JPH06267813A - Exposure-pattern forming apparatus - Google Patents

Exposure-pattern forming apparatus

Info

Publication number
JPH06267813A
JPH06267813A JP5048909A JP4890993A JPH06267813A JP H06267813 A JPH06267813 A JP H06267813A JP 5048909 A JP5048909 A JP 5048909A JP 4890993 A JP4890993 A JP 4890993A JP H06267813 A JPH06267813 A JP H06267813A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resist film
parameters
exposure
process
resist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP5048909A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshihiko Aiba
Hitoshi Kubota
Toshiharu Nagatsuka
Yasuhiko Nakayama
保彦 中山
俊治 永塚
良彦 相場
仁志 窪田
Original Assignee
Hitachi Ltd
株式会社日立製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, 株式会社日立製作所 filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP5048909A priority Critical patent/JPH06267813A/en
Publication of JPH06267813A publication Critical patent/JPH06267813A/en
Application status is Granted legal-status Critical

Links

Abstract

PURPOSE: To provide a stabilizing apparatus for the width size of an exposed- pattern line, which can automatically optimize the forming conditions of a resist film all the time.
CONSTITUTION: The characteristics of a wafer resist film, which has passed through a resist applying device 1, are measured with a resist-film measuring device 7. When the measured value is deviated from the specified range, the measured value is sent into a parameter control part 11, and the parameter is corrected. The measured value is sent into a parameter control part 11 for a next bake device 2, and the parameter is corrected. The characteristics of the resist film of the wafer, which has passed through the resist-applying device 1, are corrected with the bake device 2. The parameter correction is further performed at the processes in the downstream as required.
COPYRIGHT: (C)1994,JPO&Japio

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置等の製造方法に係り、とくに半導体装置等の量産時のレジスト塗布から露光・現像に至るフォトリソグラフィ工程を改善化する露光パターン形成装置に関する。 The present invention relates relates to a method of manufacturing such a semiconductor device, more particularly an exposure pattern forming apparatus for improving the photolithography process leading to exposure and development of a resist coating in mass production of semiconductor devices.

【0002】 [0002]

【従来の技術】半導体装置の高集積化による露光パターン線幅寸法の微細化に伴い、フォトリソグラフィ工程中の各製造装置のパラメータを定期的に調整する従来のオープンループ制御法では線幅寸法を常に所定の許容値内にたもつことが困難となっている。 Miniaturization of the high integration of the exposure pattern line width of a semiconductor device, a line width dimensions in the conventional open-loop control method for periodically adjusting the parameters for each manufacturing device during the photolithography process always it has been difficult to maintain within a predetermined tolerance. 上記装置パラメータとは例えばレジスト塗布装置のウェハ回転速度、ウェハ回転時間などの動作指令値のことである。 Wafer rotating speed of the above apparatus parameters resist coating apparatus is that the operational command value, such as a wafer rotation time. 特開昭63− JP-A-63-
148633号公報には、レジスト塗布装置においてレジスト膜の表面反射率の測定してウェハ回転速度とウェハ回転時間とを制御するする方法が開示されている。 The 148,633 discloses a method of measuring the surface reflectance of the resist film to control the wafer rotating speed and the wafer rotating time in the resist coating apparatus is disclosed.

【0003】 [0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、最近のように露光パターン線幅寸法の許容誤差がサブ・サブミクロンのオーダに達すると、上記表面反射率の測定によるレジスト塗布装置の制御だけでは、線幅寸法を十分に安定化できないという問題があった。 [SUMMARY OF THE INVENTION] However, the tolerance of the exposure pattern line width as recently reached the order of sub-sub-micron, the only control of the resist coating unit according to the measurement of the surface reflectance, line there is a problem that can not be sufficiently stabilize the width dimension. また、現在のフォトリソグラフィ工程では焼き付けた露光回路パターンの線幅を実測しているが、これが許容誤差内に入らない場合に工程内のどの装置が不良の原因となっているか特定できず、さらに不良装置の異常動作をリアルタイムで監視できないという問題があった。 Further, although the measured line width of an exposure circuit pattern baked in the current photolithography process, which can not be identified which device in the process if not within tolerance is the cause of failure, further an abnormal operation of the defective device has a problem that can not be monitored in real time. 本発明の目的は上記の問題を改善した露光パターン形成装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide an exposure pattern forming apparatus that improves the above problem.

【0004】 [0004]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために、レジスト膜特性を測定するレジスト膜測定装置とレジスト塗布、ベ−ク、露光、現像等の各工程装置のパラメ−タを修正する手段を設け、各工程毎のレジスト膜測定装置の測定結果に応じて当該工程装置のパラメ−タを修正するようにする。 Means for Solving the Problems] To solve the above problem, the resist film measuring apparatus and the resist coating to measure the resist film characteristics, base - Fixing data - click, exposure, parameters of the process equipment such as development means provided, parameters of the process equipment in accordance with the measurement results of the resist film measuring apparatus for each process - so as to correct the data. また、各工程毎のレジスト膜測定装置の測定結果に応じて当該工程以降の工程装置のパラメ−タを修正するようにする。 Also, parameters of the process after the process equipment in accordance with the measurement results of the resist film measuring apparatus for each process - so as to correct the data.

【0005】また、各工程毎のレジスト膜測定装置の測定結果に応じて当該工程とその工程以降の工程装置のパラメ−タを修正するようにする。 Moreover, parameters of the process and the process after the process equipment in accordance with the measurement results of the resist film measuring apparatus for each process - so as to correct the data. また、各工程装置のパラメ−タ制御部に各工程装置の基準パラメ−タ表を記憶させるようにする。 Also, parameters of each process equipment - so as to store the data table - reference parameters of the process equipment to the motor control unit. また、レジスト膜測定装置はレジスト膜の厚み、屈折率、光吸収係数等を測定し、さらにこれを露光波長を含む所定幅の波長範囲内の測定光により測定するようにする。 The resist film measuring apparatus resist film thickness, refractive index, an optical absorption coefficient and the like is measured, further this is to measure by the measuring light in the wavelength range of a predetermined width including the exposure wavelength.

【0006】また、レジスト膜測定装置はレジスト塗布工程後に測定したレジスト膜の厚みが所定範囲から外れる場合に、上記レジスト膜の厚み値を次ぎのベ−ク工程のパラメ−タ制御部に送り、これに応じて当該パラメ− [0006] The resist film measuring apparatus in the case where the thickness of the resist film measured after the resist coating step is outside the predetermined range, the resist film following the thickness value of the base of - feeding the motor control unit, - parameters of click process the parameters accordingly -
タ制御部はベ−ク工程条件を修正するようにする。 Motor control unit base - so as to correct the click process conditions.

【0007】 [0007]

【作用】レジスト膜測定装置によるウエハのレジスト膜特性の測定結果をみて当該工程装置のパラメ−タを修正するので、各工程装置のパラメ−タ変動が自動的に修正される。 Since modifying the data, parameters for each process unit - - - action] seeing the measurement result of the resist film properties of the wafer due to the resist film measurement device parameters of the process device data change is automatically corrected. また、上記測定結果に応じて当該工程以降の工程装置のパラメ−タを修正するので、規格外れのウエハの特性は当該工程以降の工程装置により修正される。 Also, parameters of the process equipment after the process according to the measurement result - so to modify the data, characteristics of the wafer off-specification is modified by the process subsequent process equipment.

【0008】また、上記測定結果に応じて当該工程とその工程以降の工程装置のパラメ−タを修正することにより、パラメ−タ変動を生じた工程装置を補正すると同時に規格外れのウエハの特性を当該工程以降の工程装置により修正する。 Moreover, parameters of the process and the process after the process equipment in accordance with the measurement result - by modifying the data, parameters - the characteristics of the wafer at the same time off-specification when correcting the process equipment which caused the data variation modified by the process subsequent process equipment. また、正常時には各工程装置のパラメ− Also, during normal parameters of each process equipment -
タ制御部が記憶する基準パラメ−タ表によりウエハが加工される。 Wafer is processed by the data table - reference parameters of motor control unit stores.

【0009】また、露光波長を含む所定幅の波長範囲内の測定光によりレジスト膜の厚み、屈折率、光吸収係数等を測定することにより、加工前と加工後のウエハ特性の差違が感度よく検出される。 [0009] The thickness of the resist film by measuring light in the wavelength range of a predetermined width including the exposure wavelength, refractive index, by measuring the optical absorption coefficient and the like may difference sensitivity of wafer properties after processing and before processing It is detected. また、レジスト塗布工程後のレジスト膜の測定値に応じて当該レジスト膜の厚みが次ぎのベ−ク工程で修正される。 Further, according to the measured value of the resist film after the resist coating step the thickness of the resist film following base - are fixed by click process.

【0010】 [0010]

【実施例】 【Example】

〔実施例 1〕図1はレジストの塗布から現像に至るフォトリソグラフィ工程に関わる本発明の露光回路パターン線幅寸法安定化装置の信号系統図である。 EXAMPLE 1 FIG. 1 is a signal flow diagram of an exposure circuit pattern line width stabilizer of the present invention relating to the photolithography process that leads to the development of the resist coating. 図1において、フォトリソグラフィ工程にはレジスト塗布装置1、 In Figure 1, the resist coating apparatus 1 in the photolithography process,
ベーク装置2、露光装置3、ベーク装置、現像装置5、 Baking apparatus 2, an exposure device 3, baking apparatus, the developing device 5,
ベーク装置6等が含まれる。 Baking apparatus 6 and the like. なお、実線はウェハの流れを、点線は情報の流れを示している。 Incidentally, the solid line a flow of the wafer and the dotted line represents a flow of information.

【0011】まず、フォトリソグラフィ工程中の各装置のパラメータとレジスト膜特性値との関係を予め測定して表にし、各表をそれぞれ装置毎のパラメータ制御部1 [0011] First, the table in advance measures the relationship between the parameters and the resist film characteristic value of each device in the photolithography process, the parameter control unit 1 for each device each table, respectively
1〜16内に格納しておく。 It is stored in the 1 to 16. 図2はレジスト塗布装置1 Figure 2 is a resist coating apparatus 1
1のパラメータ制御部11の構成を示すブロック図である。 It is a block diagram showing a configuration of one of the parameter control section 11. 他のパラメータ制御部12〜16等も同様な構成を有し、同様に制御されるので、ここではレジスト塗布装置1とそのパラメータ制御部11の動作について説明する。 Have similar structure other parameter control unit 12 to 16, etc., because it is similarly controlled, operation will be described here of the resist coating apparatus 1 and the parameter controller 11.

【0012】レジスト塗布装置11を通過したウエハのレジスト膜特性値はレジスト膜測定装置7により測定される。 [0012] resist film characteristic values ​​of the wafer that has passed through the resist coating apparatus 11 is measured by a resist film measuring device 7. この測定値が所定値と異なる場合、あるいは所定の範囲内から外れる場合にはこの測定値41をパラメータ制御部51に転送する。 If the measured value differs from the predetermined value, or if deviating from the predetermined range to transfer this measurement 41 to the parameter control unit 51. これに応じてパラメータ制御部51はデータ記憶部61の表を用いてレジストの状態変化量を算出し、塗布装置1のパラメータを修正する。 Parameter control unit 51 according to this calculates a state change amount of the resist by using the table of the data storage unit 61, corrects the parameters of the coating apparatus 1.
この結果、次ぎのウエハのレジスト塗布条件を適正化することができる。 As a result, it is possible to optimize the resist coating conditions of the next wafer.

【0013】例えば、レジストの膜厚はレジスト塗布装置1のウエハ回転速度に比例して薄くなるので、レジスト膜測定装置7により測定された膜厚が厚過ぎる場合には上記ウエハ回転速度を速めるように制御する。 [0013] For example, since the resist film thickness becomes thinner in proportion to the wafer rotation speed of the resist coating apparatus 1, when the film thickness measured by the resist film measuring device 7 is too thick to accelerate the wafer rotation speed to control to. ベーク装置2とパラメータ制御部12、露光装置3とパラメータ制御部13、ベーク装置4とパラメータ制御部1 Baking apparatus 2 and the parameter control section 12, the exposure device 3 and the parameter control section 13, the baking unit 4 and the parameter control unit 1
4、、現像装置5とパラメータ制御部15、ベーク装置6とパラメータ制御部16等の関係も同様である。 4 ,, the developing device 5 and the parameter control section 15, the same applies to the relationship of such baking apparatus 6 and the parameter control section 16. 以上の制御により、各装置1〜6の製造条件のドリフトを補償できるのでウエハのレジスト膜を安定化して露光回路パターンの線幅寸法誤差を低減することができる。 By the above control, it is possible to reduce the line width errors of the exposure circuit pattern resist film of the wafer to stabilize because it compensates for the drift of the production conditions of each device 1-6.

【0014】〔実施例 2〕上記実施例1では特性値が所定の範囲内から外れたウエハの測定値を用いてその次からのウエハの特性値を修正するようにしていたので、 [0014] Since Example 2 above Example 1, characteristic values ​​were to modify the characteristic values ​​of the wafer from the next by using the measured value of a wafer out from within a predetermined range,
当該ウエハは救済できなかった。 The wafer could not be repaired. 本実施例では、上記ウエハの特性値を次ぎの工程で修正するようにして、始めの工程で規格外と判定されたウエハを救済し、連続的に良品ウエハが得られるようにする。 In this embodiment, as will be corrected in the process of the following characteristic values ​​of the wafer, rescue wafer is determined out of specification at the beginning of the process, so as continuously good wafer is obtained.

【0015】図3はベーク装置2のパラメータ制御部1 [0015] Figure 3 is the parameter control unit 1 of the baking apparatus 2
2のブロック図である。 It is a block diagram of a 2. 露光装置3とパラメータ制御部13、ベーク装置4とパラメータ制御部14、現像装置5とパラメータ制御部15も同様に構成される。 An exposure device 3 and the parameter control section 13, the baking unit 4 and the parameter control section 14, the same configuration is also developing unit 5 and the parameter control section 15. レジスト膜特性値測定装置7はレジスト塗布装置1を通過したウエハのレジスト膜厚測定値が過大または過少な場合にはこの測定値42を次ぎの工程のパラメータ制御部12 Resist film characteristic measuring device 7 is the resist coating apparatus 1 the thickness of the resist film when the measured value is too large or too small parameter control unit of the measurement value 42 the next step of the wafer 12 which has passed through the
内のパラメータ決定部52に送る。 Send the parameter determination unit 52 of the inner.

【0016】パラメータ制御部12は上記レジスト膜厚測定値52をデ−タ記憶部62に予め記憶させたベークデ−タ表と比較し、ベーク装置2のベーク温度、および/またはベーク時間を修正する。 The parameter control unit 12 de the resist film thickness measurements 52 - Bekude was previously stored in the data storage unit 62 - as compared to the data table, corrects the baking temperature, and / or bake times of baking apparatus 2 . すなわち、レジスト膜厚が過大な場合にはベーク温度を高め、あるいはベーク時間を長くしてレジスト溶媒の蒸発を強めるようにしてベーク工程後のレジスト膜厚を適正値に修正する。 That is, when the resist film thickness is too large increases the baking temperature or baking time longer to as enhance the vaporization of the resist solvent to modify the resist film thickness after baking process to a proper value.

【0017】また、同様な修正を次ぎの露光工程で行うこともできる。 [0017] it can also be carried out in the next exposure process similar modifications. すなわち、パラメータ制御部13は上記レジスト工程、またはベーク工程の後にレジスト膜測定装置7により測定されたレジスト膜の屈折率より光路長を求めて光の干渉による定在波の大きさを算出する。 That is, the parameter control unit 13 calculates the registration process or bake the resist film measurement apparatus 7 measured resist standing wave magnitude seeking optical path length due to the interference of light than the refractive index of the film by following the steps. 上記定在波の大きさにより露光後のパタ−ンの幅が変化する。 Pattern after exposure by the size of the standing wave - the width of the emission changes. パタ−ンの幅は上記定在波の大きさと露光時間により変わるので、定在波の大きさに応じて露光装置3の露光量や露光時間を調整し、露光後のパタ−ン幅が所定の範囲内に納まるようにする。 Pattern - the width of the emission varies by the size and exposure time of the standing wave, by adjusting the exposure amount and the exposure time of the exposure apparatus 3 in accordance with the magnitude of the standing wave, pattern after exposure - emission width predetermined so as to fall within the scope of.

【0018】また、上記ベ−ク工程と露光工程における各修正を併せて行うことにより、過大な修正を分散化して無理なく実行するようにしてもよい。 Further, the base - by performing together each modification in click step and the exposure step, may be executed without difficulty by dispersing the excessive modifications. また、上記露光後のレジスト膜の光吸収係数からレジスト状態を判断できるので、このデ−タを基にして次ぎのベ−ク装置4のベ−ク時間や同温度を調整することもできる。 Further, it can be determined to resist state from the optical absorption coefficient of the resist film after the exposure, the de - velvet next based on data - click device 4 of base - it is also possible to adjust the click time and the same temperature.

【0019】また、図1における最終のベ−ク工程以後は上記レジスト膜の測定による特性修正ができないので、図4に示すようにパラメータ制御部16にはその前の現像工程の測定結果45'のみが入力される。 Further, the final base in FIG. 1 - so click process after can not characteristic correction by the measurement of the resist film, the measurement result 45 of the previous development step in the parameter control section 16 as shown in FIG. 4 ' only is input. 以上により、本発明ではレジスト膜特性値のずれが発見された工程の後の工程で修正することができるので、従来、工程毎の特性測定により不良としてはねられていたウエハを救済することができ、良品ウエハを連続的に生産することができる。 Thus, since the present invention can be modified in the process after the step shift of the resist film characteristic value is found, conventionally, it is relieved a wafer as a bad was conceived by characteristic measurement for each step can, it is possible to produce a non-defective wafer continuously.

【0020】〔実施例 3〕図5は図1に示した本発明の装置の各製造装置内にそれぞれのレジスト膜測定部とパラメータ制御部を一体に組み込んだものである。 [0020] EXAMPLE 3 FIG. 5 is one that incorporates integrally respective resist film measurement portion and a parameter control unit in each manufacturing apparatus of the apparatus of the present invention shown in FIG. これによりウェハの搬送距離及び搬送時間を短縮することができ生産効率を向上することができる。 Thus it is possible to improve the production efficiency can be shortened transport distance and the transfer time of the wafer.

【0021】次ぎに、レジスト膜特性の測定に用いる光の波長とレジスト膜測定装置に関する説明を補足する。 [0021] Next, the supplementary explanation of wavelength and the resist film measurement apparatus of the light used for the measurement of the resist film properties.
レジスト膜特性の測定には露光波長の光、または露光波長以外の光を用いる場合がある。 The measurement of the resist film characteristics is sometimes used light other than the light of the exposure wavelength or exposure wavelength. 図6は露光の前と後のレジストの分光透過率の波長依存性を示すデ−タである。 6 de shows the wavelength dependence of the spectral transmittance of the resist before and after exposure - a motor. なお、上記分光透過率とレジストの光吸収係数は一対一に対応するので分光透過率の代わりに光吸収係数を用いてもよい。 It is also possible to use a light absorption coefficient in place of the spectral transmittance since the light absorption coefficient of the spectral transmittance and the resist is one-to-one correspondence.

【0022】においては露光前と後の分光透過率の差は露光波長にて最大となるので、分光透過率の測定に露光波長を用いれば、分光透過率の変化を感度よく捉えることができる。 Since the maximum at the exposure wavelength difference of the spectral transmittance before and after exposure in the [0022], the use of the exposure wavelength for the measurement of spectral transmittance, it is possible to catch a change in the spectral transmittance sensitivity. この変化はレジストの変化に対応するので、これにより露光装置の装置パラメータを精度よく調整することができる。 This change corresponds to a change of the resist, thereby the device parameter of the exposure apparatus can be accurately adjusted.

【0023】また、の場合は分光透過率の変化幅が減少するので、露光装置の上記調整精度が若干低下する。 Further, since the variation width of the spectral transmittance is reduced in the case of, the adjusting accuracy of the exposure apparatus is lowered slightly.
しかし、レジストに与える測定光の影響も同時に小さくなるので露光波長光より強い強度の測定光を用いることができ、測定値のS/Nを向上することができる。 However, since the measuring light effects also decreases at the same time providing the resist can be used measuring beam high intensity than the exposure wavelength light, it is possible to improve the S / N measurements. また、レジスト膜測定装置7には市販のエリプソメータや分光エリプソメータ等を用いることができる。 Further, it is possible to use a commercially available ellipsometer and spectroscopic ellipsometer or the like in the resist film measurement device 7.

【0024】エリプソメータは二つ以上の入射角での測定が必要であるがレジスト膜の膜厚、屈折率、光吸収係数の三つのレジスト膜特性値を測定することができる。 The ellipsometer can be but is necessary to examine the two or more angles of incidence is measured resist film thickness, refractive index, three resist film characteristic values ​​of the optical absorption coefficient.
また、その光源には通常ヘリウムネオンレーザが用いられるが他の波長の光源に交換することもできる。 It is also possible, but usually a helium neon laser for the light source is used to replace the other wavelength light source. とくに分光エリプソメータは測定波長範囲が広いという特徴がある。 In particular spectroscopic ellipsometer is characterized in that a wide range of measured wavelengths. また、レジスト膜特性値はウェハのスクライブラインやウェハ外周部で測定するようにしてもよい。 The resist film characteristic value may be measured with a scribe line or a wafer outer peripheral portion of the wafer. また、本発明のレジスト膜測定は抜き取り検査とすることもできる。 Further, the resist film measured in the present invention may be a sampling inspection.

【0025】 [0025]

【発明の効果】本発明による露光パターン線幅寸法安定化装置では、ウエハにレジスト膜を形成する各工程毎でレジスト膜の特性値を測定して対応する工程のパラメ− In the exposure pattern line width stabilizing device according to the present invention exhibits the characteristic value of the resist film at each step of forming a resist film on the wafer was measured for the corresponding process parameters -
タを修正するので、レジスト工程を常に適正化して歩留まりを向上することができる。 Since modifying the data, it is possible to improve the yield constantly optimizing the resist process. また、所定の許容値範囲から外れたウエハの測定値を用いてその次の工程でウエハの特性値を修正してこのウエハを救済するようにするので、良品ウエハを連続的に得ることができる。 Moreover, since correct the characteristic values ​​of the wafer in the next step so as to relieve the wafer using measurements of a wafer out of the predetermined tolerance range, it is possible to obtain a good wafer continuously . また、 Also,
上記レジスト工程の安定化により、露光された回路パターンの線幅寸法を微細化することができる。 The stabilization of the resist process, a line width of the exposed circuit pattern can be miniaturized.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明による露光回路パターン線幅寸法安定化装置のブロック図である。 1 is a block diagram of an exposure circuit pattern line width stabilizing device according to the invention.

【図2】図1におけるレジスト塗布装置用のパラメータ制御部のブロック図である。 2 is a block diagram of the parameter control section of the resist coating apparatus in FIG.

【図3,4】図1におけるベーク装置用のパラメータ制御部のブロック図である。 [3, 4] is a block diagram of the parameter control section for baking apparatus in FIG.

【図4】本発明の第一の実施例に係る露光装置用装置パラメータ制御部の内部構成を示す図である。 Is a diagram showing an internal configuration of FIG. 4 the first embodiment according to the Examples exposure apparatus for device parameter controller of the present invention.

【図5】本発明による他の露光回路パターン線幅寸法安定化装置のブロック図である。 5 is a block diagram of another exposure circuit pattern line width stabilizing device according to the invention.

【図6】レジスト膜の分光透過率特性図である。 6 is a graph showing spectral transmittance characteristics of the resist film.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1…レジスト塗布装置、2、4、6…ベーク装置、3… 1 ... resist coating apparatus, 2, 4, 6 ... baking apparatus, 3 ...
露光装置、5…現像装置、7…レジスト膜測定装置、1 Exposure apparatus, 5 ... developing device, 7 ... resist film measuring device, 1
1〜16…パラメータ制御部、51、52、56…パラメータ決定部、61、62、66…データ記憶部 1-16 ... parameter control unit, 51,52,56 ... parameter determination unit, 61,62,66 ... data storage unit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 窪田 仁志 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 ────────────────────────────────────────────────── ─── of the front page continued (72) inventor Hitoshi Kubota, Kanagawa Prefecture, Totsuka-ku, Yokohama-shi Yoshida-cho, address 292 Co., Ltd. Hitachi, production technology within the Institute

Claims (7)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 レジスト塗布、ベ−ク、露光、現像等の各工程毎のパラメ−タ制御部の指令値により上記各工程装置のパラメ−タを設定して半導体装置等のレジスト膜を形成する露光パターン形成装置において、レジスト膜特性を測定するレジスト膜測定装置と上記各工程装置のパラメ−タ制御部はそれぞれのパラメ−タを修正する手段を備え、各工程毎のレジスト膜測定装置の測定結果に応じて当該工程装置のパラメ−タを修正するようにしたことを特徴とする露光パターン形成装置。 1. A resist coating, base - forming a resist film of a semiconductor device such as a set of data - parameters of the respective process unit according to a command value of the motor control unit - click, exposure, parameters of each process such as development in exposure pattern forming apparatus that, the resist film measuring apparatus and the respective steps apparatus for measuring a resist film characteristic parameters - motor control unit of each parameter - comprises means for modifying the data, the resist film measuring apparatus for each step parameters of the measurement results the process device in response to - the exposure is characterized in that so as to correct the data pattern forming apparatus.
  2. 【請求項2】 レジスト塗布、ベ−ク、露光、現像等の各工程毎のパラメ−タ制御部の指令値により上記各工程装置のパラメ−タを設定して半導体装置等のレジスト膜を形成する露光パターン形成装置において、レジスト膜特性を測定するレジスト膜測定装置と上記各工程装置のパラメ−タ制御部毎のパラメ−タ修正手段とを備え、各工程毎のレジスト膜測定装置の測定結果に応じて当該工程以降の工程装置のパラメ−タを修正するようにしたことを特徴とする露光パターン形成装置。 2. A resist coating, base - forming a resist film of a semiconductor device such as a set of data - parameters of the respective process unit according to a command value of the motor control unit - click, exposure, parameters of each process such as development in exposure pattern forming apparatus that, parameters of the resist film measuring apparatus and the respective steps apparatus for measuring a resist film properties - parameters for each of the motor control unit - a data correction means, the measurement result of the resist film measuring apparatus for each step exposure is characterized in that so as to correct the data pattern forming apparatus - parameters of the process after the process equipment in accordance with.
  3. 【請求項3】 レジスト塗布、ベ−ク、露光、現像等の各工程毎のパラメ−タ制御部の指令値により上記各工程装置のパラメ−タを設定して半導体装置等のレジスト膜を形成する露光パターン形成装置において、レジスト膜特性を測定するレジスト膜測定装置と上記各工程装置のパラメ−タ制御部毎のパラメ−タ修正手段とを備え、各工程毎のレジスト膜測定装置の測定結果に応じて当該工程とその工程以降の工程装置のパラメ−タを修正するようにしたことを特徴とする露光パターン形成装置。 3. A resist coating, base - forming a resist film of a semiconductor device such as a set of data - parameters of the respective process unit according to a command value of the motor control unit - click, exposure, parameters of each process such as development in exposure pattern forming apparatus that, parameters of the resist film measuring apparatus and the respective steps apparatus for measuring a resist film properties - parameters for each of the motor control unit - a data correction means, the measurement result of the resist film measuring apparatus for each step exposure patterning device being characterized in that so as to correct the data - parameters of the process and the process after the process equipment in accordance with.
  4. 【請求項4】 請求項1ないし3のいずれかにおいて、 4. In any of claims 1 to 3,
    各工程装置のパラメ−タ制御部は各工程装置の基準パラメ−タ表を記憶する手段を備えたことを特徴とする露光パターン形成装置。 Parameters of the process equipment - motor control unit the reference parameters of the process equipment - exposure pattern forming apparatus characterized by comprising means for storing the data table.
  5. 【請求項5】 請求項1ないし4のいずれかにおいて、 5. The one of claims 1 to 4,
    レジスト膜測定装置はレジスト膜の厚み、屈折率、光吸収係数等を測定するようにしたことを特徴とする露光パターン形成装置。 Resist film measuring apparatus resist film thickness, refractive index, exposure patterning device being characterized in that so as to measure the light absorption coefficient and the like.
  6. 【請求項6】 請求項1ないし5のいずれかにおいて、 6. In any one of claims 1 to 5,
    レジスト膜測定装置はレジスト膜の厚み、屈折率、光吸収係数等を露光波長を含む所定幅の波長範囲内の測定光により測定するようにしたことを特徴とする露光パターン形成装置。 Resist film measuring apparatus resist film thickness, refractive index, exposure patterning device being characterized in that as measured by the measuring light in the wavelength range of a predetermined width including the exposure wavelength light absorption coefficient and the like.
  7. 【請求項7】 請求項2において、レジスト膜測定装置はレジスト塗布工程後に測定したレジスト膜の厚みが所定範囲から外れる場合に、上記レジスト膜の厚み値を次ぎのベ−ク工程のパラメ−タ制御部に送り、これに応じて当該パラメ−タ制御部はベ−ク工程条件を修正するようにしたことを特徴とする露光パターン形成装置。 7. The method of claim 2, when the resist film measuring apparatus in which the thickness of the resist film measured after the resist coating step out of the predetermined range, the resist film following the thickness value of the base of - the click process parameters - data sent to the control unit, the parameters accordingly - motor control unit base - exposure is characterized in that so as to fix the click process conditions patterning device.
JP5048909A 1993-03-10 1993-03-10 Exposure-pattern forming apparatus Granted JPH06267813A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5048909A JPH06267813A (en) 1993-03-10 1993-03-10 Exposure-pattern forming apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5048909A JPH06267813A (en) 1993-03-10 1993-03-10 Exposure-pattern forming apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06267813A true JPH06267813A (en) 1994-09-22

Family

ID=12816390

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5048909A Granted JPH06267813A (en) 1993-03-10 1993-03-10 Exposure-pattern forming apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06267813A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4820907A (en) * 1986-12-11 1989-04-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Controlled furnace heat treatment
JP2000114166A (en) * 1998-07-14 2000-04-21 Nova Measuring Instruments Ltd Device and method for working substrate according to prescribed photolithographic process
JP2000223413A (en) * 1998-07-14 2000-08-11 Nova Measuring Instr Ltd Method and system for controlling photolithography process
JP2008153661A (en) * 2006-12-15 2008-07-03 Tokyo Electron Ltd Method of measuring process parameter of semiconductor fabrication process using optical measurement

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4820907A (en) * 1986-12-11 1989-04-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Controlled furnace heat treatment
JP2000114166A (en) * 1998-07-14 2000-04-21 Nova Measuring Instruments Ltd Device and method for working substrate according to prescribed photolithographic process
JP2000223413A (en) * 1998-07-14 2000-08-11 Nova Measuring Instr Ltd Method and system for controlling photolithography process
JP4722244B2 (en) * 1998-07-14 2011-07-13 ノバ・メジャリング・インストルメンツ・リミテッドNova Measuring Instruments Ltd. Apparatus for processing a substrate according to a predetermined photolithography process
JP2008153661A (en) * 2006-12-15 2008-07-03 Tokyo Electron Ltd Method of measuring process parameter of semiconductor fabrication process using optical measurement

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101109910B (en) Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, and device manufacturing method
EP1360554B1 (en) Process control
JP3972035B2 (en) Inspection method and device manufacturing method
JP3949853B2 (en) Control method for a control method and a semiconductor manufacturing device of the exposure apparatus
KR100358544B1 (en) Scanning exposure method and apparatus
JP4070609B2 (en) Measuring method of the convex portion having an asymmetrical longitudinal section
US7352453B2 (en) Method for process optimization and control by comparison between 2 or more measured scatterometry signals
JP3770621B2 (en) Error correction method and apparatus of the heterodyne interferometer
US5607800A (en) Method and arrangement for characterizing micro-size patterns
US6078599A (en) Wavelength shift correction technique for a laser
JP3459742B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method using the same
JP4177043B2 (en) Mask manufacturing method for correcting flare measurement mask, a method of manufacturing a mask, a method and flare setting the flare region of influence on the wafer
KR100819189B1 (en) Method and apparatus for performing final critical dimension control
JP3037887B2 (en) Monitoring method and apparatus for lithographic exposure
US6486492B1 (en) Integrated critical dimension control for semiconductor device manufacturing
US7879513B2 (en) Method for correcting mask
US7206074B2 (en) Apparatus and method for measuring spectral reflectance and apparatus for measuring film thickness
JP3617558B2 (en) Exposure control method, an exposure apparatus, and device manufacturing method
KR100200384B1 (en) Projection exposure apparatus and device manufacturing method using the same
KR100804284B1 (en) Method and apparatus for using scatterometry to perform feedback and feed-forward control, and computer readable program storage medium encoded with instructions for performing the method
US6643017B2 (en) Method and system for controlling the photolithography process
US5674652A (en) Diffracted light from latent images in photoresist for exposure control
CN1261994C (en) Optical mask testing, optical spot evaluating method and optical spot compensation
EP1649244B1 (en) Optical bandwidth meter for very narrow bandwidth laser emitted light
US6968253B2 (en) Computer-implemented method and carrier medium configured to generate a set of process parameters for a lithography process