JPH06290991A - 高周波用減結合キャパシタ - Google Patents
高周波用減結合キャパシタInfo
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- JPH06290991A JPH06290991A JP9494993A JP9494993A JPH06290991A JP H06290991 A JPH06290991 A JP H06290991A JP 9494993 A JP9494993 A JP 9494993A JP 9494993 A JP9494993 A JP 9494993A JP H06290991 A JPH06290991 A JP H06290991A
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- Japan
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- conductor layer
- decoupling capacitor
- ground conductor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 いかなる共振モードであっても共振を抑制
し、素子インピーダンスの上昇を効果的に防止すること
ができ、高周波帯域において正しく動作可能な減結合キ
ャパシタを提供する。 【構成】 第１の地導体層（１１）、第１の誘電体層
（１２）、内導体層（１３）、第２の誘電体層（１４）
及び第２の地導体層（１５）をこの順序で積層してなる
多層体と、この多層体の第１及び第２の地導体層（１
１、１５）の少なくとも一方の層上に第３の誘電体層
（１６）を介して積層された絶縁性強磁性体層（１７）
とを備えており、内導体層の一端を入力端子に他端を出
力端子としている。
し、素子インピーダンスの上昇を効果的に防止すること
ができ、高周波帯域において正しく動作可能な減結合キ
ャパシタを提供する。 【構成】 第１の地導体層（１１）、第１の誘電体層
（１２）、内導体層（１３）、第２の誘電体層（１４）
及び第２の地導体層（１５）をこの順序で積層してなる
多層体と、この多層体の第１及び第２の地導体層（１
１、１５）の少なくとも一方の層上に第３の誘電体層
（１６）を介して積層された絶縁性強磁性体層（１７）
とを備えており、内導体層の一端を入力端子に他端を出
力端子としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波帯域で作動可能
な４端子型の減結合キャパシタに関する。
な４端子型の減結合キャパシタに関する。
【０００２】
【従来の技術】高周波信号回路においては、線路のイン
ピーダンスを下げて回路間の結合による発振等を防ぐた
めに、減結合キャパシタ素子をその回路間をつなぐ線路
に挿入している。
ピーダンスを下げて回路間の結合による発振等を防ぐた
めに、減結合キャパシタ素子をその回路間をつなぐ線路
に挿入している。
【０００３】通常のキャパシタの構成は、図１０に示す
ように入出力端子を共通とする構成であるため、キャパ
シタの自己共振周波数以上の周波数帯域においてこのキ
ャパシタのインピーダンスが線路の特性インピーダンス
より高くなると、回路から等価的に切り離された状態と
なってしまい、減結合動作を行わなくなる。
ように入出力端子を共通とする構成であるため、キャパ
シタの自己共振周波数以上の周波数帯域においてこのキ
ャパシタのインピーダンスが線路の特性インピーダンス
より高くなると、回路から等価的に切り離された状態と
なってしまい、減結合動作を行わなくなる。
【０００４】そこで従来より高周波用の減結合キャパシ
タには、図１１に示すごとき貫通型キャパシタ又は超パ
ス型キャパシタと称される４端子型のキャパシタが使用
されている。この構造のキャパシタは、入力端子と出力
端子とが分離されており、信号が必ずキャパシタ導体中
を通過するので回路から切り離されることがなく、従っ
て減結合キャパシタとして動作する周波数範囲が広い。
タには、図１１に示すごとき貫通型キャパシタ又は超パ
ス型キャパシタと称される４端子型のキャパシタが使用
されている。この構造のキャパシタは、入力端子と出力
端子とが分離されており、信号が必ずキャパシタ導体中
を通過するので回路から切り離されることがなく、従っ
て減結合キャパシタとして動作する周波数範囲が広い。
【０００５】高周波帯域においては、誘電率εに応じて
誘電体内の伝搬波長が１／√εに短縮されるため、キャ
パシタの電極が波長に比して無視できない大きさとな
り、分布定数線路として動作するようになる。キャパシ
タの電極が誘電体内伝搬波長の１／４の整数倍となると
キャパシタは共振器となり、特にその偶数倍のときには
入出力端子が電気的に短絡して超パス構造といえどもキ
ャパシタとして動作しなくなってしまう。
誘電体内の伝搬波長が１／√εに短縮されるため、キャ
パシタの電極が波長に比して無視できない大きさとな
り、分布定数線路として動作するようになる。キャパシ
タの電極が誘電体内伝搬波長の１／４の整数倍となると
キャパシタは共振器となり、特にその偶数倍のときには
入出力端子が電気的に短絡して超パス構造といえどもキ
ャパシタとして動作しなくなってしまう。
【０００６】超パス構造の減結合キャパシタの動作周波
数帯域を拡げるためには、キャパシタの共振周波数を上
昇させると共に共振器となった際のＱ値が低下するよう
に構成する必要がある。この点を解決するため、本出願
人は、図１２に示すごとき構造の減結合キャパシタを既
に提案している（特願平３−１３８５６８号）。
数帯域を拡げるためには、キャパシタの共振周波数を上
昇させると共に共振器となった際のＱ値が低下するよう
に構成する必要がある。この点を解決するため、本出願
人は、図１２に示すごとき構造の減結合キャパシタを既
に提案している（特願平３−１３８５６８号）。
【０００７】同図において、１２０は（誘電体層１２１
＋地導体層１２２＋誘電体層＋内導体層１２３）を１単
位としてこれを１単位以上重ねた積層体にさらに（地導
体層＋誘電体層）を重ねた積層体、１２４及び１２５は
内導体層１２３に接続されている入出力端子、１２６は
地導体層１２２に接続されている接地端子である。この
先願の減結合キャパシタでは、内導体層１２３を（内導
体＋誘電体＋抵抗体＋誘電体＋内導体）の積層構造と
し、この抵抗体をダンパとして共振抑制を行うように構
成している。
＋地導体層１２２＋誘電体層＋内導体層１２３）を１単
位としてこれを１単位以上重ねた積層体にさらに（地導
体層＋誘電体層）を重ねた積層体、１２４及び１２５は
内導体層１２３に接続されている入出力端子、１２６は
地導体層１２２に接続されている接地端子である。この
先願の減結合キャパシタでは、内導体層１２３を（内導
体＋誘電体＋抵抗体＋誘電体＋内導体）の積層構造と
し、この抵抗体をダンパとして共振抑制を行うように構
成している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たごとき構造の減結合キャパシタでは、内導体層１２３
における２つの内導体間で発生する共振現象は抵抗体で
抑制可能であるが、地導体層と内導体層との間で発生す
る共振現象を抑制することは全くできない。
たごとき構造の減結合キャパシタでは、内導体層１２３
における２つの内導体間で発生する共振現象は抵抗体で
抑制可能であるが、地導体層と内導体層との間で発生す
る共振現象を抑制することは全くできない。
【０００９】従って本発明は、いかなる共振モードであ
っても共振を抑制し、素子インピーダンスの上昇を効果
的に防止することができ、高周波帯域においても正しく
減結合動作可能な減結合キャパシタを提供するものであ
る。
っても共振を抑制し、素子インピーダンスの上昇を効果
的に防止することができ、高周波帯域においても正しく
減結合動作可能な減結合キャパシタを提供するものであ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば高周波用
減結合キャパシタは、第１の地導体層、第１の誘電体
層、内導体層、第２の誘電体層及び第２の地導体層をこ
の順序で積層してなる多層体と、この多層体の第１及び
第２の地導体層の少なくとも一方の層上に第３の誘電体
層を介して積層された絶縁性強磁性体層とを備えてお
り、内導体層の一端を入力端子に他端を出力端子として
いる。
減結合キャパシタは、第１の地導体層、第１の誘電体
層、内導体層、第２の誘電体層及び第２の地導体層をこ
の順序で積層してなる多層体と、この多層体の第１及び
第２の地導体層の少なくとも一方の層上に第３の誘電体
層を介して積層された絶縁性強磁性体層とを備えてお
り、内導体層の一端を入力端子に他端を出力端子として
いる。
【００１１】さらに、本発明によれば高周波用減結合キ
ャパシタは、第１の地導体層、第１の誘電体層、内導体
層、第２の誘電体層及び第２の地導体層をこの順序で積
層してなる多層体を１単位として複数単位重ねてなる積
層体と、積層体の各多層体間に第３の誘電体層を介して
積層された絶縁性強磁性体層とを備えており、内導体層
の一端を入力端子に他端を出力端子としている。
ャパシタは、第１の地導体層、第１の誘電体層、内導体
層、第２の誘電体層及び第２の地導体層をこの順序で積
層してなる多層体を１単位として複数単位重ねてなる積
層体と、積層体の各多層体間に第３の誘電体層を介して
積層された絶縁性強磁性体層とを備えており、内導体層
の一端を入力端子に他端を出力端子としている。
【００１２】内導体層及び地導体層各々の縦方向長さと
横方向長さとの比が１〜１．４であり、内導体層及び地
導体層の重なった部分の縦方向長さと横方向長さとの比
が１〜１．２であることが好ましい。
横方向長さとの比が１〜１．４であり、内導体層及び地
導体層の重なった部分の縦方向長さと横方向長さとの比
が１〜１．２であることが好ましい。
【００１３】入力端子及び出力端子の端面と直交する方
向の端面に地導体に接続される接地端子を設けることも
好ましい。
向の端面に地導体に接続される接地端子を設けることも
好ましい。
【００１４】接地端子の幅が、内導体層の縦方向長さよ
り小さく構成されることも有利である。
り小さく構成されることも有利である。
【００１５】絶縁性強磁性体層が、当該キャパシタの自
己共振周波数を吸収周波数帯域内に含むように焼結フェ
ライト又は粉末状フェライトを誘電体シートに混合焼結
したシートであることが好ましい。
己共振周波数を吸収周波数帯域内に含むように焼結フェ
ライト又は粉末状フェライトを誘電体シートに混合焼結
したシートであることが好ましい。
【００１６】第３の誘電体層及び絶縁性強磁性体層が、
当該キャパシタの自己共振周波数を吸収周波数帯域内に
含むように、誘電体シート上に複数の島状にフェライト
を印刷焼結したシートであることも好ましい。
当該キャパシタの自己共振周波数を吸収周波数帯域内に
含むように、誘電体シート上に複数の島状にフェライト
を印刷焼結したシートであることも好ましい。
【００１７】
【作用】地導体層の外側に誘電体層を介し絶縁性強磁性
体層が積層されているので、自己共振が生じた際に発生
する磁束がこの強磁性体層で吸収されて熱エネルギに変
換される。その結果、共振の抑制が図られて素子インピ
ーダンスの上昇が防止される。
体層が積層されているので、自己共振が生じた際に発生
する磁束がこの強磁性体層で吸収されて熱エネルギに変
換される。その結果、共振の抑制が図られて素子インピ
ーダンスの上昇が防止される。
【００１８】
【実施例】以下図面を用いて本発明の実施例を詳細に説
明する。
明する。
【００１９】図１は本発明による高周波用減結合キャパ
シタの一実施例の一部を概略的に示す分解斜視図であ
り、図２はその外観斜視図である。
シタの一実施例の一部を概略的に示す分解斜視図であ
り、図２はその外観斜視図である。
【００２０】図１に示すように、本実施例の減結合キャ
パシタは、誘電体層１０、地導体層１１、誘電体層１
２、内導体層１３、誘電体層１４、地導体層１５、誘電
体層１６、フェライトによる絶縁性強磁性体層１７及び
誘電体層１８が、この順序で積層された積層体から主と
して構成されている。積層順序が全てこの逆であっても
よいことは明らかであり、また、最外側の誘電体層１０
及び１８を省いても、減結合キャパシタとしての本質的
な機能には影響しない。
パシタは、誘電体層１０、地導体層１１、誘電体層１
２、内導体層１３、誘電体層１４、地導体層１５、誘電
体層１６、フェライトによる絶縁性強磁性体層１７及び
誘電体層１８が、この順序で積層された積層体から主と
して構成されている。積層順序が全てこの逆であっても
よいことは明らかであり、また、最外側の誘電体層１０
及び１８を省いても、減結合キャパシタとしての本質的
な機能には影響しない。
【００２１】誘電体層１０、１２、１４、１６及び１８
と絶縁性強磁性体層１７との形状はほぼ正方形であり、
内導体層１３と地導体層１１及び１５との形状は長方形
となっている。内導体層１３の縦方向の両端は減結合キ
ャパシタの側面に露出しており、これによって図２に示
すように、入出力端子１９及び２０とそれぞれ電気的に
接続されている。地導体層１１及び１５の縦方向の両端
は、内導体層１３の露出する側面とは直交する方向の側
面に露出しており、これによって接地端子２１と電気的
に接続されている。接地端子２１の幅は、内導体層１３
の長さより短くなっている。
と絶縁性強磁性体層１７との形状はほぼ正方形であり、
内導体層１３と地導体層１１及び１５との形状は長方形
となっている。内導体層１３の縦方向の両端は減結合キ
ャパシタの側面に露出しており、これによって図２に示
すように、入出力端子１９及び２０とそれぞれ電気的に
接続されている。地導体層１１及び１５の縦方向の両端
は、内導体層１３の露出する側面とは直交する方向の側
面に露出しており、これによって接地端子２１と電気的
に接続されている。接地端子２１の幅は、内導体層１３
の長さより短くなっている。
【００２２】図３は本発明による高周波用減結合キャパ
シタの他の実施例の一部を概略的に示す分解斜視図であ
り、図４はその外観斜視図である。
シタの他の実施例の一部を概略的に示す分解斜視図であ
り、図４はその外観斜視図である。
【００２３】図３に示すように、本実施例の減結合キャ
パシタは、誘電体層３０、地導体層３１、誘電体層３
２、内導体層３３、誘電体層３４、地導体層３５、誘電
体層３６、フェライトによる絶縁性強磁性体層３７、誘
電体層３８、地導体層３９、誘電体層４０、内導体層４
１、誘電体層４２、地導体層４３及び誘電体層４４が、
この順序で積層された積層体から主として構成されてい
る。本実施例は、減結合キャパシタとしての本質的な機
能には影響しない最外側の誘電体層３０及び４４を除く
と、地導体層、誘電体層、内導体層、誘電体層及び地導
体層をこの順序で積層してなる多層体を１単位としてこ
れを２単位重ねて積層し、両多層体間に誘電体層を介し
て絶縁性強磁性体層３７を積層したものである。多層体
を３以上の単位重ねて積層し、各多層体間に誘電体層を
介して絶縁性強磁性体層を積層してもよいことは明らか
である。
パシタは、誘電体層３０、地導体層３１、誘電体層３
２、内導体層３３、誘電体層３４、地導体層３５、誘電
体層３６、フェライトによる絶縁性強磁性体層３７、誘
電体層３８、地導体層３９、誘電体層４０、内導体層４
１、誘電体層４２、地導体層４３及び誘電体層４４が、
この順序で積層された積層体から主として構成されてい
る。本実施例は、減結合キャパシタとしての本質的な機
能には影響しない最外側の誘電体層３０及び４４を除く
と、地導体層、誘電体層、内導体層、誘電体層及び地導
体層をこの順序で積層してなる多層体を１単位としてこ
れを２単位重ねて積層し、両多層体間に誘電体層を介し
て絶縁性強磁性体層３７を積層したものである。多層体
を３以上の単位重ねて積層し、各多層体間に誘電体層を
介して絶縁性強磁性体層を積層してもよいことは明らか
である。
【００２４】誘電体層３０、３２、３４、３６、３８、
４０、４２及び４４と絶縁性強磁性体層３７との形状は
ほぼ正方形であり、内導体層３３及び４１と地導体層３
１、３５、３９及び４３との形状は長方形となってい
る。内導体層３３及び４１の縦方向の両端は減結合キャ
パシタの側面に露出しており、これによって図４に示す
ように、入出力端子４５及び４６とそれぞれ電気的に接
続されている。地導体層３１、３５、３９及び４３の縦
方向の両端は、内導体層３３及び４１の露出する側面と
は直交する方向の側面に露出しており、これによって接
地端子４７と電気的に接続されている。接地端子４７の
幅は、内導体層３３及び４１の長さより短くなってい
る。
４０、４２及び４４と絶縁性強磁性体層３７との形状は
ほぼ正方形であり、内導体層３３及び４１と地導体層３
１、３５、３９及び４３との形状は長方形となってい
る。内導体層３３及び４１の縦方向の両端は減結合キャ
パシタの側面に露出しており、これによって図４に示す
ように、入出力端子４５及び４６とそれぞれ電気的に接
続されている。地導体層３１、３５、３９及び４３の縦
方向の両端は、内導体層３３及び４１の露出する側面と
は直交する方向の側面に露出しており、これによって接
地端子４７と電気的に接続されている。接地端子４７の
幅は、内導体層３３及び４１の長さより短くなってい
る。
【００２５】以上述べた２つの実施例の高周波用減結合
キャパシタについて、その製造方法及び作用効果等を以
下に説明する。
キャパシタについて、その製造方法及び作用効果等を以
下に説明する。
【００２６】誘電体層１０、１２、１４、１６及び１８
（３０、３２、３４、３６、３８、４０、４２及び４
４）は、例えばチタン酸バリウム系、チタン酸ストロン
チウム系又はチタン酸鉛系等の誘電体粉末をメチルセル
ロース、ブチラール樹脂等のバインダ及び溶剤と混練り
したペーストを押出成形やドクターブレード法でシート
状に成形するか、又は印刷によってシート状に成形して
なる誘電体シートから構成される。内導体層１３（３３
及び４１）及び地導体層１１及び１５（３１、３５、３
９及び４３）は、誘電体シート上に、例えば銀、銀パラ
ジウム、パラジウム、銅又はニッケル等の金属粉末とバ
インダからなるペーストを所望のパターンに印刷して得
た導体パターンから構成される。絶縁性強磁性体層１７
（３７）は、焼結フェライト又は粉末状フェライトを誘
電体シートに混合して焼結した磁性体シートで構成され
る。
（３０、３２、３４、３６、３８、４０、４２及び４
４）は、例えばチタン酸バリウム系、チタン酸ストロン
チウム系又はチタン酸鉛系等の誘電体粉末をメチルセル
ロース、ブチラール樹脂等のバインダ及び溶剤と混練り
したペーストを押出成形やドクターブレード法でシート
状に成形するか、又は印刷によってシート状に成形して
なる誘電体シートから構成される。内導体層１３（３３
及び４１）及び地導体層１１及び１５（３１、３５、３
９及び４３）は、誘電体シート上に、例えば銀、銀パラ
ジウム、パラジウム、銅又はニッケル等の金属粉末とバ
インダからなるペーストを所望のパターンに印刷して得
た導体パターンから構成される。絶縁性強磁性体層１７
（３７）は、焼結フェライト又は粉末状フェライトを誘
電体シートに混合して焼結した磁性体シートで構成され
る。
【００２７】このようにして形成した誘電体シート、誘
電体シート上に導体パターンを印刷してなるシート及び
磁性体シートを前述した順序及び方向に積層して焼結し
た後、そのブロックの側表面に入出力端子電極１９及び
２０（４５及び４６）を、また、これとは直交する方向
の側表面に（実施例では入出力端子電極を分離するよう
に上下面にも）接地端子電極２１（４７）を所定のパタ
ーンに形成して減結合キャパシタが完成する。
電体シート上に導体パターンを印刷してなるシート及び
磁性体シートを前述した順序及び方向に積層して焼結し
た後、そのブロックの側表面に入出力端子電極１９及び
２０（４５及び４６）を、また、これとは直交する方向
の側表面に（実施例では入出力端子電極を分離するよう
に上下面にも）接地端子電極２１（４７）を所定のパタ
ーンに形成して減結合キャパシタが完成する。
【００２８】絶縁性強磁性体層１７（３７）としては、
自己共振周波数において大きな損失を示すようなフェラ
イトが用いられている。このような磁性体層を上述した
ように地導体層の外側に挿入することによって、いかな
る共振モードであっても共振を抑制して素子インピーダ
ンスの上昇を防止しているのである。以下この点につい
て説明する。
自己共振周波数において大きな損失を示すようなフェラ
イトが用いられている。このような磁性体層を上述した
ように地導体層の外側に挿入することによって、いかな
る共振モードであっても共振を抑制して素子インピーダ
ンスの上昇を防止しているのである。以下この点につい
て説明する。
【００２９】キャパシタの電極が自己共振すると、図５
の磁束分布図に示すごとく、その電極面に平行な磁束５
０が必ず発生する。そこで前述の実施例のように、地導
体層、誘電体層、内導体層、誘電体層及び地導体層をこ
の順序で積層してなる多層体を１単位とし、この１単位
の多層体に誘電体層を介してフェライトのような高周波
において磁気損失を示す磁性体層を積層するか、又は多
層体を２単位以上重ねて積層し、各多層体間に誘電体層
を介してフェライト磁性体層を積層する。フェライトの
磁気正接（ｔａｎδ）を、 ｔａｎδ＝μ″／μ′ （１） のように表現すると、自己共振時の高周波磁束５０は必
ずフェライト磁性体層内部を通過するので、ｔａｎδ＞
１となる周波数範囲に自己共振周波数が含まれていれ
ば、フェライトの損失によってキャパシタ内の磁気エネ
ルギが熱に変換され、その結果、共振が抑制されること
となる。なお、自己共振が発生していない場合、キャパ
シタ内部のエネルギはほとんど電気エネルギであり磁気
エネルギは非常に少ないから、このフェライト磁性体層
がキャパシタの損失を増大させるようなことはない。
の磁束分布図に示すごとく、その電極面に平行な磁束５
０が必ず発生する。そこで前述の実施例のように、地導
体層、誘電体層、内導体層、誘電体層及び地導体層をこ
の順序で積層してなる多層体を１単位とし、この１単位
の多層体に誘電体層を介してフェライトのような高周波
において磁気損失を示す磁性体層を積層するか、又は多
層体を２単位以上重ねて積層し、各多層体間に誘電体層
を介してフェライト磁性体層を積層する。フェライトの
磁気正接（ｔａｎδ）を、 ｔａｎδ＝μ″／μ′ （１） のように表現すると、自己共振時の高周波磁束５０は必
ずフェライト磁性体層内部を通過するので、ｔａｎδ＞
１となる周波数範囲に自己共振周波数が含まれていれ
ば、フェライトの損失によってキャパシタ内の磁気エネ
ルギが熱に変換され、その結果、共振が抑制されること
となる。なお、自己共振が発生していない場合、キャパ
シタ内部のエネルギはほとんど電気エネルギであり磁気
エネルギは非常に少ないから、このフェライト磁性体層
がキャパシタの損失を増大させるようなことはない。
【００３０】フェライトの複素透磁率（μ″及びμ′）
は、図６に示すような周波数特性を有しており、磁気損
失（μ″）が最大となる周波数は初透磁率（μ′）が周
波数分散により低下し始める周波数（Ｆｍ）におおよそ
一致する。Ｆｍとμ′との関係は、スネークの法則と呼
ばれる次式からなることが経験的に知られている。 μ′＝５．６／Ｆｍ（ＧＨｚ） （２） 磁気損失が最大となる周波数より高い周波数帯域ではｔ
ａｎδが必ず１より大きくなるので、Ｆｍと自己共振周
波数とがほぼ一致している場合にキャパシタの共振抑制
効果が最も高くなる。従って、フェライト磁性体シート
が挿入されてないキャパシタの自己共振周波数から
（２）式の関係を利用して最適の初透磁率を示す材質を
求め、それによって磁性体シートを作成すればよいこと
となる。
は、図６に示すような周波数特性を有しており、磁気損
失（μ″）が最大となる周波数は初透磁率（μ′）が周
波数分散により低下し始める周波数（Ｆｍ）におおよそ
一致する。Ｆｍとμ′との関係は、スネークの法則と呼
ばれる次式からなることが経験的に知られている。 μ′＝５．６／Ｆｍ（ＧＨｚ） （２） 磁気損失が最大となる周波数より高い周波数帯域ではｔ
ａｎδが必ず１より大きくなるので、Ｆｍと自己共振周
波数とがほぼ一致している場合にキャパシタの共振抑制
効果が最も高くなる。従って、フェライト磁性体シート
が挿入されてないキャパシタの自己共振周波数から
（２）式の関係を利用して最適の初透磁率を示す材質を
求め、それによって磁性体シートを作成すればよいこと
となる。
【００３１】一般に、フェライトの初透磁率は１００以
上であり、従って磁気損失が最大となる周波数は（２）
式から５６ＭＨｚ以下である。減結合キャパシタの周波
数帯域が５６ＭＨｚ以上である場合は、Ｆｍを何らかの
方法で増大させることが望ましい。一般的には、フェラ
イトを粉砕して反磁界係数を増加させ、形状異方性磁場
によって初透磁率を減少させてＦｍを増加させることが
行われる。
上であり、従って磁気損失が最大となる周波数は（２）
式から５６ＭＨｚ以下である。減結合キャパシタの周波
数帯域が５６ＭＨｚ以上である場合は、Ｆｍを何らかの
方法で増大させることが望ましい。一般的には、フェラ
イトを粉砕して反磁界係数を増加させ、形状異方性磁場
によって初透磁率を減少させてＦｍを増加させることが
行われる。
【００３２】Ｆｍを増加させるために、上述の実施例で
は、絶縁性強磁性体層１７（３７）として、磁性体粉末
を誘電体シートに混合して形成しているが、図７に示す
ように、誘電体シート７０上に複数の互いに離隔した島
状パターンのフェライト７１を印刷し焼結して誘電体層
及び絶縁性強磁性体層を形成してもよい。
は、絶縁性強磁性体層１７（３７）として、磁性体粉末
を誘電体シートに混合して形成しているが、図７に示す
ように、誘電体シート７０上に複数の互いに離隔した島
状パターンのフェライト７１を印刷し焼結して誘電体層
及び絶縁性強磁性体層を形成してもよい。
【００３３】本出願人の先に提案した減結合キャパシタ
（図１２）においては、自己共振周波数を高周波側に移
動させるために信号の伝搬方向の長さが短く、即ち内導
体層の横方向の長さが縦方向の長さより大きく設定され
ており、入出力端子１２４及び１２５とこれら入出力端
子を分離する接地端子１２６との引き出し方向が互いに
直交している。このような構成のキャパシタでは、図８
に示すように、電磁界分布によって地導体層の縦方向に
共振電界８０が発生し易く減結合効果が損なわれてしま
う恐れがあるが、本発明では、内導体層及び地導体層各
々の縦方向長さと横方向長さの差をできるだけ小さくし
て共振周波数を上昇させる工夫もなされている。
（図１２）においては、自己共振周波数を高周波側に移
動させるために信号の伝搬方向の長さが短く、即ち内導
体層の横方向の長さが縦方向の長さより大きく設定され
ており、入出力端子１２４及び１２５とこれら入出力端
子を分離する接地端子１２６との引き出し方向が互いに
直交している。このような構成のキャパシタでは、図８
に示すように、電磁界分布によって地導体層の縦方向に
共振電界８０が発生し易く減結合効果が損なわれてしま
う恐れがあるが、本発明では、内導体層及び地導体層各
々の縦方向長さと横方向長さの差をできるだけ小さくし
て共振周波数を上昇させる工夫もなされている。
【００３４】内導体層及び地導体層を正方形とすること
が自己共振周波数を高周波側へ移動させキャパシタの動
作周波数範囲を拡張するのに理想的であるが、各辺の長
さを等しくしてしまうと、入出力端子と接地端子とを互
いに直交させて引き出すことが困難となる。このため、
内導体層及び地導体層の形状を長方形としているのであ
る。実験によれば、内導体層及び地導体層各々の隣り合
わせた辺の長さの比が１〜１．２、内導体層及び地導体
層が互いに重なりあった部分の辺の長さの比が１〜１．
４の場合には、正方形の場合に比して自己共振周波数に
有意差がなかった。図９は内導体層及び地導体層のこの
寸法の範囲を説明しており、内導体層９０の横方向長さ
Ｌ1 をＬ1 ＝１とした場合に、地導体層９１の縦方向長
さ（内導体層９０の縦方向長さ）Ｌ2 がＬ2 ＝１．４〜
１／１．４であり、内導体層９０及び地導体層９１の重
なった部分の他方の辺の長さＬ3 がＬ3 ＝１．２〜１／
１．２であることを示している。
が自己共振周波数を高周波側へ移動させキャパシタの動
作周波数範囲を拡張するのに理想的であるが、各辺の長
さを等しくしてしまうと、入出力端子と接地端子とを互
いに直交させて引き出すことが困難となる。このため、
内導体層及び地導体層の形状を長方形としているのであ
る。実験によれば、内導体層及び地導体層各々の隣り合
わせた辺の長さの比が１〜１．２、内導体層及び地導体
層が互いに重なりあった部分の辺の長さの比が１〜１．
４の場合には、正方形の場合に比して自己共振周波数に
有意差がなかった。図９は内導体層及び地導体層のこの
寸法の範囲を説明しており、内導体層９０の横方向長さ
Ｌ1 をＬ1 ＝１とした場合に、地導体層９１の縦方向長
さ（内導体層９０の縦方向長さ）Ｌ2 がＬ2 ＝１．４〜
１／１．４であり、内導体層９０及び地導体層９１の重
なった部分の他方の辺の長さＬ3 がＬ3 ＝１．２〜１／
１．２であることを示している。
【００３５】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、第１の地導体層、第１の誘電体層、内導体層、第２
の誘電体層及び第２の地導体層をこの順序で積層してな
る多層体と、この多層体の第１及び第２の地導体層の少
なくとも一方の層上に第３の誘電体層を介して積層され
た絶縁性強磁性体層とを備えているか、又は第１の地導
体層、第１の誘電体層、内導体層、第２の誘電体層及び
第２の地導体層をこの順序で積層してなる多層体を１単
位として複数単位重ねてなる積層体と、積層体の各多層
体間に第３の誘電体層を介して積層された絶縁性強磁性
体層とを備えているため、いかなる共振モードであって
も共振を抑制し、素子インピーダンスの上昇を効果的に
防止しているため、高い周波数帯域においても減結合機
能を正常に発揮することができる。
ば、第１の地導体層、第１の誘電体層、内導体層、第２
の誘電体層及び第２の地導体層をこの順序で積層してな
る多層体と、この多層体の第１及び第２の地導体層の少
なくとも一方の層上に第３の誘電体層を介して積層され
た絶縁性強磁性体層とを備えているか、又は第１の地導
体層、第１の誘電体層、内導体層、第２の誘電体層及び
第２の地導体層をこの順序で積層してなる多層体を１単
位として複数単位重ねてなる積層体と、積層体の各多層
体間に第３の誘電体層を介して積層された絶縁性強磁性
体層とを備えているため、いかなる共振モードであって
も共振を抑制し、素子インピーダンスの上昇を効果的に
防止しているため、高い周波数帯域においても減結合機
能を正常に発揮することができる。
【図１】本発明による高周波用減結合キャパシタの一実
施例の一部を概略的に示す分解斜視図である。
施例の一部を概略的に示す分解斜視図である。
【図２】図１の高周波用減結合キャパシタの外観斜視図
である。
である。
【図３】本発明による高周波用減結合キャパシタの他の
実施例の一部を概略的に示す分解斜視図である。
実施例の一部を概略的に示す分解斜視図である。
【図４】図３の高周波用減結合キャパシタの外観斜視図
である。
である。
【図５】自己共振時の磁束分布を示す図である。
【図６】フェライトの複素透磁率の周波数特性図であ
る。
る。
【図７】絶縁性強磁性体層の他の構成例を示す斜視図で
ある。
ある。
【図８】先願の減結合キャパシタの自己共振時の電界分
布を示す図である。
布を示す図である。
【図９】図１及び図３の実施例における内導体層及び地
導体層の寸法範囲を説明する図である。
導体層の寸法範囲を説明する図である。
【図１０】従来の減結合キャパシタの等価回路図であ
る。
る。
【図１１】超パス型キャパシタの等価回路図である。
【図１２】先願の減結合キャパシタの外観斜視図であ
る。
る。
１０、１２、１４、１６、１８、３０、３２、３４、３
６、３８、４０、４２、４４ 誘電体層 １１、１５、３１、３５、３９、４３ 地導体層 １３、３３、４１ 内導体層 １７、３７ 絶縁性強磁性体層 １９、２０、４５、４６ 入出力端子 ２１、４７ 接地端子
６、３８、４０、４２、４４ 誘電体層 １１、１５、３１、３５、３９、４３ 地導体層 １３、３３、４１ 内導体層 １７、３７ 絶縁性強磁性体層 １９、２０、４５、４６ 入出力端子 ２１、４７ 接地端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 毅 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 第１の地導体層、第１の誘電体層、内導
体層、第２の誘電体層及び第２の地導体層をこの順序で
積層してなる多層体と、該多層体の前記第１及び第２の
地導体層の少なくとも一方の層上に第３の誘電体層を介
して積層された絶縁性強磁性体層とを備えており、前記
内導体層の一端を入力端子に他端を出力端子としたこと
を特徴とする高周波用減結合キャパシタ。 - 【請求項２】 第１の地導体層、第１の誘電体層、内導
体層、第２の誘電体層及び第２の地導体層をこの順序で
積層してなる多層体を１単位として複数単位重ねてなる
積層体と、該積層体の各多層体間に第３の誘電体層を介
して積層された絶縁性強磁性体層とを備えており、前記
内導体層の一端を入力端子に他端を出力端子としたこと
を特徴とする高周波用減結合キャパシタ。 - 【請求項３】 前記内導体層及び前記地導体層各々の縦
方向長さと横方向長さとの比が１〜１．４であり、該内
導体層及び該地導体層の重なった部分の縦方向長さと横
方向長さとの比が１〜１．２であることを特徴とする請
求項１又は２に記載の高周波用減結合キャパシタ。 - 【請求項４】 前記入力端子及び前記出力端子の端面と
直交する方向の端面に前記地導体に接続される接地端子
を設けたことを特徴とする請求項１又は２に記載の高周
波用減結合キャパシタ。 - 【請求項５】 前記接地端子の幅が、前記内導体層の縦
方向長さより小さく構成されていることを特徴とする請
求項４に記載の高周波用減結合キャパシタ。 - 【請求項６】 前記絶縁性強磁性体層が、当該キャパシ
タの自己共振周波数を吸収周波数帯域内に含むように焼
結フェライト又は粉末状フェライトを誘電体シートに混
合焼結したシートであることを特徴とする請求項１から
５のいずれか１項に記載の高周波用減結合キャパシタ。 - 【請求項７】 前記第３の誘電体層及び前記絶縁性強磁
性体層が、当該キャパシタの自己共振周波数を吸収周波
数帯域内に含むように、誘電体シート上に複数の島状に
フェライトを印刷焼結したシートであることを特徴とす
る請求項１から５のいずれか１項に記載の高周波用減結
合キャパシタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9494993A JPH06290991A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 高周波用減結合キャパシタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9494993A JPH06290991A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 高周波用減結合キャパシタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06290991A true JPH06290991A (ja) | 1994-10-18 |
Family
ID=14124199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9494993A Withdrawn JPH06290991A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 高周波用減結合キャパシタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06290991A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002542609A (ja) * | 1999-04-13 | 2002-12-10 | テレフオンアクチーボラゲツト エル エム エリクソン（パブル） | 同調可能なマイクロウエーブ用デバイス |
| US20170084392A1 (en) * | 2015-09-17 | 2017-03-23 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
-
1993
- 1993-03-31 JP JP9494993A patent/JPH06290991A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002542609A (ja) * | 1999-04-13 | 2002-12-10 | テレフオンアクチーボラゲツト エル エム エリクソン（パブル） | 同調可能なマイクロウエーブ用デバイス |
| US20170084392A1 (en) * | 2015-09-17 | 2017-03-23 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
| US9984821B2 (en) * | 2015-09-17 | 2018-05-29 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000704 |