ面に配置されており、電
極３０を囲繞している。また、ダクト９は電極３０の背
面側中央部に対応する位置に排気装置９０の接続口９２
を有している。このダクト９は真空容器１を介して接地
されている。The duct 9 is a peripheral portion 303 of the ground electrode 30.
And the back surface portion 304 are integrally surrounded, and an opening portion 91 is provided in the peripheral portion of the electrode, more specifically, in a portion of the peripheral portion 303 adjacent to the electrode edge 305 facing the plasma generation region P. Furthermore, the duct opening 91 is formed in a slit shape, and the electrode plate 302 of the electrode 30 is formed.
Thru the edge 305 and substantially on the same plane as the edge 305 and surrounds the electrode 30. In addition, the duct 9 is provided at a position corresponding to the central portion on the back surface side of the electrode 30 at the connection port 92 of the exhaust device 90.
have. The duct 9 is grounded via the vacuum container 1.
【００３７】ダクト９には加熱ヒータ９３が付設してあ
り、それはダクト開口部９１まで延在しており、該開口
部９１も加熱できる。排気装置９０は排気調整用弁９０
１及び排気ポンプ９０２を含むもので、ダクト９の接続
口９２に弁９０１を介してポンプ９０２が接続されてい
る。このプラズマエッチング装置によると、エッチング
対象基板Ｓ２が高周波電極２０に設置され、あとは、図
７の装置について説明したと同様の手順で該基板表面の
膜がエッチング処理される。A heater 93 is attached to the duct 9 and extends to a duct opening 91, which can also be heated. The exhaust device 90 is an exhaust adjustment valve 90.
1 and an exhaust pump 902, the pump 902 is connected to the connection port 92 of the duct 9 via a valve 901. According to this plasma etching apparatus, the substrate S2 to be etched is placed on the high-frequency electrode 20, and thereafter, the film on the surface of the substrate is etched by the same procedure as described for the apparatus of FIG.
【００３８】但しこの装置では、エッチング中、ダクト
９の電位は発生する微粒子を集め易いように電位印加部
９００にて適当な電位とされ、また、接地電極３０を囲
むダクト９が排気装置９０により排気される。従って、
エッチング中、プラズマ中の気相反応で発生した微粒
子、特に電極板３０２近傍で発生し、電極エッジ３０５
近傍に密集する微粒子は該ダクト９の開口部９１からダ
クト内に効率よく吸引され、プラズマ領域外へ排除され
る。従って、処理対象基板Ｓ２や真空容器１内各部への
微粒子の付着がそれだけ抑制され、エッチング不良が大
幅に低減するうえ、真空容器内各部の微粒子除去清掃等
のメインテナンス回数を従来より減らすことができるよ
うになり、高スループット化が達成される。さらに、多
量の微粒子発生を伴う高速エッチング処理が可能とな
り、また、微粒子の排除によりプラズマを安定化させて
プラズマが不安定な場合に生じ易いエッチング不良の発
生を抑制できる。However, in this apparatus, during the etching, the potential of the duct 9 is set to an appropriate potential by the potential applying section 900 so that the generated fine particles can be easily collected, and the duct 9 surrounding the ground electrode 30 is controlled by the exhaust device 90. Exhausted. Therefore,
During etching, fine particles generated by a gas phase reaction in plasma, particularly in the vicinity of the electrode plate 302, generate an electrode edge 305.
The fine particles densely gathered in the vicinity are efficiently sucked into the duct from the opening 91 of the duct 9 and are removed to the outside of the plasma region. Therefore, adhesion of fine particles to the substrate S2 to be processed and each part in the vacuum container 1 is suppressed to that extent, etching defects are significantly reduced, and the number of maintenances such as fine particle removal cleaning of each part in the vacuum container can be reduced as compared with the conventional case. As a result, high throughput is achieved. Further, it becomes possible to perform a high-speed etching process accompanied by the generation of a large amount of fine particles, and it is possible to stabilize the plasma by eliminating the fine particles and suppress the occurrence of etching defects that are likely to occur when the plasma is unstable.
【００３９】また、必要に応じヒータ９３を運転して、
ダクト９の開口部９１やダクト９内に微粒子を付着状態
とし、プラズマ領域への微粒子の拡散を抑制できる。な
お、このようなエッチング装置においても、図２、図
３、図４に示すと同様に、電極エッジ３０５やダクト開
口部エッジを面取りしたり、ダクト開口部にメッシュ状
導電性部材を設けたり、ダクトをプラズマ発生領域を取
り囲むように延在させる等して、前記プラズマＣＶＤ装
置の場合と同様の効果が得られる。If necessary, the heater 93 is operated to
It is possible to make fine particles adhere to the opening 91 of the duct 9 or the inside of the duct 9 and suppress the diffusion of fine particles to the plasma region. Even in such an etching apparatus, as in FIGS. 2, 3 and 4, the electrode edge 305 and the duct opening edge are chamfered, or a mesh conductive member is provided in the duct opening. The same effect as in the case of the plasma CVD apparatus can be obtained by extending the duct so as to surround the plasma generation region.
【００４０】[0040]
【発明の効果】以上説明したように本発明によると、プ
ラズマ中の気相反応で発生する微粒子を効率良く排除で
き、それによって微粒子が処理対象基板や真空容器内各
部に付着することを抑制できるとともに、従来より高速
プラズマ処理が可能となり、プラズマを安定化させてプ
ラズマ処理不良の発生を抑制することができるプラズマ
処理装置を提供することができる。As described above, according to the present invention, it is possible to efficiently eliminate the fine particles generated by the gas phase reaction in the plasma, and thereby to prevent the fine particles from adhering to the substrate to be processed and various parts inside the vacuum container. At the same time, it is possible to provide a plasma processing apparatus that enables higher-speed plasma processing than in the past, stabilizes the plasma, and suppresses the occurrence of plasma processing defects.
【００４１】微粒子排出ダクトがプラズマ発生領域を取
り囲むように延在し、該ダクト開口部がプラズマ発生領
域に臨むように延設されているときは、それだけプラズ
マ発生領域の全体から微粒子を効率よく吸引、排出でき
る。前記ダクトに加熱ヒータを付設してあるときは、そ
の運転により、ダクトに吸引した微粒子をダクトに付着
状態とさせて保持でき、ダクトからの微粒子の逆行拡散
を抑制できる。When the particulate discharge duct extends so as to surround the plasma generation area, and the duct opening extends so as to face the plasma generation area, the particles are efficiently sucked from the entire plasma generation area. , Can be discharged. When the duct is provided with a heater, its operation can keep the fine particles sucked in the duct in an adhered state to the duct and suppress the retrograde diffusion of the fine particles from the duct.
【００４２】前記ダクトの開口部に帯電微粒子集入用電
位を印加するための手段を該ダクトに接続するときは、
微粒子の帯電状態に応じて、当該手段により該開口部を
微粒子を集め易い電位として、効率よく微粒子を排出で
きる。前記ダクトの開口部に孔あき導電性部材を付設す
るときは、それによってプラズマを安定化させ、また、
ダクト開口部における電界の不均一性を回避できる。When connecting a means for applying a potential for collecting charged fine particles to the opening of the duct,
Depending on the charged state of the fine particles, the opening can be set to a potential at which the fine particles can be easily collected by the means and the fine particles can be efficiently discharged. When a perforated conductive member is attached to the opening of the duct, it stabilizes the plasma, and
The non-uniformity of the electric field at the duct opening can be avoided.
【００４３】接地電極の周縁部のうちプラズマ発生領域
側のエッジを前記ダクトによる微粒子吸引方向に沿って
面取りしたり、前記ダクトの開口部のうち前記接地電極
周縁部に隣合うエッジを該ダクトによる微粒子吸引方向
に沿って面取りするときは、該面取りにより形成される
電界強度の勾配により、微粒子をダクトへ効率よく吸引
できる。Of the peripheral portion of the ground electrode, the edge on the plasma generation region side is chamfered along the direction of attracting particles by the duct, or the edge of the opening of the duct adjacent to the peripheral portion of the ground electrode is formed by the duct. When chamfering along the particle suction direction, the particles can be efficiently sucked into the duct due to the gradient of the electric field strength formed by the chamfering.
【図１】本発明の１実施例であるプラズマＣＶＤ装置の
概略構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a plasma CVD apparatus that is an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の他の実施例であるプラズマＣＶＤ装置
の接地電極及びそれを囲む微粒子排出ダクトの断面図で
ある。FIG. 2 is a cross-sectional view of a ground electrode of a plasma CVD apparatus according to another embodiment of the present invention and a particulate discharge duct surrounding the ground electrode.
【図３】本発明のさらに他の実施例であるプラズマＣＶ
Ｄ装置の一部を示す図である。FIG. 3 is a plasma CV according to still another embodiment of the present invention.
It is a figure which shows a part of D apparatus.
【図４】本発明のさらに他の実施例であるプラズマＣＶ
Ｄ装置の接地電極及びそれを囲む微粒子排出ダクトの断
面図である。FIG. 4 is a plasma CV according to still another embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a cross-sectional view of a ground electrode of the D device and a particulate discharge duct surrounding the ground electrode.
【図５】本発明のさらに他の実施例であるプラズマエッ
チング装置の概略構成を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a schematic configuration of a plasma etching apparatus that is still another embodiment of the present invention.
【図６】従来のプラズマＣＶＤ装置例の概略構成図であ
る。FIG. 6 is a schematic configuration diagram of an example of a conventional plasma CVD apparatus.
【図７】従来のプラズマエッチング装置例の概略構成図
である。FIG. 7 is a schematic configuration diagram of an example of a conventional plasma etching apparatus.
１、１０ 真空容器 ２、３０ 接地電極 ２０、３ 高周波電極 ２０１、３１ マッチングボックス ２０２、３２ 高周波電源 ３３、３０１ ガスノズル ３４、３０２ ガス供給孔付き板体 ２５、３０３ 電極周縁部 ２６、３０４ 電極背面部 ２７、３０５ 電極エッジ ２１ ヒータ ５１、７１ 開閉弁 ５２、７２ 排気ポンプ ４、６ ガス供給部 ８、９ 微粒子排出ダクト ８１、８６、９１ ダクト開口部 ８１１、８６１ ダクト開口部エッジ ８２、９２ ダクトの排気装置接続口 ８３、９３ ダクト付設のヒータ ８４、８７ メッシュ状導電性部材 ８５ ダクトの外壁延設部 ８０、９０ 排気装置 ８０１、９０１ 排気量調整弁 ８０２、９０２ 排気ポンプ ８００、９００ ダクトへの電位印加部 Ｓ１ 成膜対象基板 Ｓ２ エッチング対象基板 1, 10 Vacuum container 2, 30 Ground electrode 20, 3 High frequency electrode 201, 31 Matching box 202, 32 High frequency power source 33, 301 Gas nozzle 34, 302 Plate with gas supply hole 25, 303 Electrode peripheral part 26, 304 Electrode rear part 27,305 Electrode edge 21 Heater 51,71 Open / close valve 52,72 Exhaust pump 4,6 Gas supply part 8,9 Fine particle discharge duct 81,86,91 Duct opening 811,861 Duct opening edge 82,92 Duct exhaust Device connection port 83, 93 Ducted heater 84, 87 Mesh-shaped conductive member 85 Duct outer wall extension 80, 90 Exhaust device 801, 901 Exhaust amount adjusting valve 802, 902 Exhaust pump 800, 900 Potential application to duct Part S1 Film formation target substrate S2 Etching target substrate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中東 孝浩 京都市右京区梅津高畝町47番地 日新電機 株式会社内 (72)発明者 桑原 創 京都市右京区梅津高畝町47番地 日新電機 株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Takahiro Middle East 47 Umezu Takaune-cho, Ukyo-ku, Kyoto City Nissin Electric Co., Ltd.
Claims (7)
きる真空容器内に、プラズマ生成用電力印加のための電
極及び該電極に対向配置される接地電極を設け、該両電
極間に導入した処理用ガスを前記電力印加用電極に電力
印加してプラズマ化させ、該プラズマのもとで前記いず
れかの電極に設置される処理対象基板に目的とするプラ
ズマ処理を行うプラズマ処理装置において、前記接地電
極の周縁部及び背面部を囲み、該電極周縁部に隣合う部
位に開口部を有する微粒子排出ダクトを設けるととも
に、該ダクトに前記接地電極の背面側中央部に対応する
位置において排気手段を接続したことを特徴とするプラ
ズマ処理装置。1. A process in which an electrode for applying electric power for plasma generation and a ground electrode arranged opposite to the electrode are provided in a vacuum container that can be brought into a predetermined process vacuum state by an exhaust device, and a process introduced between both electrodes. In the plasma processing apparatus, the processing gas is applied with electric power to the power application electrode to turn it into plasma, and the target plasma processing is performed on the substrate to be processed installed on any of the electrodes under the plasma. A fine particle discharge duct is provided which surrounds the peripheral portion and the back surface of the electrode and has an opening at a site adjacent to the peripheral edge of the electrode, and an exhaust means is connected to the duct at a position corresponding to the central portion on the rear surface side of the ground electrode. A plasma processing apparatus characterized by the above.
生領域を取り囲むように延在しており、前記ダクト開口
部が該プラズマ発生領域に臨むように延設されている請
求項１記載のプラズマ処理装置。2. The plasma according to claim 1, wherein the duct extends so as to surround a plasma generation region between the electrodes, and the duct opening extends so as to face the plasma generation region. Processing equipment.
項１又は２記載のプラズマ処理装置。3. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein a heater is attached to the duct.
電位を印加するための手段を該ダクトに接続した請求項
１、２又は３記載のプラズマ処理装置。4. The plasma processing apparatus according to claim 1, 2 or 3, wherein means for applying a potential for collecting charged fine particles to the opening of the duct is connected to the duct.
を付設した請求項１から４のいずれかに記載のプラズマ
処理装置。5. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein a perforated conductive member is attached to the opening of the duct.
生領域側のエッジを前記ダクトによる微粒子吸引方向に
沿って面取りした請求項１から５のいずれかに記載のプ
ラズマ処理装置。6. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein an edge on the plasma generation region side of the peripheral portion of the ground electrode is chamfered along the direction of attracting particles by the duct.
周縁部に隣合うエッジを該ダクトによる微粒子吸引方向
に沿って面取りした請求項１から６のいずれかに記載の
プラズマ処理装置。7. The plasma processing apparatus according to claim 1, wherein an edge of the opening of the duct adjacent to the peripheral edge of the ground electrode is chamfered along a direction of attracting particles by the duct.
Priority Applications (1)
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1993
- 1993-04-01 JP JP07563693A patent/JP3301152B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6669812B2 (en) * | 1997-09-02 | 2003-12-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus and method for fabricating semiconductor device |
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