JPH06252262A - 紫外線照射装置 - Google Patents

紫外線照射装置

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JPH06252262A
JPH06252262A JP3871193A JP3871193A JPH06252262A JP H06252262 A JPH06252262 A JP H06252262A JP 3871193 A JP3871193 A JP 3871193A JP 3871193 A JP3871193 A JP 3871193A JP H06252262 A JPH06252262 A JP H06252262A
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JP
Japan
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light
ultraviolet
adhesive sheet
wafer
plate
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JP3871193A
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English (en)
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Isao Nose
勲 野瀬
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Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 粘着シ−ト4上の貼付ウェ−ハ1の外周部の
不良ペレット3cの剥離、飛散を防止する。 【構成】 粘着シ−ト4の下面近傍に遮光板15を配置
して、ペレットの外形不良領域13へ照射される紫外線
発生光源7よりの紫外光を遮光するようにする。良領域
13へ照射される紫外線発生光源7よりの紫外光を遮光
するようにする。この遮光板15を可動可能に対向した
対の板状遮光体18、22で構成して、遮光領域を可変
できるように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は半導体ウェ−ハ支持用
粘着シ−トの粘着材を硬化させる紫外線照射装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の製造に使用する半導体ウェ
−ハ(以下単にウェ−ハと称する)1は、図8に示すよ
うに、半導体基板2上に拡散やエッチング手法を駆使し
て、多数の半導体素子(以下ペレットと称する)3を縦
横に形成したものであり、拡散処理やエッチング処理が
バッチ式にでき量産性に優れ、半導体装置が多量、安価
に製造出来る特徴を有している。
【0003】かかる多数のペレット3が形成されたウェ
−ハ1は、図示すように、展延性良好なシ−ト基材(例
えばポリ塩化ビニ−ルシ−ト)に紫外線硬化形粘着材を
塗布した粘着シ−ト4上にその裏面側を貼付し、表面側
から各ペレット間の格子状パタ−ンで形成されたスクラ
イブ線5a,5bに沿ってダイシングソ−などにより切
削し、分割して、個々のペレット3に分離できるように
なっている。
【0004】このように分割したペレット3が粘着され
た粘着シ−ト4は、図9に示すように、リング状の枠体
6に取付けられ、後述のペレット取出し装置に送られ
る。なお、この場合、粘着シ−ト4はペレット3の取出
し操作が容易に行えるように、リング状の枠体6に取付
けるとき、図示しないシ−ト伸張器で引伸ばされ、各ペ
レット3、3間が充分離間して配置してある。
【0005】そして、枠体6に取付けられた粘着シ−ト
4は、各ペレット3、3の取出しに先立ち、図10に示
すように、粘着シ−ト4の下方側に紫外線発生光源7を
配置した紫外線照射装置8にかけられ、粘着シ−ト4上
の粘着材を硬化させて粘着力を低下させ、各ペレット
3、3の粘着シ−ト4からの剥離を容易にしている。こ
の装置8は粘着シ−ト4のウェ−ハ1の下面全域に、紫
外線発生光源7からの紫外線を照射する。したがって、
粘着シ−ト4全域の粘着材が硬化され、全ペレット3の
取出し操作が容易になる。
【0006】次に、上記の如く紫外線が照射され、粘着
力が低下した粘着シ−ト4は、図11に示すように、下
方に配置された上下動可能な突上ピン9と、上方に配置
された所定部間往復動可能な吸着ノズル10とからなる
ペレット取出し装置11に送られる。そして、突上ピン
9で粘着シ−ト4上の所望のペレット3を突上げ、これ
を吸着ノズル10で吸引して粘着シ−ト4から剥離し、
図示しないマウント工程に送られる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記マウン
ト工程では、半導体ウェ−ハ1上に形成された多数個の
ペレット3の内、特性検査で選別された良品のペレット
3aだけがマウントに供されるようになっている。この
ため、通常、ウェ−ハ1上には、図12に示すように、
前工程の特性検査で、不良のペレット3b上に識別マ−
ク12を付し、マウント工程ではこれを光センサなどで
認識して良品ペレット3aだけを取出し、不良のペレッ
ト3bは取出さないようにしている。しかしながら、現
実には光センサなどの誤認識により、ウェ−ハ1外周部
の半欠け状の不良ペレット3cがマウント工程に取出さ
れることがあった。
【0008】また、ウェ−ハ1の外周部のペレット3は
外形パタ−ンが欠けた半欠け状の不良ペレット3cが集
中したペレットの外形不良領域13(斜線図示した部
分)であり、マウント工程には供出できないものであ
る。したがって、これらの外形不良領域13上のペレッ
ト3cを特性検査をしたり、識別マ−ク12を付与する
ことは無駄であり、余分の工数であった。また、外形不
良領域13上のペレット3cは小形のものが多く、面積
が小さいために粘着シ−ト4との付着力が弱く、ペレッ
ト取出し作業中に飛散して半導体装置のショ−ト事故の
原因にもなっていた。
【0009】
【課題を解決するための手段】したがって、本発明は上
記に鑑みなされたものであり、紫外線硬化型粘着材が塗
布された粘着シ−ト上に多数の定型半導体ペレットが形
成された半導体ウェ−ハを貼付け、前記粘着シ−トの下
方に配置した紫外線発生光源から粘着シ−トに紫外線を
照射して粘着材を硬化させ、粘着シ−トの粘着力を低下
させて半導体ペレットを剥離し易くした紫外線照射装置
において、前記粘着シ−トの下面近傍に、半導体ウェ−
ハ外周部の不定型半導体ペレット領域に紫外光を遮光す
る遮光板を配置したものである。また、遮光板は粘着シ
−ト下面の前記半導体ウェ−ハ貼付位置の両側に可動可
能に対向して配置され、先端にコ字状の凹部が形成され
た一対の板状遮光体で構成し、これらの遮光体を貼付ウ
ェ−ハの中心位置に向けて移動して先端部を重合し、コ
字状の凹部間に囲まれた空間を紫外線の照射窓としたも
のである。また、遮光板は粘着シ−ト下面の前記半導体
ウェ−ハ貼付位置の前後、左右側に可動可能に対向して
配置され、それぞれ所定幅員に形成された二対の板状遮
光体で構成し、これらの遮光体を貼付ウェ−ハの中心位
置に向けて移動して先端部を重合し、先端面間に囲まれ
た空間を紫外線の照射窓としたものである。また、紫外
線照射装置の光源は線状光源であり、前記二対の板状遮
光体の内光源側に配置した板状遮光体の移動方向と直交
する方向に線状光源の配列方向を合わせて配置したもの
である。
【0010】
【作用】半欠け状不良ペレットが集中するウェ−ハ外周
部へ照射される紫外線は遮光板により遮光される。した
がって、この部分の粘着シ−トの粘着材は硬化されず、
シ−トの粘着力を残しているため、不良ペレットの剥れ
や、飛散がなくなる。また、ウェ−ハ外周部は粘着シ−
トで粘着されており、ペレット取出し装置が誤動作して
もマウント装置に取出されることがないから、ウェ−ハ
外周部の特性検査やマ−ク付与が不要になる。また、遮
光板を可動可能な一対の板状遮光体で構成したから、紫
外線の照射領域を可変することができ、種々のウェ−ハ
サイズやペレットサイズのものに対応できる。さらに、
紫外線照射装置の光源を、光源側に配置した板状遮光体
の移動方向と直交する方向に、光軸を合わせて配置した
から、遮光体背面空隙からの紫外線の回り込みが押さえ
られ、精度良く遮光できる。
【0011】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面と共に詳述す
る。図1は本発明の第1の実施例で、紫外線照射装置1
4の側面図である。この紫外線照射装置14に適用され
るウェ−ハ1は、従来の紫外線照射装置8と同様に、ペ
レット3、3間がダイシングソ−により切断、分割され
て、粘着材が被着された粘着シ−ト4上に貼付けられて
いる。また、粘着シ−ト4は、図示しないが、周囲を金
属製のリング状の枠体に取付けられるとともに、その下
方側に、粘着材を硬化して粘着力を低下させるための線
状紫外線発生光源7が配置されている。
【0012】この紫外線照射装置14において、従来の
紫外線照射装置8と相違する点は、粘着シ−ト4の下面
近傍に、光源7から照射される照射光のうち、ウェ−ハ
1周辺部の半欠け状の不良ペレット3cが集中するペレ
ットの外形不良領域13に照射される照射光をカットす
る、遮光板15を密着状に配置させた点である。
【0013】即ち、この遮光板15は鋼体の薄い金属板
からなり、中央部に、図2に示すように、ウェ−ハ1の
外形不良領域13を境界とした、光源7からの照射光を
通過するための窓16を設けている。そして、この遮光
板15は光源7の照射光が窓16のエッジ部から背面内
側に回り込まないように、粘着シ−ト4の下面に密接さ
せて配置してある。
【0014】上記の構成によれば、ウェ−ハ1周辺の外
形不良領域13の下面には紫外線が照射されず、粘着シ
−ト4はこの部分の粘着性が保持される。したがって、
半欠け状の不良ペレット3cは粘着シ−ト4上に保持さ
れ、剥がれたり、飛散したりすることがない。
【0015】図3は本発明の第2の実施例であり、上記
第1の実施例の紫外線照射装置14において、粘着シ−
ト4の下面近傍に配置させる遮光板15を、先端がコ字
状に形成された一対の可動可能な板状遮光体18(18
a,18b)で構成したものである。
【0016】即ち、この板状遮光体18(18a,18
b)は、図示するように、先端内側に、ウェ−ハ1の外
形不良領域13の上下部分の境界と略一致するコ字状凹
部19をそれぞれ形成したもので、これらの遮光体18
(18a,18b)をウェ−ハ1の貼付位置の両側に、
かつ貼付ウェ−ハ1の中心位置に向けて、図示しない支
持ガイド上に載置して、可動可能に対設している。
【0017】そして、両遮光体18(18a,18b)
を、図4に示すように、そのコ字状の先端部を重合させ
て貼付ウェ−ハの中心位置に向けて移動させ、コ字状凹
部19の後端部をウェ−ハ1の外形不良領域13の左右
部分の境界に一致させると、コ字状凹部19間に囲まれ
た空間に紫外線の照射窓20が形成される。
【0018】かかる構成によれば、両遮光体18(18
a,18b)をそれぞれ左右に移動することにより、ウ
ェ−ハ1の外形不良領域13の左右部分に対応させて遮
光位置を自由に設定することができる。したがって、ペ
レットサイズの縦方向の長さが同じで、横方向のみ長さ
が異なる種々のウェ−ハのペレット取出しに適用するこ
とができる。
【0019】図5は本発明の第3の実施例の紫外線照射
装置21であり、粘着シ−ト4の下面近傍に配置する遮
光板を、所定幅員を有する2対の板状遮光体22(22
a,22b,22c,22d)で構成したものである。
【0020】即ち、この板状遮光体22(22a,22
b,22c,22d)は、図示するように、ウェ−ハ1
周辺のペレットの外形不良領域13(図5の斜線図部
分)を充分覆う大きさで、ウェ−ハ1の直径と略等しい
幅員で、先端が平坦に形成されたものであり、これらを
粘着シ−ト4下面のウェ−ハ貼付位置の前後、左右側に
それぞれ対向して配置したものである。
【0021】そして、これら遮光体22(22a,22
b,22c,22d)は、図7に示すように、粘着シ−
ト4の取付け枠体6の内端上方に延設された支持ガイド
23上に配置され、それぞれ貼付ウェ−ハ1の中心位置
に向けて可動可能に配設している。したがって、これら
の遮光体22(22a,22b,22c,22d)を、
図6に示すように、その先端を、半導体ウェ−ハ1のペ
レットの外形不良領域13の左右、前後の境界部分まで
重合させて移動すると、各先端面間に囲まれた空間に紫
外線の照射窓24が形成される。
【0022】かかる構成によれば、遮光体22(22
a,22b,22c,22d)をそれぞれ前後、左右に
移動することにより、ウェ−ハ1の外形不良領域13の
左右、前後の境界部分に対応させてその遮光位置を自由
に設定させることができる。従って、各種のペレットサ
イズのものや、ウェ−ハサイズのものに対処することが
できる。
【0023】さらに注目すべき点は、この紫外線照射装
置21は、図7に示すように、粘着シ−ト4の下方に配
置する紫外線発生光源7は、その光軸を、光源側に配置
された遮光体22c,22dの移動方向と直交する方向
に向けて配置していることである。
【0024】すなわち、本紫外線照射装置21は、左
右、前後の遮光体22a,22b,22c,22dを互
いにその先端側部を交差して照射窓24を形成する構造
であり、このため、左右の遮光体22c,22dを下層
の光源側に配置している。従って、光源側に配置される
遮光体22c,22dは粘着シ−ト4との間に上層に配
置された遮光体22a,22bの厚さに相当した若干の
空隙25が生じ、この空隙24から光源7の紫外線L1
が回り込む。
【0025】しかしながら、この光源7の紫外線Lの回
り込みは、光軸を遮光体22c,22dの移動方向に向
けて配置したときの光源7(図7で破線図示)の紫外線
L2の回り込みに比べて、可成り小さく押さえられ、精
度よく遮光がなされる。
【0026】
【発明の効果】以上のように、本発明は粘着シ−ト上に
貼付されたウェ−ハ外周のペレットの外形不良領域上に
照射される紫外線を遮光板により遮光するように構成し
たから、外形の小さい不良ペレットが剥離したり、飛散
したりすることがなくなり、誤認識によるこれら不良ペ
レットのマウントや、ショ−ト事故が防止される。ま
た、ウェ−ハ外周の外形不良ペレットを粘着シ−ト上に
粘着して残すようにしたから、仮にペレット取出し装置
が誤動作してもマウント装置に取出されることがなく、
ウェ−ハ外周部の特性検査やマ−ク付与作業が不要にな
る。また、遮光板を可動可能な対の板状の遮光体で構成
したから、遮光領域を自由に設定でき、種々のペレット
サイズやウェ−ハサイズのペレット取出しに適用でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例で、紫外線照射装置の側
面図である。
【図2】図1の構成部品で、遮光板の上面図である。
【図3】本発明の第2の実施例で、紫外線照射装置の上
面図である。
【図4】図3の作動状態の上面図である。
【図5】本発明の第3の実施例で、紫外線照射装置の上
面図である。
【図6】図5の作動状態の上面図である。
【図7】図5の紫外線照射装置の側面図である。
【図8】半導体装置の製造過程の説明図で、ウェ−ハ貼
付粘着シ−トの斜視図である。
【図9】半導体装置の製造過程の説明図で、図9シ−ト
の枠体取付けの側面図である。
【図10】半導体装置の製造過程の説明図で、図9シ−
トの紫外線照射装置の側面図である。
【図11】半導体装置の製造過程の説明図で、図9シ−
トのペレット取出し装置の側面図である。
【図12】半導体装置の製造過程の説明図で、特性検査
済みウェ−ハの上面図である。
【符号の説明】
1 半導体ウェ−ハ 3 半導体ペレット 4 粘着シ−ト 7 紫外線発生光源 13 外形不良領域 14、17、21 紫外線照射装置 15 遮光板 18、22 板状遮光体 19 凹部 20、24 紫外線照射窓

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 紫外線硬化型粘着材が塗布された粘着シ
    −ト上に多数の定型の半導体素子が形成された半導体ウ
    ェ−ハを貼付け、前記粘着シ−トの下方に配置した紫外
    線発生光源から粘着シ−トに紫外線を照射して粘着材を
    硬化させ、粘着シ−トの粘着力を低下させて半導体素子
    を剥離し易くした紫外線照射装置において、前記粘着シ
    −トの下面近傍に、半導体ウェ−ハ外周部の不定型半導
    体素子領域に紫外光を遮光する遮光板を配置したことを
    特徴とする紫外線照射装置。
  2. 【請求項2】 遮光板は粘着シ−ト下面の前記半導体ウ
    ェ−ハ貼付位置の両側に可動可能に対向して配置され、
    先端にコ字状の凹部が形成された一対の板状遮光体で構
    成し、これらの遮光体を貼付ウェ−ハの中心位置に向け
    て移動して先端部を重合し、コ字状の凹部間に囲まれた
    空間を紫外線の照射窓としたことを特徴とする請求項1
    記載の紫外線照射装置。
  3. 【請求項3】 遮光板は粘着シ−ト下面の前記半導体ウ
    ェ−ハ貼付位置の前後、左右側に可動可能に対向して配
    置され、それぞれ所定幅員に形成された二対の板状遮光
    体で構成し、これらの遮光体を貼付ウェ−ハの中心位置
    に向けて移動して先端部を重合し、先端面間に囲まれた
    空間を紫外線の照射窓としたことを特徴とする請求項1
    記載の紫外線照射装置。
  4. 【請求項4】 紫外線照射装置の光源は線状光源であ
    り、前記二対の板状遮光体の内、光源側に配置される遮
    光体の移動方向と直交する方向に線状光源の配列方向を
    合わせて配置したことを特徴とする請求項3記載の紫外
    線照装置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006173361A (ja) * 2004-12-16 2006-06-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd チップピックアップ装置およびチップピックアップ方法
JP2009283662A (ja) * 2008-05-22 2009-12-03 Lintec Corp 光照射装置
JP2010199466A (ja) * 2009-02-27 2010-09-09 Lintec Corp シート剥離装置及び剥離方法
CN103537806A (zh) * 2012-07-17 2014-01-29 深圳市大族激光科技股份有限公司 晶圆片激光加工方法
CN103545254A (zh) * 2012-07-17 2014-01-29 深圳市大族激光科技股份有限公司 晶圆片激光加工方法
US10872802B2 (en) 2017-11-13 2020-12-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of debonding a carrier substrate from a device substrate, apparatus for performing the same, and method of singulating semiconductor chips including the same

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006173361A (ja) * 2004-12-16 2006-06-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd チップピックアップ装置およびチップピックアップ方法
JP4529672B2 (ja) * 2004-12-16 2010-08-25 パナソニック株式会社 チップピックアップ装置およびチップピックアップ方法
JP2009283662A (ja) * 2008-05-22 2009-12-03 Lintec Corp 光照射装置
KR101489374B1 (ko) * 2008-05-22 2015-02-03 린텍 가부시키가이샤 광 조사 장치
JP2010199466A (ja) * 2009-02-27 2010-09-09 Lintec Corp シート剥離装置及び剥離方法
CN103537806A (zh) * 2012-07-17 2014-01-29 深圳市大族激光科技股份有限公司 晶圆片激光加工方法
CN103545254A (zh) * 2012-07-17 2014-01-29 深圳市大族激光科技股份有限公司 晶圆片激光加工方法
US10872802B2 (en) 2017-11-13 2020-12-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of debonding a carrier substrate from a device substrate, apparatus for performing the same, and method of singulating semiconductor chips including the same

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