JPH06267104A - 光ピックアップ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】作製コストが低く、小型軽量な光ピックアップ
を提供することを目的とする。 【構成】本発明は、基板１上に、光導波路３と、この光
導波路３に設けられた光学素子３８と、光導波路３内の
導波光を検出する光検出器３１ａ，３１ｂと、を備え
た、集積型の光ピックアップである。光導波路３上に
は、導波光の伝搬方向に対して偏光方向が４５°の角度
となるように光を照射する半導体レーザ１３が設けられ
ており、半導体レーザ１３からの光が照射される光学素
子は、体積型ホログラムによって構成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、情報記録再生装置に用
いられる光ピックアップに関し、特に集積化された光ピ
ックアップに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気ディスク装置に代表されるコ
ンピュータの補助記憶装置においては小型化、高密度
化、情報アクセスの高速化、等の要求が拡大している。
このような要求に対応するべく記録情報の高密度化・大
容量化を目指して、光記録媒体を利用した光情報記録技
術の研究・開発が盛んに行われており、そのキーコンポ
ーネントとなる光ピックアップは様々なものが開発・実
用化されてきている。

【０００３】しかしながら従来の光ピックアップは、半
導体レーザ、集光レンズ、ビームスプリッタ等の個別の
光学素子を組み合わせて構成されているため、情報読み
取りの高速化に不可欠な小型化に限界があるといった問
題点がある。

【０００４】そこで、このような問題点を解決するた
め、光導波路を利用した集積型光ピックアップが提案さ
れており、例えば、“電子通信学会・量子エレクトロニ
クス研究会（ＯＱＥ）予稿８５−７２”には、図１２に
示すような読み取り専用の集積型光ピックアップが記載
されている。これは光ピックアップの光学系を光導波路
上に光集積回路として構成し、デバイス全体の小型化を
図ったものである。以下従来の集積型光ピックアップの
構成および動作について簡単に説明する。

【０００５】シリコン基板７１上にバッフア層７２を介
して形成された光導波層７３の端面には、半導体レーザ
７４が固定されている。この半導体レーザ７４から出射
したレーザ光は、光導波層７３内に導入され、集光グレ
ーティグカプラ７６により光記録媒体１０上に回折限界
まで集光される。

【０００６】光記録媒体１０上で情報記録ピットに応じ
て強度変調された反射光は、再び集光グレーティングカ
プラ７６に戻り、再度光導波層７３に導かれる。この戻
り光は集光ビームスプリッタ７５によって分波、集光さ
れて、シリコン基板７１上に形成された４分割の光検出
器７６に向かって光導波層７３内を伝搬して行く。各検
出素子の出力は、所定の演算処理が施され、情報読み取
り信号、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信
号となる。この場合、フォーカスエラー信号検出はフー
コー法、トラッキングエラー検出はプッシュプル法によ
っている。

【０００７】さらに、光磁気記録においても同様の発想
に基づいた光ピックアップが提案されており、例えば
“昭和６３年電子情報通信学会全国大会、Ｃ−２２１”
には、図１３に示される光ピックアップが開示されてい
る。この光ピックアップの構成及び動作について簡単に
説明する。

【０００８】シリコン基板７１上の光導波層７３には、
３焦点ＦＧＣ８５が形成されており３焦点ＦＧＣ８５上
には、ハーフミラー８３が設けられている。この３焦点
ＦＧＣ８５は、中央にＴＭモード用、両端にＴＥモード
用の集光グレーティングカプラを配したもので（図１４
参照）、ｐ偏光の入射光を中央のＴＭ用ＦＧＣによりＴ
Ｍモード導波光として、またｓ偏光の入射光を両端のＴ
Ｅ用ＦＧＣによりＴＥ導波光として、それぞれ導波路内
に導入し、３つの異なった位置に集光させる機能を有す
る。また、前記各素子が形成されたシリコン基板の上方
には、半導体レーザ８１が配置されており、この半導体
レーザ８１は、射出されたレーザ光の偏光面が導波層内
の光の伝搬方向に対して４５°傾くように配置されてい
る。

【０００９】半導体レーザ８１から射出されたレーザ光
は、コリメートレンズ８２によって平行光となり、ハー
フミラー８３によって反射され、集光レンズ８４を介し
て光磁気記録媒体１０ａ上の記録ピット上に集光され
る。光磁気記録媒体１０ａ上に集光した光は、ピットに
磁化の向きとして記録されたピット情報０、１に対応し
て、カー効果により偏光方向を±θ回転して反射され
る。この偏光方向が回転された反射光は、再度集光レン
ズ８４を通過しコリメートされ、３焦点ＦＧＣ８５に照
射される。

【００１０】この３焦点ＦＧＣ８５に上記のような反射
光が入射し、導波光が励振されると入射光の偏光回転の
±に対応してＴＥ・ＴＭモード導波光パワーが反転して
増減する。そして、それぞれの集光点に配された光検出
器８６の出力を用いて、ＴＥ導波光出力とＴＭ導波光出
力との差動をとることにより、光磁気記録媒体１０ａの
情報読み取りが行われる。

【００１１】また、フォーカシングエラー信号およびト
ラッキングエラー信号の検出は、光検出器８６のうち、
両端のＴＥ導波光用の２分割光検出器により、フーコー
法およびプッシュプル法によって行われる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】上記従来例において、
以下のような問題点を指摘することが出来る。

【００１３】図１２に示される光ピックアップは、光源
である半導体レーザ７４と光導波層７３との結合は端面
結合で行われる。しかし、この結合方法は、非常に正確
な位置合わせ及び固定を同時に行わなければならないた
め、多大な工数を要し、量産や作製コストの点で大きな
問題となる。

【００１４】図１３に示される光磁気用の光ピックアッ
プは、前述したように、導波光と４５°の角度の偏光を
光磁気記録媒体１０ａに照射する必要性から、半導体レ
ーザ８１を基板の上方に配置している。しかし、このこ
とが光ピックアップ全体を小型化する上で大きな障害と
なっている。また、別の問題点として、光磁気信号検出
のために、図１４に示される３焦点の集光グレーティン
グカプラを用いていることが挙げられる。この素子形成
のためには、サブミクロンピッチの微細加工技術が必要
であり、現状では電子ビームによる直接描画によらなけ
れば作製が困難である。従って、将来の大量生産には対
応できないといった問題がある。

【００１５】本発明は、作製コストが低く、小型軽量な
光ピックアップを提供することを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、少なくとも光導波路と、この光導波路に
設けられた光学素子と、光導波路内の導波光を検出する
光検出器と、を備え、これらを同一基板上に集積配置し
た光ピックアップにおいて、前記光導波路上に設けられ
た光学素子に、導波光の伝搬方向に対して偏光方向が４
５°の角度となるように光を照射する光源を備えてお
り、光源からの光が照射される光学素子は、体積型ホロ
グラムによって構成されていることを特徴としている。

【００１７】

【本発明の概要】上述した問題点を解決するため、本発
明では以下に述べる手段を採用する。

【００１８】（Ａ） 光源から射出された光を光導波層
（路）に結合する方法として、体積型ホログラムによる
ホログラムカプラを採用する。すなわち、図１に示すよ
うに、シリコン等によって構成された基板１上にバッフ
ァ層２、光導波層３を形成し、この上にホログラム記録
材料４を塗布する。そして、このホログラム記録材料４
にホログラムカプラを記録し、従来のグレーティングカ
プラの代わりとして機能させる。この記録は、図２に模
式的に示した光学系によって行われる。以下、このホロ
グラムカプラの記録工程（干渉露光法）について説明す
る。

【００１９】図２（ａ）に示すように、光ピックアップ
の使用光源と同じ波長のレーザ光源５からのビームをビ
ームスプリッタ６により２つに分離する。一方のビーム
はミラー７を介して適当な入射角で結合プリズム８に入
射し、光導波路３内に導かれ導波光９となる。もう一方
のビームはミラー１５を介して基板上のホログラム記録
材料４に入射する。このビームの入射位置の下には、先
の導波光９が伝搬しており、ホログラム記録材料４内に
はエバネッセント波のテールが存在する。従って導波光
９と空間光１１との間で干渉が起こり、そのパターンが
ホログラム記録材料４内に体積型ホログラムとして記録
される。そして、所定の現像処理を施したのち、図２
（ｂ）のように、記録時と反対の向きから導波光を記録
された体積ホログラム部に入射させると、その波面再生
機能により、図に示したように、記録時とは反対向きの
空間光１１ａが再生される。すなわち、上述したように
記録された体積型ホログラムは、導波光を空間光に、ま
た逆に外部からの空間光を導波光に変換する機能を有し
ており、従来例の入力カプラと全く同一の機能を果た
す。このように作製された体積型ホログラムを、光源か
ら射出された光を光導波路に結合させる入力カプラとし
て用いる。

【００２０】ただし、この入力カプラは、一般に用いら
れるリニアグレーティングカプラと同様、ブラック条件
を満たす入射角の入射光のみを導波路内に導くため、光
源の取り付け精度が厳しくなる問題が残る。

【００２１】そこで、体積型ホログラムの多重記録機能
に注目し、上述した記録工程において、図３に示すよう
に、入射角がわずかに異なる複数の空間光を用いること
により、入射角の許容度を向上させることができる。

【００２２】（Ｂ） 光磁気信号読み取り用の光ピック
アップの光源を、図４に示すように配置する。すなわ
ち、光導波路３上に間隙部材１２を介してレーザ光源１
３を光導波路からわずかに浮かせて固定し、かつレーザ
光源１３から射出された光の偏光面が導波方向に対して
４５°となるように配置する。また、光導波路上の光源
１３からの光が照射される位置に、光磁気記録媒体へ光
を集光させる集光素子１４を設ける。この集光素子１４
上に何等かのハーフミラー機能を付加すれば、図１３に
示した光ピックアップの光学系と全く同様に機能する光
学系とすることができる。

【００２３】この具体例として、前述の体積型ホログラ
ムを応用することができる。ハーフミラー機能を有する
集光素子を体積型ホログラムによって構成する場合は、
導波路基板として石英板などの透明部材を用いる。

【００２４】図５にその記録および再生の過程を示す。
ホログラムの記録は、（ａ）で示すように、既に光導波
路３上に間隙部材１２を介して固定された光源１３から
の出射光と、図示しない手段によって分岐されたこのレ
ーザ光を透明基板の裏面から収束光として同時に照射す
ることによって行う。こうして記録されたホログラムに
記録時の光源光が入射すると、ホログラムの波面再生機
能により、（ｂ）で示すように収束光が再生される。ま
た、この場合、素子の回折効率を、記録時の露光時間な
どによって適切に設定することにより、ハーフミラーと
しての機能が付加される。この結果、光磁気記録媒体か
らの反射光の一部は回折することなく、ホログラムを通
過し、基板上の導波路表面に入射する。そして、この部
分に入力カプラを設ければ、光磁気記録媒体からの信号
光を光導波路３内に導くことができる。

【００２５】（Ｃ） この入力カプラについても、前述
した体積型ホログラムを応用することができる。入力カ
プラとしての体積型ホログラムの作製については、既に
図１乃至図３を参照して説明したが、図２に示した作製
方法によると、リニアグレーティングと同様な機能の体
積型ホログラムが作製され、このままでは、光磁気記録
媒体からの信号光を導波路内に導くことができない。こ
のため、図２（ａ）に示す光学系において、図中点線で
囲んだ部分に集光レンズを設けて、ホログラム記録時の
参照光を球面波とすることにより、球面波を光導波路に
結合する入力カプラとすることができる。

【００２６】さらに、この戻り光を光導波路に結合させ
る入力カプラが、ｐ偏光に対してもｓ偏光に対しても、
それ一つで球面波を導波光に変換するカプラとして機能
すると、光導波路内にＴＥ、ＴＭモードの偏光分離検出
手段を設けることによって光磁気差動信号を検出するこ
とができる。

【００２７】このような入力カプラを体積型ホログラム
で構成する場合は、図６に示すように、ＴＥモードとＴ
Ｍモードをそれぞれ参照光とした多重ホログラムによっ
て実現する。すなわち、まず（ａ）で示すように、ＴＥ
モードについてホログラムカプラを記録したのち、書き
込み光の偏光方向を変えて（ｂ）で示すようにＴＭモー
ドについて全く同様の配置でホログラムカプラの記録を
行う。この結果、ｓ偏光成分をＴＥ導波光として、ｐ偏
光成分をＴＭ導波光として、それぞれ光導波路に結合す
る共用の入力カプラを作製することができる。そして、
従来一般に提案されてきた種々の導波路型偏光分離素子
を用いてＴＥモードの偏光とＴＭモードの偏光を分離し
て検出することにより、光磁気差動信号の検出を行うこ
とができる。

【００２８】この場合、導波路型の偏光分離素子として
は、例えば、図７に示すような構造の素子を採用する。
これは、導波光を光検出器に導く部分において、光導波
層３の上部または下部に高屈折率層５０を装荷し、構造
的な複屈折性を付与するものである。（ａ）は光導波層
３の上部、（ｂ）は光導波層３の下部に高屈折率の層５
０を付加した場合を示している。装荷する高屈折率層５
０は、光検出器前後でテーパ状になっており、反射、散
乱などの損失が生じないようになっている。このように
高屈折率層が装荷された部分では、その複屈折性によ
り、電磁界分布がＴＥとＴＭとで大きく異なる。

【００２９】具体的にはＴＥモードの電磁界はＴＭモー
ドのそれに比べて、より高屈折率層に集中するようにな
る。従って、（ａ）で示す構成の場合はＴＥモード光が
上部に引き寄せられ、ほとんど下部の光検出部には吸収
されないためＴＭ専用検出器として機能する。また、
（ｂ）で示す構成の場合は逆にＴＥモード光が強く導波
層下部に集中するため、ＴＥ専用検出器として機能す
る。

【００３０】このように構成されたＴＭ専用検出器およ
びＴＥ専用検出器を導波方向に並べて配置することによ
り、光磁気信号検出素子とすることができる。

【００３１】

【実施例】上述した種々の手段を有する光ピックアップ
の実施例について、以下、添付図面を参照して説明す
る。

【００３２】図８は、光磁気信号を検出可能な光ピック
アップの実施例を示す図である。以下、この実施例の構
成及び動作について説明する。

【００３３】石英によって構成された基板１上には、ア
モルファスシリコンを用いて、中央の検出素子がＴＭモ
ード光を検出し、その両側の検出素子がＴＥモード光を
検出するように構成された分割光検出素子２１が形成さ
れる。この分割光検出素子２１が形成されたのち、石英
基板上には、コーニング７０５９ガラスをスパッタ成膜
して導波層３が形成される。そして、この光導波層３の
上にグレーティング層を成膜したのち、電子ビーム直接
描画法により、図１３の従来例と同様に３焦点集光グレ
ーティングカプラ２３が作製される。次に、光導波層３
上に、図４に示したように、光源となる半導体レーザ１
３が間隙部材１２を介して固定され、しかるのち、３焦
点グレーティングカプラ２３の上部に、図５に示した手
法によって体積型ホログラム２８が作製される。

【００３４】半導体レーザ１３から射出された光は、体
積型ホログラム２８によって回折され、収束光２９とな
って、図示しない光磁気記録媒体に照射される。光磁気
記録媒体に照射された光は、記録情報に応じてカー効果
によって偏光回転を受けて反射され、再度体積型ホログ
ラム２８に入射する。ここを通過した光は３焦点集光グ
レーティングカプラ２３に入射し、中央の集光グレーテ
ィングカプラでＴＭモードが両側の集光グレーティング
カプラでＴＥモードがそれぞれ励振され、光導波路３に
導かれる。そして、各モードの導波光は、前記分割光検
出素子２１によって検出される。この分割光検出素子２
１からの出力信号は、図１３で示す従来例と同様の処理
が施され、光磁気差動信号、フォーカスエラー信号、ト
ラックエラー信号となる。

【００３５】このように、半導体レーザ１３を光導波層
上に設け、かつ光磁気記録媒体へ光を集光する集光素子
を体積型ホログラムによって構成したため、光源を含め
た系全体を実質的にすべて基板上に配置することが可能
となり、光ピックアップ全体の小型、軽量化が図れる。
また、体積型ホログラム２８は、集光としての機能とハ
ーフミラーとしての機能の両者を兼ね備えているので、
部品点数を減らすことになり、光ピックアップの安定
化、低コスト化が図れる。さらに、本実施例では、作製
されるホログラムは１つなので、干渉露光のプロセスが
簡略化されるという利点がある。

【００３６】図９は、図７に示された偏光分離光検出素
子を光磁気信号を検出可能な光ピックアップに用いた実
施例を示す図である。以下、この実施例の構成及び動作
について説明する。

【００３７】シリコンによって構成された基板１上に
は、バッフア層を介して光導波層３が形成される。ま
た、シリコン基板１には、図７に示す構造に従って、左
右にＴＭ導波光を検出する光検出器３１ａおよび左右に
それぞれ２分割され、ＴＥ導波光を検出する光検出器３
１ｂが導波方向に沿って作製される。この場合、光検出
器３１ａがＴＥ導波光を検出し、光検出器３１ｂがＴＭ
導波光を検出するように構成しても良い。前記光導波層
３上には、リニアグレーティングカプラ３５および集光
ビームスプリッタ３６が作製される。このリニアグレー
ティングカプラ３５は、ｐ偏光またはｓ偏光を光導波層
３に導入するためのピッチの丁度中間のピッチに設計さ
れており、若干の効率低下はあるが、両方の偏光を光導
波路３内に導入することができる。リニアグレーティン
グカプラ３５上には、ハーフミラープリズム３３が設け
られ、半導体レーザ３７からの光を図示されていない光
磁気記録媒体に向けて立ち上げると共に、光磁気記録媒
体からの反射光をリニアグレーティングカプラ３５に入
射させる。

【００３８】半導体レーザ３７から出射された光は、コ
リメータレンズ３８により平行光にされたのち、ハーフ
ミラープリズム３３による反射で立ちあげられ、集光レ
ンズ３９により図示されていない光磁気記録媒体上に集
光される。そして、カー効果によって偏光回転を受けた
反射光は、戻り光となってハーフミラープリズム３３を
通過してリニアグレーティングカプラ３５に入射し、光
導波路３内に導入される。この際、カー効果による偏光
回転角に応じて、ＴＭモード、ＴＥモードに振り分けら
れて導波光が励振される。これら導波光は集光ビームス
プリッタ３６により分岐・集光され、光検出器３１ａで
ＴＭモードの導波光が、光検出器３１ｂでＴＥモードの
導波光がそれぞれ検出される。

【００３９】そして、光検出器３１ａからの信号と光検
出器３１ｂからの信号の差動を取ることにより光磁気差
動信号が得られる。また、フォーカスエラー信号および
トラックエラー信号は、図１２に示した手段と同様、フ
ーコー法およびプッシュプル法によってそれぞれ検出さ
れる。

【００４０】この実施例では、図７に示したような、簡
単な構造の偏光分離型の光検出器を提案している。この
ような光検出器を作製する際の高屈折率層は、光導波層
上に成膜されるグレーティング層等と共用することが可
能で、比較的容易に作製できコストを低く抑えることが
可能である。

【００４１】図１０は、前述した手段を全て盛り込んだ
光磁気対応の光ピックアップを示している。この実施例
では、体積型ホログラムの多重記録機能に着目し、光導
波路３上に、図５に示された方法および図６に示された
方法を用いて、体積型ホログラム４８が作製される。ま
た、光導波路３上に間隙部材１２を介して設けられる半
導体レーザ１３は、図６に示すように、射出された光の
偏光面が導波方向に対して４５°となるように配置され
る。

【００４２】そして、半導体レーザ１３から出射された
光は、前記図８に示した実施例と全く同様の過程を経
て、図示しない光磁気記録媒体上に集光される。ここで
偏光回転を受けた反射光は、体積型ホログラム３８によ
って光導波路３内にｐ偏光，ｓ偏光の混在した平行導波
光として導入される。以後は、図９に示した実施例と同
様に、ｐ偏光、ｓ偏光が混在した導波光は、集光ビーム
スプリッタ３６によって分岐、集光され、偏光分離型の
光検出器３１ａ，３１ｂによって、光磁気差動信号、サ
ーボエラー信号が検出される。

【００４３】この実施例によれば、全ての光学素子を基
板上に集積配置することができるので、光ピックアップ
のより小型、軽量化を達成することができ、この結果、
情報読み出しが高速化される。また、光磁気記録媒体か
らの戻り光を光導波路内に導くカプラは、図６に示した
手段を用いて多重記録された体積型ホログラム３８であ
るため、戻り光の偏光成分をＴＥモード、ＴＭモードそ
れぞれに振り分けることが可能となる。これにより、戻
り光の結合効率を向上することができ、出力信号のＳ／
Ｎ比は改善される。

【００４４】最後に、図２および図３で説明した光源光
入力用多重ホログラムカプラを用いた読み出し専用の光
ピックアップの実施例を図１１に示す。以下動作につい
て簡単に説明する。

【００４５】図示しないコリメート光学系を含む光源４
８から出射した平行ビームは基板上に固定されたプリズ
ムミラー４９により反射され、垂直に多重ホログラムカ
プラ４１上に入射する。このホログラムカプラ４１は、
図２および図３で示した手段によって多重干渉露光法に
より作製されている。

【００４６】多重ホログラムカプラ４１に入射した光
は、光導波路３内に導かれ導波光４７となる。導波光４
７は光導波路内を伝搬したのち、光導波路３に作製され
た導波路ミラー４２により９０°光路を変換され、フォ
ーカシンググレーティングビームスプリッタ（以下ＦＧ
ＢＳ）４３を通過して、集光グレーティングカプラ４４
に入射する。導波光は集光グレーティングカプラ４４に
よって集光空間光に変換され、光記録媒体１０表面に集
光する。光記録媒体１０により反射された光は、再度集
光グレーティングカプラ４４に入射し導波光に変換され
る。この導波光はＦＧＢＳ４３によって分岐、集光さ
れ、それぞれ光検出器４６で検出される。そして、図示
しない演算回路によって所望の信号処理を施され、各種
信号を出力する。

【００４７】この実施例では、光源４８からの光を導波
路に導く入力カプラは、図３に示すように多重記録され
たホログラムカプラによって構成されているので、入射
角の許容角度は広くなる。従って、光源４８の位置決め
が比較的荒くても、導波路への十分高い結合効率が得ら
れる。また、これにより、光源と導波路が設けられた基
板との間の調整の工数を大幅に軽減することができ、作
製コストを低く抑えることが可能となる。

【００４８】以上本発明の実施例を説明したが、本発明
は上記実施例に限定されることなく種々変形することが
可能である。例えば、半導体レーザの配置箇所、あるい
は基板の形状等は種々変形することができる。

【００４９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
作製コストが低く、小型軽量な光ピックアップが得られ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】体積型ホログラムを記録する前のチップの断面
図である。

【図２】（ａ）は、光導波路に体積型ホログラムを記録
する光学系を示す図、（ｂ）は、光導波路に体積型ホロ
グラムが記録された後の導波光の射出状態を示す図であ
る。

【図３】光導波路に体積型ホログラムを記録する際に、
体積型ホログラムへの入射角の許容度を向上させる手段
を示す図である。

【図４】光導波路に光源を取付けた際の両者の配置関係
および光源から射出された光の偏光状態を示す平面図で
ある。

【図５】ハーフミラー機能を有する集光素子を体積型ホ
ログラムによって光導波路に設ける手段を示しており、
（ａ）は、その作製手段を、（ｂ）は、体積型ホログラ
ムによって再生された集束光を示す図である。

【図６】光導波路にｓ偏光およびｐ偏光の光を導く体積
型ホログラムを記録する光学系を示す図であり、（ａ）
はｓ偏光用の体積型ホログラムの記録を示し、（ｂ）は
ｐ偏光用の体積型ホログラムの記録を示す。

【図７】偏光分離型の光検出器の構成を示す図であり、
（ａ）は、ＴＭ導波光を検出する光検出器、（ｂ）は、
ＴＥ導波光を検出する光検出器の構成を示す図である。

【図８】本発明に係る光ピックアップの第１の実施例を
示す図である。

【図９】本発明に係る光ピックアップの第２の実施例を
示す図である。

【図１０】本発明に係る光ピックアップの第３の実施例
を示す図である。

【図１１】本発明に係る光ピックアップの第４の実施例
を示す図である。

【図１２】従来の光ピックアップを示す図である。

【図１３】従来の別の光ピックアップを示す図である。

【図１４】図１３に示した光ピックアップの３焦点グレ
ーティングカプラの構成を示す図である。

【符号の説明】

１…基板、３…光導波路、１３…半導体レーザ、２１，
３１ａ，３１ｂ…光検出器、２８，３８，…体積型ホロ
グラム。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも光導波路と、この光導波路に
   設けられた光学素子と、光導波路内の導波光を検出する
   光検出器と、を備え、これらを同一基板上に集積配置し
   た光ピックアップにおいて、 前記光導波路上に設けられた光学素子に、導波光の伝搬
   方向に対して偏光方向が４５°の角度となるように光を
   照射する光源を備えており、光源からの光が照射される
   光学素子は、体積型ホログラムによって構成されている
   ことを特徴とする光ピックアップ。