JPH06249733A

JPH06249733A - 容量型絶対圧測定センサおよび複数の容量型絶対圧測定センサを製造する方法

Info

Publication number: JPH06249733A
Application number: JP6037517A
Authority: JP
Inventors: Philippe Renaud; フィリップ・ルノー
Original assignee: C S Uu M Centre Swiss Electron E De Mikurotekuniku SA Rech E Dev; Centre Suisse dElectronique et Microtechnique SA CSEM
Current assignee: C S Uu M Centre Swiss Electron E De Mikurotekuniku SA Rech E Dev; Centre Suisse dElectronique et Microtechnique SA CSEM
Priority date: 1993-02-12
Filing date: 1994-02-14
Publication date: 1994-09-09
Also published as: US5488869A; NO311110B1; NO940472L; FI940589A0; DE69418740T2; EP0610806A1; DE69418740D1; DK0610806T3; FR2701564B1; NO940472D0; FI940589A; FI111993B; FR2701564A1; EP0610806B1

Abstract

(57)【要約】【目的】容量型絶対圧測定センサおよび複数の容量型
絶対圧測定センサを製造する方法を得ることである。【構成】内部に可動電極（４）が配置される第１の要
素（２）と、前記可動電極（４）から絶縁されてその電
極に向き合って配置させられる固定電極（８）が内部に
配置される第２の要素（６）と、第１の要素と第２の要
素の間に置かれて、外部環境から絶縁された、内部圧が
ほぼ零であるようなチャンバ（１２）を形成する連結フ
レーム（１０）と、前記チャンバに隣接する基準容積
（１４）とを備える容量型絶対圧測定センサであって、
第１の要素（２）はほぼ一定厚さである膜の形態を有
し、前記基準容積（１４）は第２の要素（６）の内部に
少なくとも部分的に配置されることを特徴とする容量型
絶対圧測定センサ装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は容量型絶対圧測定センサ
に関するものであり、とくに絶対圧を測定し、残留内部
圧をできるだけ小さくして、大きい基準容積を供給する
センサに関するものである。本発明は、半導体微細加工
技術を用いてそのようなセンサを複数個製造する方法に
も関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体をベースとする材料で製造され、
絶対圧を測定するために最も一般的に用いられる圧力測
定センサは、ピエゾ抵抗型のシリコンセンサである。そ
れらのピエゾ抵抗センサは、ピエゾ抵抗素子、すなわ
ち、加えられている圧力に従って抵抗率が変化する素子
を含むシリコン膜からなる。それらのセンサは構造が非
常に簡単で、小型ではあるが、いくつかの欠点がある。
それらの素子は温度に対して不安定であるから、正確に
測定するためには温度補償回路を使用する必要がある。
これに加えて、膜のシリコンとピエゾ抵抗素子の間に相
互拡散のような反応が起きる。この反応はセンサのエー
ジング過程を加速する。

【０００３】これが、半導体センサを使用するときに耐
久性、温度安定性、超高感度および低消費電力を必要と
する場合に、絶対圧を測定するのに容量型センサが一般
に使用される理由である。容量型センサは、可動電極を
形成する膜が内部に製造される第１の要素と、対向電極
として知られている固定電極を形成する領域が内部に配
置される第２の要素を一般に備える。第１の要素と第２
の要素の間に絶縁フレームが設けられて、外部環境から
絶縁された、内部圧がほぼ零であるようなチャンバを形
成する。このようにして、チャンバの内部で優勢な零
圧、またはほぼ零圧、に関連して外部圧力を測定する容
量型絶対圧測定センサが製造される。

【０００４】それらのセンサの１つの欠点は、センサを
製造する技術、この場合には半導体微細加工技術、から
生ずる。製造の途中において、センサの構造内でガス放
出が起きることがあり、そのためにチャンバの内部に残
留圧力が生ずることがあることに注目されたい。したが
って、それらの条件の下においてはセンサは絶対圧を正
確には指示しない。更に、チャンバ内部に含まれるガス
の量は温度に従って変化するから、指示の安定性と再現
性の少なくとも一方が影響を受ける。

【０００５】この問題を解消するための知られている解
決策は、いわゆる基準容積を形成するために第１の要素
中に空所を設けることである。チャンバの容積に関連す
るこの基準容器の目的は、ガス放出によってひき起こさ
れる残留圧力を低下させることである。

【０００６】しかし、この解決策自体に欠点がある。膜
の活動表面の外側に、すなわち、圧力を受けるセンサの
外側に基準容積がある場合には、センサの全表面が基準
容量によって占められる表面に対応するだけ増加する。
同じシリコンウエハーの上に実現できる活動表面データ
を提供するセンサの数が減少させられる。こうすること
自体は各センサのコストを上昇させる。更に、第１の要
素中に基準容積を含ませることは、第１の要素の２つの
面を機械加工する必要がある。そうすると製造法がかな
り複雑になる。

【０００７】それらのセンサはシリコン基板からまとめ
て製造されるから、製造が終わると、第１の基板と第２
の基板を横切る切断作業においてそれらのセンサを分離
せねばならない。そのために、膜の周辺部に補充表面を
設ける必要がある。この場合も、ウエハーの表面に製造
できるセンサの数が減少する。更に、この切断は一般に
機械的な切断により行われるが、そのためにセンサの膜
にストレス、またはひび割れをも引き起こす。そうする
とセンサに回復できない損傷が生ずることになる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、一方では、活動領域内部に拡大された基準容積
を設け、感度が高いと同時に構造が非常が簡単である容
量型絶対圧測定センサと、とくに切断時に、センサの活
動部分に損傷を及ぼす多くの危険を無くしてセンサを複
数個製造する簡単かつ経済的な方法を得ることにより、
従来技術の前記諸欠点を克服することである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】したがって、本発明は、
可動電極が形成される第１の要素と、前記可動電極から
絶縁されてその電極に向き合って位置させられる固定電
極が形成される第２の要素と、第１の要素と第２の要素
の間に置かれて、外部環境から絶縁された、内部圧がほ
ぼ零であるようなチャンバを形成する連結フレームと、
前記チャンバに隣接する基準容積とを備える容量型絶対
圧測定センサである、前記第１の要素はほぼ一定厚さで
ある膜の形態を有し、前記基準容積が第２の要素の内部
に少なくとも部分的に配置されることを特徴とする。

【００１０】したがって、本発明センサは、表面に対す
る基準容積の比が高くされ、温度に対して安定で、その
活動部分の表面にほぼ等しい全センサ表面にわたって高
い感度を示す。本発明の特徴によれば、固定電極の周囲
をまわる溝により基準容積が形成される。この特徴によ
り、センサの感度を低下させること無しに測定コンデン
サの活動部分の寸法を小さくし、本発明のセンサの相対
感度を高くするという利点が得られる。本発明の方法
は、膜により形成された可動電極と固定電極をおのおの
備える複数の容量型絶対圧測定センサを製造する方法で
ある、半導体物質の第１の基板を供給する工程と、半導
体物質の第２の基板を供給する工程と、前記第１の基板
と前記第２の基板の一方の少なくとも１つの第１の面の
上に連結絶縁層を形成する工程と、前記第１の面の部分
を露出させて少なくとも１つの連結フレームを形成する
ために連結層を加工する工程と、前記第１の面の露出さ
れている部分を加工して固定電極と基準容積を構成する
工程と、外部環境から絶縁されて、内部圧がほぼ零であ
り、かつ前記基準容積に接触するチャンバを形成するよ
うに、前記第２の基板の第１の面が前記第１の基板に向
き合って位置させられるようなやり方で、真空の下に、
連結フレームを用いて前記第１の基板と前記第２の基板
をはんだ付けすることにより組み立てる工程と、前記基
板の他方を薄くして、可動電極を形成する膜を製造する
工程と、異方性エッチングにより前記膜の輪郭を成形し
て前記他方の基板を形成する工程と、各センサに対し
て、固定電極と可動電極のおのおのに対する電気接点を
形成する工程と、を備えることを特徴とする。

【００１１】

【実施例】まず図１〜図３を参照する。それらの図には
本発明の容量型絶対圧測定センサが参照番号１により示
されている。以下の説明においては、簡単にするために
上記センサを「センサ」と呼ぶことにする。全体として
長方形であるセンサ１は、可動電極４を構成する第１の
半導体要素２と、対向電極として知られている固定電極
８を構成する第２の半導体要素６とを通常のように備え
ている。固定電極は可動電極４に向き合って配置され
る。可動電極４の表面はセンサ１のいわゆる活動表面、
すなわち、測定することを求められる圧力を受ける表面
を定める。

【００１２】可動電極４は固定電極８から絶縁される。
そのために第１の要素２は絶縁連結フレーム１０により
第２の要素６から分離される。連結フレーム１０は、可
動電極４と固定電極８の間に誘電体空間を形成し、した
がって通常の測定コンデンサを形成する誘電体空間を生
ずる間隔フレームをも形成している。連結フレーム１０
は閉じられており、第１の半導体要素である膜２および
第２の半導体要素である基板６と共にチャンバ１２を構
成する。このチャンバは、外部環境から絶縁され、可動
電極４のどのような動きも外部圧力、いいかえれば、セ
ンサの活動表面が受ける圧力を表すように、および指示
される測定値が絶対圧力を表すように、チャンバの内部
圧力は零またはほとんど零である。

【００１３】このセンサは、センサ１の製造中に起きる
ガス放出の結果として生ずる、チャンバ１２の内部に含
まれるＧａＡｓの圧力を低下させるために、チャンバ１
２に接して基準容積１４も備える。更に、センサ１は、
外部圧が可動電極４を変位させた時に、可動電極４と固
定電極８の間の形成されているコンデンサの容量の変化
を周知のように判断する外部測定回路（図示せず）に接
続する接点手段１６を備える。この接点手段１６は、図
示の例においては、可動電極４へ連結されている接触ピ
ン１８の上に設けられている金属部１６ａと、第２の要
素６の露出されている部分の上に設けられている金属部
１６ｂとにより形成される。これに関して、連結フレー
ム１０の厚さと同じ厚さの接触スタッド２２によりピン
１８は支持されていることに気がつくであろう。

【００１４】図示の例においては、第１の要素と第２の
要素は単結晶シリコンで製造され、連結フレームは二酸
化シリコンで製造される。更に、可動電極４を構成する
第１の要素２は、全表面にわたってほぼ一定の厚さを示
す膜の態様を有する。この膜は全体として正方形であっ
て、それの１つの隅が接触ピン１８へ連結されている。
更に、この説明において明らかとなるであろう理由によ
り、膜は第２の要素６の縁部内にある。

【００１５】したがって、全表面積が同じであるセンサ
では、シリコン要素の表面の一部を化学エッチングする
ことにより形成される膜を有する従来技術のセンサの活
動表面より活動表面が広くなることが容易に理解できる
であろう。その従来技術のセンサの化学エッチングは、
シリコン要素の表面に対して約５７％傾けた結晶平面に
沿って行われる。したがって、センサの全表面に対して
活動表面が減少することになる。この膜の厚さは変化で
き、感度と、測定すべき圧力範囲との少なくとも一方に
従って調整できる。

【００１６】更に、本発明のセンサは第２の要素６の内
部に基準容積１４を有する。更に詳しくいえば、基準容
積１４は固定電極８の周囲に設けられ、傾斜した壁２４
を有する溝で構成される。

【００１７】次に、図４〜図１０を参照して本発明のセ
ンサ１を複数個製造する方法を説明する。本発明のセン
サの寸法が小さいことを考慮して、および容易に理解で
きる実際的な理由から、本発明の製造方法は、図４に示
されているように第１の基板３０と第２の基板３２を構
成する２枚の相補ウエハーから、僅かな大きさの開放空
間１２により隔てられている固定電極８と可動電極４を
おのおの備える多数のセンサを同時に製造するために応
用される。しかし、簡単にするために、単一のセンサ１
についてだけ説明と図示を行うことにする。

【００１８】更に、温度、時間、使用するエッチング剤
等のような以下に述べる各種のパラメータの値は決して
限定的なものではなく、使用する材料および装置に主と
して依存することに注目することが重要である。それら
の値は当業者が容易に決定できる。センサ１を製造する
第１の基板３０と第２の基板３２を構成するウエハー
（図示せず）は、単結晶シリコンのような半導体材料で
製作される。その単結晶シリコンの結晶の向きは＜１０
０＞であることが好ましい。

【００１９】図１４は、第１の基板３０と第２の基板３
２を準備し、第２の基板３２の第１の面の上の絶縁物質
内に連結層３４を形成した後の第１の基板３０と第２の
基板３２を示す。基板の準備は、たとえば、「アールシ
ーエー・レビュー（ＲＣＡＲｅｖｉｅｗ）」１９７０
年、３１号、１８７ページに記載されているようにし
て、基板の表面を清浄にすることより行う。連結絶縁層
３４は、第１のエッチング剤と反応する物質の下側の層
３８と、第２のエッチング剤と反応するが、第１のエッ
チング剤とはほとんど反応しない物質の上側の層４０と
を含む。この場合には、下側層３８は酸化シリコン（Ｓ
ｉＯ₂）で構成され、上側層４０は窒化シリコン（Ｓｉ
Ｎ_X）で構成される。

【００２０】ここで開示する例においては、下側層３８
は、炉内部で酸化雰囲気中で約１１００℃で数時間加熱
酸化することにより形成されている。たとえば、約２０
００オングストロームの厚さを有する層３８を得るため
に、この第２の基板３２を炉内部に約１０時間入れてお
く必要がある。下側層３８のこの形成工程中は第２の基
板３２の第２の面４２は保護されることに注目されるで
あろう。しかし、この保護の有無は本発明の方法の実施
には何の影響も及ぼさない。一実施例においては、化学
蒸着または物理蒸着（ＣＶＤまたはＰＶＤ）により下側
層３８を形成できることはいうまでもない。

【００２１】それから、上側層４０を、たとえば、低圧
化学蒸着により下側層３８の表面へ約０．１５μｍの厚
さに付着させる。図５〜図７は、連結フレーム１０を形
成する連結層３４と、基準容積を形成し、かつセンサ１
の固定電極８の輪郭を定める溝１４との加工工程を示
す。図１に示すように、連結フレームは全体として正方
形であって、固定電極８はその連結フレーム１０と同心
状の正方形表面の形を有する。

【００２２】そのために、第１のフォトレジスト層（図
示せず）を上側層４０の全表面の上に付着する。この第
１のフォトレジスト層をマスク（図示せず）を通じて露
光する。第１のフォトレジスト層の露光された部分を、
たとえば湿式エッチング剤を用いて通常のように除去
し、上側層４０の露光された部分を第１のエッチング剤
を用いて下側層３８までエッチングする。上側層４０の
フレームの態様の残りの部分４４が、図５に示すように
次の工程で連結フレーム１０を形成するためのマスクを
構成する。

【００２３】それから、前の工程で露光した上側層４０
の残りの部分４４の上と、下側層３８の部分４６の上と
に第２のフォトレジスト層（図示せず）を付着する。こ
の第２のフォトレジスト層を第２のマスク（図示せず）
を通じて露光する。残されたフォトレジスト層がフレー
ム１０と同心状に配置され、固定電極８の表面に対応す
る表面を有する下側層３８の正方形部分４８を覆うよう
に、第２のフォトレジスト層の露光した部分を通常の手
段、たとえば、湿式エッチング剤を用いて除去する。第
２の基板の面３６が露出されるまで第２のエッチング剤
を用いて下側層３８の露出された部分をエッチングす
る。それからフォトレジスト層の残りの部分を除去す
る。

【００２４】上側層４０をたとえば塩素プラズマでエッ
チングし、下側層３８はたとえばフッ化水素酸の溶液を
用いてエッチングする。第１のフォトレジスト層および
第２のフォトレジスト層の残りの部分を従来の手段、た
とえば、適当な溶液中の湿式エッチング剤を用いて、ま
たは酸素雰囲気中でプラズマにより除去する。こうする
ことにより図６に示すような構造が得られる。この構造
においては第２の基板の表面３６は連結フレーム１０
と、前の工程におけるフォトレジストにより保護されて
いる下側層の正方形４８とを含む。

【００２５】面３６のうち連結フレーム１０と正方形４
８により保護されない部分を後の工程でエッチングし
て、本発明のセンサの基準容積を構成する溝１４を形成
する。連結フレーム１０と、エッチング・マスクとして
の下側層により形成された正方形４８とを用いることに
より、図７に示されている工程は、第２の基板の物質と
主として反応するが、下側層の物質および上側層の物質
とは反応しない第３のエッチング剤を用いて、面３６の
露出されている部分を異方性エッチングする。それから
第２のエッチング剤を用いるエッチングにより正方形４
８を除去する。

【００２６】例として、ＫＯＨ溶液中の湿式エッチング
剤を用いて１００μｍ程度の深さまで溝１４をエッチン
グし、ＨＦ溶液中の湿式エッチング剤を用いて正方形４
８を除去する。図７に示すように、エッチング剤による
基板の種々の結晶面のエッチング速度の違いのために、
溝１４の側壁２４は外側に拡がった傾斜した形になる。
第２の基板３２を加工したら、次の工程では、第１の基
板３０で組み立てる第２の要素を形成する最後の工程で
ある上側層４０（ＳｉＮ_X）の残りの部分４４を除去す
る。この場合には、たとえば、プラズマエッチングによ
り上側層４０の部分４４を除去する。

【００２７】次の工程は、第１の基板３０の第１の面５
０が第２の基板３２すなわち第２の要素６の加工された
面３６に向き合って位置させられるように、第１の基板
３０を置くことである。

【００２８】２枚の基板３０と３２を用意したら、真空
中の自動はんだ付けによりそれらの基板を密着固定して
組み立てる。そのために、２枚の基板３０と３２を、約
１１００℃の温度に予熱して、内部圧力がほぼ零である
炉の内部に入れる。図８に示されている次の工程におい
ては、第１の基板３０を薄くする、すなわち、第１の基
板３０が所定の厚さに達するまで、露出されているこの
第２の基板３２の第２の面５２をエッチングする。

【００２９】このために、連結フレーム１０により組み
立てられた２枚の基板を、特定の濃度、特定の温度のエ
ッチング剤溶液中に特定の時間だけ浸して、希望の厚
さ、ここで説明している例では約８０μｍ、を得る。第
１の基板３０を薄くするこの工程中に第２の基板３２の
面４２がエッチングされることを避けるために、面４２
がエッチング剤に接触しないようにその面４２を機械的
に保護する。別の実施例によれば、第３のエッチング剤
と反応しない物質の保護層を付着する。

【００３０】図９は、可動電極４を構成する膜の輪郭を
形成する第１の基板のエッチング工程を示す。この工程
は保護層５４を付着することよりなる。その保護層を通
常のフォトリソグラフィック技術により成形し、第１の
基板の露出されている部分をエッチングして、保護層５
４を除去する。ここで説明している例においては、たと
えば低圧化学蒸着により窒化シリコン（ＳｉＮ_X）を面
５２の全面に付着する。

【００３１】次に、保護層５４の上に第３のフォトレジ
スト層（図示せず）を付着する。この第３のフォトレジ
スト層を第３のマスク（図示せず）を通じて露光し、第
３のフォトレジスト層の露光した部分を、たとえば湿式
エッチング剤を用いて、通常のように除去する。この場
合、面５２の一側面に沿って延びているストライプと面
５２の狭い周辺部とで図１に示すような電極の形状が形
成される。

【００３２】それからあるエッチング剤を用いて、保護
層の露出した部分をエッチングし、その後でフォトレジ
ストの残りの部分を除去する。そうすると図９に示すよ
うな構造が得られる。この構造においては面５２は、第
１の基板の面５２の縁部に沿って延びているストライプ
と、面５２の狭い周辺とを除き、保護層５４により完全
に覆われる。

【００３３】それから、第１の基板３０の面５２の窒化
シリコンにより保護されていない部分を、たとえば第１
の基板３０を薄くする工程で用いたエッチング剤と同じ
エッチング剤を用いて、全体の厚さにわたってエッチン
グする。

【００３４】隣のセンサが破線で示されている図１０か
ら明らかになる、本発明の製造法の１つの特徴によれ
ば、丁度行ったばかりのエッチング中に、第１の要素２
により形成されて、各センサ１の可動電極４を形成する
第１の基板３０の周辺部がエッチングされ、個々のセン
サの第２の基板３２すなわち第２の要素６のみを切断す
る簡単な工程により相互に分離し、個々のセンサを相互
に分離できることに注目されたい。

【００３５】次の工程は、第１の要素２と第２の要素６
のためのそれぞれの接触手段を形成することである。図
１から明らかとなるように、可動電極４へ連結されて、
その可動電極の縁部に沿って置かれるラグ１８の上に接
点１６ａを形成し、第２の要素６の露出されている縁部
２０の上に接点１６ｂを形成する。マスク（図示せず）
を通じてたとえばアルミニウムのような金属を真空蒸着
することにより接点１６ａ、１６ｂを形成する。もちろ
んそれらの接点１６ａ、１６ｂは陰極スパッタリングに
よって形成することもできる。

【００３６】このようにして製造され、第１の基板３０
の第１の要素２で構成された可動電極４と、第２の基板
３２の第２の要素６で構成された固定電極８とをおのお
の有するセンサを、通常の切断工程において相互に分離
し、ハウジングすなわちパッケージ内に封入する。

【００３７】添付図面は種々の部品の正確な相対的寸法
を相互に比例して表していないこと、図示を明確にする
ためにそれらの寸法は時には非常に誇張していることに
注目すべきである。寸法の例を記せば、本発明の方法に
従って製造されたセンサの全体的な寸法は１．９×２．
２×０．５mm³ 、膜の表面積は約１．７×１．７mm²、
膜の厚さは約６０×１０^-6ｍ、連結フレームの厚さは約
２×１０^-6ｍ、である。そのような寸法により、測定容
量と寄生容量はそれぞれ６ｐＦおよび５ｐＦ程度であ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の絶対圧測定センサの部分的に切り欠い
て示す平面図である。

【図２】図１のセンサのII−II線に沿って切断した断面
図である。

【図３】図１のセンサのIII−III線に沿って切断した断
面図である。

【図４】本発明の製造方法の１つの工程における本発明
の容量型絶対圧測定センサの図１のII−II線に沿って切
断した断面図である。

【図５】本発明の製造方法の別の工程における本発明の
容量型絶対圧測定センサの図１のII−II線に沿って切断
した断面図である。

【図６】本発明の製造方法の別の工程における本発明の
容量型絶対圧測定センサの図１のII−II線に沿って切断
した断面図である。

【図７】本発明の製造方法の別の工程における本発明の
容量型絶対圧測定センサの図１のII−II線に沿って切断
した断面図である。

【図８】本発明の製造方法の別の工程における本発明の
容量型絶対圧測定センサの図１のII−II線に沿って切断
した断面図である。

【図９】本発明の製造方法の別の工程における本発明の
容量型絶対圧測定センサの図１のII−II線に沿って切断
した断面図である。

【図１０】本発明の製造方法の別の工程における本発明
の容量型絶対圧測定センサの図１のII−II線に沿って切
断した断面図である。

【符号の説明】

２第１の要素４可動電極６第２の要素８固定電極１０連結フレーム１２チャンバ１４基準容積１６ａ、１６ｂ電気接点３０第１の基板３２第２の基板３４絶縁層３６基板の１つの面

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】可動電極（４）が形成される第１の要素
（２）と、前記可動電極（４）から絶縁されてその電極
に向き合って位置させられる固定電極（８）が形成され
る第２の要素（６）と、第１の要素と第２の要素の間に
置かれて、外部環境から絶縁され、内部圧がほぼ零であ
るようなチャンバ（１２）を形成する連結フレーム（１
０）と、前記チャンバに隣接する基準容積（１４）とを
備える容量型絶対圧測定センサであって、第１の要素
（２）はほぼ一定厚さである膜の形態を有し、前記基準
容積（１４）は第２の要素（６）の内部に少なくとも部
分的に配置されることを特徴とする容量型絶対圧測定セ
ンサ装置。
【請求項２】前記基準容積（１４）が固定電極（８）
の周囲に形成された溝からなる請求項１記載の容量型絶
対圧測定センサ。
【請求項３】可動電極（４）と固定電極（６）をおの
おの備える複数の容量型絶対圧測定センサを製造する方
法において、半導体物質の第１の基板（３０）を用意する工程と、半導体物質の第２の基板（３２）を用意する工程と、前記第１の基板と前記第２の基板のいずれか一方の基板
（３２）の少なくとも１つの第１の面（３６）の上に連
結絶縁層（３４）を形成する工程と、前記第１の面の部分を露出させて、少なくとも１つの連
結フレーム（１０）を形成するように連結層（３４）を
加工する工程と、前記第１の面（３６）の露出されている部分を加工して
固定電極（８）と基準容積（１４）を形成する工程と、外部環境から絶縁されて、内部圧がほぼ零であり、かつ
前記基準容積（１４）に隣接するチャンバ（１２）を形
成するように、前記第２の基板の第１の面が前記第１の
基板に向き合って位置させられるようなやり方で、真空
中で、連結フレーム（１０）を用いて前記第１の基板
（３０）と前記第２の基板（３２）を密着させて固定し
て組み立てる工程と、前記基板の他方を薄くして、可動電極（６）を形成する
膜を製造する工程と、異方性エッチングにより前記膜の輪郭を形成して前記他
方の基板を成形する工程と、各センサに対して、固定電極（６）と可動電極（４）の
おのおのに対する電気接点（１６ａ、１６ｂ）を形成す
る工程と、を備えることを特徴とする複数の容量型絶対
圧測定センサを製造する方法。