JPH06290105A - Digital data storage - Google Patents

Digital data storage

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Publication number
JPH06290105A
JPH06290105A JP5079698A JP7969893A JPH06290105A JP H06290105 A JPH06290105 A JP H06290105A JP 5079698 A JP5079698 A JP 5079698A JP 7969893 A JP7969893 A JP 7969893A JP H06290105 A JPH06290105 A JP H06290105A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
digital data
stored
write address
storage means
Prior art date
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Pending
Application number
JP5079698A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshihiro Murakami
芳弘 村上
Tatsuya Kubota
達也 窪田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Publication of JPH06290105A publication Critical patent/JPH06290105A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To improve the availability of memory capacity and to minimize the omission of image information by storing successively the 1st variable length code data in the order of lower memory addresses and the 2nd variable length code data vice versa and securing the synchronizing between the variable length code data read out from a low address through the center address and the variable length data read out from the highest address through the center address respectively in a reading mode. CONSTITUTION:A memory 31 of capacity equivalent to two blocks is provided together with a write address generating circuit 36 which outputs the address acquired by a positive or negative count-up operation, a read address generating circuit 40, a register 37 which stores the final address of one of both blocks, and a comparator 38 which compares the data on the other block with the write address stored in the memory 31, the address stored in the register 37, and the center address of the memory 31 respectively.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えば可変長符号ブロ
ックを同期符号ブロックに、或いは同期符号ブロックを
可変長符号ブロックに変換する変換回路を有するディジ
タルVTR等に適用して好適なディジタルデータ記憶装
置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention is suitable for digital data storage, for example, applied to a digital VTR having a conversion circuit for converting a variable length code block into a synchronous code block or a synchronous code block into a variable length code block. Regarding the device.

【0002】[0002]

【従来の技術】図11はディジタルVTRの記録系の構
成を示し、この図11に示すディジタルVTRの記録系
においては、入力端子1に供給される記録すべきディジ
タル映像信号はフィールドシャッフリング回路2でシャ
ッフリングされ、このフィールドシャッフリングされた
ディジタル映像信号はDCT(離散コサイン変換)回路
3で直流成分から高次交流成分の係数データに変換され
る。
2. Description of the Related Art FIG. 11 shows the structure of a digital VTR recording system. In the digital VTR recording system shown in FIG. 11, a digital video signal to be supplied to an input terminal 1 is recorded by a field shuffling circuit 2. The shuffled and field shuffled digital video signal is converted from a DC component into coefficient data of a high-order AC component by a DCT (discrete cosine transform) circuit 3.

【0003】そしてこの係数データは量子化回路4で量
子化、つまり、所定の量子化係数で割算され、その結果
得られた量子化データはエンコーダ5で例えばランレン
グスやハフマン符号化の手法により符号化され、この符
号化データは外符号回路6でアウターパリティが付加さ
れて外符号の形式にされ、更に内符号回路7でインナー
パリティが付加されて内符号の形式にされ、同期/ID
付加回路8で同期信号及びID(識別)データが付加さ
れて積符号の形式にされた後、増幅回路9を介して記録
ヘッド10に供給され、この記録ヘッド10によって磁
気テープに傾斜トラックを形成する如く記録される。
The coefficient data is quantized by a quantization circuit 4, that is, divided by a predetermined quantized coefficient, and the resulting quantized data is encoded by an encoder 5 by a run length or Huffman coding method, for example. The encoded data is coded, and the outer code circuit 6 adds outer parity to the outer code format, and the inner code circuit 7 adds inner parity to the inner code format for synchronization / ID.
After the synchronizing signal and the ID (identification) data are added by the adding circuit 8 to form the product code, the product code is supplied to the recording head 10 through the amplifying circuit 9, and the recording head 10 forms inclined tracks on the magnetic tape. Will be recorded as

【0004】ここで、同期/ID付加回路8から出力さ
れるデータの形態としては、例えば図14に示すように
積符号形式となる。即ち、この積符号構成のデータは、
図14に示すように、同期SYNC2ビット、IDデー
タID2ビット、データDATA(VLC:可変長符
号)162ビット、パリティPARITY(但し、イン
ナーパリティ:内符号)14ビットからなるデータ列を
複数有するデータと、アウターパリティOUT(外符
号)で構成される。
Here, the form of the data output from the synchronization / ID addition circuit 8 is, for example, a product code form as shown in FIG. That is, the data of this product code structure is
As shown in FIG. 14, data having a plurality of data strings each including a synchronous SYNC 2 bit, ID data ID 2 bit, data DATA (VLC: variable length code) 162 bits, and parity PARITY (however, inner parity: inner code) 14 bits. , Outer parity OUT (outer code).

【0005】そして、この積符号構成のデータは2つで
1トラック分のデータを構成し、例えば上述したディジ
タルVTRにおいては、1フィールドが6トラックとさ
れる。後述する同期符号ブロックとは、図14に示した
積符号構成のデータ全体を示すものである。
Two pieces of data having this product code form data for one track. For example, in the above-mentioned digital VTR, one field has six tracks. The sync code block described later refers to the entire data having the product code configuration shown in FIG.

【0006】図12は図11に示したディジタルVTR
の記録系で記録されたデータを再生するための再生系の
構成を示し、この図12に示すディジタルVTRの再生
系においては、磁気テープ11に記録されている記録信
号が再生ヘッド12で再生され、再生された信号が増幅
回路13を介してイコライザ14に供給され、このイコ
ライザ14において波形等化された後に8/10変換回
路15で変換され、この後同期再生回路16で同期信号
が再生される。
FIG. 12 shows the digital VTR shown in FIG.
12 shows the structure of a reproducing system for reproducing the data recorded by the recording system of FIG. 12. In the reproducing system of the digital VTR shown in FIG. 12, the recording signal recorded on the magnetic tape 11 is reproduced by the reproducing head 12. The reproduced signal is supplied to the equalizer 14 through the amplifier circuit 13, is equalized in waveform by the equalizer 14 and then converted by the 8/10 conversion circuit 15, and then the synchronous signal is reproduced by the synchronous reproduction circuit 16. It

【0007】この同期再生回路16から出力された信号
が内符号エラー訂正回路17においてエラー訂正され、
この内符号エラー訂正回路17からデータとエラーフラ
グが出力される。このデータ及びエラーフラグは外符号
エラー訂正回路18に供給されて更に外符号によるエラ
ー訂正処理が施された後にデコーダ19に供給され、こ
のデコーダ19において復号化される。そしてこの後逆
量子化回路20で逆量子化された後にIDCT(逆離散
コサイン変換)回路21に供給され、このIDCT回路
21によって逆離散コサイン変換される。
The signal output from the synchronous reproduction circuit 16 is error-corrected in the inner code error correction circuit 17,
The inner code error correction circuit 17 outputs data and an error flag. The data and the error flag are supplied to the outer code error correction circuit 18, further subjected to error correction processing by the outer code, and then supplied to the decoder 19 where they are decoded. After that, after being inversely quantized by the inverse quantization circuit 20, it is supplied to an IDCT (inverse discrete cosine transform) circuit 21 and is inversely discrete cosine transformed by this IDCT circuit 21.

【0008】このIDCT21の出力はフィールドデ・
シャッフリング回路22に供給され、元のデータの配列
になされ、更に、エラー修整回路23において、エラー
フラグに基いて修整のできないデータについては前のラ
インのデータで補間され出力端子24を介して図示しな
いディジタルVTRの他の回路に供給される。
The output of this IDCT 21 is the field
The data supplied to the shuffling circuit 22 is arranged into the original data array, and further, in the error correction circuit 23, data that cannot be corrected based on the error flag is interpolated with the data of the previous line and not shown via the output terminal 24. It is supplied to other circuits of the digital VTR.

【0009】尚、本出願人は先に例えばDCT等の変換
符号化により生成した係数データを低い次数から高い次
数に並べ、これを可変長符号化すると共に、各ブロック
の係数データの時間的に終わりの部分を動かすことによ
って、シンクブロックの長さを一定に制御するようにし
たディジタルビデオ信号の記録装置を提案している(特
願平03−225014号参照)。
The present applicant arranges coefficient data generated by transform coding such as DCT in order from a low order to a high order, performs variable length coding, and temporally calculates coefficient data of each block. A digital video signal recording apparatus has been proposed in which the length of the sync block is controlled to be constant by moving the end portion (see Japanese Patent Application No. 03-225014).

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】上述したように、ディ
ジタルVTRでは記録データを圧縮して記録することが
可能であり、図11に示したディジタルVTRにおいて
は、DCT回路3を用いて画像データを周波数軸上のデ
ータに変換し、その周波数軸上のデータに対して量子化
回路4で量子化し、エンコーダ5においてランレングス
やハフマン等の手法により可変長符号化することによっ
て情報量の圧縮を行っている。
As described above, the digital VTR can compress and record the recording data. In the digital VTR shown in FIG. 11, the DCT circuit 3 is used to convert the image data. Data on the frequency axis is converted, the data on the frequency axis is quantized by the quantization circuit 4, and the encoder 5 performs variable length coding by a method such as run length or Huffman to compress the amount of information. ing.

【0011】つまり、画像データは保持している情報量
に基いて、大きさの不定な可変長符号データに変換され
る。変換符号化として例えば2次元DCTを採用するデ
ィジタルVTRでは、係数データを可変長符号化してい
るので、画像中の高周波成分の量によって、1ブロック
当たりのデータ量が変化する。記録時には、一定長の同
期符号ブロック(シンクブロック)を形成するのが一般
的であるが、VTRに記録されるデータの基本単位とな
る同期符号ブロックが固定長であるので、可変長符号デ
ータを固定長のデータに容量を合わせたメモリに格納す
ると、例えば図11に示したエンコーダ5のメモリの容
量に余りが生じたり、全てのデータをメモリに記憶でき
なかったりする。
That is, the image data is converted into variable-length code data of indefinite size based on the amount of information held. In a digital VTR that adopts, for example, a two-dimensional DCT as transform coding, coefficient data is variable-length coded, so the amount of data per block changes depending on the amount of high frequency components in the image. At the time of recording, it is general to form a sync code block (sync block) of a fixed length, but since the sync code block which is a basic unit of data recorded in the VTR has a fixed length, the variable length code data is If the fixed-length data is stored in a memory having a capacity matched, for example, the capacity of the memory of the encoder 5 shown in FIG. 11 has a surplus, or all the data cannot be stored in the memory.

【0012】これについて図13を参照して説明する。
尚、図13においては、説明の便宜上、同期符号ブロッ
クの容量を1296ビットとする。また図13におい
て、Fbはファーストビット、Lbはラストビット、V
dは可変長符号ブロックを示す。図13Aに示すよう
に、可変長符号ブロックVdが1296ビット以下の場
合、このままこの可変長符号ブロックVdのデータをメ
モリに記憶すると、図13Bに示すように、同期符号ブ
ロックのデータの容量に対応したメモリにおいて、Vd
1で示す余り部分が生じてしまう。
This will be described with reference to FIG.
In FIG. 13, for convenience of explanation, the capacity of the sync code block is 1296 bits. In FIG. 13, Fb is the first bit, Lb is the last bit, V
d indicates a variable length code block. As shown in FIG. 13A, when the variable-length code block Vd is 1296 bits or less, if the data of this variable-length code block Vd is stored in the memory as it is, it corresponds to the data capacity of the synchronous code block as shown in FIG. 13B. Vd in the memory
A surplus portion indicated by 1 is generated.

【0013】また、図13Cに示すように、可変長符号
ブロックVdが1296ビット以上だった場合、このま
まこの可変長符号ブロックのデータをメモリに記憶する
と、図13Dに示すように、同期符号ブロックの容量に
対応したメモリにおいて、Vd2で示す容量だけデータ
を記憶できなくなり、データが一部欠落してしまう。
Further, as shown in FIG. 13C, when the variable length code block Vd is 1296 bits or more, if the data of this variable length code block is stored in the memory as it is, as shown in FIG. In the memory corresponding to the capacity, the data cannot be stored by the capacity indicated by Vd2, and the data is partially lost.

【0014】情報量圧縮を採用したディジタルVTRで
は、圧縮による画質低下を最低限に抑えるために、記録
画像をVTRの記録容量以内で最大となるように情報量
制御を行うことが必要であり、そのためには、記録容量
の利用効率を高くとり、情報の欠落量を小さくすること
が必要となるが、上述したような理由により、ディジタ
ルVTRの性能を十分に発揮することができないという
不都合があった。
In the digital VTR adopting the information amount compression, it is necessary to control the information amount so that the recorded image is maximized within the recording capacity of the VTR in order to minimize the deterioration of the image quality due to the compression. For that purpose, it is necessary to increase the utilization efficiency of the recording capacity and reduce the amount of information loss, but for the reasons described above, there is a disadvantage that the performance of the digital VTR cannot be fully exhibited. It was

【0015】また、可変長符号はその性質上、データに
誤りがあった場合にはそこから先をデコードすることが
できない。また、可変長符号ブロックは一般に複数の画
像ブロックのDCT係数データで構成されている。図1
3Eに可変長符号ブロック内に各ブロックのDCT係数
をブロック順にそのまま並べた例を示す。
In addition, due to the nature of the variable length code, if there is an error in the data, it is not possible to decode from there. The variable length code block is generally composed of DCT coefficient data of a plurality of image blocks. Figure 1
3E shows an example in which the DCT coefficients of each block are arranged in the variable length code block in the order of blocks.

【0016】即ち、図13Eにおいては、可変長符号デ
ータVLCを可変長符号ブロックVLC1、VLC2、
VLC3、VLC4、・・・・で構成した場合を示して
いる。ここで、DCT係数の内低域の係数は画像の輝
度、色彩を決定し、高域の係数は画像の細かい部分を決
定する。そのため、高域の係数が失われる場合よりも低
域の係数が失われる場合の方が画像の画質に与える影響
がはるかに大きい。
That is, in FIG. 13E, the variable length code data VLC is converted into variable length code blocks VLC1, VLC2,
It shows a case of being composed of VLC3, VLC4, .... Here, the coefficient in the low frequency band of the DCT coefficient determines the brightness and color of the image, and the coefficient in the high frequency band determines the fine portion of the image. Therefore, when the coefficients in the low frequency band are lost, the influence on the image quality of the image is far greater than when the coefficients in the low frequency band are lost.

【0017】従って、図13Eに示すような配列の場合
に、もし可変長符号ブロックVLC4においてVTR再
生信号の残留データエラーが発生した場合には図13F
に示すように、VLCブロックVLC4を図12に示し
たデコーダ19、逆量子化回路20、IDCT回路21
でデコードできなくなり(図13Fにおいて“×”で示
す)、これによって元の画像を得るできず、再生画像を
著しく劣化させてしまうという不都合があった。
Therefore, in the case of the arrangement as shown in FIG. 13E, if a residual data error of the VTR reproduction signal occurs in the variable-length code block VLC4, FIG. 13F.
12, the VLC block VLC4 is provided with the decoder 19, the inverse quantization circuit 20, and the IDCT circuit 21 shown in FIG.
However, there is an inconvenience that the original image cannot be obtained and the reproduced image is deteriorated remarkably because the decoding becomes impossible (indicated by "x" in FIG. 13F).

【0018】本発明はこのような点を考慮してなされた
もので、メモリの記憶容量の利用効率を向上させ、画像
情報の欠落量を少なくすると共に、VTRの残留エラー
から受ける画質劣化を最小限に抑えることのできるディ
ジタルデータ記憶装置を提案しようとするものである。
The present invention has been made in consideration of the above points, and improves the utilization efficiency of the storage capacity of the memory, reduces the amount of loss of image information, and minimizes the image quality deterioration caused by the residual error of the VTR. An attempt is made to propose a digital data storage device which can be suppressed to the limit.

【0019】[0019]

【課題を解決するための手段】本発明は、第1及び第2
の入力ディジタルデータを記憶する記憶手段31と、こ
の記憶手段31に第1の入力データを記憶するときには
最小の書き込みアドレス信号から順次歩進する書き込み
アドレス信号を供給し、記憶手段31に第2の入力ディ
ジタルデータを記憶するときには、第1の入力ディジタ
ルデータを記憶手段31に記憶するときとは逆に最大の
書き込みアドレス信号から順次歩進する書き込みアドレ
ス信号を記憶手段31に供給する書き込みアドレス発生
手段36と、記憶手段31に読み出しアドレス信号を供
給する読み出しアドレス発生手段40と、第1の入力デ
ィジタルデータを記憶手段31に記憶した時点での書き
込みアドレス発生手段36からの書き込みアドレス信号
を記憶する書き込みアドレス記憶手段37と、第2の入
力ディジタルデータを記憶手段31に記憶しているとき
に、書き込みアドレス発生手段36からの書き込みアド
レス信号及び書き込みアドレス記憶手段37に記憶した
書き込みアドレス信号を比較する比較手段38とを有
し、記憶手段31に第1の入力ディジタルデータを記憶
し、次に第2の入力ディジタルデータを記憶していると
きに、比較手段38において、書き込みアドレス記憶手
段37に記憶した書き込みアドレス信号と、現在書き込
みアドレス発生手段36が発生している書き込みアドレ
ス信号が一致するまで第2の入力ディジタルデータを記
憶手段31に記憶するようにしたものである。
The present invention includes first and second aspects.
Storage means 31 for storing the input digital data, and when storing the first input data in the storage means 31, a write address signal that sequentially advances from the minimum write address signal is supplied, and the storage means 31 receives the second input data. When storing the input digital data, contrary to the case where the first input digital data is stored in the storage means 31, a write address generating means for supplying to the storage means 31 a write address signal which sequentially advances from the maximum write address signal. 36, a read address generating means 40 for supplying a read address signal to the storage means 31, and a write for storing the write address signal from the write address generation means 36 at the time when the first input digital data is stored in the storage means 31. Address storage means 37 and a second input digital data Is stored in the storage means 31, it has a comparison means 38 for comparing the write address signal from the write address generation means 36 and the write address signal stored in the write address storage means 37. When the first input digital data is stored and then the second input digital data is stored, the comparison unit 38 causes the write address signal stored in the write address storage unit 37 and the current write address generation unit 36 to operate. The second input digital data is stored in the storage means 31 until the generated write address signals coincide with each other.

【0020】更に本発明は上述において、第1及び第2
のディジタルデータは夫々可変長符号ブロックのデータ
であり、これら第1及び第2のディジタルデータを記憶
手段31に記憶することにより、2つの同期符号ブロッ
クを生成するようにしたものである。
The present invention further includes the above first and second aspects.
The respective digital data are variable length code block data, and two synchronous code blocks are generated by storing the first and second digital data in the storage means 31.

【0021】更に本発明は上述において、可変長ブロッ
クにおけるデータの配列を重要度の高い順に並べらるよ
うにしたものである。
Further, according to the present invention, in the above description, the data arrangement in the variable length block is arranged in descending order of importance.

【0022】また本発明は、第1及び第2の入力ディジ
タルデータを記憶する記憶手段51と、この記憶手段5
1に第1の入力データを記憶するときには最小の書き込
みアドレス信号から順次歩進する書き込みアドレス信号
を供給し、記憶手段51に第2の入力ディジタルデータ
を記憶するときには、第1の入力ディジタルデータを記
憶手段51に記憶するときとは逆に最大の書き込みアド
レス信号から順次歩進する書き込みアドレス信号を記憶
手段51に供給する書き込みアドレス発生手段56と、
記憶手段51に記憶した第1の入力ディジタルデータを
読み出す場合に、最小の読み出しアドレス信号から順次
歩進する読み出しアドレス信号を供給し、記憶手段51
に記憶した第2の入力ディジタルデータを読み出す場合
に、第1の入力ディジタルデータを記憶手段51から読
み出すときとは逆に最大の読み出しアドレス信号から順
次歩進する読み出しアドレス信号を記憶手段51に供給
する読み出しアドレス発生手段58とを有するものであ
る。
Further, according to the present invention, a storage means 51 for storing the first and second input digital data and the storage means 5 are provided.
When the first input data is stored in 1, the write address signal is sequentially incremented from the minimum write address signal is supplied, and when the second input digital data is stored in the storage unit 51, the first input digital data is stored. Contrary to the case of storing in the storage means 51, a write address generation means 56 for supplying to the storage means 51 a write address signal which sequentially advances from the maximum write address signal,
When reading the first input digital data stored in the storage means 51, a read address signal that sequentially advances from the minimum read address signal is supplied, and the storage means 51 is supplied.
In the case of reading the second input digital data stored in the storage means 51, a read address signal that sequentially advances from the maximum read address signal is supplied to the storage means 51, contrary to the case of reading the first input digital data from the storage means 51. The read address generating means 58 is provided.

【0023】更に本発明は上述において、第1及び第2
のディジタルデータは夫々同期符号ブロックのデータで
あり、これら第1及び第2のディジタルデータを記憶手
段51に記憶することにより、2つの可変長符号ブロッ
クを生成するようにしたものである。
Further, the present invention is based on the above description.
The respective digital data are data of the synchronous code block. By storing these first and second digital data in the storage means 51, two variable length code blocks are generated.

【0024】[0024]

【作用】上述せる本発明の構成によれば、記憶手段31
に第1の入力ディジタルデータを記憶し、次に第2の入
力ディジタルデータを記憶しているときに、比較手段3
8において、書き込みアドレス記憶手段37に記憶した
書き込みアドレス信号と、現在書き込みアドレス発生手
段36が発生している書き込みアドレス信号が一致する
まで第2の入力ディジタルデータを記憶手段31に記憶
する。
According to the configuration of the present invention described above, the storage means 31
When the first input digital data is stored in the second input digital data and the second input digital data is stored next, the comparison means 3
At 8, the second input digital data is stored in the storage means 31 until the write address signal stored in the write address storage means 37 and the write address signal currently generated by the write address generation means 36 match.

【0025】更に上述において本発明の構成によれば、
第1及び第2のディジタルデータを夫々可変長符号ブロ
ックのデータとした場合、これら第1及び第2のディジ
タルデータを記憶手段31に記憶することにより、2つ
の同期符号ブロックを生成する。
Further in the above, according to the configuration of the present invention,
When the first and second digital data are data of variable-length code blocks, respectively, the first and second digital data are stored in the storage means 31, thereby generating two synchronous code blocks.

【0026】更に上述において本発明の構成によれば、
可変長ブロックにおけるデータの配列を重要度の高い順
に並べる。
Further in the above, according to the configuration of the present invention,
Arrange the data arrangement in the variable-length block in descending order of importance.

【0027】また上述せる本発明の構成によれば、記憶
手段51に第1の入力データを記憶するときには最小の
書き込みアドレス信号から順次歩進する書き込みアドレ
ス信号を供給し、記憶手段51に第2の入力ディジタル
データを記憶するときには、第1の入力ディジタルデー
タを記憶手段51に記憶するときとは逆に最大の書き込
みアドレス信号から順次歩進する書き込みアドレス信号
を記憶手段51に供給し、記憶手段51に記憶した第1
の入力ディジタルデータを読み出す場合に、最小の読み
出しアドレス信号から順次歩進する読み出しアドレス信
号を供給し、記憶手段51に記憶した第2の入力ディジ
タルデータを読み出す場合に、第1の入力ディジタルデ
ータを記憶手段51から読み出すときとは逆に最大の読
み出しアドレス信号から順次歩進する読み出しアドレス
信号を記憶手段51に供給する。
Further, according to the above-described configuration of the present invention, when the first input data is stored in the storage means 51, the write address signal which sequentially advances from the minimum write address signal is supplied, and the second storage means 51 is supplied with the write address signal. In contrast to the case of storing the first input digital data in the storage means 51, the write address signal which sequentially advances from the maximum write address signal is supplied to the storage means 51 when storing the input digital data of First stored in 51
When reading the input digital data of, the read address signal which is sequentially stepped from the minimum read address signal is supplied, and when the second input digital data stored in the storage means 51 is read, the first input digital data is read. Contrary to the reading from the storage means 51, a read address signal that sequentially advances from the maximum read address signal is supplied to the storage means 51.

【0028】更に上述において本発明の構成によれば、
第1及び第2のディジタルデータが夫々同期符号ブロッ
クのデータの場合、これら第1及び第2のディジタルデ
ータを記憶手段51に記憶することにより、2つの可変
長符号ブロックを生成する。
Further in the above, according to the configuration of the present invention,
When the first and second digital data are data of the synchronous code block, respectively, the first and second digital data are stored in the storage means 51 to generate two variable length code blocks.

【0029】[0029]

【実施例】以下に、図1を参照して本発明ディジタルデ
ータ記憶装置の一実施例について詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the digital data storage device of the present invention will be described in detail below with reference to FIG.

【0030】この図1において、30は例えば図11に
示したディジタルVTRのエンコーダ5の可変長符号化
回路等(図示せず)からの可変長符号データVa及びV
bが供給される入力端子で、この入力端子30を介して
供給される可変長符号データVa及びVbは後述する書
き込みアドレス発生回路36からの書き込みアドレス信
号によってメモリ31に記憶され、後述する読み出しア
ドレス発生回路40からの読み出しアドレス信号によっ
てメモリ31から読み出される。
In FIG. 1, reference numeral 30 denotes variable-length code data Va and V from a variable-length coding circuit or the like (not shown) of the encoder 5 of the digital VTR shown in FIG. 11, for example.
The variable-length code data Va and Vb supplied via the input terminal 30 are stored in the memory 31 by a write address signal from a write address generation circuit 36, which will be described later, and read address, which will be described later. It is read from the memory 31 by the read address signal from the generation circuit 40.

【0031】33は例えば図11及び図12に示したデ
ィジタルVTRのシステムコントローラ(或いはエンコ
ーダ5の可変長符号回路等)等からのスイッチング信号
が供給される入力端子で、この入力端子33を介して供
給されるスイッチング信号によってスイッチ34の可動
接点34cが一方または他方の固定接点34aまたは3
4bに選択的に接続制御される。
Reference numeral 33 denotes an input terminal to which a switching signal is supplied from, for example, the system controller (or the variable length coding circuit of the encoder 5 or the like) of the digital VTR shown in FIGS. 11 and 12, and via the input terminal 33. Depending on the switching signal supplied, the movable contact 34c of the switch 34 may cause one or the other fixed contact 34a or 3
4b is selectively connected and controlled.

【0032】このスイッチ34の一方の固定接点34a
には書き込みアドレス発生回路36からの書き込みアド
レス信号が供給され、このスイッチ34の他方の固定接
点34bには読み出しアドレス発生回路40からの読み
出しアドレス信号が供給される。
One fixed contact 34a of the switch 34
Is supplied with the write address signal from the write address generation circuit 36, and the other fixed contact 34b of the switch 34 is supplied with the read address signal from the read address generation circuit 40.

【0033】35は例えば図示しないディジタルVTR
のシステムコントローラ等からの制御信号が供給される
入力端子である。ここでこの制御信号は上述した可変長
符号データVa及びVbの時間軸方向の長さに夫々等し
く、例えば可変長符号データVaが供給されている期間
においてはローレベル“0”となり、可変長符号データ
Vbが供給されている期間においてはハイレベル“1”
となる。
Reference numeral 35 denotes, for example, a digital VTR (not shown)
Is an input terminal to which a control signal from the system controller or the like is supplied. Here, this control signal is equal to the lengths of the variable length code data Va and Vb in the time axis direction, for example, it becomes a low level "0" during the period when the variable length code data Va is supplied, and the variable length code High level "1" while the data Vb is being supplied
Becomes

【0034】書き込みアドレス発生回路36はこの制御
信号がローレベル“0”のときには“0”にリセットさ
れ、この“0”からインクリメント動作を開始して書き
込みアドレスを発生し、制御信号がハイレベル“1”の
ときには最高値が例えばロードされ、この最高値からデ
クリメント動作を開始して書き込みアドレスを発しす
る。
The write address generation circuit 36 is reset to "0" when the control signal is at the low level "0", the increment operation is started from this "0" to generate the write address, and the control signal is at the high level "0". When it is 1 ", the highest value is loaded, for example, and the decrement operation is started from this highest value to issue the write address.

【0035】37はレジスタで、入力端子35を介して
供給される制御信号が例えばローレベル“0”のときに
書き込みアドレス発生回路36からの書き込みアドレス
信号を取り込み、制御信号が例えばハイレベル“1”に
なると、最後に取り込んだ書き込みアドレス信号を保持
する。この保持される書き込みアドレス信号は図2Bに
示す可変長符号データVaの最後のデータのメモリ31
におけるアドレスである。このレジスタ37で保持され
た可変長符号データVaの最終書き込みアドレスはコン
パレータ38に供給される。
Reference numeral 37 denotes a register which takes in the write address signal from the write address generating circuit 36 when the control signal supplied through the input terminal 35 is low level "0", and the control signal is high level "1", for example. ", The write address signal last fetched is held. The held write address signal is the memory 31 of the last data of the variable length code data Va shown in FIG. 2B.
Is the address in. The final write address of the variable length code data Va held in the register 37 is supplied to the comparator 38.

【0036】コンパレータ38は入力端子35を介して
供給される制御信号が例えばローレベル“0”のときに
レジスタ37から供給される書き込みアドレス信号、書
き込みアドレス発生回路36から供給される書き込みア
ドレス信号及びメモリ31の中央のアドレスを比較し、
その比較結果をメモリ31の例えば書き込み/読み出し
制御端子に供給する。書き込みアドレス発生回路36か
らの書き込みアドレス信号が示すアドレスをADx、レ
ジスタ37から供給される書き込みアドレス信号が示す
アドレスをADy、メモリ31の中央のアドレスをAD
zとした場合、コンパレータ38の比較結果により、次
のようにメモリ31に対する書き込みが制御される。
The comparator 38 supplies a write address signal supplied from the register 37, a write address signal supplied from the write address generation circuit 36, and a control signal supplied from the input terminal 35 when the control signal supplied is low level "0", for example. Compare the central address of the memory 31,
The comparison result is supplied to, for example, the write / read control terminal of the memory 31. The address indicated by the write address signal from the write address generation circuit 36 is ADx, the address indicated by the write address signal supplied from the register 37 is ADy, and the central address of the memory 31 is AD.
When z is set, writing to the memory 31 is controlled as follows according to the comparison result of the comparator 38.

【0037】すなわち、ADx>ADzのときにメモリ
31に対する可変長符号データVa及びVbの書き込み
が許可され、また、ADx<ADz且つADx>ADy
のときに可変長符号データVa及びVbのメモリ31に
対する書き込みが許可される。
That is, when ADx> ADz, writing of the variable length code data Va and Vb to the memory 31 is permitted, and ADx <ADz and ADx> ADy.
At this time, writing of the variable length code data Va and Vb to the memory 31 is permitted.

【0038】これによって、可変長符号データVaとV
bのデータ量が異なっても、互いのデータをメモリ31
において侵食することなく記憶することができる。
As a result, the variable length code data Va and V
Even if the data amount of b is different, the mutual data is stored in the memory 31.
You can remember without eroding in.

【0039】39は図示しないディジタルVTRのシス
テムコントローラ等から供給され、同期符号ブロックの
データ(以下単に同期符号データと記述する)の時間軸
方向の長さに対応して例えばローレベル“0”、ハイレ
ベル“1”となる制御信号の入力用の入力端子である。
この制御信号がローレベル“0”の期間においては、読
み出しアドレス発生回路40は“0”にリセットされ、
この後インクリメント動作を開始して読み出しアドレス
を発生し、制御信号がハイレベル“1”のときには最高
値がロードされ、この後デクリメント動作を開始して読
み出しアドレスを発生する。
Reference numeral 39 is supplied from a system controller of a digital VTR (not shown) or the like, and corresponds to the length of the sync code block data (hereinafter simply referred to as sync code data) in the time axis direction, for example, low level "0", This is an input terminal for inputting a control signal of high level “1”.
While the control signal is at the low level “0”, the read address generation circuit 40 is reset to “0”,
After that, the increment operation is started to generate the read address. When the control signal is at the high level "1", the maximum value is loaded, and thereafter the decrement operation is started to generate the read address.

【0040】次に、図2のタイミングチャートを参照し
て図1に示したディジタルデータ記憶装置の動作につい
て説明する。
Next, the operation of the digital data storage device shown in FIG. 1 will be described with reference to the timing chart of FIG.

【0041】入力端子30には図2Bに示す可変長符号
データVa及びVbが供給され、入力端子33には図2
Aに示すスイッチング信号が供給される。書き込みの場
合においては、スイッチング信号がローレベル“0”と
なり、このときはスイッチ34の可動接点34cが固定
接点34aに接続される。一方、書き込みアドレス発生
回路36、レジスタ37及びコンパレータ38には入力
端子35を介して図2Cに示す制御信号が夫々供給され
る。
The input terminal 30 is supplied with the variable length code data Va and Vb shown in FIG. 2B, and the input terminal 33 is shown in FIG.
The switching signal shown in A is supplied. In the case of writing, the switching signal becomes low level "0", and at this time, the movable contact 34c of the switch 34 is connected to the fixed contact 34a. On the other hand, the control signal shown in FIG. 2C is supplied to the write address generation circuit 36, the register 37, and the comparator 38 via the input terminal 35.

【0042】書き込みアドレス発生回路36は、制御信
号がローレベル“0”となったときは“0”にリセット
された後、図2Dに示すように、インクリメント動作を
開始し、この動作で得た書き込みアドレス信号をスイッ
チ34の一方の固定接点34a、レジスタ37及びコン
パレータ38に夫々供給する。
The write address generation circuit 36 is reset to "0" when the control signal becomes low level "0", and then starts the increment operation as shown in FIG. 2D. The write address signal is supplied to one fixed contact 34a of the switch 34, the register 37, and the comparator 38, respectively.

【0043】スイッチ34の固定接点34aに供給され
た書き込みアドレス発生回路36からの書き込みアドレ
ス信号はスイッチ34の可動接点34cを介してメモリ
31に供給される。これによって、図2Bに示す可変長
符号データVaがメモリ31の最も低いアドレスに対応
したエリアから高いアドレスのエリアに順次記憶され
る。
The write address signal from the write address generating circuit 36 supplied to the fixed contact 34a of the switch 34 is supplied to the memory 31 via the movable contact 34c of the switch 34. As a result, the variable length code data Va shown in FIG. 2B is sequentially stored from the area corresponding to the lowest address of the memory 31 to the area of the higher address.

【0044】一方、図2Cに示す制御信号がローレベル
“0”からハイレベル“1”に切り換わると、レジスタ
37は最後に供給された書き込みアドレス信号を保持
し、以降、この書き込みアドレス信号をコンパレータ3
8に供給し続ける。また、書き込みアドレス発生回路3
6には最高値がロードされ、以降図2Dに示すように、
デクリメント動作を開始し、これによって得た書き込み
アドレス信号をコンパレータ38及びスイッチ34を介
してメモリ31に夫々供給する。
On the other hand, when the control signal shown in FIG. 2C is switched from the low level "0" to the high level "1", the register 37 holds the last supplied write address signal. Comparator 3
Continue to supply. In addition, the write address generation circuit 3
6 is loaded with the highest value, and thereafter, as shown in FIG. 2D,
The decrement operation is started, and the write address signals obtained thereby are supplied to the memory 31 via the comparator 38 and the switch 34, respectively.

【0045】そして、図2Bに示すように、可変長符号
データVbがメモリ31の最も高いアドレスに対応する
エリアから低いアドレスに対応するエリアに順次記憶さ
れる。これと共に、コンパレータ38は書き込みアドレ
ス発生回路36からの書き込みアドレス信号、レジスタ
37からの書き込みアドレス信号(可変長符号データV
aの最後のデータが記憶されたメモリ31のアドレスを
示す信号)及びメモリ31の中央のアドレスに基いて上
述したような比較を行い、メモリ31上の可変長符号デ
ータVaを可変長符号データVbで侵食(或いはいわゆ
る上書き)しないように制御する。これによって、デー
タ量の異なる2つの可変長符号ブロックの可変長符号デ
ータVa及びVbを互いのデータを侵食することなくメ
モリ31に良好に記憶することができる。
Then, as shown in FIG. 2B, the variable length code data Vb is sequentially stored from the area corresponding to the highest address to the area corresponding to the lowest address of the memory 31. At the same time, the comparator 38 outputs the write address signal from the write address generation circuit 36 and the write address signal from the register 37 (variable length code data V
a signal indicating the address of the memory 31 in which the last data of a is stored) and the central address of the memory 31 are compared, and the variable length code data Va on the memory 31 is compared with the variable length code data Vb. Control to prevent erosion (or so-called overwriting). Thereby, the variable length code data Va and Vb of the two variable length code blocks having different data amounts can be satisfactorily stored in the memory 31 without eroding each other's data.

【0046】さて、読み出しの場合においては、図2A
に示すようにスイッチ34に供給されるスイッチング信
号がローレベル“0”からハイレベル“1”になると、
スイッチ34の可動接点34cが他方の固定接点34b
に接続され、読み出しアドレス発生回路40からの読み
出しアドレス信号がこのスイッチ34を介してメモリ3
1に供給されるようになる。
Now, in the case of reading, FIG.
As shown in, when the switching signal supplied to the switch 34 changes from low level “0” to high level “1”,
The movable contact 34c of the switch 34 is the other fixed contact 34b
The read address signal from the read address generating circuit 40 is connected to the memory 3 via the switch 34.
1 will be supplied.

【0047】このメモリ31からの可変長符号データV
a及びVbの読み出し期間においては、先ず図2Eに示
すように、入力端子39を介して供給される制御信号が
ローレベル“0”となり、この場合は読み出しアドレス
発生回路40は“0”でリセットされた後に図2Fに示
すようにインクリメント動作を開始し、読み出しアドレ
ス信号をスイッチ34を介してメモリ31に供給する。
Variable-length code data V from this memory 31
In the read period of a and Vb, first, as shown in FIG. 2E, the control signal supplied via the input terminal 39 becomes low level “0”, and in this case, the read address generation circuit 40 is reset to “0”. After that, the increment operation is started as shown in FIG. 2F, and the read address signal is supplied to the memory 31 via the switch 34.

【0048】読み出しアドレス発生回路40は読み出し
アドレス信号を発生すると共に、発生している読み出し
アドレスがメモリ31の中央のアドレスに達したか否か
も図2Eに示す制御信号で検出している。読み出しアド
レスがメモリ31の中央のアドレスに到達したことを検
出すると、読み出しアドレス発生回路40は最高値がロ
ードされた後にデクリメント動作を開始して読み出しア
ドレス信号をスイッチ34を介してメモリ31に供給す
る。
The read address generation circuit 40 generates a read address signal and also detects whether or not the generated read address reaches the central address of the memory 31 by the control signal shown in FIG. 2E. When detecting that the read address has reached the central address of the memory 31, the read address generation circuit 40 starts the decrement operation after the highest value is loaded and supplies the read address signal to the memory 31 via the switch 34. .

【0049】従って、図2Gに示すように、メモリ31
に記憶した可変長符号データVa及びVbが同期符号ブ
ロックの同期符号データSYa及びSYbとして読み出
される。この例では、可変長符号データVaのデータ量
が可変長符号データVbのデータ量よりも多い場合につ
いて説明している(図2Bにおいて時間軸上の長さを異
ならせている)。データ量の異なる2つの可変長符号ブ
ロックの可変長符号データVa及びVbをデータ量の等
しい(図2Gにおいて時間軸上の長さを同一にしてい
る)2つの同期符号ブロックの同期符号データSYa及
びSYbとして出力できるのは、上述の説明から明かな
ように、データ量の多い可変長符号ブロックの可変長符
号データVaの一部を可変長符号ブロックの可変長符号
データVbの一部にして同期符号ブロックの同期符号ブ
ロックデータSYbとして読み出しているからである。
Therefore, as shown in FIG. 2G, the memory 31
The variable length code data Va and Vb stored in the memory are read as the sync code data SYa and SYb of the sync code block. In this example, the case where the data amount of the variable length code data Va is larger than the data amount of the variable length code data Vb is described (the length on the time axis is different in FIG. 2B). The variable-length code data Va and Vb of two variable-length code blocks having different data amounts are the same as each other (the lengths on the time axis are the same in FIG. 2G). As is clear from the above description, it is possible to output as SYb by synchronizing a part of the variable length code data Va of the variable length code block having a large amount of data with a part of the variable length code data Vb of the variable length code block. This is because the synchronous code block data SYb of the code block is read.

【0050】ここで、図5〜図7を順次参照して上述の
処理について更に説明する。
Now, the above-mentioned processing will be further described with reference to FIGS.

【0051】図5は全データ量が2592ビット以下の
場合で、可変長符号データVaのデータ量が可変長符号
データVbのデータ量よりも多い場合について示してい
る。図5Aにおいて実線の矢印は夫々各可変長符号デー
タVa及びVbをファーストビットFbからラストビッ
トLbまで書き込む書き込み方向を示している。また、
図5AにおいてVa1は可変長符号データVaの全デー
タの内、メモリ31の容量の半分(例えば1296ビッ
ト)を超えたデータ分を示している。また2592ビッ
トという数は、1同期符号ブロックを162ワードとし
た場合であり、即ち、2つの同期符号ブロックでは16
2×8×2から全データ量は2592ビットとなる。
FIG. 5 shows a case where the total data amount is 2592 bits or less and the data amount of the variable length code data Va is larger than that of the variable length code data Vb. In FIG. 5A, solid line arrows indicate the writing directions for writing the variable-length code data Va and Vb from the first bit Fb to the last bit Lb, respectively. Also,
In FIG. 5A, Va1 indicates the amount of data that exceeds half the capacity of the memory 31 (for example, 1296 bits) among all the data of the variable length code data Va. The number of 2592 bits means that one sync code block has 162 words, that is, two sync code blocks have 16 bits.
From 2 × 8 × 2, the total data amount is 2592 bits.

【0052】図5A及びBに示すように、可変長符号デ
ータVaのデータ量がメモリ31の容量の1/2を超え
ている場合、図5Aに示す可変長符号データVaが図1
に示したメモリ31にファーストビットFbからラスト
ビットLbまでが実線の矢印で示す方向で記憶され、更
に、この可変長符号データVaのラストビットLbに続
いて図5Bに示す可変長符号データVbがファーストビ
ットFbからラストビットLbの順に実線の矢印で示す
方向で記憶される。
As shown in FIGS. 5A and 5B, when the data amount of the variable length code data Va exceeds 1/2 of the capacity of the memory 31, the variable length code data Va shown in FIG.
The first bit Fb to the last bit Lb are stored in the memory 31 shown in FIG. 3 in the direction indicated by the solid line arrow. Further, the last bit Lb of the variable length code data Va is followed by the variable length code data Vb shown in FIG. 5B. The first bit Fb to the last bit Lb are stored in the order indicated by the solid arrow.

【0053】このように記憶された後は、図5C及びD
に示すように、同期符号ブロックの同期符号データSY
a及びSYbとして固定長で読み出される。読み出し時
においては、メモリ31の中央のアドレスを境に可変長
符号データSYa及びSYbとされるので、図5Dに示
すように、可変長符号データVaの一部Va1は可変長
符号データVbと共に同期符号ブロックの同期符号デー
タSYbとして実線の矢印で示す方向で読み出される。
このとき、図5Dに示すように、同期符号ブロックの同
期符号データSYbとしては、先ず先に可変長符号デー
タVbが実線の矢印で示すようにファーストビットFb
からラストビットLbの順に読み出され、続いて可変長
符号データVaの一部Va1が実線の矢印で示すように
ラストビットLbから最後まで読み出される。
After being stored in this way, FIGS.
, The sync code data SY of the sync code block
It is read with a fixed length as a and SYb. At the time of reading, since the variable-length code data SYa and SYb are set at the central address of the memory 31, a part Va1 of the variable-length code data Va is synchronized with the variable-length code data Vb as shown in FIG. 5D. The synchronous code data SYb of the code block is read in the direction indicated by the solid line arrow.
At this time, as shown in FIG. 5D, as the sync code data SYb of the sync code block, first, the variable length code data Vb is the first bit Fb as shown by the solid arrow.
From the last bit Lb to the last bit, and then a part Va1 of the variable-length code data Va is read from the last bit Lb to the end as indicated by the solid arrow.

【0054】尚、可変長符号データVbのデータ量が1
296ビット以上、且つ、全データ量が2592ビット
以内の場合や、2つの可変長符号データVa及びVbが
何れも1296ビット以下の場合も含む。
The data amount of the variable length code data Vb is 1
This includes a case where the total data amount is 259 bits or more and the total data amount is within 2592 bits, and a case where the two variable length code data Va and Vb are both 1296 bits or less.

【0055】図6は全データ量が2592ビット以上、
且つ、可変長符号データVbのデータ量が1296ビッ
ト以下で、可変長符号データVaのデータ量が可変長符
号データVbのデータ量よりも多い場合について示して
いる。図6Aにおいて実線の矢印は夫々各可変長符号デ
ータVa及びVbをファーストビットFbからラストビ
ットLbまで書き込む書き込み方向を示している。ま
た、図6AにおいてVa1及びVa2は可変長符号デー
タVaの全データの内、メモリ31の容量の半分(例え
ば1296ビット)を超えたデータ分を示している。
FIG. 6 shows that the total data amount is 2592 bits or more,
In addition, the case where the data amount of the variable length code data Vb is 1296 bits or less and the data amount of the variable length code data Va is larger than the data amount of the variable length code data Vb is shown. In FIG. 6A, the solid line arrows indicate the writing directions for writing the variable length code data Va and Vb from the first bit Fb to the last bit Lb, respectively. Further, in FIG. 6A, Va1 and Va2 represent data that exceeds half (for example, 1296 bits) of the capacity of the memory 31 among all the data of the variable length code data Va.

【0056】つまり、図6A及びBに示すように、可変
長符号データVaのデータ量がメモリ31の容量の1/
2を超えている場合、図6Aに示す可変長符号データV
aが図1に示したメモリ31に実線の矢印で示すように
ファーストビットFbからVa1の終わりまでが記憶さ
れる。つまり、図6Aに示す可変長符号データVa2は
メモリ31に記憶されない。更に、この可変長符号デー
タVaのラストビットLbに続いて図6Bに示す可変長
符号データVbが実線の矢印で示すようにファーストビ
ットFbからラストビットLbの順に記憶される。
That is, as shown in FIGS. 6A and 6B, the data amount of the variable length code data Va is 1 / the capacity of the memory 31.
If it exceeds 2, the variable length code data V shown in FIG. 6A
In the memory 31 shown in FIG. 1A, the first bit Fb to the end of Va1 are stored as indicated by the solid arrow. That is, the variable length code data Va2 shown in FIG. 6A is not stored in the memory 31. Further, following the last bit Lb of the variable length code data Va, the variable length code data Vb shown in FIG. 6B is stored in order from the first bit Fb to the last bit Lb as shown by the solid arrow.

【0057】このように記憶された後は、図6C及びD
に示すように、同期符号ブロックの同期符号データSY
a及びSYbとして実線の矢印で示すように固定長で読
み出される。読み出し時においては、メモリ31の中央
のアドレスを境に可変長符号データSYa及びSYbと
されるので、図6Dに示すように、可変長符号データV
aの一部Va1は可変長符号データVbと共に同期符号
ブロックの同期符号データSYbとして実線の矢印で示
す方向で読み出される。このとき、図6Dに示すよう
に、同期符号ブロックの同期符号データSYbとして
は、先ず先に可変長符号データVbが実線の矢印で示す
ようにファーストビットFbからラストビットLbの順
に読み出され、続いて可変長符号データVaの一部Va
1が実線の矢印で示すようにラストビットLbまで読み
出される。
After being stored in this way, FIGS. 6C and 6D are shown.
, The sync code data SY of the sync code block
As a and SYb, they are read out in a fixed length as shown by solid arrows. At the time of reading, since the variable-length code data SYa and SYb are set with the central address of the memory 31 as a boundary, as shown in FIG.
A part Va1 of a is read together with the variable length code data Vb as the sync code data SYb of the sync code block in the direction indicated by the solid arrow. At this time, as shown in FIG. 6D, as the sync code data SYb of the sync code block, first, the variable-length code data Vb is read out in order from the first bit Fb to the last bit Lb as indicated by the solid line arrow. Then, a part Va of the variable-length code data Va
1 is read up to the last bit Lb as indicated by the solid arrow.

【0058】尚、全データ量が2592ビット以上、且
つ、可変長符号データVaのデータ量が1296ビット
以下の場合も含む。また、図6Aに示した可変調符号デ
ータVa2をメモリ31に記憶しないようにできるの
は、例えば図1に示した回路の次段の例えば可変調符号
化回路、あるいはシステムコントローラからの制御信号
(図2C)によって書き込みを制御するからである。
The case where the total data amount is 2592 bits or more and the data amount of the variable length code data Va is 1296 bits or less is also included. Further, the variable code data Va2 shown in FIG. 6A can be prevented from being stored in the memory 31 because, for example, the control signal from the variable code encoder circuit or the system controller at the next stage of the circuit shown in FIG. This is because writing is controlled by FIG. 2C).

【0059】図7は可変長符号データVa及びVbの各
データ量が1296ビット以上の場合について示してい
る。図7Aにおいて実線の矢印は夫々各可変長符号デー
タVa及びVbをファーストビットFbからラストビッ
トLbまで書き込むときの書き込み方向を示している。
また、図7A及びBにおいてVa1及びVb1は夫々可
変長符号データVa及びVbの全データの内、メモリ3
1の容量の半分(例えば1296ビット)を超えたデー
タ分を示している。
FIG. 7 shows a case where each data amount of the variable length code data Va and Vb is 1296 bits or more. In FIG. 7A, solid line arrows indicate the writing directions when writing the variable length code data Va and Vb from the first bit Fb to the last bit Lb, respectively.
7A and 7B, Va1 and Vb1 are the memory 3 of the variable length code data Va and Vb, respectively.
Data that exceeds half the capacity of 1 (for example, 1296 bits) is shown.

【0060】つまり、図7A及びBに示すように、可変
長符号データVa及びVbのデータ量がメモリ31の容
量の1/2を夫々超えている場合、図7Aに示す可変長
符号データVaが図1に示したメモリ31にファースト
ビットFbからVa1の手前までが実線の矢印で示す方
向で記憶される。つまり、図7Aに示す可変長符号デー
タVa1はメモリ31に記憶されない。更に、この可変
長符号データVaに続いて図7Bに示す可変長符号デー
タVbが実線の矢印で示すようにファーストビットFb
からVb1の手前まで記憶される。つまり、図7Bに示
す可変長符号データVb1はメモリ31に記憶されな
い。
That is, as shown in FIGS. 7A and 7B, when the data amount of the variable length code data Va and Vb exceeds 1/2 of the capacity of the memory 31, respectively, the variable length code data Va shown in FIG. In the memory 31 shown in FIG. 1, the first bit Fb to the front of Va1 are stored in the direction indicated by the solid arrow. That is, the variable length code data Va1 shown in FIG. 7A is not stored in the memory 31. Further, the variable-length code data Va is followed by the variable-length code data Vb shown in FIG. 7B as indicated by a solid line arrow Fb.
To Vb1 are stored. That is, the variable length code data Vb1 shown in FIG. 7B is not stored in the memory 31.

【0061】このように記憶された後は、図7C及びD
に示すように、同期符号ブロックの同期符号データSY
a及びSYbとして実線の矢印で示す方向で固定長で読
み出される。読み出し時においては、メモリ31の中央
のアドレスを境に可変長符号データSYa及びSYbと
されるが、この場合においては、既にメモリ31の中央
のアドレスを境に可変長符号データVa及びVbが均等
に記憶されているので、このまま同期符号ブロックの同
期符号データSYa及びSYbとして実線の矢印で示す
方向で読み出される。
After being stored in this way, FIGS.
, The sync code data SY of the sync code block
It is read as a and SYb with a fixed length in the direction indicated by the solid arrow. At the time of reading, the variable-length code data SYa and SYb are set at the center address of the memory 31, but in this case, the variable-length code data Va and Vb are already equal at the center address of the memory 31. Since it is stored in the synchronous code block, the synchronous code data SYa and SYb of the synchronous code block are read as they are in the direction indicated by the solid arrow.

【0062】以上のように、2つの可変長符号ブロック
の大小関係で生じる全ての状態は大きく分けて3つの状
態があり、これをクリアすることであらゆる状態に対応
することができる。また、可変長符号ブロックの境界位
置は、可変長符号を所定のデータ数が得られるまでデコ
ードすることで知ることができる。そのため、可変長符
号ブロックの境界位置を示す情報を同期符号ブロック内
に含ませる必要がなくなり、効率的である。
As described above, all the states caused by the magnitude relation of the two variable-length code blocks are roughly divided into three states, and by clearing them, all states can be dealt with. Further, the boundary position of the variable length code block can be known by decoding the variable length code until a predetermined number of data is obtained. Therefore, it is not necessary to include the information indicating the boundary position of the variable length code block in the sync code block, which is efficient.

【0063】ここで、更に、図9を参照して、図1に示
したディジタルデータ記憶装置の動作について説明す
る。
Here, the operation of the digital data storage device shown in FIG. 1 will be further described with reference to FIG.

【0064】図9A及びBに示すように、可変長符号デ
ータVaのデータ量が1296ビットよりも多く(メモ
リ31の容量2592ビットの1/2+Va1)、可変
長符号データVbのデータ量が1296ビットよりもか
なり少ない場合は、メモリ31には上述した処理によっ
て図9Cにおいて実線の矢印で示すように、低いアドレ
スLadから高いアドレスHadの順に、可変長符号デ
ータVaがファーストビットFbからラストビットLb
の順に記憶される。そして、メモリ31の最高値のアド
レスHadから低いアドレスLadの順に、可変長符号
データVbがファーストビットFbからラストビットL
bの順に記憶される。尚、この図9CにおいてAcはメ
モリ31の中央のアドレスを示す。
As shown in FIGS. 9A and 9B, the data length of the variable length code data Va is larger than 1296 bits (1/2 + Va1 of the capacity of the memory 31 of 2592 bits), and the data length of the variable length code data Vb is 1296 bits. 9C, the variable-length code data Va from the first bit Fb to the last bit Lb are stored in the memory 31 in the order from the low address Lad to the high address Had as indicated by the solid line arrow in FIG. 9C.
Are stored in this order. The variable-length code data Vb is transferred from the first bit Fb to the last bit L in the order of the highest value address Had to the lowest address Lad of the memory 31.
It is stored in the order of b. In FIG. 9C, Ac represents the central address of the memory 31.

【0065】そして、読み出しの際には、図9Dにおい
て実線の矢印で示すように、可変長符号データVaの一
部がファーストビットFbから順次図9Cに示した中央
のアドレスAcの位置まで読み出され、これが同期符号
ブロックの同期符号データSYaとして出力される。
At the time of reading, a part of the variable length code data Va is sequentially read from the first bit Fb to the position of the central address Ac shown in FIG. 9C, as shown by the solid line arrow in FIG. 9D. And is output as the synchronous code data SYa of the synchronous code block.

【0066】そして、図9Eにおいて実線の矢印で示す
ように、可変長符号データVbがファーストビットFb
からラストビットLbまで読み出され、続いて図9Aに
示した可変長符号データVaの一部Va1がラストビッ
トLbから最後まで読み出される。これによって、2つ
の可変長符号データVa及びVbが2つの同期符号ブロ
ックの同期符号データSYa及びSYbに変換される。
Then, as shown by a solid arrow in FIG. 9E, the variable length code data Vb is the first bit Fb.
To the last bit Lb, the part Va1 of the variable-length code data Va shown in FIG. 9A is read from the last bit Lb to the end. As a result, the two variable length code data Va and Vb are converted into the sync code data SYa and SYb of the two sync code blocks.

【0067】説明が前後するが、ここで、DCT計数の
配置方法について図8を参照して説明する。
Before and after the description, the method of arranging the DCT count will be described with reference to FIG.

【0068】画像データは図8Aに示すように、図11
に示したDCT回路3で離散コサイン変換されてDCT
係数データに変換される。この図8の例では図8Bに示
すように、1つのDCTブロックDCT1、DCT2、
DCT3、DCT4、DCT5、・・・・が夫々5つの
DCT係数に変換されたものとする。つまり、DCTブ
ロックDCT1がDCT係数a0〜a4に変換され、D
CTブロックDCT2がDCT係数b0〜b4に変換さ
れ、DCTブロックDCT3がDCT係数c0〜c4に
変換され、DCTブロックDCT4がDCT係数d0〜
d4に変換され、DCTブロックDCT5がDCT係数
e0〜e4に変換される。また、DCT係数の“0”は
直流データで、数字が上がる毎に高周波データになるも
のとする。
The image data is as shown in FIG.
The DCT circuit 3 shown in FIG.
Converted to coefficient data. In the example of FIG. 8, as shown in FIG. 8B, one DCT block DCT1, DCT2,
It is assumed that each of DCT3, DCT4, DCT5, ... Has been converted into five DCT coefficients. That is, the DCT block DCT1 is converted into DCT coefficients a0 to a4, and D
The CT block DCT2 is converted into DCT coefficients b0 to b4, the DCT block DCT3 is converted into DCT coefficients c0 to c4, and the DCT block DCT4 is converted into DCT coefficients d0 to d4.
It is converted into d4, and the DCT block DCT5 is converted into DCT coefficients e0 to e4. Further, the DCT coefficient “0” is DC data, and becomes high frequency data as the number increases.

【0069】次に、可変長符号化する際には、図8Cに
示すように、可変長符号ブロックの先頭に各DCTブロ
ックDCT1、DCT2、DCT3、DCT4、DCT
5、・・・・の直流データ(a0、b0、c0、d0、
e0・・・・)を配置し、以下a1、b1、c1、d
1、e1、・・・・、a2、b2、c2、d2、e2、
・・・・、a3、b3、c3、d3、e3、・・・・、
a4、b4、c4、d4、e4、・・・・のように配置
する。
Next, when performing variable length coding, as shown in FIG. 8C, each DCT block DCT1, DCT2, DCT3, DCT4, DCT is placed at the beginning of the variable length code block.
5, ... DC data (a0, b0, c0, d0,
e0 ... ・) are arranged below, and a1, b1, c1, d
1, e1, ..., a2, b2, c2, d2, e2,
..., a3, b3, c3, d3, e3, ...
Arranged as a4, b4, c4, d4, e4, ....

【0070】このようなデータ配列にした可変長符号デ
ータを記録し、これを再生した場合、もし、図8Cにお
いてDCT係数a2の位置で再生信号の残留データエラ
ーが発生した場合にも、ここにおいて画像の基本的な構
成要素であるDCT係数a0、b0、c0、d0、e
0、・・・・、a1、b1、c1、d1、e1、・・・
・のデータが再生できているので、再生画像としては完
全に破壊されることを免れることができる。これは上述
したように、周波数が低いデータ程画質に与える影響が
大きく、周波数が高いデータ程画質に与える影響が小さ
いからである。
When the variable length code data having such a data array is recorded and reproduced, even if a residual data error of the reproduced signal occurs at the position of the DCT coefficient a2 in FIG. 8C, DCT coefficients a0, b0, c0, d0, e which are the basic components of the image
0, ..., a1, b1, c1, d1, e1, ...
・ Since the data of can be reproduced, the reproduced image can be avoided from being completely destroyed. This is because, as described above, the data having a lower frequency has a larger influence on the image quality, and the data having a higher frequency has a smaller influence on the image quality.

【0071】ディジタルVTRには図11で示したよう
に、誤り訂正符号が用いられているが、これから残留す
るエラーも生じるので、上述したデータ配列を採用する
ことによりこれによる画質への影響も最小限にすること
ができる。
As shown in FIG. 11, an error correction code is used in the digital VTR. However, since an error remains from this, the use of the above-mentioned data array has a minimal effect on the image quality. Can be limited.

【0072】次に、図3を参照して例えば図12に示し
たディジタルVTRの再生系のデコーダ19にディジタ
ルデータ記憶装置を適用する場合について説明する。
Next, referring to FIG. 3, a case where the digital data storage device is applied to the reproducing system decoder 19 of the digital VTR shown in FIG. 12, for example, will be described.

【0073】図において50は例えば図12に示した外
符号エラー訂正回路18からの出力データ、例えば上述
した同期符号ブロックの同期符号データSYa及びSY
bが供給される入力端子、53は図示しないディジタル
VTRのシステムコントローラ等からのスイッチング信
号が供給される入力端子、55は同様に例えばシステム
コントローラ等からの制御信号が供給される入力端子、
52はメモリ51から読み出されるデータ、即ち、可変
長符号データが出力される出力端子、57は図示しない
システムコントローラ等からの制御信号が供給される入
力端子である。
In the figure, reference numeral 50 indicates output data from the outer code error correction circuit 18 shown in FIG. 12, for example, the sync code data SYa and SY of the above-mentioned sync code block.
b is an input terminal, 53 is an input terminal to which a switching signal from a system controller or the like of a digital VTR (not shown) is supplied, and 55 is an input terminal to which a control signal from a system controller or the like is similarly supplied,
Reference numeral 52 is an output terminal from which data read from the memory 51, that is, variable length code data is output, and 57 is an input terminal to which a control signal from a system controller (not shown) or the like is supplied.

【0074】54はスイッチで、入力端子53を介して
供給されるスイッチング信号によってその可動接点54
cが固定接点54aまたは54bに選択的に接続される
よう制御される。書き込みアドレス発生回路56は、入
力端子55に供給される制御信号が例えばローレベル
“0”のときに“0”にリセットされ、この後インクリ
メント動作を開始して書き込みアドレス信号を得、これ
をスイッチ54を介してメモリ51に供給し、制御信号
がハイレベル“1”になると最大値がロードされ、この
後デクリメント動作を開始して書き込みアドレス信号を
得、これをスイッチ54を介してメモリ51に供給す
る。
Reference numeral 54 is a switch, and its movable contact 54 is moved by a switching signal supplied through the input terminal 53.
c is controlled to be selectively connected to the fixed contact 54a or 54b. The write address generation circuit 56 is reset to "0" when the control signal supplied to the input terminal 55 is, for example, low level "0", and then starts the increment operation to obtain the write address signal and switches it. It is supplied to the memory 51 via 54, and the maximum value is loaded when the control signal becomes the high level “1”. After that, the decrement operation is started to obtain the write address signal, and this is sent to the memory 51 via the switch 54. Supply.

【0075】読み出しアドレス発生回路58は入力端子
57に供給される制御信号が例えばローレベル“0”の
ときに“0”にリセットされ、この後インクリメント動
作を開始して読み出しアドレス信号を得、これをスイッ
チ54を介してメモリ31に供給し、制御信号がハイレ
ベル“1”になると最大値がロードされ、この後デクリ
メント動作を開始して読み出しアドレス信号を得、これ
をスイッチ54を介してメモリ51に供給する。
The read address generation circuit 58 is reset to "0" when the control signal supplied to the input terminal 57 is, for example, low level "0", and then starts the increment operation to obtain the read address signal. Is supplied to the memory 31 via the switch 54, and the maximum value is loaded when the control signal becomes the high level “1”. After that, the decrement operation is started to obtain the read address signal, and this is sent to the memory 31 via the switch 54. Supply to 51.

【0076】次に、図3に示したディジタルデータ記憶
装置の動作について図4のタイミングチャートを参照し
て説明する。
Next, the operation of the digital data storage device shown in FIG. 3 will be described with reference to the timing chart of FIG.

【0077】先ず、入力端子50には図4Bに示す同期
符号データSYa及びSYbが供給され、入力端子53
には図4Aに示すスイッチング信号が供給される。書き
込みの場合においては、スイッチング信号がローレベル
“0”となり、このときはスイッチ54の可動接点54
cが固定接点54aに接続される。一方、書き込みアド
レス発生回路56には入力端子55を介して図4Cに示
す制御信号が夫々供給される。
First, the synchronous code data SYa and SYb shown in FIG. 4B are supplied to the input terminal 50, and the input terminal 53.
Is supplied with the switching signal shown in FIG. 4A. In the case of writing, the switching signal becomes low level “0”, and at this time, the movable contact 54 of the switch 54
c is connected to the fixed contact 54a. On the other hand, the control signals shown in FIG. 4C are supplied to the write address generation circuit 56 via the input terminal 55.

【0078】書き込みアドレス発生回路56は、制御信
号がローレベル“0”となったときに“0”にリセット
され、この後図4Dに示すように、インクリメント動作
を開始し、この動作で得た書き込みアドレス信号をスイ
ッチ54の一方の固定接点54aに供給する。
The write address generation circuit 56 is reset to "0" when the control signal becomes the low level "0", and thereafter the increment operation is started as shown in FIG. The write address signal is supplied to one fixed contact 54a of the switch 54.

【0079】スイッチ54の固定接点54aに供給され
た書き込みアドレス発生回路56からの書き込みアドレ
ス信号はスイッチ54の可動接点54cを介してメモリ
51に供給される。これによって、図4Bに示す同期符
号データSYaがメモリ51の最も低いアドレスに対応
したエリアから高いアドレスのエリアに順次記憶され
る。
The write address signal from the write address generating circuit 56 supplied to the fixed contact 54a of the switch 54 is supplied to the memory 51 via the movable contact 54c of the switch 54. As a result, the synchronous code data SYa shown in FIG. 4B is sequentially stored from the area corresponding to the lowest address of the memory 51 to the area of the higher address.

【0080】一方、図4Cに示す制御信号がローレベル
“0”からハイレベル“1”に切り換わると、書き込み
アドレス発生回路36には最高値がロードされ、以降書
き込みアドレス発生回路36は、図4Dに示すようにデ
クリメント動作を開始し、これによって得た書き込みア
ドレス信号をスイッチ54を介してメモリ51に夫々供
給する。
On the other hand, when the control signal shown in FIG. 4C switches from the low level "0" to the high level "1", the highest value is loaded into the write address generation circuit 36, and the write address generation circuit 36 thereafter As shown in FIG. 4D, the decrement operation is started, and the write address signals obtained thereby are supplied to the memory 51 via the switch 54, respectively.

【0081】そして、図4Bに示すように、同期符号デ
ータSYbがメモリ51の最も高いアドレスに対応する
エリアから低いアドレスに対応するエリアに順次記憶さ
れる。
Then, as shown in FIG. 4B, the synchronous code data SYb is sequentially stored from the area corresponding to the highest address to the area corresponding to the lowest address of the memory 51.

【0082】さて、読み出しの場合においては、図4A
に示すようにスイッチ54に供給されるスイッチング信
号がローレベル“0”からハイレベル“1”になると、
スイッチ54の可動接点54cが他方の固定接点54b
に接続され、読み出しアドレス発生回路58からの読み
出しアドレス信号がこのスイッチ54を介してメモリ5
1に供給されるようになる。
Now, in the case of reading, FIG.
When the switching signal supplied to the switch 54 changes from low level “0” to high level “1” as shown in
The movable contact 54c of the switch 54 is the other fixed contact 54b.
The read address signal from the read address generating circuit 58 is connected to the memory 5 via the switch 54.
1 will be supplied.

【0083】このメモリ51からの同期符号データSY
a及びSYbの読み出し期間においては、先ず図4Eに
示すように、入力端子57を介して供給される制御信号
がローレベル“0”となり、この場合は読み出しアドレ
ス発生回路58は“0”でリセットされた後に図4Fに
示すようにインクリメント動作を開始し、読み出しアド
レス信号をスイッチ54を介してメモリ51に供給す
る。
Synchronous code data SY from this memory 51
In the read period of a and SYb, first, as shown in FIG. 4E, the control signal supplied through the input terminal 57 becomes low level “0”, and in this case, the read address generation circuit 58 is reset to “0”. After that, the increment operation is started as shown in FIG. 4F, and the read address signal is supplied to the memory 51 via the switch 54.

【0084】読み出しアドレス発生回路58は読み出し
アドレス信号を発生すると共に、発生している読み出し
アドレスがメモリ51の中央のアドレスに達したか否か
も図4Eに示す制御信号で検出している。読み出しアド
レスがメモリ51の中央のアドレスに到達したことを検
出すると、読み出しアドレス発生回路58は最高値がロ
ードされた後にデクリメント動作を開始して読み出しア
ドレス信号をスイッチ54を介してメモリ51に供給す
る。
The read address generation circuit 58 generates a read address signal and also detects whether or not the read address generated has reached the central address of the memory 51 by the control signal shown in FIG. 4E. When detecting that the read address has reached the central address of the memory 51, the read address generation circuit 58 starts the decrement operation after the highest value is loaded and supplies the read address signal to the memory 51 via the switch 54. .

【0085】従って、図4Gに示すように、メモリ51
に記憶した同期符号データSYa及びSYbが可変長符
号ブロックの可変長符号データVa及びVbとして読み
出される。この例では、可変長符号データVaのデータ
量が可変長符号データVbのデータ量よりも多い場合に
ついて説明している(図4Gにおいて時間軸上の長さを
異ならせている)。
Therefore, as shown in FIG. 4G, the memory 51
The synchronous code data SYa and SYb stored in the above are read as the variable length code data Va and Vb of the variable length code block. In this example, the case where the data amount of the variable length code data Va is larger than the data amount of the variable length code data Vb is described (the length on the time axis is different in FIG. 4G).

【0086】尚、同じデータ量の同期符号ブロックの同
期符号データSYa及びSYbからデータ量の異なる可
変長符号データVa及びVbを得ることができるのは、
図示せずも、メモリ51の次段には可変長符号化回路等
が接続されているからである。可変長符号化回路でデコ
ードされる符号の数をカウントすることにより、可変長
符号データVaの最後のデータの位置を検出することが
できる。つまり、可変長符号データVa及びVbの区切
りのアドレスデータを検出することができるのである。
これが、上述した入力端子39を介して読み出しアドレ
ス発生回路40に供給される制御信号の元となる。
The variable length code data Va and Vb having different data amounts can be obtained from the sync code data SYa and SYb of the sync code blocks having the same data amount.
This is because, although not shown, a variable length coding circuit or the like is connected to the next stage of the memory 51. The position of the last data of the variable length code data Va can be detected by counting the number of codes decoded by the variable length coding circuit. That is, it is possible to detect the address data at the delimiter between the variable length code data Va and Vb.
This is the source of the control signal supplied to the read address generation circuit 40 via the input terminal 39 described above.

【0087】次に、図10を参照して図3に示したディ
ジタルデータ記憶装置の動作について更に説明する。
The operation of the digital data storage device shown in FIG. 3 will be further described with reference to FIG.

【0088】図10A及びBに示すように、同期符号デ
ータSYaが可変長符号データVa、同期符号データS
Ybが可変長符号データVb及び可変長符号データVa
の一部Va1で構成されている場合は、図10Cに示す
ように、可変長符号データVaとその一部だったVa1
を連続して出力し、この次に可変長符号データVbを出
力するようにしなければならない。尚、この図10Cに
おいてAcはメモリ31の中央のアドレスを示す。
As shown in FIGS. 10A and 10B, the sync code data SYa is the variable length code data Va and the sync code data S.
Yb is variable length code data Vb and variable length code data Va
10C, the variable-length code data Va and the partial Va1 of the variable-length code data Va, as shown in FIG. 10C.
Must be continuously output, and then the variable length code data Vb must be output. In FIG. 10C, Ac represents the central address of the memory 31.

【0089】上述した処理を行うと、図10Dにおいて
実線の矢印で示すように、先ず同期符号データSYa
(可変長符号データVa1を含まない)がメモリ51に
低いアドレスLadから高いアドレスHadの順、且
つ、ファーストビットFbからラストビットLbの順に
記憶される。そして、実線の矢印で示すように、メモリ
51の最高値のアドレスHadから低いアドレスLad
の順に、同期符号データSYbの内、可変長符号データ
Vbに相当するデータはファーストビットFbからラス
トビットLbの順に記憶され、可変長符号データVa1
に相当するデータはラストビットLbから最後まで記憶
される。
When the above-mentioned processing is carried out, as shown by the solid line arrow in FIG. 10D, first, the synchronous code data SYa.
(The variable length code data Va1 is not included) is stored in the memory 51 in the order from the low address Lad to the high address Had, and in the order from the first bit Fb to the last bit Lb. Then, as indicated by the solid arrow, the address Had from the highest value of the memory 51 to the lower address Lad
Of the sync code data SYb, the data corresponding to the variable length code data Vb is stored in order from the first bit Fb to the last bit Lb, and the variable length code data Va1 is stored.
The data corresponding to is stored from the last bit Lb to the end.

【0090】そして、読み出しの際には、図10Eにお
いて実線の矢印で示すように、可変長符号データVaが
ファーストビットFbから順次読み出され、しかも同期
符号データSYbの一部とされていた可変長符号データ
Va1も出力され、これらが可変長符号データVaとし
て出力される。
At the time of reading, as shown by the solid line arrow in FIG. 10E, the variable-length code data Va is sequentially read from the first bit Fb, and is a part of the synchronous code data SYb. The long code data Va1 is also output, and these are output as variable-length code data Va.

【0091】そして、図10Fにおいて実線の矢印で示
すように、可変長符号データVbがファーストビットF
bからラストビットLbまで読み出される。これによっ
て、2つの同期符号データSYa及びSYbが2つの可
変長符号データVa及びVbに変換される。
Then, as shown by a solid arrow in FIG. 10F, the variable length code data Vb is the first bit F.
The bits from b to the last bit Lb are read. As a result, the two sync code data SYa and SYb are converted into two variable length code data Va and Vb.

【0092】このように、本例においては、エンコーダ
側において可変長符号データVa及びVbをメモリ31
に記憶する際に、可変長符号データVaをメモリ51の
アドレスの低い方から順次高い方に記憶し、可変長符号
データVbをメモリのアドレスの高い方から低い方に順
次記憶すると共に、コンパレータ38でレジスタ37か
らのアドレス、書き込みアドレス発生回路36からの書
き込みアドレス、中央のアドレスを比較し、書き込みア
ドレスが中央のアドレスより大きい場合、並びに書き込
みアドレスが中央のアドレスより小さく、且つ、書き込
みアドレスがレジスタ37からのアドレスより大きい場
合にのみ、メモリ31に対する可変長符号データVbの
書き込みを行い、読み出し時には低いアドレスから中央
のアドレスまで読み出した可変長符号データを同期符号
データSYaとし、最高値のアドレスから中央のアドレ
スまで読み出した可変長符号データを同期符号データS
Ybとして出力するようにしたので、可変長符号データ
から同期符号データへの変換を簡単にし、記憶容量の利
用効率を向上させ、構成を簡単にできると共に、画像情
報の欠落量を最小限に抑えることができる。
As described above, in this example, the variable length code data Va and Vb are stored in the memory 31 on the encoder side.
When storing the variable length code data Va in the memory 51, the variable length code data Va is sequentially stored from the lower address of the memory 51 to the higher address, and the variable length code data Vb is sequentially stored from the higher address of the memory to the lower address. The address from the register 37, the write address from the write address generation circuit 36, and the central address are compared with each other. When the write address is larger than the central address, the write address is smaller than the central address, and the write address is the register. Only when it is larger than the address from 37, the variable-length code data Vb is written to the memory 31, and at the time of reading, the variable-length code data read from the lower address to the central address is set as the synchronization code data SYa. Read to the center address Synchronization code data S a-length encoded data
Since the data is output as Yb, the conversion from the variable length code data to the synchronous code data is simplified, the utilization efficiency of the storage capacity is improved, the configuration can be simplified, and the loss amount of image information is minimized. be able to.

【0093】また、本例においては、デコーダ側におい
て同期符号データSYa及びSYbをメモリ51に記憶
する際に、同期符号データSYaをメモリ51のアドレ
スの低い方から順次高い方に記憶し、同期符号データS
Ybをメモリのアドレスの高い方から低い方に順次記憶
し、読み出し時においては、低いアドレスから可変長符
号データVaの最後まで読み出したデータを可変長符号
データVaとし、最高値のアドレスから可変長符号デー
タVbの最後まで読み出したデータを可変長符号データ
Vbとして夫々出力するようにしたので、エンコーダ側
で生成した同期符号データから可変長符号データを得る
ことができ、記憶容量の利用効率を向上させ、構成を簡
単にできると共に、画像情報の欠落量を最小限に抑える
ことができる。
Further, in this example, when storing the synchronous code data SYa and SYb on the decoder side in the memory 51, the synchronous code data SYa is stored in order from the lower address of the memory 51 to the higher address. Data S
Yb is sequentially stored from the higher address to the lower address of the memory, and at the time of reading, the data read from the low address to the end of the variable length code data Va is set as the variable length code data Va, and the variable of the highest value is changed to the variable length. Since the data read to the end of the code data Vb is output as the variable-length code data Vb, the variable-length code data can be obtained from the synchronous code data generated on the encoder side, and the utilization efficiency of the storage capacity is improved. Thus, the configuration can be simplified and the amount of missing image information can be minimized.

【0094】尚、上述の例においてはディジタルVTR
に適用する場合について説明したが可変長符号を用いる
ものであれば、例えば高能率符号化装置等、圧縮部を備
えたあらゆる機器に適用しても上述と同様の効果を得る
ことができる。
In the above example, the digital VTR
However, as long as the variable-length code is used, the same effect as described above can be obtained even if the present invention is applied to any device including a compression unit such as a high-efficiency coding device.

【0095】また、上述の実施例は本発明の一例であ
り、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成
が取り得ることは勿論である。
The above-described embodiment is an example of the present invention, and it goes without saying that various other configurations can be adopted without departing from the gist of the present invention.

【0096】[0096]

【発明の効果】上述せる本発明によれば、記憶手段に第
1の入力ディジタルデータを記憶し、次に第2の入力デ
ィジタルデータを記憶しているときに、比較手段におい
て、書き込みアドレス記憶手段に記憶した書き込みアド
レス信号と、現在書き込みアドレス発生手段が発生して
いる書き込みアドレス信号が一致するまで第2の入力デ
ィジタルデータを記憶手段に記憶するようにしたので、
メモリの記憶容量の利用効率を向上させ、情報の欠落量
を少なくすることができる。
According to the present invention described above, when the first input digital data is stored in the storage means and then the second input digital data is stored in the storage means, the write address storage means is provided in the comparison means. Since the second input digital data is stored in the storage means until the write address signal stored in 1 and the write address signal currently generated by the write address generation means match.
It is possible to improve the utilization efficiency of the storage capacity of the memory and reduce the amount of missing information.

【0097】更に上述において本発明によれば、第1及
び第2のディジタルデータを夫々可変長符号ブロックの
データとした場合、これら第1及び第2のディジタルデ
ータを記憶手段に記憶することにより、2つの同期符号
ブロックを生成するようにしたので、上述の効果に加
え、簡単な構成で同期符号ブロックを生成することがで
きる。
Further, according to the present invention described above, when the first and second digital data are data of the variable length code block, respectively, by storing these first and second digital data in the storage means, Since two sync code blocks are generated, it is possible to generate the sync code blocks with a simple configuration in addition to the above effects.

【0098】更に上述において本発明の構成によれば、
可変長ブロックにおけるデータの配列を重要度の高い順
に並べるようにしたので、上述の効果に加え、例えばV
TR等に適用した場合においては、VTRの残留エラー
から受ける画質劣化を最小限に抑えることができる。
Further, according to the configuration of the present invention described above,
Since the data arrays in the variable-length block are arranged in descending order of importance, in addition to the above effects, for example, V
When applied to a TR or the like, it is possible to minimize the image quality deterioration caused by the residual error of the VTR.

【0099】また上述せる本発明によれば、記憶手段に
第1の入力データを記憶するときには最小の書き込みア
ドレス信号から順次歩進する書き込みアドレス信号を供
給し、記憶手段に第2の入力ディジタルデータを記憶す
るときには、第1の入力ディジタルデータを記憶手段に
記憶するときとは逆に最大の書き込みアドレス信号から
順次歩進する書き込みアドレス信号を記憶手段に供給
し、記憶手段に記憶した第1の入力ディジタルデータを
読み出す場合に、最小の読み出しアドレス信号から順次
歩進する読み出しアドレス信号を供給し、記憶手段に記
憶した第2の入力ディジタルデータを読み出す場合に、
第1の入力ディジタルデータを記憶手段から読み出すと
きとは逆に最大の読み出しアドレス信号から順次歩進す
る読み出しアドレス信号を記憶手段に供給するようにし
たので、メモリの記憶容量の利用効率を向上させ、情報
の欠落量を少なくすることができる。
Further, according to the present invention described above, when the first input data is stored in the storage means, the write address signal which is sequentially stepped from the minimum write address signal is supplied, and the second input digital data is supplied to the storage means. In contrast to the case where the first input digital data is stored in the storage means, a write address signal that sequentially advances from the maximum write address signal is supplied to the storage means, and the first stored in the storage means. When reading the input digital data, a read address signal that sequentially advances from the minimum read address signal is supplied, and when reading the second input digital data stored in the storage means,
On the contrary to the case of reading the first input digital data from the storage means, the read address signal which sequentially advances from the maximum read address signal is supplied to the storage means, so that the utilization efficiency of the storage capacity of the memory is improved. , It is possible to reduce the amount of missing information.

【0100】更に上述において本発明によれば、第1及
び第2のディジタルデータが夫々同期符号ブロックのデ
ータの場合、これら第1及び第2のディジタルデータを
記憶手段に記憶することにより、2つの可変長符号ブロ
ックを生成するようにしたので、上述の効果に加え、簡
単な構成で可変長符号ブロックを生成することができ
る。
Further, according to the present invention described above, when the first and second digital data are data of the synchronous code block, respectively, by storing these first and second digital data in the storage means, two Since the variable-length code block is generated, the variable-length code block can be generated with a simple configuration in addition to the above effect.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明ディジタルデータ記憶装置の一実施例を
示す構成図である。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a digital data storage device of the present invention.

【図2】本発明ディジタルデータ記憶装置の一実施例の
動作を説明するための説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram for explaining the operation of one embodiment of the digital data storage device of the present invention.

【図3】本発明ディジタルデータ記憶装置の一実施例を
示す構成図である。
FIG. 3 is a block diagram showing an embodiment of a digital data storage device of the present invention.

【図4】本発明ディジタルデータ記憶装置の一実施例の
動作を説明するためのタイミングチャートである。
FIG. 4 is a timing chart for explaining the operation of one embodiment of the digital data storage device of the present invention.

【図5】本発明ディジタルデータ記憶装置の一実施例の
動作を説明するための説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram for explaining the operation of one embodiment of the digital data storage device of the present invention.

【図6】本発明ディジタルデータ記憶装置の一実施例の
動作を説明するための説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram for explaining the operation of one embodiment of the digital data storage device of the present invention.

【図7】本発明ディジタルデータ記憶装置の一実施例の
動作を説明するための説明図である。
FIG. 7 is an explanatory diagram for explaining the operation of one embodiment of the digital data storage device of the present invention.

【図8】本発明ディジタルデータ記憶装置の一実施例の
動作を説明するための説明図である。
FIG. 8 is an explanatory diagram for explaining the operation of one embodiment of the digital data storage device of the present invention.

【図9】本発明ディジタルデータ記憶装置の一実施例の
動作を説明するための説明図である。
FIG. 9 is an explanatory diagram for explaining the operation of one embodiment of the digital data storage device of the present invention.

【図10】本発明ディジタルデータ記憶装置の一実施例
の動作を説明するための説明図である。
FIG. 10 is an explanatory diagram for explaining the operation of one embodiment of the digital data storage device of the present invention.

【図11】ディジタルVTRの記録系の例を示す構成図
である。
FIG. 11 is a configuration diagram showing an example of a recording system of a digital VTR.

【図12】ディジタルVTRの再生系の例を示す構成図
である。
FIG. 12 is a configuration diagram showing an example of a reproduction system of a digital VTR.

【図13】従来のディジタルデータ記憶装置の動作を説
明するための説明図である。
FIG. 13 is an explanatory diagram for explaining the operation of the conventional digital data storage device.

【図14】積符号の構成を示す説明図である。FIG. 14 is an explanatory diagram showing the structure of a product code.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

31、51 メモリ 36、56 書き込みアドレス発生回路 40、58 読み出しアドレス発生回路 37 レジスタ 38 コンパレータ 31, 51 Memory 36, 56 Write address generation circuit 40, 58 Read address generation circuit 37 Register 38 Comparator

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【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成5年9月14日[Submission date] September 14, 1993

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0036[Correction target item name] 0036

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0036】コンパレータ38は入力端子35を介して
供給される制御信号がハイレベル“1”のときにレジス
タ37から供給される書き込みアドレス信号、書き込み
アドレス発生回路36から供給される書き込みアドレス
信号及びメモリ31の中央のアドレスを比較し、その比
較結果をメモリ31の例えば書き込み/読み出し制御端
子に供給する。書き込みアドレス発生回路36からの書
き込みアドレス信号が示すアドレスをADx、レジスタ
37から供給される書き込みアドレス信号が示すアドレ
スをADy、メモリ31の中央のアドレスをADzとし
た場合、コンパレータ38の比較結果により、次のよう
にメモリ31に対する書き込みが制御される。
The comparator 38 is a write address signal supplied from the register 37, a write address signal supplied from the write address generation circuit 36 and a memory when the control signal supplied via the input terminal 35 is at the high level "1". The central address of 31 is compared, and the comparison result is supplied to, for example, the write / read control terminal of the memory 31. When the address indicated by the write address signal from the write address generation circuit 36 is ADx, the address indicated by the write address signal supplied from the register 37 is ADy, and the central address of the memory 31 is ADz, the comparison result of the comparator 38 indicates that Writing to the memory 31 is controlled as follows.

【手続補正2】[Procedure Amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0037[Name of item to be corrected] 0037

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0037】すなわち、ADx>ADzのときにメモリ
31に対する可変長符号データVbの書き込みが許可さ
れ、また、ADx<ADz且つADx>ADyのときに
可変長符号データVbのメモリ31に対する書き込みが
許可される。尚、Vaはコンパレータ38の制御を受け
ることなく全部のデータがメモリ31に書き込まれる。
[0037] That is, ADx> writing variable length code data V b to the memory 31 when the ADz is allowed, also the writing to the memory 31 of the variable length code data Vb when ADx <ADz and ADx> ADy Allowed Note that Va is controlled by the comparator 38.
All data is written in the memory 31 without any need.

【手続補正3】[Procedure 3]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0038[Correction target item name] 0038

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0038】これによって、可変長符号データVaとV
bのデータ量が異なっても、可変長符号データVaとV
bのデータ量の和がメモリ31の容量より小さい場合
に、互いのデータをメモリ31において侵食することな
く記憶することができる。
As a result, the variable length code data Va and V
Even if the data amount of b is different, the variable length code data Va and V
When the sum of the data amount of b is smaller than the capacity of the memory 31
In addition, mutual data can be stored in the memory 31 without being eroded.

【手続補正4】[Procedure amendment 4]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0045[Name of item to be corrected] 0045

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0045】そして、図2Bに示すように、可変長符号
データVbがメモリ31の最も高いアドレスに対応する
エリアから低いアドレスに対応するエリアに順次記憶さ
れる。これと共に、コンパレータ38は書き込みアドレ
ス発生回路36からの書き込みアドレス信号、レジスタ
37からの書き込みアドレス信号(可変長符号データV
aの最後のデータが記憶されたメモリ31のアドレスを
示す信号)及びメモリ31の中央のアドレスに基いて上
述したような比較を行い、メモリ31上の可変長符号デ
ータVaを可変長符号データVbで侵食(或いはいわゆ
る上書き)しないように制御する。これによって、デー
タ量の異なる2つの可変長符号ブロックの可変長符号デ
ータVa及びVbを可変長符号データVaとVbのデー
タ量の和がメモリ31の容量より小さい場合には互いの
データを侵食することなくメモリ31に良好に記憶する
ことができる。
Then, as shown in FIG. 2B, the variable length code data Vb is sequentially stored from the area corresponding to the highest address to the area corresponding to the lowest address of the memory 31. At the same time, the comparator 38 outputs the write address signal from the write address generation circuit 36 and the write address signal from the register 37 (variable length code data V
a signal indicating the address of the memory 31 in which the last data of a is stored) and the central address of the memory 31 are compared, and the variable length code data Va on the memory 31 is compared with the variable length code data Vb. Control to prevent erosion (or so-called overwriting). As a result, the variable-length code data Va and Vb of the two variable-length code blocks having different data amounts are converted into the data of the variable-length code data Va and Vb.
If the sum of the data amounts is smaller than the capacity of the memory 31, the data can be satisfactorily stored in the memory 31 without eroding each other's data.

【手続補正5】[Procedure Amendment 5]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0058[Name of item to be corrected] 0058

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0058】尚、全データ量が2592ビット以上、且
つ、可変長符号データVaのデータ量が1296ビット
以下の場合も含む。また、図6Aに示した可変長符号デ
ータVa2をメモリ31に記憶しないようにできるのは
図1のコンパレータ38により書き込みが制御されるか
らである。
The case where the total data amount is 2592 bits or more and the data amount of the variable length code data Va is 1296 bits or less is also included. Further, the variable length code data Va2 shown in FIG. 6A can be prevented from being stored in the memory 31.
Whether writing is controlled by the comparator 38 in FIG.
It is.

【手続補正6】[Procedure correction 6]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0067[Correction target item name] 0067

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0067】説明が前後するが、ここで、DCT数の
配置方法について図8を参照して説明する。
[0067] Description may be around, but will now be described with reference to FIG. 8 the arrangement method of the DCT coefficients.

【手続補正7】[Procedure Amendment 7]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0080[Correction target item name] 0080

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0080】一方、図4Cに示す制御信号がローレベル
“0”からハイレベル“1”に切り換わると、書き込み
アドレス発生回路6には最高値がロードされ、以降書
き込みアドレス発生回路6は、図4Dに示すようにデ
クリメント動作を開始し、これによって得た書き込みア
ドレス信号をスイッチ54を介してメモリ51に夫々供
給する。
[0080] On the other hand, when the control signal shown in FIG. 4C is switched from the low level "0" to high level "1", the maximum value is loaded in the write address generator circuit 5 6, the write address generating circuit 5 6 or later 4D, the decrement operation is started, and the write address signals obtained thereby are supplied to the memory 51 via the switch 54, respectively.

【手続補正8】[Procedure Amendment 8]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0084[Correction target item name] 0084

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0084】読み出しアドレス発生回路58は読み出し
アドレス信号を発生すると共に、発生している読み出し
アドレスがVaとVbの境界のアドレスに達したか否か
も図4Eに示す制御信号で検出している。読み出しアド
レスがVaとVbの境界のアドレスに到達したことを検
出すると、読み出しアドレス発生回路58は最高値がロ
ードされた後にデクリメント動作を開始して読み出しア
ドレス信号をスイッチ54を介してメモリ51に供給す
る。
The read address generation circuit 58 generates a read address signal, and also detects whether the generated read address reaches the address on the boundary between Va and Vb by the control signal shown in FIG. 4E. When detecting that the read address reaches the address on the boundary between Va and Vb , the read address generation circuit 58 starts the decrement operation after the maximum value is loaded and supplies the read address signal to the memory 51 via the switch 54. To do.

【手続補正9】[Procedure Amendment 9]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0086[Correction target item name] 0086

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0086】尚、同じデータ量の同期符号ブロックの同
期符号データSYa及びSYbからデータ量の異なる可
変長符号データVa及びVbを得ることができるのは、
図示せずも、メモリ51の次段には可変長符号化回路等
が接続されているからである。可変長符号化回路でデコ
ードされる符号の数をカウントすることにより、可変長
符号データVaの最後のデータの位置を検出することが
できる。つまり、可変長符号データVa及びVbの区切
りのアドレスデータを検出することができるのである。
これが、上述した入力端子57を介して読み出しアドレ
ス発生回路58に供給される制御信号となる。
The variable length code data Va and Vb having different data amounts can be obtained from the sync code data SYa and SYb of the sync code blocks having the same data amount.
This is because, although not shown, a variable length coding circuit or the like is connected to the next stage of the memory 51. The position of the last data of the variable length code data Va can be detected by counting the number of codes decoded by the variable length coding circuit. That is, it is possible to detect the address data at the delimiter between the variable length code data Va and Vb.
This is the control signal supplied to the read address generating circuit 58 through the input terminal 57 described above.

【手続補正10】[Procedure Amendment 10]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0089[Correction target item name] 0089

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0089】上述した処理を行うために、図10Dにお
いて実線の矢印で示すように、先ず同期符号データSY
a(可変長符号データVa1を含まない)がメモリ51
に低いアドレスLadから高いアドレスHadの順、且
つ、ファーストビットFbからラストビットLbの順に
記憶される。そして、実線の矢印で示すように、メモリ
51の最高値のアドレスHadから低いアドレスLad
の順に、同期符号データSYbの内、可変長符号データ
Vbに相当するデータはファーストビットFbからラス
トビットLbの順に記憶され、可変長符号データVa1
に相当するデータはラストビットLbから最後まで記憶
される。
In order to carry out the above-mentioned processing, as shown by the solid line arrow in FIG.
a (not including the variable length code data Va1) is the memory 51
Are stored in order from the lowest address Lad to the highest address Had, and from the first bit Fb to the last bit Lb. Then, as indicated by the solid arrow, the address Had from the highest value of the memory 51 to the lower address Lad
Of the sync code data SYb, the data corresponding to the variable length code data Vb is stored in order from the first bit Fb to the last bit Lb, and the variable length code data Va1 is stored.
The data corresponding to is stored from the last bit Lb to the end.

【手続補正11】[Procedure Amendment 11]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0092[Correction target item name] 0092

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0092】このように、本例においては、エンコーダ
側において可変長符号データVa及びVbをメモリ31
に記憶する際に、可変長符号データVaをメモリ1の
アドレスの低い方から順次高い方に記憶し、可変長符号
データVbをメモリのアドレスの高い方から低い方に順
次記憶すると共に、コンパレータ38でレジスタ37か
らのアドレス、書き込みアドレス発生回路36からの書
き込みアドレス、中央のアドレスを比較し、書き込みア
ドレスが中央のアドレスより大きい場合、並びに書き込
みアドレスが中央のアドレスより小さく、且つ、書き込
みアドレスがレジスタ37からのアドレスより大きい場
合にのみ、メモリ31に対する可変長符号データVbの
書き込みを行い、読み出し時には低いアドレスから中央
のアドレスまで読み出した可変長符号データを同期符号
データSYaとし、最高値のアドレスから中央のアドレ
スまで読み出した可変長符号データを同期符号データS
Ybとして出力するようにしたので、可変長符号データ
から同期符号データへの変換を簡単にし、記憶容量の利
用効率を向上させ、構成を簡単にできると共に、画像情
報の欠落量を最小限に抑えることができる。
As described above, in this example, the variable length code data Va and Vb are stored in the memory 31 on the encoder side.
When storing the variable length code data Va, the variable length code data Va is sequentially stored from the lower address of the memory 31 to the higher address, and the variable length code data Vb is sequentially stored from the higher address of the memory to the lower address. At 38, the address from the register 37, the write address from the write address generation circuit 36, and the central address are compared. If the write address is larger than the central address, and if the write address is smaller than the central address and the write address is Only when it is larger than the address from the register 37, the variable length code data Vb is written to the memory 31, and at the time of reading, the variable length code data read from the low address to the central address is set as the synchronization code data SYa, and the address of the highest value is set. To the central address The variable length code data is converted to the sync code data S.
Since it is output as Yb, the conversion from the variable length code data to the synchronous code data is simplified, the utilization efficiency of the storage capacity is improved, the configuration can be simplified, and the loss amount of image information is minimized. be able to.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H04N 7/133 Z ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI technical display location H04N 7/133 Z

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1及び第2の入力ディジタルデータを
記憶する記憶手段と、 この記憶手段に上記第1の入力データを記憶するときに
は最小の書き込みアドレス信号から順次歩進する書き込
みアドレス信号を供給し、上記記憶手段に上記第2の入
力ディジタルデータを記憶するときには、上記第1の入
力ディジタルデータを上記記憶手段に記憶するときとは
逆に最大の書き込みアドレス信号から順次歩進する書き
込みアドレス信号を上記記憶手段に供給する書き込みア
ドレス発生手段と、 上記記憶手段に読み出しアドレス信号を供給する読み出
しアドレス発生手段と、 上記第1の入力ディジタルデータを上記記憶手段に記憶
した時点での上記書き込みアドレス発生手段からの書き
込みアドレス信号を記憶する書き込みアドレス記憶手段
と、 上記第2の入力ディジタルデータを上記記憶手段に記憶
しているときに、上記書き込みアドレス発生手段からの
書き込みアドレス信号及び上記書き込みアドレス記憶手
段に記憶した書き込みアドレス信号を比較する比較手段
とを有し、 上記記憶手段に上記第1の入力ディジタルデータを記憶
し、次に上記第2の入力ディジタルデータを記憶してい
るときに、上記比較手段において、上記書き込みアドレ
ス記憶手段に記憶した書き込みアドレス信号と、現在上
記書き込みアドレス発生手段が発生している書き込みア
ドレス信号が一致するまで上記第2の入力ディジタルデ
ータを上記記憶手段に記憶するようにしたことを特徴と
するディジタルデータ記憶装置。
1. A storage means for storing first and second input digital data, and a write address signal which sequentially advances from a minimum write address signal when storing the first input data in the storage means. However, when the second input digital data is stored in the storage means, a write address signal is sequentially incremented from the maximum write address signal, contrary to the case where the first input digital data is stored in the storage means. To the storage means, read address generation means for supplying a read address signal to the storage means, and write address generation at the time when the first input digital data is stored in the storage means. Write address storage means for storing a write address signal from the means, It has a comparing means for comparing the write address signal from the write address generating means and the write address signal stored in the write address storing means when the second input digital data is stored in the storing means. When the first input digital data is stored in the storage means and then the second input digital data is stored in the storage means, the write address signal stored in the write address storage means is stored in the comparison means. A digital data storage device, characterized in that the second input digital data is stored in the storage means until the write address signals currently generated by the write address generation means coincide with each other.
【請求項2】 上記第1及び第2のディジタルデータは
夫々可変長符号ブロックのデータであり、これら第1及
び第2のディジタルデータを上記記憶手段に記憶するこ
とにより、2つの同期符号ブロックを生成することを特
徴とする請求項1記載のディジタルデータ記憶装置。
2. The first and second digital data are data of a variable length code block, respectively, and two synchronous code blocks are stored by storing the first and second digital data in the storage means. The digital data storage device according to claim 1, wherein the digital data storage device is generated.
【請求項3】 上記可変長ブロックにおけるデータの配
列は重要度の高い順に並べられていることを特徴とする
請求項2記載のディジタルデータ記憶装置。
3. The digital data storage device according to claim 2, wherein the data arrays in the variable-length blocks are arranged in descending order of importance.
【請求項4】 第1及び第2の入力ディジタルデータを
記憶する記憶手段と、 この記憶手段に上記第1の入力データを記憶するときに
は最小の書き込みアドレス信号から順次歩進する書き込
みアドレス信号を供給し、上記記憶手段に上記第2の入
力ディジタルデータを記憶するときには、上記第1の入
力ディジタルデータを上記記憶手段に記憶するときとは
逆に最大の書き込みアドレス信号から順次歩進する書き
込みアドレス信号を上記記憶手段に供給する書き込みア
ドレス発生手段と、 上記記憶手段に記憶した第1の入力ディジタルデータを
読み出す場合に、最小の読み出しアドレス信号から順次
歩進する読み出しアドレス信号を供給し、上記記憶手段
に記憶した上記第2の入力ディジタルデータを読み出す
場合に、上記第1の入力ディジタルデータを上記記憶手
段から読み出すときとは逆に最大の読み出しアドレス信
号から順次歩進する読み出しアドレス信号を上記記憶手
段に供給する読み出しアドレス発生手段を有することを
特徴とするディジタルデータ記憶装置。
4. A storage means for storing first and second input digital data, and a write address signal which sequentially advances from a minimum write address signal when storing the first input data in the storage means. However, when the second input digital data is stored in the storage means, the write address signal is sequentially stepped from the maximum write address signal, contrary to the case where the first input digital data is stored in the storage means. To the storage means, and when reading the first input digital data stored in the storage means, a read address signal that sequentially advances from the smallest read address signal is supplied to the storage means. When reading the above-mentioned second input digital data stored in Digital data storage device characterized by having a read address generating means for supplying a read address signal sequentially incrementing from the maximum of the read address signal back to said storage means and when reading Rudeta from the storage means.
【請求項5】 上記第1及び第2のディジタルデータは
夫々同期符号ブロックのデータであり、これら第1及び
第2のディジタルデータを上記記憶手段に記憶すること
により、2つの可変長符号ブロックを生成することを特
徴とする請求項4記載のディジタルデータ記憶装置。
5. The first and second digital data are data of a synchronous code block, respectively, and two variable-length code blocks are stored by storing the first and second digital data in the storage means. The digital data storage device according to claim 4, wherein the digital data storage device is generated.
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