JPH06258045A - 位置検出方法及び位置検出装置 - Google Patents
位置検出方法及び位置検出装置Info
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- JPH06258045A JPH06258045A JP5049579A JP4957993A JPH06258045A JP H06258045 A JPH06258045 A JP H06258045A JP 5049579 A JP5049579 A JP 5049579A JP 4957993 A JP4957993 A JP 4957993A JP H06258045 A JPH06258045 A JP H06258045A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7092—Signal processing
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、通常顕微鏡及び干渉顕微鏡光学系
を用いて取得された検査対象物の観察画像データから、
対称性を有する対象パターンの位置を精度良く検出する
ことのできる位置検出方法及び位置検出装置を提供する
ことを目的とする。 【構成】 光学的検出手段を用いて得られる検査対象の
観察画像が略線対称であるときに、当該観察画像の位置
を検出する位置検出装置であって、当該観察画像の線対
称の一方の側に特定される第１の所定領域の画像を反転
して当該第１の所定領域に係る基準画像を設定する第１
の設定手段と、この第１の設定手段で設定された基準画
像を基にして、他方の側に特定される第２の所定領域を
設定する第２の設定手段と、これら第１の所定領域の位
置と第２の所定領域の位置との中心位置から当該観察画
像の位置を検出する検出手段とを備えて構成される。
を用いて取得された検査対象物の観察画像データから、
対称性を有する対象パターンの位置を精度良く検出する
ことのできる位置検出方法及び位置検出装置を提供する
ことを目的とする。 【構成】 光学的検出手段を用いて得られる検査対象の
観察画像が略線対称であるときに、当該観察画像の位置
を検出する位置検出装置であって、当該観察画像の線対
称の一方の側に特定される第１の所定領域の画像を反転
して当該第１の所定領域に係る基準画像を設定する第１
の設定手段と、この第１の設定手段で設定された基準画
像を基にして、他方の側に特定される第２の所定領域を
設定する第２の設定手段と、これら第１の所定領域の位
置と第２の所定領域の位置との中心位置から当該観察画
像の位置を検出する検出手段とを備えて構成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、超ＬＳＩ等の半導体デ
バイスの製造・検査等におけるウエハあるいはレチクル
上の微細パターンの検査を行なうための位置検出方法及
び位置検出装置に関する。
バイスの製造・検査等におけるウエハあるいはレチクル
上の微細パターンの検査を行なうための位置検出方法及
び位置検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】超ＬＳＩ等の半導体デバイス製造・検査
等で利用される微細パターン検査装置には、ステッパで
転写・露光されたときのアライメント精度を検査するも
のがある。
等で利用される微細パターン検査装置には、ステッパで
転写・露光されたときのアライメント精度を検査するも
のがある。
【０００３】通常は、前プロセス工程で製作された２０
μｍ程度の正方形（ボックス）の上に１０μｍ程度の正
方形（ボックス）を製作し、それぞれのエッジの位置を
測定して、アライメント精度を検査する。前者の正方形
（ボックス）はＳｉＯ2 、多結晶シリコン等のプロセス
材料で構成されたもので、後者の正方形（ボックス）は
レジストである。
μｍ程度の正方形（ボックス）の上に１０μｍ程度の正
方形（ボックス）を製作し、それぞれのエッジの位置を
測定して、アライメント精度を検査する。前者の正方形
（ボックス）はＳｉＯ2 、多結晶シリコン等のプロセス
材料で構成されたもので、後者の正方形（ボックス）は
レジストである。
【０００４】図５に、この検査用のアライメントマーク
Ｍの構造の一例を示す。このアライメントマークＭは、
外側ボックス１３と内側ボックス１１との位置を検出
し、これらの位置からアライメント精度を測定するため
のものである。すなわち、外側ボックス１３は前回転写
されたレジストパターンを用いて製作されたマークであ
り、この外側ボックス１３は、例えばＳｉＯ2 等で形成
されている。内側ボックス１１は今回転写されたレジス
トマークである。ここで下地はシリコン等で出来てい
る。
Ｍの構造の一例を示す。このアライメントマークＭは、
外側ボックス１３と内側ボックス１１との位置を検出
し、これらの位置からアライメント精度を測定するため
のものである。すなわち、外側ボックス１３は前回転写
されたレジストパターンを用いて製作されたマークであ
り、この外側ボックス１３は、例えばＳｉＯ2 等で形成
されている。内側ボックス１１は今回転写されたレジス
トマークである。ここで下地はシリコン等で出来てい
る。
【０００５】次に、図６及び図７を参照して、従来の検
査方法を説明する。図６は、通常顕微鏡及び干渉顕微鏡
等の光学系を用いて取得された検査対象物の観察画像デ
ータであって、横軸にアライメントマークＭのＸ軸方向
の位置を示し（例えば、図２参照）、縦軸にこのＸ軸方
向のそれぞれの位置における光強度Ｉを示すものであ
る。この図６に示されるように、アライメントマークＭ
のエッジ部分では回折光による輝度変化により生じるヒ
ゲ１１Ａ，１１Ｂ，１３Ａ，１３Ｂが発生しており、ヒ
ゲ１１Ａ，１１Ｂはそれぞれ内側ボックス１１によるも
のであり、ヒゲ１３Ａ，１３Ｂは外側ボックス１３によ
るものである。
査方法を説明する。図６は、通常顕微鏡及び干渉顕微鏡
等の光学系を用いて取得された検査対象物の観察画像デ
ータであって、横軸にアライメントマークＭのＸ軸方向
の位置を示し（例えば、図２参照）、縦軸にこのＸ軸方
向のそれぞれの位置における光強度Ｉを示すものであ
る。この図６に示されるように、アライメントマークＭ
のエッジ部分では回折光による輝度変化により生じるヒ
ゲ１１Ａ，１１Ｂ，１３Ａ，１３Ｂが発生しており、ヒ
ゲ１１Ａ，１１Ｂはそれぞれ内側ボックス１１によるも
のであり、ヒゲ１３Ａ，１３Ｂは外側ボックス１３によ
るものである。
【０００６】従来は、これらヒゲ１１Ａ，１１Ｂ，１３
Ａ，１３Ｂに対して、それぞれある任意の光強度Ｉでス
レッシュホールドレベル１９ａ，１９ｂを定めてスライ
スする。このようにスライスして求まった２点の位置２
１から中心の位置２３を求め、それをエッジの位置とし
ていた。さらに、このようにして合計４個のエッジ位置
を求め、外側と内側のボックスの位置のズレを求めるよ
うにしていた。
Ａ，１３Ｂに対して、それぞれある任意の光強度Ｉでス
レッシュホールドレベル１９ａ，１９ｂを定めてスライ
スする。このようにスライスして求まった２点の位置２
１から中心の位置２３を求め、それをエッジの位置とし
ていた。さらに、このようにして合計４個のエッジ位置
を求め、外側と内側のボックスの位置のズレを求めるよ
うにしていた。
【０００７】上記したようなエッジの所で発生するヒゲ
は回折現象により現れるものである。しかしながら、近
年の半導体プロセスの薄膜化の影響で、エッジ部分の段
差が低くなり、かつ段差の形状も鈍まってきており、エ
ッジの所で発生するヒゲが小さくなる傾向がある。その
ためエッジのヒゲをあるスレッシュホールドレベルを定
めてスライスし、スライスして求まった２点の位置から
中心の位置を求め、それをエッジの位置とする従来の方
式では、エッジ位置の検出が非常に困難となっている。
またプロセスによっては、そのエッジのヒゲが現れにく
い物もある。さらにはエッジのヒゲそのものには対称性
が無いため、微妙なフォーカスのズレの影響で、求まっ
たエッジの位置がずれてしまう検出時における困難さが
あった。
は回折現象により現れるものである。しかしながら、近
年の半導体プロセスの薄膜化の影響で、エッジ部分の段
差が低くなり、かつ段差の形状も鈍まってきており、エ
ッジの所で発生するヒゲが小さくなる傾向がある。その
ためエッジのヒゲをあるスレッシュホールドレベルを定
めてスライスし、スライスして求まった２点の位置から
中心の位置を求め、それをエッジの位置とする従来の方
式では、エッジ位置の検出が非常に困難となっている。
またプロセスによっては、そのエッジのヒゲが現れにく
い物もある。さらにはエッジのヒゲそのものには対称性
が無いため、微妙なフォーカスのズレの影響で、求まっ
たエッジの位置がずれてしまう検出時における困難さが
あった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
検査装置では、エッジの所で発生するヒゲを任意のスレ
ッシュホールドレベルを定めてスライスし、このスライ
スによって求まった２点の位置から中心の位置を求め、
この中心位置をエッジの位置としていたため、検査対象
物の状態によっては精度良く検出することが困難である
場合が生じた。
検査装置では、エッジの所で発生するヒゲを任意のスレ
ッシュホールドレベルを定めてスライスし、このスライ
スによって求まった２点の位置から中心の位置を求め、
この中心位置をエッジの位置としていたため、検査対象
物の状態によっては精度良く検出することが困難である
場合が生じた。
【０００９】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
で、通常顕微鏡及び干渉顕微鏡等の光学系を用いて取得
された検査対象物の観察画像データから、対称性を有す
る対象パターンの位置を精度良く検出する位置検出方法
及び位置検出装置を提供することを目的とする。
で、通常顕微鏡及び干渉顕微鏡等の光学系を用いて取得
された検査対象物の観察画像データから、対称性を有す
る対象パターンの位置を精度良く検出する位置検出方法
及び位置検出装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本願第１の発明は、光学的検出手段を用いて得られる検
査対象の観察画像が略線対称であるときに、当該観察画
像の位置を検出する際に、当該観察画像の線対称の一方
の側に特定される第１の所定領域を設定し、この設定さ
れた第１の所定領域を基準にして、他方の側に特定され
る第２の所定領域を検出し、これら第１の所定領域と第
２の所定領域との中心位置から当該観察画像の位置を検
出することを要旨とする。
本願第１の発明は、光学的検出手段を用いて得られる検
査対象の観察画像が略線対称であるときに、当該観察画
像の位置を検出する際に、当該観察画像の線対称の一方
の側に特定される第１の所定領域を設定し、この設定さ
れた第１の所定領域を基準にして、他方の側に特定され
る第２の所定領域を検出し、これら第１の所定領域と第
２の所定領域との中心位置から当該観察画像の位置を検
出することを要旨とする。
【００１１】また、本願第２の発明は、光学的検出手段
を用いて得られる検査対象の観察画像が略線対称である
ときに、当該観察画像の位置を検出する位置検出装置で
あって、当該観察画像の線対称の一方の側に特定される
第１の所定領域の画像を反転して当該第１の所定領域に
係る基準画像を設定する第１の設定手段と、この第１の
設定手段で設定された基準画像を基にして、他方の側に
特定される第２の所定領域を設定する第２の設定手段
と、これら第１の所定領域の位置と第２の所定領域の位
置との中心位置から当該観察画像の位置を検出する検出
手段とを有することを要旨とする。
を用いて得られる検査対象の観察画像が略線対称である
ときに、当該観察画像の位置を検出する位置検出装置で
あって、当該観察画像の線対称の一方の側に特定される
第１の所定領域の画像を反転して当該第１の所定領域に
係る基準画像を設定する第１の設定手段と、この第１の
設定手段で設定された基準画像を基にして、他方の側に
特定される第２の所定領域を設定する第２の設定手段
と、これら第１の所定領域の位置と第２の所定領域の位
置との中心位置から当該観察画像の位置を検出する検出
手段とを有することを要旨とする。
【００１２】
【作用】本願第１の発明の位置検出方法の検査対象は、
光学的検出手段を用いて得られる観察画像が略線対称で
あるものであり、また当該観察画像の位置を検出する際
には、当該観察画像の線対称の一方の側に特定される第
１の所定領域を設定し、この設定された第１の所定領域
を基準にして、他方の側に特定される第２の所定領域を
検出するようにしており、所定領域内の画像状態には影
響されない。これにより、これら第１の所定領域と第２
の所定領域との中心位置から当該観察画像の位置が精度
良く検出される。
光学的検出手段を用いて得られる観察画像が略線対称で
あるものであり、また当該観察画像の位置を検出する際
には、当該観察画像の線対称の一方の側に特定される第
１の所定領域を設定し、この設定された第１の所定領域
を基準にして、他方の側に特定される第２の所定領域を
検出するようにしており、所定領域内の画像状態には影
響されない。これにより、これら第１の所定領域と第２
の所定領域との中心位置から当該観察画像の位置が精度
良く検出される。
【００１３】本願第２の発明の位置検出装置は、光学的
検出手段を用いて得られる観察画像が略線対称であるも
のであり、また当該観察画像の位置を検出する際には、
第１の設定手段において当該観察画像の線対称の一方の
側に特定される第１の所定領域の画像を反転して当該第
１の所定領域に係る基準画像を設定し、さらに第２の設
定手段においては、この設定された基準画像を基準にし
て、他方の側に特定される第２の所定領域を検出する。
この検出の際には、所定領域内の画像状態には影響され
ない。これにより、これら第１の所定領域と第２の所定
領域との中心位置から当該観察画像の位置が精度良く検
出される。
検出手段を用いて得られる観察画像が略線対称であるも
のであり、また当該観察画像の位置を検出する際には、
第１の設定手段において当該観察画像の線対称の一方の
側に特定される第１の所定領域の画像を反転して当該第
１の所定領域に係る基準画像を設定し、さらに第２の設
定手段においては、この設定された基準画像を基準にし
て、他方の側に特定される第２の所定領域を検出する。
この検出の際には、所定領域内の画像状態には影響され
ない。これにより、これら第１の所定領域と第２の所定
領域との中心位置から当該観察画像の位置が精度良く検
出される。
【００１４】
【実施例】以下、本発明に係る一実施例を図面を参照し
て説明する。図１は本発明に係る微細パターン検査装置
による中心座標検出方法の処理手順を示す図である。以
下、この微細パターン検査装置に関して説明するが、本
発明は超ＬＳＩ等の半導体デバイスの製造・検査等に利
用されるウエハあるいはレチクル上の微細パターンの検
査を行なわせるための微細パターン検査装置への適用に
限定されるものではない。
て説明する。図１は本発明に係る微細パターン検査装置
による中心座標検出方法の処理手順を示す図である。以
下、この微細パターン検査装置に関して説明するが、本
発明は超ＬＳＩ等の半導体デバイスの製造・検査等に利
用されるウエハあるいはレチクル上の微細パターンの検
査を行なわせるための微細パターン検査装置への適用に
限定されるものではない。
【００１５】図１は通常顕微鏡及び干渉顕微鏡等の光学
系を用いて取得された検査対象物のアライメントマーク
Ｍの観察画像データであって、横軸にこのアライメント
マークＭのＸ軸方向の位置を示し、縦軸にこのＸ軸方向
のそれぞれの位置における光強度Ｉを示す。すなわち、
図２に示すように、アライメントマークＭの画像データ
をもとに内側ボックス１１のＹ軸方向エッジの直線部分
１１ａに直交するＸ軸方向のラインデータ１５のうちの
１ライン分だけを取り込むことにより得られるものであ
る。したがって、図１の輝度分布データ１５ｋはこの取
り込んだラインデータ１５の一例を示すものであり、Ｙ
軸に平行な軸に対して対称性を示す。
系を用いて取得された検査対象物のアライメントマーク
Ｍの観察画像データであって、横軸にこのアライメント
マークＭのＸ軸方向の位置を示し、縦軸にこのＸ軸方向
のそれぞれの位置における光強度Ｉを示す。すなわち、
図２に示すように、アライメントマークＭの画像データ
をもとに内側ボックス１１のＹ軸方向エッジの直線部分
１１ａに直交するＸ軸方向のラインデータ１５のうちの
１ライン分だけを取り込むことにより得られるものであ
る。したがって、図１の輝度分布データ１５ｋはこの取
り込んだラインデータ１５の一例を示すものであり、Ｙ
軸に平行な軸に対して対称性を示す。
【００１６】テンプレート切出し領域１は、略線対称で
ある観察画像データの一方の側の画像にエッジを含むよ
うにして設定される第１の所定領域であって、特にヒゲ
が含まれる必要はない。
ある観察画像データの一方の側の画像にエッジを含むよ
うにして設定される第１の所定領域であって、特にヒゲ
が含まれる必要はない。
【００１７】テンプレート３は、テンプレート切出し領
域１の画像データをＹ軸に平行な軸に対して１８０度反
転して得られる基準画像であって、このテンプレート３
を他方の側に設定される探索エリア５内で移動すること
によって、テンプレート切出し領域１の画像と対称であ
る画像、すなわち第２の所定領域を検出する。
域１の画像データをＹ軸に平行な軸に対して１８０度反
転して得られる基準画像であって、このテンプレート３
を他方の側に設定される探索エリア５内で移動すること
によって、テンプレート切出し領域１の画像と対称であ
る画像、すなわち第２の所定領域を検出する。
【００１８】次に、図１乃至図４を参照して本実施例に
おけるアルゴリズムを説明する。
おけるアルゴリズムを説明する。
【００１９】まず光学的に図２に示すアライメントマー
クＭを撮像し、この得られた画像データから図１に示す
輝度分布データ１５ｋを作成する。この輝度分布データ
１５ｋは内側ボックス１１のＹ軸方向エッジの直線部分
１１ａを通過しているＸ軸方向のラインデータ１５のう
ちの１ラインを取り込むことによって得られ、対称性を
示している。
クＭを撮像し、この得られた画像データから図１に示す
輝度分布データ１５ｋを作成する。この輝度分布データ
１５ｋは内側ボックス１１のＹ軸方向エッジの直線部分
１１ａを通過しているＸ軸方向のラインデータ１５のう
ちの１ラインを取り込むことによって得られ、対称性を
示している。
【００２０】この輝度分布データ１５ｋから外側の片方
のエッジ付近にテンプレート切出し領域１を切り出し、
左右をＹ軸に平行な軸を対称軸にして１８０度だけ反転
し、テンプレート３を作成する。次に他方のエッジ付近
に、このテンプレート３より十分に大きい探索エリア５
を設定する。そしてこの探索エリア５内においてテンプ
レート３を走査しながら相互相関係数を求め、最もよく
合った領域３ｋを探し出す。このときテンプレート切出
し領域１の終点とこの領域３ｋの始点の中点が求めるボ
ックスの中心座標となる。
のエッジ付近にテンプレート切出し領域１を切り出し、
左右をＹ軸に平行な軸を対称軸にして１８０度だけ反転
し、テンプレート３を作成する。次に他方のエッジ付近
に、このテンプレート３より十分に大きい探索エリア５
を設定する。そしてこの探索エリア５内においてテンプ
レート３を走査しながら相互相関係数を求め、最もよく
合った領域３ｋを探し出す。このときテンプレート切出
し領域１の終点とこの領域３ｋの始点の中点が求めるボ
ックスの中心座標となる。
【００２１】次に、上述したアルゴリズムを図３に示す
フローチャートに従い詳しく説明する。
フローチャートに従い詳しく説明する。
【００２２】まず、ステップＳ１において、取り込んだ
ラインデータを図示しない記憶手段、例えばＲＡＭ等の
メモリにＤ［ｉ］（ｉ：０〜（Ａ−１））として格納す
る。このときＡはデータ数である。
ラインデータを図示しない記憶手段、例えばＲＡＭ等の
メモリにＤ［ｉ］（ｉ：０〜（Ａ−１））として格納す
る。このときＡはデータ数である。
【００２３】ステップＳ３において、テンプレートを作
成する。このとき、図１に示すように、切り出したデー
タの始点のＸ座標をＸ１、データ数をＮとすると、テン
プレートのデータＴ［ｊ］（但し、ｊ：０〜（Ｎ−
１））は Ｔ［ｊ］＝Ｄ［Ｘ１＋（Ｎ−１）−ｊ］ となる。
成する。このとき、図１に示すように、切り出したデー
タの始点のＸ座標をＸ１、データ数をＮとすると、テン
プレートのデータＴ［ｊ］（但し、ｊ：０〜（Ｎ−
１））は Ｔ［ｊ］＝Ｄ［Ｘ１＋（Ｎ−１）−ｊ］ となる。
【００２４】ステップＳ５において、テンプレート３よ
り十分に大きい探索エリア５を設定する。その始点のＸ
座標をＸ２、データ数をＬ（Ｎ＜Ｌ）とすると、探索エ
リア５のデータＥ［ｋ］（ｋ：０〜（Ｌ−１））は Ｅ［ｋ］＝Ｄ［Ｘ２＋ｋ］ となる。
り十分に大きい探索エリア５を設定する。その始点のＸ
座標をＸ２、データ数をＬ（Ｎ＜Ｌ）とすると、探索エ
リア５のデータＥ［ｋ］（ｋ：０〜（Ｌ−１））は Ｅ［ｋ］＝Ｄ［Ｘ２＋ｋ］ となる。
【００２５】ステップＳ９において、探索エリア５内か
らデータ数Ｎの分だけ切り出す。このとき切り出したデ
ータＥｍ［ｊ］（ｊ：０〜（Ｎ−１））は Ｅｍ［ｊ］＝Ｅ［ｍ＋ｊ］ となる。
らデータ数Ｎの分だけ切り出す。このとき切り出したデ
ータＥｍ［ｊ］（ｊ：０〜（Ｎ−１））は Ｅｍ［ｊ］＝Ｅ［ｍ＋ｊ］ となる。
【００２６】ステップＳ１１において、Ｅｍ［ｊ］とＴ
［ｊ］の相互相関係数を求めＣ［ｍ］に格納する。
［ｊ］の相互相関係数を求めＣ［ｍ］に格納する。
【００２７】ステップＳ１３，Ｓ１５において、ｍを０
から（Ｌ−Ｎ）まで変化させながらステップＳ９，ステ
ップＳ１１を行う。このとき相関係数Ｃ［ｍ］とＸ座標
とは図４に示すような相関関係になる。
から（Ｌ−Ｎ）まで変化させながらステップＳ９，ステ
ップＳ１１を行う。このとき相関係数Ｃ［ｍ］とＸ座標
とは図４に示すような相関関係になる。
【００２８】ステップＳ１７において、相関係数Ｃ
［ｍ］のデータから補間法あるいは最小２乗法によって
画素以下の内挿を行い、相関係数Ｃ［ｍ］の最大値にお
けるＸ座標を実数で求めＸmax に格納する。
［ｍ］のデータから補間法あるいは最小２乗法によって
画素以下の内挿を行い、相関係数Ｃ［ｍ］の最大値にお
けるＸ座標を実数で求めＸmax に格納する。
【００２９】ステップＳ１９において、ボックスの中心
座標Ｘcnt を次式で検出する。
座標Ｘcnt を次式で検出する。
【００３０】 Ｘcnt ＝（Ｘ１＋Ｎ−１＋Ｘ２＋Ｘmax ）／２ このようにして１本のラインデータ１５ｋから外側ボッ
クス１３の中心のＸ座標が計算できる。
クス１３の中心のＸ座標が計算できる。
【００３１】以上の処理を図２に示した複数ラインデー
タ１５ａ，１５ｂ，…，１５ｋ，…，１５ｎに行いＸcn
t を求め、それらの平均をＸout とする。
タ１５ａ，１５ｂ，…，１５ｋ，…，１５ｎに行いＸcn
t を求め、それらの平均をＸout とする。
【００３２】内側ボックス１１に関しても外側ボックス
１３と同様にボックスの中心のＸ座標Ｘinを求める。こ
のとき内外のボックスのＸ方向のズレΔＸは ΔＸ＝Ｘin−Ｘout となる。
１３と同様にボックスの中心のＸ座標Ｘinを求める。こ
のとき内外のボックスのＸ方向のズレΔＸは ΔＸ＝Ｘin−Ｘout となる。
【００３３】さらにＹ方向のズレΔＹも同様に求めるこ
とができる。
とができる。
【００３４】このアルゴリズムではエッジ付近の複数の
データを用いて計算を行っているのでエッジの定義が不
要であり、なまったエッジでも検出が可能であり各種の
プロセスにおける検査に使用できる。また左右あるいは
上下のエッジを比べることで中心座標を求めているの
で、エッジ信号の形状を選ばなくなり、干渉顕微鏡およ
び通常顕微鏡のいずれの観察画像も使用できる。
データを用いて計算を行っているのでエッジの定義が不
要であり、なまったエッジでも検出が可能であり各種の
プロセスにおける検査に使用できる。また左右あるいは
上下のエッジを比べることで中心座標を求めているの
で、エッジ信号の形状を選ばなくなり、干渉顕微鏡およ
び通常顕微鏡のいずれの観察画像も使用できる。
【００３５】さらに相関法を用いることで一種の平均処
理が含まれている事になり、再現性の向上が計られる。
そしてこの平均処理の程度はテンプレートのデータ数Ｎ
によって変えられる。
理が含まれている事になり、再現性の向上が計られる。
そしてこの平均処理の程度はテンプレートのデータ数Ｎ
によって変えられる。
【００３６】上述してきたように、本実施例によれば、 （１）エッジが鈍っているような場合であっても検出が
可能であり各種のプロセスにおける検査に使用できる。
可能であり各種のプロセスにおける検査に使用できる。
【００３７】（２）干渉顕微鏡および通常顕微鏡のいず
れの観察画像も使用できる。
れの観察画像も使用できる。
【００３８】（３）平均処理が含まれているので再現性
の向上が計られる。そしてこの平均処理の程度はテンプ
レートのデータ数Ｎによって変えられる。
の向上が計られる。そしてこの平均処理の程度はテンプ
レートのデータ数Ｎによって変えられる。
【００３９】等の効果を得ることが出来る。
【００４０】尚、上記の実施例では通常顕微鏡等の光学
系を用いて取得された半導体デバイスのアライメントマ
ークに適用した場合を例にとって説明したが、本発明は
これに限定されること無く、任意の画像の位置検出に応
用することが出来る。
系を用いて取得された半導体デバイスのアライメントマ
ークに適用した場合を例にとって説明したが、本発明は
これに限定されること無く、任意の画像の位置検出に応
用することが出来る。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように本発明の位置検出方
法及び位置検出装置によれば、通常顕微鏡等の光学系を
用いて取得された検査対象物の観察画像データから、対
称性を有する対象パターンの位置を検出する際に、片方
のエッジパターンに関してテンプレートを作成し、この
テンプレートをもとにもう片方のエッジパターンを確定
するようにしたので、パターンのエッジでヒゲが出てい
ないような検査対象物の画像状態であっても両エッジパ
ターンの中心位置を精度良く検出することができる。
法及び位置検出装置によれば、通常顕微鏡等の光学系を
用いて取得された検査対象物の観察画像データから、対
称性を有する対象パターンの位置を検出する際に、片方
のエッジパターンに関してテンプレートを作成し、この
テンプレートをもとにもう片方のエッジパターンを確定
するようにしたので、パターンのエッジでヒゲが出てい
ないような検査対象物の画像状態であっても両エッジパ
ターンの中心位置を精度良く検出することができる。
【図１】本発明の一実施例における中心座標検出方法の
処理手順を示す図である。
処理手順を示す図である。
【図２】図１に示した処理手順におけるラインデータの
取り込みを説明するための平面図である。
取り込みを説明するための平面図である。
【図３】図１に示した処理手順のアルゴリズムのフロー
チャートである。
チャートである。
【図４】相互相関係数のグラフの一例を示す図である。
【図５】アライメントマークの構成を説明するための平
面図である。
面図である。
【図６】従来の検出画像データの一例を示す図である。
【図７】従来のエッジ位置検出方法を説明するための図
である。
である。
１ テンプレート切出し領域 ３ テンプレート ５ 探索エリア １１ 内側ボックス １１Ａ，１１Ｂ 内側ボックスのエッジによるヒゲ １３ 外側ボックス １３Ａ，１３Ｂ 外側ボックスのエッジによるヒゲ １５ ラインデータ １５ｋ 輝度分布データ Ｍ アライメントマーク
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027 21/66 Ｊ 7630−4Ｍ Ｐ 7630−4Ｍ
Claims (2)
- 【請求項１】 光学的検出手段を用いて得られる検査対
象の観察画像が略線対称であるときに、当該観察画像の
位置を検出する際に、当該観察画像の線対称の一方の側
に特定される第１の所定領域を設定し、この設定された
第１の所定領域を基準にして、他方の側に特定される第
２の所定領域を検出し、これら第１の所定領域と第２の
所定領域との中心位置から当該観察画像の位置を検出す
ることを特徴とする位置検出方法。 - 【請求項２】 光学的検出手段を用いて得られる検査対
象の観察画像が略線対称であるときに、当該観察画像の
位置を検出する位置検出装置であって、 当該観察画像の線対称の一方の側に特定される第１の所
定領域の画像を反転して当該第１の所定領域に係る基準
画像を設定する第１の設定手段と、 この第１の設定手段で設定された基準画像を基にして、
他方の側に特定される第２の所定領域を設定する第２の
設定手段と、 これら第１の所定領域の位置と第２の所定領域の位置と
の中心位置から当該観察画像の位置を検出する検出手段
とを有することを特徴とする位置検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5049579A JPH06258045A (ja) | 1993-03-10 | 1993-03-10 | 位置検出方法及び位置検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5049579A JPH06258045A (ja) | 1993-03-10 | 1993-03-10 | 位置検出方法及び位置検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06258045A true JPH06258045A (ja) | 1994-09-16 |
Family
ID=12835134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5049579A Pending JPH06258045A (ja) | 1993-03-10 | 1993-03-10 | 位置検出方法及び位置検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06258045A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6563594B2 (en) | 2000-03-27 | 2003-05-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mark position detecting system and method for detecting mark position |
| JP2004356553A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Nikon Corp | 重ね合わせ検査方法及び重ね合わせ検査装置 |
| JP2006190078A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Nikon Corp | パターンマッチング装置 |
| JP2010529683A (ja) * | 2007-06-07 | 2010-08-26 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | 設計データ領域での検査データの位置を決める方法と装置 |
| CN113296375A (zh) * | 2021-06-07 | 2021-08-24 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板拼接曝光套刻精度检测方法、装置和显示面板 |
-
1993
- 1993-03-10 JP JP5049579A patent/JPH06258045A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6563594B2 (en) | 2000-03-27 | 2003-05-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mark position detecting system and method for detecting mark position |
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| JP4599810B2 (ja) * | 2003-05-30 | 2010-12-15 | 株式会社ニコン | 重ね合わせ検査方法 |
| JP2006190078A (ja) * | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Nikon Corp | パターンマッチング装置 |
| JP4582309B2 (ja) * | 2005-01-06 | 2010-11-17 | 株式会社ニコン | パターンマッチング装置 |
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| CN113296375A (zh) * | 2021-06-07 | 2021-08-24 | 合肥维信诺科技有限公司 | 显示面板拼接曝光套刻精度检测方法、装置和显示面板 |
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