JPH06254692A - レーザマーキング用マスク - Google Patents
レーザマーキング用マスクInfo
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- JPH06254692A JPH06254692A JP5070798A JP7079893A JPH06254692A JP H06254692 A JPH06254692 A JP H06254692A JP 5070798 A JP5070798 A JP 5070798A JP 7079893 A JP7079893 A JP 7079893A JP H06254692 A JPH06254692 A JP H06254692A
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- mask
- pattern
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- laser light
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
- B25J9/00—Programme-controlled manipulators
- B25J9/02—Programme-controlled manipulators characterised by movement of the arms, e.g. cartesian coordinate type
- B25J9/04—Programme-controlled manipulators characterised by movement of the arms, e.g. cartesian coordinate type by rotating at least one arm, excluding the head movement itself, e.g. cylindrical coordinate type or polar coordinate type
- B25J9/046—Revolute coordinate type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Robotics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐熱性があり、付着した汚れを容易に拭き取
ることができ、なおかつ、被マーキング物に正確なマー
クをマーキングすることのできるレーザマーキング用マ
スクを提供することにある。 【構成】 マスクＭに照射されたレーザ光は、基板１の
一方の面に形成された誘電体多層膜２によって遮光され
る。一方、そのマスクＭにおいて、誘電体多層膜２が形
成されていない部分、即ち、パターンａの部分は照射さ
れたレーザ光を透過する。そして、その透過したレーザ
光によって、被マーキング物にそのパターンａに対応し
たマークをマーキングする。さらに、レーザ光の入射
面、出射面に反射防止膜３がコートされているので、効
率良く、レーザ光を利用できる。
ることができ、なおかつ、被マーキング物に正確なマー
クをマーキングすることのできるレーザマーキング用マ
スクを提供することにある。 【構成】 マスクＭに照射されたレーザ光は、基板１の
一方の面に形成された誘電体多層膜２によって遮光され
る。一方、そのマスクＭにおいて、誘電体多層膜２が形
成されていない部分、即ち、パターンａの部分は照射さ
れたレーザ光を透過する。そして、その透過したレーザ
光によって、被マーキング物にそのパターンａに対応し
たマークをマーキングする。さらに、レーザ光の入射
面、出射面に反射防止膜３がコートされているので、効
率良く、レーザ光を利用できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、レーザ光を用いたレ
ーザマーキング装置において、ＩＣや半導体の電子部
品、さらには、ビン等に製造番号や商標等の文字、図形
等をマーキングするレーザマーキング用マスクに関する
ものである。
ーザマーキング装置において、ＩＣや半導体の電子部
品、さらには、ビン等に製造番号や商標等の文字、図形
等をマーキングするレーザマーキング用マスクに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、レーザ光を用いたマーキングは、
従来のインキによる捺印や機械による印刻などの方法に
代わって盛んに注目されている。その理由は、マーキン
グミスが少なく、処理が高速で行える上、運転コストが
安いためである。そして、このマーキングを行うレーザ
マーキング装置には、被マーキング物である電子部品や
ビン等に文字や図形等（以下、マークと呼ぶ）をマーキ
ングするために、その所定のマークに対応したパターン
を有するマスクが用いられている。以下、従来のマスク
について説明する。
従来のインキによる捺印や機械による印刻などの方法に
代わって盛んに注目されている。その理由は、マーキン
グミスが少なく、処理が高速で行える上、運転コストが
安いためである。そして、このマーキングを行うレーザ
マーキング装置には、被マーキング物である電子部品や
ビン等に文字や図形等（以下、マークと呼ぶ）をマーキ
ングするために、その所定のマークに対応したパターン
を有するマスクが用いられている。以下、従来のマスク
について説明する。
【０００３】図６は、金属板を用いたマスクの正面図を
示す。被マーキング物に所定のマーク、例えば「Ａ」と
いうマークをマーキングするために、金属板４をパター
ンｂのように写真蝕刻や打ち抜きでマスクを作成する。
図中４１は、パターンｂによる金属板４の抜け落ち部分
を防ぐためのブリッジを示す。
示す。被マーキング物に所定のマーク、例えば「Ａ」と
いうマークをマーキングするために、金属板４をパター
ンｂのように写真蝕刻や打ち抜きでマスクを作成する。
図中４１は、パターンｂによる金属板４の抜け落ち部分
を防ぐためのブリッジを示す。
【０００４】図７は、基板の一部をサンドブラスト処理
したマスクの斜視図を示す。レーザ光を透過する石英ガ
ラスよりなる基板１の両面に、例えば、Ａｌ2 Ｏ3，Ｔ
ａ2 Ｏ5 ，ＭｇＦ2 よりなる反射防止膜３をコートす
る。そして、反射防止膜３がコートされた基板１の一方
の面を被マーキング物に所定のマーク、例えば「Ａ」と
いうマークをマーキングするために、そのマーク「Ａ」
に対応したパターンｃになるように、パターンｃ以外の
部分をサンドブラスト処理する。その結果、パターンｃ
以外の基板１表面のサンドブラスト処理部１１において
は、レーザ光は乱反射され被マーキング物には照射され
ない。一方、パターンｃの部分は、サンドブラスト処理
されていないため、レーザ光を透過して、被マーキング
物に所定のマーク「Ａ」をマーキングすることができ
る。
したマスクの斜視図を示す。レーザ光を透過する石英ガ
ラスよりなる基板１の両面に、例えば、Ａｌ2 Ｏ3，Ｔ
ａ2 Ｏ5 ，ＭｇＦ2 よりなる反射防止膜３をコートす
る。そして、反射防止膜３がコートされた基板１の一方
の面を被マーキング物に所定のマーク、例えば「Ａ」と
いうマークをマーキングするために、そのマーク「Ａ」
に対応したパターンｃになるように、パターンｃ以外の
部分をサンドブラスト処理する。その結果、パターンｃ
以外の基板１表面のサンドブラスト処理部１１において
は、レーザ光は乱反射され被マーキング物には照射され
ない。一方、パターンｃの部分は、サンドブラスト処理
されていないため、レーザ光を透過して、被マーキング
物に所定のマーク「Ａ」をマーキングすることができ
る。
【０００５】図８は、金属薄膜を用いたマスクの斜視
図、図９は図８中のＹ−Ｙ断面図をそれぞれ示す。レー
ザ光を透過する石英ガラスよりなる基板１の両面に、例
えば、Ａｌ2 Ｏ3，Ｔａ2 Ｏ5 ，ＭｇＦ2 よりなる反射
防止膜３をコートし、更に、反射防止膜３がコートされ
た基板１の一方の面に金属例えばＡｌを蒸着して金属薄
膜５を形成する。そして、被マーキング物に所定のマー
ク、例えば「Ａ」というマークをマーキングするため
に、金属薄膜５をそのマーク「Ａ」に対応したパターン
ｄになるようにエッチングで取り除く。その結果、パタ
ーンｄ以外のマスク部分には、金属薄膜５が形成されて
いるため、レーザ光はその金属薄膜５によって吸収又は
反射され、被マーキング物には照射されない。一方、パ
ターンｄの部分は蒸着された金属薄膜５が、エッチング
で取り除かれているため、レーザ光を透過して、被マー
キング物に所定のマーク「Ａ」をマーキングすることが
できる。このように、金属薄膜を用いたマスクは、Elec
tronic Packaging Technology'86 Voi.2 の８６頁に示
されている。
図、図９は図８中のＹ−Ｙ断面図をそれぞれ示す。レー
ザ光を透過する石英ガラスよりなる基板１の両面に、例
えば、Ａｌ2 Ｏ3，Ｔａ2 Ｏ5 ，ＭｇＦ2 よりなる反射
防止膜３をコートし、更に、反射防止膜３がコートされ
た基板１の一方の面に金属例えばＡｌを蒸着して金属薄
膜５を形成する。そして、被マーキング物に所定のマー
ク、例えば「Ａ」というマークをマーキングするため
に、金属薄膜５をそのマーク「Ａ」に対応したパターン
ｄになるようにエッチングで取り除く。その結果、パタ
ーンｄ以外のマスク部分には、金属薄膜５が形成されて
いるため、レーザ光はその金属薄膜５によって吸収又は
反射され、被マーキング物には照射されない。一方、パ
ターンｄの部分は蒸着された金属薄膜５が、エッチング
で取り除かれているため、レーザ光を透過して、被マー
キング物に所定のマーク「Ａ」をマーキングすることが
できる。このように、金属薄膜を用いたマスクは、Elec
tronic Packaging Technology'86 Voi.2 の８６頁に示
されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようなマスクを用いた場合、以下のような問題点を有し
ている。 金属板を用いたマスクの場合。図６を用いて説明す
る。金属板４にマーク「Ａ」に対応するパターンｂを形
成するには、金属板４を写真蝕刻や打ち抜きで形成しな
ければならない。このパターンｂは打ち抜き式のため
に、金属板４の抜け部分を防ぐためのブリッジ４１が必
要となる。その結果、被マーキング物にマークキングさ
れるマーク「Ａ」は必ずしも正確なマーク「Ａ」ではな
く、ブリッジ４１の部分が欠除されたマークとなる。こ
のため、そのマーク「Ａ」には欠除された部分が存在
し、見た目にも目障りであり、マークを誤認する可能性
があった。
ようなマスクを用いた場合、以下のような問題点を有し
ている。 金属板を用いたマスクの場合。図６を用いて説明す
る。金属板４にマーク「Ａ」に対応するパターンｂを形
成するには、金属板４を写真蝕刻や打ち抜きで形成しな
ければならない。このパターンｂは打ち抜き式のため
に、金属板４の抜け部分を防ぐためのブリッジ４１が必
要となる。その結果、被マーキング物にマークキングさ
れるマーク「Ａ」は必ずしも正確なマーク「Ａ」ではな
く、ブリッジ４１の部分が欠除されたマークとなる。こ
のため、そのマーク「Ａ」には欠除された部分が存在
し、見た目にも目障りであり、マークを誤認する可能性
があった。
【０００７】 基板の一部をサンドブラスト処理した
マスクの場合。図７を用いて説明する。基板１表面のパ
ターンｃ以外のサンドブラスト処理部１１は、入射した
レーザ光を完全に乱反射させて、被マーキング物にその
レーザ光が照射されるのを防ぐことはできない。その理
由として、サンドブラスト処理部１１に入射したレーザ
光は散乱光となり、その散乱光の一部が基板１を透過し
て、被マーキング物に照射されてしまう。その結果、被
マーキング物にマーキングされるマーク「Ａ」は、鮮明
ではなく、ややぼやけたマークになり、マークを誤認す
る可能性があった。
マスクの場合。図７を用いて説明する。基板１表面のパ
ターンｃ以外のサンドブラスト処理部１１は、入射した
レーザ光を完全に乱反射させて、被マーキング物にその
レーザ光が照射されるのを防ぐことはできない。その理
由として、サンドブラスト処理部１１に入射したレーザ
光は散乱光となり、その散乱光の一部が基板１を透過し
て、被マーキング物に照射されてしまう。その結果、被
マーキング物にマーキングされるマーク「Ａ」は、鮮明
ではなく、ややぼやけたマークになり、マークを誤認す
る可能性があった。
【０００８】 金属薄膜を用いたマスクの場合。図８
を用いて説明する。金属薄膜５はレーザ光を吸収し温度
が上昇する。その結果、薄膜を形成している金属が蒸発
し、遮光しなければならない部分の金属薄膜５がなくな
る。このような場合、パターンｄ以外の部分にできた金
属薄膜５がなくなった部分からレーザ光が透過し、被マ
ーキング物に照射されてしまう。さらには、金属薄膜５
と反射防止膜３との付着力は弱く、金属薄膜５の温度上
昇とともに、金属薄膜５が反射防止膜３から剥がれてし
まう。そして、金属薄膜５は柔らかく傷つきやすい材質
のため、汚れた場合その汚れを拭き取ることができなか
った。
を用いて説明する。金属薄膜５はレーザ光を吸収し温度
が上昇する。その結果、薄膜を形成している金属が蒸発
し、遮光しなければならない部分の金属薄膜５がなくな
る。このような場合、パターンｄ以外の部分にできた金
属薄膜５がなくなった部分からレーザ光が透過し、被マ
ーキング物に照射されてしまう。さらには、金属薄膜５
と反射防止膜３との付着力は弱く、金属薄膜５の温度上
昇とともに、金属薄膜５が反射防止膜３から剥がれてし
まう。そして、金属薄膜５は柔らかく傷つきやすい材質
のため、汚れた場合その汚れを拭き取ることができなか
った。
【０００９】この発明はかかる従来の課題を解決するた
めになされたもので、その第１の目的は、被マーキング
物に正確なマークをマーキングするためのレーザマーキ
ング用マスクを提供することにある。さらに、第２の目
的は、レーザ光の照射による温度上昇にも耐えられ、な
おかつ、汚れた場合はその汚れを拭き取ることができる
レーザマーキング用マスクを提供することにある。
めになされたもので、その第１の目的は、被マーキング
物に正確なマークをマーキングするためのレーザマーキ
ング用マスクを提供することにある。さらに、第２の目
的は、レーザ光の照射による温度上昇にも耐えられ、な
おかつ、汚れた場合はその汚れを拭き取ることができる
レーザマーキング用マスクを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決する手段】この発明のレーザマーキング用
マスクは、レーザ光を透過する基板と、該基板の一方の
面に被マーキング物にマークされるパターン以外の部分
に形成された前記レーザ光を透過しない誘電体多層膜
と、前記基板のパターン部分及び該誘電体多層膜が形成
されていない前記基板の他方の表面に前記レーザ光の反
射を防止するために形成された反射防止膜とよりること
を特徴とする。
マスクは、レーザ光を透過する基板と、該基板の一方の
面に被マーキング物にマークされるパターン以外の部分
に形成された前記レーザ光を透過しない誘電体多層膜
と、前記基板のパターン部分及び該誘電体多層膜が形成
されていない前記基板の他方の表面に前記レーザ光の反
射を防止するために形成された反射防止膜とよりること
を特徴とする。
【００１１】
【作用】マーキングに用いるレーザ光がこのような手段
からなるマスクに照射されると、誘電体多層膜が形成さ
れているマスクの領域において、その誘電体多層膜は、
照射されたレーザ光を透過しない設計であるため、レー
ザ光を遮光することができる。一方、誘電体多層膜が形
成されていないマスクの領域、すなわち、被マーキング
物にマーキングされるマークに対応するパターン部分
は、そのレーザ光が直接基板に入射し、かつ、その基板
はそのレーザ光を透過する。従って、パターン部分の基
板を透過したレーザ光によって、被マーキング物に所定
のマークをマーキングすることができる。さらに、誘電
体多層膜は基板との高い付着力，耐熱性のため寿命は半
永久的なものであり、半永久的に正確なマークを被マー
キング物にマーキングすることができる。そのうえ、汚
れた場合その汚れを拭き取ることも可能である。また、
反射防止膜がレーザ光が入射する方向に形成されたパタ
ーン部分の基板の面及びそのレーザ光が出射する方向の
基板の面にコートされているので、その基板の各々の面
でレーザ光の反射を防止し、有効にレーザ光を利用でき
る。
からなるマスクに照射されると、誘電体多層膜が形成さ
れているマスクの領域において、その誘電体多層膜は、
照射されたレーザ光を透過しない設計であるため、レー
ザ光を遮光することができる。一方、誘電体多層膜が形
成されていないマスクの領域、すなわち、被マーキング
物にマーキングされるマークに対応するパターン部分
は、そのレーザ光が直接基板に入射し、かつ、その基板
はそのレーザ光を透過する。従って、パターン部分の基
板を透過したレーザ光によって、被マーキング物に所定
のマークをマーキングすることができる。さらに、誘電
体多層膜は基板との高い付着力，耐熱性のため寿命は半
永久的なものであり、半永久的に正確なマークを被マー
キング物にマーキングすることができる。そのうえ、汚
れた場合その汚れを拭き取ることも可能である。また、
反射防止膜がレーザ光が入射する方向に形成されたパタ
ーン部分の基板の面及びそのレーザ光が出射する方向の
基板の面にコートされているので、その基板の各々の面
でレーザ光の反射を防止し、有効にレーザ光を利用でき
る。
【００１２】
【実施例】図１は、この発明のー実施例であるレーザマ
ーキング用マスクの斜視図を示す。図２は、図１中のＸ
−Ｘ断面図を示す。なお、この実施例のレーザマーキン
グに用いられるレーザ光は、発振波長が１０６４ｎｍの
ＹＡＧレーザ光を用いて説明する。レーザ光を透過する
石英ガラスよりなる基板１の一方の表面に、真空蒸着法
でＴａ2 Ｏ5 及びＳｉＯ2 の交互２４層の誘電体多層膜
２を成膜する。なお、各層の光学膜厚は２６５ｎｍであ
る。次に、誘電体多層膜２が成膜された基板１の両面に
ネガ型フォトレジストを塗布する。そして、被マーキン
グ物にマーキングされる所定のマークに対応するパータ
ンが形成されたフォトマスクを用いて、誘電体多層膜２
の表面に塗布されたネガ型フォトレジストを露光する。
ーキング用マスクの斜視図を示す。図２は、図１中のＸ
−Ｘ断面図を示す。なお、この実施例のレーザマーキン
グに用いられるレーザ光は、発振波長が１０６４ｎｍの
ＹＡＧレーザ光を用いて説明する。レーザ光を透過する
石英ガラスよりなる基板１の一方の表面に、真空蒸着法
でＴａ2 Ｏ5 及びＳｉＯ2 の交互２４層の誘電体多層膜
２を成膜する。なお、各層の光学膜厚は２６５ｎｍであ
る。次に、誘電体多層膜２が成膜された基板１の両面に
ネガ型フォトレジストを塗布する。そして、被マーキン
グ物にマーキングされる所定のマークに対応するパータ
ンが形成されたフォトマスクを用いて、誘電体多層膜２
の表面に塗布されたネガ型フォトレジストを露光する。
【００１３】露光が終了すると、その表面に誘電体多層
膜２とネガ型フォトレジストが塗布されているこの基板
１を現像する。この現像によって、フォトマスクのため
に光の当たらなかったレジスト部分は溶けて無くなって
しまう。さらに、この基板１をエッチング液（ＨＦ＋Ｈ
2 Ｏ）に数分つけて、誘電体多層膜２をエッチングす
る。すなわち、誘電体多層膜２がエッチングされて無く
なった部分ａが、被マーキング物にマーキングされるマ
ーク「Ａ」に対応したパターンとなる。なお、この実施
例はネガ型フォトレジストを用いているが、ポジ型フォ
トレジストを用いても目的とするマーク「Ａ」に対応し
たパターンａが得られるため、ポジ型フォトレジストを
用いてもよい。
膜２とネガ型フォトレジストが塗布されているこの基板
１を現像する。この現像によって、フォトマスクのため
に光の当たらなかったレジスト部分は溶けて無くなって
しまう。さらに、この基板１をエッチング液（ＨＦ＋Ｈ
2 Ｏ）に数分つけて、誘電体多層膜２をエッチングす
る。すなわち、誘電体多層膜２がエッチングされて無く
なった部分ａが、被マーキング物にマーキングされるマ
ーク「Ａ」に対応したパターンとなる。なお、この実施
例はネガ型フォトレジストを用いているが、ポジ型フォ
トレジストを用いても目的とするマーク「Ａ」に対応し
たパターンａが得られるため、ポジ型フォトレジストを
用いてもよい。
【００１４】そして、誘電体多層膜２がエッチングされ
パターンａが形成された基板１の両面に残っているフォ
トレジストを完全に除去する。その後、誘電体多層膜２
がエッチングされ基板１が露出された部分（パターンａ
部分）及び誘電体多層膜が形成されていない基板１の他
方の表面に反射防止膜３をコートする。この反射防止膜
３は、Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，ＭｇＦ2 よりなる。な
お、反射防止膜３は、誘電体多層膜２の表面と誘電体多
層膜２がエッチングされ基板１が露出された部分（パタ
ーンａ部分）及び誘電体多層膜が形成されていない基板
１の他方の表面にコートしても良い。このようにして製
造されたマスクがマスクＭである。
パターンａが形成された基板１の両面に残っているフォ
トレジストを完全に除去する。その後、誘電体多層膜２
がエッチングされ基板１が露出された部分（パターンａ
部分）及び誘電体多層膜が形成されていない基板１の他
方の表面に反射防止膜３をコートする。この反射防止膜
３は、Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，ＭｇＦ2 よりなる。な
お、反射防止膜３は、誘電体多層膜２の表面と誘電体多
層膜２がエッチングされ基板１が露出された部分（パタ
ーンａ部分）及び誘電体多層膜が形成されていない基板
１の他方の表面にコートしても良い。このようにして製
造されたマスクがマスクＭである。
【００１５】次に、このマスクＭにおいて、誘電体多層
膜２が存在する領域、すなわち、パターンａ以外の領域
の光学特性について説明する。図４は、横軸に波長（ｎ
ｍ）、縦軸にそれぞれの波長の光をこのパターンａ以外
の領域に照射したときの透過率（％）をそれぞれ示す。
図４に示すように、１０６４ｎｍの光の場合、透過率は
０％であり、このパターンａ以外の領域は被マーキング
物に照射されるレーザ光を完全に遮光することが分か
る。続いて、このマスクＭにおいて、誘電体多層膜２が
エッチングされ基板１が露出した部分に反射防止膜３が
コートされている領域、すなわち、パターンａの領域の
光学特性について説明する。図５は、横軸に波長（ｎ
ｍ）、縦軸にそれぞれの波長の光をこのパターンａの領
域に照射したときの反射率（％）をそれぞれ示す。図５
に示すように、１０６４ｎｍの光の場合、反射率は０．
７％と極め低いことが分かる。すなわち、１０６４ｎｍ
の光は極めてよく透過することが分かる。
膜２が存在する領域、すなわち、パターンａ以外の領域
の光学特性について説明する。図４は、横軸に波長（ｎ
ｍ）、縦軸にそれぞれの波長の光をこのパターンａ以外
の領域に照射したときの透過率（％）をそれぞれ示す。
図４に示すように、１０６４ｎｍの光の場合、透過率は
０％であり、このパターンａ以外の領域は被マーキング
物に照射されるレーザ光を完全に遮光することが分か
る。続いて、このマスクＭにおいて、誘電体多層膜２が
エッチングされ基板１が露出した部分に反射防止膜３が
コートされている領域、すなわち、パターンａの領域の
光学特性について説明する。図５は、横軸に波長（ｎ
ｍ）、縦軸にそれぞれの波長の光をこのパターンａの領
域に照射したときの反射率（％）をそれぞれ示す。図５
に示すように、１０６４ｎｍの光の場合、反射率は０．
７％と極め低いことが分かる。すなわち、１０６４ｎｍ
の光は極めてよく透過することが分かる。
【００１６】従って、マスクＭに１０６４ｎｍのレーザ
光を照射すると、パターンａ以外の領域は、誘電体多層
膜２が形成されているので、そのレーザ光を完全に遮光
することができる。一方、パターンａの領域は、誘電体
多層膜が形成されていないため、レーザ光を極めて良く
透過する。その結果、パターンａを透過したレーザ光
は、被マーキング物にそのパターンａが照射され、その
パターンａに対応したマーク「Ａ」をマーキングするこ
とができる。さらに、誘電体多層膜２がエッチングされ
基板１が露出された部分（パターンａ部分）と誘電体多
層膜２が形成されていない基板１の他方の表面に反射防
止膜３がコートされているため、その基板１に入射した
レーザ光、或いは、基板１から出射されるレーザ光の反
射を防止することになるので、効率良くレーザ光を利用
できる。なお、このマスクＭを用いて被マーキング物に
所定のマークをマークキングする時、このマスクＭをレ
ーザ光軸と垂直な方向から０．１ラジアン程度傾けて使
用する。その結果、マスクＭに照射されて反射するレー
ザ光が、再び、不図示のレーザ光発振装置へもどること
を防ぐことができる。
光を照射すると、パターンａ以外の領域は、誘電体多層
膜２が形成されているので、そのレーザ光を完全に遮光
することができる。一方、パターンａの領域は、誘電体
多層膜が形成されていないため、レーザ光を極めて良く
透過する。その結果、パターンａを透過したレーザ光
は、被マーキング物にそのパターンａが照射され、その
パターンａに対応したマーク「Ａ」をマーキングするこ
とができる。さらに、誘電体多層膜２がエッチングされ
基板１が露出された部分（パターンａ部分）と誘電体多
層膜２が形成されていない基板１の他方の表面に反射防
止膜３がコートされているため、その基板１に入射した
レーザ光、或いは、基板１から出射されるレーザ光の反
射を防止することになるので、効率良くレーザ光を利用
できる。なお、このマスクＭを用いて被マーキング物に
所定のマークをマークキングする時、このマスクＭをレ
ーザ光軸と垂直な方向から０．１ラジアン程度傾けて使
用する。その結果、マスクＭに照射されて反射するレー
ザ光が、再び、不図示のレーザ光発振装置へもどること
を防ぐことができる。
【００１７】他の実施例として、図３に示されているマ
スクＭ1 の断面図は、その基板１が０．１ラジアンの傾
きをもつように設計されたマスクである。なお、図２と
同一符号は同一部分を示す。この実施例のマスクＭ
1 は、基板１が０．１ラジアンの傾きをもつように設計
されているため、マスクＭ1 に照射されて反射する極わ
ずかのレーザ光が、再び、不図示のレーザ光発振装置へ
もどることを防ぐことができる。
スクＭ1 の断面図は、その基板１が０．１ラジアンの傾
きをもつように設計されたマスクである。なお、図２と
同一符号は同一部分を示す。この実施例のマスクＭ
1 は、基板１が０．１ラジアンの傾きをもつように設計
されているため、マスクＭ1 に照射されて反射する極わ
ずかのレーザ光が、再び、不図示のレーザ光発振装置へ
もどることを防ぐことができる。
【００１８】以上の実施例において用いたレーザ光は発
振波長が１０６４ｎｍのＹＡＧレーザ光であるが、炭酸
ガスレーザ光やその他のレーザ光を用いてもよい。その
場合は、誘電体多層膜を炭酸ガスレーザ光やその他のレ
ーザ光を透過しない設計にすれば良い。
振波長が１０６４ｎｍのＹＡＧレーザ光であるが、炭酸
ガスレーザ光やその他のレーザ光を用いてもよい。その
場合は、誘電体多層膜を炭酸ガスレーザ光やその他のレ
ーザ光を透過しない設計にすれば良い。
【００１９】
【発明の効果】この発明によれば、レーザマーキングに
用いるレーザ光を透過しない誘電体多層膜を被マーキン
グ物にマーキングされるマークに対応するパターン以外
の部分に形成されたマスクであるため、マスクに形成さ
れたパターンが被マーキング物に正確に所定のマークと
してマーキングされる。さらには、誘電体多層膜は耐熱
性に優れているため、半永久的にこのマスクを使用する
こができる。また、ゴミや油脂等がマスクに付着した場
合、簡単に拭き取ることができる。
用いるレーザ光を透過しない誘電体多層膜を被マーキン
グ物にマーキングされるマークに対応するパターン以外
の部分に形成されたマスクであるため、マスクに形成さ
れたパターンが被マーキング物に正確に所定のマークと
してマーキングされる。さらには、誘電体多層膜は耐熱
性に優れているため、半永久的にこのマスクを使用する
こができる。また、ゴミや油脂等がマスクに付着した場
合、簡単に拭き取ることができる。
【図１】図１は、この発明におけるレーザマーキング用
マスクの実施例を示す。
マスクの実施例を示す。
【図２】図２は、図１におけるＸ−Ｘ断面図を示す。
【図３】図３は、この発明における他の実施例のレーザ
マーキング用マスクの断面図を示す。
マーキング用マスクの断面図を示す。
【図４】図４は、パターン領域以外の部分における、波
長とその波長に対する透過率のグラフを示す。
長とその波長に対する透過率のグラフを示す。
【図５】図５は、パターン部分における、波長とその波
長に対する反射率のグラフを示す。
長に対する反射率のグラフを示す。
【図６】図６は、金属板を用いた従来のレーザマーキン
グ用マスクを示す。
グ用マスクを示す。
【図７】図７は、基板の一部をサンドブラスト処理した
従来のレーザマーキング用マスクを示す。
従来のレーザマーキング用マスクを示す。
【図８】図８は、金属薄膜を用いた従来のレーザマーキ
ング用マスクを示す。
ング用マスクを示す。
【図９】図９は、図８におけるＹ−Ｙ断面図を示す。
１ 基板 １１ サンドブラスト処理部 ２ 誘電体多層膜 ３ 反射防止膜 ４ 金属板 ４１ ブリッジ ５ 金属薄膜 ａ パターン ｂ パターン ｃ パターン ｄ パターン Ｍ マスク Ｍ1 マスク
Claims (1)
- 【請求項１】 レーザ光を透過する基板と、 該基板の一方の面に被マーキング物にマークされるパタ
ーン以外の部分に形成された前記レーザ光を透過しない
誘電体多層膜と、 前記基板のパターン部分及び該誘電体多層膜が形成され
ていない前記基板の他方の表面に前記レーザ光の反射を
防止するために形成された反射防止膜とよりなるレーザ
マーキング用マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5070798A JPH06254692A (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | レーザマーキング用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5070798A JPH06254692A (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | レーザマーキング用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06254692A true JPH06254692A (ja) | 1994-09-13 |
Family
ID=13441929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5070798A Pending JPH06254692A (ja) | 1993-03-08 | 1993-03-08 | レーザマーキング用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06254692A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103442839A (zh) * | 2011-03-30 | 2013-12-11 | 日本碍子株式会社 | 对金属构件的标记方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0555749A (ja) * | 1991-08-22 | 1993-03-05 | Fujitsu Ltd | 多層配線回路基板の製造方法及び誘電体ミラーマスクの製造方法 |
-
1993
- 1993-03-08 JP JP5070798A patent/JPH06254692A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0555749A (ja) * | 1991-08-22 | 1993-03-05 | Fujitsu Ltd | 多層配線回路基板の製造方法及び誘電体ミラーマスクの製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103442839A (zh) * | 2011-03-30 | 2013-12-11 | 日本碍子株式会社 | 对金属构件的标记方法 |
| US9346124B2 (en) | 2011-03-30 | 2016-05-24 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for marking on metallic member |
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