JPH06276737A - Ｄｃ−ｄｃコンバータ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 絶縁処理されたアルミ基板上にオ−ル面付け
部品を実装し、使い勝手が良く、小形、高信頼性、低価
格なＤＣ−ＤＣコンバ−タを提供する。 【構成】 １はアルミ基板、２は高温状態においても接
点処理部が化学的変化しない材料を使用した面付けコネ
クタ、７はセラミック基板上に部品を搭載した混成集積
回路、３、４、１０、１１、１４はチップ抵抗、チップ
セラミックコンデンサで外形寸法横３．２mm、縦２．５
mm以下、１６は銅箔パタ−ンで形成した大電力、低抵
抗、１５は高温状態においても接点処理部が化学的変化
しない材料を使用した面付けコネクタを示す。 【効果】 本発明により、使い勝手が良く、小形、高信
頼性、低価格なＤＣ−ＤＣコンバ−タが提供できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、絶縁処理したメタルコ
ア基板（例えばアルミニウム）上に銅箔で形成したパタ
−ンを設け、それに発熱部品を含む各種部品を搭載する
ことにより構成されるＤＣ−ＤＣコンバ−タ、インテリ
ジェントパワ−モジュ−ル、モ−タ制御回路等に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来のメタルコア基板（例えばアルミニ
ウム）を使用したＤＣ−ＤＣコンバ−タは、次の構成と
なっている。

【０００３】アルミ基板上にヒ−トシンクを付加し、
それをマザ−ボ−ド上に半田付けして実装する方式を採
用しているために、外部接続用端子としては半田付け可
能なピンタイプを使用している。

【０００４】このためにマザ−ボ−ド（配線基板）が必
須である。

【０００５】内部は絶縁処理したアルミ基板上に銅箔
で形成したパタ−ンに部品を搭載しているが、アルミ基
板と部品の熱膨張係数差による半田接続信頼性で問題と
なる部品も実装している。

【０００６】更に、大電力、低抵抗としては１Ｗ又は１
／２Ｗのチップ抵抗を数本使用して必要電力を確保して
いる。

【０００７】内部はノイズに敏感な制御回路を別基板
（ガラスエポキシ）上に部品実装してアルミ基板との接
続はコネクタを介して行っている。

【０００８】尚、この種のＤＣ−ＤＣコンバ−タに関す
る従来技術に関する公知例として最適な物は見当らない
が、調査した範囲での関連する公知例を下記に示す。

【０００９】 特開平３−１３５３７０『スイッチング電源』 特開平３−１３５３７１『スイッチング電源』 特開平３−１３５３７２『スイッチング電源』 特開平３−１３５３７３『スイッチング電源』

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】従来技術では、次のよ
うな問題が有る。従来技術のＤＣ−ＤＣコンバ−タ実装
方式は、マザ−ボ−ド（別基板）上に半田付けして実装
し、更に、アルミ基板表面にヒ−トシンクを装着して使
用する構成となっているため、マザ−ボ−ド（別基板）
とヒ−トシンクが必須であり、ＤＣ−ＤＣコンバ−タは
小形化出来るが、マザ−ボ−ド、ヒ−トシンクを含める
と大形化してしまうため、使い勝手が悪く、且つ、原価
高となる。

【００１１】又、外部接続用として金メッキ処理以外の
コンタクトを有するコネクタを用いたとすると、製造工
程中に印加される温度ストレスによりコンタクト部分が
化学変化し、接触不良発生の問題が有る。

【００１２】従来技術では、大形部品、発熱部品はアル
ミ基板上に直接搭載し、ノイズに敏感な制御回路は別基
板（ガラスエポキシ）に搭載して構成している。この別
基板とアルミ基板とはコネクタを介して接続されるた
め、次の問題がある。

【００１３】(ａ)別基板として、ガラスエポキシを使用
しているため、制御回路内で発生する熱が大きいときに
は基板の熱伝導効果は期待出来なく、部品の温度上昇が
大きくなり、信頼度が低下する。

【００１４】(ｂ)別基板とアルミ基板との接続はコネク
タを使用しているため、別基板の外形寸法が大きくなる
とともに原価高になる。

【００１５】また、アルミ基板とそれに搭載されるチッ
プ部品（主にチップ抵抗、チップコンデンサ）の熱膨張
係数差が大きいために、冷熱衝撃試験においてアルミ基
板と部品との半田接続部に歪が発生し、半田接続部にク
ラックが入りそれが進行し、破断して接続不良が発生す
る。この歪は部品外形寸法に比例することがシミュレ−
ション及び実験で確認されている。チップ部品でも樹脂
ケ−スタイプ及びリ−ド付き部品においては上記不良は
発生しない。

【００１６】さらに従来技術では、大電力（１Ｗ以
上）、低抵抗（０．５Ω以下）が必要な場合には、１Ｗ
又は１／２Ｗのチップ抵抗を必要本数を並列、直列接続
して使用している。この方法では、電力が大きくなるほ
ど必要な抵抗本数が増加し基板占有面積が増加するため
に、ＤＣ−ＤＣコンバ−タのサイズが大きくなる。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明は、外部接続方式
として、半田付けピン端子方式よりコネクタ接続方式に
変更し、コネクタを基板の一側周端部に実装することに
より、マザ−ボ−ド（別基板）、ヒ−トシンク等を不要
にする。

【００１８】アルミ基板上に搭載するコネクタとして
は、アルミ基板に部品を搭載して半田付けする製造工程
において、印加される高温状態においてもコンタクト部
分の化学的変化が発生しない材料（金メッキ）を使用し
た面付けタイプコネクタを用いる。

【００１９】ノイズに敏感な制御回路は、混成集積回路
としてセラミック基板上に構成し、制御回路内で発生す
る熱はセラミック基板の放熱特性を利用して、発熱部品
よりセラミック基板及びリ−ド端子を介して、アルミ基
板に伝達させる。このため、温度上昇が低減でき、信頼
度を向上できる。混成集積回路とアルミ基板との接続
は、混成集積回路のリ−ド端子で接続されるため、小
形、低価格にできる。

【００２０】アルミ基板上に搭載する全部品につき、ア
ルミ基板との半田接続部分に熱応力解析シミュレ−ショ
ンを行い、最大歪量を求め規定値以上の最大歪量を有す
る部品につき最大歪量低減の為、部品外形寸法を制限す
る。この結果、チップ抵抗の外形寸法は横３．２ｍｍ、
縦２．５ｍｍ以下、チップコンデンサの外形寸法は横
３．２ｍｍ、縦２．５ｍｍ以下の物を使用する。

【００２１】低抵抗値ならばアルミ基板上に銅箔パタ−
ンで形成することが可能であり、パタ−ンにて発生する
熱は、アルミ基板の放熱特性を利用することで対応可能
である。したがって、大電力（１Ｗ以上）、低抵抗値
（０．５Ω以下）はアルミ基板上に銅箔でパタ−ンを形
成することにより、作成可能である。

【００２２】

【作用】本発明では、前記技術的手段は下記に示す働き
をしている。

【００２３】１．ＤＣ−ＤＣコンバ−タの外部接続に、
接点処理として金メッキを使用した面付けタイプコネク
タを採用している。

【００２４】これにより、アルミ基板にコネクタを搭載
し半田付けする製造工程中にコネクタは高温状態（２０
０〜２４０℃、３０〜６０秒）にさらされるが、接点処
理として金メッキを使用しているために、この高温状態
でも接点処理部分は化学的変化することなく、コネクタ
の抜き差しを繰り返しても安定した接触状態を確保でき
る。

【００２５】仮に、接点処理として錫メッキを使用した
面付けタイプコネクタを採用すると、アルミ基板にコネ
クタを搭載し半田付けする製造工程中に高温状態にさら
されるために接点処理部分が化学的変化することによ
り、コネクタの抜き差しを繰り返すと接触不良が発生す
るので、アルミ基板に搭載する面付けコネクタとして
は、金メッキ品を採用することが重要である。

【００２６】外部接続方法として、コネクタを用いるこ
とによりＤＣ−ＤＣコンバ−タの使い勝手が向上する。
例えば、ＤＣ−ＤＣコンバ−タを直接装置の筐体及び論
理架内に実装することにより、マザ−ボ−ド（別基
板）、ヒ−トシンク等は不要となる。

【００２７】２．アルミ基板はアルミベ−ス上に絶縁
層、その上に銅箔パタ−ンを設けることにより構成して
いるので、アルミベ−スと銅箔パタ−ン間には静電容量
が形成されている。ＤＣ−ＤＣコンバ−タではノイズ発
生源である発熱部品を直接銅箔パタ−ン上に搭載してい
る。

【００２８】仮に、ノイズに敏感な制御回路も発熱部品
と同一実装面に実装するとアルミベ−スと銅箔パタ−ン
間には静電容量が形成されているために発熱部品が発生
するノイズにより制御回路が誤動作する恐れが有る。

【００２９】これを防ぐための技術的手段として、アル
ミ基板と制御回路は同一面でなく、分離して実装する方
式を採用しているので、アルミベ−スと銅箔パタ−ン間
に形成されている静電容量を介するノイズの影響を無く
すことができる。

【００３０】更に、制御回路はセラミック基板上に部品
を搭載しているので、制御回路中で発熱する部品の熱は
セラミック記版の放熱特性を利用してアルミ基板へ伝達
されるので熱的にも信頼性が向上する。

【００３１】３．アルミ基板上に直接実装するリ−ドレ
スチップ部品（チップ抵抗、チップコンデンサ）の外形
寸法は横３．２ｍｍ、縦２．５ｍｍ以下の物を採用し
た。これにより、冷熱衝撃試験におけるアルミ基板、搭
載部品の熱膨張係数差による半田接続部に発生する最大
歪量も小さくなり、接続不良はなくなる。

【００３２】４．大電力（１Ｗ以上）、低抵抗（０．５
Ω以下）としては銅箔パタ−ンにより形成した抵抗体を
採用している。銅箔パタ−ンの幅、長さ、厚さにより必
要な抵抗値を製造することが出来る。又、パタ−ンにて
発生する熱は銅箔−絶縁層−アルミ基板へと伝導される
ので、必要な電力値は銅箔パタ−ンの温度上昇より決定
できる。

【００３３】この方式では、大電力（１Ｗ以上）、低抵
抗（０．５Ω以下）は簡単に作成でき、銅箔パタ−ンで
作るため、アルミ基板との半田接続部信頼性についても
問題ない。

【００３４】

【実施例】本発明によるＤＣ−ＤＣコンバ−タの一実施
例を図１に示す。

【００３５】本実施例のＤＣ−ＤＣコンバ−タは、図１
に示す如く、絶縁基板１と、その絶縁基板上に形成され
た所望形状のパタ−ンに接続されるように該絶縁基板上
に搭載された複数の電子部品とにより、構成されてい
る。

【００３６】絶縁基板１（以下基板という）は、９cm×
１４cmサイズの比較的大形の基板が用いられる。基板１
としては例えば、フェノ−ル基板、ガラスエポキシ基板
あるいは絶縁処理された金属基板が用いられる。本実施
例では、熱放散特性の優れた金属性のアルミニウム基板
が用いられ、その表面には陽極酸化技術によって酸化ア
ルミニウム膜がコ−テングされている。

【００３７】本実施例で用いられる基板１の厚みは放熱
を考慮して１mm〜３mmの比較的肉厚の基板が選択して用
いられている。

【００３８】基板１の一主面には１０〜１５０μ厚のエ
ポキシあるいはポリイミド等の絶縁樹脂層（図示しな
い）が貼着され、更にその絶縁樹脂層上には１０〜１５
０μ厚の銅箔（図示しない）が絶縁樹脂層と同じにロ−
ラあるいはホットプレス等の手段により貼着されてい
る。基板１上に貼着される銅箔は基板１の全域に一定の
厚みを有するか、もしくは部分的に銅箔の厚みを異なら
しめて貼着するように設計される。本実施例では比較的
大きな電流容量及び作業性を考慮して基板１全域に７０
μの銅箔が貼着されているものとする。

【００３９】基板１の一主面に設けられた銅箔表面上に
は、スクリ−ン印刷によって銅箔のエッチングを行い、
所望のパタ−ンが形成される。パタ−ン上には複数の電
子部品が搭載され、直流入力電圧と同一系列の一次回路
１７と、絶縁された二次回路１８とが同一平面上に形成
されている。

【００４０】一次回路を構成する主電子部品は、直流入
力電圧を受電するためのコネクタ２と、チップインダク
タンス３と、チップセラミックコンデンサ４と、主スイ
ッチング素子５と、この主スイッチング素子を駆動する
ためのドライブトランス６と、制御回路７と、メイント
ランス８と、パタ−ンにて形成された大電力の低抵抗１
６である。

【００４１】以下に、一次回路１７の各主部品について
説明する。コネクタ２は、図２に示すごとく、２８mm×
１０mm×２２mmの直方体形状であり、コネクタ２の端子
２ａが基板１のパタ−ンに半田で接続されて電気的接続
を形成する。端子２ｂは、アルミニウム基板上に銅箔で
形成された部品固定用パットと半田にて接続され、部品
を固定する役目を果たしている。端子２ｃは金メッキ処
理されており、この部分がケ−ブル側コンタクトと接触
する。

【００４２】チップインダクタンス３は樹脂ケ−ス内に
インダクタンスが形成されており、端子がパタ−ンに半
田で接続される。主スイッチング素子５は樹脂ケ−ス内
に半導体が形成されており、リ−ド端子がパタ−ンに半
田で接続される。

【００４３】ドライブトランス６は、図３に示すごと
く、ボビン６ａ上に電線６ｂを必要回数巻きつけ、それ
を端子６ｃに半田にて接続する。端子６ｃと６ｄとは電
気的に接続されており、端子６ｄを半田によりパタ−ン
と接続する。

【００４４】制御回路７は、図４に示す如く、パルス幅
制御ＩＣ７ｂ、ホトカプラ７ｃ、トランジスタ、チップ
抵抗及びチップコンデンサ等の複数の回路素子７ｄが、
セラミック基板７ａ上の所望形状に形成されたパタ−ン
上に接続されて構成されている。本実施例で用いられる
セラミック基板７ａは、４０mm×２３mmのサイズを有し
ている。又、基板７ａの両周端部には外部リ−ド７ｅが
導出されており、この外部リードをアルミ基板上に形成
されているパタ−ンと半田により接続する。

【００４５】メイントランス８は、図５に示す如く、蛇
腹状に形成された金属箔８ａと絶縁層（図示しない）を
複数層に積層しフェライトコア８ｂで挟み込むように形
成されている。即ち、金属箔または巻線は、一次巻線用
８ａ１、二次巻線用８ａ２及び補助電源の補助巻線８ａ
３の各々の巻線が絶縁層を介して形成され、各々の巻線
は接続用端子８ｃ１、８ｃ２、８ｃ３に導出され、所定
のパタ−ンと半田付けにより接続される。このメイント
ランス８のサイズは、３８mm×２０mm×１０mmの扁平直
方体形状である。

【００４６】大電力、低抵抗１６はパタ−ンの形状によ
り所望の抵抗値を形成している。

【００４７】次に、二次回路１８を説明する。二次回路
を構成する主な電子部品は、メイントランス８により変
換された二次巻線側の出力を整流する整流ダイオ−ド９
と、メイントランス８から出力された励磁電流を蓄積し
て外部の負荷へエネルギ−を放出するチョ−クコイル１
２と、チョ−クコイル１２を介してリップル成分を含ん
だリップル電流を平滑する平滑コンデンサ１３、１４
と、出力電圧を供給するコネクタ１５と、整流ダイオ−
ド９にて発生するサ−ジ電圧を吸収するためのスナ−バ
回路を構成するチップ抵抗１０とチップセラミックコン
デンサ１１とから構成されている。以下に、二次回路１
８の各主部品について説明する。

【００４８】整流ダイオ−ド９は、メイントランス８の
出力を整流するものであるだけで良いために、通常の電
子部品ダイオ−ドが用いられる。

【００４９】チョ−クコイル１２は、図６に示す如く、
ボビン１２ａ上に巻線１２ｂを複数回巻き、そのボビン
をフェライトコア１２ｃで挟み込む様に形成されてい
る。巻線１２ｂの両端は接続端子１２ｄに巻きつけ後、
半田付けされる。その後、接続端子１２ｄはアルミ基板
パタ−ンと半田付けにより接続される。チョ−クコイル
１２の大きさは、１７mm×１０mm×１２mmの扁平直方体
形状である。

【００５０】平滑用コンデンサ１３、１４は、ダイオ−
ド９と同様に通常の小形部品により構成されている。出
力電圧供給用コネクタ１５は一次回路内に使用している
コネクタ２と同一品である。

【００５１】チップ抵抗１０は、図７に示す如く、アル
ミナ基板１０ａ、電極（銀）上にニッケルメッキ、その
上に錫メッキを施した電極１０ｂで形成されており、電
極１０ｂはアルミ基板パタ−ンと半田により接続され
る。チップ抵抗の大きさは、横３．２mm、縦２．５mm、
高さ２．５mm以下の扁平直方体形状である。

【００５２】チップセラミックコンデンサ１１は、図８
に示す如く、誘電体としてチタン酸バリウム１１ａ、電
極（銀−パラジウム）上にニッケルメッキ、その上に錫
メッキを施した電極１１ｂで形成されており、電極１１
ｂはアルミ基板パタ−ンと半田により接続される。チッ
プセラミックコンデンサの大きさは、横３．２mm、縦
２．５mm、高さ２．５mm以下の扁平直方体形状である。

【００５３】本実施例の特徴とするところは、直流入力
電圧受電用コネクタ２と出力電圧供給用コネクタ１５
に、金メッキ処理されたコンタクトを有するコネクタを
半田付けによりアルミ基板に実装したことである。

【００５４】以下に、そのコネクタ２、１５につき詳細
に説明する。図２のＡは、コネクタ２、１５の上面図で
あり、Ｂは側面図である。２ａはアルミ基板との接続端
子、２ｂはコネクタ２をアルミ基板と固定するための固
定端子、２ｃはコンタクトであり、この部分のみ金メッ
キ処理を施している。

【００５５】アルミ基板への接続は下記製造フロ−によ
り行われる。まず、アルミ基板上にメタルマスクを使用
してクリ−ム半田を塗布し、部品を実装する。その後、
ヒ−トブロック方式リフロ−により半田付けを行うが、
この半田付け工程において、コンタクト２ｃは高温状態
（２００〜２４０℃、３０〜６０Ｓ）にさらされるが、
コンタクトに金メッキ処理をしているので、この部分の
化学的変化は発生しない。仮に、コンタクト２ｃに錫メ
ッキ処理したものを使用したとすると、半田付け工程に
おいて印加される高温状態にてコンタクト表面が化学的
変化が発生し、コネクタの抜き差しを繰り返すと接触不
良が発生するので、アルミ基板に実装するコネクタとし
ては、金メッキ処理されたコンタクトを有するコネクタ
を使用することが重要である。

【００５６】以下に、本発明を用いたコンピュ−タ用電
源のＤＣ−ＤＣコンバ−タについて具体例を示す。

【００５７】図９はＤＣ−ＤＣコンバ−タの回路図を示
す。直流入力電源は、先ずチップインダクタンス１９と
チップセラミックコンデンサ２０とで構成される第１の
フイルタ回路５５を通り、主スイッチング素子２１のド
レイン電極と主スイッチング素子２２のソ−ス電極間に
印加される。

【００５８】主スイッチング素子２１、２２のゲ−トに
は、ドライブトランス２３からの信号がチップ抵抗２４
及び２５を介して印加される。この信号により、主スイ
ッチング素子２１、２２が所定周波数にて駆動される。

【００５９】制御回路２６内には直流出力電圧を安定化
させるために必要な安定化機能、異常検出回路、発振回
路、パルス幅変調回路等のＤＣ−ＤＣコンバ−タの制御
回路が収納されている。

【００６０】発振回路２９は、抵抗２７とコンデンサ２
８により決定される周波数を有するパルス信号を発生す
る。このパルス信号はパルス幅変調回路３０でパルス変
調され、スイッチングトランジスタ３１のベ−ス電極に
印加される。この信号によってスイッチングトランジス
タ３１がスイッチングされ、ドライブトランス２３を駆
動する。その結果として、主スイッチング素子２１、２
２が駆動される。

【００６１】３３は、主スイッチング素子２２に流れる
電流を電圧に変換して検出し、抵抗３４、３５により分
圧してパルス幅変調回路３０によって主スイッチング素
子２１、２２に流れる電流を制限しつつ、電源を過負荷
から保護するための過電流検出抵抗（大電力、低抵抗）
である。

【００６２】基準電圧発生回路３２は必要な補助電源を
発生する回路であり、必要部位に供給される。

【００６３】主スイッチングトランジスタ２１、２２の
オン時、メイントランス３６の一次巻線側に前記直流電
圧が入力されることによってメイントランス３６の二次
巻線側に誘起される電圧は、整流ダイオ−ド３７で整流
され、チョ−クコイル３８とコンデンサ３９から構成さ
れる出力フイルタ回路で平滑されることにより、直流に
変換されて、直流出力電圧として出力される。

【００６４】主スイッチングトランジスタ２１、２２の
オフ時、チョ−クコイル３８に蓄積されたエネルギ−
は、ダイオ−ド３７と出力フイルタ回路により直流に変
換され、直流出力電圧として供給される。

【００６５】直流出力電圧は、電圧の安定化を行うため
の誤差検出回路４０に印加される。誤差検出回路４０
は、基準電圧を作るシャントレギュレ−タ４１及び抵抗
４２、４３とフォトカプラのフォトダイオ−ド４４と出
力電圧分圧抵抗４５、４６とから構成される。

【００６６】出力電圧が上昇すると分圧抵抗４５、４６
にて分圧されるシャントレギュレ−タの入力電圧が上昇
し、シャントレギュレ−タの基準電圧より大きくなると
フォトダイオ−ド４４に電流を流して発光させる。フォ
トカプラの受光部４７はフォトダイオ−ド４４と光的結
合されており、フォトダイオ−ドの発光量が増すにつれ
て導通状態になり、パルス幅変調回路３０を制御して主
スイッチング素子２１、２２のベ−スに印加されるパル
ス幅を狭くし、スイッチング時間を短くすることにより
出力電圧を低下させるように動作する。

【００６７】一方、出力電圧が低下すると、分圧抵抗４
５、４６にて分圧されるシャントレギュレ−タの入力電
圧が低下し、フォトダイオ−ド４４の発光量が減少し、
パルス幅変調回路３０は前述とは逆の動作をし、出力電
圧を上昇さすように動作する。

【００６８】このように出力電圧をフォトカプラでパル
ス幅変調回路３０に帰還することによって電圧の安定化
がなされる。

【００６９】コンデンサ５０、抵抗５１により構成され
るスナ−バ回路は、ダイオ−ド３７がスイッチングする
ことにより発生する過電圧を吸収するための物である。

【００７０】更に、本ＤＣ−ＤＣコンバ−タの起動方式
は下記に示す。先ず、直流入力電源が印加されると、抵
抗５２を介してコンデンサ５３の電圧が上昇し、規定値
に達すると制御回路２６内の基準電圧発生回路３２によ
り基準電圧が発生し、発振回路２９、パルス幅変調回路
３０等が動作することにより主スイッチングトランジス
タ２１、２２が動作する。

【００７１】これにより、メイントランス３６の補助巻
線に電圧が発生し補助電源回路５４が動作し、制御回路
２６が必要する補助電源を供給するようになっているの
で、抵抗５２は低電力の抵抗で良く、電源としての効率
も向上する。

【００７２】以上の動作を行うことで、非安定の直流入
力電源を所定の出力を有する安定した直流電源に変換す
ることが出来、コンピュ−タシステムの電源ユニット部
といて用いられる。

【００７３】

【発明の効果】従来技術ではマザ−ボ−ド、ヒ−トシン
ク等のオプション部品が必須となるが、本発明ではこれ
らは不用にできるため、従来技術に対して使い勝手が良
く、小形、低価格に構成できる。

【００７４】更に、使用するコネクタは高温状態におい
ても接点部が化学的変化しない材料を使用しているの
で、コネクタの抜き差しを繰り返しても安定した接触信
頼性が期待できる。

【００７５】また、従来技術では別基板とアルミ基板と
の接続は、コネクタを使用しているために、別基板の外
形寸法が大きくなり原価高となっていたが、本発明では
混成集積回路のリ−ド端子をそのままアルミ基板に接続
するために小形、低価格で出来る。

【００７６】更に、アルミ基板を使用しているので、発
熱部品の熱はセラミック基板の熱伝導特性が良好なの
で、発熱部品の温度上昇を低く抑えることが出来、熱的
信頼性も向上する。

【００７７】冷熱衝撃試験（−５５℃〜１２５℃ １０
００サイクル、−２５℃〜８５℃２０００サイクル）を
実施しても、アルミ基板と部品接続部の半田付け接続信
頼性は十分確保できる。

【００７８】これにより、実使用状態においても、半田
接続信頼性の問題は発生することなく、使用可能とな
る。従来技術での冷熱衝撃試験の実力は、−５５℃〜１
２５℃１００サイクル、−２５℃〜８５℃ ７００サイ
クル以下で半田接続部が破断し、接続不良が発生する。

【００７９】従来技術で大電力、低抵抗が必要時には、
１Ｗ又は１／２Ｗのチップ抵抗を数本接続して使用する
必要があり、これらチップ抵抗の外形寸法は横３．２m
m、縦２．５mm以上のものを使用するために、アルミ基
板と部品接続部の半田付け接続信頼性が問題となる。

【００８０】本発明により、半田接続信頼性の問題は解
決できる。更に、チップ抵抗そのものが不用となるの
で、経済性においても向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の構成図である。

【図２】本発明で用いる面付けコネクタの構成図であ
る。

【図３】本発明で用いるドライブトランスの構成図であ
る。

【図４】本発明で用いる制御回路７の構成図である。

【図５】本発明で用いるメイントランスの構成図であ
る。

【図６】本発明で用いるチョ−クコイルの構成図であ
る。

【図７】本発明で用いるチップ抵抗の構成図である。

【図８】本発明で用いるチップセラミックコンデンサの
構成図である。

【図９】本発明によるＤＣ−ＤＣコンバ−タの回路図で
ある。

【符号の説明】

１ アルミ基板 ２ 面付けコネクタ ７ 混成集積回路 ３、４、１０、１１、１４ チップ抵抗 １５ 面付けコネクタ １６ 大電力、低抵抗

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡海 久生 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 アルミ基板上に、金メッキ処理されたコ
   ンタクトを有するコネクタを半田付けにより実装したこ
   とを特徴とするＤＣ−ＤＣコンバ−タ。
2. 【請求項２】 金メッキされたコンタクトを有するコネ
   クタと、発熱部品が発生するノイズに敏感な部品を搭載
   したセラミック基板とを、半田付けによりアルミ基板上
   に実装したことを特徴とするＤＣ−ＤＣコンバ−タ。
3. 【請求項３】 外形寸法が横３．２ｍｍ、縦２．５ｍｍ
   以下のアルミ基板実装用チップ抵抗を用いたことを特徴
   とする請求項１または２に記載のＤＣ−ＤＣコンバ−
   タ。
4. 【請求項４】 外形寸法が横３．２ｍｍ、縦２．５ｍｍ
   以下のアルミ基板実装用チップコンデンサを用いたこと
   を特徴とする請求項１または２に記載のＤＣ−ＤＣコン
   バ−タ。
5. 【請求項５】 部品間を接続する大電力、低抵抗が銅箔
   のパタ−ンで形成されたアルミ基板を用いたことを特徴
   とする請求項１または２に記載のＤＣ−ＤＣコンバ−
   タ。