JPH06287008A - リン酸カルシウム質膜の形成方法 - Google Patents
リン酸カルシウム質膜の形成方法Info
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- JPH06287008A JPH06287008A JP10871193A JP10871193A JPH06287008A JP H06287008 A JPH06287008 A JP H06287008A JP 10871193 A JP10871193 A JP 10871193A JP 10871193 A JP10871193 A JP 10871193A JP H06287008 A JPH06287008 A JP H06287008A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 任意のCa/P比のリン酸カルシウム質膜を
基材上に形成する。 【構成】 リン酸カルシウム系ガラスをスパッタリング
用ターゲット材とし、これをスパッタリングして基材上
に非晶質のリン酸カルシウム質膜を形成する。また、こ
の非晶質のリン酸カルシウム質膜を加熱処理すると結晶
質のリン酸カルシウム質膜とすることができる。
基材上に形成する。 【構成】 リン酸カルシウム系ガラスをスパッタリング
用ターゲット材とし、これをスパッタリングして基材上
に非晶質のリン酸カルシウム質膜を形成する。また、こ
の非晶質のリン酸カルシウム質膜を加熱処理すると結晶
質のリン酸カルシウム質膜とすることができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、人工骨、人工歯などの
生体材料、湿度センサー、水素センサーなどの電子材
料、固体電解質燃料電池、水素製造等に用いられるリン
酸カルシウム質膜の形成方法に関する。
生体材料、湿度センサー、水素センサーなどの電子材
料、固体電解質燃料電池、水素製造等に用いられるリン
酸カルシウム質膜の形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】リン酸カルシウム質セラミックスは、そ
の生体親和性の高さから人工骨、人工歯などへの応用が
期待されているものの、圧縮強度は十分であるが曲げ強
度が低いため単体での使用は困難であった。このためリ
ン酸カルシウム質セラミックス中にアルミナ、ジルコニ
アなどの高強度セラミックスの粒子を分散させたり、ア
ルミナ、チタン、ステンレスなどを基材としその表面を
リン酸カルシウム質膜で被覆する方法が検討されてい
る。ことに後者は基材の高強度、高靭性を保持したまま
高い生体親和性を付与することができるので、重要な技
術の一つと考えられている。
の生体親和性の高さから人工骨、人工歯などへの応用が
期待されているものの、圧縮強度は十分であるが曲げ強
度が低いため単体での使用は困難であった。このためリ
ン酸カルシウム質セラミックス中にアルミナ、ジルコニ
アなどの高強度セラミックスの粒子を分散させたり、ア
ルミナ、チタン、ステンレスなどを基材としその表面を
リン酸カルシウム質膜で被覆する方法が検討されてい
る。ことに後者は基材の高強度、高靭性を保持したまま
高い生体親和性を付与することができるので、重要な技
術の一つと考えられている。
【0003】また、リン酸カルシウム質セラミックスの
うち、水酸アパタイト[Ca10(PO4)6(OH)
2]セラミックスは、湿度センサー、アルコールガスセ
ンサーとして用いることができ、ドクターブレード法に
よる厚膜素子が用いられてきたが、素子特性をより一層
高めるには、膜厚の低減、膜の緻密化などが必要となり
電極板上へのアパタイト薄膜形成の必要性が高まってい
る。
うち、水酸アパタイト[Ca10(PO4)6(OH)
2]セラミックスは、湿度センサー、アルコールガスセ
ンサーとして用いることができ、ドクターブレード法に
よる厚膜素子が用いられてきたが、素子特性をより一層
高めるには、膜厚の低減、膜の緻密化などが必要となり
電極板上へのアパタイト薄膜形成の必要性が高まってい
る。
【0004】そこで、各種基材上にリン酸カルシウム質
膜を形成する方法として、例えばゾル−ゲル法、プラズ
マ溶射法、スパッタリング法などが提案されている。ゾ
ル−ゲル法は溶液のPH、濃度などの条件が僅かに変化
するだけで膜の厚さ、気孔率等の性状が左右されるの
で、好ましい方法ではない。プラズマ溶射法は、成膜に
際し高温の状態を経由するため、結晶質の膜を形成せん
としても部分的に非晶質のものになったり、基材に熱衝
撃がかかるため基材の強度が低下するおそれがあるの
で、好ましい方法とは言えない。
膜を形成する方法として、例えばゾル−ゲル法、プラズ
マ溶射法、スパッタリング法などが提案されている。ゾ
ル−ゲル法は溶液のPH、濃度などの条件が僅かに変化
するだけで膜の厚さ、気孔率等の性状が左右されるの
で、好ましい方法ではない。プラズマ溶射法は、成膜に
際し高温の状態を経由するため、結晶質の膜を形成せん
としても部分的に非晶質のものになったり、基材に熱衝
撃がかかるため基材の強度が低下するおそれがあるの
で、好ましい方法とは言えない。
【0005】スパッタリング法は、基材がセラミックス
であっても熱衝撃によってダメージを受けることがない
利点があるので、この方法によりリン酸カルシウム質膜
を成膜することが試みられている。今まで試みられてい
るのはターゲットとして水酸アパタイトやα−リン酸3
カルシウム(α−TCP)などの焼結体を用い、これを
スパッタリングする方法であるが、リンに対してカルシ
ウムのスパッタ率が低いためターゲットと同じ組成の膜
を形成することはできなかった。
であっても熱衝撃によってダメージを受けることがない
利点があるので、この方法によりリン酸カルシウム質膜
を成膜することが試みられている。今まで試みられてい
るのはターゲットとして水酸アパタイトやα−リン酸3
カルシウム(α−TCP)などの焼結体を用い、これを
スパッタリングする方法であるが、リンに対してカルシ
ウムのスパッタ率が低いためターゲットと同じ組成の膜
を形成することはできなかった。
【0006】すなわち、従来の方法ではCa/P比が
1.5のα−TCPをターゲットとした場合、形成した
膜のCa/P比は1.32〜1.45と、Ca/P比が
1.67である水酸アパタイトをターゲットとした場
合、形成した膜のCa/P比は1.55〜1.62と、
膜のCa/P比はターゲットのそれよりも常に低く、化
学量論比の水酸アパタイト、α−TCPなどの結晶質の
リン酸カルシウム質膜を形成することはできなかった。
1.5のα−TCPをターゲットとした場合、形成した
膜のCa/P比は1.32〜1.45と、Ca/P比が
1.67である水酸アパタイトをターゲットとした場
合、形成した膜のCa/P比は1.55〜1.62と、
膜のCa/P比はターゲットのそれよりも常に低く、化
学量論比の水酸アパタイト、α−TCPなどの結晶質の
リン酸カルシウム質膜を形成することはできなかった。
【0007】またCa/P比1.5のα−TCPとCa
/P比1.67の水酸アパタイトとの間にはリン酸カル
シウム結晶が存在しないため、Ca/P比が1.45と
1.55との間の膜を得ることはできない。
/P比1.67の水酸アパタイトとの間にはリン酸カル
シウム結晶が存在しないため、Ca/P比が1.45と
1.55との間の膜を得ることはできない。
【0008】さらにリン酸カルシウム結晶をターゲット
とした場合、Ca/P比が1.62を超える膜を形成す
ることはできない。なぜならCa/P比が水酸アパタイ
トのそれを超えるリン酸カルシウム結晶が存在しないか
らである。一方Ca/P比が1.5より小さいリン酸カ
ルシウム結晶は数多く知られているが、焼結体を作製す
ることは困難であるのでCa/P比が1.32を下回る
膜を形成することは事実上不可能であった。
とした場合、Ca/P比が1.62を超える膜を形成す
ることはできない。なぜならCa/P比が水酸アパタイ
トのそれを超えるリン酸カルシウム結晶が存在しないか
らである。一方Ca/P比が1.5より小さいリン酸カ
ルシウム結晶は数多く知られているが、焼結体を作製す
ることは困難であるのでCa/P比が1.32を下回る
膜を形成することは事実上不可能であった。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前述の技術
的課題を解決するためのものであって、その目的とする
ところは任意の組成のリン酸カルシウム質膜を簡便に形
成する方法を提供することにある。
的課題を解決するためのものであって、その目的とする
ところは任意の組成のリン酸カルシウム質膜を簡便に形
成する方法を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、Ca/P
比を種々変えて作ったリン酸カルシウム系ガラスをスパ
ッタリング用ターゲットとして、表1に示す条件により
スパッタリングを行ったところ、図1に示したようにタ
ーゲットのCa/P比と形成した非晶質のリン酸カルシ
ウム質膜のCa/P比とは、ターゲットのCa/P比を
Xとし、形成した非晶質のリン酸カルシウム質膜のCa
/P比をYとすると、Y=0.884X+1.04で表
される直線関係にあることを知見した。
比を種々変えて作ったリン酸カルシウム系ガラスをスパ
ッタリング用ターゲットとして、表1に示す条件により
スパッタリングを行ったところ、図1に示したようにタ
ーゲットのCa/P比と形成した非晶質のリン酸カルシ
ウム質膜のCa/P比とは、ターゲットのCa/P比を
Xとし、形成した非晶質のリン酸カルシウム質膜のCa
/P比をYとすると、Y=0.884X+1.04で表
される直線関係にあることを知見した。
【0011】
【表1】
【0012】なお、本発明者らが表1とは異なるスパッ
タリング条件でスパッタしても、勾配や切片は変わるも
のの直線関係を示すことを確認している。
タリング条件でスパッタしても、勾配や切片は変わるも
のの直線関係を示すことを確認している。
【0013】従って、スパッタリング条件を変える場
合、例えばターゲットとしてCa/P比を0.2と0.
8とのようになるべく離れた2つの値のものを用いてス
パッタリングし、形成した膜のCa/P比を測定した値
をプロットするだけでも両者の関係が分かることにな
る。
合、例えばターゲットとしてCa/P比を0.2と0.
8とのようになるべく離れた2つの値のものを用いてス
パッタリングし、形成した膜のCa/P比を測定した値
をプロットするだけでも両者の関係が分かることにな
る。
【0014】本発明は、スパッタリング用ターゲットと
してリン酸カルシウム系ガラスを用いると、結晶質のリ
ン酸カルシウムをターゲットとした場合とは異なりカル
シウムに対してリンのスパッタ率が低く、かつターゲッ
トのCa/P比と形成した非晶質のリン酸カルシウム膜
のCa/P比との間に一次関数で表される関係があるこ
とを見出だしたことに基づくものであって、スパッタリ
ング用ターゲットとしてリン酸カルシウム系ガラスを用
い、スパッタリングにより基材上に非晶質のリン酸カル
シウム質膜を形成することを特徴とするリン酸カルシウ
ム質膜の形成方法である。
してリン酸カルシウム系ガラスを用いると、結晶質のリ
ン酸カルシウムをターゲットとした場合とは異なりカル
シウムに対してリンのスパッタ率が低く、かつターゲッ
トのCa/P比と形成した非晶質のリン酸カルシウム膜
のCa/P比との間に一次関数で表される関係があるこ
とを見出だしたことに基づくものであって、スパッタリ
ング用ターゲットとしてリン酸カルシウム系ガラスを用
い、スパッタリングにより基材上に非晶質のリン酸カル
シウム質膜を形成することを特徴とするリン酸カルシウ
ム質膜の形成方法である。
【0015】本発明において、スパッタリング用ターゲ
ットとして使用するリン酸カルシウム系ガラスはCa/
P比が0.2乃至0.8の範囲のものであるのが好まし
い。このリン酸カルシウム系ガラスは溶融法、PVD
法、CVD法などの公知の方法で作られるが、溶融法が
簡便な方法である。また、基材上に形成した非晶質のリ
ン酸カルシウム質膜を種々の温度で加熱して結晶化する
ことにより結晶質のリン酸カルシウム質膜にすることが
できる。
ットとして使用するリン酸カルシウム系ガラスはCa/
P比が0.2乃至0.8の範囲のものであるのが好まし
い。このリン酸カルシウム系ガラスは溶融法、PVD
法、CVD法などの公知の方法で作られるが、溶融法が
簡便な方法である。また、基材上に形成した非晶質のリ
ン酸カルシウム質膜を種々の温度で加熱して結晶化する
ことにより結晶質のリン酸カルシウム質膜にすることが
できる。
【0016】溶融法で作る場合でも、原料のCaO分よ
りもP2O5分の方が揮発するのでこの揮発分を予め考
慮して目的とするCa/P比のガラスを作るようにする
ことが肝要である。CaO分とP2O5分の比がガラス
化範囲をはずれる場合は、1400℃程度まで溶融温度
を高めれば良い。なおリン酸カルシウム系ガラスにはリ
ン酸カルシウムを主成分とする結晶化ガラスが含まれ
る。作ったガラスは、ターゲット材とするため、その両
面を研削、研磨する。
りもP2O5分の方が揮発するのでこの揮発分を予め考
慮して目的とするCa/P比のガラスを作るようにする
ことが肝要である。CaO分とP2O5分の比がガラス
化範囲をはずれる場合は、1400℃程度まで溶融温度
を高めれば良い。なおリン酸カルシウム系ガラスにはリ
ン酸カルシウムを主成分とする結晶化ガラスが含まれ
る。作ったガラスは、ターゲット材とするため、その両
面を研削、研磨する。
【0017】
【実施例】以下の各実施例では、ターゲットとなるリン
酸カルシウム系ガラスはいずれも溶融法で作ったが、こ
の方法に限られないことは言うまでもない。また、スバ
ッタリングは高周波スパッタリング法を採用したが、イ
オンスパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法
などの他の方法も用いても良い。
酸カルシウム系ガラスはいずれも溶融法で作ったが、こ
の方法に限られないことは言うまでもない。また、スバ
ッタリングは高周波スパッタリング法を採用したが、イ
オンスパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法
などの他の方法も用いても良い。
【0018】実施例1 リン酸[H3PO4(分子量98、純度85%)]4
6.5gを200mlの蒸留水で希釈した水溶液に、炭
酸カルシウム(CaCO3)試薬3.5gをゆっくりと
加えて、ガスバーナーで加熱しつつ攪拌し、乾燥、固化
させて固化物を得た。この固化物を白金ルツボに入れ、
白金蓋をし、電気炉中で1350℃で約30分間溶融し
た後、内径50mm、深さ15mmの黒鉛型中に流し込
み、径50mm、厚さ約10mmの、CaO33%−P
2O573%、Ca/P比0.23のリン酸カルシウム
系ガラスを得た。
6.5gを200mlの蒸留水で希釈した水溶液に、炭
酸カルシウム(CaCO3)試薬3.5gをゆっくりと
加えて、ガスバーナーで加熱しつつ攪拌し、乾燥、固化
させて固化物を得た。この固化物を白金ルツボに入れ、
白金蓋をし、電気炉中で1350℃で約30分間溶融し
た後、内径50mm、深さ15mmの黒鉛型中に流し込
み、径50mm、厚さ約10mmの、CaO33%−P
2O573%、Ca/P比0.23のリン酸カルシウム
系ガラスを得た。
【0019】得られたガラスを両面研削した後、研磨
し、径50mm、厚さ8mmのターゲット材とし、ター
ゲット部外径50mmの銅製バッキングプレートに接着
し、スパッタリング用ターゲットとした。
し、径50mm、厚さ8mmのターゲット材とし、ター
ゲット部外径50mmの銅製バッキングプレートに接着
し、スパッタリング用ターゲットとした。
【0020】このターゲットを多機能PVD装置に装着
し、表1の条件でスパッタリングしてアルミナ基板上に
リン酸カルシウム質薄膜を形成させた。原子吸光法及び
バナドモリブデン酸比色法によって分析したところ、こ
の膜のCa/P比は1.27であり、X線回折から非晶
質であることが分かった。またこの薄膜を700℃と1
100℃とで加熱処理し、X線回折を測定したところ、
それぞれα−ピロリン酸カルシウム、β−TCPの単一
相を呈していた。
し、表1の条件でスパッタリングしてアルミナ基板上に
リン酸カルシウム質薄膜を形成させた。原子吸光法及び
バナドモリブデン酸比色法によって分析したところ、こ
の膜のCa/P比は1.27であり、X線回折から非晶
質であることが分かった。またこの薄膜を700℃と1
100℃とで加熱処理し、X線回折を測定したところ、
それぞれα−ピロリン酸カルシウム、β−TCPの単一
相を呈していた。
【0021】実施例2 リン酸44.1gと、炭酸カルシウム試薬5.9gとを
用いて、CaO45%−P2O555%、Ca/P比
0.41のリン酸カルシウム系ガラスを得たことと、基
板をチタンにした以外は実施例1と同様にした。チタン
基板上に形成したリン酸カルシウム質薄膜の一部を溶解
し、原子吸光法、バナドモリブデン酸比色法により分析
したところ、この膜のCa/P比は1.38であり、X
線回折からアパタイト結晶を含む非晶質のものであるこ
とが分かった。この膜を1100℃及び1200℃で加
熱処理し、X線回折を測定したところ、それぞれβ−T
CP、α−TCPの単一相を呈していた。
用いて、CaO45%−P2O555%、Ca/P比
0.41のリン酸カルシウム系ガラスを得たことと、基
板をチタンにした以外は実施例1と同様にした。チタン
基板上に形成したリン酸カルシウム質薄膜の一部を溶解
し、原子吸光法、バナドモリブデン酸比色法により分析
したところ、この膜のCa/P比は1.38であり、X
線回折からアパタイト結晶を含む非晶質のものであるこ
とが分かった。この膜を1100℃及び1200℃で加
熱処理し、X線回折を測定したところ、それぞれβ−T
CP、α−TCPの単一相を呈していた。
【0022】実旋例3 リン酸44.7gと、炭酸カルシウム試薬8.3gとを
用いて、CaO55%−P2O545%、Ca/P比
0.61のリン酸カルシウム系ガラスを得たことと、基
板を部分安定化ジルコニアとした以外は実施例1と同様
にした。部分安定化ジルコニア基板上に形成したリン酸
カルシウム質薄膜の一部を溶解し、原子吸光法、バナド
モリブデン酸比色法により分析したところ、この膜のC
a/P比は1.60であり、X線回折から非晶質である
ことが分かった。この膜を700℃、900℃、100
0℃、1200℃で加熱処理し、X線回折を測定したと
ころ、それぞれ水酸アパタイトの単一相、β−TCPと
水酸アパタイトとの混合相、β−TCPの単一相、α−
TCPの単一相を呈していた。
用いて、CaO55%−P2O545%、Ca/P比
0.61のリン酸カルシウム系ガラスを得たことと、基
板を部分安定化ジルコニアとした以外は実施例1と同様
にした。部分安定化ジルコニア基板上に形成したリン酸
カルシウム質薄膜の一部を溶解し、原子吸光法、バナド
モリブデン酸比色法により分析したところ、この膜のC
a/P比は1.60であり、X線回折から非晶質である
ことが分かった。この膜を700℃、900℃、100
0℃、1200℃で加熱処理し、X線回折を測定したと
ころ、それぞれ水酸アパタイトの単一相、β−TCPと
水酸アパタイトとの混合相、β−TCPの単一相、α−
TCPの単一相を呈していた。
【0023】実施例4 リン酸41.1gと、炭酸カルシウム試薬8.9gとを
用いて、CaO57%−P2O543%、Ca/P比
0.66のリン酸カルシウム系ガラスを得たことと、基
板をステンレスとした以外は実施例1と同様にした。ス
テンレス基板上に形成したリン酸カルシウム質薄膜の一
部を溶解し、原子吸光法、バナドモリブデン酸比色法に
より分析したところ、この膜のCa/P比は1.65で
あり、X線回折からアパタイト結晶を含む非晶質のもの
であることが分かった。この膜を700℃、900℃、
1100℃で加熱処理し、X線回折を測定したところ、
それぞれ水酸アパタイトの単一相、水酸アパタイトの単
一相、β−TCPと水酸アパタイトとの混合相を呈して
いた。
用いて、CaO57%−P2O543%、Ca/P比
0.66のリン酸カルシウム系ガラスを得たことと、基
板をステンレスとした以外は実施例1と同様にした。ス
テンレス基板上に形成したリン酸カルシウム質薄膜の一
部を溶解し、原子吸光法、バナドモリブデン酸比色法に
より分析したところ、この膜のCa/P比は1.65で
あり、X線回折からアパタイト結晶を含む非晶質のもの
であることが分かった。この膜を700℃、900℃、
1100℃で加熱処理し、X線回折を測定したところ、
それぞれ水酸アパタイトの単一相、水酸アパタイトの単
一相、β−TCPと水酸アパタイトとの混合相を呈して
いた。
【0024】実施例5 リン酸40.1gと、炭酸カルシウム試薬9.9gとを
用いて、CaO60%−P2O540%、Ca/P比
0.75のリン酸カルシウム系ガラスを得たこと以外は
実施例1と同様にした。アルミナ基板上に形成したリン
酸カルシウム質薄膜の一部を溶解し、原子吸光法、バナ
ドモリブデン酸比色法により分析したところ、この膜の
Ca/P比は1.67であり、X線回折から結晶化度の
低いアパタイト結晶質のものであることが分かった。こ
の膜を700℃、900℃、1100℃で加熱処理した
ところ、いずれも結晶性が良好な水酸アパタイトの単一
相を呈していた。
用いて、CaO60%−P2O540%、Ca/P比
0.75のリン酸カルシウム系ガラスを得たこと以外は
実施例1と同様にした。アルミナ基板上に形成したリン
酸カルシウム質薄膜の一部を溶解し、原子吸光法、バナ
ドモリブデン酸比色法により分析したところ、この膜の
Ca/P比は1.67であり、X線回折から結晶化度の
低いアパタイト結晶質のものであることが分かった。こ
の膜を700℃、900℃、1100℃で加熱処理した
ところ、いずれも結晶性が良好な水酸アパタイトの単一
相を呈していた。
【0025】実施例6 リン酸46.9gと、炭酸カルシウム試薬3.1gとを
用いて、CaO29%−P2O571%、Ca/P比
0.20のリン酸カルシウム系ガラスを得たことと、基
板をチタンとした以外は実施例1と同様にした。チタン
基板上に形成したリン酸カルシウム質薄膜の一部を溶解
し、原子吸光法、バナドモリブデン酸比色法により分析
したところ、この膜のCa/P比は1.19であり、X
線回折から非晶質のものであることが分かった。この膜
を100℃、300℃、700℃で加熱処理したとこ
ろ、それぞれCaHPO4・2H2Oの単一相、CaH
PO4の単一相、β−ピロリン酸カルシウムの単一相を
呈していた。
用いて、CaO29%−P2O571%、Ca/P比
0.20のリン酸カルシウム系ガラスを得たことと、基
板をチタンとした以外は実施例1と同様にした。チタン
基板上に形成したリン酸カルシウム質薄膜の一部を溶解
し、原子吸光法、バナドモリブデン酸比色法により分析
したところ、この膜のCa/P比は1.19であり、X
線回折から非晶質のものであることが分かった。この膜
を100℃、300℃、700℃で加熱処理したとこ
ろ、それぞれCaHPO4・2H2Oの単一相、CaH
PO4の単一相、β−ピロリン酸カルシウムの単一相を
呈していた。
【0026】リン酸カルシウム系ガラスのCa/P比を
横軸に、スパッタリングにより形成したリン酸カルシウ
ム質膜のCa/P比を縦軸にとり、上記各実施例のそれ
ぞれのCa/P比をプロットすると図2に示したように
直線関係を示し、図1の直線に実質上乗ることが分か
る。なお、図2中の直線は図1の直線と同じものであ
る。
横軸に、スパッタリングにより形成したリン酸カルシウ
ム質膜のCa/P比を縦軸にとり、上記各実施例のそれ
ぞれのCa/P比をプロットすると図2に示したように
直線関係を示し、図1の直線に実質上乗ることが分か
る。なお、図2中の直線は図1の直線と同じものであ
る。
【0027】
【発明の効果】本発明方法によれば、任意のCa/P比
の非晶質のリン酸カルシウム質膜を種々の基材上に形成
することができ、またこの非晶質のリン酸カルシウム質
膜を種々の温度で加熱処理すると結晶質のリン酸カルシ
ウム質膜とすることができる。したがって、人工骨、人
工歯等の骨代替材料、各種センサー、固体電解質燃料電
池、水素製造などへ広く活用することができる。
の非晶質のリン酸カルシウム質膜を種々の基材上に形成
することができ、またこの非晶質のリン酸カルシウム質
膜を種々の温度で加熱処理すると結晶質のリン酸カルシ
ウム質膜とすることができる。したがって、人工骨、人
工歯等の骨代替材料、各種センサー、固体電解質燃料電
池、水素製造などへ広く活用することができる。
【図1】 Ca/P比を種々変えて作ったリン酸カルシ
ウム系ガラスからなるスパッタリング用ターゲットのC
a/P比と、表1のスパッタ条件でスパッタリングによ
り基材上に形成した非晶質のリン酸カルシウム質膜のC
a/P比との関係を示す線図。
ウム系ガラスからなるスパッタリング用ターゲットのC
a/P比と、表1のスパッタ条件でスパッタリングによ
り基材上に形成した非晶質のリン酸カルシウム質膜のC
a/P比との関係を示す線図。
【図2】 実施例1〜実施例6の結果をプロットした
図。
図。
1 実施例1の結果 2 実施例2の結果 3 実施例3の結果 4 実施例4の結果 5 実施例5の結果 6 実施例6の結果
Claims (3)
- 【請求項1】 スパッタリング用ターゲットとしてリン
酸カルシウム系ガラスを用い、スパッタリングにより基
材上に非晶質のリン酸カルシウム質膜を形成することを
特徴とするリン酸カルシウム質膜の形成方法。 - 【請求項2】 スパッタリング用ターゲットとしてリン
酸カルシウム系ガラスを用い、スパッタリングにより基
材上に非晶質のリン酸カルシウム質膜を形成し、該非晶
質のリン酸カルシウム質膜を加熱処理により結晶化させ
て結晶質のリン酸カルシウム質膜とすることを特徴とす
るリン酸カルシウム質膜の形成方法。 - 【請求項3】 リン酸カルシウム系ガラスのCa/P比
が0.2乃至0.8の範囲内の任意のものである請求項
1または請求項2記載のリン酸カルシウム質膜の形成方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10871193A JPH06287008A (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | リン酸カルシウム質膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10871193A JPH06287008A (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | リン酸カルシウム質膜の形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06287008A true JPH06287008A (ja) | 1994-10-11 |
Family
ID=14491662
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10871193A Pending JPH06287008A (ja) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | リン酸カルシウム質膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06287008A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007171163A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-07-05 | National Institute For Materials Science | バイオセンサー構成体とその製造方法 |
JP2009090289A (ja) * | 2009-01-19 | 2009-04-30 | Fujitsu Ltd | 光触媒アパタイト膜の形成方法 |
US8277750B2 (en) | 2004-08-31 | 2012-10-02 | Kinki University | Detector for chemical sensor device and use thereof |
-
1993
- 1993-03-30 JP JP10871193A patent/JPH06287008A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8277750B2 (en) | 2004-08-31 | 2012-10-02 | Kinki University | Detector for chemical sensor device and use thereof |
JP2007171163A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-07-05 | National Institute For Materials Science | バイオセンサー構成体とその製造方法 |
JP2009090289A (ja) * | 2009-01-19 | 2009-04-30 | Fujitsu Ltd | 光触媒アパタイト膜の形成方法 |
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