JPH06251738A - 高周波イオン源 - Google Patents
高周波イオン源Info
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- JPH06251738A JPH06251738A JP5037656A JP3765693A JPH06251738A JP H06251738 A JPH06251738 A JP H06251738A JP 5037656 A JP5037656 A JP 5037656A JP 3765693 A JP3765693 A JP 3765693A JP H06251738 A JPH06251738 A JP H06251738A
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- Japan
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
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Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電源への電力供給に絶縁トランスが不要で、
しかも、従来よりも小型な高周波イオン源を提供する。 【構成】 放電管1に設けた金属製カナル2および反射
電極3のみを高圧電源6に接続し、放電管1の内部に高
周波電磁界を発生するための高周波コイル(あるいは高
周波電極)4は低圧側に接続する。
しかも、従来よりも小型な高周波イオン源を提供する。 【構成】 放電管1に設けた金属製カナル2および反射
電極3のみを高圧電源6に接続し、放電管1の内部に高
周波電磁界を発生するための高周波コイル(あるいは高
周波電極)4は低圧側に接続する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばイオン注入装置
あるいはイオンビーム分析装置などに利用されるイオン
源に関し、さらに詳しくは、アース電位にイオンを引き
出す構造の高周波イオン源に関する。
あるいはイオンビーム分析装置などに利用されるイオン
源に関し、さらに詳しくは、アース電位にイオンを引き
出す構造の高周波イオン源に関する。
【0002】
【従来の技術】上述の高周波イオン源は、従来、例えば
図4に示すように、ガラス等で製作された放電管41内
を、排気装置(図示せず)で真空引きした後、その管内
部にイオン化するガスを導入した状態で、高周波コイル
44に発振回路45から高周波電圧を印加して放電管内
にプラズマを点火させ、そして、この状態で、プラズマ
に金属製カナル42と反射電極43との間の電位差を与
え、さらに、これらの系全体に、引き出し電源46によ
り正の高電圧を印加することによって、イオンをアース
電位(例えばファラデーカップF)に引き出す構造とな
っている。
図4に示すように、ガラス等で製作された放電管41内
を、排気装置(図示せず)で真空引きした後、その管内
部にイオン化するガスを導入した状態で、高周波コイル
44に発振回路45から高周波電圧を印加して放電管内
にプラズマを点火させ、そして、この状態で、プラズマ
に金属製カナル42と反射電極43との間の電位差を与
え、さらに、これらの系全体に、引き出し電源46によ
り正の高電圧を印加することによって、イオンをアース
電位(例えばファラデーカップF)に引き出す構造とな
っている。
【0003】なお、図示はしないが、発振回路45に
は、発振のための電圧を与える直流電圧電源も組み込ま
れている。
は、発振のための電圧を与える直流電圧電源も組み込ま
れている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した従
来の高周波イオン源では、引き出し電源46により正の
高電圧を与える系、つまり放電管41,カナル42,反
射電極43,高周波コイル44ならびに発振回路45を
ラック48に収納して、そのラックに発振回路45の電
源および反射電源47等の筐体またはアース側を接地
し、そこへ正の高電圧を印加する構造となっており、こ
のため、ラック48が非常に大掛かりなものとなるばか
りでなく、発振回路の電源や反射電源47等に電力を供
給するのに、どうしても絶縁トランスTが必要になると
いった問題があった。
来の高周波イオン源では、引き出し電源46により正の
高電圧を与える系、つまり放電管41,カナル42,反
射電極43,高周波コイル44ならびに発振回路45を
ラック48に収納して、そのラックに発振回路45の電
源および反射電源47等の筐体またはアース側を接地
し、そこへ正の高電圧を印加する構造となっており、こ
のため、ラック48が非常に大掛かりなものとなるばか
りでなく、発振回路の電源や反射電源47等に電力を供
給するのに、どうしても絶縁トランスTが必要になると
いった問題があった。
【0005】本発明はそのような事情に鑑みてなされた
もので、その目的とするところは、発振回路の電源など
への電力供給に絶縁トランスが不要で、しかも、従来よ
りも小型な高周波イオン源を提供することにある。
もので、その目的とするところは、発振回路の電源など
への電力供給に絶縁トランスが不要で、しかも、従来よ
りも小型な高周波イオン源を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明のイオン源では、実施例に対応する図1に示
すように、放電管1のイオン引き出し部に設けられる金
属製カナル2、および放電管1内で生成したプラズマに
所定の電位を与える反射電極3のみを高圧電源6に接続
し、放電管1の内部に高周波電磁界を発生するための高
周波コイル(あるいは高周波電極)4は低圧側に接続す
る。
めに本発明のイオン源では、実施例に対応する図1に示
すように、放電管1のイオン引き出し部に設けられる金
属製カナル2、および放電管1内で生成したプラズマに
所定の電位を与える反射電極3のみを高圧電源6に接続
し、放電管1の内部に高周波電磁界を発生するための高
周波コイル(あるいは高周波電極)4は低圧側に接続す
る。
【0007】ここで、本発明で言う低圧側とは、この種
の高周波イオン源のイオン引き出し用の正の高電圧,例
えば10kVに対する低圧を意味するもので、実際に
は、コイル4に高周波電圧を印加する発振回路5の直流
電源電圧,例えば数百V程度以下の正もしくは負の電位
(0Vを含む)を指す。
の高周波イオン源のイオン引き出し用の正の高電圧,例
えば10kVに対する低圧を意味するもので、実際に
は、コイル4に高周波電圧を印加する発振回路5の直流
電源電圧,例えば数百V程度以下の正もしくは負の電位
(0Vを含む)を指す。
【0008】
【作用】高周波コイル4が低圧側に接続されていても、
そのコイルに印加する高周波電圧が、ある値(例えば回
路系の発振電圧)以上になると、放電管1内にプラズマ
は点火する。さらに、その点火したプラズマは、反射電
極3によって高電位に浮いた状態となっても低圧側の高
周波コイル4で励振される。
そのコイルに印加する高周波電圧が、ある値(例えば回
路系の発振電圧)以上になると、放電管1内にプラズマ
は点火する。さらに、その点火したプラズマは、反射電
極3によって高電位に浮いた状態となっても低圧側の高
周波コイル4で励振される。
【0009】
【実施例】本発明の実施例を、以下、図面に基づいて説
明する。図1は本発明実施例の構成を示す図である。
明する。図1は本発明実施例の構成を示す図である。
【0010】放電管1はガラス等で製作されており、そ
のイオン引き出し部に金属製カナル2が設けられてい
る。また、放電管1の内部には、カナル2に対向して反
射電極3が配置されている。さらに、放電管1には、図
示しないが、真空排気装置が接続されており、また、放
電管内にイオン化するガスを供給するためのガス導入口
が設けられている。
のイオン引き出し部に金属製カナル2が設けられてい
る。また、放電管1の内部には、カナル2に対向して反
射電極3が配置されている。さらに、放電管1には、図
示しないが、真空排気装置が接続されており、また、放
電管内にイオン化するガスを供給するためのガス導入口
が設けられている。
【0011】一方、放電管1の側方外周部には、高周波
コイル4が、管壁体に対して所定の距離を隔てて巻かれ
ている。このコイル4には、アース電位に置かれた発振
回路5が接続されている。なお、発振回路5には、直流
電圧電源(図示せず)が組み込まれており、この電源も
アース電位に置かれている。
コイル4が、管壁体に対して所定の距離を隔てて巻かれ
ている。このコイル4には、アース電位に置かれた発振
回路5が接続されている。なお、発振回路5には、直流
電圧電源(図示せず)が組み込まれており、この電源も
アース電位に置かれている。
【0012】また、放電管1のカナル2と反射電極3と
の間には、この両者間に、反射電極3が大となる電位差
を与える反射電源7が接続されている。そして、このカ
ナル2と反射電極3が高圧電源6に接続されており、そ
の両者のみにイオン引き出し用の正の高電位が与えられ
る。なお、この例では、反射電源7が高圧側に置かれる
ので、この反射電源7としてはバッテリー等の電力供給
が不要なものを使用する。
の間には、この両者間に、反射電極3が大となる電位差
を与える反射電源7が接続されている。そして、このカ
ナル2と反射電極3が高圧電源6に接続されており、そ
の両者のみにイオン引き出し用の正の高電位が与えられ
る。なお、この例では、反射電源7が高圧側に置かれる
ので、この反射電源7としてはバッテリー等の電力供給
が不要なものを使用する。
【0013】次に、本発明実施例の作用を動作とともに
述べる。まず、放電管1内を真空排気し、次いで、この
管内にイオン化する所望のガスを流すとともに、高周波
コイル4に発振回路5から高周波電圧を印加すると、こ
の電圧がある値以上に達した時点で、放電管1内にプラ
ズマが点火する。この状態でカナル2と反射電極3との
間に反射電源7によって電位差を与え、さらに、その両
者に高圧電源6によって正の高電位を与えると、プラズ
マは反射電極3と同じレベルの高電位に浮いた状態とな
って、そのプラズマ中のイオンがカナル2を通じてアー
ス電位のファラデーカップFに引き出される。
述べる。まず、放電管1内を真空排気し、次いで、この
管内にイオン化する所望のガスを流すとともに、高周波
コイル4に発振回路5から高周波電圧を印加すると、こ
の電圧がある値以上に達した時点で、放電管1内にプラ
ズマが点火する。この状態でカナル2と反射電極3との
間に反射電源7によって電位差を与え、さらに、その両
者に高圧電源6によって正の高電位を与えると、プラズ
マは反射電極3と同じレベルの高電位に浮いた状態とな
って、そのプラズマ中のイオンがカナル2を通じてアー
ス電位のファラデーカップFに引き出される。
【0014】ここで、以上の本発明実施例では、先の図
4に示した、従来の高周波イオン源とは異なって、高周
波コイル4および発振回路5がアース電位付近(低圧
側)にあることから、放電管1内で点火したプラズマに
は、ファラデーカップFとの間で放電管1の軸方向に沿
ってかかる電界のほか、高周波コイル4との間に放電管
1の径方向に沿う電界がかかり、このため、高周波コイ
ル4とプラズマとの間の絶縁の問題が発生する。
4に示した、従来の高周波イオン源とは異なって、高周
波コイル4および発振回路5がアース電位付近(低圧
側)にあることから、放電管1内で点火したプラズマに
は、ファラデーカップFとの間で放電管1の軸方向に沿
ってかかる電界のほか、高周波コイル4との間に放電管
1の径方向に沿う電界がかかり、このため、高周波コイ
ル4とプラズマとの間の絶縁の問題が発生する。
【0015】その対策としては、放電管1の径を小さく
し、高周波コイル4の径を大きくして、プラズマとコイ
ル4との間の絶縁距離を稼ぐこと、また、放電管1の周
囲、例えばカナル2の周囲に永久磁石を配置してプラズ
マを収束させる、等により径方向の電界を緩和するとい
った手法を採用すればよい。
し、高周波コイル4の径を大きくして、プラズマとコイ
ル4との間の絶縁距離を稼ぐこと、また、放電管1の周
囲、例えばカナル2の周囲に永久磁石を配置してプラズ
マを収束させる、等により径方向の電界を緩和するとい
った手法を採用すればよい。
【0016】なお、以上の本発明実施例で使用した高圧
電源6および反射電源7に代えて、例えば図2(a) に示
すように、反射電源7の電圧Eに相当する電位差があ
る、二つの高圧電源E1 とE2(E2 =E1 −E)とを、
反射電極3とカナル2に、それぞれ個別に接続してもよ
いし、あるいは、図2(b) に示すように、反射電極3お
よびカナル2を同一の高圧電源E3 に接続して、その両
者間の電圧差Eを、分圧抵抗Rおよびツェナーダイオー
ドDで与えるといった構成を採用してもよい。
電源6および反射電源7に代えて、例えば図2(a) に示
すように、反射電源7の電圧Eに相当する電位差があ
る、二つの高圧電源E1 とE2(E2 =E1 −E)とを、
反射電極3とカナル2に、それぞれ個別に接続してもよ
いし、あるいは、図2(b) に示すように、反射電極3お
よびカナル2を同一の高圧電源E3 に接続して、その両
者間の電圧差Eを、分圧抵抗Rおよびツェナーダイオー
ドDで与えるといった構成を採用してもよい。
【0017】また、本発明は、図1に示したLカップリ
ング型の高周波イオン源のほか、図3(a) に示すよう
に、放電管1の周囲に高周波リング34aを配置したも
の、あるいは同図(b) のように高周波電極34bを配置
した、いわゆるCカップリング型のイオン源に適用可能
である。
ング型の高周波イオン源のほか、図3(a) に示すよう
に、放電管1の周囲に高周波リング34aを配置したも
の、あるいは同図(b) のように高周波電極34bを配置
した、いわゆるCカップリング型のイオン源に適用可能
である。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の高周波イ
オン源によれば、放電管に設けたカナルと反射電極のみ
に高電圧を印加する構造としたので、アース電位に対し
て絶縁を確保すべき部分が、例えば放電管廻りだけの極
めて小さなスペースで済み、その絶縁を得るための処理
が容易になるとともに、装置全体が小型になる。
オン源によれば、放電管に設けたカナルと反射電極のみ
に高電圧を印加する構造としたので、アース電位に対し
て絶縁を確保すべき部分が、例えば放電管廻りだけの極
めて小さなスペースで済み、その絶縁を得るための処理
が容易になるとともに、装置全体が小型になる。
【0019】また、イオン引き出し用電源のみならず、
発振回路の直流電源などの電源をもアース電位側の配置
となることから、電力供給のための絶縁トランスを設け
る必要がなくなるとともに、それらの電源の制御も容易
となる。
発振回路の直流電源などの電源をもアース電位側の配置
となることから、電力供給のための絶縁トランスを設け
る必要がなくなるとともに、それらの電源の制御も容易
となる。
【図1】本発明実施例の構成を示す図
【図2】本発明実施例の変形例を説明する図
【図3】本発明を適用できる高周波イオン源(Cカップ
リング型)の部分構成図
リング型)の部分構成図
【図4】高周波イオン源の従来の構造例を示す図
1・・・・放電管 2・・・・金属製カナル 3・・・・反射電極 4・・・・高周波コイル 5・・・・発振回路 6・・・・高圧電源 7・・・・反射電源
Claims (1)
- 【請求項1】 イオン化するガスが導入される放電管
と、この放電管のイオン引き出し部に設けられた金属製
カナルと、上記放電管の外部周辺に配置され、高周波電
圧の印加により当該放電管内に高周波電磁界を発生する
高周波コイルもしくは高周波電極と、上記放電管内で生
成したプラズマに所定の電位を与える反射電極を備えた
イオン源において、上記カナルおよび上記反射電極のみ
が高圧電源に接続され、上記高周波コイルもしくは高周
波電極は低圧側に接続されていることを特徴とする高周
波イオン源。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5037656A JPH06251738A (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | 高周波イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5037656A JPH06251738A (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | 高周波イオン源 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06251738A true JPH06251738A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=12503691
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5037656A Pending JPH06251738A (ja) | 1993-02-26 | 1993-02-26 | 高周波イオン源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06251738A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102522310A (zh) * | 2012-01-06 | 2012-06-27 | 昆山禾信质谱技术有限公司 | 一种环形介质阻挡放电电离装置 |
CN102683152A (zh) * | 2012-04-24 | 2012-09-19 | 昆山禾信质谱技术有限公司 | 一种质子转移质谱离子源 |
CN104941401A (zh) * | 2015-06-10 | 2015-09-30 | 清华大学 | 双介质阻挡放电低温等离子体处理装置 |
-
1993
- 1993-02-26 JP JP5037656A patent/JPH06251738A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102522310A (zh) * | 2012-01-06 | 2012-06-27 | 昆山禾信质谱技术有限公司 | 一种环形介质阻挡放电电离装置 |
CN102683152A (zh) * | 2012-04-24 | 2012-09-19 | 昆山禾信质谱技术有限公司 | 一种质子转移质谱离子源 |
CN104941401A (zh) * | 2015-06-10 | 2015-09-30 | 清华大学 | 双介质阻挡放电低温等离子体处理装置 |
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