JPH06275596A - Vapor treatment device - Google Patents

Vapor treatment device

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JPH06275596A
JPH06275596A JP5059791A JP5979193A JPH06275596A JP H06275596 A JPH06275596 A JP H06275596A JP 5059791 A JP5059791 A JP 5059791A JP 5979193 A JP5979193 A JP 5979193A JP H06275596 A JPH06275596 A JP H06275596A
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JP
Japan
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vapor
wafer
tank
liquid
ipa
Prior art date
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Application number
JP5059791A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuo Sato
一夫 佐藤
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPH06275596A publication Critical patent/JPH06275596A/en
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  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

PURPOSE:To inhibit oxidation of the surface of a semiconductor wafer due to vapor drying. CONSTITUTION:An infection nozzle 4 for injecting a vaporized IPA injection liquid 13 to a wafer 12 carried into a vapor tank is provided in the title device with a vapor tank 3 which has a zigzag pipe 2 for cooling at an upper part and houses a treatment liquid (IPA liquid) 10 at a lower part, a heater 1 for vaporizing the IPA liquid 10 in the vapor tank, and a loader 5 for carrying in/out a cassette 20 where the wafer 12 is housed in a vapor layer 17 at the upper part of the vapor tank. When the cassette 20 is loaded into the vapor tank 3, temperature decreases and the vapor layer 17 descends. However, the wafer 12 is covered with the IPA injection liquid 13, thus inhibiting the oxidation of the wafer 12 at a high temperature without being exposed to air.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はベーパ処理装置、たとえ
ば被処理物を蒸気(ベーパ)で乾燥する蒸気乾燥装置に
係わり、半導体デバイスの製造における半導体薄板(ウ
エハ)の乾燥に適用して有効な技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vapor processing apparatus, for example, a vapor drying apparatus for drying an object to be processed with steam (vapor), which is effective when applied to the drying of a semiconductor thin plate (wafer) in the production of semiconductor devices. Regarding technology.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、ウエ
ハに繰り返しホトリソグラフィ処理が行われる。そし
て、その都度ウエハの洗浄・乾燥処理が行われる。ウエ
ハの乾燥処理の一つにベーパ乾燥がある。ベーパ乾燥に
ついては、たとえば、日本エス・エス・ティ株式会社発
行「solid state tecnology (ソリッド ステート テ
クノロジ)日本版」1991年4月号、同年4月15日
発行、P21に記載されている。この文献には、ベーパ
ー乾燥について、「ウエーハ乾燥は,枚葉,インライ
ン,ベーパー乾燥で行なわれる。IPA(又は他の溶
剤)は,セルフ・コンテインで外部の加熱機構でプロセ
ス温度を得ている。ウエーハはJ−アームで位置を取
り,ベーパーを当て乾燥させる。」旨記載されている。
2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductor devices, a wafer is repeatedly subjected to photolithography. Then, the cleaning / drying process of the wafer is performed each time. One of the wafer drying processes is vapor drying. The vapor drying is described in, for example, “solid state tecnology (Japanese version) Japanese edition”, published by Nippon SST Co., Ltd., April 1991, April 15, the same day, P21. In this document, regarding vapor drying, "Wafer drying is performed by single-wafer, in-line, vapor drying. IPA (or other solvent) is self-taining to obtain a process temperature by an external heating mechanism. The wafer should be positioned with the J-arm and vaporized to dry. "

【0003】また、工業調査会発行「電子材料」199
2年7月号、同年7月1日発行、P38〜P42には、
液晶パネル洗浄装置について記載されている。この文献
には、フロンベーパ乾燥装置が開示されている。また、
処理液をIPA(イソプロパノール)とするIPAベー
パー乾燥が乾燥モジュールにおけるバッチ処理あるいは
枚葉処理で使用されている旨も記載されている。
[Electronic Materials] 199 issued by the Industrial Research Board
July 2nd issue, issued July 1st of the same year, P38-P42,
A liquid crystal panel cleaning device is described. This document discloses a freon vapor dryer. Also,
It is also described that IPA vapor drying in which the treatment liquid is IPA (isopropanol) is used in batch treatment or single-wafer treatment in a drying module.

【0004】一方、「精密洗浄装置と最新応用技術」工
業資料センター、1991年11月8日発行、P416
およびP417には、蒸気洗浄法について記載されてい
る。蒸気洗浄法においては、凝縮コイルを槽上部に取付
けた蒸気洗浄槽内の溶剤(処理液)を加熱沸騰させ、凝
縮コイルの下部に蒸気層を形成し、この蒸気層中に被洗
浄物を入れて洗浄を行う。
On the other hand, "Precision Cleaning Equipment and Latest Applied Technology", Industrial Material Center, issued November 8, 1991, P416
And P417 describe steam cleaning methods. In the steam cleaning method, the solvent (treatment liquid) in the steam cleaning tank with the condensing coil attached to the upper part of the tank is heated and boiled to form a vapor layer below the condensing coil, and the object to be cleaned is placed in this vapor layer. And wash.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ウエハの乾燥を行う技
術の一つとして、前記文献にも記載されているように、
ベーパ乾燥技術がある。ベーパ乾燥装置では、ベーパ槽
に収容したIPA(イソプロパノール)等の処理液を加
熱して蒸気化し、このIPA蒸気(ベーパ)にウエハを
当てて乾燥を行っている。ウエハの表面で凝縮したIP
A蒸気は多量の水を含んでベーパ槽の処理液(IPA
液)中に落下する。ところで、半導体デバイスの製造に
おけるウエハのベーパ乾燥において、以下のような不都
合が生じ、ウエハ表面の酸化膜欠陥密度が増大してしま
うことがあることが本発明者によってあきらかにされ
た。すなわち、ベーパ槽内に被処理物を入れると、温度
が下がり、ベーパ層(蒸気層)が一時的に降下する。そ
して、ベーパ層が再び上がってきて被処理物をベーパで
被う間に、ウエハは80℃前後の高温下で空気に触れる
ため、ウエハの表面に付着している水分によって酸化が
起きてしまう。ウエハが蒸気層で被われるには数十秒が
必要となる。また、前記酸化は外観的にはウオータマー
クや滲みとして現れる。
As described in the above literature, as one of the techniques for drying a wafer,
There is a vapor drying technology. In a vapor dryer, a treatment liquid such as IPA (isopropanol) contained in a vapor tank is heated to be vaporized, and a wafer is applied to the IPA vapor (vapor) to perform drying. IP condensed on the wafer surface
The A vapor contains a large amount of water and contains the treatment liquid (IPA
Liquid). By the way, the present inventor has clarified that the following inconvenience may occur in the vapor drying of the wafer in the manufacture of the semiconductor device, and the density of the oxide film defects on the wafer surface may increase. That is, when the object to be treated is put in the vapor tank, the temperature is lowered and the vapor layer (vapor layer) is temporarily lowered. Then, while the vapor layer rises again and the object to be processed is covered with the vapor, the wafer is exposed to air at a high temperature of around 80 ° C., so that the moisture adhering to the surface of the wafer causes oxidation. It takes tens of seconds for the wafer to be covered with the vapor layer. Further, the above-mentioned oxidation appears as a watermark or a blur in appearance.

【0006】本発明の目的は、被処理物表面で酸化が起
き難いベーパ処理装置を提供することにある。本発明の
前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書
の記述および添付図面からあきらかになるであろう。
An object of the present invention is to provide a vapor processing apparatus in which the surface of an object to be processed is less likely to be oxidized. The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。すなわち、本発明のベーパ乾燥装置
は、上部に冷却用蛇管を有しかつ下部に処理液を収容す
るベーパ槽と、前記ベーパ槽内の処理液を蒸気化させる
蒸気化装置と、前記ベーパ槽の上部の処理蒸気中に被処
理物を搬出入するローダとを有するベーパ乾燥装置であ
って、前記ベーパ槽に搬入された被処理物に対して処理
液を噴霧する噴射装置が設けられている。また、前記噴
射装置は処理液を加熱するヒータが設けられ、被処理物
に蒸気を噴射させるようになっている。また、処理液か
らなる蒸気は、ベーパ槽に被処理物が入れられる際被処
理物に向かって噴霧される。
The outline of the representative ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows. That is, the vapor drying apparatus of the present invention has a vapor tank for storing a treatment liquid in the lower portion and having a cooling spiral tube in the upper portion, a vaporizer for vaporizing the treatment liquid in the vapor tank, and the vapor tank. A vapor drying apparatus having a loader for loading and unloading an object to be processed into and from an upper processing steam, wherein an injection apparatus for spraying a processing liquid onto the object to be processed carried into the vapor tank is provided. Further, the injection device is provided with a heater for heating the processing liquid, and is configured to inject the vapor onto the object to be processed. Further, the vapor composed of the treatment liquid is sprayed toward the object to be treated when the object to be treated is put in the vapor tank.

【0008】[0008]

【作用】上記した手段によれば、本発明のベーパ乾燥装
置は、ベーパ槽に入れられた被処理物に対して処理液か
らなる蒸気を噴射するようになっている。このため、ベ
ーパ槽に被処理物を入れた際起きる蒸気層の低下があっ
ても、被処理物の表面は噴射された蒸気に被われ、この
蒸気と水分との置換が行われてベーパ乾燥が行われるこ
とになり、被処理物の表面の酸化が発生し難くなる。被
処理物がウエハの場合は、酸化の抑制から酸化膜の欠陥
密度の低減が図れる。
According to the above-mentioned means, the vapor drying apparatus of the present invention is adapted to inject the vapor of the treatment liquid onto the object to be treated contained in the vapor tank. For this reason, even if there is a decrease in the vapor layer that occurs when the object to be treated is placed in the vapor tank, the surface of the object to be treated is covered with the sprayed vapor, and this vapor is replaced with moisture to dry the vapor. As a result, the surface of the object to be treated is less likely to be oxidized. When the object to be processed is a wafer, the defect density of the oxide film can be reduced by suppressing the oxidation.

【0009】[0009]

【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例につ
いて説明する。図1は本発明の一実施例によるベーパ乾
燥装置の概要を示す断面図、図2は蒸気温度リカバリー
特性を示すグラフである。本発明のベーパ乾燥装置1
は、図1に示すようにベーパ槽3を有している。このベ
ーパ槽3は上部が開口した箱型構造となっている。この
開口部には観音開き状の図示しない開口扉が設けられて
いる。また、ベーパ槽3内には処理液10、たとえばイ
ソプロパノール(IPA)液10が途中深さまで収容さ
れる。このIPA液10は、ベーパ槽3の一側に取り付
けられた液供給管9から圧送されて供給される。また、
ベーパ槽3の底側には、前記IPA液10を蒸気化する
蒸気化装置、たとえば、ヒータ11が設けられている。
このヒータ11はベーパ槽3内のIPA液10を加熱し
て気化(IPA液10の沸点は82°C)させる。そし
て、気化した蒸気(IPA蒸気6)によって被処理物1
2を蒸気乾燥する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing an outline of a vapor drying apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a graph showing steam temperature recovery characteristics. Vapor drying device 1 of the present invention
Has a vapor tank 3 as shown in FIG. This vapor tank 3 has a box-shaped structure with an open top. An opening door (not shown) having a double door shape is provided in this opening. Further, the treatment liquid 10, for example, the isopropanol (IPA) liquid 10 is accommodated in the vapor tank 3 to an intermediate depth. The IPA liquid 10 is pressure-fed and supplied from a liquid supply pipe 9 attached to one side of the vapor tank 3. Also,
On the bottom side of the vapor tank 3, a vaporizing device for vaporizing the IPA liquid 10, for example, a heater 11 is provided.
The heater 11 heats and vaporizes the IPA liquid 10 in the vapor tank 3 (the boiling point of the IPA liquid 10 is 82 ° C.). Then, the object to be processed 1 is evaporated by the vaporized vapor (IPA vapor 6).
Steam dry 2.

【0010】この実施例では、被処理物12はウエハ1
2となる。ウエハ12はカセット20に立てて収容され
る。カセット20はローダ5によって保持されてベーパ
槽3内に入れられ、ベーパ乾燥が終了するとベーパ槽3
から外に取り出される。ローダ5は、一対のクランプ爪
22の開閉動作でカセット20の保持・解放を行うよう
になっている。
In this embodiment, the object to be processed 12 is the wafer 1
It becomes 2. The wafer 12 is placed in a cassette 20 upright. The cassette 20 is held by the loader 5 and placed in the vapor tank 3, and when the vapor drying is completed, the vapor tank 3 is placed.
Taken out from. The loader 5 holds and releases the cassette 20 by opening and closing the pair of clamp claws 22.

【0011】一方、ベーパ槽3の上部内壁には冷却用蛇
管2が一定高さ域に亘って設けられている。この冷却用
蛇管2には冷却水が流されることから、ベーパ槽3の開
口空間は冷却される。これによって、上昇して来たIP
A蒸気6は、冷却用蛇管2で冷却される空間領域に達す
ると、凝縮して降下する。したがって、ベーパ槽3の途
中高さ部分には、蒸気層17が発生する。この蒸気層1
7が存在する空間領域が処理領域となり、ウエハ12の
乾燥処理が行われる。
On the other hand, on the inner wall of the upper portion of the vapor tank 3, a cooling flexible tube 2 is provided over a certain height range. Since the cooling water is caused to flow through the cooling spiral pipe 2, the opening space of the vapor tank 3 is cooled. Due to this, IP has risen
When the A vapor 6 reaches the space area cooled by the cooling spiral tube 2, it condenses and descends. Therefore, the vapor layer 17 is generated in the height part of the vapor tank 3. This vapor layer 1
The space area where 7 exists is the processing area, and the wafer 12 is dried.

【0012】前記蒸気層17の下部には、ウエハ12の
表面で凝縮しかつ落下した廃液16を受ける受け皿7が
配設されている。また、この受け皿7の中央部分の集液
部15には廃液管8が接続されている。この廃液管8は
ベーパ槽3の外に導かれ、受け皿7に落下した廃液16
をベーパ槽3外に排出するようになっている。
Below the vapor layer 17, a tray 7 for receiving the waste liquid 16 condensed on the surface of the wafer 12 and falling is arranged. A waste liquid pipe 8 is connected to the liquid collecting portion 15 in the central portion of the tray 7. The waste liquid pipe 8 is guided to the outside of the vapor tank 3 and drops into the tray 7
Is discharged to the outside of the vapor tank 3.

【0013】また、これが本発明の特徴の一つである
が、ベーパ槽3には噴射装置30が設けられている。こ
の噴射装置30は、噴射ノズル4と、この噴射ノズル4
に接続される供給パイプ31と、この供給パイプ31を
加熱するヒータ32と、前記供給パイプ31内のIPA
液を圧送するポンプ33とからなっている。前記供給パ
イプ31の他端は、処理液であるIPA液を収容する図
示しないタンク等に接続されている。前記ポンプ33の
駆動と、ヒータ32の動作によって、噴射ノズル4の先
端からIPA蒸気13がウエハ12に向けて噴霧され
る。この噴霧(噴射)は、カセット20がベーパ槽3内
に入れられ、温度降下によって蒸気層17が下降を始め
てから、再び蒸気層17が上に戻って来る間は少なくと
も行われる。図2は本発明のベーパ乾燥装置および従来
のベーパ乾燥装置における蒸気温度リカバリー特性を示
すグラフである。同グラフで分かるように、従来のベー
パ乾燥装置では、ベーパ槽3内にカセット20を入れる
と、ベーパ槽3の温度が降下し、再び温度が元の状態に
戻るまで長い時間が掛かる。しかし、本発明のベーパ乾
燥装置の場合は、カセット20がベーパ槽3内に入れら
れる際、噴射装置30の噴射ノズル4から蒸気状態のI
PA噴射液13がカセット20内のウエハ12に噴霧さ
れるため、温度の低下が少なくかつ蒸気温度リカバリー
時間も短くなる。すなわち、ウエハ12は、ベーパ槽3
内に入れられる際も、またその後もIPA蒸気に触れる
ことになり、ベーパ槽3に入れた瞬間から出されるまで
の間、ベーパ乾燥処理が行われることになり、ウエハ1
2の表面に付着する水分に起因する酸化が起き難くな
る。また、蒸気温度リカバリー時間も短縮されるため、
ベーパ乾燥処理時間の短縮も可能となる。
Further, this is one of the features of the present invention, and the vapor tank 3 is provided with an injection device 30. The ejection device 30 includes an ejection nozzle 4 and the ejection nozzle 4
And a heater 32 for heating the supply pipe 31, and an IPA inside the supply pipe 31.
And a pump 33 for pumping the liquid. The other end of the supply pipe 31 is connected to a tank or the like (not shown) that stores the IPA liquid that is a processing liquid. By driving the pump 33 and operating the heater 32, the IPA vapor 13 is sprayed from the tip of the injection nozzle 4 toward the wafer 12. This spraying (injection) is performed at least during the time when the cassette 20 is put in the vapor tank 3 and the vapor layer 17 starts descending due to the temperature decrease, and then the vapor layer 17 returns to the upper position again. FIG. 2 is a graph showing vapor temperature recovery characteristics in the vapor dryer of the present invention and the conventional vapor dryer. As can be seen from the graph, in the conventional vapor drying apparatus, when the cassette 20 is placed in the vapor tank 3, the temperature of the vapor tank 3 drops, and it takes a long time until the temperature returns to the original state again. However, in the case of the vapor drying apparatus of the present invention, when the cassette 20 is put into the vapor tank 3, the vapor state I from the jet nozzle 4 of the jet apparatus 30 is injected.
Since the PA injection liquid 13 is sprayed onto the wafer 12 in the cassette 20, the temperature drop is small and the vapor temperature recovery time is short. That is, the wafer 12 is used in the vapor tank 3
When it is put into the inside of the vapor tank 3, it is exposed to the IPA vapor, and the vapor drying process is performed from the moment of putting it into the vapor tank 3 until it is taken out.
Oxidation due to moisture adhering to the surface of 2 becomes difficult to occur. Also, since the steam temperature recovery time is shortened,
It is also possible to shorten the vapor drying processing time.

【0014】このようなベーパ乾燥装置1にあっては、
ローダ5によってカセット20をベーパ槽3内に入れる
際、噴射装置30が動作して、カセット20内のウエハ
12に対して蒸気化したIPA噴射液13を噴霧する。
カセット20がベーパ槽3の蒸気層17内に入れられる
と、蒸気層17は温度降下のために降下する。従来の場
合は、ここでウエハ12がIPA蒸気6に触れることな
く加熱されるため、ウエハ12の表面に付着する水によ
って酸化が進み、ウオータマークや滲みが発生するが、
本発明の場合には、噴射ノズル4からIPA噴射液13
がウエハ12に向かって噴霧されるため、ウエハ12の
表面はIPA噴射液13で被われることになり、酸化が
進まないうちにベーパ乾燥処理が始まる。また、噴射ノ
ズル4から蒸気化したIPA噴射液13が噴射されるこ
とから、温度回復時間も短くなり、効果的にベーパ乾燥
処理が行われることになる。その後、ローダ5によって
カセット20はベーパ槽3の外に搬出され、1バッチ処
理が終了する。
In such a vapor dryer 1,
When the cassette 20 is put into the vapor tank 3 by the loader 5, the injection device 30 operates to spray the vaporized IPA injection liquid 13 onto the wafer 12 in the cassette 20.
When the cassette 20 is put into the vapor layer 17 of the vapor tank 3, the vapor layer 17 is lowered due to the temperature drop. In the conventional case, since the wafer 12 is heated here without coming into contact with the IPA vapor 6, oxidation progresses due to water adhering to the surface of the wafer 12, and watermarks and blurring occur
In the case of the present invention, the IPA injection liquid 13 is injected from the injection nozzle 4.
Are sprayed onto the wafer 12, the surface of the wafer 12 is covered with the IPA jetting liquid 13, and the vapor drying process starts before the oxidation progresses. Moreover, since the vaporized IPA injection liquid 13 is injected from the injection nozzle 4, the temperature recovery time is shortened, and the vapor drying process is effectively performed. Then, the cassette 20 is carried out of the vapor tank 3 by the loader 5, and one batch process is completed.

【0015】[0015]

【発明の効果】【The invention's effect】

(1)本発明のベーパ乾燥装置は、噴射装置を有し、ウ
エハがベーパ槽内に入れられる際、蒸気化したIPA噴
射液がウエハに向けて噴霧されることから、ウエハの表
面は高い温度状態下で空気に触れることがなく、ウエハ
の表面に付着する水分に起因する酸化が起きないという
効果が得られる。
(1) The vapor drying device of the present invention has an injection device, and when the wafer is put in the vapor tank, the vaporized IPA injection liquid is sprayed toward the wafer, so the surface of the wafer has a high temperature. In this state, there is no contact with air, and there is an effect that oxidation due to moisture adhering to the surface of the wafer does not occur.

【0016】(2)上記(1)により、本発明のベーパ
乾燥装置は、ベーパ槽内に入れられたウエハは、蒸気化
したIPA噴射液によって被われるため、直ぐにもベー
パ乾燥処理が行われるという効果が得られる。
(2) According to the above (1), in the vapor drying apparatus of the present invention, since the wafer put in the vapor tank is covered with the vaporized IPA injection liquid, the vapor drying process is immediately performed. The effect is obtained.

【0017】(3)上記(1)により、本発明のベーパ
乾燥装置は、ウエハがベーパ槽内に入れられる際、蒸気
化したIPA噴射液がウエハに向けて噴霧されることか
ら、ベーパ槽内の温度回復時間が短くなり、蒸気層全体
でウエハを被う時間が早くなるという効果が得られる。
(3) According to the above (1), in the vapor drying apparatus of the present invention, when the wafer is put in the vapor tank, the vaporized IPA injection liquid is sprayed toward the wafer, so that the inside of the vapor tank is The temperature recovery time is shortened, and the time for covering the wafer with the entire vapor layer is shortened.

【0018】(4)上記(2)および(3)により、本
発明のベーパ乾燥装置は、ベーパ槽内にウエハが入れら
れると直ぐにウエハはベーパ乾燥処理されることと、蒸
気温度リカバリー時間が短くなることから、効果的なベ
ーパ乾燥処理が可能となるという効果が得られる。
(4) According to the above (2) and (3), in the vapor drying apparatus of the present invention, the wafer is vapor-dried as soon as the wafer is placed in the vapor tank, and the vapor temperature recovery time is short. Therefore, it is possible to obtain an effect that an effective vapor drying process can be performed.

【0019】(5)上記(2)および(3)により、本
発明のベーパ乾燥装置は、ベーパ槽内にウエハが入れら
れると直ぐにウエハはベーパ乾燥処理されることと、蒸
気温度リカバリー時間が短くなることから、ベーパ乾燥
処理時間の短縮が可能となるという効果が得られる。
(5) According to the above (2) and (3), in the vapor drying apparatus of the present invention, the wafer is vapor-dried as soon as the wafer is put in the vapor tank, and the vapor temperature recovery time is short. Therefore, it is possible to obtain the effect that the vapor drying processing time can be shortened.

【0020】(6)上記(1)〜(5)により、本発明
によれば、ウエハの酸化抑止が行えかつ短時間に効果的
な処理が行えるベーパ乾燥装置を提供することができる
という相乗効果が得られる。
(6) Due to the above (1) to (5), according to the present invention, it is possible to provide a vapor drying device capable of suppressing the oxidation of the wafer and performing an effective treatment in a short time. Is obtained.

【0021】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない、たとえば、
前記実施例では処理液をヒータで加熱して蒸気化した
が、超音波振動によって処理液を蒸気化してもよい。ま
た、処理液として他の薬品を使用してもよい。また、噴
射装置30の噴射ノズル4から噴射されるIPA噴射液
13は、ヒータ32によって蒸気化したものでなくとも
良い。IPA液は揮発性のものであることから、ウエハ
12の表面に付着すると、その揮発性故にベーパ乾燥を
行うことになる。
Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say, for example,
Although the treatment liquid is heated by the heater to be vaporized in the above embodiment, the treatment liquid may be vaporized by ultrasonic vibration. Further, other chemicals may be used as the processing liquid. Further, the IPA injection liquid 13 injected from the injection nozzle 4 of the injection device 30 does not have to be vaporized by the heater 32. Since the IPA liquid is volatile, if it adheres to the surface of the wafer 12, it will be vapor-dried due to its volatility.

【0022】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるイソプ
ロパノールを処理液とするベーパ乾燥装置に適用した場
合について説明したが、それに限定されるものではな
く、たとえば、フロンを使用するベーパ乾燥装置などに
も適用できる。また、本発明は、ベーパ洗浄装置として
も同様に使用できる。本発明は少なくともベーパ処理装
置には適用できる。
In the above description, the invention made by the present inventor was mainly applied to a vapor drying apparatus using isopropanol as a processing liquid, which is the field of application in the background, but the invention is not limited thereto. It can also be applied to, for example, a vapor dryer using chlorofluorocarbon. Further, the present invention can be similarly used as a vapor cleaning device. The present invention can be applied to at least a vapor processing apparatus.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の一実施例によるベーパ乾燥装置の概
要を示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing an outline of a vapor drying apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】 本発明のベーパ乾燥装置と従来のベーパ乾燥
装置における蒸気温度リカバリー特性を示すグラフであ
る。
FIG. 2 is a graph showing vapor temperature recovery characteristics in the vapor dryer of the present invention and the conventional vapor dryer.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…ベーパ乾燥装置、2…冷却用蛇管、3…ベーパ槽、
4…噴射ノズル、5…ローダ、6…蒸気(IPA蒸
気)、7…受け皿、8…廃液管、9…液供給管、10…
処理液(IPA液)、11…ヒータ、12…被処理物
(ウエハ)、13…IPA噴射液、15…集液部、16
…廃液、17…蒸気層、20…カセット、22…クラン
プ部、30…噴射装置、31…供給パイプ、32…ヒー
タ、33…ポンプ。
1 ... Vapor dryer, 2 ... Cooling pipe, 3 ... Vapor tank,
4 ... Injection nozzle, 5 ... Loader, 6 ... Steam (IPA vapor), 7 ... Saucepan, 8 ... Waste liquid pipe, 9 ... Liquid supply pipe, 10 ...
Processing liquid (IPA liquid), 11 ... Heater, 12 ... Processing object (wafer), 13 ... IPA injection liquid, 15 ... Liquid collecting part, 16
... waste liquid, 17 ... vapor layer, 20 ... cassette, 22 ... clamp part, 30 ... injection device, 31 ... supply pipe, 32 ... heater, 33 ... pump.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 上部に冷却用蛇管を有しかつ下部に処理
液を収容するベーパ槽と、前記ベーパ槽内の処理液を蒸
気化させる蒸気化装置と、前記ベーパ槽の上部の処理蒸
気中に被処理物を搬出入するローダとを有するベーパ処
理装置であって、前記ベーパ槽に搬入された被処理物に
対して処理液を噴霧する噴射装置が設けられていること
を特徴とするベーパ処理装置。
1. A vapor tank having a cooling spiral tube in an upper portion and containing a treatment liquid in a lower portion, a vaporizer for vaporizing the treatment liquid in the vapor tank, and a treatment vapor in an upper portion of the vapor tank. A vapor treatment apparatus having a loader for loading and unloading the object to be treated, wherein the vapor is provided with an injection device for spraying a treatment liquid onto the object to be treated carried into the vapor tank. Processing equipment.
【請求項2】 前記噴射装置は処理液を加熱するヒータ
が設けられ、被処理物に蒸気を噴射させることを特徴と
する請求項1記載のベーパ処理装置。
2. The vapor processing apparatus according to claim 1, wherein the injection apparatus is provided with a heater for heating the processing liquid, and injects vapor onto the object to be processed.
【請求項3】 前記被処理物を蒸気で乾燥させることを
特徴とする請求項1または請求項2記載のベーパ処理装
置。
3. The vapor processing apparatus according to claim 1, wherein the object to be processed is dried with steam.
JP5059791A 1993-03-19 1993-03-19 Vapor treatment device Pending JPH06275596A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5882433A (en) * 1995-05-23 1999-03-16 Tokyo Electron Limited Spin cleaning method
US7861731B2 (en) 2007-10-01 2011-01-04 Fujitsu Limited Cleaning/drying apparatus and cleaning/drying method

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US5882433A (en) * 1995-05-23 1999-03-16 Tokyo Electron Limited Spin cleaning method
US7861731B2 (en) 2007-10-01 2011-01-04 Fujitsu Limited Cleaning/drying apparatus and cleaning/drying method

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