JPH06280084A - 湿式メッキ方法 - Google Patents

湿式メッキ方法

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JPH06280084A
JPH06280084A JP34732592A JP34732592A JPH06280084A JP H06280084 A JPH06280084 A JP H06280084A JP 34732592 A JP34732592 A JP 34732592A JP 34732592 A JP34732592 A JP 34732592A JP H06280084 A JPH06280084 A JP H06280084A
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JP
Japan
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substrate
plating
hole
soln
flowing
Prior art date
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Pending
Application number
JP34732592A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroaki Takahashi
広明 高橋
Kaoru Tone
薫 戸根
Izuru Yoshizawa
出 吉澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
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Publication of JPH06280084A publication Critical patent/JPH06280084A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/42Plated through-holes or plated via connections
    • H05K3/423Plated through-holes or plated via connections characterised by electroplating method

Landscapes

  • Chemically Coating (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 スルホール内壁にメッキ被膜を均一に析出す
る湿式メッキ方法を提供する点にある。 【構成】 スルホール(2)を有する基板への湿式メッ
キ方法において、メッキ液をスルホール(2)に対し
て、垂直方向に流し、かつ基板(1)の両面を流れるメ
ッキ液の流動速度を異なるようにしてメッキを行える構
成である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、スルホールを有する基
板にメッキ膜を形成する湿式メッキ方法に関し、例え
ば、絶縁基板に導電路を形成してなるプリント配線板な
どの電子部品の製造に用いられる湿式メッキ方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】スルホールを有する基板にメッキ膜を形
成する湿式メッキとしては、化学メッキ、電気メッキな
どがあり、従来から汎用されていた。ここで、公知の湿
式メッキ方法について一例をあげると、メッキ液がスル
ホール内で流動するように、基板の揺動、空気による攪
拌、あるいは、メッキ液の循環によりスルホール内壁全
面に金属を析出させることを狙ったものである。
【0003】しかし、スルホールの直径が小径化するに
つれて、スルホール内壁でのメッキ液の流動性が低下す
ると、メッキ液の金属イオンの活性度が低下し、その結
果、スルホール内壁でも深くなるにつれ、膜厚が薄くな
る問題が生じる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
課題は、スルホール内壁にメッキ被膜を均一に析出する
湿式メッキ方法を提供する点にある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に係る
湿式メッキ方法は、スルホール(2)を有する基板への
湿式メッキ方法において、メッキ液をスルホール(2)
に対して、垂直方向に流し、かつ基板(1)の両面を流
れるメッキ液の流動速度を異なるようにしてメッキを行
うことを特徴とする。
【0006】本発明の請求項2に係る湿式メッキ方法
は、基板(1)をメッキ液の流動方向と垂直方向に揺動
させてメッキを行うことを特徴とする。
【0007】
【作用】本発明の湿式メッキ方法は、メッキ液をスルホ
ール(2)に対して、垂直方向に流し、かつ基板(1)
の両面を流れるメッキ液の流動速度を異なるようにして
メッキを行うので、スルホール(2)内に湿式メッキし
たときに、メッキ被膜を均一に析出させることができ、
さらに、基板(1)を流動するメッキ液の流動方向と垂
直方向に揺動させてメッキを行うと、一層容易にメッキ
被膜を均一に析出させることができる。
【0008】以下、本発明を実施例に係る図面に基づい
て詳しく説明する。図1は、本発明の実施例に係る湿式
メッキ方法の概念図である。
【0009】図1に示すごとく、本発明の湿式メッキ方
法を実施するのに使用する湿式メッキ装置は、吐出管
(3)を備える。この吐出管(3)は、設置する間隔が
基板(1)を設置する間隔と同じであれば、メッキ被膜
を基板(1)全体に均一に析出させられるので、湿式メ
ッキ装置としては、効果的である。
【0010】本発明の湿式メッキ方法において、被メッ
キ体の最表面では、メッキ液中の金属イオンが電子受容
反応をして、金属原子の状態で吸着する。この場合、被
メッキ体とメッキ液との接触界面では部分的な金属イオ
ンの濃度差が生じて、拡散が起こる。この拡散は、メッ
キ析出の最表面で常時起こり、拡散層という金属イオン
の低濃度領域を形成する。ここで、メッキ液を攪拌する
などして、メッキ被膜の均一析出を促すことが重要であ
る。そこで、スルホール(2)内壁にメッキ被膜を均一
に析出させるように、メッキ液をスルホール(2)に対
して、垂直方向に流し、かつ基板(1)の両面を流れる
メッキ液の流動速度を異なるようにしてメッキを行う方
法によって、スルホール(2)を介した基板(1)の両
面で圧力差を生じさせ、スルホール(2)内において、
メッキ液を圧力の高い方から低い方へ流す。こうして、
メッキ被膜を基板(1)全体に均一に析出させられる。
【0011】
【実施例】以下、本発明の実施例をあげる。
【0012】実施例 本発明の実施例で用いたスルホール(2)を有する基板
(1)の厚さは3mm、スルホール(2)の孔径は0.
4mmであり、基板厚さを孔径で割ったアスペクト比
は、7.5となり、アスペクト比としては、標準的なス
ルホール(2)を有する被メッキ体の基板(1)を用い
た。本発明の湿式メッキ方法は、この基板(1)におい
て、メッキ液をスルホール(2)に対して、垂直方向に
流し、かつスルホール(2)を介した基板(1)の両面
でのメッキ液の流動速度をそれぞれ別々の値に設定して
メッキを行った。図1に示すごとく、メッキ液が流動し
やすいように排出管(3)を基板(1)の下に設置し
た。この場合、基板(1)を流動するメッキ液の流動方
向と垂直方向に揺動させてメッキを行った。こうして、
メッキされた基板(1)において、メッキ被膜を基板
(1)全体に均一に析出させたかを評価した。上記評価
は、5回行った。
【0013】図2は、本発明の実施例に係る湿式メッキ
方法で得た基板の拡大図である。基板(1)の表面に析
出した被膜の厚さとスルホール(2)内の中心部に析出
した被膜の厚さから下記の評価式によって行った。 X(%)=2×B÷(A+C)×100 〔ただし、Aは、基板(1)の上表面に析出した被膜の
厚さを表し、Bは、スルホール(2)内の中心部に析出
した被膜の厚さを表し、Cは、基板(1)の下表面に析
出した被膜の厚さを表す。〕 比較例 実施例と同様に基板(1)の厚さは3mm、スルホール
(2)の孔径は0.4mmであり、アスペクト比として
は、標準的なスルホール(2)を有する被メッキ体の基
板(1)を用いた。湿式メッキを行う際、メッキ液が流
動しやすいようにする排出管(3)を設置せず、基板
(1)を流動するメッキ液の流動方向と垂直方向に揺動
させてメッキを行った。こうして、メッキされた基板
(1)において、実施例と同様の方法で、評価は、5回
行った。
【0014】上述した実施例と比較例の結果を下記の表
1にまとめた。
【0015】
【表1】
【0016】上記の結果から基板(1)において、メッ
キ液をスルホール(2)に対して、垂直方向に流し、か
つ基板(1)の両面を流れるメッキ液の流動速度を異な
るようにしてメッキを行うと、メッキ被膜を基板(1)
全体に均一に析出できる。
【0017】
【発明の効果】本発明の湿式メッキ方法によると、スル
ホール内壁にメッキ被膜を均一に析出することができ、
スルホールを介して層間の接続性を向上させることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例に係る湿式メッキ方法の概念図
である。
【図2】本発明の実施例に係る湿式メッキ方法で得た基
板の拡大図である。
【符号の説明】
1 基板 2 スルホール 3 吐出管
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成5年3月3日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0007
【補正方法】変更
【補正内容】
【0007】本発明の湿式メッキ方法は、メッキ液をス
ルホール(2)に対して、垂直方向に流し、かつ基板
(1)の両面を流れるメッキ液の流動速度を異なるよう
にしてメッキを行うので、その結果、基板(1)の両側
での圧力差を生じることによって、スルホール(2)内
に湿式メッキしたときに、メッキ被膜を均一に析出させ
ることができ、さらに、基板(1)を流動するメッキ液
の流動方向と垂直方向に揺動させてメッキを行うと、一
層容易にメッキ被膜を均一に析出させることができる。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 スルホール(2)を有する基板への湿式
    メッキ方法において、メッキ液をスルホール(2)に対
    して、垂直方向に流し、かつ基板(1)の両面を流れる
    メッキ液の流動速度を異なるようにしてメッキを行うこ
    とを特徴とする湿式メッキ方法。
  2. 【請求項2】 上記基板(1)をメッキ液の流動方向と
    垂直方向に揺動させてメッキを行うことを特徴とする請
    求項1記載の湿式メッキ方法。
JP34732592A 1992-12-25 1992-12-25 湿式メッキ方法 Pending JPH06280084A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1087844A1 (en) * 1998-05-13 2001-04-04 Tyco Printed Circuit Group, Inc. Apparatus and method for coating a multilayer article
JP2011256444A (ja) * 2010-06-10 2011-12-22 Sumitomo Bakelite Co Ltd 基板の処理方法および処理装置

Cited By (3)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1087844A1 (en) * 1998-05-13 2001-04-04 Tyco Printed Circuit Group, Inc. Apparatus and method for coating a multilayer article
EP1087844A4 (en) * 1998-05-13 2006-10-11 Tyco Printed Circuit Group Inc DEVICE AND METHOD FOR COATING A MULTILAYER ARTICLE
JP2011256444A (ja) * 2010-06-10 2011-12-22 Sumitomo Bakelite Co Ltd 基板の処理方法および処理装置

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