JPH06290492A - 光ディスク原盤の製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 変調方式に対応する複数の変調回路を用いず
に、光ディスクに記録中であっても、光ディスク原盤
に、データを変更して効率よく情報を記録する。 【構成】 外部記憶装置１に記憶された変調済の複数の
データを、それぞれ、メモリ群３1 〜３n の所定のメモ
リのバンクＡ又はＢに記憶させる。メモリ群３1〜３n
のバンクＡに記憶されたデータは、シフトレジスタ４1
〜４n 及びデュティ回路５1 〜５n を介して、選択回路
２２に与えられる。クロックパルス発生器２０からのク
ロック信号はシフトレジスタ群４1 〜４n に与えられ、
アドレスカウント８によるカウント数が所定の値に達し
たとき、バンク切換器１９は、データが記憶されたバン
クＡからデータが未記録のバンクＢへ切換える。そのた
め、バンクＡに記憶されたデータを、選択回路２２によ
りフォーマットに従って選択している間に、バンクＢに
データを更新して記憶できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光ディスク原盤を製造
する装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】光ディスクは、情報記録・再生システム
において、ディジタル情報を高密度に記録・再生する上
で有用である。光ディスクに記録される情報は、レーザ
光により記録再生用ディスクに直接記録される場合もあ
るが、通常、レーザ光により光ディスク原盤にフォーマ
ットに従って情報を記録し、スタンパを作製し、このス
タンパを用いて、プラスチックの射出成形などの方法に
より大量のレプリカ（光ディスク）を作製する場合が多
い。また、追記型や書換え型の光ディスクでは、予め案
内溝やアドレスなどを記録することが多いので、このよ
うな光ディスクも前記と同様な方法で作製されている。

【０００３】また、光ディスクの記録フォーマットの各
情報領域（セクタ）は、トラック番号やセクタ番号など
の識別情報を記録するＩＤ領域、誤り検出のためのＣＲ
Ｃ（cyclic redundancy code）領域などのヘッダ領域、
およびユーザーの記録領域などを含み、用途に応じて、
必要な記録密度、アクセス時間、誤り率などが設定さ
れ、最も適した変調方式が採用される。例えば、多量の
データを高密度に情報領域に記録する場合は、ＮＲＺな
どの変調方式が採用され、トラック番号やセクタ番号な
どの識別情報を高い信頼性で記録する場合には、誤り率
の低いＰＥ変調方式が採用されている。また、２−７変
調方式、４／１５変調方式なども採用される。

【０００４】このように、光ディスク原盤には、使用目
的に応じたセクタからなるフォーマット構成と、各セク
タに対応する異なった複数の変調方式とが採用され、変
調されたレーザ光を利用して情報が記録されている。そ
のため、従来、使用目的毎にそれぞれ専用の光ディスク
原盤への書込み装置が使用されている。

【０００５】しかし、変調方式毎に光ディスク原盤の製
造装置を用いると、経済的でないだけでなく、光ディス
ク原盤の情報領域内、およびトラックの途中で変調方式
を変更する場合、光ディスク原盤への記録速度が１ビッ
ト当り０．４μｓｅｃ程度であるため、所定位置で変調
方式を変更することは困難である。

【０００６】このような問題を解決するため、本出願人
は、実開昭６３−８４７６８号公報において、異なる変
調方式に対応する複数の変調回路から、記録情報のフォ
ーマットに対応して、変調回路を順次選択して信号を変
調し、それぞれ異なる変調方式の信号をつなげ、フォー
マットに従って情報を記録する光ディスク原盤の製造装
置について提案した。この装置では、変調方式の変更が
容易であると共に、任意に変調方式の組合せを変更でき
るという利点がある。

【０００７】しかし、前記装置においては、変調方式毎
に変調回路を必要とするだけでなく、新たな変調方式を
採用する場合には、さらに変調回路を設ける必要があ
る。また、変調回路へは対応する記憶回路（ＲＡＭ）か
らデータが与えられ、セレクタにより選択してフォーマ
ットに従ったデータとしている。そのため、各記憶回路
からのデータが変調回路へ与えられている場合には、前
記記憶回路のデータを更新できず、ＩＤ領域などのセク
タのフォーマットを変更できなくなる。さらに、前記記
憶回路の容量が１セクタ分と小さいため、セクタ毎に異
なった情報を記録する際、処理時間が長くなる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、複数の変調方式に対応させて複数の変調回路を設け
ることなく、光ディスクに記録中であっても、フォーマ
ットに従って変調された情報に関するデータを変更でき
ると共に、種々の変調方式に対応できる光ディスク原盤
の製造装置を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の装置は、制御手
段からのアドレス信号に応答して、光ディスクのフォー
マットに対応した複数の情報に関するデータを、それぞ
れ所定のアドレスに記憶させるための複数の記憶手段
と、前記制御手段からの選択信号に応答して、これらの
記憶手段からフォーマットに対応するデータを選択する
ための情報選択手段とを備えている。この装置におい
て、前記各記憶手段は、情報に関するデータをそれぞれ
記憶するための複数のバンクを備えていると共に、前記
制御手段は、切換信号に応答して、データが記録された
バンクからデータが未記録のバンクへ切換えるためのバ
ンク切換手段を備えている。

【００１０】なお、前記記憶手段は、複数のバンクから
のデータを入出力順にアクセス可能なシリアルアクセス
手段を備えていてもよい。この場合、シリアルアクセス
手段にクロック信号を与えるクロックパルス発生手段
と、このクロックパルス発生手段からのパルス数をカウ
ントするカウンタ手段と、このカウント手段によるカウ
ント数が所定の値に達したとき、データが記憶されたバ
ンクからデータが記憶されるバンクへ切換えるバンク切
換手段とを備えていてもよい。

【００１１】

【作用】本発明の装置においては、光ディスクのフォー
マットに対応する複数の記録情報に関するデータは、制
御手段からのアドレス信号に応答して、複数の記憶手段
のうち所定の記憶手段の所定のアドレスにそれぞれ記憶
される。これらの記憶手段に記憶されたデータは、前記
制御手段からの選択信号に応答して、情報選択手段によ
りフォーマット構成及び変調方式に応じて順次選択され
る。フォーマットに従って選択されたデータは、レーザ
光により光ディスクに記録するために利用される。

【００１２】そして、記録情報に関するデータは、前記
各記憶手段を構成する複数のバンクに記憶される。ま
た、複数のバンクは、前記制御手段からの切換信号に応
答して、バンク切換手段により切換えられる。そのた
め、制御手段からの選択信号に応答して、複数のバンク
のうちデータが記録されたバンクからデータが選択され
ている間にも、データを未記憶の他のバンクに記憶させ
ることができる。

【００１３】従って、フォーマットの変調方式に対応し
た記録情報に関するデータを予め記憶させた外部記憶手
段を用いると、複数の変調器を設けることなく、制御手
段により、各変調方式に対応するデータを、対応する記
憶手段の所定のアドレスに記憶させることができる。ま
た、切換手段により複数のバンクを切換えることによ
り、各記憶手段の未記録のバンクにデータを記憶させる
ことができると共に、バンクに記憶されたデータを選択
して光ディスクのフォーマットに対応したデータを生成
させることができる。

【００１４】なお、前記記憶手段が、シリアルアクセス
手段を備えている場合には、バンクに記憶されたデータ
をシリアルアクセス手段に与えることにより、データを
入出力順にデータを取込むことができると共に出力でき
る。この場合、クロックパルス発生手段からのパルス
が、データを取込むためのクロック信号として前記シリ
アルアクセス手段に与えられる。そのため、クロック信
号に同期して、バンクに格納されたデータをシリアルア
クセス手段に順次記憶させかつ出力できる。そして、カ
ウント手段によるカウント値が所定の値に達したとき、
前記バンク切換手段により、データが記憶されたバンク
からデータが未記録のバンクへ切換えられる。また、切
換られたバンクに既にデータが記憶されている場合に
は、記録データの少なくとも一部を更新できる。

【００１５】

【実施例】以下に、添付図面を参照しつつ、本発明の実
施例をより詳細に説明する。

【００１６】図１は本発明の装置の一例の電気的構成を
示すブロック図である。この装置は、フロッピーディス
クやハードディスクなどの外部記憶装置１に予め記憶さ
れたデータを記憶するための記憶部２と、前記外部記憶
装置のデータを読取って、前記記憶部２に前記データを
転送するための制御部６と、前記制御部６からの選択信
号に応答して、前記記憶部２に記憶されたデータをフォ
ーマットに従って選択するための選択回路２２とを備え
ている。

【００１７】前記外部記憶装置１には、光ディスクのフ
ォーマットに対応する複数の情報に関するデータが、そ
れぞれ、変調され、かつ光ディスクの１トラック分に相
当するデータとして記憶されている。

【００１８】前記記憶部２は、ランダムアクセスメモリ
（ＲＡＭ）で構成されたｎチャンネルのメモリ群３1 〜
３n と、それぞれのメモリ群３1 〜３n からそれぞれ与
えられるデータを入出力順に記憶し、かつ出力するため
のシリアルアクセス手段としてのシフトレジスタ群４1
〜４n とを備えている。また、この例では、シフトレジ
スタ群４1 〜４n からのデータに関する信号は、レーザ
光により形成されるピットを所定の適正なピット長に微
調整するためのデュティ回路群５1 〜５n に与えられ
る。

【００１９】前記各シフトレジスタは、複数のフリップ
フロップ群で構成されている。また、前記メモリ群３1
〜３n 、シフトレジスタ群４1 〜４n 及びデュティ回路
群５1 〜５n は、それぞれ並列に接続されている。

【００２０】この例では、前記６チャンネルのメモリ群
３1 〜３n のうち１〜３チャンネルのメモリ群３1 〜３
3 は、それぞれ、外部記憶装置１に記憶された各変調方
式に対応するデータを記憶するために利用される。ま
た、１つのチャンネルのメモリは、光ディスクのカッテ
ィング装置におけるグルーブ信号に利用され、他の残り
の２つのメモリ３n-1 ，３n は、光ディスクのカッティ
ング装置において、光学系からのレーザビームが所定の
グルーブから左右に位置ずれするのを制御するために利
用される。

【００２１】そして、この例では、前記記憶部２のメモ
リ群３1 〜３n は、それぞれ、光ディスクの１トラック
分に相当するデータをそれぞれ記憶するための２つのバ
ンクＡ，Ｂで構成されている。

【００２２】前記外部記憶装置１に記憶された記録情報
に関する変調済のデータは、スタート信号に応答して制
御部６により読取られ、それぞれ、メモリ群３1 〜３n
のうち所定のメモリの所定のアドレスに転送され記憶さ
れる。

【００２３】前記制御部６は、前記外部記憶装置１との
間でデータ読取りなどの授受を行なうための制御回路
（ＣＰＵ）７と、この制御回路７からの信号によりメモ
リ・アドレスの生成およびエンド・アドレスの検出を行
なうためのアドレスカウンタ８と、制御回路７からの信
号により、光ディスクの１トラック分のデータ量に対応
する基準値、前記記憶部２のメモリ群３1 〜３n のチャ
ンネルＮｏ．に関するデータ、および前記デュティ回路
群５1 〜５n のデュティ回路において、シフトレジスタ
群４1 〜４n からのデータに関する信号を、所定のピッ
ト長に対応させて微調整するためのデュティに関するデ
ータを記憶させるための記憶回路（ＲＡＭ）９とを備え
ている。この記憶回路９は、前記メモリ群３1 〜３n 、
前記デュティ回路群５1 〜５n および選択回路２２のコ
ントロール用に利用される。

【００２４】より詳細には、前記記憶回路９は、１トラ
ック分のデータ量に対応する基準値を記憶するためのレ
ジスタ１０、チャンネルＮｏ．に関するデータを記憶す
るためのレジスタ１１、各デュティ回路５1 〜５n にそ
れぞれ対応して、レーザ光により形成されるピットを所
定の適正なピット長に調整するためのデュティファクタ
ーに関するデータを記憶するためレジスタ１２1 〜１２
n を備えている。これらのレジスタ１０，１１，１２1
〜１２n には、起動時に制御回路７から前記データに関
する信号が与えられる。

【００２５】また、前記記憶回路９は、前記各レジスタ
１０，１１，１２1 〜１２n に格納されたデータと、制
御回路７からの制御信号としてのラッチ信号とが与えら
れるラッチ回路１３，１４，１５1 〜１５n を備えてい
る。前記制御回路７からのラッチ信号は、起動時に、Ｏ
Ｒ回路１６を通じてラッチ回路１３，１４，１５1 〜１
５n に与えられる。

【００２６】また、前記装置は、クロックパルス発生器
２０を備えており、このクロックパルス発生器２０から
のクロックパルスは、分周器２１により８ビットに相当
する１／８に分周され、前記アドレスカウンタ８に与え
られる。このアドレスカウンタ８はメモリからのデータ
の出力時に利用され、メモリへのデータの記憶には、制
御回路７のＣＰＵのアドレスバスとデータバスとが利用
される。

【００２７】アドレスカウンタ８は、前記制御回路７か
らのスタート信号に応答して、分周器２１からのパルス
数のカウントを開始し、１トラック分に相当するデータ
量をカウントし、エンド・アドレスの検出信号をコンパ
レータ１７に与える。

【００２８】このコンパレータ１７には、ラッチ回路１
３に格納されたトラックデータ量に関する基準値も与え
られる。前記コンパレータ１７では、アドレスカウンタ
８からのカウント値と、前記ラッチ回路１３に格納され
た１トラック分のデータ量に相当する基準値とが比較さ
れる。

【００２９】コンパレータ１７での比較結果が、エンド
・アドレスの検出信号に対応する前記カウント値が基準
値以上となったとき、コンパレータ１７から、前記ＯＲ
回路１６へリセット信号が与えられる。なお、制御回路
７からは、前記のように、起動時のスタート信号と同じ
タイミングで前記ＯＲ回路１６へセット信号及びラッチ
信号が与えられる。

【００３０】そのため、起動時には、制御回路７からの
セット信号によりアドレスカウンタ８がセットされ、そ
の後は、コンパレータ１７からＯＲ回路１６へ与えられ
るセット／リセット信号により、アドレスカウンタ８が
セット／リセットされる。また、起動時には、制御回路
７からのラッチ信号に応答して、前記ＯＲ回路１６は前
記ラッチ回路１３，１４，１５1 〜１５n にラッチ信号
を与え、その後は、アドレスカウンタ８のリセットのタ
イミングで、コンパレータ１７からのラッチ信号（セッ
ト／リセット信号）に応答して、前記ＯＲ回路１６は、
前記ラッチ回路１３，１４，１５1 〜１５n にラッチ信
号を与える。

【００３１】さらに、バンク切換器１９には、ＯＲ回路
１８を通じてバンク切換信号が与えられる。すなわち、
起動時には、前記制御回路７からアドレスカウンタ８に
与えられるスタート信号と同じタイミングで、バンク切
換器１９を切換るためのＯＲ回路１８に、前記制御回路
７からバンク切換信号が与えられ、その後は、前記コン
パレータ１７からのバンク切換信号が前記ＯＲ回路１８
に与えられる。バンク切換器１９は、切換信号に応答し
て、各メモリを構成するバンクＡ，Ｂを切換える。その
ため、バンク切換器１９からの切換信号に応答して、２
つのバンクＡ，Ｂを選択的に切換えることができ、２つ
のバンクＡ，Ｂのうち一方のバンクＡに、１トラック分
のデータを選択的に記憶させることができる。

【００３２】また、前記アドレスカウンタ８からのメモ
リ・アドレス信号は、記憶部２の各メモリ３1 〜３n に
も与えられ、メモリ・アドレス信号に対応して、１トラ
ック分のデータが各メモリ３1 〜３n のバンクＡ又はバ
ンクＢから取出される。

【００３３】そのため、ラッチ回路１３に格納された１
トラック分のデータ量に相当する基準値と、アドレスカ
ウンタ８からのメモリ・アドレス信号とを利用して、バ
ンクＡ，Ｂを切換ながら、制御回路７からの記録情報を
バンクＡまたはＢに記憶させることができる。

【００３４】さらに、各メモリ３1 〜３n のバンクＡ又
はＢに記憶されたデータをクロック信号に同期して取出
すため、前記クロックパルス発生器２０からのクロック
信号は、シフトレジスタ群４1 〜４n に与えられる。

【００３５】また、記憶回路９のラッチ回路１５1 〜１
５n からは、それぞれ対応するデュティ回路５1 〜５n
にデュティファクターに関する信号が与えられる。

【００３６】そして、記憶回路９のラッチ回路１４に記
憶されたチャンネルＮｏ．に関するデータは、メモリ群
３1 〜３n のチャンネルに関するチャンネル選択信号と
して、選択回路２２に与えられる。前記選択回路２２は
マルチプレクサなどで構成できる。

【００３７】選択回路２２では、チャンネル選択信号と
同じタイミングで、メモリ群３1 〜３n のうち、エンコ
ード信号を生成するための所定のチャンネルのメモリ３
1 〜３3 が選択され、チャンネル選択信号と同じタイミ
ングで、バンク切換信号に応答して、バンクＡ，Ｂが切
換えられると共に、選択されたメモリのうちデータが記
憶されたバンクＡが選択される。

【００３８】バンクＡに記憶されたデータは、シフトレ
ジスタ群４1 〜４3 及びデュティ回路群５1 〜５3 を介
して、選択的に選択されると共に、データが未記憶のバ
ンクＢには、制御回路７のＣＰＵのアドレスバスが指定
するアドレス信号およびバンク切換器１９からのバンク
切換信号に応答して、制御回路７からの記録情報が記憶
される。その際、バンクＢに既にデータが記憶されてい
る場合には、光ディスクのフォーマットに際して、１ト
ラック全体のデータを変更する必要はなく、ＩＤ領域の
トラック番号及びセクタ番号に関するデータだけを更新
すればよい。そして、前記選択回路２２により、光ディ
スクのフォーマットに従った信号がエンコード信号とし
て生成し、光ディスクのカッティング装置の光学系を構
成する強度変調回路に与えられる。

【００３９】なお、前記クロック信号は、スピンドルエ
ンコーダと１トラックのデータ量に適した分周比で他の
分周器２３により分周され、スピンドルの駆動回路に与
えられる。

【００４０】このような装置では、記憶部２のメモリ群
３1 〜３n を、それぞれ、複数の変調方式に対応するデ
ータの記憶手段として利用できる。例えば、チャンネル
１のメモリ３1 をＮＲＺ変調方式のためのデータの記憶
手段、チャクネル２のメモリ３2 を誤り率の低いＰＥ変
調方式のためのデータの記憶手段として利用できる。し
かも、各メモリ群３1 〜３n のバンクＡ，Ｂをバンク切
換器１９により選択的に切換えることができる。従っ
て、例えば、上記のＮＲＺ変調方式において、メモリ３
1 のバンクＡに記憶されたデータを選択回路２２により
選択してエンコード信号を生成させ、光ディスクのトラ
ックＮｏ．１での記録に利用している間に、メモリ３1
のバンクＢに、ＮＲＺ変調方式のためのデータを、トラ
ックＮｏ．２のためのデータとして格納できる。また、
逆に、バンクＢに格納されたデータを選択回路により選
択している間には、バンクＡのデータを更新できる。

【００４１】また、ＰＥ変調方式などのために利用され
る他のチャンネルのメモリにおいても、上記と同様にし
て、バンクＡ，Ｂの切換と、データの記録と更新とを行
なうことができる。そのため、異なる複数の変調方式に
よりレーザ光を変調させて光ディスクに所定の記録情報
を記録する場合でも、変調方式毎に対応する変調回路を
設けることなく、選択回路２２により、フォーマット構
成及び変調方式に従ったエンコード信号を生成させるこ
とができる。上記より明らかなように、本発明の装置
は、種々の変調方式に対応でき、記録情報を光ディスク
原盤に円滑かつ効率よく記録できる。

【００４２】さらに、制御回路７から記憶回路９へ与え
られるデータ量に関する基準値やチャンネルＮｏ．に関
するデータを変更するだけで、種々の変調方式に対応さ
せてフォーマット情報を光ディスクに記録できる。

【００４３】なお、前記実施例において、各記憶手段は
２つのバンクを備えているが、３以上の複数のバンクを
備えていてもよい。また、複数のチャンネルを構成する
メモリ群の数も制限されず、複数の変調方式に対応させ
て設けることができる。

【００４４】さらに、メモリ群、記憶回路はＲＡＭに限
らず、種々の等価な論理回路で構成することができる。
メモリ群から与えられるデータを入出力順にアクセス可
能なシリアルアクセス手段も、種々の等価な回路で構成
することができるが、シフトレジスタで構成する場合が
多い。バンク切換手段は、論理回路に限らず、スイッチ
回路などで構成することもできる。また、分周手段とし
ての分周器による周波数の調整は、１／８に限らず適当
に選択できる。

【００４５】また、レーザビームの左右方向の位置ずれ
を制御するためのメモリ３n-1 ，３n 、シフトレジスタ
４n-1 ，４n 及びデュティ回路５n-1 ，５n は必ずしも
必要ではなく、レーザビームの左右方向の位置ずれを制
御するための制御部は、本発明の装置と独立していても
よい。

【００４６】

【発明の効果】本発明の光ディスク原盤の製造装置は、
複数のバンクを備えた複数の記憶手段、バンクを切換え
るためのバンク切換手段および情報選択手段を備えてい
るので、光ディスクに記録中であっても、前記バンクか
らデータを選択的に選択して、フォーマットに従ったデ
ータを生成することができる。そのため、複数の変調方
式に対応させて複数の変調回路を設ける必要がない。ま
た、光ディスクに記録中であっても、フォーマットに従
ってデータを変更できるので、種々の変調方式に対応で
き、光ディスク原盤を効率よく製造できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は本発明の装置の一例の電気的構成を示す
ブロック図である。

【符号の説明】

１…外部記憶装置 ２…記憶部 ３1 〜３n …メモリ群 Ａ，Ｂ…バンク ４1 〜４n …シフトレジスタ群 ６…制御部 ７…制御回路 ８…アドレスカウンタ ９…記憶回路 １７…コンパレータ １９…バンク切換器 ２０…クロックパルス発生器 ２２…選択回路

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 制御手段からのアドレス信号に応答し
   て、光ディスクのフォーマットに対応した複数の情報に
   関するデータを、それぞれ所定のアドレスに記憶させる
   ための複数の記憶手段と、前記制御手段からの選択信号
   に応答して、これらの記憶手段からフォーマットに対応
   するデータを選択するための情報選択手段とを備えた装
   置であって、前記各記憶手段が、情報に関するデータを
   それぞれ記憶するための複数のバンクを備えていると共
   に、前記制御手段が、切換信号に応答して、データが記
   録されたバンクからデータが未記録のバンクへ切換える
   ためのバンク切換手段を備えている光ディスク原盤の製
   造装置。
2. 【請求項２】 記憶手段が、複数のバンクからのデータ
   を入出力順にアクセス可能なシリアルアクセス手段を備
   え、このシリアルアクセス手段にデータを取込むための
   クロック信号を与えるクロックパルス発生手段と、この
   クロックパルス発生手段からのパルス数をカウントする
   カウンタ手段と、このカウント手段によるカウント数が
   所定の値に達したとき、データが記憶されたバンクから
   データが記憶されるバンクへ切換えるバンク切換手段と
   を備えている請求項１記載の光ディスク原盤の製造装
   置。