JPH06283857A - マイクロ波基板のパターン間接続方法 - Google Patents
マイクロ波基板のパターン間接続方法Info
- Publication number
- JPH06283857A JPH06283857A JP6995793A JP6995793A JPH06283857A JP H06283857 A JPH06283857 A JP H06283857A JP 6995793 A JP6995793 A JP 6995793A JP 6995793 A JP6995793 A JP 6995793A JP H06283857 A JPH06283857 A JP H06283857A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hole
- substrate
- microwave
- patterns
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 製造条件、製造工程並びに経年的な環境変化
の影響から発生するマイクロ波基板スルーホールの破壊
が生じた場合でも、マイクロ波性能を維持可能なパター
ン間接続方法を提供するものである。 【構成】 基板表裏パターンを接続する為に所定位置に
穴あけ後スルーホールメッキ３を施し、前記スルーホー
ル内にてコンタクトされる形状を持つ雄型ピンコンタク
ト４とすり割り付メス型コンタクト６，７を、前記スル
ーホール内でかん合させ、更に前記雄型ピンコンタクト
４とメス型コンタクト６，７をそれぞれ基板表面のスル
ーホールランド２に半田付する。
の影響から発生するマイクロ波基板スルーホールの破壊
が生じた場合でも、マイクロ波性能を維持可能なパター
ン間接続方法を提供するものである。 【構成】 基板表裏パターンを接続する為に所定位置に
穴あけ後スルーホールメッキ３を施し、前記スルーホー
ル内にてコンタクトされる形状を持つ雄型ピンコンタク
ト４とすり割り付メス型コンタクト６，７を、前記スル
ーホール内でかん合させ、更に前記雄型ピンコンタクト
４とメス型コンタクト６，７をそれぞれ基板表面のスル
ーホールランド２に半田付する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体基板の表裏表面
の銅箔にエッチングを施してマイクロ波パターンを形成
するマイクロ波基板、或は前記マイクロ波基板を多層化
した多層基板に於て、基板表裏のパターン間接続方法に
関するものである。
の銅箔にエッチングを施してマイクロ波パターンを形成
するマイクロ波基板、或は前記マイクロ波基板を多層化
した多層基板に於て、基板表裏のパターン間接続方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来のマイクロ波基板のスルーホ
ール構成例を示す図である。図に於いて、１は基材、２
はスルーホールランド、３はスルーホール内部メッキで
ある。
ール構成例を示す図である。図に於いて、１は基材、２
はスルーホールランド、３はスルーホール内部メッキで
ある。
【０００３】従来のマイクロ波基板に於ては、基材１の
表裏に形成されたパターンの導通をとるため、所定位置
のランド部に穴をあけ、これにスルーホールメッキを施
してスルーホールを形成するのみであった。
表裏に形成されたパターンの導通をとるため、所定位置
のランド部に穴をあけ、これにスルーホールメッキを施
してスルーホールを形成するのみであった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のマイクロ波基板
の製造には、機械加工、メッキ加工等含み、例えば、製
造過程に於ける温度変化等のストレスのかかりかたが、
製品としてのマイクロ波基板の信頼性に全面的に関係し
ており、同一の設計品についても管理が複雑な製造条件
である為、メーカによっても品質の差が大きかった。そ
の上これらが多層化された場合、接続部は製品となると
外部から目視検査が出来ず、Ｘ線、赤外線等が利用され
ているが決定的でなく、同一材料の試験片による破壊検
査を必要としていた。また、特に航空機等の厳しい環境
条件下で運用される場合は、過酷な環境温度変化に耐え
うることを熱衝撃あるいは温度サイクル試験により評価
する必要があった。これら評価試験により顕著に現われ
ていたのが図４（ａ）に示されるようなスルーホールの
破壊モードである。通常基材に用いられる例えばテフロ
ン等の材料と、パターンを形成する銅を比較した場合、
線膨脹率に大きな差がある為、環境温度が大きく変化し
た場合熱応力が生じ、これが繰り返されることにより強
度的に弱い部分或いは応力が集中する部分に疲労破壊を
生じる。図４（ｃ）に示す通り、基材の膨脹によりスル
ーホールランド部が押し曲げられ、この繰り返しにより
スルーホールランドとスルーホール内メッキの接続部に
繰り返し曲げがかかり破断するか、図４（ｂ）に示す通
りスルーホール内メッキと基材が膨脹率の差によりはが
れを生じ、更に膨脹収縮を繰り返すことによりスルーホ
ール内メッキにしわが発生してしわの伸縮の繰り返しに
より疲労破壊する等により、最終的にマイクロ波基板表
裏の導通が断たれることになる。
の製造には、機械加工、メッキ加工等含み、例えば、製
造過程に於ける温度変化等のストレスのかかりかたが、
製品としてのマイクロ波基板の信頼性に全面的に関係し
ており、同一の設計品についても管理が複雑な製造条件
である為、メーカによっても品質の差が大きかった。そ
の上これらが多層化された場合、接続部は製品となると
外部から目視検査が出来ず、Ｘ線、赤外線等が利用され
ているが決定的でなく、同一材料の試験片による破壊検
査を必要としていた。また、特に航空機等の厳しい環境
条件下で運用される場合は、過酷な環境温度変化に耐え
うることを熱衝撃あるいは温度サイクル試験により評価
する必要があった。これら評価試験により顕著に現われ
ていたのが図４（ａ）に示されるようなスルーホールの
破壊モードである。通常基材に用いられる例えばテフロ
ン等の材料と、パターンを形成する銅を比較した場合、
線膨脹率に大きな差がある為、環境温度が大きく変化し
た場合熱応力が生じ、これが繰り返されることにより強
度的に弱い部分或いは応力が集中する部分に疲労破壊を
生じる。図４（ｃ）に示す通り、基材の膨脹によりスル
ーホールランド部が押し曲げられ、この繰り返しにより
スルーホールランドとスルーホール内メッキの接続部に
繰り返し曲げがかかり破断するか、図４（ｂ）に示す通
りスルーホール内メッキと基材が膨脹率の差によりはが
れを生じ、更に膨脹収縮を繰り返すことによりスルーホ
ール内メッキにしわが発生してしわの伸縮の繰り返しに
より疲労破壊する等により、最終的にマイクロ波基板表
裏の導通が断たれることになる。
【０００５】本発明に於ては、製造条件、製造工程並び
に経年的な環境変化の影響から発生するマイクロ波基板
スルーホールの破壊が生じた場合でも、マイクロ波性能
を維持可能なパターン間接続方法を提供するものであ
る。
に経年的な環境変化の影響から発生するマイクロ波基板
スルーホールの破壊が生じた場合でも、マイクロ波性能
を維持可能なパターン間接続方法を提供するものであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によるマイクロ波
基板のパターン間接続方法に於ては、製造工程或は環境
温度変化による熱的ストレスでスルーホールに破壊が生
じた場合でも基板表裏パターン間の導通を確保する為、
スルーホール内にてコンタクトされる形状を持つ雄型ピ
ンコンタクトとすり割り付メス型コンタクトを、前記ス
ルーホール内でかん合させ、更に前記雄型ピンコンタク
トとメス型コンタクトをそれぞれ基板表面のスルーホー
ルランドに半田付するものである。
基板のパターン間接続方法に於ては、製造工程或は環境
温度変化による熱的ストレスでスルーホールに破壊が生
じた場合でも基板表裏パターン間の導通を確保する為、
スルーホール内にてコンタクトされる形状を持つ雄型ピ
ンコンタクトとすり割り付メス型コンタクトを、前記ス
ルーホール内でかん合させ、更に前記雄型ピンコンタク
トとメス型コンタクトをそれぞれ基板表面のスルーホー
ルランドに半田付するものである。
【０００７】本発明によるマイクロ波基板のパターン間
接続方法に於ては、製造工程或は環境温度変化による熱
的ストレスでスルーホールに破壊が生じた場合でも基板
表裏パターン間の導通を確保する為、前記スルーホール
内にコイル状スプリングを挿入し、前記コイル状スプリ
ングを前記マイクロ波基板の片面スルーホールランドに
半田付するとともに、前記コイル状スプリングをマイク
ロ波基板のもう片面よりリングにて支え、コイル状スプ
リング及び前記リングをともにマイクロ波基板の片面ス
ルーホールランドに半田付するものである。
接続方法に於ては、製造工程或は環境温度変化による熱
的ストレスでスルーホールに破壊が生じた場合でも基板
表裏パターン間の導通を確保する為、前記スルーホール
内にコイル状スプリングを挿入し、前記コイル状スプリ
ングを前記マイクロ波基板の片面スルーホールランドに
半田付するとともに、前記コイル状スプリングをマイク
ロ波基板のもう片面よりリングにて支え、コイル状スプ
リング及び前記リングをともにマイクロ波基板の片面ス
ルーホールランドに半田付するものである。
【０００８】
【作用】本発明によるマイクロ波基板のパターン間接続
方法に於ては、製造工程或は環境温度変化による熱的ス
トレスでスルーホールに破壊が生じた場合でも基板表裏
パターン間の導通を確保する為、スルーホール内にてコ
ンタクトされる形状を持つ雄型ピンコンタクトとすり割
り付メス型コンタクトを、前記スルーホール内でかん合
させ、更に前記雄型ピンコンタクトとメス型コンタクト
をそれぞれ基板表面のスルーホールランドに半田付する
ものである。これにより、スルーホールランドとスルー
ホール内メッキの接続部の破断、及びスルーホール内メ
ッキの破壊が生じた場合でも、雄型ピンコンタクトとメ
ス型コンタクトが接触している限り、基板表裏の導通は
確保されマイクロ波性能は維持される。また、環境温度
の変化により基板が厚さ方向に伸縮した場合でも、雄型
ピンコンタクトとメス型コンタクトの接続形態が基板厚
さ方向に自由度をもっている為、良好な接触状態を保っ
たまま基板の伸縮を吸収することが出来る。
方法に於ては、製造工程或は環境温度変化による熱的ス
トレスでスルーホールに破壊が生じた場合でも基板表裏
パターン間の導通を確保する為、スルーホール内にてコ
ンタクトされる形状を持つ雄型ピンコンタクトとすり割
り付メス型コンタクトを、前記スルーホール内でかん合
させ、更に前記雄型ピンコンタクトとメス型コンタクト
をそれぞれ基板表面のスルーホールランドに半田付する
ものである。これにより、スルーホールランドとスルー
ホール内メッキの接続部の破断、及びスルーホール内メ
ッキの破壊が生じた場合でも、雄型ピンコンタクトとメ
ス型コンタクトが接触している限り、基板表裏の導通は
確保されマイクロ波性能は維持される。また、環境温度
の変化により基板が厚さ方向に伸縮した場合でも、雄型
ピンコンタクトとメス型コンタクトの接続形態が基板厚
さ方向に自由度をもっている為、良好な接触状態を保っ
たまま基板の伸縮を吸収することが出来る。
【０００９】本発明によるマイクロ波基板のパターン間
接続方法に於ては、製造工程或は環境温度変化による熱
的ストレススルーホールに破壊が生じた場合でも基板表
裏パターン間の導通を確保する為、前記スルーホール内
にコイル状スプリングを挿入し、前記コイル状スプリン
グを前記マイクロ波基板の片面スルーホールランドに半
田付するとともに、前記コイル状スプリングをマイクロ
波基板のもう片面よりリングにて支え、コイル状スプリ
ング及び前記リングをともにマイクロ波基板の片面スル
ーホールランドに半田付するものである。これにより、
スルーホールランドとスルーホール内メッキの接続部の
破断、及びスルーホール内メッキの破断が生じた場合で
も、コイル状スプリングを介して基板表裏の導通は確保
されマイクロ波性能は維持される。また、環境温度の変
化により基板が厚さ方向に伸縮した場合でも、コイル状
スプリングのバネ性によりその伸縮で基板の伸縮を吸収
することが出来る。
接続方法に於ては、製造工程或は環境温度変化による熱
的ストレススルーホールに破壊が生じた場合でも基板表
裏パターン間の導通を確保する為、前記スルーホール内
にコイル状スプリングを挿入し、前記コイル状スプリン
グを前記マイクロ波基板の片面スルーホールランドに半
田付するとともに、前記コイル状スプリングをマイクロ
波基板のもう片面よりリングにて支え、コイル状スプリ
ング及び前記リングをともにマイクロ波基板の片面スル
ーホールランドに半田付するものである。これにより、
スルーホールランドとスルーホール内メッキの接続部の
破断、及びスルーホール内メッキの破断が生じた場合で
も、コイル状スプリングを介して基板表裏の導通は確保
されマイクロ波性能は維持される。また、環境温度の変
化により基板が厚さ方向に伸縮した場合でも、コイル状
スプリングのバネ性によりその伸縮で基板の伸縮を吸収
することが出来る。
【００１０】
【実施例】実施例１．図１は本発明によるマイクロ波基
板のパターン間接続方法の一実施例を示す図であり、
（ａ）は単層基板、（ｂ）は多層基板への適用例であ
る。図に於て、１は基材、２はスルーホールランド、３
はスルーホール内メッキ、４は雄型ピンコンタクト、５
は半田、６は単層型メス型コンタクト、７は多層型メス
型コンタクトである。
板のパターン間接続方法の一実施例を示す図であり、
（ａ）は単層基板、（ｂ）は多層基板への適用例であ
る。図に於て、１は基材、２はスルーホールランド、３
はスルーホール内メッキ、４は雄型ピンコンタクト、５
は半田、６は単層型メス型コンタクト、７は多層型メス
型コンタクトである。
【００１１】実施例１のパターン接続について説明する
と、まず基板表裏パターンを接続する為に所定位置に穴
あけ後スルーホールメッキ３を施し、前記スルーホール
内にてコンタクトされる形状を持つ雄型ピンコンタクト
４とすり割り付メス型コンタクト６，７を、前記スルー
ホール内でかん合させ、更に前記雄型ピンコンタクト４
とメス型コンタクト６，７をそれぞれ基板表面のスルー
ホールランド２に半田付することによりパターン接続が
行われる。
と、まず基板表裏パターンを接続する為に所定位置に穴
あけ後スルーホールメッキ３を施し、前記スルーホール
内にてコンタクトされる形状を持つ雄型ピンコンタクト
４とすり割り付メス型コンタクト６，７を、前記スルー
ホール内でかん合させ、更に前記雄型ピンコンタクト４
とメス型コンタクト６，７をそれぞれ基板表面のスルー
ホールランド２に半田付することによりパターン接続が
行われる。
【００１２】上記の様に構成されたマイクロ波基板に於
いては、製造工程或いは環境温度変化による熱的ストレ
スで、スルーホールランド２とスルーホール内メッキ３
の接続部の破断、及びスルーホール内メッキ３の破断が
生じた場合でも、雄型ピンコンタクト４とメス型コンタ
クト６或いは７が接触している限り、基板表裏の導通は
確保されマイクロ波性能は維持される。また、環境温度
の変化により基板が厚さ方向に伸縮した場合でも、雄型
ピンコンタクト４とメス型コンタクト６或は７の接続形
態が基板厚さ方向に自由度をもっている為、良好な接触
状態を保ったまま基板の伸縮を吸収することが出来る。
いては、製造工程或いは環境温度変化による熱的ストレ
スで、スルーホールランド２とスルーホール内メッキ３
の接続部の破断、及びスルーホール内メッキ３の破断が
生じた場合でも、雄型ピンコンタクト４とメス型コンタ
クト６或いは７が接触している限り、基板表裏の導通は
確保されマイクロ波性能は維持される。また、環境温度
の変化により基板が厚さ方向に伸縮した場合でも、雄型
ピンコンタクト４とメス型コンタクト６或は７の接続形
態が基板厚さ方向に自由度をもっている為、良好な接触
状態を保ったまま基板の伸縮を吸収することが出来る。
【００１３】実施例２．図２は本発明のよるマイクロ波
基板のパターン間接続方法の一実施例を示す図であり、
（ａ）は単層基板、（ｂ）は多層基板への適用例であ
る。図に於て、１は基材、２はスルーホールランド、３
はスルーホール内メッキ、５は半田、８はリング、９は
単層型コイル状スプリング、１０は多層型コイル状スプ
リングである。
基板のパターン間接続方法の一実施例を示す図であり、
（ａ）は単層基板、（ｂ）は多層基板への適用例であ
る。図に於て、１は基材、２はスルーホールランド、３
はスルーホール内メッキ、５は半田、８はリング、９は
単層型コイル状スプリング、１０は多層型コイル状スプ
リングである。
【００１４】実施例２のパターン接続について説明する
とまず基板表裏パターンを接続する為に所定位置に穴あ
け後スルーホールメッキ３を施し、前記スルーホール内
にコイル状スプリング９，１０を挿入し、前記コイル状
スプリング９，１０を前記マイクロ波基板の片面スルー
ホールランド２に半田付するとともに、前記コイル状ス
プリング９，１０をマイクロ波基板のもう片面よりリン
グ８にて支え、コイル状スプリング９，１０及び前記リ
ング８をともにマイクロ波基板の片面スルーホールラン
ド２に半田付することによりパターン接続が行われる。
とまず基板表裏パターンを接続する為に所定位置に穴あ
け後スルーホールメッキ３を施し、前記スルーホール内
にコイル状スプリング９，１０を挿入し、前記コイル状
スプリング９，１０を前記マイクロ波基板の片面スルー
ホールランド２に半田付するとともに、前記コイル状ス
プリング９，１０をマイクロ波基板のもう片面よりリン
グ８にて支え、コイル状スプリング９，１０及び前記リ
ング８をともにマイクロ波基板の片面スルーホールラン
ド２に半田付することによりパターン接続が行われる。
【００１５】上記の様に構成されマイクロ波基板に於て
は、製造工程或は環境温度変化による熱的ストレスで、
スルーホールランド２とスルーホール内メッキ３の接続
部の破断、及びスルーホール内メッキ３の破断が生じた
場合でも、リング８及びコイル状スプリング９或は１０
を介して基板表裏の導通は確保されマイクロ波性能は維
持される。また、環境温度の変化により基板が厚さ方向
に伸縮した場合でも、コイル状スプリング９或は１０の
バネ性によりその伸縮で基板の伸縮を吸収することが出
来る。
は、製造工程或は環境温度変化による熱的ストレスで、
スルーホールランド２とスルーホール内メッキ３の接続
部の破断、及びスルーホール内メッキ３の破断が生じた
場合でも、リング８及びコイル状スプリング９或は１０
を介して基板表裏の導通は確保されマイクロ波性能は維
持される。また、環境温度の変化により基板が厚さ方向
に伸縮した場合でも、コイル状スプリング９或は１０の
バネ性によりその伸縮で基板の伸縮を吸収することが出
来る。
【００１６】
【発明の効果】以上述べた通り、本発明によるマイクロ
波基板のパターン間接続方法に於ては、製造工程環境温
度変化による熱的ストレスでスルーホールランドとスル
ーホール内メッキの接続部の破断、及びスルーホール内
メッキの破断が生じた場合でも、雄型ピンコンタクトと
メス型コンタクトが接触している限り、基板表裏の導通
は確保されマイクロ波性能は維持される。また、環境温
度の変化により基板が厚さ方向に伸縮した場合でも、雄
型ピンコンタクトとメス型コンタクトの接続形態が基板
厚さ方向に自由度をもっている為、良好な接触状態を保
ったまま基板の伸縮を吸収することが出来る。
波基板のパターン間接続方法に於ては、製造工程環境温
度変化による熱的ストレスでスルーホールランドとスル
ーホール内メッキの接続部の破断、及びスルーホール内
メッキの破断が生じた場合でも、雄型ピンコンタクトと
メス型コンタクトが接触している限り、基板表裏の導通
は確保されマイクロ波性能は維持される。また、環境温
度の変化により基板が厚さ方向に伸縮した場合でも、雄
型ピンコンタクトとメス型コンタクトの接続形態が基板
厚さ方向に自由度をもっている為、良好な接触状態を保
ったまま基板の伸縮を吸収することが出来る。
【００１７】本発明によるマイクロ波基板のパターン間
接続方法に於ては、環境温度変化による熱的ストレス
で、スルーホールランドとスルーホール内メッキの接続
部の破断、及びスルーホール内メッキの破断が生じた場
合でも、リング及びコイル状スプリングを介して基板表
裏の導通は確保されマイクロ波性能は維持される。ま
た、環境温度の変化により基板が厚さ方向に伸縮した場
合でも、コイル状スプリングのバネ性によりその伸縮で
基板の伸縮を吸収することが出来る。
接続方法に於ては、環境温度変化による熱的ストレス
で、スルーホールランドとスルーホール内メッキの接続
部の破断、及びスルーホール内メッキの破断が生じた場
合でも、リング及びコイル状スプリングを介して基板表
裏の導通は確保されマイクロ波性能は維持される。ま
た、環境温度の変化により基板が厚さ方向に伸縮した場
合でも、コイル状スプリングのバネ性によりその伸縮で
基板の伸縮を吸収することが出来る。
【００１８】なお上記実施例２では基板の伸縮を吸収す
るためにコイル状スプリングを設けたが、この発明はス
プリングに限るものではなく、基板の厚さ方向に伸縮す
る弾性体であれば良い。
るためにコイル状スプリングを設けたが、この発明はス
プリングに限るものではなく、基板の厚さ方向に伸縮す
る弾性体であれば良い。
【図１】この発明の実施例１を示す図である。
【図２】この発明の実施例２を示す図である。
【図３】従来の構成例を示す図である。
【図４】従来の構成例に於て、熱ストレスのかかった状
況を示す図である。
況を示す図である。
１ 基材 ２ スルーホールランド ３ スルーホール内メッキ ４ 雄型ピンコンタクト ５ 半田 ６ 単層型メス型コンタクト ７ 多層型メス型コンタクト ８ リング ９ 単層型コイル状スプリング １０ 多層型コイル状スプリング
Claims (2)
- 【請求項１】 誘電体基板の表裏両面の銅箔にエッチン
グを施してマイクロ波パターンを形成するマイクロ波基
板に於いて、基板表裏パターンを接続する為に所定位置
に穴あけ後スルーホールメッキを施し、前記スルーホー
ル内にてコンタクトされる形状を持つ雄型ピンコンタク
トとすり割り付メス型コンタクトを、前記スルーホール
内でかん合させ、更に前記雄型ピンコンタクトとメス型
コンタクトをそれぞれ基板表面のスルーホールランドに
半田付することを特徴としたマイクロ波基板のパターン
間接続方法。 - 【請求項２】 誘電体基板の表裏両面の銅箔にエッチン
グを施してマイクロ波パターンを形成するマイクロ波基
板に於て、基板表裏パターンを接続する為に所定位置に
穴あけ後スルーホールメッキを施し、前記スルーホール
内にコイル状スプリングを挿入し、前記コイル状スプリ
ングを前記マイクロ波基板の片面スルーホールランドに
半田付するとともに、前記コイル状スプリングをマイク
ロ波基板のもう片面よりリングにて支え、コイル状スプ
リング及び前記リングをともにマイクロ波基板の片面ス
ルーホールランドに半田付することを特徴としたマイク
ロ波基板のパターン間接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6995793A JPH06283857A (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | マイクロ波基板のパターン間接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6995793A JPH06283857A (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | マイクロ波基板のパターン間接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283857A true JPH06283857A (ja) | 1994-10-07 |
Family
ID=13417649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6995793A Pending JPH06283857A (ja) | 1993-03-29 | 1993-03-29 | マイクロ波基板のパターン間接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06283857A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100335224B1 (ko) * | 2000-06-03 | 2002-05-13 | 주식회사 에스알테크 | Ｍｄｆ용 다층기판 및 그 제조방법 |
| JP2018006463A (ja) * | 2016-06-29 | 2018-01-11 | 京セラ株式会社 | 半導体素子実装用基板および半導体装置 |
| JPWO2021033228A1 (ja) * | 2019-08-19 | 2021-02-25 |
-
1993
- 1993-03-29 JP JP6995793A patent/JPH06283857A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100335224B1 (ko) * | 2000-06-03 | 2002-05-13 | 주식회사 에스알테크 | Ｍｄｆ용 다층기판 및 그 제조방법 |
| JP2018006463A (ja) * | 2016-06-29 | 2018-01-11 | 京セラ株式会社 | 半導体素子実装用基板および半導体装置 |
| JPWO2021033228A1 (ja) * | 2019-08-19 | 2021-02-25 |
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