JPH06281827A - 石英導波路型光部品の製造方法 - Google Patents

石英導波路型光部品の製造方法

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JPH06281827A
JPH06281827A JP6793293A JP6793293A JPH06281827A JP H06281827 A JPH06281827 A JP H06281827A JP 6793293 A JP6793293 A JP 6793293A JP 6793293 A JP6793293 A JP 6793293A JP H06281827 A JPH06281827 A JP H06281827A
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JP
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waveguide
waveguide core
type optical
core
quartz
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JP6793293A
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English (en)
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Takeshi Ueki
健 植木
Hisaharu Yanagawa
久治 柳川
Guriin Maino
グリーン マイノ
Rodonii Ansonii Shimusu Richiyaado
ロドニー アンソニー シムス リチャード
Shiin Horumuzu Andoriyuu
シーン ホルムズ アンドリュー
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Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 導波路の伝搬損失が小さい石英導波路型光部
品を高い歩留りで製造する方法を提供する。 【構成】 下部クラッドの上に段差をなして形成されて
いる導波路コアを上部クラッドで埋め込んで石英導波路
型光部品を製造する際に、前記上部クラッドの形成に先
立ち、一旦、前記導波路コアにその軟化点以上の温度で
加熱処理を施す石英導波路型光部品の製造方法であり、
とくに、ゾル−ゲル法を適用して埋込み型導波路を形成
するときに採用して有効である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、埋込み型石英導波路を
有する石英導波路型光部品の製造方法に関し、更に詳し
くは、その導波路に光を伝搬させたときの伝搬損失は大
幅に低減し、上部クラッドの形成時におけるクラック発
生も抑制され、もって製造時の歩留りを向上させること
ができる石英導波路型光部品の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】光通信の分野においては、今後加入する
であろう利用者の通信系への光ファイバの導入が増加す
るにつれて、既に使用されている光ファイバと同質の材
料で構成された石英導波路型光部品が重要な位置を占め
る。この石英導波路型光部品は、一般に、次のようにし
て製造されている。それを、まず、スラブ導波路の場合
について説明する。
【0003】例えばSiからなる所定厚みの基板の上
に、SiO2 を主成分とする所定膜厚と所定屈折率を有
する石英ガラス薄膜が下部クラッドとして形成される。
その後、この下部クラッドの上に、SiO2 に例えばT
iO2 の所定量がドープされて前記下部クラッドより高
屈折率である石英ガラス薄膜がコアスラブとして積層さ
れる。ついで、このコアスラブの上に下部クラッドと同
質の材料で所定の膜厚と屈折率を有する石英ガラス薄膜
が上部クラッドとして積層され、光が伝搬するコアがス
ラブ状で上部クラッドと下部クラッドにサンドウィッチ
された構造のスラブ導波路型光部品を得る。
【0004】また、埋込み型導波路の場合は、前記した
コアスラブの形成後、そこにホトリソグラフィー法や反
応性イオンエッチング法などを適用して、コアスラブの
不要部分をエッチング除去し、所定パターンの導波路コ
アを形成し、更にその上を前記した上部クラッドの石英
ガラス薄膜で被覆することにより、前記導波路コアのパ
ターンを埋設して製造される。
【0005】上記した石英導波路型光部品の製造に当た
っては、基板の上に石英ガラス薄膜を積層することが必
須の工程となる。この場合、上記した石英ガラス薄膜を
製造する方法としては、例えば火炎堆積法,プラズマC
VD法,電子ビーム蒸着法,ゾル−ゲル法などが適用さ
れているが、これらの方法のうち、ゾル−ゲル法は簡単
な装置で石英ガラス薄膜を成膜することができるという
ことから注目を集めている。
【0006】このゾル−ゲル法は概ね次のようにして行
われる。まず、例えば、Si(OC2 5)4 のようなガ
ラス源を主成分とし、これをエタノールなどの溶媒で希
釈することにより、適切な粘度に調整されたクラッド用
ゾルが調整される。コアを成膜する場合には、上記ゾル
に更に例えばTi(OC 3 7 i )4のようなドープ源が
所定量配合されたコア用ゾルが調整される。
【0007】ついで、例えばSi基板の上に、スピンコ
ーティング法やディッピング法などを適用して上記した
クラッド用ゾルが均一に塗布される。この塗布過程では
ゾルの溶媒が揮発してゾルの各粒子が相互に結合してゲ
ル化する。または、塗布後の塗布層を比較的低温で加熱
して溶媒の揮発を進め、ゲル化することもできる。この
ゲル化した塗布層は、石英ガラスの微粒子が集合した多
孔質ガラス層になっている。
【0008】その後、酸素雰囲気中において、上記塗布
層を一般に1000℃以上の温度で加熱して、石英ガラ
ス微粒子相互の焼結を進めることにより、透明な石英ガ
ラス薄膜にする。そして、この石英ガラス薄膜の上に再
びゾルを塗布して塗布層を形成したのち、再び焼結処理
を行い、第2層目の石英ガラス薄膜を第1層の石英ガラ
ス薄膜の上に積層する。
【0009】この塗布層の形成→塗布層のガラス化のた
めの加熱処理を所定の回数反復することにより、所定厚
みの下部クラッドのスラブが形成される。コアスラブ,
上部クラッドのスラブに関しても上記した処理を反復す
ることにより、それぞれの石英ガラス薄膜が形成され
る。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した一
連の製造工程において、コアスラブに反応性イオンエッ
チング法などでエッチングして所定パターンの導波路コ
アを形成すると、その導波路コアの側面には微細な凹凸
が発生することがある。そのため、この導波路コアを上
部クラッドで埋め込んで製造された埋込み型導波路を有
する光部品においては、上記した導波路コア側面の微細
凹凸によって伝搬光の散乱が起こり、光の伝搬損失の著
増という問題が発生する。
【0011】また、ゾル−ゲル法を適用して埋込み型導
波路を有する光部品を製造した場合には、上記した問題
に加えて、次のような事態も発生する。すなわち、上部
クラッドを形成する場合には、下部クラッドの上に既に
形成されている導波路コアのパターン上に所定のゾルを
塗布することが必要になるが、そのとき、ゾルが塗布さ
れる表面は、導波路コアのパターンが突設しているため
平坦ではなく下部クラッドの表面との間に段差が形成さ
れている。そのため、ゾルの塗布時には、導波路コアの
パターンの表面全体を被覆する塗布層は均一な厚みで形
成されず、例えば、導波路コアの側面部と下部クラッド
の表面とが形成する凹角部に相対的に多量のゾルが塗布
されることになり、全体としての塗布層の厚みは導波路
コアのパターンに沿う個所で厚くなる。
【0012】したがって、このような塗布層に対してガ
ラス化のための加熱処理を行うと、10回程度の塗布−
加熱処理を反復した時点で、導波路コアのパターンに沿
って上部クラッドにクラックが発生したり、また、下部
クラッドの表面との剥離が顕著になり、歩留りは大幅に
低下するようになる。本発明は、埋込み型の石英導波路
型光部品の製造時における上記した問題、とりわけ、ゾ
ル−ゲル法を適用して埋込み型導波路を有する光部品を
製造するときの上記問題を解決することにより、伝搬損
失が小さい石英導波路型光部品を高い歩留りで製造する
方法の提供を目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明においては、下部クラッドの上に段差を
なして形成されている導波路コアを上部クラッドで埋め
込んで石英導波路型光部品を製造する際に、前記上部ク
ラッドの形成に先立ち、一旦、前記導波路コアにその軟
化点以上の温度で加熱処理を施すことを特徴とする石英
導波路型光部品の製造方法が提供される。
【0014】本発明方法は、コアスラブに対するエッチ
ングによって形成された導波路コアを被覆して上部クラ
ッドを形成するに先立ち、前記導波路コアに後述する加
熱処理を施すことを最大の特徴とする。この加熱処理に
よって、導波路コアの断面形状は適切に確保されたまま
の状態で、導波路コアの側面に発生している微細凹凸が
消去されてそこは平滑面となり、また導波路コアの表層
部のエッジは若干の丸みを帯びるようになる。
【0015】加熱処理における適用温度(T℃)は、導
波路コアの軟化点(T0 ℃)以上に設定される。T<T
0 であると、導波路コアは軟化しないため、側面に存在
する微細凹凸を消去できないからである。しかし、Tが
0 に対して高すぎる温度である場合には、側面の微細
凹凸は消去されるものの、他方では導波路コアの全体が
軟化しすぎてその断面形状が崩れるというような事態が
発生する。
【0016】このようなことから、Tは、T0 ≦T≦T
+25の関係を満足するような温度であることが好まし
い。加熱時間は、上記したT(℃)との関係で決められ
るが、あまり短い時間であると、導波路コアの軟化は不
充分であるため側面の微細凹凸は消去されない。また、
過度に長い時間の場合は、導波路コアに添加されている
ドーパントが下部クラッドに拡散し、導波路コアの光学
的な断面形状が変形するという事態が起こりはじめると
ともに、Tの値によっては導波路コアの断面形状が変形
することも起こりうる。
【0017】このようなことから、上記したTが、T0
≦T≦T+25の範囲にある場合、その温度における処
理時間は、概ね、数秒〜30分であることが好ましい。
とくに、TがT0 +10(℃)程度で、処理時間が10
分程度の場合には、導波路コア側面の微細凹凸は完全に
消去され、また表層部のエッジも適当に丸みを帯びるよ
うになり、しかもドーパントの拡散もほとんど起こらな
いので好適である。
【0018】なお、上記した加熱温度Tは、下部クラッ
ドの軟化点(T’)よりも低くなるように、導波路コア
の組成を選定することが有効である。このようにしてお
くと、導波路コアを温度Tで加熱した場合、その導波路
コアは軟化してもその下に位置する下部クラッドは軟化
に伴う変形を全く起こさないからである。すなわち、下
部クラッドの変形によって起こる導波路コアのパターン
崩れなどを回避することができるからである。
【0019】導波路コアにこのような性質を付与するた
めには、ドーパントとして常用されるTiO2 に代えて
GeO2 ,P2 5 ,Al2 3 などをドーパントして
用いたり、または、TiO2 に加えて上記ドーパントを
更に多量に添加したりして、導波路コアの軟化点を低下
させればよい。このような導波路コアを温度Tで加熱す
ると、その側面の微細凹凸が消去されるだけではなく、
導波路コアの表層部を構成する石英ガラスはわずかに流
動状態を呈するようになるので、前記したように、導波
路コアのエッジは取れ、そこが若干丸みを帯びるように
なる。
【0020】このような状態にある導波路コアの上か
ら、例えば上部クラッド用のゾルを塗布すると、前記し
た従来の塗布時のように、導波路コアの側面部と下部ク
ラッドの表面との間で形成されている凹角部における塗
布層の厚みが厚くなるという問題が解消される。その結
果、形成される上部クラッドにおいては、導波路コアの
パターンに沿うクラックの発生は抑制され、歩留りの向
上が達成される。
【0021】
【実施例】
実施例1 純度99.99%のSi(OC2 5)4 を1:1の体積比
でエタノール希釈し、ここに0.1モル%の塩酸を、水と
Si(OC2 5)4 とのモル比が1:1となるように混
合した。混合液を70℃で2時間還流させて加水分解を
進め、ガラス源のゾルとした。
【0022】また、同じく純度99.99%のTi(OC
3 7)4 を1:1の体積比でエタノール希釈してドープ
源のゾルとした。上記ガラス源のゾルにドープ源のゾル
を添加して、TiO2 濃度として、それぞれ6.25モル
%,7.5モル%のゾル(1),ゾル(2)を調製した。
表面を清浄にした厚み500μmのSi単結晶基板の表
面に、ゾル(1)を用いて100回の塗布−ガラス化処
理を行って下部クラッドを形成し、つづけてゾル(2)
を用いて33回の塗布−ガラス化処理を行い、厚み約2
0μmで屈折率1.48のバッファ層と厚み約8μmで屈
折率1.484のコアスラブを形成した。このバッファ
層,コアスラブにはクラックも下層薄膜との剥離も全く
認められず、いずれも透明な一体ガラス層になってい
た。
【0023】ついで、このコアスラブにホトリソグラフ
ィー法を適用して、幅8μm,高さ8μmであり、断面
形状は矩形である導波路コアのパターンを形成した。こ
の導波路コアの表層部のエッジは非常にシャープであ
り、またその側面には、振幅約0.1μmの微細凹凸が高
さ方向に無数に発生していた。なお、この導波路コアの
軟化点は約1250℃であった。
【0024】その後、酸素雰囲気下において、温度12
60℃で10分間の加熱処理を施したのち、導波路コア
の状態を観察した。その結果、導波路コア側面の上記微
細凹凸は測定限界以下の振幅に緩和され、走査電顕によ
る観察でも顕著な凹凸は認められなかった。また、導波
路コアの幅や高さは加熱処理前とほとんど変化せず、表
層部のエッジは半径約1μm程度の曲線を描くように丸
みを帯びていた。更に、導波路コアのドーパントである
TiO2 のバッファ層への拡散もほとんど起こっていな
かった。
【0025】ついで、この導波路コアの上からゾル
(1)を用いて17回の塗布−ガラス化処理を行い、厚
み約10μmで屈折率1.48の上部クラッドを形成し埋
込み型導波路を製造した。上部クラッドの表面はほとん
ど段差がなく平坦であり、またクラックも全く発生して
いなかった。
【0026】得られた埋込み型導波路の伝搬損失は約1
dB/cmであった。比較のために、導波路コアへの加熱処
理を施すことを除いては、実施例1と同様の条件で埋込
み型導波路を製造した。この導波路の伝搬損失は約5dB
/cmであった。なお、実施例1において、導波路コアの
加熱処理を、温度1275℃で30分間行ったところ、
導波路コア側面の微細凹凸は消去されて平滑面は形成さ
れたが、一方では、導波路コアの幅が若干広くなり、高
さが若干低くなって断面形状に崩れが生じた。
【0027】実施例2 Ti(OC2 5)4 に代えてGe(OC2 5)4 を用い
たことを除いては、実施例1と同様にして、バッファ層
と導波コアのパターンを形成した。バッファ層の軟化点
は1250℃,導波路コアの軟化点は1150℃であっ
た。ついで酸素雰囲気下において、温度1250℃で1
0分間の加熱処理を施した。バッファ層は軟化すること
なく、また、導波路コアは実施例1とほとんど同じ状態
になった。
【0028】実施例3 実施例1,実施例2の条件で、ピッチ250μmで並設
する2本の導波路コアを形成し、それぞれに対し、実施
例1,実施例2の条件で加熱処理を施した。実施例1の
条件で加熱された導波路コアにおいては、導波路コア間
のピッチが249.5μmに減少した。これは、加熱温度
が1260℃であるため、バッファ層が一度軟化したか
らである。これに反し、実施例2の条件で加熱処理した
場合には、導波路コア間のピッチの変化は認められなか
った。
【0029】また、実施例1において、加熱温度を13
10℃(50℃上昇),処理時間を20分(10分延
長)とし、実施例2において、加熱時間を1300℃
(50℃上昇),処理時間を20分(10分延長)とし
てそれぞれの導波路コアに加熱処理を施した。実施例2
に関する場合には、導波路コア,ドーパントのバッファ
層への拡散などに変化は認められなかった。
【0030】しかし、実施例1に関する場合には、バッ
ファ層に約1μmの深さで導波路コアのドーパントであ
るTiO2 が拡散していた。これは、Tiの固相拡散だ
けではなく、バッファ層と導波路コアとの界面でそれぞ
れのガラス材料が混合していることを示している。
【0031】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明方
法によれば、コアスラブのエッチング時に発生する導波
路コア側面の微細凹凸を消去することができるので、導
波路の伝搬損失を大幅に低減することができる。また、
導波路コアの表層部のエッジが適当な丸みを帯びるの
で、例えばゾル−ゲル法でこの上に上部クラッドを形成
するときにクラックなどが発生しなくなり、歩留りは大
幅に向上する。
【0032】更に、導波路コア側面の微細凹凸が消去さ
れる過程では、下部クラッドに応々にして形成される柱
状欠陥なども緩和されるようになり、このことによって
も、導波路の伝搬損失は低減する。なお、本発明方法に
おいては、導波路コアの軟化点をその下に位置する下部
クラッドの軟化点よりも低くすることにより、加熱処理
後においても導波路コアのパターン崩れを防ぐと同時
に、導波路コアのドーパントが下部クラッドへ拡散する
ことを防止できる。
フロントページの続き (72)発明者 マイノ グリーン イギリス国 ロンドン エスダブリュ7 2ビーティエキシビションロード(番地な し) (72)発明者 リチャード ロドニー アンソニー シム ス イギリス国 ロンドン エスダブリュ7 2ビーティエキシビションロード(番地な し) (72)発明者 アンドリュー シーン ホルムズ イギリス国 ロンドン エスダブリュ7 2ビーティエキシビションロード(番地な し)

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下部クラッドの上に段差をなして形成さ
    れている導波路コアを上部クラッドで埋め込んで石英導
    波路型光部品を製造する際に、前記上部クラッドの形成
    に先立ち、一旦、前記導波路コアにその軟化点以上の温
    度で加熱処理を施すことを特徴とする石英導波路型光部
    品の製造方法。
  2. 【請求項2】 前記下部クラッド,前記導波路コア,前
    記上部クラッドがゾル−ゲル法を適用して形成される請
    求項1の石英導波路型光部品の製造方法。
  3. 【請求項3】 前記導波路コアへの加熱処理が、導波路
    コアの軟化点をT0 ℃,加熱温度をT℃としたとき、T
    は、T0 ≦T≦T0 +25であり、かつ加熱処理時間は
    30分以下の条件下で行われる請求項1の石英導波路型
    光部品の製造方法。
  4. 【請求項4】 前記導波路コアの軟化点が、前記下部ク
    ラッドの軟化点よりも低い請求項1の石英導波路型光部
    品の製造方法。
  5. 【請求項5】 前記導波路コアが、GeO2 ,P
    2 5 ,Al2 3 の少なくとも1種をドーパントとし
    て含有している請求項4の石英導波路型光部品の製造方
    法。
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