JPH06283593A - 直線方向に掃引するビームを有する形式の光学表面スキャナ用の基準装置 - Google Patents
直線方向に掃引するビームを有する形式の光学表面スキャナ用の基準装置Info
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- JPH06283593A JPH06283593A JP15427091A JP15427091A JPH06283593A JP H06283593 A JPH06283593 A JP H06283593A JP 15427091 A JP15427091 A JP 15427091A JP 15427091 A JP15427091 A JP 15427091A JP H06283593 A JPH06283593 A JP H06283593A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 光学スキャナのテストに関するものであり、
かつ特定的にはスキャナの粒子計数を確立するための参
照基準に関するものである。 【構成】 光学スキャナをテストするためのパターン化
されたウエハである。ウエハは、同心円の中心１３の周
囲の環状帯に配列される整列されたグループで分布され
るピットのような標準寸法の光散乱特徴１１，３１，３
３，３５，３７，４７，５７を有する。空の環状帯１７
は環状帯を含む特徴を分離する。空の帯は、種々の寸法
のウエハのためにウエハ端縁５１，５５，５９をシミュ
レートする。この態様で、ウエハ端縁は予め定められた
寸法のウエハの粒子計数で排除されてもよい。多数の走
査における明らかな寸法変化は、走査中心に関して誤整
列を示す。
かつ特定的にはスキャナの粒子計数を確立するための参
照基準に関するものである。 【構成】 光学スキャナをテストするためのパターン化
されたウエハである。ウエハは、同心円の中心１３の周
囲の環状帯に配列される整列されたグループで分布され
るピットのような標準寸法の光散乱特徴１１，３１，３
３，３５，３７，４７，５７を有する。空の環状帯１７
は環状帯を含む特徴を分離する。空の帯は、種々の寸法
のウエハのためにウエハ端縁５１，５５，５９をシミュ
レートする。この態様で、ウエハ端縁は予め定められた
寸法のウエハの粒子計数で排除されてもよい。多数の走
査における明らかな寸法変化は、走査中心に関して誤整
列を示す。
Description
【０００１】
【技術分野】この発明は光学スキャナのテストに関する
ものであり、かつ特定的にはスキャナの粒子計数を確立
するための参照基準に関するものである。
ものであり、かつ特定的にはスキャナの粒子計数を確立
するための参照基準に関するものである。
【０００２】
【背景技術】エル ガルブレイス（Ｌ．Ｇａｌｂｒａｉ
ｔｈ）の米国特許番号４，５１２，６５９に示される形
式の光学スキャナは、チップ製作工程が始まる前に、裸
の半導体ウエハの汚染を測定するのに用いられる。汚染
はしばしば、粒子が非常に大きいミリメートル寸法の薄
片から粉末または埃のサブミクロンスペックにまで及ぶ
寸法の粒子状物質の形である。
ｔｈ）の米国特許番号４，５１２，６５９に示される形
式の光学スキャナは、チップ製作工程が始まる前に、裸
の半導体ウエハの汚染を測定するのに用いられる。汚染
はしばしば、粒子が非常に大きいミリメートル寸法の薄
片から粉末または埃のサブミクロンスペックにまで及ぶ
寸法の粒子状物質の形である。
【０００３】表面走査において、汚染の一般的な状態は
重要な考慮すべき事柄であるが、より詳述すれば、現実
の粒子計数が所望の情報である。多くの表面スキャナ
は、１つの方向に前後に走査し、他方検査されているウ
エハは、走査ビームの下で垂直方向に移動されている。
これは、ウエハ表面上にｘ−ｙ走査を確立する。走査制
御装置は通常は、走査ビームが常に、ウエハ表面上にあ
り、かつウエハ端縁に遭遇しないようにウエハ形状の走
査パターンを確立する。
重要な考慮すべき事柄であるが、より詳述すれば、現実
の粒子計数が所望の情報である。多くの表面スキャナ
は、１つの方向に前後に走査し、他方検査されているウ
エハは、走査ビームの下で垂直方向に移動されている。
これは、ウエハ表面上にｘ−ｙ走査を確立する。走査制
御装置は通常は、走査ビームが常に、ウエハ表面上にあ
り、かつウエハ端縁に遭遇しないようにウエハ形状の走
査パターンを確立する。
【０００４】光学表面走査において遭遇される問題の１
つは、表面上の特徴から散乱される光は、ビームの走査
中心に関して、特徴の位置によって変わるということで
ある。そのような変化には少なくとも２つの理由があ
る。第１の理由は、走査中心からの光強度は、その中心
からの距離の２乗で落ちるということである。したがっ
て、走査中心により接近した光を散乱する特徴は、さら
に離れた同じ特徴よりも強い散乱信号を遠隔検出器に提
示するであろう。第２の理由は、表面上に落ちる走査ビ
ームスポットは、表面を横切って断面形状が変わるとい
うことである。表面の中心において形が円形であるビー
ムは、表面の端縁では楕円形になる。ビームスポット形
状におけるそのような変化は、特徴から散乱される光の
量における変化を引起こす。さらに、もし、走査中心が
表面の中心のすぐ上でなければ、表面の反対側の端縁か
らの散乱にかなりの差が生じるであろう。これらの問題
は、テレセントリックスキャナにおいて解消されるが、
現在用いられている表面スキャナの多くは、テレセント
リックではない。
つは、表面上の特徴から散乱される光は、ビームの走査
中心に関して、特徴の位置によって変わるということで
ある。そのような変化には少なくとも２つの理由があ
る。第１の理由は、走査中心からの光強度は、その中心
からの距離の２乗で落ちるということである。したがっ
て、走査中心により接近した光を散乱する特徴は、さら
に離れた同じ特徴よりも強い散乱信号を遠隔検出器に提
示するであろう。第２の理由は、表面上に落ちる走査ビ
ームスポットは、表面を横切って断面形状が変わるとい
うことである。表面の中心において形が円形であるビー
ムは、表面の端縁では楕円形になる。ビームスポット形
状におけるそのような変化は、特徴から散乱される光の
量における変化を引起こす。さらに、もし、走査中心が
表面の中心のすぐ上でなければ、表面の反対側の端縁か
らの散乱にかなりの差が生じるであろう。これらの問題
は、テレセントリックスキャナにおいて解消されるが、
現在用いられている表面スキャナの多くは、テレセント
リックではない。
【０００５】ビーム照射が表面上で変わり、かつ表面端
縁が走査中心に関して、誤整列されるかもしれない表面
スキャナにおいて粒子計数を調べるための基準基板が必
要である。
縁が走査中心に関して、誤整列されるかもしれない表面
スキャナにおいて粒子計数を調べるための基準基板が必
要である。
【０００６】
【発明の概要】上の要求は、間隔を隔てた同心環状帯に
配設される光を散乱する特徴のグループを有する基準ウ
エハによって満たされている。光を散乱するエレメント
の規則正しいグループは各環状帯に配設され、かつその
グループは各環状帯の周囲に間隔を隔てられる。同じ寸
法の光を散乱する特徴のグループは、同じ走査位置であ
るが異なる走査で、走査ビームを受けるように整列され
る。この配置によって、スキャナは異なる走査において
同じ寸法の特徴を見、同じ相対的な位置で同量の光を散
乱するはずである。
配設される光を散乱する特徴のグループを有する基準ウ
エハによって満たされている。光を散乱するエレメント
の規則正しいグループは各環状帯に配設され、かつその
グループは各環状帯の周囲に間隔を隔てられる。同じ寸
法の光を散乱する特徴のグループは、同じ走査位置であ
るが異なる走査で、走査ビームを受けるように整列され
る。この配置によって、スキャナは異なる走査において
同じ寸法の特徴を見、同じ相対的な位置で同量の光を散
乱するはずである。
【０００７】オペレータは、走査線内の種々のグループ
における光を散乱する特徴を寸法決めしてもよい。寸法
における変化はオペレータにシステムエラーを知らせる
であろう。
における光を散乱する特徴を寸法決めしてもよい。寸法
における変化はオペレータにシステムエラーを知らせる
であろう。
【０００８】多数の走査にわたる散乱パターンは、走査
中心がウエハ上でセンタリングされているかどうかを使
用者に知らせるであろう。この状態において、各端縁か
らの散乱においてかなりの差が生じるであろう。
中心がウエハ上でセンタリングされているかどうかを使
用者に知らせるであろう。この状態において、各端縁か
らの散乱においてかなりの差が生じるであろう。
【０００９】光を散乱するエレメントを含む帯は、空の
帯によって隣接した類似した帯から間隔を隔てられ、ス
キャナによるウエハ端縁シミュレーションおよび排除を
許容する。
帯によって隣接した類似した帯から間隔を隔てられ、ス
キャナによるウエハ端縁シミュレーションおよび排除を
許容する。
【００１０】
【発明を実施するためのベストモード】図１を参照する
と、光を散乱する特徴のパターンを有するウエハが示さ
れる。このパターンは、特徴の階層的な機構を含む。グ
ループレベルと称される最も低いレベルで、個々の光を
散乱するエレメントのアレイがある。第１のそのような
グループ１１は、ウエハ１３の幾何学上の中心１５に配
設される。第１のグループを囲むのは、円２１および２
７によって示される端縁を有する空の環状帯１７であ
る。内側の円２１は、幾何学上の中心１５から約１０ｍ
ｍの半径にあり、他方、円２７は、中心から１３ｍｍの
半径にある。この応用において、環状境界を示すすべて
の円形点線と同様に、ウエハの中心１５をマークづけす
る十字線は架空線である。ウエハは、光散乱特徴のパタ
ーンを除いて全く裸である。
と、光を散乱する特徴のパターンを有するウエハが示さ
れる。このパターンは、特徴の階層的な機構を含む。グ
ループレベルと称される最も低いレベルで、個々の光を
散乱するエレメントのアレイがある。第１のそのような
グループ１１は、ウエハ１３の幾何学上の中心１５に配
設される。第１のグループを囲むのは、円２１および２
７によって示される端縁を有する空の環状帯１７であ
る。内側の円２１は、幾何学上の中心１５から約１０ｍ
ｍの半径にあり、他方、円２７は、中心から１３ｍｍの
半径にある。この応用において、環状境界を示すすべて
の円形点線と同様に、ウエハの中心１５をマークづけす
る十字線は架空線である。ウエハは、光散乱特徴のパタ
ーンを除いて全く裸である。
【００１１】次に、環状帯２５を含む第１の特徴は、そ
れぞれ、内部架空帯端縁２７および外部架空帯端縁２９
を有する。この第１の帯は、光散乱特徴３１、３３、３
５、および３７の４個のグループを含む。幾何学上の中
心１５からグループの中心までの距離は、１８ｍｍであ
る。外側の帯端縁２９の半径は、２２ｍｍである。第２
の空の環状帯３９は帯端縁２９と帯端縁４１との間に規
定される。帯端縁４１の半径は２６ｍｍである。
れぞれ、内部架空帯端縁２７および外部架空帯端縁２９
を有する。この第１の帯は、光散乱特徴３１、３３、３
５、および３７の４個のグループを含む。幾何学上の中
心１５からグループの中心までの距離は、１８ｍｍであ
る。外側の帯端縁２９の半径は、２２ｍｍである。第２
の空の環状帯３９は帯端縁２９と帯端縁４１との間に規
定される。帯端縁４１の半径は２６ｍｍである。
【００１２】次に、帯４３を含む第２の光散乱特徴は、
端縁４１と４５との間に規定される。端縁４５の半径は
３４ｍｍである。特徴のグループたとえば、グループ４
７は第２の帯内に配設される。
端縁４１と４５との間に規定される。端縁４５の半径は
３４ｍｍである。特徴のグループたとえば、グループ４
７は第２の帯内に配設される。
【００１３】帯４３を含む第２の特徴を越えて、帯端縁
４５および５１を有する別の空の環状帯４９がある。帯
端縁５１の半径は３８ｍｍである。空の環状帯４９は、
他の空の環状帯と同じ目的を満たし、減少されたゾーン
にわたる走査のために端縁除去を許容する。空の環状帯
の半径は、予め定められた寸法のウエハの外側の半径に
対応する。この実施例は１００ミリメートルウエハを想
定するが、３インチおよび６インチウエハと同様に、他
の寸法もまた用いられ得る。環状帯５３を含む第３の、
かつ最も外側の特徴は、帯端縁５１と５５との間に規定
される。光散乱特徴５７のグループは、幾何学上の中心
から４０ｍｍの半径にあり、他方、帯端縁５５は４６ｍ
ｍの半径にある。ウエハの外側の端縁５９は半径５０ｍ
ｍにある。
４５および５１を有する別の空の環状帯４９がある。帯
端縁５１の半径は３８ｍｍである。空の環状帯４９は、
他の空の環状帯と同じ目的を満たし、減少されたゾーン
にわたる走査のために端縁除去を許容する。空の環状帯
の半径は、予め定められた寸法のウエハの外側の半径に
対応する。この実施例は１００ミリメートルウエハを想
定するが、３インチおよび６インチウエハと同様に、他
の寸法もまた用いられ得る。環状帯５３を含む第３の、
かつ最も外側の特徴は、帯端縁５１と５５との間に規定
される。光散乱特徴５７のグループは、幾何学上の中心
から４０ｍｍの半径にあり、他方、帯端縁５５は４６ｍ
ｍの半径にある。ウエハの外側の端縁５９は半径５０ｍ
ｍにある。
【００１４】ウエハ上のグループの全体にわたる分布
は、前に測定された環状分布と同様に、行および列の１
つであり、少なくとも４個のグループがどの行または列
においても存在する。第１の環状帯２５内の最も内側の
グループは、中心に関して、第２の帯４３におけるグル
ープとは異なるが、第３の帯５３と同じ角配向である。
グループを共線状に整列させることにより、異なる帯の
異なるグループ内の光散乱特徴は、同じ線走査において
見られるであろう。
は、前に測定された環状分布と同様に、行および列の１
つであり、少なくとも４個のグループがどの行または列
においても存在する。第１の環状帯２５内の最も内側の
グループは、中心に関して、第２の帯４３におけるグル
ープとは異なるが、第３の帯５３と同じ角配向である。
グループを共線状に整列させることにより、異なる帯の
異なるグループ内の光散乱特徴は、同じ線走査において
見られるであろう。
【００１５】図２を参照すると、光散乱エレメントのグ
ループの別のパターンが見られるであろう。再び、グル
ープは幾何学上の中心６５の周囲の環状帯に分布され
る。共通の幾何学上の中心６５を有する環状帯７１、７
３および７５は、図１の空の帯と同じ半径の大きさを有
する空の帯８１、８３および８５により間隔を隔てられ
る。帯７１、７３および７５は各々、複数個の間隔を隔
てられたグループの光散乱特徴を含む。グループの分布
はまた、グループの間の間隔が、グループの幅大きさの
２倍よりも大きい状態で、行および列にある。グループ
ごとに１２個の光散乱特徴があるので、幾何学上の中心
６５のすぐ近辺にも、１２個の光散乱エレメントがある
であろう。環状帯７１内のすべてのグループが計数され
るように、端縁を第１の空の環状帯８１で締め出すよう
に選ばれれば、第１の環状帯において４８個、プラス中
心に１２個の特徴で、合計６０光散乱特徴があり、これ
らは空の環状帯８１内にすべての光散乱エレメントを含
む１回の走査で計数されるべきである。もし環状端縁の
締め出しが第２の空の環状帯８３まで外に押されれば、
走査されるであろう付加的な８個のグループ、または合
計９６個の光散乱エレメントがあるであろう。付加的な
９６個のエレメントで、走査されるべき光散乱エレメン
トは合計１５６個になる。
ループの別のパターンが見られるであろう。再び、グル
ープは幾何学上の中心６５の周囲の環状帯に分布され
る。共通の幾何学上の中心６５を有する環状帯７１、７
３および７５は、図１の空の帯と同じ半径の大きさを有
する空の帯８１、８３および８５により間隔を隔てられ
る。帯７１、７３および７５は各々、複数個の間隔を隔
てられたグループの光散乱特徴を含む。グループの分布
はまた、グループの間の間隔が、グループの幅大きさの
２倍よりも大きい状態で、行および列にある。グループ
ごとに１２個の光散乱特徴があるので、幾何学上の中心
６５のすぐ近辺にも、１２個の光散乱エレメントがある
であろう。環状帯７１内のすべてのグループが計数され
るように、端縁を第１の空の環状帯８１で締め出すよう
に選ばれれば、第１の環状帯において４８個、プラス中
心に１２個の特徴で、合計６０光散乱特徴があり、これ
らは空の環状帯８１内にすべての光散乱エレメントを含
む１回の走査で計数されるべきである。もし環状端縁の
締め出しが第２の空の環状帯８３まで外に押されれば、
走査されるであろう付加的な８個のグループ、または合
計９６個の光散乱エレメントがあるであろう。付加的な
９６個のエレメントで、走査されるべき光散乱エレメン
トは合計１５６個になる。
【００１６】もし排除面積が第３の空の環状帯８５にさ
らに外に押されれば、環状帯７５内に存在する、１２個
の付加的なグループはグループの総数に計数されるであ
ろう。最も外に存在する帯にある１２個のグループは、
付加的な１４４または合計３００個の光散乱エレメント
を伴う。
らに外に押されれば、環状帯７５内に存在する、１２個
の付加的なグループはグループの総数に計数されるであ
ろう。最も外に存在する帯にある１２個のグループは、
付加的な１４４または合計３００個の光散乱エレメント
を伴う。
【００１７】光散乱特徴の各々は、反射性の裸の半導体
ウエハをパターン化することにより作られる。裸ウエハ
は、フォトレジストによりコーティングされ、かつコー
ティングされたウエハはそれから光散乱エレメントを含
むフォトマスクによって精密パターンにパターン化され
る。フォトマスクは、光散乱エレメントを均一にするた
めのステップ・アンド・リピートカメラによって作られ
てもよい。ひと度ウエハがパターン化されれば、それは
所望の深さにエッチングされてもよく、かつそれからす
べてのフォトレジストは除去される。典型的な所望の深
さは、６７５Åである。エッチングされたピットの直径
は、１．５ミクロンである。これらの大きさは、どの光
散乱特徴から散乱された光も、０．２６９ミクロンのラ
テックス球で散乱された光の量に近似するように選択さ
れる。これらの大きさのポリスチレンラテックス球は、
ＳＲＭ−１６９１として知られる参照基準材料として、
ナショナル インスティチュート オブ スタンダーズ
アンド テクノロジー（Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｉｎｓｔ
ｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ ａｎｄＴｅｃ
ｈｎｏｌｏｇｙ）によって提供される。他の厚さは、
０．３６４ミクロンおよび０．４９６ミクロンの球から
の応答を模倣するために用いられるであろう。したがっ
て、絶対汚染標準は、テストウエハと、ＳＲＭ−１６９
１形式のポリスチレンラテックス球を分布することによ
り作られた絶対標準を参照して、エッチングすることに
より作られた光散乱特徴を比較することによって模倣さ
れてもよい。
ウエハをパターン化することにより作られる。裸ウエハ
は、フォトレジストによりコーティングされ、かつコー
ティングされたウエハはそれから光散乱エレメントを含
むフォトマスクによって精密パターンにパターン化され
る。フォトマスクは、光散乱エレメントを均一にするた
めのステップ・アンド・リピートカメラによって作られ
てもよい。ひと度ウエハがパターン化されれば、それは
所望の深さにエッチングされてもよく、かつそれからす
べてのフォトレジストは除去される。典型的な所望の深
さは、６７５Åである。エッチングされたピットの直径
は、１．５ミクロンである。これらの大きさは、どの光
散乱特徴から散乱された光も、０．２６９ミクロンのラ
テックス球で散乱された光の量に近似するように選択さ
れる。これらの大きさのポリスチレンラテックス球は、
ＳＲＭ−１６９１として知られる参照基準材料として、
ナショナル インスティチュート オブ スタンダーズ
アンド テクノロジー（Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｉｎｓｔ
ｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ ａｎｄＴｅｃ
ｈｎｏｌｏｇｙ）によって提供される。他の厚さは、
０．３６４ミクロンおよび０．４９６ミクロンの球から
の応答を模倣するために用いられるであろう。したがっ
て、絶対汚染標準は、テストウエハと、ＳＲＭ−１６９
１形式のポリスチレンラテックス球を分布することによ
り作られた絶対標準を参照して、エッチングすることに
より作られた光散乱特徴を比較することによって模倣さ
れてもよい。
【００１８】各光散乱グループの形状構造の詳細は、図
３を参照して理解されるであろう。光散乱エレメント８
７と９１との間の間隔は２ｍｍ．であるが、１ないし３
ミリメートルの範囲内で存在し得る。同様に、光散乱エ
レメント８７と９３との間の距離もまた２ｍｍである。
アレイの行および列に沿った間隔が同じなので、アレイ
を横切る大きさは６ｍｍである。同様に、アレイの高さ
も６ｍｍである。アレイは、単なる架空の軸であり、か
つエッチングされた線ではないｘ−ｙ軸９５、９７に関
して対称である。これは、また図１および２の中心で見
られる軸にもあてはまる。
３を参照して理解されるであろう。光散乱エレメント８
７と９１との間の間隔は２ｍｍ．であるが、１ないし３
ミリメートルの範囲内で存在し得る。同様に、光散乱エ
レメント８７と９３との間の距離もまた２ｍｍである。
アレイの行および列に沿った間隔が同じなので、アレイ
を横切る大きさは６ｍｍである。同様に、アレイの高さ
も６ｍｍである。アレイは、単なる架空の軸であり、か
つエッチングされた線ではないｘ−ｙ軸９５、９７に関
して対称である。これは、また図１および２の中心で見
られる軸にもあてはまる。
【００１９】光散乱特徴の間隔は、照射ビームスポット
がグループのすべてのメンバーよりも少なく照射するよ
うなものである。好ましくは、１つのスポット、または
スポットの一部分しか一度に照射されない。それから、
ビームがウエハの表面を横切って掃引するにつれて、他
のスポットは照射され、かつ記録される。このようにし
て、スポットの数の計数がなされてもよい。もし１つ以
上のスポットが一度に照射されれば、スポットを計数す
ることはより困難であり、かつスポットの上の繰り返さ
れる通過から得られる情報に頼らなければならない。
がグループのすべてのメンバーよりも少なく照射するよ
うなものである。好ましくは、１つのスポット、または
スポットの一部分しか一度に照射されない。それから、
ビームがウエハの表面を横切って掃引するにつれて、他
のスポットは照射され、かつ記録される。このようにし
て、スポットの数の計数がなされてもよい。もし１つ以
上のスポットが一度に照射されれば、スポットを計数す
ることはより困難であり、かつスポットの上の繰り返さ
れる通過から得られる情報に頼らなければならない。
【図１】この発明による参照基準の頂部平面図である。
【図２】この発明による別の参照基準の頂部平面図であ
る。
る。
【図３】図１の参照基準の詳細な図である。
（１５，６５） 中心 （２５，４３，５３，７１，７３，７５） 環状帯 （１７，３９，４９，８１，８３，８５） 空の環状帯 （４１，５１，５５，５９） ウエハ端縁 （１１，３１，３３，３５，３７，４７，５７） 光散
乱特徴のグループ
乱特徴のグループ
Claims (10)
- 【請求項１】 直線方向に掃引するビームを有する形式
の光学表面スキャナ用の基準であって、 ウエハの中心の周囲の環状帯に配設される光を散乱する
特徴のグループを有するウエハを含み、特徴を含む隣接
帯は空の環状帯によって互いに間隔を隔てられ、それに
よってウエハ端縁はシミュレートされてもよい、基準装
置。 - 【請求項２】 前記グループにおける個々の光を散乱す
る特徴は、行および列の形状構造パターンに配列され
る、請求項１記載の装置。 - 【請求項３】 異なる帯にある前記グループは、直線状
に整列される、請求項１記載の装置。 - 【請求項４】 直線方向に掃引するビームを有する形式
の光学表面スキャナ用の基準装置であって、 共通の中心の周囲に放射状に分布される光を散乱する特
徴のグループを有するウエハを含み、各グループはビー
ムがグループ全体においてよりも少ない特徴を同時に照
射するような間隔の前記特徴の行および列を有し、前記
間隔は、種々の寸法のウエハのためにウエハ端縁をシミ
ュレートする同心円の、空の環状帯を含む、基準装置。 - 【請求項５】 前記光を散乱する特徴は、１ないし３ミ
リメートルの間の範囲の間隔を有する、請求項４記載の
装置。 - 【請求項６】 前記光を散乱する特徴は前記ウエハ表面
においてエッチングされたピットである、請求項４記載
の装置。 - 【請求項７】 前記光を散乱する特徴は、４個のグルー
プの前記特徴を含む第１の環状帯を含む環状帯に配設さ
れる、請求項４記載の装置。 - 【請求項８】 第２の環状帯は８個のグループの前記特
徴を含む、請求項７記載の装置。 - 【請求項９】 第３の環状帯は１２個のグループの前記
特徴を含む、請求項８記載の装置。 - 【請求項１０】 前記グループの個々の光を散乱する特
徴は、行および列の形状構造パターンに配列される、請
求項４記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US58733490A | 1990-09-24 | 1990-09-24 | |
| US587334 | 1996-01-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06283593A true JPH06283593A (ja) | 1994-10-07 |
| JP3262565B2 JP3262565B2 (ja) | 2002-03-04 |
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| JP (1) | JP3262565B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012004490A (ja) * | 2010-06-21 | 2012-01-05 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送装置及び基板搬送方法 |
-
1991
- 1991-06-26 JP JP15427091A patent/JP3262565B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012004490A (ja) * | 2010-06-21 | 2012-01-05 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送装置及び基板搬送方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3262565B2 (ja) | 2002-03-04 |
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